TWI396376B - 變流器與使用其之發光裝置及圖像顯示裝置、電源裝置 - Google Patents
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Description
本發明係關於對螢光燈等供應驅動電壓之變流裝置,特別係關於使用於含應互相電性絕緣之1次側區域及2次側區域之電源裝置之變流裝置。
近年來,取代陰極射線管電視而可薄型、大型化之液晶電視已趨向普及化。液晶電視係在顯示影像之液晶面板背面配置複數條冷陰極螢光燈(Cold Cathode Fluorescent Lamp,以下稱CCFL)或外部電極螢光燈(External Electrode Fluorescent Lamp,以下稱EEFL),使其發光以作為背光源。
此液晶電視等設置有藉AC/DC變換將商用交流電壓變換成數百V之直流電壓之電源裝置。此種電源裝置分離成應互相電性絕緣之1次側區域及2次側區域。
茲探討有關與此電源裝置同時被使用,可將數百V之直流電壓升壓而變換成交流電壓,供應至螢光燈之變換器(DC/AC變換器)。圖1係表示具備1次側區域與2次側區域之電源系統之構成之區塊圖。電源系統500係包含將商用交流電壓Vac變換成直流電壓Vdc之AC/DC變換器410、將由AC/DC變換器410輸出之直流電壓Vdc變換成交流之驅動電壓Vdrv而供應至負載之螢光燈430之變流裝置420。
例如,AC/DC變換器410係包含全波整流電路412、功率因數改善電路(Power Factor Control)414所構成。來自AC/DC變換器410之輸出電壓被輸出至變流裝置420作為直流電壓Vdc。
變流裝置420係包含控制電路422、變壓器424。控制電路422係監視流向驅動對象之螢光燈430之電流、及被施加之電壓等之電氣的狀態而反饋控制施加至變壓器424之1次繞組之開關電壓。
圖1之電源系統500被分離成1次側區域510與2次側區域520。在此電源系統500中,AC/DC變換器410被配置於1次側區域510,螢光燈430被配置於2次側區域520。又,變流裝置420如圖所示,分別將其一部分配置於1次側區域510,將其另一部分配置於2次側區域520。具體上,將控制電路422及變壓器424之1次繞組配置於1次側區域510,將連接於螢光燈430之變壓器424之2次繞組配置於2次側區域520。控制電路422有必要監視螢光燈430之電氣的狀態,但如上所述,有必要將1次側區域510與2次側區域520電性絕緣。
在此電源系統500中,為了將配置於2次側區域520之螢光燈430之電氣的狀態反饋至配置於1次側區域510之控制電路422,需使用光電耦合器440等。例如流向螢光燈430之電流被電阻元件432變換成電氣信號Sfb1。電氣信號Sfb1被輸入至光電耦合器440,並被發光二極體等一度變換成光信號。被變換之光信號被配置於1次側區域510之光電二極體及光電晶體等受光,再被變換成電氣信號Sfb2而反饋至控制電路422。在專利文獻1記載著相關技術。又,也有利用電晶體之電磁耦合取代光電耦合器,由2次側區域520將信號反饋至1次側區域510之情形。
[專利文獻1]日本特開2003-153529號公報
如上所述,利用光電耦合器,由2次側區域520將信號傳送至1次側區域510之情形,需將電氣信號變換成光信號,故有反饋精度降低之問題。又,在光電耦合器中,發光元件與受光元件間之耦合效率有變動時,會有螢光管之發光亮度變動之問題。
另外,使用作為液晶電視之背光源之螢光燈由於支數多,由2次側區域520向1次側區域510之反饋信號之傳送有必要經由複數路徑執行。此情形,有必要在各路徑設置光電耦合器,故也有高成本化及安裝面積增大之問題。
本發明係鑑於此課題而研發者,其目的在於提供不使用光電耦合器而可穩定地驅動負載之變流裝置。
