TWI404819B - 成膜裝置及成膜方法 - Google Patents

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Description

成膜裝置及成膜方法
本發明是關於成膜裝置以及成膜方法。
為了在晶圓上讓矽等的單結晶膜成長而製造出磊晶晶圓，大多是使用逐片式的成膜裝置。
一般逐片式的成膜裝置，是具備空室(chamber)、氣體供應手段以及晶圓加熱手段等。在空室內，設置用來保持晶圓之基座(susceptor)，藉由馬達來使基座旋轉。在這種成膜裝置，晶圓是以載置在基座上的狀態進行旋轉，並藉由設置在基座的下方及上方之晶圓加熱手段進行加熱。而且，通過氣體供應手段來供應反應氣體，而在晶圓上形成磊晶膜。
為了遍及晶圓全面而形成電氣特性等均一的磊晶膜，必須在空室內產生均一的氣體流動。因此，是在空室的上部設置石英製的整流板，而使氣體供應手段所供應的反應氣體均一地供應到晶圓上。
然而，在形成厚的磊晶膜的情況，由於處理時間變長，輻射熱會造成整流板的溫度上昇，而導致在整流板的表面形成有膜之間題。若該膜發生剝落，會成為異物，而使磊晶晶圓的製造良率變低。另外，在藉由設置於空室上方之輻射溫度計來測定晶圓溫度的情況，整流板表面所形成的膜會對該測定造成阻害。
日本特開2008-1923號公報揭示出，設有用來冷卻整流板的冷卻裝置之成膜裝置。該冷卻裝置，是由：圓板狀的基部、和豎設在該基部的上面之多數個冷卻用葉片所構成。藉由使冷卻氣體沿著冷卻用葉片流過基部的表面以使其等冷卻。
在該專利文獻，是在構成整流板的構件上設置冷卻裝置，藉由使冷卻裝置被冷卻，而讓鄰接的整流板也被冷卻。亦即，整流板是從一側被施以間接冷卻，為了使整流板全體冷卻非常耗費時間。因此，在整流板的溫度顯著上昇的情況，可能無法使整流板充分地冷卻，而無法抑制膜的形成。
例如，為了提昇晶圓表面的反應效率，在縮短晶圓與整流板的距離而進行成膜的情況，整流板的溫度上昇在與晶圓相對向的側變大。然而，在上述專利文獻，由於冷卻裝置是安裝在整流板之與晶圓相對向的側之相反側，可能無法充分地抑制整流板之溫度上昇。另一方面，即使是在將冷卻裝置安裝在整流板之與晶圓相對向的側的情況，在將晶圓加熱手段設置在晶圓上部的系統仍會發生同樣的問題。亦即，在該系統，由於是在晶圓加熱手段和晶圓之間配置整流板，整流板之溫度上昇，在與晶圓相對向的側之相反側會變大。因此，和上述相同的，可能無法充分地抑制整流板之溫度上昇。
另外，在上述文獻，冷卻裝置可由鋁所構成。因此，在藉由設置於空室上方的輻射溫度計來測定晶圓溫度的情況，必須設法將冷卻裝置配置成不致對測定造成阻害。
再者，依據該成膜裝置的構造，是使冷卻氣體沿著冷卻用葉片流過基部的表面，因此冷卻裝置的構造變得複雜。
本發明是有鑑於上述問題點而開發完成的，本發明的目的是為了提供一種成膜裝置，其容易測定晶圓的溫度且能充分地抑制整流板的溫度上昇。
此外，本發明的目的是為了提供能以簡單的構造來抑制整流板的溫度上昇之成膜裝置。
再者，本發明的目的是為了提供能充分地抑制整流板的溫度上昇之成膜方法。
本發明的成膜裝置，是對成膜室內供應反應氣體，將載置於成膜室內的基板加熱而在基板的表面形成膜之成膜裝置，是在相對於基板之反應氣體流動方向的上游側設置整流板，在整流板的內部讓冷卻氣體通過。
本發明之其他態樣，是對成膜室內供應反應氣體，將載置於成膜室內的基板加熱而在基板的表面形成膜之成膜裝置；整流板，是設置在相對於基板之反應氣體流動方向的上游側，且具備2片平板和連接管。2片的平板，是具有貫通孔，且配設成互相隔著既定的間隔。連接管是用來連接貫通孔。通過連接管的內部讓反應氣體往基板流下。在2片的平板之間讓冷卻氣體通過。
