TWI416658B - 藉由連結環之可選擇轉動方式之相對定位而達成靜電夾盤與熱邊緣環間之可調整熱接觸 - Google Patents

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Description

藉由連結環之可選擇轉動方式之相對定位而達成靜電夾盤與熱邊緣環間之可調整熱接觸
本發明係關於半導體、資料儲存、平面顯示器和類似或其它產業中所用的處理設備的領域。更具體地說，本發明係關於一系統，用以強化電漿為基之處理工具中所用的靜電夾盤的效能。
【交叉參考之相關申請案】
本發明與名為「ADJUSTABLE THERMAL CONTACT BETWEEN AN ELECTROSTATIC CHUCK AND A HOT EDGE RING BY CLOCKING A COUPLING RING」的美國專利申請案第61/194,277號有關。此申請案的整體內容併於本文以供參考。
自從數十年前首次引進積體電路(IC)裝置，半導體裝置幾何形狀(即積體電路設計法則)在尺寸上便急遽縮減。IC通常遵循著「摩爾定律(Moore’s Law)」，其意味著每兩年單一積體電路晶片上所製造的元件數量就增倍。今日IC製造設備都例行性生產65nm(0.065μm)特徵尺寸的元件，且未來的工廠將很快地生產具有更小特徵尺寸的元件。
隨著IC設計法則縮小，半導體製造中的未來趨勢係針對包括電漿蝕刻暨沈積腔的各種製造步驟利用單晶圓處理。單晶圓反應器需被設計成於處理期間不突兀地固定晶圓(或其它基板類型)，同時控制該晶圓整面的溫度及溫度均勻度兩者。
機械式晶圓鉗夾(其嚙合晶圓之待執行處理的部份前表面)可能因受氣流干擾、變更電漿分布與充當熱壑而產生處理均勻度問題。如果設計不當的話，機械式晶圓鉗夾也可能產生微粒，進而造成晶圓污染或其它問題。
靜電夾盤(ESC)於處理期間使用靜電勢將晶圓固定位，因此藉由僅與該晶圓背側接觸而避免機械式鉗夾的問題。靜電夾盤藉由在基板與夾盤上感應相反電荷，因而在該夾盤與該基板之間產生靜電吸引力而運作。吸引力的程度取決於所感應的電荷量和電荷因傳導效應而散失的速率。偏壓係用以感應並控制靜電力，且可僅施加在部分處理循環中，例如恰在基板被傳送至該夾盤之後。或者，可在整個處理循環中持續地施加偏壓。例如，使用電漿的傳導性質可提供ESC之一端與晶圓系統的電氣連接手段。
各種類型的靜電夾盤為了將電漿侷限在緊靠該基板之上方區域的目的，可包括置於基板底下且環繞之的消耗性(即犧牲性)邊緣環。該邊緣環也可保護ESC免受電漿侵蝕。
參照圖1，示範性先前技藝的ESC結構100中的一部分包括陽極鋁基座101、加熱器結合層103、加熱器105、加熱器板107與陶質結合層109。以陶質頂片111覆蓋ESC結構100。加熱器結合層103、加熱器105、加熱器板107與陶質結合層109受邊緣結合密封部113的保護，免於直接與周遭電漿環境及腐蝕性化學品接觸。邊緣結合密封部113因此保護加熱器105、加熱器板107、加熱器結合層103及陶質結合層109免受電漿腐蝕。
加熱器結合層103通常由充滿矽石的聚矽氧層(如非晶SiOx )構成。加熱器105通常由聚醯亞胺所包覆的金屬電阻元件組成，同時加熱器板107通常為鋁製。陶瓷填充(如礬土(Al2 O3 ))的聚矽氧材料常用於陶質結合層109。陶質頂片111通常為鋁製且用以使基板115(如矽晶圓)得以牢固地安置在陶質頂片111上方。
邊緣環117的整體形狀通常為圓形，且被固定在示範性先前技藝的ESC結構100的內部週邊。邊緣環117與ESC結構100的內部成同心且以垂直、單面的內直徑為特色。該單面的內直徑限制邊緣環117緊靠鋁基座101、邊緣結合密封部113與陶質頂片111，因此名義上將邊緣環117定心。
一般而言，電漿反應器中，於高功率化學品聚合的過程中變得過熱的邊緣環(如熱邊緣環，HER)會(因熱泳力(thermophoretic forces))迫使聚合物積在基板邊緣。基板邊緣上或附近之聚合物增加的程度會降低該基板上已規劃之特徵部的關鍵尺寸(CD)。相反地，如果邊緣環變得過冷，該邊緣環本身所沈積的聚合物則 會增加(即基板與邊緣環間的熱梯度迫使聚合物前驅物沈積在該邊緣環上)，從而引起該基板邊緣上或附近之增加的CD。
