CN111192945A - 一种紫外led芯片及其制作方法 - Google Patents
一种紫外led芯片及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111192945A CN111192945A CN202010101658.7A CN202010101658A CN111192945A CN 111192945 A CN111192945 A CN 111192945A CN 202010101658 A CN202010101658 A CN 202010101658A CN 111192945 A CN111192945 A CN 111192945A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- azo
- thickness
- ito
- led chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 383
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 10
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 6
- PLFLRQISROSEIJ-UHFFFAOYSA-N methylborane Chemical compound CB PLFLRQISROSEIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- -1 (tetramethylbenzidine) methylboron Chemical compound 0.000 claims description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 11
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 11
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种紫外LED芯片及其制作方法,所述芯片包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层和电极结构、以及覆盖在透明导电层和外延层上的保护层,其特征在于,所述透明导电层包括ITO层和AzO层,所述ITO层设于外延层和AzO层之间,所述ITO层的厚度为5~20nm,所述AzO层的厚度为150~500nm。本发明的透明导电层通过ITO层和AzO层的相互配合,有效提高芯片的出光效率和降低电压。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域,尤其涉及一种紫外LED芯片及其制作方法。
背景技术
发光二极管,英文单词的缩写LED,主要含义:LED=Light Emitting Diode,是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件,作为照明器件,相对传统照明器件,发光二极管有相当大优势——寿命长、光效高、无辐射、低功耗、绿色环保。目前LED主要用于显示屏、指示灯、背光源等领域。
为了减少蓝光的公害,紫光的应用是健康照明的重要一环。但是现有LED制程所使用的材质,对于紫光的具有很强的吸收,严重影响紫外LED芯片的出光效率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,提供一种紫外LED芯片,电压低、亮度高。
本发明还要解决的技术问题在于,提供一种紫外LED芯片的制作方法,芯片电压低、亮度高。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种紫外LED芯片,包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层和电极结构、以及覆盖在透明导电层和外延层上的保护层,所述透明导电层包括ITO层和AzO层,所述ITO层设于外延层和AzO层之间,所述ITO层的厚度为5~20nm,所述AzO层的厚度为150~500nm。
作为上述方案的改进,所述ITO层的厚度为10~20nm,所述AzO层的厚度为200~300nm。
作为上述方案的改进,所述保护层由能阶大于6.4ev的透明材料制成。
作为上述方案的改进,所述保护层由氮化硼制成,所述保护层的厚度为10~300nm。
作为上述方案的改进,所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层,所述电极结构包括第一电极和第二电极,所述ITO层设置在第二半导体层上,所述第二电极设置在AzO层上,所述第一电极设置在第一半导体层上。
作为上述方案的改进,所述第二电极贯穿所述透明导电层,同时设置在AzO层和第二半导体层上。
相应地,本发明还提供了一种紫外LED芯片的制作方法,包括:
在衬底上形成外延层;
在外延层上形成透明导电层,所述透明导电层包括ITO层和AzO层,所述ITO层设于外延层和AzO层之间,所述ITO层的厚度为5~20nm,所述AzO层的厚度为150~500nm;
在外延层和透明导电层上形成保护层;
形成电极结构。
作为上述方案的改进,所述透明导电层的制作方法包括:
采用电子枪蒸镀工艺,在温度为280~320℃,氧流量25~40sccm,压力3*10-5~8*10-4torr的条件下,在外延层上形成ITO层;
