TWI411487B - Laser processing of gallium arsenide wafers - Google Patents

Laser processing of gallium arsenide wafers Download PDF

Info

Publication number
TWI411487B
TWI411487B TW096132047A TW96132047A TWI411487B TW I411487 B TWI411487 B TW I411487B TW 096132047 A TW096132047 A TW 096132047A TW 96132047 A TW96132047 A TW 96132047A TW I411487 B TWI411487 B TW I411487B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gallium arsenide
laser processing
wafer
laser
track
Prior art date
Application number
TW096132047A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200819235A (en
Inventor
Kenji Furuta
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of TW200819235A publication Critical patent/TW200819235A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI411487B publication Critical patent/TWI411487B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/16—Removal of by-products, e.g. particles or vapours produced during treatment of a workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/18—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using absorbing layers on the workpiece, e.g. for marking or protecting purposes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Description

砷化鎵晶圓之雷射加工方法 發明領域
本發明係有關於一種砷化鎵晶圓之雷射加工方法，其係沿著形成於砷化鎵(GaAs)晶圓之分割預定線照射雷射光，並沿著預定線切斷砷化鎵(GaAs)晶圓者。
 發明背景
如熟習此技藝者所皆知者，半導体裝置之製造步驟中，係於二氧化矽基板之表面形成將複數之IC、LSI等元件形成矩陣狀之半導體晶圓。如此形成之半導体晶圓之上述元件係由稱為跡道之分割預定線所區劃，藉由沿著該跡道予以切斷製造出各個半導体晶片。又，於砷化鎵(GaAs)基板表面上形成拼合IC或高速lC等之高機能裝置之砷化鎵(GaAs)晶圓漸趨實用化。
此種沿著跡道切斷由二氧化矽晶圓形成之半導体晶圓或砷化鎵(GaAs)晶圓之方法中，已提案之技術係藉由沿著形成於晶圓之跡道照射脈衝雷射光，施行消熔加工，形成雷射加工溝。(參照如專利文獻1)
【專利文獻1】日本專利公開公報特開平10-305420
然而，當沿著晶圓之跡道照射雷射光進行消熔加工時，熱能會集中於照射雷射光之區域而產生碎屑，發生如該碎屑附著於元件表面，使晶片品質降低之新問題。
為了解決此種碎屑所造成之問題，提出一種雷射加工 方法係，於晶圓之加工面被覆由聚乙烯醇等液狀樹脂構成之碎屑遮蔽膜，並通過碎屑遮蔽膜將雷射光照射於晶圓上。(參照如專利文獻2)
【專利文獻2】日本專利公開公報特開2004-188475
然而，藉由上述之雷射加工方法切斷砷化鎵(GaAs)晶圓時，則有被分割之各個晶片的抗折強度降低的問題。
根據本發明人之實驗，使用上述雷射加工方法切斷二氧化矽晶圓時，若分割之晶片之切斷面附著有碎屑的話，則抗折強度會降低。雖然如此，當使用上述之雷射加工方法切斷砷化鎵(GaAs)晶圓時，相較於經分割之晶片之切斷面未附著有碎屑之情況，附著有碎屑者的抗折強度増大。
