TWI422022B - Semiconductor imaging device and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
本發明基於日本申請案JP2009-129262(申請日：2009/05/28)，主張其之優先權，內容亦引用該申請案之內容。
本發明關於例如CMOS影像感側器等之半導體攝像裝置及其製造方法。
半導體攝像裝置，特別是，CMOS影像感側器近年來進展至微細化，在1.4μm間距以下通常使用銅(Cu)作為配線。使用Cu配線的攝像裝置，為防止Cu之擴散及氧化，而於Cu配線上形成由Si3
N4
構成之帽蓋層。該SiN帽蓋層可降低光之透過率。因此，於畫素區域中，光路上之SiN帽蓋層被除去。
另外，於畫素區域周圍被配置和畫素區域大略同樣構成之虛擬畫素區域、暗基準信號產生用之暗基準區域、類比信號處理區域、及作為數位信號處理區域的邏輯電路區域。於彼等區域未被照射光，於畫素上亦存在Cu配線。因此，SiN帽蓋層未被除去(參照例如特開2008-199059號公報)。
但是，於半導體裝置之處理工程，例如藉由氫來使產生於閘極氧化膜之未結合鍵之懸空鍵終結的，稱為所謂燒結(sinter)處理之熱處理被進行。但是，上述SiN帽蓋層不容易使氫通過，因此，在燒結處理中，在SiN帽蓋層被除去之畫素區域，與具有SiN帽蓋層之虛擬畫素區域、暗基準區域或邏輯電路區域，被導入基板之氫之量會存在差。亦即，和畫素區域比較，虛擬畫素區域、暗基準區域及邏輯電路區域之氫導入量變少，於彼等區域中會殘留懸空鍵未被充分終結之處。因此，於虛擬畫素區域、暗基準區域或邏輯電路區域，電晶體之漏電流增大。特別是，在暗時，畫素區域與虛擬畫素區域、暗基準區域、類比信號處理區域或邏輯電路區域會存在特性差之問題。因此，被期待著能夠整合畫素區域與其他區域之半導體元件之特性的半導體攝像裝置。
本發明第1態樣提供之半導體攝像裝置，係包含：畫素區域，被配置有複數個光電轉換元件；電路區域，被配置於上述畫素區域周邊；銅配線，被配置於上述畫素區域及上述電路區域；及帽蓋層，被配置於上述銅配線上；上述畫素區域及上述電路區域之上述銅配線上以外之上述帽蓋層係被除去。
本發明第2態樣提供之半導體攝像裝置之製造方法，係包含：在半導體基板之畫素區域及電路區域內形成複數個光電轉換元件，上述電路區域係配置於上述畫素區域之周邊；於上述畫素區域及電路區域上形成第1絕緣膜；於上述畫素區域及電路區域所對應之上述第1絕緣膜上形成銅配線；及於上述銅配線上形成帽蓋層，上述畫素區域及上述電路區域之上述銅配線上以外的上述帽蓋層係被除去。
以下參照圖面說明本發明之實施形態。
圖1為本實施形態適用之半導體攝像裝置之一例。於該半導體攝像裝置1，畫素區域(PER)2，其之後述說明之複數個畫素係以矩陣狀配置於行及列。彼等畫素，係由例如作為光電轉換元件之光二極體及電晶體構成。於畫素區域2之周圍被配置虛擬畫素區域(DMR)3。該虛擬畫素區域3，例如係設為和畫素區域2同樣之構成。和虛擬畫素區域3之行與列對應而配置暗基準區域4。該暗基準區域4，係由例如遮光之光二極體及電晶體構成，用於產生暗基準信號。光二極體與電晶體，係設為和畫素區域2同樣之構成。於暗基準區域4及虛擬畫素區域3之周圍，形成包含類比信號電路與數位信號電路的邏輯電路區域5。
圖2為圖1之沿II-II線之斷面圖。
半導體基板之矽基板11內之元件分離區域12，係將基板11之表面區域分離為畫素區域(PER)2與虛擬畫素區域(DPR)3。於畫素區域2與虛擬畫素區域3之基板11上，構成傳送電晶體Ta、Tb之閘極13a、13b係介由閘極絕緣膜被形成。在彼等閘極13a、13b之一側面對應之基板11內，形成作為光電轉換元件的N型光二極體區域14a、14b、P型光二極體區域15a、15b，在閘極13a、13b之另一側面對應之基板11內，形成例如作為汲極區域的擴散層16a、16b。