因此，需達到ESC上的熱與冷區間的平衡，以得到基板整面的適當CD均勻性。另外，需實現最理想的熱平衡組態以達到預期的CD結果，而不引起產率問題，其對不同化學劑與電漿功率位準兩者係獨特的。
因此，所需要的係一熱介面系統，以使邊緣環在過熱或過冷間取得溫度平衡。該熱介面系統應快速且輕易用於不同的製程(即該系統在該領域中應為隨時可調的)。另外，應能經由該熱介面系統針對給定的操作參數(如電漿功率位準)組而迅速地制定邊緣環的溫度。
在示範實施例中，揭露一種在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置。該可轉動的裝置包括一連結環，其用以繞著該靜電夾盤至少一部分的周邊，並與該靜電夾盤附近所安裝的邊緣環熱接觸。該連結環包括該連結環的第一部分，其具有第一組相對面，其中該第一組相對面中的至少一者具有形成在其上的複數個第一凸起特徵部。該連結環的第二部分具有第二組相對面，其中該第二組相對面中的至少一者具有形成在其上的複數個第二凸起特徵部，該複數個第二凸起特徵部被配置成與該複數個第一凸起特徵部熱耦合。該第一與第二部分間的熱耦合程度係被架構成藉使該第一部分相對於該第二部分轉動而控制。
在另一示範實施例中，揭露一種在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置。該可轉動的裝置包括一邊緣環，其用以繞著該靜電夾盤至少一部分的周邊，並與該靜電夾盤熱接觸。該邊緣環包括一下面部，其具有形成在其上的複數個第一凸起特徵部。複數個第二凸起特徵部係形成在該靜電夾盤中與該邊緣環熱接觸的部分上。該複數個第二凸起特徵部被配置成 與該複數個第一凸起特徵部熱耦合，其中該邊緣環與該靜電夾盤間的熱耦合程度藉使該邊緣環相對於該複數個第二凸起特徵部轉動而控制。
在另一實施例中，揭露一種在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置。該可轉動的裝置包括一邊緣環，其用以繞著該靜電夾盤至少一部分的周邊，並與該靜電夾盤熱耦合。該邊緣環包括一下面部，其具有形成在其上的複數個第一凸起特徵部。連結環至少具有複數個第二凸起特徵部，且用以與該邊緣環上之複數個第一凸起特徵部熱接觸。該複數個第二凸起特徵部係被配置成與該複數個第一凸起特徵部熱耦合，其中該邊緣環與該連結環間的熱耦合程度藉使該邊緣環相對於該連結環轉動而控制。
在另一實施例中，揭露一種在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置。該可轉動的裝置包括該靜電夾盤的第一部分，其具有至少一表面，其上坐落著可變熱接觸區。該靜電夾盤的第二部分具有至少一表面，其上坐落著可變熱接觸區。該第二部分的該至少一表面係用以與該第一部分的該至少一表面熱接觸，以控制該基板之整面的熱梯度。
下文所討論的各種實施例描述改善的連結環，其被設計成強化處理效能。藉由確保連結環能夠針對既定操作條件(如既定的電漿功率位準)提供已知的熱梯度而強化處理效能。例如，可藉由在ESC與熱邊緣環(HER)間具有可調熱接觸的可轉動的連結環而控制該熱梯度。可迅速且輕易地調整熱接觸，而不需額外硬體或在熱介面材料的選擇上做變換。
參照圖2，ESC的橫剖面視圖200包括示範性可轉動的連結環201。該示範性可轉動的連結環201係由至少二部分組成，上連結環部分201A與下連結環部分201B。在上連結環部分201A與下連結環部分201B間可夾入選用的連結環熱介面材料層203。另 外，在鋁基座101與下連結環部分201B間可加入選用的ESC熱介面材料層205。
上連結環部分201A與下連結環部分201B可由各種材料構成。該各種材料包括，例如氧化鋁(Al2 O3 ，礬土)或其它的陶質類型。矽、碳化矽、二氧化矽(如晶系或非晶系(SiOx ))與過渡金屬(如固態釔)也係適合製造上連結環部分201A與下連結環部分201B的材料。另外，各種其它類型的金屬、絕緣與半導體材料也可被輕易地使用。在特定的示範實施例中，塗佈厚度75微米(μm)至125μm(約0.003至0.005英吋)之氧化釔表面處理的氧化鋁(Al2 O3 )可用於上連結環部分201A與下連結環部分201B。例如，可用熱噴鍍(thermo-spraying)或物理氣相沈積(PVD)系統塗敷該氧化釔表面處理。在此實施例中，該氧化釔表面處理可如所需地在特定區域中逐漸減弱，或上連結環部分201A與下連結環部分201B的整個部分可不要塗佈層。
