JP4654209B2 - 研磨装置 - Google Patents

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Description

本発明は、ウエーハの表面を研磨する研磨装置に関する。
半導体ウエーハや磁気ディスク等の薄板状部材(以下、ウエーハと総称する)は、研削またはラッピング処理により所定の厚さまで研磨処理され、さらにポリッシング処理により鏡面加工される。
これらの研削処理、ラッピング処理、ポリッシング処理等を行う高平坦度表面加工には、研磨ヘッドで下定盤にウエーハを押しつけて研磨スラリーを供給しながら研磨する片面研磨装置や、上下の定盤で円板状ウエーハを挟み研磨スラリーを供給しながら両面を同時に研磨する両面研磨装置が使用されている。
図4は従来の両面研磨装置の一例の構造の概略を示すものである。この両面研磨装置81は、主に、回転可能な円盤状の下定盤82と上定盤83を配し、該上下定盤82、83の間に、ウエーハWを保持するウエーハ保持孔86aを有し、遊星運動をするキャリアプレート86、そのキャリアプレートを動かす太陽ギヤ84およびインターナルギヤ85よりなる。また、装置上方を覆う、上部カバー91が配置されていることもある。ポリッシング工程では、表面に研磨布を貼り付けた上下定盤82、83の間にウエーハWを挟持し、上定盤83側より圧力をかけつつ、ウエーハWと上下定盤82、83を回転させながらその加工面に研磨スラリーを供給して、研磨スラリーの化学的な作用と機械的な作用の複合作用によりウエーハ表面を少しずつ除去していくもので、その目的は被研磨物の鏡面化と平坦化を行うことにある。上述の下定盤82および上定盤83と太陽ギヤ84およびインターナルギヤ85は装置本体ボックス87内に設置されたそれぞれの駆動用モーター88a、88b、88c、88dと減速機89a、89b、89c、89dにより駆動される。これらを一つのモーターを用いて動かすタイプの装置もあるが、近年は各々の独自のモーターで駆動される4ウェイタイプの装置が多い。また、ボックス87には、ボックス内の空気を循環させる手段として、排気ダクト92、外気取り入れ口93等が配置されている。
ウエーハWとしてシリコンウエーハを研磨する場合、シリコンウエーハの研磨レートは、ウエーハが上下定盤から受ける圧力と、研磨中の温度によって変化するため、平坦度の高いウエーハに加工するためには研磨定盤の形状とウエーハ加工面の温度を一定にする必要がある。このため一般的な両面研磨装置では、ウエーハ研磨面に供給する研磨スラリーの量と温度を一定に制御することで研磨中のウエーハ加工面の温度を一定に保持し、さらに定盤内に設置された冷却ジャケット90に一定温度の冷却水を供給することで加工に伴って発生する研磨熱を除去して定盤の熱変形を防止し、ウエーハが上下定盤から受ける圧力が一定になるようにしている。
近年、ウエーハの平坦度の要求精度が高くなってきている。このように、ウエーハの平坦度の要求精度が高くなると、研磨スラリーによる温度制御や、冷却ジャケットに冷却水を供給することで加工に伴って発生する研磨熱を除去するだけでは不十分であり、特に、加工開始からの数バッチの間において、加工されたウエーハの平坦性の悪化が顕著であり、また、安定性も悪いという問題があった。
さらに、研磨装置の連続稼働中においても、スラリー交換、研磨布ドレッシング等のために定期的に装置に停止時間が生じるため、加工されたウエーハの形状が変化することは避けられなかった。
また、特許文献1のように、予備発熱体を定盤の加工面とは反対側に配置し、装置の運転前に予め定盤を加熱しておき、運転中も加熱することによって定盤温度を一定に保つ両面研磨装置も提案されているが、加熱により定盤温度を一定に保とうとするものであり、得られるウエーハの平坦性、及びその安定性は十分ではなかった。
特開平11−188613号公報
そこで、本発明は、このような問題点に鑑みなされたもので、研磨装置の運転開始からの経過時間や停止の有無にかかわらず、安定した形状のウエーハを製造可能な研磨装置を提供することを目的とする。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、少なくとも、下定盤と、前記下定盤を駆動するためのモーター及び減速機と、少なくとも前記下定盤の加工作用面より下の部分を覆うボックスとを具備し、前記下定盤にウエーハを圧接し、前記下定盤を回転させて前記ウエーハを研磨する研磨装置において、前記ボックス内が、隔壁で複数の領域に分離されており、前記下定盤を駆動するモーターが、前記下定盤が含まれる前記領域とは異なる領域に配置されていることを特徴とする研磨装置を提供する。