於基板11上形成第1層間絕緣膜17及第2層間絕緣膜19用於覆蓋閘極13a、13b。於第1層間絕緣膜17內形成連接擴散層16用的接觸部18a、18b，於第2層間絕緣膜19內形成第1Cu(銅)配線20a、20b、20c。第1Cu配線20a、20b，係連接於接觸部18a、18b。於彼等第1Cu配線20a、20b、20c上，形成例如矽氮化膜構成之第1帽蓋層21。該第1帽蓋層21，係為防止銅之擴散者。該第1帽蓋層21之透光率低，因此位於畫素區域2之N型及P型光二極體區域14a、15a上部的部分被除去。另外，該第1帽蓋層21，係於如後述說明之退火處理中，阻礙氫之透過。因此，於虛擬畫素區域3、暗基準區域4(未圖示)及邏輯電路區域5，第1Cu配線上以外之第1帽蓋層21被除去。
於第1帽蓋層21及第2層間絕緣膜19上形成第3層間絕緣膜22。於該第3層間絕緣膜22及第1層間絕緣膜19內形成接觸部23a、23b，於第3層間絕緣膜22內形成第2Cu配線23c。接觸部23a、23b，係分別連接於第1Cu配線20a、20b之同時，連接於第2Cu配線23c。於第2Cu配線23c上形成第2帽蓋層24。該第2帽蓋層24，於畫素區域2之上方、虛擬畫素區域3、暗基準區域4及邏輯電路區域5之第2Cu配線上以外之區域亦被除去。
於第2帽蓋層24、第3層間絕緣膜22上形成作為鈍化膜之例如矽氧化膜25，於該矽氧化膜25上形成作為鈍化膜之例如矽氮化膜26。於矽氮化膜26、矽氧化膜25、第2帽蓋層24內形成例如鋁構成之接合焊墊27a。該接合焊墊27a，係連接於第2Cu配線23c。
又，於畫素區域2，係於光二極體區域14a、15a對應之矽氮化膜26上形成彩色濾光片28，於該彩色濾光片28形成微透鏡29。另外，於虛擬畫素區域3、暗基準區域4、邏輯電路區域5對應之矽氮化膜26上，形成例如鋁構成之遮光膜27b，虛擬畫素區域3、暗基準區域4、邏輯電路區域5係被遮光膜27b遮光。
以下參照圖3~7說明上述構成之半導體攝像裝置之製造方法。於圖3~7，和圖2同一部分附加同一符號。
如圖3所示，例如於P型矽基板11內藉由例如矽氧化膜形成元件分離區域12。之後，於基板11上形成作為閘極絕緣膜之矽氧化膜及多晶矽層。彼等多晶矽層及矽氧化膜被蝕刻而形成傳送電晶體Ta、Tb之閘極13a、13b。以彼等閘極13a、13b及例如阻劑圖案(未圖示)作為遮罩植入N型雜質離子及P型雜質離子，形成N型光二極體14a、14b、P型光二極體15a、15b及N型擴散層16a、16b。
之後，如圖4所示，於基板11上藉由例如CVD(化學氣相成長法)沈積例如矽氧化膜。該矽氧化膜係使用CMP(化學機械硏磨法)被平坦化，而形成第1層間絕緣膜17。於該第1層間絕緣膜17使用微影成像技術法形成使擴散層16a、16b露出之第1接觸孔，於該第1接觸孔內填埋例如鎢，而形成接觸部18a、18b。
之後，於基板11之全面沈積例如矽氧化膜構成之第2層間絕緣膜19。於該第2層間絕緣膜19使用微影成像技術法形成使接觸部18a、18b露出之第1配線溝或其他之第1配線溝。之後，全面沈積Cu膜，使用CMP法使Cu膜平坦化，於第1配線溝內形成第1Cu配線20a、20b、20c。之後，為防止第1Cu配線20a、20b、20c之氧化及擴散，於第1Cu配線20a、20b、20c及第2層間絕緣膜19之全面沈積矽氮化膜，形成帽蓋層21。
之後，如圖5所示，為防止透光率降低，針對畫素區域2之光路上之帽蓋層21，使用微影成像技術法予以除去。此時，虛擬畫素區域3之第1Cu配線20b、20c上以外之帽蓋層21、及未圖式之暗基準區域或邏輯電路區域之第1Cu配線上以外之帽蓋層被除去。亦即，例如於虛擬畫素區域3、暗基準區域及邏輯電路區域，第1Cu配線上以外之帽蓋層21之大部分被除去。