 發明概要
本發明係有鑑於上述事實而作成者，其主要技術課題係提供一種雷射加工方法沿著砷化鎵(GaAs)晶圓之跡道照射雷射光進行消熔加工，藉此以沿著跡道切斷砷化鎵(GaAs)晶圓時，可藉照射雷射光使產生之碎屑附著於切斷面之砷化鎵晶圓之雷射加工方法。
為解決上述之技術課題，本發明之砷化鎵晶圓之雷射加工方法係沿著砷化鎵晶圓之跡道照射雷射光，並沿著跡道切斷砷化鎵晶圓者，且前述砷化鎵晶圓係於藉由在砷化鎵基板之表面形成格子狀之跡道區劃而成之複數區域上形成有元件者，前述雷射加工方法包含有：晶圓支持步驟， 係將砷化鎵基板之背面貼著於保護構件者；碎屑遮蔽膜被覆步驟，係於貼著於保護構件之砷化鎵基板之表面上被覆碎屑遮蔽膜者；雷射加工溝形成步驟，係在表面被覆有該碎屑遮蔽膜之砷化鎵基板上，由該碎屑遮蔽膜側沿著跡道照射對砷化鎵基板具有吸收性之波長之雷射光，並沿著跡道形成不及於背面之雷射加工溝者；及切斷步驟，係於形成有該雷射加工溝之砷化鎵基板上，沿著該雷射加工溝照射對砷化鎵基板具有吸收性之波長之雷射光，並沿著該雷射加工溝形成及於背面之切斷溝者。
前述雷射加工溝形成步驟係形成相對砷化鎵基板之厚度為2分之1以上之深度之雷射加工溝，且前述切斷步驟係藉由照射1次之雷射光，形成及於背面之切斷溝。
根據本發明之砷化鎵晶圓之雷射加工方法，由於在實施雷射加工溝形成步驟後，於砷化鎵基板上沿著跡道形成不及於背面之雷射加工溝，然後實施沿著雷射加工溝照射雷射光，形成及於背面之切斷溝之切斷步驟，因此在切斷步驟中，因雷射光的照射而產生飛散之碎屑會附著於上記雷射加工溝之壁面(切斷面)上部。因此，由於係在沿著形成於砷化鎵基板之跡道分割之晶片之各切斷面之表面附近，附著有微細之碎屑，因此晶片之抗折強度會增大。又，本發明中，由於係在實施上述雷射加工溝形成步驟及切斷步驟前，實施碎屑遮蔽膜被覆步驟，藉此以於砷化鎵基板之表面被覆碎屑遮蔽膜，因此在實施雷射加工溝形成步驟及切斷步驟時，因雷射光之照射而發生飛散之碎屑會被碎屑 遮蔽膜阻隔，不會附著於裝置。
 較佳實施例之詳細說明
以下，參照添付圖式詳細說明本發明之砷化鎵晶圓之之雷射加工方法之較佳實施形態。
第1圖係顯示砷化鎵晶圓之立體圖。第1圖所示之砷化鎵晶圓2係於如厚度為100μm之砷化鎵(GaAs)基板20之表面20a上形成格子狀之複數跡道21。然後在砷化鎵(GaAs)基板20之表面20a上，於由形成格子狀之複數跡道21所區劃之複數區域形成併合IC或高速lC等之裝置22。
上述之砷化鎵晶圓2係如第2圖之(a)及(b)所示，背面貼著於裝著有外周部且作為保護構件之保護膠帶T之表面20b(晶圓支持步驟)，以覆蓋環狀之框架F之內側開口部。 又，上記保護膠帶T在圖示之實施形態中，係於厚度為80μm之聚氯乙烯(PVC)構成之薄片基材之表面上，塗布厚度為5μm左右之丙烯樹脂系之黏著層。
若實施上述晶圓支持步驟後，則實施將碎屑遮蔽膜被覆於在貼著於作為保護構件之保護膠帶T之砷化鎵(GaAs)基板20之表面20a上之碎屑遮蔽膜被覆步驟。參照第3圖說明該碎屑遮蔽膜被覆步驟。碎屑遮蔽膜被覆步驟首先係如第3圖之(a)所示，將經由保護膠帶T支持於環狀框架F之砷化鎵晶圓2載置於遮蔽被膜形成裝置3之旋轉工作台31。然後，使未圖示之吸引機構作動，將砷化鎵晶圓2保持於旋轉 工作台31上，此時，環狀框架F也藉由裝著於旋轉工作台31之未圖示框架夾件固定之。如此，若將砷化鎵晶圓2保持於旋轉工作台31上，旋轉工作台31則朝箭頭所示之方向以預定之旋轉速度(例如300~1000rpm)旋轉，並由配置於旋轉工作台31上方之樹脂液供給噴嘴32將預定量之液狀樹脂30滴下於砷化鎵(GaAs)基板20之表面20a之中央區域。接著，藉由令旋轉工作台31旋轉60秒左右，則如第3圖之(b)所示般，碎屑遮蔽膜300被覆於砷化鎵(GaAs)基板20之表面20a。該碎屑遮蔽膜300的厚度可由上述液狀樹脂30之滴下量來決定，但可形成薄如1~10μm左右。又，液狀樹脂30宜為如PVA(Poly Vinyl Alcohol)、PEG(Poly Ethylene Glycol)、PEO(Poly Ethylene Oxide)等水溶性光阻劑。