例如，在特定的示範實施例中，選用的連結環熱介面材料層203與ESC熱介面材料層205材料可由Q-Pad® 熱傳材料(如Q-Pad® II)構成。Q-Pad®係由The Bergquist Company(Chanhassen,Minnesota,USA)製造，且為箔式熱油脂置換件，其特別為了在無法使用除氣材料(outgassing material)時(如在電漿蝕刻腔的高真空環境中)使用而訂製。Q-Pad® 係由導熱暨導電橡膠之相對面上所形成的鋁箔構成，該橡膠熱阻抗在345kPa(約50psig)時為1.42℃ cm2 /W(約0.22℃ in2 /W)。
例如，在另一特定的示範實施例中，連結環熱介面材料層203與ESC熱介面材料層205材料可由Sil-PaD®熱傳材料(如Sil-PaD®400)構成。Si1-PaD®也由TheBergquist Company(參見上文)製造，且由聚矽氧橡膠與玻璃纖維構成。Si1-PaD®係熱導絕緣體，其熱阻抗在345kPa(約50psig)時為7.29℃ cm2 /W(約1.13℃ in2 /W)。也可輕易地使用該技藝中個別已知的導熱介面層。
現在參照圖3，上連結環部分201A的示範底視圖300包括複數個凸起台座301，其坐落於上連結環部分201A的下面部。同樣 地，下連結環部分201B的示範頂視圖350包括另外複數個凸起台座301，其坐落於下連結環部分201B的上面部。複數個凸起台座301的配置使上連結環部分201A與下連結環部分201B在彼此實體接觸時得以具有可變機械接觸區。如下文即將討論的，該可變機械接觸區因而允許上連結環部分201A與下連結環部分201B間的可變熱接觸。如熟悉本技藝者在研讀本文所揭露之資訊後能輕易地理解，可在寬度、高度、數量與其它參數上變化該複數個凸起台座以完成所需的結果。
參照圖4，上連結環部分201A與下連結環部分201B間的複數個凸起台座301之一的第一橫剖面視圖400指出最大熱接觸區。上連結環部分201A與下連結環部分201B間的複數個凸起台座301之一的第二橫剖面視圖430指出因縮減的機械接觸區而比第一橫剖面視圖400具有更高熱阻抗的熱接觸區。同樣地，上連結環部分201A與下連結環部分201B間的複數個凸起台座301之一的第三橫剖面視圖450指出因更縮減的機械接觸區而比第二橫剖面視圖430具有更高熱阻抗的熱接觸區。終端用戶可因此根據上連結環部分201A與下連結環部分201B間的機械接觸部數量，而提供分級的或無窮的變異性(取決於下文所討論的機械或化學接合裝置)。
另外，可在複數個凸起台座301之一或多者間放置一片熱介面材料(或導熱或絕熱)(未顯示)，進一步影響上連結環部分201A與下連結環部分201B間的整個導熱性。
因此，上連結環部分201A與下連結環部分201B的組合提供可轉動的連結環，其藉由以不同機械接觸的配置而配置上連結環部分201A與下連結環部分201B，以變化該二部分間的熱接觸。
儘管未顯示，熟悉本技藝者可輕易地察覺出各種將上連結環部分201A與下連結環部分201B固定一起的裝置。例如，在特定示範實施例中，可藉平頭機械螺釘穿過一物件的錐坑及孔洞至另一物件的螺絲與螺紋孔，而將該二部分閂在一起。在一物件中可包括複數個螺紋孔，其被置於偏離另一物件之錐坑的各種位置。 例如，在另一特定實施例中，可藉平頭機械螺釘穿過一物件的細長(即有槽的)錐坑縫至另一物件的螺絲與螺紋孔，而將該二部分閂在一起。在更另一示範實施例中，可用高溫黏合劑將該二部分固定在一起。
上連結環部分201A與下連結環部分201B相對彼此的各種配置使裝置得以調整任一熱邊緣(HER)與靜電夾盤間的熱接觸。因此，本發明的各種實施例藉使複數個凸起台座301處於一模式中而運作，該模式係隨著上連結環部分201A與下連結環部分201B相對彼此轉至不同方向，產生不同機械接觸區，因而產生不同熱接觸區。可簡單地藉由改變上連結環部分201A與下連結環部分201B間的機械接觸部數量，而輕易地適應需要不同HER溫度的不同處理配方。