之後，如圖6所示，於全面沈積例如矽氧化膜構成之第3層間絕緣膜22，使帽蓋層21及第2層間絕緣膜19被覆蓋。
之後，使用微影成像技術法，於第3層間絕緣膜22、帽蓋層21放電電流波形使第1Cu配線20a、20b露出之第2接觸孔及和第2接觸孔連通之第2配線溝。之後，於全面沈積第2Cu膜，使用CMP法使第2Cu膜平坦化。藉由該雙鑲嵌工程形成第2接觸部23a、23b及第2Cu配線23c。之後，於全面沈積矽氮化膜用於防止第2Cu配線23c之氧化及擴散，而形成帽蓋層24。
之後，如圖7所示，為防止透光率降低，針對畫素區域2之光路上之帽蓋層24，使用微影成像技術法予以除去。此時，於虛擬畫素區域3或未圖式之暗基準區域或邏輯電路區域，第2Cu配線上以外之帽蓋層24亦被除去。
之後，如圖2所示，依序沈積例如矽氧化膜構成之鈍化膜25及矽氮化膜構成之鈍化膜26。之後，基板11，係於氫氣體環境內藉由約400℃溫度進行熱處理之燒結處理。藉由該處理使矽氮化膜中包含之氫擴散至矽基板中，藉由氫來終結矽與閘極氧化膜之接面之懸空鍵。
之後，使用微影成像技術蝕刻鈍化膜26、25、帽蓋層21，形成開口以使第2Cu配線23c露出。之後，沈積鋁層，使用微影成像技術實施鋁層之圖案化。結果，於開口內形成接合焊墊27a，於虛擬畫素區域3或暗基準區域及邏輯電路區域上形成遮光膜27b用於遮斷光。之後，於畫素區域2之光路對應之鈍化膜26上形成彩色濾光片28及微透鏡29，完成作為半導體攝像裝置之CMOS影像感側器。彩色濾光片係由例如R、G、Gr、Gb構成。
依據上述實施形態，於畫素區域2，由光路上之矽氮化膜構成之帽蓋層21、24被除去。另外，虛擬畫素區域2或暗基準區域或邏輯電路區域之第1、第2Cu配線20b、20c、23c上以外之帽蓋層21、24亦被除去。因此，熱處理中，於畫素區域2與虛擬畫素區域3、暗基準區域及邏輯電路區域，可使氫進入基板之量均勻化。因此，可以藉由氫確實終結畫素區域2與虛擬畫素區域3、暗基準區域及邏輯電路區域之懸空鍵，可抑制電晶體之漏電流。因此，於畫素區域2與虛擬畫素區域3、暗基準區域及邏輯電路區域，可抑制暗時輸出特性之差。
圖8、9係表示沿圖2所示III-III線(X位址)之畫素之暗時之輸出位準(R、G、Gr、Gb)，圖8為習知例，圖9為本實施形態之情況。
暗時之輸出位準，理想為沿X位址呈一定，但是，圖8之習知例，於虛擬畫素區域或暗基準區域及邏輯電路區域產生漏電流，因此，彼等區域之輸出位準與畫素區域之輸出位準之間存約25LSB之差。
相對於此，圖9之本實施形態之情況下，虛擬畫素區域或暗基準區域及邏輯電路區域之漏電流被抑制。因此，彼等區域之輸出位準與畫素區域之輸出位準之間之差，被改善成為約5LSB。
另外，依據上述實施形態，於第1、第2Cu配線20a、20b、20c及第1Cu配線23c上，被形成由矽氮化膜構成之帽蓋層21、帽蓋層24。因此，可防止Cu之擴散及氧化。
圖10為本發明之變形例。
如圖2所示實施形態中，於虛擬畫素區域3，第1Cu配線20b與第1Cu配線20c之間不存在第1Cu配線的區域，及不存在第2Cu配線23c的區域，係存在於垂直方向上之大略同一位置。
相對於此，於圖10之變形例，於虛擬畫素區域3，第1Cu配線20b與第1Cu配線20c之間不存在第1Cu配線的區域，及第2Cu配線23c與第2Cu配線23d之間不存在第2Cu配線的區域，並不存在於垂直方向上之同一位置。而且，於彼等第1、第2Cu配線20b、20c、23c、23d上，被形成由透光率低之矽氮化膜構成之帽蓋層21、24。因此，依據本變形例，可提升遮光性能。
另外，上述實施形態係說明本發明適用CMOS影像感側器之情況，但不限定於此，亦可適用於使用Cu配線之其他感測器或半導體裝置。