若實施上述之碎屑遮蔽膜被覆步驟後，則實施雷射加工溝形成步驟及切斷溝之切斷步驟，該雷射加工溝形成步驟係於表面20a被覆有碎屑遮蔽膜300之砷化鎵(GaAs)基板20，由碎屑遮蔽膜300側沿著跡道21照射對砷化鎵(GaAs)基板20具有吸收性之波長之雷射光，並沿著跡道21形成不及於背面20b之雷射加工溝，切斷溝之切斷步驟係於形成有雷射加工溝之砷化鎵(GaAs)基板20上沿著雷射加工溝照射對砷化鎵(GaAs)基板20具有吸收性之波長之雷射光，並沿著雷射加工溝形成及於背面20b之切斷溝。該雷射加工溝形成步驟及切斷步驟係使用第4圖所示之雷射加工裝置4實施。第4圖所示之雷射加工裝置4具有：用以保持被加工物之卡盤台41、於保持於該卡盤台41上之被加工物照射雷射 光之雷射光照射機構42、及用以拍攝保持於卡盤台41上之被加工物之攝影機構43。卡盤台41係構成為用以吸引並保持被加工物，可藉由未圖示之移動機構朝第4圖中箭頭X所示之加工傳送方向及以箭頭Y所示之切割傳送方向移動。
上記雷射光照射機構42實質上含有配置成水平之圓筒形狀之殼體421。殼體421內配設有由未圖示之YAG雷射振動器或YVO4雷射振動器構成且具有脈衝雷射光振動器或重複頻率設定機構之脈衝雷射光振動機構。前述殼體421之前端部安裝有用以集中由脈衝雷射光振動機構發出之脈衝雷射光之集光器422。
安裝於構成上述雷射光照射機構42之殼體421之前端部之攝影機構43在圖示之實施形態中，除了具有利用可視光攝影之一般攝影元件(CCD)之外，還具有於被加工物射照紅外線之紅外線照明機構、用以捕捉由該紅外線照明機構照射之紅外線之光學系統、及輸出對應於由該光學系統捕捉之紅外線之電氣信號之攝影元件(紅外線CCD)等，並將攝影之影像信號傳送到未圖示之控制機構。
參照第5圖及第6圖說明使用上述之雷射加工裝置4實施之上述雷射加工溝形成步驟。
首先，將先將貼著於安裝在環狀框架F之保護膠帶T之砷化鎵晶圓2載置於上述第4圖所示之雷射加工裝置4之卡盤台41上，並將砷化鎵晶圓2吸著保持於該卡盤台41上。此時，砷化鎵晶圓2砷化鎵(GaAs)係被覆於基板20之表面20a之碎屑遮蔽膜300朝上側保持。又，第4圖中，係省略顯示 安裝有保護膠帶T之環狀框架F，但環狀框架F係由配設於卡盤台41之未圖示之框架夾固定之。如此，吸著保持砷化鎵晶圓2之卡盤台41係藉由未圖示之移動機構置放於攝影機構43之正下方。
當卡盤台41被置放於攝影機構43之正下方時，則藉由攝影機構43及未圖示之控制機構執行用以檢測應進行砷化鎵晶圓2之雷射加工之加工區域之調整作業。即，攝影機構43及未圖示之控制機構執行圖案蝕刻等畫像處理，該處理係用以使在砷化鎵(GaAs)基板20之表面20a朝預定方向形成之跡道21、與沿著該跡道21照射雷射光之雷射光照射機構42之集光器422之間的對位，完成雷射光照射位置之調整(調整步驟)。又，對於形成於砷化鎵(GaAs)基板20之表面20a且對上述預定方向朝直角延伸之跡道21也同樣完成雷射光照射位置之調整。此時，形成有跡道21之砷化鎵(GaAs)基板20之表面20a形成有碎屑遮蔽膜300，但碎屑遮蔽膜300非透明時則可以紅外線攝影並由表面進行調整。
若如上所述，檢測出保持於卡盤台41上之砷化鎵晶圓2中形成於砷化鎵(GaAs)基板20之表面20a之跡道21，並進行雷射光照射位置之調整，則如第5(a)圖所示，將卡盤台41移動到雷射光照射機構42之集光器422所位於之雷射光照射區域，並將預定之跡道21置放於集光器422之正下方。此時，如第5(a)圖所示，砷化鎵晶圓2係置放成形成於砷化鎵(GaAs)基板20之跡道21之一端(第5圖之(a)中左端)位於集光器422之正下方。接著，由雷射光照射機構4之集光器422 照射對砷化鎵(GaAs)基板20具有吸收性之波長之脈衝雷射光，並使卡盤台41以預定之加工傳送速度朝第5(a)圖中以箭頭X1所示之方向移動。接著，如第5(b)圖所示，跡道21之另一端(第5(b)圖中右端)到達集光器422之正下方位置後，則停止脈衝雷射光之照射，並同時停止卡盤台41之移動。在該雷射加工溝形成步驟中，使脈衝雷射光之集光點P與跡道210表面付近對齊。
藉由實施上述之雷射加工溝形成步驟，砷化鎵(GaAs)基板20沿著跡道21施行消熔加工，並且在砷化鎵(GaAs)基板20如第5(b)圖及第6圖所示般，沿著跡道21形成雷射加工溝23。重要的是，在該雷射加工溝形成步驟中形成之雷射加工溝23未及於砷化鎵(GaAs)基板20之背面20b，其適當之深度係在砷化鎵(GaAs)基板20之厚度之2分之1以上。又，在雷射加工溝形成步驟中，如第6圖所示，藉由雷射光之照射產生碎屑24並飛散，但由於在砷化鎵(GaAs)基板20之表面20a被覆有碎屑遮蔽膜300，因此碎屑24可被碎屑遮蔽膜300隔絕，不會附著於裝置22。