采用电子枪蒸镀工艺,在温度为290~330℃,氧流量25~30sccm,压力2*10-5~9*10-4torr的条件下,在ITO层上形成AzO层。
作为上述方案的改进,所述保护层由能阶大于6.4ev的透明材料制成,所述保护层的厚度为10~300nm。
作为上述方案的改进,所述保护层的制作方法包括:
采用PECVD工艺,在温度为200~300℃、压力为200~500torr的条件下,通入TMB甲基硼与N2O,其中,TMB甲基硼与N2O的通入量比为1:3。
实施本发明,具有如下有益效果:
本发明的透明导电层采用ITO层作为底层与第二半导体层结合,能够形成良好的欧姆接触且有效提高芯片的电流扩展能力,本发明的透明导电层采用AzO层作为上层设置在ITO层上,可以弥补减薄ITO层所产生的不良影响,有效提高芯片的电流扩展能力,降低正向电压。
本发明的透明导电层通过ITO层和AzO层的相互配合,有效提高芯片的出光效率和降低电压。若透明导电层只有ITO层,则难以同时兼顾芯片亮度和电压的性能;若透明导电层只有AzO层,由于AzO层与第二半导体层不能形成良好的欧姆接触,因此难以单独起到电流扩展的作用。
本发明采用能阶大于6.4ev的透明材料制成的保护层覆盖在透明导电层和外延层上,用于保护透明导电层,延长透明导电层的老化时间,增加芯片的可靠性。
附图说明
图1是紫外LED芯片的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。
参见图1,本发明提供的一种紫外LED芯片,包括衬底10、设于衬底10上的外延层20、设于外延层20上的透明导电层30和电极结构、以及覆盖在透明导电层30和外延层20上的保护层40。
本发明的衬底10为蓝宝石衬底,厚度为100~250nm。本发明的外延层20包括依次设于衬底10上的第一半导体层21、有源层22和第二半导体层23。所述外延层20还包括裸露区域,所述裸露区域从第二半导体层23刻蚀至第一半导体层21。
本发明的第一半导体层21为N型GaN层,有源层22为多量子阱层,第二半导体层23为P型GaN层。
本发明的透明导电层30包括ITO层31和AzO层32,所述ITO层31设于第二半导体层23和AzO层32之间,所述ITO层31的厚度小于AzO层32的厚度。
现有紫外LED芯片的透明导电层30为单层ITO层31结构,为了减少ITO层31对于紫光的全反射,目前常用的手段是减薄ITO层31的厚度,将其厚度降到60nm以下,从而提高芯片的出光效率。然而,减薄ITO层31会导致电流扩展效应变差,也会提高正向电压,从而降低紫外LED芯片的性能。
本发明的透明导电层30采用ITO层31作为底层与第二半导体层23结合,能够形成良好的欧姆接触且有效提高芯片的电流扩展能力。由于ITO层31会吸收有源层22发出的光线,且ITO层31的厚度过大时,会对紫光进行全反射,因此,本发明ITO层31的厚度为5~20nm。若ITO层31的厚度小于5nm,则厚度太薄,难以形成膜层;若ITO层31的厚度大于20nm,则厚度太厚,会吸收有源层22发出的光,降低芯片的出光效率。更优的,ITO层31的厚度为8~15nm。
本发明的透明导电层30采用AzO层32作为上层设置在ITO层31上,可以弥补减薄ITO层31所产生的不良影响,有效提高芯片的电流扩展能力,降低正向电压。此外,与ITO层31相比,AzO层32不会吸收紫光。优选的,AzO层32的厚度为150~500nm。若AzO层32的厚度小于100nm,则厚度太薄,无法起到电流扩展的作用;若AzO层32的厚度大于500nm,则厚度太厚,会吸收有源层22发出的光,降低芯片的出光效率。更优的,AzO层32的厚度为200~400nm。
本发明的透明导电层30通过ITO层31和AzO层32的相互配合,有效提高芯片的出光效率和降低电压。若透明导电层30只有ITO层31,则难以同时兼顾芯片亮度和电压的性能;若透明导电层30只有AzO层32,由于AzO层32与第二半导体层23不能形成良好的欧姆接触,因此难以单独起到电流扩展的作用。
优选的,所述ITO层31的厚度为10~20nm,所述AzO层32的厚度为200~300nm。
所述保护层40覆盖在透明导电层30和外延层20上,用于保护透明导电层30,延长透明导电层30的老化时间,增加芯片的可靠性。
需要说明的是,波长=(H谱朗克常数*光速)/Ev能阶,因此能阶高材料不会吸收能阶低的材料发出的光。一般GaN的能阶为2.3ev,AlN的能阶为6.3ev,由于紫外LED芯片的外延层20中铝含量较多,为了提高芯片的出光效率,保护层40的能阶需要大于外延层20的能阶。因此本发明的保护层40由能阶大于6.4ev的透明材料制成。优选的,所述保护层40由氮化硼制成。
优选的,所述保护层40的厚度为10~300nm。若保护层40的厚度小于10nm,则厚度太薄,起不到保护的作用;若保护层40的厚度大于300nm,则厚度太大,会吸光。
所述电极结构包括第一电极51和第二电极52。所述第一电极51贯穿所述保护层40设置在裸露区域的第一半导体层21上,所述第二电极52贯穿所述保护层40设置在透明导电层30上。
为了进一步提高芯片的电流扩展性能,所述第二电极52部分贯穿ITO层31与第二半导体层23连接。
相应地,本发明还提供了一种紫外LED芯片的制作方法,包括以下步骤:
一、在衬底上形成外延层;
采用MOCVD工艺依次在衬底上形成第一半导体层、有源层和第二半导体层。具体的,本发明的第一半导体层为N型GaN层,有源层为多量子阱层,第二半导体层为P型GaN层。
对第二半导体层进行刻蚀,刻蚀至第一半导体层形成裸露区域。