在其它示範實施例(未顯示，但熟悉本技藝者在研讀本文所討論的材料後可輕易了解)中，除了該可轉動的連結環上所示之配置之外(或作為其替代)，可在ESC與連結環間配置複數個凸起台座301。此外，在其它示範實施例中，除了該可轉動的連結環上所示之配置之外(或作為其替代)，可在連結環與HER間配置複數個凸起台座301。
再者，額外的實施例包括產生複數個凸起台座301，使台座圖形具有更精細規模的特徵部(如約1cm寬)，俾不產生方位角上的不均勻性。此外，該凸起台座的圖形可形成數個同心環，俾降低或消除該二部分間之空隙中電弧(即電漿點火(light-up))的可能性。
只要粗糙與平滑區間的熱接觸彼此不同，該二區可替代複數個凸起台座301。例如，粗糙區阻止上連結環部分201A與下連結環部分201B間的緊密接觸，因而增大熱阻抗。相反地，平滑區提供上連結環部分201A與下連結環部分201B間的緊密接觸，因而降低熱阻抗。
另外，只要產生優良熱接觸與不良熱接觸之各種塗層間的熱接觸不同，該二區可替代複數個凸起台座301。例如，帶有不同厚 度或不同導熱性的塗層可用以實現帶有可調熱接觸的可轉動系統。
上文參照其特定實施例而描述本發明，對於熟悉本技藝者，明顯的是，在不離開附加請求項所闡明之本發明的寬廣精神及範疇下，當可做各式修正與變化。
例如，特定的實施例描述各種材料形式及配置。熟悉本技藝者將理解到，這些材料與配置可為不同且本文所示者僅為示範目的，以說明邊緣環的各種實施例態樣。例如，在研讀本文所揭露的資訊後，熟悉本技藝者將迅速地理解到，連結環的熱接觸區可與熱邊緣環結合，或與熱邊緣環分開。如本文所討論的，在如此的配置中，HER可直接與ESC耦合，而不需散置的連結環，但同時仍提供HER上的導熱性及溫度之變異性。另外，熟悉本技藝者將進一步理解到，本文所討論的技術與方法可應用於在嚴苛電漿與化學環境中運作的任一相似結構種類，其需要維持精準與精確之同心度與配置。半導體產業之靜電夾盤的應用單純用作為榜樣，以幫助熟悉本技藝者描述本發明的各種實施例。
再者，整個描述中的術語「半導體」應被解釋成包括資料儲存、平面顯示器和類似或其它產業。這些及各種其它的實施例皆在本發明的範疇內。另外，具體說明及圖式應視為說明說而非限制性。
100‧‧‧ESC結構
101‧‧‧鋁基座
103‧‧‧加熱器結合層
105‧‧‧加熱器
107‧‧‧加熱器板
109‧‧‧陶質結合層
111‧‧‧陶質頂片
113‧‧‧邊緣結合密封部
115‧‧‧基板
117‧‧‧邊緣環
200‧‧‧橫剖面視圖
201‧‧‧連結環
201A‧‧‧上連結環部分
201B‧‧‧下連結環部分
203‧‧‧連結環熱介面材料層
205‧‧‧ESC熱介面材料層
300‧‧‧底視圖
301‧‧‧凸起台座
350‧‧‧頂視圖
400‧‧‧第一橫剖面視圖
430‧‧‧第二橫剖面視圖
450‧‧‧第三橫剖面視圖
各種附圖僅說明本發明的示範實施例，不應被視為限制其範疇。
圖1A係先前技藝之靜電夾盤中的一部分的橫剖面視圖。
圖1B係先前技藝之靜電夾盤中的一部分的橫剖面視圖，其合併了連結環與各種層別的熱介面材料。
圖2係示範性可轉動之連結環的橫剖面視圖，該連結環係用於靜電夾盤(ESC)上以變化ESC與熱邊緣環間的溫度梯度。
圖3係圖2之可轉動之連結環中每一部分的示範性平面(即 正面)與背視圖。
圖4顯示示範性可轉動之連結環之變化熱接觸位置的橫剖面視圖。
101．．．鋁基座
103．．．加熱器結合層
105．．．加熱器
107．．．加熱器板
109．．．陶質結合層
111．．．陶質頂片
113．．．邊緣結合密封部
115．．．基板
117．．．邊緣環
200．．．橫剖面視圖
201．．．連結環
201A．．．上連結環部分
201B．．．下連結環部分
203．．．連結環熱介面材料層
205．．．ESC熱介面材料層

Claims (24)