このような構成を有する研磨装置において、ボックス内が、隔壁で複数の領域に分離されており、下定盤を駆動するモーターが、下定盤が含まれる領域とは異なる領域に配置されている研磨装置であれば、下定盤を駆動するモーターから発生する熱が下定盤に直接影響するのを抑制するとともに、熱を速やかに装置外へ排出することができ、熱の影響で発生する下定盤形状のわずかな歪みを効果的に防止することができる。その結果、ウエーハを安定した形状で研磨することができる。
この場合、前記ボックス内において、前記下定盤を駆動する減速機が、前記下定盤が含まれる領域とは異なる領域に配置されていることが好ましい。
このように、前記ボックス内において、下定盤を駆動する減速機が、下定盤が含まれる領域とは異なる領域に配置されていれば、下定盤のための減速機から発生する熱についても、下定盤に直接影響するのを抑制するとともに、速やかに装置外へ排することができるので、下定盤のわずかな歪みをより効果的に防止することができる。
また、前記ボックス内の隔壁で分離されたそれぞれの領域は、それぞれ個別に空気の循環手段を具備することが好ましい。
このように、ボックス内の隔壁で分離されたそれぞれの領域が、それぞれ個別に空気の循環手段を具備するものであれば、隔壁で分離されたそれぞれの領域について個別に空気の循環を行うことができ、発熱源から発生した熱をより効率的に装置外へと排出することができる。
また、前記研磨装置は、少なくとも前記下定盤を駆動する減速機に冷却用流体を冷却用流体供給ホースで循環供給して、該減速機を冷却する冷却用流体供給手段を具備するものであり、該冷却用流体供給手段は、前記下定盤が含まれる領域とは異なる領域に配置されていることが好ましい。
このように、研磨装置が少なくとも下定盤を駆動する減速機に冷却用流体を冷却用流体供給ホースで循環供給して、該減速機を冷却する冷却用流体供給手段を具備するものであれば、減速機からの発熱を速やかに除去することができ、また、冷却用流体供給手段が下定盤が含まれる領域とは異なる領域に配置されていれば、冷却用流体供給手段から発生する熱についても下定盤に影響を与えることなく速やかに装置外へ排することができるので、下定盤のわずかな歪みをより効果的に防止することができる。
また、前記研磨装置は、前記ウエーハを保持する研磨ヘッドを具備するものであり、該研磨ヘッドで前記下定盤に前記ウエーハを圧接して研磨するものである研磨装置とすることができる。
このような片面研磨装置であれば、下定盤の形状変化を効果的に抑制してウエーハを研磨することができる片面研磨装置となる。
また、前記研磨装置は、さらに、上定盤と、太陽ギヤと、インターナルギヤと、これらを駆動するそれぞれのモーター及び減速機と、前記ウエーハを保持するウエーハ保持孔を有する複数のキャリアプレートとを具備するものであり、前記キャリアプレートの前記ウエーハ保持孔で前記ウエーハを保持し、該ウエーハを前記下定盤と前記上定盤とで挟持し、前記太陽ギヤ及び前記インターナルギヤを回転させて前記キャリアプレートを自転及び公転させつつ前記下定盤及び上定盤を回転させて前記ウエーハを両面研磨する両面研磨装置とすることができる。
このような両面研磨装置であれば、下定盤の形状変化を効果的に抑制してウエーハを研磨することができる両面研磨装置となる。
この場合、前記上定盤、太陽ギヤ、インターナルギヤを駆動するそれぞれのモーター及び減速機が、前記下定盤が含まれる領域とは異なる領域に配置されていることが好ましい。
このように、上定盤、太陽ギヤ、インターナルギヤを駆動するそれぞれのモーター及び減速機が、下定盤が含まれる領域とは異なる領域に配置されていれば、これらのモーター及び減速機から発生する熱による下定盤形状への影響も防止することができる。
また、前記研磨装置は、前記下定盤、上定盤、太陽ギヤ、インターナルギヤを駆動するそれぞれの減速機に冷却用流体を冷却用流体供給ホースで循環供給して、該それぞれの減速機を冷却する冷却用流体供給手段を具備するものであり、該冷却用流体供給手段は、前記下定盤が含まれる領域とは異なる領域に配置されていることが好ましい。
このように、両面研磨装置が、下定盤、上定盤、太陽ギヤ、インターナルギヤを駆動するそれぞれの減速機に冷却用流体を冷却用流体供給ホースで循環供給して、該それぞれの減速機を冷却する冷却用流体供給手段を具備するものであれば、減速機からの発熱を速やかに除去することができ、また、冷却用流体供給手段が、下定盤が含まれる領域とは異なる領域に配置されていれば、冷却用流体供給手段から発生する熱についても下定盤に影響を与えることなく速やかに装置外へ排することができるので、下定盤のわずかな歪みをより効果的に防止することができる。
また、本発明の研磨装置では、前記隔壁は、鋼板上に発泡ウレタンシートを敷設したものであることが好ましい。
このように、隔壁が、鋼板上に発泡ウレタンシートを敷設したものであれば、強度と断熱性に優れた隔壁とすることができるので、隔壁により分離された領域間の熱の移動をより効果的に抑制することができる。