本發明之其他態樣，是對成膜室內供應反應氣體，將載置於成膜室內的基板加熱而在基板的表面形成膜之成膜裝置；整流板，是設置在相對於基板之反應氣體流動方向的上游側，且具備：設有複數個貫通孔之第1部分、沿著第1部分的周圍設置之中空的第2部分。通過貫通孔讓反應氣體往基板流下。在第2部分讓冷卻氣體通過。
本發明之其他態樣，是對成膜室內供應反應氣體，將載置於成膜室內的基板加熱而在基板的表面形成膜之成膜方法，在相對於基板之反應氣體流動方向的上游側設置整流板。整流板具有貫通孔。在整流板的內部讓冷卻氣體流過的狀態下，通過設置於整流板的貫通孔而讓反應氣體往基板流下。
關於本發明的其他目的及優點，根據以下的記載即可明白。
實施形態1
第1圖係本實施形態的逐片式成膜裝置的示意截面圖。在本實施形態，基板是使用矽晶圓101。但並不限於此，視情況也能使用其他材料所構成的晶圓等。
成膜裝置100是具有：作為成膜室之空室102。
在空室102的上部連接著：為了在經加熱之矽晶圓101的表面上成膜出結晶膜而供應反應氣體之反應氣體供應路徑(第1流路)103。在本實施形態，作為反應氣體可使用三氯矽烷，是在和作為載體氣體之氫氣混合的狀態下，從反應氣體供應路徑103導入空室102的內部。
在相對於矽晶圓101之反應氣體流動方向(箭頭方向)的上游側，設置整流板104。在整流板104設有多數個第1貫通孔104a，從反應氣體供應路徑103供應的反應氣體，是通過第1貫通孔104a而往矽晶圓101流下。
另外，在整流板104也設有第2貫通孔104b，而使作為冷卻氣體之氫氣通過第2貫通孔104b。如此般，本實施形態的特徵在於：在整流板104的內部讓冷卻氣體通過。
第2圖係整流板104的俯視圖，第3圖係沿著第2圖的A-A’線切斷之整流板的局部截面圖。再者，第4圖係將第2圖的整流板沿與紙面平行的方向切斷的截面之立體圖。如該等圖所示，整流板104係具備：從反應氣體的流動方向的上游側朝向下游側設置之第1貫通孔104a、設置在與第1貫通孔104a不交叉的位置之第2貫通孔104b。從反應氣體供應路徑103供應的反應氣體，是通過第1貫通孔104a而往矽晶圓101流下。另一方面，在第2貫通孔104b讓冷卻氣體通過。
冷卻氣體，是由第1圖的冷卻氣體供應路徑(第2流路)105所供應，通過第2貫通孔104b而往第1排氣管(第3流路)106排出。作為冷卻氣體，例如可使用氫、氮或氬等，而基於冷卻效率的觀點，較佳為使用氫。
藉由採用在整流板104的內部讓冷卻氣體通過的構造，可將整流板104直接施以冷卻。因此，能在短時間內將整流板104冷卻。另外，由於是將整流板104從內部施以冷卻，因此不管加熱源是在整流板的哪一側都能進行高效率的冷卻。
例如，在第1圖，是在空室102的內部設置用來從背面加熱矽晶圓101之第1加熱手段(中心加熱器120及外周加熱器121)。另外，在空室102的外部，設置用來從表面加熱矽晶圓101之第2加熱手段107。該等的加熱手段，雖是用來促進矽晶圓101表面所進行的反應，但藉由設置該等也會使整流板104的溫度上昇。然而，依據本實施形態，是在整流板104的內部讓冷卻氣體通過，而將整流板104從內部直接施以冷卻，因此能充分地抑制整流板104之溫度上昇。
朝整流板104實施之冷卻氣體的導入，可和反應氣體的導入同時，也能在整流板104成為既定溫度以上時才導入冷卻氣體。在後者的情況，由於整流板104的溫度上昇是追隨著矽晶圓101的溫度上昇，因此也能在矽晶圓101成為既定溫度以上時才導入冷卻氣體。
另外，冷卻氣體的供應，雖可在反應氣體的供應結束時一起結束，但也能在整流板104(或矽晶圓101)成為比既定溫度更低時才結束。
冷卻氣體是讓常溫的氣體以適當的流量通過。若流量過少，冷卻效率變差，另一方面，若流量過多，會妨害反應氣體的排氣，造成冷卻氣體的浪費而導致成本上昇。
冷卻氣體的流量可始終維持一定，也能按照整流板104(或矽晶圓101)的溫度來改變。亦即，在整流板104(或矽晶圓101)的溫度成為既定溫度以上的情況，能增多冷卻氣體的流量，在比既定溫度更低的情況，能減少冷卻氣體的流量。基於節約冷卻氣體的使用量的觀點，較佳為按照溫度來改變流量。