又，上述雷射加工溝形成步驟係以如下之加工條件進行之。
雷射光之光源：YVO4雷射或YAG雷射
波長：355nm
重複頻率：10kHz
輸出：4W
集光點徑：10μm
加工傳送速度：400mm/秒
藉由以上述加工條件實施雷射加工溝形成步驟，可於砷化鎵(GaAs)基板20上沿著跡道21形成深度為50μm之雷射加工溝23。
其次，於形成有雷射加工溝23之砷化鎵(GaAs)基板20上，沿著雷射加工溝23照射對砷化鎵(GaAs)基板20具有吸收性之波長之雷射光，實施沿著雷射加工溝23形成及於背面20b切斷溝之切斷步驟。
即，由實施上述雷射加工溝形成步驟之第5(b)圖所示之狀態，如第7(a)圖所示，由雷射光照射機構4之集光器422照射對砷化鎵(GaAs)基板20具有吸收性之波長之脈衝雷射光，並使卡盤台41以預定之加工傳送速度朝第7(a)圖中箭頭X2所示之方向移動。此時，脈衝雷射光之集光點P會集中於雷射加工溝23之底面付近。而且，如第7(b)圖所示，跡道21之另一端(第7圖之(b)中左端)到達集光器422之正下方位置後，會停止脈衝雷射光之照射並且停止卡盤台41的移動。
又，切斷步驟之加工條件與上述之雷射加工溝形成步驟相同即可，因此，在切斷步驟中也可於砷化鎵(GaAs)基板20上沿著上述雷射加工溝23形成深度為50μm之雷射加工溝25。因此，可於厚度為100μm之砷化鎵(GaAs)基板20上沿著雷射加工溝23形成及於背面20b之切斷溝25。又，在切斷步驟中也與上述雷射加工溝形成步驟同樣係如第8圖所示般，藉由雷射光之照射產生碎屑24並飛散。該碎屑24係附著於雷射加工溝23之壁面(切斷面)23a上部。又，碎屑 24之粒徑為1~2μm，且於雷射加工溝23之壁面(切斷面)23a上部附著約2μm之範圍。又，碎屑24之一部分也會飛散到被覆於砷化鎵(GaAs)基板20之表面20a之碎屑遮蔽膜300上，但碎屑24會被碎屑遮蔽膜300阻隔，不會附著於元件22。
若沿著朝形成於砷化鎵(GaAs)基板20之預定方向延伸之跡道21，實施上述之雷射加工溝形成步驟及切斷步驟，則使卡盤台41旋動90度，並沿著對預定方向朝直角延伸之跡道21實施上述之雷射加工溝形成步驟及切斷步驟。結果，砷化鎵晶圓2會依每一元件22分割成各個晶片。又，因為依元件22分割之各個膠帶貼著於安裝於環狀框架F之保護膠帶T表面，因此不會散亂而可維持砷化鎵晶圓2之形態。
如上所述，若沿著形成於砷化鎵(GaAs)基板20之全部跡道21實施雷射加工溝形成步驟及切斷步驟，將砷化鎵晶圓2依每一元件22分割成個個晶片的話，則砷化鎵晶圓2可在貼著於安裝於環狀框架F之保護膠帶T之表面之狀態下，搬運到下一步驟之洗淨裝置。搬運到洗淨裝置之砷化鎵晶圓2可由洗淨水洗淨，而被覆於砷化鎵(GaAs)基板20之表面20a之碎屑遮蔽膜300會如上所述般，由水溶性樹脂形成，因此可容易沖洗碎屑遮蔽膜300。
【實施例】
以下，說明本發明之實驗例。
實施上述之雷射加工溝形成步驟及切斷步驟且分割直徑為200mm且厚度為100μm之砷化鎵晶圓，則如第9圖所示般，製作出横10mm、縱10mm、厚100μm之晶片200。如此 製作出之晶片200上，於各切斷面23a之形成有元件22之表面附近，粒徑為1~2μm之碎屑4會附著在如上所述般幅度約2μm之範圍。就如此製作出之10個晶片200以3點彎曲試驗法測定抗折強度。該抗折強度之測定結果顯示於第10圖所示。如第10圖所示，抗折強度之最大值為130MPa，最小值為100MPa，平均值為114.0MPa。
令上述之雷射加工溝形成步驟中之加工條件的加工傳送速度為200mm/秒，並藉由實施一次之雷射加工溝形成步驟分割直徑為200mm且厚度為100μm之砷化鎵晶圓，製作出橫10mm、縱10mm、厚100μm之晶片。如此製作出之晶片之截面僅有些許碎屑的附著。就如此製作出之10個晶片以3點彎曲試驗法測定抗折強度，結果，如第10圖所示，抗折強度之最大值為87MPa，最小值為55MPa，平均值為70.2MPa。
如上所述，可知藉由本發明之雷射加工方法分割砷化鎵晶圓之晶片200的抗折強度相較於比較例增加了62%以上。
以上係根據圖示之實施形態說明本發明，但本發明並非僅受限於實施形態者，可在本發明之主旨範圍內進行各種變形。例如，上述之實施形態中，係例示分別實施一次之雷射加工溝形成步驟及切斷步驟，但亦可根據砷化鎵(GaAs)基板之厚度實施2次以上之雷射加工溝形成步驟。又，上述之實施形態中，係例示沿著同一跡道連續實施雷射加工溝形成步驟與切斷步驟之例，但亦可沿著全部之跡 道實施雷射加工溝形成步驟，然後沿著全部之跡道實施切斷步驟。