以上係依據實施形態具體說明本發明，但本發明並不限定於上述實施形態，在不脫離其要旨情況下可做各種變更實施。
1．．．半導體攝像裝置
2．．．畫素區域(PER)
3．．．虛擬畫素區域(DMR)
4．．．暗基準區域
5．．．邏輯電路區域
11．．．矽基板
12．．．元件分離區域
13a、13b．．．閘極
Ta、Tb．．．傳送電晶體
14a、14b．．．光二極體區域
15a、15b．．．光二極體區域
16a、16b．．．擴散層
17‧‧‧第1層間絕緣膜
19‧‧‧第2層間絕緣膜
16‧‧‧擴散層
18a、18b‧‧‧接觸部
20a、20b、20c‧‧‧第1Cu配線
21‧‧‧帽蓋層
24‧‧‧帽蓋層
22‧‧‧第3層間絕緣膜
23a、23b‧‧‧接觸部
23c‧‧‧第2Cu配線
25‧‧‧鈍化膜
26‧‧‧鈍化膜
27a‧‧‧接合焊墊
28‧‧‧彩色濾光片
29‧‧‧微透鏡
27b‧‧‧遮光膜
圖1為本發明之半導體攝像裝置之實施形態之平面圖。
圖2為圖1之沿II-II線之斷面圖。
圖3為圖2所示半導體攝像裝置之製造方法之斷面圖。
圖4為接續圖3之製造工程之斷面圖。
圖5為接續圖4之製造工程之斷面圖。
圖6為接續圖5之製造工程之斷面圖。
圖7為接續圖6之製造工程之斷面圖。
圖8為習知半導體攝像裝置之暗時輸出特性之圖。
圖9為本實施形態之半導體攝像裝置之暗時輸出特性之圖。
圖10為本發明之變形例之斷面圖。
1．．．半導體攝像裝置
2．．．畫素區域(PER)
3．．．虛擬畫素區域(DMR)
4．．．暗基準區域
5．．．邏輯電路區域
Claims (14)
- 一種半導體攝像裝置，係包含：畫素區域，被配置有複數個光電轉換元件；電路區域，被配置於上述畫素區域周邊；銅配線，被配置於上述畫素區域及上述電路區域；及帽蓋層，被配置於上述銅配線上，且係包括氮的絕緣層；上述畫素區域及上述電路區域之上述銅配線上以外之上述帽蓋層係被除去。
- 如申請專利範圍第1項之半導體攝像裝置，其中上述帽蓋層，係由矽氮化膜構成。
- 如申請專利範圍第1項之半導體攝像裝置，其中上述帽蓋層係僅形成於銅配線上。
- 如申請專利範圍第1項之半導體攝像裝置，其中上述畫素區域之暗時特性與上述電路區域之暗時特性被設定成為大略相等。
- 如申請專利範圍第1項之半導體攝像裝置，其中上述電路區域，係包含虛擬畫素區域、暗基準區域、邏輯電路區域。
- 如申請專利範圍第1項之半導體攝像裝置，其中上述電路區域具有光電轉換元件，上述電路區域之上述銅配線，係具有：第1、第2銅配線，形成於上述光電轉換元件上之第1絕緣膜上；及第3、第4銅配線，形成於上述第1、第2銅配線上之第2絕緣膜上；上述第1、第2銅配線之間的第1區域，和上述第3、第4銅配線之間的第2區域，係被形 成於不同位置。
- 一種半導體攝像裝置之製造方法，係包含：在半導體基板之畫素區域及電路區域內形成複數個光電轉換元件，上述電路區域係配置於上述畫素區域之周邊；於上述畫素區域及電路區域上形成第1絕緣膜；於上述畫素區域及電路區域所對應之上述第1絕緣膜上形成銅配線；及於上述銅配線上形成包括氮的帽蓋層，上述畫素區域及上述電路區域之上述銅配線上以外的上述帽蓋層係被除去。
- 如申請專利範圍第7項之半導體攝像裝置之製造方法，其中上述銅配線，係被形成於上述畫素區域及電路區域之除掉上述光電轉換元件以外的區域。
- 如申請專利範圍第7項之半導體攝像裝置之製造方法，其中上述帽蓋層，係由矽氮化膜構成。
- 如申請專利範圍第7項之半導體攝像裝置之製造方法，其中上述帽蓋層係僅形成於銅配線上。
- 如申請專利範圍第9項之半導體攝像裝置之製造方法，其中更包含：使用氫氣體對上述半導體基板進行熱處理。
- 如申請專利範圍第7項之半導體攝像裝置之製造方法，其中 上述畫素區域之暗時特性與上述電路區域之暗時特性被設定成為大略相等。
