TWI385051B

TWI385051B - Grinding device

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Publication number: TWI385051B
Application number: TW097104271A
Authority: TW
Original assignee: Shinetsu Handotai Kk; Fujikoshi Machinery Corp
Priority date: 2007-02-27
Filing date: 2008-02-04
Publication date: 2013-02-11
Also published as: JP4654209B2; JP2008207282A; WO2008105137A1; KR20090115934A; DE112008000481B4; US20100144249A1; KR101485766B1; US8454410B2; TW200900198A; DE112008000481T5

Description

研磨裝置

本發明係關於一種研磨晶圓的表面的研磨裝置。

半導體晶圓、磁碟等的薄板狀構件(以下總稱晶圓)，藉由磨削或磨光處理，研磨處理至預定的厚度，再藉由拋光處理來進行鏡面加工。

進行這些的磨削處理、磨光處理、拋光處理等的高平坦度表面加工時，係使用：以研磨頭將晶圓壓抵在下方磨盤上，一邊供給研磨漿液一邊進行研磨之單面研磨裝置；或是以上下方磨盤挾持圓板狀的晶圓，一邊供給研磨漿液一邊同時地研磨雙面之雙面研磨裝置。

第4圖係表示以往的雙面研磨裝置的一例的構造的概略圖。此雙面研磨裝置81，主要是由：可旋轉的圓盤狀的下方磨盤82與上方磨盤83；被配置在下方磨盤82與上方磨盤83之間，具有用以保持晶圓W之晶圓保持孔86a，並進行行星運動的載具(carrier plate)86；使載具動作之太陽齒輪84以及內部齒輪85所構成。另外，亦可配置用以覆蓋裝置上方之上蓋91。在拋光製程中，於其表面貼附有研磨布之下方磨盤82與上方磨盤83之間，挾持晶圓W，一邊從上方磨盤83側施以壓力，一邊使晶圓W與下方磨盤82、上方磨盤83旋轉，並供給研磨漿液至其加工面，藉由研磨漿液的化學作用與機械作用的複合作用，一點一點地除去晶圓表面，其目的係進行被研磨物的鏡面化與平坦化。上述下方磨盤82、上方磨盤83、太陽齒輪84以及內部齒輪85係分別由設置於裝置本體箱體87內的各個驅動用馬達88a、88b、88c、88d與減速機89a、89b、89c、89d來驅動。雖然亦有利用一個馬達來驅動這些構件的型態的裝置，但近年來，大多是以各別獨自的馬達來驅動的四方型式(four－way type)的裝置。另外，箱體87配置有排氣管92、外氣進氣口93等，作為使箱體內的空氣循環的裝置。

研磨晶圓W中的矽晶圓時，矽晶圓的研磨率係因晶圓所承受的來自上下方磨盤的壓力與研磨中的溫度而改變，因此，為加工成高平坦度的晶圓，研磨盤的形狀與晶圓加工面的溫度必須一定。因此，在一般的雙面研磨裝置中，利用控制要提供至晶圓研磨面之研磨漿液的量與溫度，使其一定，來使研磨中的晶圓加工面的溫度保持一定，再者，利用將一定溫度的冷卻水供給至被設置在研磨盤內的冷卻罩90中，除去伴隨加工所發生的研磨熱，防止研磨盤的熱變形，使晶圓所承受的來自上下方磨盤的壓力一定。

近年，對於晶圓的平坦度的要求精度變高。如此，若對於晶圓的平坦度的要求精度變高，則僅藉由研磨漿液的溫度控制、供給冷卻水至冷卻罩來除去伴隨加工所發生的研磨熱，並不充分，特別是，於加工開始起的數批製品之間，經加工的晶圓的平坦性的惡化顯著，另外，亦有安定性不良的問題。

再者，即使於研磨裝置的連續運轉中，亦會發生為交換漿液、修整研磨布等，發生定期的裝置的停止時間，因此，無法避免經加工的晶圓的形狀發生變化。

另外，如日本專利公開公報特開平11－188613號所示，提案一種雙面研磨裝置，於研磨盤的加工面的相反側配置預備發熱體，運轉裝置之前預先加熱研磨盤，運轉中亦加熱，藉此，保持研磨盤溫度一定，但是藉由加熱來保持研磨盤溫度一定，其所得的晶圓的平坦性與安定性並不充分。