  1. 一種在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置，該可轉動的裝置包括：一連結環，用以繞著該靜電夾盤至少一部分的周邊，且與該靜電夾盤附近所安裝的一邊緣環熱接觸，該連結環包括：該連結環的第一部分，具有第一組相對面，該第一組相對面中的至少一者具有形成在其上的複數個第一凸起特徵部；及該連結環的第二部分，具有第二組相對面，該第二組相對面中的至少一者具有形成在其上的複數個第二凸起特徵部，該複數個第二凸起特徵部被配置成與該複數個第一凸起特徵部熱耦合，該連結環的該第一部分以及該連結環的該第二部分在彼此實體接觸時具有可變機械接觸區，該第一與第二部分間的熱耦合程度係被架構成藉使該第一部分相對於該第二部分轉動而控制。
  2. 如申請專利範圍第1項之在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置，其中在該連結環之第一與第二部分之每一者上，徑向地配置該複數個第一與第二凸起特徵部。
  3. 如申請專利範圍第1項之在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置，其中在該連結環之第一與第二部分之每一者上的複數個同心環中，徑向地配置該複數個第一與第二凸起特徵部，該等複數個凸起特徵部中的每一者除了其基底部分之外，係與該複數個同心環之隨後或先前一者中的一凸起特徵部熱分離。
  4. 如申請專利範圍第1項之在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置，其中該複數個第一與第二凸起特徵部因該複數個第一與第二凸起特徵部中至少特定者間的一熱介面層而彼此分離。
  5. 如申請專利範圍第1項之在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置，其中該連結環的第一與第二部分係配置成閂在一起，俾使該複數個第一與第二凸起特徵部中的至少數個部分彼此熱接觸。
  6. 如申請專利範圍第1項之在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置，其中該連結環之第一與第二部分中的至少一者具有細長縫，以藉使該第一部分相對於該第二部分轉動而有助於調整該等部分間的熱接觸。
  7. 一種在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置，該可轉動的裝置包括：一邊緣環，用以繞著該靜電夾盤至少一部分的周邊，且與該靜電夾盤熱接觸，該邊緣環包括一下面部，該下面部具有形成在其上的複數個第一凸起特徵部；及複數個第二凸起特徵部，形成在該靜電夾盤中與該邊緣環熱接觸的部分上，該複數個第二凸起特徵部被配置成與該複數個第一凸起特徵部熱耦合，該邊緣環的該下面部以及該靜電夾盤中與該邊緣環熱接觸的部分在彼此實體接觸時具有可變機械接觸區，該邊緣環與該靜電夾盤間的熱耦合程度藉使該邊緣環相對於該複數個第二凸起特徵部轉動而控制。
  8. 如申請專利範圍第7項之在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置，其中在該邊緣環與該靜電夾盤上，徑向地配置該複數個第一與第二凸起特徵部。
  9. 如申請專利範圍第7項之在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置，其中在該邊緣環與該靜電夾盤上的複數個同心環中，徑向地配置該複數個第一與第二凸起特徵部，該等複數個凸起特徵部中的每一者除了其基底部分之外，係與該 複數個同心環之隨後或先前一者中的一凸起特徵部熱分離。
  10. 如申請專利範圍第7項之在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置，其中該複數個第一與第二凸起特徵部因該複數個第一與第二凸起特徵部中至少特定者間的一熱介面層而彼此分離。
  11. 如申請專利範圍第7項之在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置，其中該邊緣環與該靜電夾盤係配置成閂在一起，俾使該複數個第一與第二凸起特徵部中的至少數個部分彼此熱接觸。
  12. 如申請專利範圍第7項之在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置，其中該邊緣環與該靜電夾盤中至少一者具有細長縫，以藉使該邊緣環相對於該靜電夾盤轉動而有助於調整其間的熱接觸。
