TWI422077B - 發光二極體結構及其製作方法 - Google Patents

Description

發光二極體結構及其製作方法

本發明是有關於一種發光元件，且特別是有關於一種發光二極體結構及其製作方法。

請參照第1圖，其係繪示一種傳統發光二極體結構的剖面示意圖。發光二極體結構100主要包含基板102、磊晶結構104、透明導電層106、電極114與保護層116。磊晶結構104設於基板102上。透明導電層106則設於磊晶結構104上。電極114設置在部分之透明導電層106上方。電極114一般係由三層金屬層108、110與112所堆疊而成。保護層116則覆蓋在電極114與透明導電層106之暴露部分上。保護層116具有開口118，其中開口118暴露出部分之電極114，以利電極114與外部電源進行電性連接。

在此種傳統發光二極體結構100中，於製程中定義電極114時，所使用之酸鹼溶液或酸鹼氣體會損及透明導電層106，而在透明導電層106之上表面上產生缺陷。由於在發光二極體結構100中，其係先形成電極114，然後才在電極114之定義，因此酸鹼溶液或酸鹼氣體極易從電極114與透明導電層106之接觸界面的外圍120，而進入兩者之接觸界面。

此外，於完成電極114之定義後，進行光阻清潔時所使用的電漿，或者後續沉積保護層116所使用之電漿，也同樣極易從電極114與透明導電層106之接觸界面的外圍120，而進入兩者之接觸界面。

而無論是酸鹼侵蝕，或是電漿侵入，均會導致電極114對於透明導電層106之附著力下降。電極114對透明導電層106之附著力不佳，將會造成發光二極體結構100之電性特性異常，影響發光二極體結構100之穩定性。

因此，本發明之一態樣就是在提供一種發光二極體結構及其製造方法，其係先形成保護層，再形成電極。如此一來，電極可填入形成保護層期間在透明導電層表面上所形成之缺陷中。因此，可降低酸鹼溶液、酸鹼氣體或電漿經由電極與透明導電層之界面的外圍進入，進而可減低酸鹼溶液、酸鹼氣體或電漿對於電極與透明導電層之接合界面的損害。故，可大幅提升電極對於透明導電層之附著力。

本發明之另一態樣是在提供一種發光二極體結構及其製造方法，其電極之周緣係抬高而位在保護層之上，且並未與磊晶結構之半導體層或透明導電層接觸。因此，可有效避免酸鹼溶液、酸鹼氣體或電漿侵入電極與磊晶結構之半導體層或透明導電層之間的界面，進而可提高發光二極體結構之電極的穩定性，有效提升發光二極體結構之操作性能。

本發明之又一態樣是在提供一種發光二極體結構及其製造方法，其可有效增進電極對於透明導電層之附著力，因此可提高發光二極體結構之電性品質，進一步達到提升發光二極體結構之穩定性的效果。

根據本發明之上述目的，提出一種發光二極體結構。此發光二極體結構包含一基板、一磊晶結構、一保護層以及至少一電極。磊晶結構設於基板上。保護層覆蓋在磊晶結構上，其中此保護層具有至少一開口，且此至少一開口位於磊晶結構之至少一部分上。前述之至少一電極設於至少一開口中，且延伸覆蓋在磊晶結構之前述至少一部分、以及前述至少一開口周圍之保護層上。

依據本發明之一實施例，上述之磊晶結構包含：一第一電性半導體層位於基板上；一發光層位於第一電性半導體層之第一部分上，且暴露出第一電性半導體層之第二部分；以及一第二電性半導體層位於發光層上。其中，發光二極體結構更包含一透明導電層位於第二電性半導體層上，且保護層之上述至少一開口包含第一開口與第二開口分別位於部分之透明導電層與第一電性半導體層之第二部分上。其中，發光二極體結構之上述至少一電極包含第一電極與第二電極分別設於第一開口與第二開口中，且第一電極延伸覆蓋在透明導電層之上述部分、以及第一開口周圍之保護層上，第二電極延伸覆蓋在第一電性半導體層之第二部分、以及第二開口周圍之保護層上。