二、在外延层上形成透明导电层;
采用电子枪蒸镀工艺,在温度为280~320℃,氧流量25~40sccm,压力3*10-5~8*10-4torr的条件下,在外延层上形成ITO层。
由于ITO层会吸收有源层发出的光线,且ITO层的厚度过大时,会对紫光进行全反射,因此,本发明ITO层的厚度为5~20nm。若ITO层的厚度小于5nm,则厚度太薄,难以形成膜层;若ITO层的厚度大于20nm,则厚度太厚,会吸收有源层发出的光,降低芯片的出光效率。更优的,ITO层的厚度为8~15nm。
采用电子枪蒸镀工艺,在温度为290~330℃,氧流量25~30sccm,压力2*10-5~9*10-4torr的条件下,在ITO层上形成AzO层。
本发明的透明导电层采用AzO层作为上层设置在ITO层上,可以弥补减薄ITO层所产生的不良影响,有效提高芯片的电流扩展能力,降低正向电压。此外,与ITO层相比,AzO层不会吸收紫光。优选的,AzO层的厚度为100~500nm。若AzO层的厚度小于100nm,则厚度太薄,无法起到电流扩展的作用;若AzO层的厚度大于500nm,则厚度太厚,会吸收有源层发出的光,降低芯片的出光效率。更优的,AzO层的厚度为200~400nm。
本发明的透明导电层通过ITO层和AzO层的相互配合,有效提高芯片的出光效率和降低电压。若透明导电层只有ITO层,则难以同时兼顾芯片亮度和电压的性能;若透明导电层只有AzO层,由于AzO层与第二半导体层不能形成良好的欧姆接触,因此难以单独起到电流扩展的作用。
需要说明的是,透明导电层完成后,为了使透明导电层跟第二半导体层合金更好,且让透明导电层氧化得更完全,本发明需要对透明导电层进行退火,其中,退火温度为500~560℃,退火时间为10~30min。
三、在外延层和透明导电层上形成保护层;
采用PECVD、蒸镀或溅射工艺,在外延层和透明导电层上形成保护层。
优选的,采用PECVD工艺,在温度为200~300℃、压力为200~500torr的条件下,通入TMB甲基硼与N2O,其中,TMB甲基硼与N2O的通入量比为1:3。优选的,TMB甲基硼的通入量为5~15sccm,N2O的通入量为15~45sccm。
四、形成电极结构;
所述电极结构包括第一电极和第二电极。所述第一电极贯穿所述保护层设置在裸露区域的第一半导体层上,所述第二电极贯穿所述保护层设置在透明导电层上。
为了进一步提高芯片的电流扩展性能,所述第二电极部分贯穿ITO层与第二半导体层连接。
下面将以具体实施例来进一步阐述本发明
实施例1
一种紫外LED芯片,包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层和电极结构、以及覆盖在透明导电层和外延层上的保护层。
所述透明导电层包括ITO层和AzO层,所述ITO层设于第二半导体层和AzO层之间,所述ITO层的厚度为5nm,所述AzO层的厚度为100nm,所述保护层由氮化硼制成,厚度为20nm。
实施例2
一种紫外LED芯片,包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层和电极结构、以及覆盖在透明导电层和外延层上的保护层。
所述透明导电层包括ITO层和AzO层,所述ITO层设于第二半导体层和AzO层之间,所述ITO层的厚度为10nm,所述AzO层的厚度为150nm,所述保护层由氮化硼制成,厚度为50nm。
实施例3
一种紫外LED芯片,包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层和电极结构、以及覆盖在透明导电层和外延层上的保护层。
所述透明导电层包括ITO层和AzO层,所述ITO层设于第二半导体层和AzO层之间,所述ITO层的厚度为15nm,所述AzO层的厚度为200nm,所述保护层由氮化硼制成,厚度为50nm。
实施例4
一种紫外LED芯片,包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层和电极结构、以及覆盖在透明导电层和外延层上的保护层。
所述透明导电层包括ITO层和AzO层,所述ITO层设于第二半导体层和AzO层之间,所述ITO层的厚度为20nm,所述AzO层的厚度为300nm,所述保护层由氮化硼制成,厚度为100nm。
实施例5
一种紫外LED芯片,包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层和电极结构、以及覆盖在透明导电层和外延层上的保护层。
所述透明导电层包括ITO层和AzO层,所述ITO层设于第二半导体层和AzO层之间,所述ITO层的厚度为20nm,所述AzO层的厚度为400nm,所述保护层由氮化硼制成,厚度为200nm。
实施例6
一种紫外LED芯片,包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层和电极结构、以及覆盖在透明导电层和外延层上的保护层。
所述透明导电层包括ITO层和AzO层,所述ITO层设于第二半导体层和AzO层之间,所述ITO层的厚度为40nm,所述AzO层的厚度为500nm,所述保护层由氮化硼制成,厚度为200nm。
实施例7
一种紫外LED芯片,包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层和电极结构、以及覆盖在透明导电层和外延层上的保护层。
所述透明导电层包括ITO层和AzO层,所述ITO层设于第二半导体层和AzO层之间,所述ITO层的厚度为40nm,所述AzO层的厚度为600nm,所述保护层由氮化硼制成,厚度为200nm。