2‧‧‧砷化鎵晶圓
20‧‧‧基板
20a‧‧‧表面
20b‧‧‧背面
21‧‧‧跡道
22‧‧‧裝置
23‧‧‧雷射加工溝
23a‧‧‧壁面
24‧‧‧碎屑
25‧‧‧切斷溝
200‧‧‧晶片
3‧‧‧遮蔽膜形成裝置
30‧‧‧液狀樹脂
31‧‧‧旋轉台
32‧‧‧樹脂供給噴嘴
300‧‧‧遮蔽膜
4‧‧‧雷射加工裝置
41‧‧‧卡盤台
42‧‧‧雷射光照射機構
421‧‧‧殼體
422‧‧‧集光器
43‧‧‧攝影機構
F‧‧‧框架
T‧‧‧保護膠帶
第1圖係藉由本發明之砷化鎵晶圓之雷射加工方法分隔成各個晶片之砷化鎵晶圓之立體圖。
第2(a)(b)圖係本發明之砷化鎵晶圓之雷射加工方法中之晶圓支持步驟之說明圖。
第3(a)(b)圖係本發明之砷化鎵晶圓之雷射加工方法中之碎屑遮蔽膜被覆步驟之說明圖。
第4圖係用以實施本發明之砷化鎵晶圓之雷射加工方法中之雷射加工溝形成步驟及切斷步驟之雷射加工裝置之要部立體圖。
第5(a)(b)圖係本發明之砷化鎵晶圓之雷射加工方法中之雷射加工溝形成步驟之說明圖。
第6圖係藉由第5圖所示之雷射加工溝形成步驟進行雷射加工之砷化鎵晶圓之要部放大圖。
第7(a)(b)圖係本發明之砷化鎵晶圓之雷射加工方法中之切斷步驟之說明圖。
第8圖係藉由第7圖所示之切斷步驟進行雷射加工之砷化鎵晶圓之要部放大圖。
第9圖係本發明之砷化鎵晶圓之雷射加工方法分割而成之晶片之立體圖。
第10圖係顯示測定本發明之砷化鎵晶圓之雷射加工方 法分割而成之晶片之抗折強度之結國之圖表。
2‧‧‧砷化鎵晶圓
20‧‧‧基板
22‧‧‧裝置
23‧‧‧雷射加工溝
23a‧‧‧壁面
24‧‧‧碎屑
25‧‧‧切斷溝
300‧‧‧遮蔽膜
422‧‧‧集光器
T‧‧‧保護膠帶

Claims (4)

  1. 一種砷化鎵晶圓之雷射加工方法，係沿著砷化鎵晶圓之跡道照射雷射光，並沿著跡道切斷砷化鎵晶圓者，且前述砷化鎵晶圓係於藉由在砷化鎵基板之表面形成格子狀之跡道區劃而成之複數區域上形成有元件者，前述雷射加工方法之特徵在於包含有：晶圓支持步驟，係將砷化鎵基板之背面貼著於保護構件者；碎屑遮蔽膜被覆步驟，係於貼著於保護構件之砷化鎵基板之表面上被覆碎屑遮蔽膜者；雷射加工溝形成步驟，係在表面被覆有該碎屑遮蔽膜之砷化鎵基板，由該碎屑遮蔽膜側沿著跡道照射對砷化鎵基板具有吸收性之波長之雷射光，並沿著跡道形成不及於背面之雷射加工溝者；及切斷步驟，係於形成有該雷射加工溝之砷化鎵基板，沿著該雷射加工溝照射對砷化鎵基板具有吸收性之波長之雷射光，並沿著該雷射加工溝形成及於背面之切斷溝者，藉此，在沿著形成於砷化鎵基板之跡道分割之晶片之各切斷面之表面附近，附著有微細之碎屑，因此晶片之抗折強度會增大，又，在實施上述雷射加工溝形成步驟及切斷步驟前，實施碎屑遮蔽膜被覆步驟，以於砷化鎵基板之表面被覆碎屑遮蔽膜，因此在實施雷射加工溝形成步驟及切斷步驟時，因雷射光之照射而發生飛散之 碎屑會被碎屑遮蔽膜阻隔，不會附著於裝置。
  2. 如申請專利範圍第1項之砷化鎵晶圓之雷射加工方法，其中前述雷射加工溝形成步驟係形成相對砷化鎵基板之厚度為2分之1以上之深度之雷射加工溝，前述切斷步驟係藉由照射1次之雷射光，形成及於背面之切斷溝。
  3. 如申請專利範圍第1項之砷化鎵晶圓的雷射加工方法，其中該雷射加工溝形成步驟的實施係將雷射光聚焦於各跡道之一表面附近，而該切斷步驟的實施則是將雷射光聚焦於各雷射加工溝的底面附近。
  4. 如申請專利範圍第1項之砷化鎵晶圓的雷射加工方法，進一步包含一洗淨步驟以便在完成該切斷步驟後，將該碎屑遮蔽膜從該砷化鎵基板移除，其中該碎屑在該洗淨步驟之後，仍然附著於該元件。
TW096132047A 2006-10-17 2007-08-29 Laser processing of gallium arsenide wafers TWI411487B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006282332A JP4977432B2 (ja) 2006-10-17 2006-10-17 ヒ化ガリウムウエーハのレーザー加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200819235A TW200819235A (en) 2008-05-01
TWI411487B true TWI411487B (zh) 2013-10-11