依據本發明之另一實施例，上述之磊晶結構包含依序堆疊在基板上之第二電性半導體層、發光層以及第一電性半導體層，且上述之至少一開口暴露出第一電性半導體層之一部分。此外，上述之發光二極體結構更包含：一反射鏡位於第二電性半導體層與基板之間；以及一接合層位於反射鏡與基板之間。

依據本發明之又一實施例，上述之保護層可為單層結構或雙層結構，且保護層之厚度可介於20與20μm之間。

根據本發明之上述目的，另提出一種發光二極體結構之製作方法，包含下列步驟。提供一基板。形成一磊晶結構於基板上。其中，前述之磊晶結構包含：一第一電性半導體層位於基板上；一發光層位於第一電性半導體層之第一部分上，且暴露出第一電性半導體層之第二部分；以及一第二電性半導體層位於發光層上。形成一透明導電層於第二電性半導體層上。形成一保護層覆蓋在磊晶結構上，其中保護層具有第一開口與第二開口分別位於部分之透明導電層與第一電性半導體層之第二部分上。形成一第一電極與一第二電極分別位於第一開口與第二開口中，其中第一電極延伸覆蓋在透明導電層之前述部分、以及第一開口周圍之保護層上，且第二電極延伸覆蓋在第一電性半導體層之第二部分、以及第二開口周圍之保護層上。

依據本發明之一實施例，上述形成第一電極與第二電極之步驟包含：形成一光阻層覆蓋在保護層上，其中光阻層具有第三開口與第四開口分別暴露出第一開口和第一開口周圍之保護層、與第二開口和第二開口周圍之保護層；形成一電極層覆蓋在光阻層上，且填滿第一開口、第三開口、第二開口與第四開口；以及進行一浮離步驟，以移除光阻層與位於光阻層上之電極層。

依據本發明之另一實施例，上述形成光阻層之步驟更包含使每一第三開口之內側面與第四開口之內側面具有底切結構。

根據本發明之上述目的，更提出一種發光二極體結構之製作方法，包含下列步驟。提供一第一基板。形成一磊晶結構於第一基板上，其中此磊晶結構包含依序堆疊在第一基板上之第一電性半導體層、發光層以及第二電性半導體層。利用一接合層將一第二基板接合在第二電性半導體層上。移除第一基板，以暴露出第一電性半導體層。形成一保護層覆蓋在磊晶結構上，其中保護層具有一開口暴露出第一電性半導體層之一部分。形成一電極於開口中，其中電極延伸覆蓋在第一電性半導體層之前述部分、以及開口周圍之保護層上。

依據本發明之一實施例，上述形成電極之步驟包含：形成一光阻層覆蓋在保護層上，其中此光阻層具有另一開口暴露出上述開口和開口周圍之保護層；形成一電極層覆蓋在光阻層上，且填滿前述之開口與另一開口；以及進行一浮離步驟，以移除光阻層與位於光阻層上之電極層。

依據本發明之另一實施例，於形成磊晶結構之步驟與將第二基板接合在第二電性半導體層上之步驟之間，上述之製造方法更包含形成一反射鏡於第二電性半導體層上。

請參照第2A圖至第2E圖，其係繪示依照本發明一實施方式的一種發光二極體結構之製程剖面圖。在本實施方式中，製作發光二極體結構時，可先提供基板200，以供磊晶層成長於其上。基板200之材料可例如為藍寶石、碳化矽(SiC)、砷化鎵(GaAs)或氮化鎵(GaN)。接著，利用例如磊晶方式，於基板200之表面上成長磊晶結構208。在一實施例中，如第2A圖所示，可利用例如有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)方式，依序在基板200上成長第一電性半導體層202、發光層204與第二電性半導體層206，來作為磊晶結構208。其中，第一電性例如為N型，第二電性例如為P型。在一例子中，磊晶結構208之材料可採用磷化銦鋁鎵(InAlGaP)系列或氮化鎵系列，例如氮化銦鋁鎵(InAlGaN)。