本發明之某一態樣係關於內建於含應互相電性絕緣之1次側區域及2次側區域之電源裝置,將直流之輸入電壓變換成交流之驅動電壓而供應至負載之變流裝置。此變流裝置係包含:變壓器,其係在2次繞組側連接前述負載;開關電路,其係含有連接於變壓器之1次繞組之複數電晶體,將輸入電壓及低於輸入電壓之固定電壓交互地施加至變壓器之1次繞組;複數脈衝變壓器,其係設於開關電路之複數電晶體之各電晶體,其2次繞組連接於複數電晶體之控制端子側;反饋線,其係反饋顯示負載之電氣的狀態之反饋信號;及控制電路,其係接受反饋線所反饋之反饋信號,依據該反饋信號,將開關電壓供應至複數脈衝變壓器之1次繞組。在1次側區域,配置變壓器之1次繞組、開關電路、及複數脈衝變壓器之2次繞組;並在2次側區域,配置變壓器之2次繞組、複數脈衝變壓器之1次繞組、反饋線、及控制電路。
依據此態樣,可藉由將控制電路配置於2次側區域,而經由反饋線直接接受來自負載之反饋信號,故可實現穩定之負載之驅動。
開關電路所含之複數電晶體係MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor;金屬氧化膜半導體場效電晶體),複數脈衝變壓器之2次繞組也可設於由對應之複數電晶體之閘極至源極之路徑上。
開關電路也可包含高端電晶體及低端電晶體,其係串聯連接於被施加輸入電壓之輸入端子、與被施加固定電壓之接地端子間。此情形,變壓器也可對高端電晶體及低端電晶體,被半橋連接。
開關電路也可包含第1高端電晶體及第1低端電晶體,其係串聯連接於被施加輸入電壓之輸入端子、與被施加固定電壓之接地端子間之第1路徑上;及第2高端電晶體及第2低端電晶體,其係串聯連接於輸入端子與接地端子間之第2路徑上。此情形,變壓器也可對開關電路,被全橋連接。
負載之電氣的狀態係包含流動於負載之電流,控制電路也可將開關電壓供應至複數脈衝變壓器之1次繞組,而使流動於該負載之電流接近於希望之電流值。
負載也可為螢光燈。螢光燈既可為冷陰極管螢光燈,也可為外部電極螢光燈。
本發明之另一態樣係發光裝置。此裝置係包含:螢光燈;及上述中任一態樣之變流裝置,其係以螢光燈作為負載而供應交流之驅動電壓。
依據此態樣,可經由反饋線直接監視來自負載之螢光燈之電氣的狀態,故可使螢光燈確實點亮,且可適當地調節發光亮度。
本發明之又另一態樣係液晶電視及液晶監視器等之圖像顯示裝置。此圖像顯示裝置係包含:液晶面板及上述之發光裝置,其係被配置於液晶面板之背面作為背光源。
本發明之又另一態樣係包含應互相電性絕緣之1次側區域及2次側區域之電源裝置。此電源裝置係包含:AC/DC變換器,其係配置於1次側區域,將被輸入之商用交流電壓變換成直流電壓;及上述之變流裝置,其係將AC/DC變換器所變換之直流電壓變換成交流電壓作為輸入電壓,並供應至配置於2次側區域之負載。
值得注意的是上述構成元件之任意組合或重新配置等等也可有效包含於本實施態樣。
此外,本發明之摘要並未描述全部必須的特色,因此,該等描述之特性之副組合亦屬於本發明之範疇。
茲依據最佳實施型態說明本發明。又,實施型態並非用以限定發明之範圍,實施型態所記述之所有特徵及其組合未必一定為本發明之本質性之內容。
圖2係表示本發明之實施型態之發光裝置200之構成之電路圖。圖3係表示裝載圖2之發光裝置200之液晶電視300之構成之區塊圖。圖3之液晶電視300係與天線310連接。天線310係接收廣播波而將接收信號輸出至接收部304。接收部304係將接收信號檢波、放大而輸出至信號處理部306。信號處理部306係將被調制之資料解調而得之圖像資料輸出至液晶驅動器308。液晶驅動器308係依照各掃描線向液晶面板302輸出圖像資料,顯示影像、圖像。在液晶面板302之背面,配置複數之發光裝置200作為背光源。本實施型態之發光裝置200適合使用作為此種液晶面板302之背光源。以下,回到圖2,詳細說明發光裝置200之構成及動作。
本實施型態之發光裝置200係包含螢光燈210、變流器100。螢光燈210係EEFL或CCFL,配置於液晶面板302之背面。變流器100係內建於含應互相電性絕緣之1次側區域及2次側區域之電源裝置,將施加至輸入端子102之輸入電壓Vin變換成交流之驅動電壓Vdrv而供應至連接於輸出端子104之負載之螢光燈210之DC/AC變換器。在本實施型態中,假設輸入電壓Vin係100 V~400 V程度之高電壓。