在第1圖，是在空室102的下部設置第2排氣管(第4流路)108。第2排氣管108，是連接於真空泵浦(未圖示)，而用來將空室102內的反應後的反應氣體予以排氣。另外，從整流板104往第1排氣管106排出的冷卻氣體，也是通過第2排氣管108而排出。亦即，第1排氣管106內的冷卻氣體，通過開口部109而進入空室102內部後，迅速地從第2排氣管108往成膜裝置100的外部排出。在此，若冷卻氣體的流量過多，可能會改變反應氣體的流量而阻害排氣。因此，冷卻氣體的流量是控制成：有冷卻效果，但不會妨害反應氣體的排氣。
在空室102的內部，用來載置矽晶圓101之基座110是設置在旋轉部111上。旋轉部111是具備圓筒部111a和旋轉軸111b。若藉由馬達(未圖示)使旋轉軸111b旋轉，圓筒部111a會旋轉而使設置在圓筒部111a上的基座110進行旋轉。
在圓筒部111a設置：用來將矽晶圓101從背面施以加熱的中心加熱器120和外周加熱器121。隨著加熱而改變之矽晶圓101的表面溫度，是藉由設置在空室102的上部之輻射溫度計122來測定。因此，空室102及整流板104宜由石英所構成。如此，輻射溫度計122所進行的溫度測定不會受到空室102及整流板104的阻害。所測定的溫度資料送往控制裝置112。控制裝置112會控制設置在氫氣流路之閥113a、113b的動作。亦即，在矽晶圓101成為既定溫度以上的情況，控制裝置112會控制閥113a，而使氫氣不僅流往反應氣體供應路徑103，也流往冷卻氣體供應路徑105。雖然在第1圖中省略，但控制裝置112也控制中心加熱器120及外周加熱器121的輸出。
接著說明本發明的成膜方法。
按照以下的方式來在矽晶圓101上形成磊晶膜。
首先，將矽晶圓101搬入空室102的內部。接著，在基座110上載置矽晶圓101，伴隨著旋轉部111而使矽晶圓101以50rpm左右進行旋轉。
接著，使第1加熱手段(中心加熱器120及外周加熱器121)和第2加熱手段107動作而將矽晶圓101加熱。也能僅藉由第1加熱手段及第2加熱手段107的任一方來進行加熱。例如，逐漸加熱至成膜溫度1150℃。根據輻射溫度計122的測定，而確認矽晶圓101的溫度到達1150℃後，逐漸將矽晶圓101的旋轉數昇高。接著，從反應氣體供應路徑103透過整流板104而使反應氣體朝矽晶圓101上流下。
持續輻射溫度計122所進行的測定，在確認矽晶圓101的溫度到達既定溫度後，藉由控制裝置112來控制閥113a，而使氫氣不僅流往反應氣體供應路徑103，也流往冷卻氣體供應路徑105。如此，在整流板104的內部讓冷卻氣體流過，以抑制整流板104的溫度上昇，而防止在整流板104上形成膜。另外，對整流板104實施之冷卻氣體的導入，亦可和反應氣體的導入同時。再者，冷卻氣體的流量，可始終保持一定，也能按照矽晶圓101的溫度來改變。
在矽晶圓101上形成既定膜厚的磊晶膜後，結束反應氣體的供應。關於冷卻氣體的供應，可在反應氣體的供應結束時一起結束，也能根據輻射溫度計122的測定，而在確認出矽晶圓101比既定的溫度低時才結束。之後，當確認矽晶圓101被冷卻至既定溫度後，將矽晶圓101往空室102的外部搬出。
如以上所說明，依據本實施形態，由於採用在整流板的內部讓冷卻氣體通過的構造，可高效率地冷卻整流板全體，不拘加熱手段的位置都能抑制整流板的溫度上昇。另外，由於整流板是由石英所構成，不致妨害輻射溫度計所進行的測定。
實施形態2
第5圖係本實施形態的整流板之立體圖。除了整流板以外之成膜裝置的構造，能和在實施形態1說明的第1圖相同。
本實施形態的整流板，是在第1圖中，相對於矽晶圓101配設在反應氣體流動方向(箭頭方向)的上游側。