在另一實施例中，磊晶結構208更可包含緩衝層(未繪示)，其中此緩衝層介於基板200與第一電性半導體層202之間，以作為基板200與第一電性半導體層202之間的緩衝結構，避免因為基板200與磊晶結構間的晶格常數不匹配造成磊晶結構的晶格缺陷。

接下來，如第2B圖所示，利用微影與蝕刻方式，例如乾蝕刻或濕蝕刻，移除部分之第二電性半導體層206、部分之發光層204與部分之第一電性半導體層202，以定義出磊晶結構208之平台結構。經平台定義後，發光層204與第二電性半導體層206依序堆疊在第一電性半導體層202之第一部分210上，且暴露出第一電性半導體層202之第二部分212。

接著，利用例如蒸鍍方式，形成透明導電層214覆蓋在第二電性半導體層206上。在一實施例中，透明導電層214之材料可採用氧化銦錫(ITO)、氧化銦(In₂ O₃ )、氧化錫(SnO₂ )、氧化鋅(ZnO)與氧化鋅鋁(AZO)。透明導電層214可提供電流分散的作用，以避免電流擁擠效應(Current Crowding Effect)發生。

接下來，利用沉積方式，例如電漿增益CVD(PECVD)方式，形成保護層216覆蓋在磊晶結構208及透明導電層214上。保護層216為透明絕緣性材料，可例如為二氧化矽(SiO₂ )、氮化矽(SiN)、旋塗玻璃(SOG)、二氧化鈦(TiO₂ )與氧化鋁(Al₂ O₃ )。在一實施例中，保護層216可為單層結構。在另一實施例中，保護層216可為多層結構，這些層可具有不同之折射率，例如各層由下而上之折射率為由大而小之方式堆疊，以利於發光層204產生之光的導出。保護層216之厚度可例如介於20與20μm之間。

然後，如第2C圖所示，利用例如微影與蝕刻方式，圖案化保護層216，以在保護層216中形成開口218與220。其中，開口218與220分別位於部分之透明導電層214與部分之第一電性半導體層202之第二部分212上。在第2C圖所示之實施例中，開口218與220分別暴露出部分之透明導電層214與第一電性半導體層202之第二部分212。開口218具有孔徑222，且開口220具有孔徑224。

接著，製作發光二極體結構之電極。在一實施方式中，可利用浮離(Lift-off)方式，進行電極的製作。如第2D圖所示，先塗佈一層光阻層226覆蓋在保護層216上。接下來，利用例如微影方式圖案化光阻層226，以移除部分之光阻層226，而在光阻層226中形成開口228與230。其中，開口228暴露出下方之保護層216的開口218、以及開口218周圍之保護層216；開口230則暴露出下方之保護層216的開口220、以及開口220周圍之保護層216。因此，經圖案化後，光阻層226並未填入保護層216之開口218與220中。

在一較佳實施例中，光阻層226為負型光阻，以利在圖案化光阻層226時，使光阻層226之開口228的內側面具有底切結構232、以及使開口230的內側面具有底切結構234，如第2D圖所示。

接著，利用例如蒸鍍方式，形成電極層236覆蓋在經圖案化之光阻層226上，並使電極層236填滿保護層216之開口218與220、以及光阻層226之開口228與230。此時，電極層236分別與保護層216之開口218與220所暴露出之透明導電層214與第一電性半導體層202接觸。在一實施例中，電極層236可為由依序堆疊在光阻層226上的三層金屬層所構成之多層結構，例如鉻/鉑/金(Cr/Pt/Au)結構。在一例子中，構成電極層236之多層結構的第一層金屬可例如為鉻、鎳(Ni)、鈦(Ti)與鈦鎢合金(TiW)。