在圖2中,雖僅顯示1個螢光燈210,但也可並聯配置複數個。以下,說明有關本實施型態之變流器之構成。
變流器100係包含開關電路10、變壓器12、電流電壓變換部14、反饋線16、控制電路20、第1脈衝變壓器30、第2脈衝變壓器32、第1電容器C1、第2電容器C2、第1位準移動電阻R1、第2位準移動電阻R2。
變壓器12係包含1次繞組12a與2次繞組12b。負載之螢光燈210直接或經由其他電路元件連接於變壓器12之2次繞組12b。
開關電路10係包含輸入端子102、與串聯連接於被施加固定電壓之接地電壓之接地端子之間之高端電晶體M1及低端電晶體M2。在本實施型態中,變壓器12係對高端電晶體M1及低端電晶體M2被半橋連接。
高端電晶體M1及低端電晶體M2均為N通道MOSFET所構成。即,高端電晶體M1之源極與低端電晶體M2之汲極相連接,高端電晶體M1之汲極連接於輸入端子102,低端電晶體M2之源極連接於接地端子。當然,高端電晶體M1、低端電晶體M2也可利用P通道MOSFET或雙極性電晶體所構成。又,開關電路10也可構成作為H橋電路。
在高端電晶體M1、低端電晶體M2之閘極,分別被輸入第1控制信號S1、第2控制信號S2。第1控制信號S1成為高位準時,高端電晶體M1通電,第2控制信號S2成為高位準時,低端電晶體M2通電。高端電晶體M1通電時,顯現於連接點N1之開關電壓Vsw3大致等於輸入電壓Vin,低端電晶體M2通電時,開關電壓Vsw3大致等於接地電壓。
高端電晶體M1及低端電晶體M2之連接點N1連接於變壓器12之1次繞組12a之一端。1次繞組12a之他端N2經由第1電容器C1連接至輸入端子102,經由第2電容器C2連接至接地端子。開關電路10係將交互重複輸入電壓Vin與接地電壓之開關電壓Vsw3施加至變壓器12之1次繞組12a。
在螢光燈210及變壓器12之2次繞組12b之電流路徑上,設有電流電壓變換部14。電流電壓變換部14係利用電阻元件等將流向螢光燈210之管電流Ilamp變換成電壓,將其半波整流而平滑化,輸出直流之反饋信號。
反饋線16係將表示負載之螢光燈210之電氣的狀態,即表示管電流Ilamp之反饋信號Vfb反饋至控制電路20之布線。除了表示管電流Ilamp之反饋信號Vfb以外,或也可設置取代此而將表示施加至螢光燈210之驅動電壓Vdrv之反饋信號反饋至控制電路20之布線。
第1脈衝變壓器30、第2脈衝變壓器32設在開關電路10之複數電晶體M1、M2之各電晶體。第1脈衝變壓器30之2次繞組30b之一端連接於高端電晶體M1之源極,其他端經由第1位準移動電阻R1連接於高端電晶體M1之閘極。同樣地,第2脈衝變壓器32之2次繞組32b之一端連接於低端電晶體M2之源極,其他端經由第2位準移動電阻R2連接於低端電晶體M2之閘極。即,第1脈衝變壓器30、第2脈衝變壓器32之2次繞組30b、32b係分別設於由高端電晶體M1、低端電晶體M2之閘極至源極之路徑上。
控制電路20係接受經由反饋線16反饋之反饋信號Vfb。控制電路20依據反饋信號Vfb,將第1開關電壓Vsw1、第2開關電壓Vsw2供應至第1脈衝變壓器30之1次繞組30a、及第2脈衝變壓器32之2次繞組32a。
控制電路20只要使用含一般的脈衝寬調制器之變流器用之控制電路即可。例如,控制電路20係由包含誤差放大器、振盪器、變頻器所構成。誤差放大器係將經由反饋線16反饋之反饋信號Vfb、與對應於螢光燈210之亮度而設定之基準電壓Vref之誤差放大,輸出誤差信號Verr。振盪器係輸出特定頻率之三角波或鋸齒波狀之週期信號Vosc。變頻器係比較週期信號Vosc與誤差信號Verr,依照其大小關係,輸出在高位準與低位準中變化之脈衝寬調制信號(以下稱PWM信號Vpwm)。控制電路20係經由驅動器電路輸出PWM信號Vpwm作為第1開關電壓Vsw1、第2開關電壓Vsw2。第1開關電壓Vsw1、第2開關電壓Vsw2係邏輯值互相反轉之信號。