因此，本發明係有鑑於上述問題而開發出來，其目的係提供一種研磨裝置，不管研磨裝置的從運轉開始算起的經過時間或是有無停止，可製造出形狀安定的晶圓。

本發明係為了解決上述課題而開發出來，提供一種研磨裝置，係針對至少具備下方磨盤、用以驅動上述下方磨盤之馬達與減速機、以及至少覆蓋上述下方磨盤的加工作用面以下的部分之箱體，且將晶圓壓接在上述下方磨盤上，並使上述下方磨盤旋轉來研磨上述晶圓之形態的研磨裝置，其特徵為：

上述箱體內，以隔板分離為複數個領域；用以驅動上述下方磨盤之馬達，係配置於與包含上述下方磨盤的領域相異的領域。

具有如此的構成的研磨裝置中，若是在其箱體內，以隔板分離為複數個領域，用以驅動上述下方磨盤之馬達，係配置於與包含上述下方磨盤的領域相異的領域，則可抑制從用以驅動下方磨盤之馬達所發生的熱，直接影響下方磨盤的情況，且可將熱快速地排出裝置外，可有效地防止因熱的影響所發生的下方磨盤的些微的歪曲。其結果，能以安定的形狀來研磨晶圓。

此時，在上述箱體內，用以驅動上述下方磨盤之減速機，較佳是配置於與包含上述下方磨盤的領域相異的領域。

如此，若在上述箱體內，用以驅動上述下方磨盤之減速機係配置於與包含上述下方磨盤的領域相異的領域，則亦可抑制從下方磨盤的減速機所發生的熱，直接影響下方磨盤的情況，且可快速地排出裝置之外，因此，可更有效地防止下方磨盤發生些微的歪曲。

另外，上述箱體內的利用隔板而分離的各個領域，較佳是分別具備個別的空氣的循環裝置。

如此，若上述箱體內的利用隔板而分離的各個領域，係分別具備個別的空氣的循環裝置，則以隔板分離的各個領域，可個別地進行空氣的循環，可使從發熱源發生的熱，更有效地排出裝置外。

另外，上述研磨裝置至少具備一冷卻用流體供給裝置，以冷卻用流體供給管，循環供給冷卻用流體至用以驅動上述下方磨盤之減速機，來冷卻該減速機；該冷卻用流體供給裝置，較佳是配置於與包含上述下方磨盤的領域相異的領域。

如此，若研磨裝置至少具備一冷卻用流體供給裝置，以冷卻用流體供給管，循環供給冷卻用流體至用以驅動上述下方磨盤之減速機，來冷卻該減速機，則可快速地除去來自減速機的發熱；另外，若冷卻用流體供給裝置係配置於與包含上述下方磨盤的領域相異的領域，則從冷卻用流體供給裝置發生的熱，不會對於下方磨盤造成影響，而可快速地排出裝置之外，因此，可更有效地防止下方磨盤發生些微的歪曲。

另外，上述研磨裝置具備用以保持上述晶圓之研磨頭，以該研磨頭將上述晶圓壓接在上述下方磨盤上來進行研磨。

若是如此的單面研磨裝置，則成為一種研磨裝置，可有效地抑制下方磨盤的形狀變化來研磨晶圓。

另外，上述研磨裝置可為一雙面研磨裝置，更具備：上方磨盤、太陽齒輪、內部齒輪、用以驅動這些構件之各個馬達與減速器、以及具有用以保持上述晶圓之晶圓保持孔之複數個載具；以上述載具的上述晶圓保持孔來保持上述晶圓，並以上述下方磨盤與上述上方磨盤來挾持上述晶圓，一邊使上述太陽齒輪與上述內部齒輪旋轉，來使上述載具自轉與公轉，一邊使上述下方磨盤與上方磨盤旋轉，雙面研磨上述晶圓。

若是如此的雙面研磨裝置，則成為一種雙面研磨裝置，可有效地抑制下方磨盤的形狀變化來研磨晶圓。

此時，用以驅動上述上方磨盤、太陽齒輪、內部齒輪之各個馬達與減速機，係配置於與包含上述下方磨盤的領域相異的領域。

如此，若用以驅動上述上方磨盤、太陽齒輪、內部齒輪之各個馬達與減速機，係配置於與包含上述下方磨盤的領域相異的領域，則可防止從這些馬達與減速機發生的熱，對於下方磨盤的形狀造成影響。

另外，上述研磨裝置具備一冷卻用流體供給裝置，以冷卻用流體供給管，循環供給冷卻用流體至用以驅動上述下方磨盤、上方磨盤、太陽齒輪、內部齒輪之各個減速機，來冷卻這些減速機；該冷卻用流體供給裝置，較佳是配置於與包含上述下方磨盤的領域相異的領域。

如此，若雙面研磨裝置具備一冷卻用流體供給裝置，以冷卻用流體供給管，循環供給冷卻用流體至用以驅動上述下方磨盤、上方磨盤、太陽齒輪、內部齒輪之各個減速機，來冷卻這些減速機，而且，該冷卻用流體供給裝置係配置於與包含上述下方磨盤的領域相異的領域，則可快速地除去來自減速機的發熱；另外，若冷卻用流體供給裝置係配置於與包含上述下方磨盤的領域相異的領域，則從冷卻用流體供給裝置發生的熱，不會對於下方磨盤造成影響，可快速地排出裝置之外，因此，可更有效地防止下方磨盤發生些微的歪曲。

另外，在本發明的研磨裝置中，上述隔板較佳是在鋼板上鋪設發泡胺甲酸乙酯薄片而成者。

如此，若上述隔板係在鋼板上鋪設發泡胺甲酸乙酯薄片而成者，則為可兼具優良強度、絕熱性的隔板，可更有效地抑制由隔板分離的領域之間的熱的移動。

若是有關本發明的研磨裝置，則可抑制從發熱源發生的熱直接影響下方磨盤的情況，且可將熱快速地排出裝置外，可有效地防止因熱的影響所發生的下方磨盤的些微的歪曲，特別是可防止從研磨裝置運轉開始，隨著經過時間所產生的熱環境的改變而造成的下方磨盤的形狀變化。其結果，不管研磨裝置的從運轉開始算起的經過時間或是有無停止，能以安定的形狀來研磨晶圓W。

以下，對於本發明更詳細的說明。

如上所述，使用研磨裝置，為了安定地獲得晶圓的高平坦性，僅藉由研磨漿液的溫度控制和利用供給冷卻水至冷卻罩來除去伴隨加工所發生的研磨熱等，有並不充分的問題。

本發明者對於此問題調查檢討發現，由為了驅動研磨盤的各種馬達或減速機等所發生的熱的影響，下方磨盤82的溫度上升大，為了抑制因如此的原因所導效的溫度上升，發現藉由上述研磨漿液的溫度控制和利用供給冷卻水至冷卻罩來進行溫度控制等，並不充分。而且，因如此的原因而上升的溫度的影響，下方磨盤82的形狀發生些微的變化，所以也會影響到晶圓的形狀。

而且，本發明者檢討解決如此的問題點的對策。並且，思及利用隔板使為了驅動研磨盤等的各種馬達和減速機等，特別是用以驅動最大發熱源的下方磨盤之馬達，與下方磨盤之間分離，藉此可大幅削減傳達至下方磨盤的熱量，使裝置運轉中的下方磨盤的形狀安定，可安定地獲得高平坦度的晶圓，進而完成本發明。

以下，一邊參照圖式一邊具體地說明有關本發明的研磨裝置，但是本發明不限定於此實施形態。又，本說明書中的研磨，除了典型的拋光之外，也包含所謂的磨削和磨光等的概念，是指以加工使晶圓成為高平坦度為其目的，一點一點地削除晶圓的表面的處理。

第1圖係表示作為本發明的研磨裝置的一例(第一態樣)的雙面研磨裝置。

此雙面研磨裝置11，主要是由：可旋轉的圓盤狀的下方磨盤12與上方磨盤13；被配置於該下方磨盤12、上方磨盤13之間，具有用以保持晶圓W之晶圓保持孔16a，並進行行星運動的載具(carrier plate)16；使該載具16動作的太陽齒輪14以及內部齒輪15所構成。下方磨盤12、上方磨盤13、太陽齒輪14以及內部齒輪15係分別由設置於裝置本體箱體17內的各個驅動用馬達18a、18b、18c、18d與各個減速機19a、19b、19c、19d來驅動。又，亦可利用相同的馬達，使下方磨盤12、上方磨盤13、太陽齒輪14以及內部齒輪15的各構件之中的二者以上動作。又，依研磨的目的，於上下方磨盤各個研磨面貼附研磨布(未圖示)。另外，亦可於研磨盤的研磨面的相反側，裝設冷卻罩20。另外，亦可配置覆蓋裝置上方之上蓋21。

而且，在本發明的雙面研磨裝置11中，於箱體17內設置隔板31a、31b，將箱體17內分離成複數個領域。另外，至少驅動下方磨盤12之馬達18a，係配置於與包含下方磨盤12的領域相異的領域。再者，驅動下方磨盤的減速機19a或驅動上方磨盤13、太陽齒輪14、內部齒輪15的各馬達18b、18c、18d以及減速機19b、19c、19d，亦可配置於與包含下方磨盤12的領域相異的領域。又，各馬達與各減速機的各構件之中，可分別配置二者以上於相同或相異的領域。在第1圖中例示藉由隔板31a、31b三分割為：配置有用以驅動下方磨盤12之馬達18a的領域(第一領域)；配置有用以驅動下方磨盤之減速機19a、及用以驅動上方磨盤13、太陽齒輪14、內部齒輪15的各個馬達18b、18c、18d及減速機19b、19c、19d的領域(第二領域)；以及包含下方磨盤12的領域(第三領域)的三個領域。但是並不限定於此形態。

另外，通常在雙面研磨裝置的箱體內，配置排氣管、外氣進氣口，作為箱體內的空氣的循環裝置。在本發明的雙面研磨裝置11中，箱體17內分割為複數個領域，各領域以具備個別的空氣的循環裝置為較佳。第1圖中例示第一領域具備外氣進氣口23a以及排氣管22a，第二領域具備外氣進氣口23b、送風用風扇24b、以及排氣管22b，第三領域具備外氣進氣口23c、送風用風扇24c、以及排氣管22c的態樣。又，外氣進氣口，只要是可使外氣進氣至各領域的開口即可，亦可不特別設置於各領域。例如第1圖的23a，可為上蓋21與箱體17之間的間隙。另外，若是與上蓋21內連通的領域(第1圖的情況下，上述第三領域係利用箱體17與內部齒輪15之間的間隙，連通上蓋21內的領域)，如第1圖的23c，藉由於上蓋21設置外氣進氣口，亦可使領域內的空氣循環。另外，排氣管22a、22b、22c可於各領域具有個別的排氣口，亦可互相合流，從集合風管25排氣。

利用具有如此構成的雙面研磨裝置11，來進行晶圓W的研磨時，是先將晶圓保持於載具16的晶圓保持孔16a，並將晶圓挾持於下方磨盤12、上方磨盤13之間，一邊從上方磨盤13側施以壓力，一邊使晶圓W與下方磨盤12、上方磨盤13旋轉，並從未圖示的研磨漿液供給裝置供給研磨漿液至其加工面，來進行研磨。本發明的雙面研磨裝置11中，因驅動下方磨盤12之馬達18a，配置於與包含下方磨盤12的領域相異的領域，因此，進行研磨時，驅動下方磨盤12之馬達18a所發生的熱，不會對於下方磨盤造成影響而可快速地排出雙面研磨裝置11之外，可有效地防止因熱的影響所發生的下方磨盤12的形狀的些微的歪曲，特別是可有效防止從研磨裝置運轉開始，隨著經過時間而產生的熱環境的改變所造成的下方磨盤12的形狀變化。其結果，能以安定的形狀來研磨晶圓W。特別是，不管研磨裝置的從運轉開始算起的經過時間或是有無停止，能以安定的形狀來研磨晶圓W。

另外，如上所述，如用以驅動下方磨盤之減速機19a以及用以驅動上方磨盤13、太陽齒輪14、內部齒輪15之各馬達18b、18c、18d以及減速機19b、19c、19d，配置於與包含下方磨盤12的領域相異的領域，這些構件所發生的熱亦相同地，不會對於下方磨盤造成影響而可排出雙面研磨裝置11之外。

另外，如上所述，如以箱體內的隔板分離的個別的領域，分別具備排氣管、外氣進氣口、送風用風扇(或者風箱)等的空氣的循環裝置，以隔板分離的個別的領域可個別地進行空氣的循環，於個別的領域可個別地進行溫度管理，上述各發熱源發生的熱可更有效地排出裝置外。

另外，第2圖係模式地表式從上方透視本發明的雙面研磨裝置11的重點而得的裝置圖。如第2圖所示，較佳為作成：具備冷卻用流體供給裝置42，利用其冷卻用流體供給管43循環供給冷卻用流體至用以驅動下方磨盤12、上方磨盤13、太陽齒輪14、內部齒輪15(分別參照第1圖)的各個減速機19a、19b、19c、19d中，來冷卻各減速機。如此，藉由以冷卻用流體供給裝置42快速地將各減速機散熱，可更有效地將發熱排出。

但是，冷卻用流體供給裝置42，一般在其內部係具有馬達或泵等而成為發熱源，因此，基於與上述的各發熱源的情況相同的理由，冷卻用流體供給裝置42以配置於與包含下方磨盤12的領域相異的領域為較佳。

又，隔板31a、31b的材質並無特別限定，但是若為於鋼板上鋪設胺甲酸乙酯薄片者，即能以廉價的材料來作成兼具強度、高絕熱性的隔板，可更有效地抑制被分離的領域之間的熱的移動而較佳。

第3圖係表示本發明的研磨裝置的另一例(第二態樣)的單面研磨裝置。

此單面研磨裝置61，主要是由：可旋轉的圓盤狀的下方磨盤12；以及用以保持晶圓W，可旋轉的研磨頭63所構成。下方磨盤12係由被設置於裝置本體箱體17內之驅動用馬達18a與減速機19a來驅動。又，依研磨的目的，於下方磨盤12的研磨面貼附研磨布(未圖示)。另外，亦可於下方磨盤12的研磨面相反側裝設冷卻罩20。另外，亦可配置用以覆蓋裝置上方之上蓋21。

而且，在本發明的單面研磨裝置61中，設置隔板，將箱體17內分離成複數個領域，至少驅動下方磨盤12之馬達18a，係配置於與包含下方磨盤12的領域相異的領域。第3圖中例示藉由隔板31a二分割為：配置有用以驅動下方磨盤12之馬達18a的領域(第一領域)；以及配置有用以驅動下方磨盤之減速機19a，且包含下方磨盤12的領域(第二領域)的二個領域。但是並不限定於此形態。再者，亦可設置隔板，將驅動下方磨盤之減速機19a配置於與包含下方磨盤12的領域相異的領域。

另外，與上述雙面研磨裝置的情況相同地，可於藉由隔板分離的個別的領域，配置個別的空氣的循環裝置。第3圖中例示第一領域具備外氣進氣口23a以及排氣管22a，第二領域具備外氣進氣口23b、送風用風扇24b、以及排氣管22b的態樣。另外，外氣進氣口只要是可使外氣進氣至各領域的開口即可。另外，個別的排氣管可合流，以集合風管25整體排氣。另外，亦可具備以冷卻用流體供給管供給冷卻用流體至減速機19a之冷卻用流體供給裝置，此時，冷卻用流體供給裝置以配置於與下方磨盤12相異的領域為較佳。

利用具有如此構成的單面研磨裝置61，來進行晶圓W的研磨時，先以蠟貼著、真空吸著等各種習知的保持方法，將晶圓W保持於研磨頭63，然後一邊從研磨頭63側施以壓力，一邊使晶圓W、研磨頭63以及下方磨盤12旋轉，並供給研磨漿液至其加工面，來進行研磨。在本發明的單面研磨裝置61中，因驅動下方磨盤12之馬達18a被配置於與包含下方磨盤12的領域相異的領域，與上述雙面研磨裝置的情況相同地，當進行研磨時，驅動下方磨盤12之馬達18a所發生的熱，不會對於下方磨盤造成影響而可快速地排出單面研磨裝置61之外，可有效地防止因熱的影響所發生的下方磨盤12的形狀的些微的歪曲。其結果，能以安定的形狀來研磨晶圓W。

以下，說明有關本發明的實施例與比較例。

(實施例1)

利用具有第1圖所示的構成的本發明的雙面研磨裝置11，於無載狀態下，使下方磨盤12、上方磨盤13、太陽齒輪14及內部齒輪15旋轉三小時(不設置晶圓，不進行實際的晶圓的研磨)，測定裝置運轉前與裝置運轉後的下方磨盤12的表面形狀，進行因各馬達與各減速機的發熱所造成的下方磨盤12的變形狀態的測定。又，下方磨盤12與上方磨盤13的尺寸皆為外徑1420mm、內徑430mm，運轉條件係下方磨盤的轉速為50rpm，上方磨盤的轉速係與下方磨盤方向相反的30rpm，太陽齒輪的轉速為35rpm，內部齒輪的轉速為3rpm。

又，下方磨盤的變形狀態的測定係以觸針式表面形狀測定器來進行。

其結果，裝置停止時的下方磨盤形狀係凹陷1 μm(下方磨盤的外周端與中央附近的最低點之間的差)，裝置運轉三小時後的形狀係凹陷2.6 μm。

(比較例1)

利用第4圖所示的習用的雙面研磨裝置81，與實施例1相同地進行無載狀態的運轉，然後測定下方磨盤的表面形狀的變化。

其結果，相對於裝置停止時的下方磨盤形狀凹陷1 μm，裝置運轉3小時後的形狀係凹陷11 μm，改變了10 μm。另外，裝置運轉停止後的一小時後進行的測定中，凹陷係3 μm，由此可見有恢復裝置停止狀態的形狀的傾向。

依據以上的結果，裝置運轉所造成的下方磨盤形狀的變化量，相對於習用裝置10 μm，本發明的裝置係1.6 μm，證明了本發明可使下方磨盤形狀具有安定性。

(實施例2)

利用第1圖所示的本發明的雙面研磨裝置11，實際地進行經磨光後的單結晶矽晶圓的兩面拋光。又，下方磨盤12與上方磨盤13的尺寸皆為外徑1420mm、內徑430mm。每一批使用五個分別具有一晶圓保持孔16a之載具16，而在每一批中研磨五片直徑300mm的單結晶矽晶圓。研磨布、研磨漿液係使用通常者。運轉條件係研磨負載100g/cm² 、下方磨盤的轉速為50rpm，上方磨盤的轉速係與下方磨盤方向相反的30rpm，太陽齒輪的轉速為35rpm，內部齒輪的轉速為3rpm，每批的研磨時間為三十分鐘。

使裝置從停止十二小時以上的狀態開始研磨，比較依研磨批次的進行所造成的晶圓形狀的變化。

其結果，從第一批製品開始至第五批製品為止，連續是平坦的形狀，整體背面理想範圍(一種表示晶圓的平坦性的指標，將晶圓背面矯正為平面的狀態下，晶圓面內具有一基準面，對於此基準面的最大、最小的位置位移的差。Global Backside Ideal Range；GBIR)係0.1 μm。

由此認為在本發明的雙面研磨裝置11中，其強烈的發熱源之下方磨盤用馬達18a，藉由隔板31a，與包含下方磨盤12的領域隔離，因此，熱的影響所造成的下方磨盤12的形狀變化會被抑制，可安定地獲得晶圓的平坦性。

(比較例2)

除了利用第4圖所示的習用的雙面研磨裝置81之外，依照與實施例2相同條件，實際地進行晶圓的雙面研磨。又，載具係使用與在實施例2中所使用的載具相同者。

其結果，第一批製品係凸形狀，其GBIR係1 μm；第二批製品係凸形狀，其GBIR係0.2 μm；第三批製品係凹形狀，其GBIR係0.2 μm；第四批製品係凹形狀，其GBIR係0.4 μm；第五批製料係凹形狀，其GBIR係0.5 μm。

由此認為習知的雙面研磨裝置81，因下方磨盤用馬達18a等所發生的熱的影響，下方磨盤82的形狀些微的變化，使得晶圓的平坦性成為不安定。

本發明並非被限定於上述實施形態，上述實施形態僅為例示，凡是具有和本發明申請專利範圍所記載之技術思想實質相同之構成，可達到同樣之作用效果者，皆包含在本發明之技術範圍中。

11‧‧‧雙面研磨裝置

12‧‧‧下方磨盤

13‧‧‧上方磨盤

14‧‧‧太陽齒輪

15‧‧‧內部齒輪

16‧‧‧載具

16a‧‧‧晶圓保持孔

17‧‧‧箱體

18a‧‧‧馬達

18b‧‧‧馬達

18c‧‧‧馬達

18d‧‧‧馬達

19a‧‧‧減速機

19b‧‧‧減速機

19c‧‧‧減速機

19d‧‧‧減速機

20‧‧‧冷卻罩

21‧‧‧上蓋

22a‧‧‧排氣管

22b‧‧‧排氣管

22c‧‧‧排氣管

23a‧‧‧進氣口

23b‧‧‧進氣口

23c‧‧‧進氣口

24b‧‧‧風扇

24c‧‧‧風扇

25‧‧‧集合風管

31a‧‧‧隔板

31b‧‧‧隔板

42‧‧‧流體供給裝置

43‧‧‧流體供給管

61‧‧‧單面研磨裝置

63‧‧‧研磨頭

W‧‧‧晶圓

第1圖係模式地表示本發明的研磨裝置的第一態樣的重點的剖面圖。

第2圖係模式地表示從上方透視本發明的研磨裝置的第一態樣的重點而得的剖面圖。

第3圖係模式地表示本發明的研磨裝置的第二態樣的重點的剖面圖。

第4圖係模式地表示習知的雙面研磨裝置的一例的重點的剖面圖。