隨後，進行浮離步驟，以移除剩餘之光阻層226與位於光阻層226上方之電極層236的部分。藉由使光阻層226之開口228與230的內側面分別具有底切結構232與234，有助於使電極層236位於光阻層226之開口228和保護層216之開口218中、以及位於光阻層226之開口230和保護層216之開口220中的部分，在浮離步驟後，順利留置在開口218以及220中。如此一來，如第2E圖所示，可形成電極238與240分別於保護層216之開口218與220中，而完成發光二極體結構246的製作。其中，電極238與240分別位於透明導電層214之暴露部分與第一電性半導體層202之暴露出的第二部分220上。

在浮離過程中，由於光阻層226之開口228暴露出下方之保護層216的開口218及其周圍之保護層216，且開口230暴露出下方之保護層216的開口220及其周圍之保護層216。因此，經浮離後，所形成之電極238與240不僅分別位於保護層216之開口218與220中，且亦分別延伸覆蓋在開口218周圍與開口220周圍之保護層216上。因此，請參照第2E圖，電極238之尺寸242大於保護層216之開口218的孔徑222，且電極240之尺寸244大於保護層之開口220的孔徑224。

在此實施方式中，藉由先設置保護層再製作電極的方式，電極之周緣可抬高而位於保護層之上，且電極之周緣並未與磊晶結構或透明導電層接觸。因此，可有效避免酸鹼溶液、酸鹼氣體或電漿侵入電極與磊晶結構或透明導電層之間的界面，進而可提高發光二極體結構之電極的穩定性，有效提升發光二極體結構之操作性能。

本發明之發光二極體結構亦可為垂直導通型結構。請參照第3A圖至第3F圖，其係繪示依照本發明另一實施方式的一種發光二極體結構之製程剖面圖。在本實施方式中，製作發光二極體結構時，可先提供成長磊晶層用之第一基板300。第一基板300之材料可例如為藍寶石、碳化矽、砷化鎵或氮化鎵。接著，利用例如MOCVD等磊晶技術，於第一基板300之表面上成長磊晶結構308。在一實施例中，如第3A圖所示，磊晶結構308包含依序堆疊在第一基板300上之第一電性半導體層302、發光層304與第二電性半導體層306。其中，第一電性例如為N型，第二電性例如為P型。在一例子中，磊晶結構308之材料可採用磷化銦鋁鎵系列或氮化鎵系列，例如氮化銦鋁鎵。

在另一實施例中，磊晶結構308更可包含緩衝層(未繪示)，其中此緩衝層介於第一基板300與第一電性半導體層302之間，以作為第一電性半導體層302成長時的緩衝結構，避免因為第一基板300與磊晶結構間的晶格常數不匹配造成磊晶結構的晶格缺陷。

接下來，如第3B圖所示，利用微影與蝕刻方式，移除部分之出磊晶結構308，而形成數個暴露出部分之第一基板300的溝渠310，以定義出數個晶粒。當然，在僅製作單一發光二極體結構時，可免除前述定義晶粒尺寸的程序。

接著，可根據產品需求而選擇性地利用例如蒸鍍方式，形成反射鏡312覆蓋在第二電性半導體層306上。在一實施例中，反射鏡312可例如為鎳/銀(Ni/Ag)結構或分散式布拉格反射鏡(DBR)。接下來，如第3C圖所示，可利用接合層314，而將第二基板316接合在磊晶結構308之第二電性半導體層306上。在一實施例中，可將接合層314先形成在第二基板316上，再利用接合層314接合第二基板316與第二電性半導體層306。接合層314可例如為鈦/金(Ti/Au)結構。