如第5圖所示，整流板204係具備：隔著既定間隔而配設之2片的平板214、215、以及將分別設置於該等平板的貫通孔216、217予以連接之連接管218。在第1圖，反應氣體供應路徑103所供應的反應氣體，進入空室102的內部後，從貫通孔216經由連接管218而從貫通孔217排出，再往矽晶圓101流下。
另一方面，從第1圖的冷卻氣體供應管105所供應的冷卻氣體，是通過2片的平板214、215間而往第1排氣管106排出。依據此構造，由於2片的平板214、215之間被冷卻氣體所充滿，可將整流板204整體高效率地冷卻。特別是，由於可將連接管218(反應氣體的流路)之周圍冷卻，其抑制反應氣體的溫度上昇之效果高。另外，和第1實施形態同樣的，不管加熱源是設置在整流板204的哪一側都能高效率地進行冷卻。
通過整流板204而流下的反應氣體，是在矽晶圓101上進行反應。藉此，在矽晶圓101上形成矽磊晶膜。然後，反應後的氣體和未反應的反應氣體，是從設置於空室102的下部之第2排氣管108往成膜裝置100的外部排出。另一方面，將整流板204冷卻後的冷卻氣體，是往第1排氣管106排出後，再通過開口部109進入空室102的內部，而迅速地從第2排氣管108排出。
朝整流板204實施之冷卻氣體的導入，可和反應氣體的導入同時，也能在整流板204成為既定溫度以上時才導入冷卻氣體。在後者的情況，由於整流板204的溫度上昇是追隨著矽晶圓101的溫度上昇，因此也能在矽晶圓101成為既定溫度以上時才導入冷卻氣體。
另外，冷卻氣體的供應，雖可在反應氣體的供應結束時一起結束，但也能在整流板204(或矽晶圓101)成為比既定溫度更低時才結束。
冷卻氣體是讓常溫的氣體以適當的流量通過。若流量過少，冷卻效率變差，另一方面，若流量過多，會妨害反應氣體的排氣，造成冷卻氣體的浪費而導致成本上昇。
冷卻氣體的流量可始終維持一定，也能按照整流板204(或矽晶圓101)的溫度來改變。亦即，在整流板204(或矽晶圓101)的溫度成為既定溫度以上的情況，能增多冷卻氣體的流量，在比既定溫度更低的情況，能減少冷卻氣體的流量。基於節約冷卻氣體的使用量的觀點，較佳為按照溫度來改變流量。
由於整流板204是由石英所構成，藉由設置在空室102上部的輻射溫度計122，可測定矽晶圓101的表面溫度。
如以上所說明，依據本實施形態，是在相對於矽晶圓之反應氣體流動方向的上游側設置整流板，且該整流板是具備：隔著既定間隔配設的2片平板以及將分別設置於該等平板的貫通孔予以連接之連接管，通過連接管的內部而讓反應氣體往矽晶圓流下，並在2片平板之間讓冷卻氣體通過，藉由採用這種構造，可高效率地冷卻整流板整體，不拘加熱手段的位置而能抑制整流板的溫度上昇。另外，由於整流板是由石英所構成，並不會妨害輻射溫度計所進行的測定。
實施形態3
第6圖係顯示本實施形態的整流板之截面立體圖。除了整流板以外之成膜裝置的構造，可和在實施形態1說明之第1圖相同。
本實施形態之整流板，是在第1圖中，相對於矽晶圓101配設在反應氣體流動方向(箭頭方向)的上游側。
如第6圖所示，整流板304係具備：設有複數個貫通孔314之第1部分315、沿著第1部分315的周圍設置之中空的第2部分316。在第1圖，從反應氣體供應路徑103供應的反應氣體，是進入空室102的內部，通過貫通孔314而往矽晶圓101流下。
另一方面，從第1圖的冷卻氣體供應路徑105供應的冷卻氣體，是從連接部317進入第2部分316，沿著第1部分的周圍流過後，從連接部318往第1排氣管106排出。依據此構造，是在反應氣體的流路周圍設置冷卻氣體的流路而使構造變簡單，且不管加熱源是在整流板304的哪一側都能進行高效率的冷卻。
通過整流板304而流下的反應氣體，是在矽晶圓101上進行反應。藉此，在矽晶圓101上形成矽磊晶膜。然後，反應後的氣體和未反應的反應氣體，是從設置於空室102的下部之第2排氣管108往成膜裝置100的外部排出。另一方面，將整流板304冷卻後的冷卻氣體，是從連接部318往第1排氣管106排出後，再通過開口部109進入空室102的內部，而迅速地從第2排氣管108排出。