对比例1
一种紫外LED芯片,包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层和电极结构、以及覆盖在透明导电层和外延层上的保护层。
所述透明导电层为ITO层,所述ITO层的厚度为40nm,所述保护层由二氧化硅制成,厚度为200nm。
对比例2
一种紫外LED芯片,包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层和电极结构、以及覆盖在透明导电层和外延层上的保护层。
所述透明导电层为ITO层,所述ITO层的厚度为100nm,所述保护层由二氧化硅制成,厚度为200nm。
将实施例1~7和对比例1和2的芯片进行测试,芯片的尺寸为10mil*30mil,驱动电流为150mA,结果如下:
由上表可知,若ITO层的厚度过小,不仅导致芯片的电变压高,还会影响芯片的亮度。若ITO层的厚度和AzO层的厚度过大,虽然能降低电压,但亮度也会降低。只有ITO层和AzO层的厚度同时满足要求,才能即降低电压,由提高亮度。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已,当然不能以此来限定本发明之权利范围,因此依本发明权利要求所作的等同变化,仍属本发明所涵盖的范围。
Claims (10)
1.一种紫外LED芯片,包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层和电极结构、以及覆盖在透明导电层和外延层上的保护层,其特征在于,所述透明导电层包括ITO层和AzO层,所述ITO层设于外延层和AzO层之间,所述ITO层的厚度为5~20nm,所述AzO层的厚度为150~500nm。
2.如权利要求1所述的紫外LED芯片,其特征在于,所述ITO层的厚度为10~20nm,所述AzO层的厚度为200~300nm。
3.如权利要求1所述的紫外LED芯片,其特征在于,所述保护层由能阶大于6.4ev的透明材料制成。
4.如权利要求3所述的紫外LED芯片,其特征在于,所述保护层由氮化硼制成,所述保护层的厚度为10~300nm。
5.如权利要求1所述的紫外LED芯片,其特征在于,所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层,所述电极结构包括第一电极和第二电极,所述ITO层设置在第二半导体层上,所述第二电极设置在AzO层上,所述第一电极设置在第一半导体层上。
6.如权利要求5所述的紫外LED芯片,其特征在于,所述第二电极贯穿所述透明导电层,同时设置在AzO层和第二半导体层上。
7.一种紫外LED芯片的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底上形成外延层;
在外延层上形成透明导电层,所述透明导电层包括ITO层和AzO层,所述ITO层设于外延层和AzO层之间,所述ITO层的厚度为5~20nm,所述AzO层的厚度为150~500nm;
在外延层和透明导电层上形成保护层;
形成电极结构。
8.如权利要求7所述的紫外LED芯片的制作方法,其特征在于,所述透明导电层的制作方法包括:
采用电子枪蒸镀工艺,在温度为280~320℃,氧流量25~40sccm,压力3*10-5~8*10- 4torr的条件下,在外延层上形成ITO层;
采用电子枪蒸镀工艺,在温度为290~330℃,氧流量25~30sccm,压力2*10-5~9*10- 4torr的条件下,在ITO层上形成AzO层。
9.如权利要求7所述的紫外LED芯片的制作方法,其特征在于,所述保护层由能阶大于6.4ev的透明材料制成,所述保护层的厚度为10~300nm。
10.如权利要求9所述的紫外LED芯片的制作方法,其特征在于,所述保护层的制作方法包括:
采用PECVD工艺,在温度为200~300℃、压力为200~500torr的条件下,通入TMB甲基硼与N2O,其中,TMB甲基硼与N2O的通入量比为1:3。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010101658.7A CN111192945A (zh) | 2020-02-19 | 2020-02-19 | 一种紫外led芯片及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010101658.7A CN111192945A (zh) | 2020-02-19 | 2020-02-19 | 一种紫外led芯片及其制作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111192945A true CN111192945A (zh) | 2020-05-22 |
Family
ID=70710842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010101658.7A Pending CN111192945A (zh) | 2020-02-19 | 2020-02-19 | 一种紫外led芯片及其制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111192945A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111725362A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-09-29 | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 | 一种微型发光二极管的制造方法 |