在一實施例中，第二基板316可直接作為發光二極體結構之一電極，因此第二基板316需採用可導電之材料，例如矽。此外，為了增加發光二極體結構之散熱能力，亦可採用可導電且熱傳導能力佳之材料來作為第二基板316之材料。在另一實施例中，亦可不直接採用第二基板316來作為發光二極體結構之一電極，而是另行製作電極於第二基板316之相對於接合層314的另一表面上。

接著，如第3D圖所示，先將第3C圖之結構予以翻轉，再利用例如雷射剝除(Laser Lift Off；LLO)、蝕刻或研磨方式，移除第一基板300，而暴露出磊晶結構308之第一電性半導體層302。

接下來，利用沉積方式，例如PECVD方式，形成保護層318覆蓋在磊晶結構308上。保護層318為透明絕緣性材料，可例如為二氧化矽、氮化矽、旋塗玻璃、二氧化鈦與氧化鋁。在一實施例中，保護層318可為單層結構。在另一實施例中，保護層318可為多層結構，其中這些層可具有不同之折射率，例如各層以折射率由大而小之方式堆疊。保護層318之厚度可例如介於20與20μm之間。

接著，利用例如微影與蝕刻方式，圖案化保護層318，以在保護層318中形成開口320。其中，開口320位於部分之第一電性半導體層302上。在第3E圖所示之實施例中，開口320暴露出部分之第一電性半導體層302。開口320具有孔徑324。在第3E圖中，為了能清楚圖示出本實施方式之特徵，僅繪示單一晶粒的剖面圖。

接著，製作發光二極體結構之電極。在一實施方式中，可利用浮離方式，進行電極的製作。如第3E圖所示，先塗佈一層光阻層326覆蓋在保護層318上。接下來，利用例如微影方式，圖案化光阻層326，以移除部分之光阻層326，而在光阻層326中形成開口328。開口328暴露出下方之保護層318的開口320、以及開口320周圍之保護層318。在一較佳實施例中，光阻層326為負型光阻，以利在光阻層326的圖案化過程中，使光阻層326之開口328的內側面具有底切結構330，如第3E圖所示。

然後，利用例如蒸鍍方式，形成電極層332覆蓋在圖案化後之光阻層326上，並使電極層332填滿保護層318之開口320與光阻層326之開口328。此時，電極層332與保護層318之開口320所暴露出之第一電性半導體層302接觸。在一實施例中，電極層332可包含依序堆疊在光阻層326上的三層金屬層結構，例如鉻/鉑/金結構。在一例子中，構成電極層332之多層結構的第一層金屬可例如為鉻、鎳、鈦與鈦鎢合金。

隨後，進行浮離步驟，以移除剩餘之光阻層326與位於光阻層326上方之電極層332的部分。光阻層326之開口328內側面的底切結構330，可使電極層332位於光阻層326之開口328和保護層318之開口320中的部分，在浮離步驟後，順利留置在開口320中。因此，如第3F圖所示，可於保護層318之開口320中形成電極334。再經切割而分離所有晶粒後，即可完成發光二極體結構338的製作。其中，電極334位於第一電性半導體層302之暴露出的部分上。

在浮離過程中，由於光阻層326之開口328暴露出下方之開口320及開口320周圍之保護層318。因此，經浮離步驟後，所形成之電極334不僅位於保護層318之開口320中，且亦延伸覆蓋在開口320周圍之保護層318上。因此，請參照第3F圖，電極334之尺寸336大於保護層318之開口320的孔徑322。

由上述本發明之實施方式可知，本發明之一優點就是因為本發明之發光二極體結構及其製造方法係先形成保護層，再形成電極。因此，電極可填入形成保護層期間在透明導電層表面上所形成之缺陷中。於是，可降低酸鹼溶液、酸鹼氣體或電漿經由電極與透明導電層之界面的外圍進入，進而可減低酸鹼溶液、酸鹼氣體或電漿對於電極與透明導電層之接合界面的損害。故，可大幅提升電極對於透明導電層之附著力。