Family

ID=39198617

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096132047A TWI411487B (zh) 2006-10-17 2007-08-29 Laser processing of gallium arsenide wafers

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7776721B2 (zh)
JP (1) JP4977432B2 (zh)
CN (1) CN101165877B (zh)
DE (1) DE102007049553B4 (zh)
TW (1) TWI411487B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010005629A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Mitsubishi Electric Corp Ｓｉ基板のレーザ加工方法
KR20120032254A (ko) * 2010-09-28 2012-04-05 삼성전자주식회사 반도체 적층 패키지 및 이의 제조 방법
JP2012199399A (ja) * 2011-03-22 2012-10-18 Panasonic Corp レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP5948032B2 (ja) * 2011-09-09 2016-07-06 株式会社ディスコ ブレーキング装置
WO2014113508A2 (en) 2013-01-15 2014-07-24 Microfabrica Inc. Methods of forming parts using laser machining
CN104868017A (zh) * 2015-06-01 2015-08-26 大族激光科技产业集团股份有限公司 砷化镓电池的激光加工方法
JP6602207B2 (ja) * 2016-01-07 2019-11-06 株式会社ディスコ ＳｉＣウエーハの生成方法
JP2018113281A (ja) * 2017-01-06 2018-07-19 株式会社ディスコ 樹脂パッケージ基板の加工方法
JP6974960B2 (ja) * 2017-04-21 2021-12-01 株式会社ディスコ 半導体パッケージの製造方法
CN108817700B (zh) * 2018-09-04 2020-08-14 京东方科技集团股份有限公司 保护膜及激光切割方法
CN110744731B (zh) * 2019-10-30 2021-07-27 许昌学院 一种基于光电控制的晶片切片设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI237322B (en) * 2004-12-14 2005-08-01 Cleavage Entpr Co Ltd Method and device by using a laser beam to cut Gallium arsenide (GaAs) epitaxy wafer
US20060035411A1 (en) * 2004-08-11 2006-02-16 Disco Corporation Laser processing method
US20060205182A1 (en) * 2005-03-10 2006-09-14 Nec Electronics Corporation Method for manufacturing semiconductor device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
JP3875867B2 (ja) * 2001-10-15 2007-01-31 新光電気工業株式会社 シリコン基板の穴形成方法
JP2004188475A (ja) 2002-12-13 2004-07-08 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工方法