圖4係表示圖2之變流器100之配置之電路圖。圖4係表示裝載變流器100之電源系統400。電源系統400分割成1次側區域402及2次側區域404,1次側區域402及2次側區域404係被電性絕緣。在1次側區域402,配置將商用交流電壓Vac變換成直流電壓之AC/DC變換器410,另一方面,負載之螢光燈210被配置於2次側區域404。
在此種電源系統400中,本實施型態之變流器100之各區塊係以如以下方式被配置。即,在1次側區域402,配置變壓器12之1次繞組12a、開關電路10、及第1脈衝變壓器30、第2脈衝變壓器32之2次繞組30b、32b。又,在2次側區域402,配置變壓器12之2次繞組12b、電流電壓變換部14、反饋線16、控制電路20及第1脈衝變壓器30、第2脈衝變壓器32之1次繞組30a、32a。
茲說明有關如此構成之變流器100之動作。依據來自電流電壓變換部14之反饋信號Vfb,第1開關電壓Vsw1、第2開關電壓Vsw2以反相重複高、低位準。施加至第1脈衝變壓器30之1次繞組30a之第1開關電壓Vsw1依照第1脈衝變壓器30之繞組比被放大,並被第1位準移動電阻R1移動位準,將可使高端電晶體M1充分通電之電壓供應至高端電晶體M1之閘極源極間。同樣地,施加至第2脈衝變壓器32之1次繞組32a之第2開關電壓Vsw2依照第2脈衝變壓器32之繞組比被放大,並被第2位準移動電阻R2移動位準,將可使低端電晶體M2充分通電之電壓供應至低端電晶體M2之閘極源極間。其結果,高端電晶體M1及低端電晶體M2會依照控制電路20產生之PWM信號Vpwm之佔空比交互地重複通電斷電。
高端電晶體M1及低端電晶體M2交互地重複通電斷電時,輸入電壓Vin與接地電壓交互地被施加至變壓器12之1次繞組12a,將電能供應至變壓器12。其結果,對應於變壓器12之繞組比被升壓之驅動電壓Vdrv顯現於變壓器12之2次繞組12b,被供應至螢光燈210。
PWM信號Vpwm之佔空比可藉控制電路20調節成使反饋信號Vfb與基準電壓Vref一致。其結果,可將螢光燈210之管電流Ilamp保持於可獲得希望亮度之一定值,使其穩定發光。
依據本實施型態之變流器100及電源系統400,可獲得以下之效果。
在本實施型態中,將變流器100之控制電路20配置於2次側區域404。另外,藉設置第1脈衝變壓器30、第2脈衝變壓器32,一面保持1次側區域402與2次側區域404間之絕緣狀態,一面藉配置於2次側區域404之控制電路20,實現配置於1次側區域402之開關電路10之驅動。其結果,控制電路20可經由反饋線16直接接受來自負載之反饋信號Vfb,故可削減光電耦合器等零件。另外,本實施型態之變流器100與經由光電耦合器施行反饋控制之情形相比,可穩定地驅動負載。圖4中雖僅顯示1個螢光燈210,但在實際之組件中,安裝複數之螢光燈210,連控制電路20也安裝有複數個,故以反饋線16置換光電耦合器從安裝面積及成本方面言之,會產生相當大的優點。
在本實施型態中,即使第1脈衝變壓器30、第2脈衝變壓器32之各繞組比有誤差,導致1次繞組與2次繞組間之耦合係數發生變化,對螢光燈210之驅動狀態也幾乎無影響。因為經由第1脈衝變壓器30、第2脈衝變壓器32由2次側區域404送至1次側區域402之資訊為高端電晶體M1及低端電晶體M2之通電斷電狀態,故縱使第1控制信號S1、第2控制信號S2之電壓位準隨著耦合係數之變動而變動,也幾乎不會影響到轉送至變壓器12之電能之故。又,縱使高端電晶體M1及低端電晶體M2之通電程度隨著耦合係數之變動而變化,第1開關電壓Vsw1、第2開關電壓Vsw2之佔空比也會發生變化,以補正通電程度之變化,並施行反饋使管電流Ilamp一定地保持於希望值,故螢光燈210之驅動狀態仍可保持穩定。
又,依據本實施型態,可降低對第1脈衝變壓器30、第2脈衝變壓器32之1次繞組30a、32a供應開關電壓Vsw1、Vsw2之驅動器電路之耐壓。即,在圖1及圖4所示之系統中,在輸入電壓高達100 V以上之情形,為使開關電路10之電晶體通電斷電,有必要施加非常高之電壓作為閘極電壓。在圖1之系統中,有必要不經由脈衝變壓器而將電壓直接供應至開關電路10之電晶體之閘極,故驅動器電路也需要高耐壓。另一方面,在本實施型態之變流器100中,由於經由脈衝變壓器30、32驅動開關電路10之電晶體,故驅動器電路只要將數V至數十V之電壓供應至第1脈衝變壓器30、第2脈衝變壓器32之1次繞組30a、32a即已足夠,故不需要那麼高之耐壓。在本實施型態中,基於此種理由,故具有可將驅動器電路內建於控制電路20之優點。
實施型態僅係例示,對同業業者而言,當可瞭解在該等之各構成要素及各處理過程之組合中可產生各種變形例,且該種變形例亦包含於本發明之範圍中。
在實施型態中,雖說明有關構成開關電路10之電晶體係以N通道MOSFET構成之情形,但也可使用P通道MOSFET。又,並不限定於半橋電路,也可採用全橋電路或其他電路構成。採用全橋電路之情形,開關電路10只要包含串聯連接於輸入端子102與接地端子間之第1路徑上之第1高端電晶體及第1低端電晶體、及串聯連接於輸入端子102與接地端子間之第2路徑上之第2高端電晶體及第2低端電晶體而構成即可。
在圖2之電路圖中,螢光燈210之一端之電位雖被固定,但本發明並不限定於此,也可取代固定電位,而施加與施加至他端之驅動電壓Vdrv反相之電壓而加以驅動。
在實施型態中,為簡化說明,而說明在發光裝置200中驅動一個螢光燈210之情形,但實際上,也可驅動複數之螢光燈210。此情形,只要利用驅動複數之螢光燈210用之習知之技術即可,本發明可不特別限定於特定之佈局技術而加以適用。
又,本實施型態之變流器100所驅動之負載並不限定於螢光管,此外,也可適用於需要交流之高電壓之種種元件之驅動。
在本實施型態中,邏輯電路之高位準、低位準之邏輯值之設定僅係一例,可藉變流器等使其適宜地反轉而自由地加以變更。
以上雖利用明確項目說明本發明之最佳實施型態,但此說明僅係用於闡述本發明之技術內容,在不脫離本發明之精神與以下之申請專利範圍之項中所記載之範圍內,自可作種種變更而加以實施。
10...開關電路
12...變壓器
12a...1次繞組
12b,30b,32b...2次繞組
14...電流電壓變換部
16...反饋線
20...控制電路
30a,32a...1次繞組
32...第2脈衝變壓器
100...變流器
102...輸入端子
104...輸出端子
200...發光裝置
210...螢光燈
300...液晶電視
302...液晶面板
304...接收部
306...信號處理部
308...液晶驅動器
310...天線
402...1次側區域
404...2次側區域
410...AC/DC變換器
412...全波整流電路
414...功率因數改善電路
420...變流裝置
422...控制電路
424...變壓器
430...螢光燈
432...電阻元件
440...光電耦合器
510...1次側區域
520...2次側區域
C1...第1電容器
C2...第2電容器
M1...高端電晶體
M2...低端電晶體
N1...連接點
N2...他端
R1...第1位準移動電阻
R2...第2位準移動電阻
S1...第1控制信號
S2...第2控制信號
Sfb1,Sfb2...電氣信號
Vac...商用交流電壓
Vdc...直流電壓
Vfb...反饋信號
Vsw1...第1開關電壓
Vsw2...第2開關電壓
Vsw3...開關電壓
Vin...輸入電壓
Vfb...反饋信號
Vdrv...驅動電壓
在此所說明之實施型態僅係參照代表性之附圖之例示,而非一種限制,其中相似元件在複數圖中以同樣符號表示。
圖1係表示具備1次側區域與2次側區域之電源系統之構成之區塊圖。
圖2係表示本發明之實施型態之發光裝置之構成之電路圖。
圖3係表示裝載圖2之發光裝置之液晶電視之構成之區塊圖。
圖4係表示圖2之變流器之配置之電路圖。
10...開關電路
12...變壓器
12a...1次繞組
12b,30b,32b...2次繞組
14...電流電壓變換部
16...反饋線
20...控制電路
30a,32a...1次繞組
32...第2脈衝變壓器
100...變流器
102...輸入端子
104...輸出端子
200...發光裝置
210...螢光燈
C1...第1電容器
C2...第2電容器
M1...高端電晶體
M2...低端電晶體
N1...連接點
N2...他端
R1...第1位準移動電阻
R2...第2位準移動電阻
S1...第1控制信號
S2...第2控制信號
Vsw1...第1開關電壓
Vsw2...第2開關電壓
Vsw3...開關電壓
Vin...輸入電壓
Vfb...反饋信號
Vdrv...驅動電壓
Claims (11)
- 一種變流裝置,其特徵在於其係內建於含應互相電性絕緣之1次側區域及2次側區域之電源裝置,將輸入電壓變換成交流之驅動電壓而供應至負載之變流裝置,包含:變壓器,其係在2次繞組側連接前述負載;開關電路,其係含有連接於前述變壓器之1次繞組之複數電晶體,將前述輸入電壓及低於前述輸入電壓之固定電壓交互地施加至前述變壓器之1次繞組;複數脈衝變壓器,其係設於前述開關電路之前述複數電晶體之各電晶體,其2次繞組連接於前述複數電晶體之控制端子側;反饋線,其係反饋顯示前述負載之電氣的狀態之反饋信號;及控制電路,其係接受前述反饋線所反饋之前述反饋信號,依據該反饋信號,將開關電壓供應至前述複數脈衝變壓器之1次繞組;在前述1次側區域,配置前述變壓器之1次繞組、前述開關電路、及前述複數脈衝變壓器之2次繞組;且在前述2次側區域,配置前述變壓器之2次繞組、前述複數脈衝變壓器之1次繞組、前述反饋線、及前述控制電路。
- 如請求項1之變流裝置,其中前述開關電路所含之複數電晶體係MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor;金屬氧化膜半導體場效電晶體);前述複數脈衝變壓器之2次繞組係設於由對應之前述複數電晶體之閘極至源極之路徑上。
- 如請求項1或2之變流裝置,其中前述開關電路係包含高端電晶體及低端電晶體,其係串聯連接於被施加前述輸入電壓之輸入端子、與被施加前述固定電壓之接地端子間;前述變壓器係對前述高端電晶體及前述低端電晶體,被半橋連接者。
- 如請求項1或2之變流裝置,其中前述開關電路係包含第1高端電晶體及第1低端電晶體,其係串聯連接於被施加前述輸入電壓之輸入端子、與被施加前述固定電壓之接地端子間之第1路徑上;及第2高端電晶體及第2低端電晶體,其係串聯連接於前述輸入端子與前述接地端子間之第2路徑上;且前述變壓器係對前述開關電路,被全橋連接者。
- 如請求項1或2之變流裝置,其中前述負載之電氣的狀態係包含流動於前述負載之電流,前述控制電路係將開關電壓供應至前述複數脈衝變壓器之1次繞組,而使流動於該負載之電流接近於希望之電流值。
- 如請求項1之變流裝置,其中前述負載係螢光燈。
- 一種發光裝置,其特徵在於包含:螢光燈;及如請求項1或2之變流裝置,其係以前述螢光燈作為負載而供應交流之驅動電壓。
- 如請求項7之發光裝置,其中前述螢光燈係冷陰極管螢光燈。
- 如請求項7之發光裝置,其中前述螢光燈係外部電極螢光燈。
- 一種圖像顯示裝置,其特徵在於包含:液晶面板;及如請求項7之發光裝置,其係被配置於前述液晶面板之背面作為背光源。
- 一種電源裝置,其特徵在於其係包含應互相電性絕緣之1次側區域及2次側區域之電源裝置,而包含:AC/DC變換器,其係配置於前述1次側區域,將被輸入之商用交流電壓變換成直流電壓;及如請求項1或2之變流裝置,其係將前述AC/DC變換器所變換之直流電壓變換成交流電壓作為輸入電壓,並供應至配置於前述2次側區域之負載。
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