WO2022052085A1 (zh) * | 2020-09-14 | 2022-03-17 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种具有改性层的led芯片及其制作方法 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201216532A (en) * | 2010-10-08 | 2012-04-16 | Chi Mei Lighting Tech Corp | Light-emitting diode structure and method for manufacturing the same |
CN102714393A (zh) * | 2010-11-19 | 2012-10-03 | 索尼公司 | 半导体激光器件和半导体激光器件制造方法 |
CN102832299A (zh) * | 2011-06-17 | 2012-12-19 | 广东量晶光电科技有限公司 | 一种层状透明导电层led芯片的制备方法 |
US20140110737A1 (en) * | 2012-10-24 | 2014-04-24 | Nichia Corporation | Light emitting element |
CN104022202A (zh) * | 2013-02-28 | 2014-09-03 | 日亚化学工业株式会社 | 半导体发光元件 |
CN104124321A (zh) * | 2013-04-24 | 2014-10-29 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 半导体发光元件及其制造方法 |
TW201530816A (zh) * | 2014-01-29 | 2015-08-01 | Lextar Electronics Corp | 發光二極體結構及其製造方法 |
CN105023985A (zh) * | 2015-07-28 | 2015-11-04 | 聚灿光电科技股份有限公司 | Led芯片及其制备方法 |
CN105609605A (zh) * | 2016-02-25 | 2016-05-25 | 聚灿光电科技股份有限公司 | Led芯片及其制造方法 |
CN105702823A (zh) * | 2016-04-11 | 2016-06-22 | 聚灿光电科技股份有限公司 | 一种小型led芯片及其制造方法 |
CN105895789A (zh) * | 2015-02-12 | 2016-08-24 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件封装 |
CN106206901A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-12-07 | 聚灿光电科技股份有限公司 | Led芯片及其制造方法 |
CN108183153A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-19 | 聚灿光电科技股份有限公司 | Led芯片的制备方法 |
CN211320130U (zh) * | 2020-02-19 | 2020-08-21 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种紫外led芯片 |
-
2020
- 2020-02-19 CN CN202010101658.7A patent/CN111192945A/zh active Pending
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201216532A (en) * | 2010-10-08 | 2012-04-16 | Chi Mei Lighting Tech Corp | Light-emitting diode structure and method for manufacturing the same |
CN102714393A (zh) * | 2010-11-19 | 2012-10-03 | 索尼公司 | 半导体激光器件和半导体激光器件制造方法 |
CN102832299A (zh) * | 2011-06-17 | 2012-12-19 | 广东量晶光电科技有限公司 | 一种层状透明导电层led芯片的制备方法 |
US20140110737A1 (en) * | 2012-10-24 | 2014-04-24 | Nichia Corporation | Light emitting element |
CN104022202A (zh) * | 2013-02-28 | 2014-09-03 | 日亚化学工业株式会社 | 半导体发光元件 |
CN104124321A (zh) * | 2013-04-24 | 2014-10-29 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 半导体发光元件及其制造方法 |
TW201530816A (zh) * | 2014-01-29 | 2015-08-01 | Lextar Electronics Corp | 發光二極體結構及其製造方法 |