JP2005322738A (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP4571850B2 (ja) * 2004-11-12 2010-10-27 東京応化工業株式会社 レーザーダイシング用保護膜剤及び該保護膜剤を用いたウエーハの加工方法
JP2006269897A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060035411A1 (en) * 2004-08-11 2006-02-16 Disco Corporation Laser processing method
TWI237322B (en) * 2004-12-14 2005-08-01 Cleavage Entpr Co Ltd Method and device by using a laser beam to cut Gallium arsenide (GaAs) epitaxy wafer
US20060205182A1 (en) * 2005-03-10 2006-09-14 Nec Electronics Corporation Method for manufacturing semiconductor device
JP2006253402A (ja) * 2005-03-10 2006-09-21 Nec Electronics Corp 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101165877A (zh) 2008-04-23
JP4977432B2 (ja) 2012-07-18
CN101165877B (zh) 2012-01-11
US20080090381A1 (en) 2008-04-17
DE102007049553A1 (de) 2008-04-24
TW200819235A (en) 2008-05-01
DE102007049553B4 (de) 2022-07-14
US7776721B2 (en) 2010-08-17
JP2008103383A (ja) 2008-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI411487B (zh) Laser processing of gallium arsenide wafers
TWI417954B (zh) Wafer Segmentation Method
TWI489587B (zh) Wafer processing method
JP5307384B2 (ja) ウエーハの分割方法
KR102313271B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
KR101418613B1 (ko) 웨이퍼 분할 방법
TWI621164B (zh) Wafer processing method
JP2009123835A (ja) 半導体デバイスの製造方法
JP2005129607A (ja) ウエーハの分割方法
JP2009290148A (ja) ウエーハの分割方法
JP2005203541A (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP2005101416A (ja) レーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP2013055120A (ja) ウェーハの分割方法
JP2005135964A (ja) ウエーハの分割方法
US7915142B2 (en) Wafer processing method
JP2008277414A (ja) ウエーハの分割方法
JP2007012878A (ja) ウエーハの分割方法
TW201110221A (en) Wafer processing method
JP2009290052A (ja) ウエーハの分割方法
JP2004179302A (ja) 半導体ウエーハの分割方法
JP2006040988A (ja) ウエーハの分割方法および分割装置
JP2016076524A (ja) ウエーハの加工方法
JP2013102039A (ja) 半導体ウエーハの加工方法
JP5715370B2 (ja) 検出方法
KR102537095B1 (ko) 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법