- 如申請專利範圍第7項之半導體攝像裝置之製造方法，其中上述電路區域，係包含虛擬畫素區域、暗基準區域、邏輯電路區域。
- 如申請專利範圍第7項之半導體攝像裝置之製造方法，其中上述電路區域具有光電轉換元件，上述電路區域之上述銅配線，係具有：第1、第2銅配線，形成於上述光電轉換元件上之第1絕緣膜上；及第3、第4銅配線，形成於上述第1、第2銅配線上之第2絕緣膜上；上述第1、第2銅配線之間的第1區域，和上述第3、第4銅配線之間的第2區域，係被形成於不同位置。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040174439A1 (en) * | 2003-03-07 | 2004-09-09 | Upton Wayne A. | High frame rate high definition imaging system and method |
| US20060060899A1 (en) * | 2004-09-23 | 2006-03-23 | Jong-Wook Hong | Image sensor and method of manufacturing same |
| US20070232074A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-04 | Kramadhati Ravi | Techniques for the synthesis of dense, high-quality diamond films using a dual seeding approach |
| US20080283893A1 (en) * | 2007-05-16 | 2008-11-20 | United Microelectronics Corp. | Illuminating efficiency-increasable and light-erasable embedded memory structure and fabricating method thereof |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040174439A1 (en) * | 2003-03-07 | 2004-09-09 | Upton Wayne A. | High frame rate high definition imaging system and method |
| US20060060899A1 (en) * | 2004-09-23 | 2006-03-23 | Jong-Wook Hong | Image sensor and method of manufacturing same |
| US20070232074A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-04 | Kramadhati Ravi | Techniques for the synthesis of dense, high-quality diamond films using a dual seeding approach |
| US20080283893A1 (en) * | 2007-05-16 | 2008-11-20 | United Microelectronics Corp. | Illuminating efficiency-increasable and light-erasable embedded memory structure and fabricating method thereof |
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