朝整流板304實施之冷卻氣體的導入，可和反應氣體的導入同時，也能在整流板304成為既定溫度以上時才導入冷卻氣體。在後者的情況，由於整流板304的溫度上昇是追隨著矽晶圓101的溫度上昇，因此也能在矽晶圓101成為既定溫度以上時才導入冷卻氣體。
另外，冷卻氣體的供應，雖可在反應氣體的供應結束時一起結束，但也能在整流板304(或矽晶圓101)成為比既定溫度更低時才結束。
冷卻氣體的流量可始終維持一定，也能按照整流板304(或矽晶圓101)的溫度來改變。亦即，在整流板304(或矽晶圓101)的溫度成為既定溫度以上的情況，能增多冷卻氣體的流量，在比既定溫度更低的情況，能減少冷卻氣體的流量。基於節約冷卻氣體的使用量的觀點，較佳為按照溫度來改變流量。
由於整流板304是由石英所構成，藉由設置在空室102上部的輻射溫度計122，可測定矽晶圓101的表面溫度。
如以上所說明，依據本實施形態，是在相對於矽晶圓之反應氣體流動方向的上游側設置整流板，且該整流板是具備：設有複數個貫通孔的第1部分、以及沿著第1部分的周圍設置之中空的第2部分，通過貫通孔使反應氣體往矽晶圓流下，而在第2部分讓冷卻氣體通過，藉由採用這種構造，利用簡單的構造就能抑制整流板的溫度上昇。
本發明並不限定於上述各實施形態，在不脫離本發明的主旨的範圍內可實施各種的變形。例如，在實施形態1~3，作為成膜裝置的一例雖是列舉磊晶成長裝置，但並不限定於此。只要是對成膜室內供應反應氣體，將載置於成膜室內的基板加熱而在基板表面形成膜的成膜裝置即可，也可以是其他的成膜裝置。
本發明的特徵及優點可整理如下。
依據本發明的第1態樣所提供之成膜裝置，其容易進行晶圓的溫度測定，且能充分抑制整流板的溫度上昇。
依據本發明的第2態樣所提供之成膜裝置，其容易進行晶圓的溫度測定，且能充分抑制整流板的溫度上昇。
依據本發明的第3態樣所提供之成膜裝置，能利用簡單的構造來抑制整流板的溫度上昇。
依據本發明的第4態樣所提供之成膜方法，可充分抑制整流板的溫度上昇。
本發明之明白的修正及變更，是包含於上述技術範圍。因此，根據明確記載以外的方法所實施的發明，是屬於本發明的申請專利範圍。
本申請案的優先權主張的基礎之2008年7月24日申請的日本特願2008-191286號中所有的揭示，亦即包含說明書、申請專利範圍、圖式及解決手段，都併入本發明中。
100．．．成膜裝置
101．．．矽晶圓
102．．．空室
103．．．反應氣體供應路徑
104、204、304．．．整流板
104a．．．第1貫通孔
104b．．．第2貫通孔
105．．．冷卻氣體供應路徑
106．．．第1排氣管
107．．．第2加熱手段
108．．．第2排氣管
109．．．開口部
110．．．基座
111．．．旋轉部
111a．．．圓筒部
111b．．．旋轉軸
112．．．控制裝置
113a、113b．．．閥
120．．．中心加熱器
121．．．外周加熱器
122．．．輻射溫度計
214、215．．．平板
216、217、314．．．貫通孔
218．．．連接管
315．．．第1部分
316．．．第2部分
317、318．．．連接部
第1圖係實施形態1的成膜裝置的示意截面圖。
第2圖係實施形態1的整流板的俯視圖。
第3圖係沿著第2圖的A-A’線切斷之整流板的局部截面圖。
第4圖係將第2圖的整流板沿與紙面平行的方向切斷的截面之立體圖。
第5圖係實施形態2的整流板之立體圖。
第6圖係實施形態3的整流板之截面立體圖。
100．．．成膜裝置
101．．．矽晶圓
102．．．空室
103．．．反應氣體供應路徑
104a．．．第1貫通孔
104b．．．第2貫通孔
105．．．冷卻氣體供應路徑
106．．．第1排氣管