CN105895789A (zh) * | 2015-02-12 | 2016-08-24 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件封装 |
CN105023985A (zh) * | 2015-07-28 | 2015-11-04 | 聚灿光电科技股份有限公司 | Led芯片及其制备方法 |
CN105609605A (zh) * | 2016-02-25 | 2016-05-25 | 聚灿光电科技股份有限公司 | Led芯片及其制造方法 |
CN105702823A (zh) * | 2016-04-11 | 2016-06-22 | 聚灿光电科技股份有限公司 | 一种小型led芯片及其制造方法 |
CN106206901A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-12-07 | 聚灿光电科技股份有限公司 | Led芯片及其制造方法 |
CN108183153A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-19 | 聚灿光电科技股份有限公司 | Led芯片的制备方法 |
CN211320130U (zh) * | 2020-02-19 | 2020-08-21 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种紫外led芯片 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111725362A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-09-29 | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 | 一种微型发光二极管的制造方法 |
WO2022052085A1 (zh) * | 2020-09-14 | 2022-03-17 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种具有改性层的led芯片及其制作方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107452846B (zh) | 一种紫外led倒装芯片 | |
US20050236636A1 (en) | GaN-based light-emitting diode structure | |
CN110491980B (zh) | 一种紫外led芯片及其制备方法 | |
CN107863425B (zh) | 一种具有高反射电极的led芯片及其制作方法 | |
CN111081838B (zh) | 一种正装led芯片及其制作方法 | |
WO2015003564A1 (zh) | 一种氮化镓基发光二极管及其制作方法 | |
CN111192945A (zh) | 一种紫外led芯片及其制作方法 | |
Yang et al. | Enhancement in light extraction efficiency of GaN-based light-emitting diodes using double dielectric surface passivation | |
US20130328010A1 (en) | Light-emitting diode and method for manufacturing the same | |
CN211320130U (zh) | 一种紫外led芯片 | |
CN113555484B (zh) | 高光效倒装led芯片及其制备方法 | |
CN106229400A (zh) | 一种发光二极管及其制作方法 | |
US7847312B2 (en) | Nitride semiconductor light-emitting device | |
CN110246934B (zh) | 发光二极管芯片的制作方法及发光二极管芯片 | |
GB2413008A (en) | GaN-based light-emitting diode | |
US9130108B2 (en) | Light-emitting diode and method for manufacturing thereof | |
KR100675220B1 (ko) | 질화물계 반도체 발광소자 | |
CN111463329A (zh) | 一种led芯片及其制作方法 | |
CN212342653U (zh) | 一种紫外led芯片外延结构及芯片 | |
CN101060150A (zh) | 一种在SiC衬底上制备的发光二极管 | |
CN103165780A (zh) | 提高亮度的GaN基LED芯片的制作方法 | |
CN113875032A (zh) | 一种发光二极管及制作方法 | |
US20040262620A1 (en) | Light emitting diode chip with radiation-transmissive electrical current expansion layer | |
CN111162192A (zh) | 一种钙钛矿发光二极管 | |
CN215376866U (zh) | 显示器件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |