CN102280410A - 基于玻璃基的plc晶圆切割方法 - Google Patents
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Abstract
本发明适用于半导体制程领域。本发明公开一种基于玻璃基的PLC晶圆切割方法，该基于玻璃基的PLC晶圆切割方法包括，在玻璃基板上涂上涂有粘合层，通过热熔方式使粘合层与需要切割的PLC晶圆进行粘合，待粘合层冷却PLC晶圆固定后采用切割工具对与玻璃基板固定的PLC晶圆进行切割。与现有技术，由于被切割的PLC晶圆通过热熔将粘合层与玻璃基板进行固定，其牢固度是UV膜的3倍以上，一方面可以在切刀转速过快时，避免PLC晶圆产生移位造成切割精度不高，同时该PLC晶圆与粘合层之间产生足够的机械强度，使得切割后的晶粒有背面的崩缺减少，通常在50um，同时切刀转速快是可以提高切割速度，提高切割效率，成本较低。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制程技术领域，特别涉及一种基于玻璃基的PLC晶圆切割方法。
背景技术
XPON作为新一代光纤接入技术，在高干扰性、带宽特性、接入距离、维护管理方面均具有巨大优势，XPON光接入技术比较成熟的EPON和GPON均是由局端OLT、用户端ONU设备和无源光分配网络ODN组成，而光分路器是XPON接入技术中ODN网络的基础功能器件，做为光分路器核心部分之一的平面波导型芯片，决定了光分路器的主要成本。
平面波导型芯片成品价格过高，供货紧急，因此购买芯片半成品(PLC晶圆)切割成单个芯片，此种半自产的方式已成为解决上述问题的必然方法，但同时由于晶圆本身尺寸及材料的原因，目前市场上没有专门针对PLC晶圆切割的设备及方法。
现有的PLC晶圆切割方法通过UV膜工艺将PLC晶圆与晶圆架进行固定，一方面贴UV膜时需要采用专门设备实施，贴UV膜的效果受操作人员技能影响；另一方面该UV膜固定PLC晶圆时的牢固度不强，切割时切刀转速过快时，容易产生移位造成切割精度不高，产生的崩缺大，通常在100um，也影响切割效率；同时该UV膜的成本也高。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种基于玻璃基的PLC晶圆切割方法，该基于玻璃基的PLC晶圆切割方法可以避免在对PLC晶圆进行切割速度快时容易产生侧崩或侧崩过大，提高切割效率和切割精度，降低切割成本。
为了解决上述问题，本发明提供一种基于玻璃基的PLC晶圆切割方法， 该基于玻璃基的PLC晶圆切割方法包括，在玻璃基板上涂上涂有粘合层，通过热熔方式使粘合层与需要切割的PLC晶圆进行粘合，待粘合层冷却PLC晶圆固定后采用切割工具对与玻璃基板固定的PLC晶圆进行切割。
优选地，所述粘合层由粘合剂组成，其中粘合剂包括工业石蜡和松香按质量7∶1～6∶1进行合成制得。
优选地，所述粘合层的厚度为0.05-0.2um。
优选地，所述切割工具包括切刀。
优选地，所述粘合层通过热风机。
本发明提供一种基于玻璃基的PLC晶圆切割方法，在玻璃基板上涂上涂有粘合层，通过热熔方式使粘合层与需要切割的PLC晶圆进行粘合，待粘合层冷却PLC晶圆固定后采用切割工具对与玻璃基板固定的PLC晶圆进行切割。与现有技术，由于被切割的PLC晶圆通过热熔将粘合层与玻璃基板进行固定，其牢固度是UV膜的3倍以上，一方面可以在切刀转速过快时，避免PLC晶圆产生移位造成切割精度不高，同时该PLC晶圆与粘合层之间产生足够的机械强度，使得切割后的晶粒有背面的崩缺减少，通常在50um，同时切刀转速快是可以提高切割速度，提高切割效率，成本较低。
具体实施方式
本发明提供一种基于玻璃基的PLC晶圆切割方法实施例。
该基于玻璃基的PLC晶圆切割方法包括，在玻璃基板上涂上涂有粘合层，该粘合层的厚度可以为0.05-0.2um，通过热熔方式使粘合层与需要切割的PLC晶圆进行粘合，待粘合层冷却PLC晶圆固定后采用切割工具对与玻璃基板固定的PLC晶圆进行切割。
具体地说，所述粘合层由粘合剂组成，其中粘合剂包括工业石蜡和松香按质量以7∶1～6∶1的比例合成制得；所述切割工具包括切刀。所述粘合层可以通过热风机。
本发明基于玻璃基的PLC晶圆切割方法，在玻璃基板上涂上涂有粘合层， 通过热熔方式使粘合层与需要切割的PLC晶圆进行粘合，待粘合层冷却PLC晶圆固定后采用切割工具对与玻璃基板固定的PLC晶圆进行切割。与现有技术，由于被切割的PLC晶圆通过热熔将粘合层与玻璃基板进行固定，其牢固度是UV膜的3倍以上，一方面可以在切刀转速过快时，避免PLC晶圆产生移位造成切割精度不高，同时该PLC晶圆与粘合层之间产生足够的机械强度，使得切割后的晶粒有背面的崩缺减少，通常在50um，同时切刀转速快是可以提高切割速度，提高切割效率，成本较低。
该粘合层在使用过程中，不产生任何有害的气体以及异味比UV膜更安全和更环保。采用玻璃作为基板，其与与待切割的PLC晶圆材质相近，厚度均匀，更容易固定；同时玻璃基板表面光滑，与切割设备的真空平面吸附作用相当。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (5)
1.一种基于玻璃基的PLC晶圆切割方法，包括在玻璃基板上涂上涂有粘合层，通过热熔方式使粘合层与需要切割的PLC晶圆进行粘合，待粘合层冷却PLC晶圆固定后采用切割工具对与玻璃基板固定的PLC晶圆进行切割。
2.根据权利要求1所述的基于玻璃基的PLC晶圆切割方法，其特征在于：
所述粘合层由粘合剂组成，其中粘合剂包括工业石蜡和松香按质量7∶1～6∶1进行合成制得。
3.根据权利要求1或2所述的基于玻璃基的PLC晶圆切割方法，其特征在于：
所述粘合层的厚度为0.05-0.2um。
4.根据权利要求1所述的基于玻璃基的PLC晶圆切割方法，其特征在于：
所述切割工具包括切刀。
5.根据权利要求1所述的基于玻璃基的PLC晶圆切割方法，其特征在于：
所述粘合层通过热风。
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