  13. 一種在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置，該可轉動的裝置包括：一邊緣環，用以繞著該靜電夾盤至少一部分的周邊，且與該靜電夾盤熱耦合，該邊緣環包括一下面部，該下面部具有形成在其上的複數個第一凸起特徵部；及一連結環，至少具有複數個第二凸起特徵部，且用以與該邊緣環上之複數個第一凸起特徵部熱接觸，該複數個第二凸起特徵部被配置成與該複數個第一凸起特徵部熱耦合，該邊緣環的該下面部以及該連結環在彼此實體接觸時具有可變機械接觸區，該邊緣環與該連結環間的熱耦合程度藉使該邊緣環相對於該連結環轉動而控制。
  14. 如申請專利範圍第13項之在電漿環境中配合用以支撐基板之 靜電夾盤使用的可轉動的裝置，其中在該邊緣環與該連結環上，徑向地配置該複數個第一與第二凸起特徵部。
  15. 如申請專利範圍第13項之在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置，其中在該邊緣環與該連結環上的複數個同心環中，徑向地配置該複數個第一與第二凸起特徵部，該等複數個凸起特徵部中的每一者除了其基底部分之外，係與該複數個同心環之隨後或先前一者中的一凸起特徵部熱分離。
  16. 如申請專利範圍第13項之在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置，其中該複數個第一與第二凸起特徵部因該複數個第一與第二凸起特徵部中至少特定者間的一熱介面層而彼此分離。
  17. 如申請專利範圍第13項之在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置，其中該邊緣環與該連結環係配置成閂在一起，俾使該複數個第一與第二凸起特徵部中的至少數個部分彼此熱接觸。
  18. 如申請專利範圍第13項之在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置，其中該邊緣環與該連結環中至少一者具有細長縫，以藉使該邊緣環相對於該連結環轉動而有助於調整其間的熱接觸。
  19. 一種在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置，該可轉動的裝置包括：該靜電夾盤的第一部分，具有至少一表面，其上坐落著可變熱接觸區；及該靜電夾盤的第二部分，具有至少一表面，其上坐落著可變熱接觸區，該第二部分的該至少一表面用以與該第一部分的該至 少一表面熱接觸，以控制該基板之整面的熱梯度，該靜電夾盤的該第一部分以及該靜電夾盤的該第二部分在彼此實體接觸時具有可變機械接觸區。
  20. 如申請專利範圍第19項之在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置，其中該可變熱接觸區包括複數個粗糙面與平滑面區域。
  21. 如申請專利範圍第19項之在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置，其中該可變熱接觸區包括在該第一與第二部分所形成的複數個不同導熱性的塗層。
  22. 如申請專利範圍第19項之在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置，其中具有可變熱接觸區的第一與第二部分因該具有可變熱接觸區的第一與第二部分中至少特定者間的一熱介面層而彼此分離。
  23. 如申請專利範圍第19項之在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置，其中該第一部分與該第二部分係配置成閂在一起，俾使該具有可變熱接觸區的第一與第二部分中的至少數個部分彼此熱接觸。
  24. 如申請專利範圍第19項之在電漿環境中配合用以支撐基板之靜電夾盤使用的可轉動的裝置，其中該第一部分與第二部分中至少一者具有細長縫，以藉使該第一部分相對於該第二部分轉動而有助於調整其間的熱接觸。
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