由上述本發明之實施方式可知，本發明之另一優點就是因為本發明之發光二極體結構之電極的周緣係抬高而位在保護層之上，且並未與磊晶結構之半導體層或透明導電層接觸。因此，可有效避免酸鹼溶液、酸鹼氣體或電漿侵入電極與磊晶結構之半導體層或透明導電層之間的界面，進而可提高發光二極體結構之電極的穩定性，有效提升發光二極體結構之操作性能。

由上述本發明之實施方式可知，本發明之又一優點就是因為本發明之發光二極體結構及其製造方法可有效增進電極對於透明導電層之附著力，因此可提高發光二極體結構之電性品質，進一步達到提升發光二極體結構之穩定性的效果。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何在此技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100．．．發光二極體結構

102．．．基板

104．．．磊晶結構

106．．．透明導電層

108．．．金屬層

110．．．金屬層

112．．．金屬層

114．．．電極

116．．．保護層

118．．．開口

120．．．外圍

200．．．基板

202．．．第一電性半導體層

204．．．發光層

206．．．第二電性半導體層

208．．．磊晶結構

210．．．第一部分

212．．．第二部分

214．．．透明導電層

216．．．保護層

218．．．開口

220．．．開口

222．．．孔徑

224．．．孔徑

226．．．光阻層

228．．．開口

230．．．開口

232．．．底切結構

234．．．底切結構

236．．．電極層

238．．．電極

240．．．電極

242．．．尺寸

244．．．尺寸

246．．．發光二極體結構

300．．．第一基板

302．．．第一電性半導體層

304．．．發光層

306．．．第二電性半導體層

308．．．磊晶結構

310．．．溝渠

312．．．反射鏡

314．．．接合層

316．．．第二基板

318．．．保護層

320．．．開口

324．．．孔徑

326．．．光阻層

328．．．開口

330．．．底切結構

332．．．電極層

334．．．電極

336．．．尺寸

338．．．發光二極體結構

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：

第1圖係繪示一種傳統發光二極體結構的剖面示意圖。

第2A圖至第2E圖係繪示依照本發明一實施方式的一種發光二極體結構之製程剖面圖。

第3A圖至第3F圖係繪示依照本發明另一實施方式的一種發光二極體結構之製程剖面圖。

200．．．基板

202．．．第一電性半導體層

204．．．發光層

206．．．第二電性半導體層

208．．．磊晶結構

214．．．透明導電層

216．．．保護層

218．．．開口

220．．．開口

222．．．孔徑

224．．．孔徑

238．．．電極

240．．．電極

242．．．尺寸

244．．．尺寸

246．．．發光二極體結構

Claims (15)