107．．．第2加熱手段
108．．．第2排氣管
109．．．開口部
110．．．基座
111．．．旋轉部
111a．．．圓筒部
111b．．．旋轉軸
112．．．控制裝置
113a、113b．．．閥
120．．．中心加熱器
121．．．外周加熱器
122．．．輻射溫度計

Claims (6)

  1. 一種成膜裝置，是對成膜室內供應反應氣體，將載置於前述成膜室內的基板加熱而在前述基板的表面形成膜之成膜裝置，其特徵在於，具備第1流路、整流板、第2流路、第3流路及第4流路，該第1流路，連接於前述成膜室的上部，用來對成膜室內供應反應氣體；該整流板，以讓從前述第1流路供應的反應氣體接觸的方式配置於前述成膜室內，設置在相對於前述基板之前述反應氣體流動方向的上游側，具有第1貫通孔及第2貫通孔；該第2流路，用來對前述整流板的第2貫通孔供應冷卻氣體；該第3流路，將從前述整流板排出的冷卻氣體導入前述成膜室的內部；該第4流路，將從前述第3流路進入前述成膜室之前述冷卻氣體和前述反應氣體一起往成膜室的外部排出；前述第1貫通孔構成為，讓前述反應氣體往前述基板流下；前述第2貫通孔構成為，讓前述冷卻氣體通過整流板的內部，且設置在與第1貫通孔不交叉的位置。
  2. 如申請專利範圍第1項記載的成膜裝置，其中具有：用來測定前述基板的溫度之溫度測定裝置、以及 按照前述溫度測定裝置所測定的溫度來使前述冷卻氣體的流路成為僅前述第1流路或前述第1流路和前述第2流路雙方之控制裝置。
  3. 一種成膜裝置，是對成膜室內供應反應氣體，將載置於前述成膜室內的基板加熱而在前述基板的表面形成膜之成膜裝置，其特徵在於，具備第1流路、整流板、第2流路、第3流路及第4流路，該第1流路，連接於前述成膜室的上部，用來對成膜室內供應反應氣體；該整流板，以讓從前述第1流路供應的反應氣體接觸的方式配置於前述成膜室內，設置在相對於前述基板之前述反應氣體流動方向的上游側，具有2片的平板及連接管；該第2流路，用來對前述整流板的2片的平板間供應冷卻氣體；該第3流路，將從前述整流板排出的冷卻氣體導入前述成膜室的內部；該第4流路，將從前述第3流路進入前述成膜室之前述冷卻氣體和前述反應氣體一起往成膜室的外部排出；前述2片的平板，分別具有貫通孔，且配設成隔著既定間隔；前述連接管，將分別設置於前述2片的平板之貫通孔予以連接；通過前述連接管的內部讓前述反應氣體往前述基板流 下，在前述2片的平板之間讓冷卻氣體通過。
  4. 如申請專利範圍第3項記載的成膜裝置，其中具有：用來測定前述基板的溫度之溫度測定裝置、以及按照前述溫度測定裝置所測定的溫度來使前述冷卻氣體的流路成為僅前述第1流路或前述第1流路和前述第2流路雙方之控制裝置。
  5. 一種成膜裝置，是對成膜室內供應反應氣體，將載置於前述成膜室內的基板加熱而在前述基板的表面形成膜之成膜裝置，其特徵在於，具備第1流路、整流板、第2流路、第3流路及第4流路，該第1流路，連接於前述成膜室的上部，用來對成膜室內供應反應氣體；該整流板，設置在相對於前述基板之前述反應氣體流動方向的上游側，具備有：設有複數個貫通孔之第1部分、沿著前述第1部分的周圍設置之中空的第2部分；該第2流路，用來對前述整流板之中空的第2部分供應冷卻氣體；該第3流路，將從前述整流板排出的冷卻氣體導入前述成膜室的內部；該第4流路，將從前述第3流路進入前述成膜室之前述冷卻氣體和前述反應氣體一起往成膜室的外部排出；通過前述貫通孔讓前述反應氣體往前述基板流下，在前述第2部分讓冷卻氣體通過。
  6. 如申請專利範圍第5項記載的成膜裝置，其中具有：用來測定前述基板的溫度之溫度測定裝置、以及按照前述溫度測定裝置所測定的溫度來使前述冷卻氣體的流路成為僅前述第1流路或前述第1流路和前述第2流路雙方之控制裝置。
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