1. 一種發光二極體結構，包含：一基板；一磊晶結構，設於該基板上；一保護層，覆蓋在該磊晶結構上，其中該保護層具有至少一開口，該至少一開口位於該磊晶結構之至少一部分上；以及至少一電極，設於該至少一開口中，且延伸覆蓋在該磊晶結構之該至少一部分、以及該至少一開口周圍之該保護層上。
2. 如請求項1所述之發光二極體結構，其中該磊晶結構包含：一第一電性半導體層，位於該基板上；一發光層，位於該第一電性半導體層之一第一部分上，且暴露出該第一電性半導體層之一第二部分；以及一第二電性半導體層，位於該發光層上，其中，該發光二極體結構更包含一透明導電層位於該第二電性半導體層上，且該保護層之該至少一開口包含一第一開口與一第二開口分別位於部分之該透明導電層與該第一電性半導體層之該第二部分上，其中，該發光二極體結構之該至少一電極包含一第一電極與一第二電極分別設於該第一開口與該第二開口中，且該第一電極延伸覆蓋在該透明導電層之該部分、以及該 第一開口周圍之該保護層上，該第二電極延伸覆蓋在該第一電性半導體層之該第二部分、以及該第二開口周圍之該保護層上。
3. 如請求項1所述之發光二極體結構，其中該磊晶結構包含依序堆疊在該基板上之一第二電性半導體層、一發光層以及一第一電性半導體層，且該至少一開口暴露出該第一電性半導體層之一部分。
4. 如請求項3所述之發光二極體結構，更包含：一反射鏡，位於該第二電性半導體層與該基板之間；以及一接合層，位於該反射鏡與該基板之間。
5. 如請求項1所述之發光二極體結構，其中該保護層係一單層結構或一雙層結構，且該保護層之厚度介於20Å與20μm之間。
6. 一種發光二極體結構之製作方法，包含：提供一基板；形成一磊晶結構於該基板上，其中該磊晶結構包含：一第一電性半導體層，位於該基板上；一發光層，位於該第一電性半導體層之一第一部分上，且暴露出該第一電性半導體層之一第二部分； 以及一第二電性半導體層，位於該發光層上；形成一透明導電層於該第二電性半導體層上；形成一保護層，覆蓋在該磊晶結構上，其中該保護層具有一第一開口與一第二開口分別位於部分之該透明導電層與該第一電性半導體層之該第二部分上；以及於形成該保護層後，形成一第一電極與一第二電極分別位於該第一開口與該第二開口中，其中該第一電極延伸覆蓋在該透明導電層之該部分、以及該第一開口周圍之該保護層上，且該第二電極延伸覆蓋在該第一電性半導體層之該第二部分、以及該第二開口周圍之該保護層上。
7. 如請求項6所述之發光二極體結構之製作方法，其中形成該第一電極與該第二電極之步驟包含：形成一光阻層覆蓋在該保護層上，其中該光阻層具有一第三開口與一第四開口分別暴露出該第一開口和該第一開口周圍之該保護層、與該第二開口和該第二開口周圍之該保護層；形成一電極層覆蓋在該光阻層上，且填滿該第一開口、第三開口、第二開口與第四開口；以及進行一浮離步驟，以移除該光阻層與位於該光阻層上之該電極層。
8. 如請求項7所述之發光二極體結構之製作方法，其中形成該光阻層之步驟更包含使每一該第三開口之內側面 與該第四開口之內側面具有一底切結構。
9. 如請求項7所述之發光二極體結構之製作方法，其中該光阻層係一負型光阻。
10. 如請求項6所述之發光二極體結構之製作方法，其中該保護層係一單層結構或一雙層結構，且該保護層之厚度介於20Å與20μm之間。
11. 一種發光二極體結構之製作方法，包含：提供一第一基板；形成一磊晶結構於該第一基板上，其中該磊晶結構包含依序堆疊在該第一基板上之一第一電性半導體層、一發光層以及一第二電性半導體層；利用一接合層，將一第二基板接合在該第二電性半導體層上；移除該第一基板，以暴露出該第一電性半導體層；形成一保護層覆蓋在該磊晶結構上，其中該保護層具有一開口暴露出該第一電性半導體層之一部分；以及於形成該保護層後，形成一電極於該開口中，其中該電極延伸覆蓋在該第一電性半導體層之該部分、以及該開口周圍之該保護層上。
12. 如請求項11所述之發光二極體結構之製作方法， 其中形成該電極之步驟包含：形成一光阻層覆蓋在該保護層上，其中該光阻層具有另一開口暴露出該開口和該開口周圍之該保護層；形成一電極層覆蓋在該光阻層上，且填滿該開口與該另一開口；以及進行一浮離步驟，以移除該光阻層與位於該光阻層上之該電極層。
13. 如請求項12所述之發光二極體結構之製作方法，其中形成該光阻層之步驟更包含使該另一開口之內側面有一底切結構。
14. 如請求項12所述之發光二極體結構之製作方法，其中該光阻層係一負型光阻。
15. 如請求項11所述之發光二極體結構之製作方法，於形成該磊晶結構之步驟與將該第二基板接合在該第二電性半導體層上之步驟之間，更包含形成一反射鏡於該第二電性半導體層上。