本発明に係る研磨装置であれば、発熱源から発生する熱が下定盤に直接影響するのを抑制するとともに、熱を速やかに装置外へ排出することができ、熱の影響で発生する下定盤形状のわずかな歪み、特に、研磨装置の運転開始からの経過時間による熱環境の変化による下定盤の形状変化を効果的に防止することができる。その結果、研磨装置の運転開始からの経過時間や停止の有無にかかわらず、ウエーハを安定した形状で研磨することができる。
以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
前述のように、研磨装置を用いて、ウエーハの高い平坦性を、しかも安定して得るためには、研磨スラリーによる温度制御や、冷却ジャケットに冷却水を供給することで加工に伴って発生する研磨熱を除去するだけでは不十分であるという問題があった。
本発明者らがこの問題について調査及び検討したところ、定盤等を駆動するための各種モーターや減速機等から発生する熱の影響による下定盤82の温度上昇が大きく、このような要因による温度上昇を抑制するためには、前述の研磨スラリーによる温度制御や、冷却ジャケットへの冷却水の供給による温度制御では不十分であることを見出した。そして、このような要因により上昇した温度の影響で下定盤82の形状に僅かな変化を生じるため、ウエーハの形状にも影響を及ぼすことになる。
そして、本発明者は、このような問題点を解決するための方策を検討した。そして、定盤等を駆動するための各種モーターや減速機、特に、最大の発熱源となる下定盤を駆動するモーターと、下定盤との間を隔壁で分離することによって、下定盤に伝わる熱を大幅に削減し、装置運転中の下定盤の形状を安定させ、高平坦度のウエーハを、安定して得ることができることに想到し、本発明を完成させた。
以下、添付の図面を参照しつつ、本発明に係る研磨装置について具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、本明細書中における研磨とは、典型的なポリッシングの他に、いわゆる研削やラッピングと呼ばれるような概念も含み、ウエーハを高平坦度に加工することを目的としてウエーハの表面を少しずつ削り取る処理のことを指す。
図1は、本発明に係る研磨装置の一例(第1の態様)として両面研磨装置を示している。
この両面研磨装置11は、主に、回転可能な円盤状の下定盤12と上定盤13と、該上下定盤12、13の間に配置され、ウエーハWを保持するウエーハ保持孔16aを有し、遊星運動をするキャリアプレート16と、そのキャリアプレート16を動かす太陽ギヤ14およびインターナルギヤ15とよりなる。下定盤12、上定盤13、太陽ギヤ14、インターナルギヤ15はそれぞれ、装置本体ボックス17内に設置されたそれぞれの駆動用モーター18a、18b、18c、18dとそれぞれの減速機19a、19b、19c、19dにより駆動される。なお、下定盤12、上定盤13、太陽ギヤ14、インターナルギヤ15のそれぞれの要素のうち2つ以上を、同一のモーターを用いて動かすものであってもよい。なお、研磨の目的によっては、上下定盤のそれぞれの研磨面には研磨布(図示せず)が貼り付けられる。また、定盤の研磨面とは反対側に冷却ジャケット20が装着されていてもよい。また、装置上方を覆う、上部カバー21が配置されていてもよい。
そして、本発明の両面研磨装置11では、ボックス17内に隔壁31a、31bが設けられ、ボックス17内が複数の領域に分離されている。また、少なくとも、下定盤12を駆動するモーター18aが、下定盤12が含まれる領域とは異なる領域に配置されている。また、さらに、下定盤を駆動する減速機19aや、上定盤13、太陽ギヤ14、インターナルギヤ15を駆動するそれぞれのモーター18b、18c、18d及び減速機19b、19c、19dが、下定盤12が含まれる領域とは異なる領域に配置されていてもよい。なお、各モーター及び各減速機については、2つ以上の要素がそれぞれ互いに同一の領域に配置されていても、それぞれ互いに別の領域に配置されていてもよい。図1においては、下定盤12を駆動するモーター18aが配置されている領域(第1の領域)、下定盤を駆動する減速機19a及び上定盤13、太陽ギヤ14、インターナルギヤ15を駆動するそれぞれのモーター18b、18c、18d及び減速機19b、19c、19dが配置されている領域(第2の領域)、下定盤12が含まれる領域(第3の領域)の3つの領域に、隔壁31a、31bにより3分割されている例を示しているが、これに限定されるものではない。
また、通常、両面研磨装置のボックス内には、ボックス内の空気を循環させる手段として、排気ダクト、外気取り入れ口等が配置されている。本発明に係る両面研磨装置11では、ボックス17内が複数の領域に分割されており、それぞれの領域について個別に空気の循環手段を具備するものとすることが好ましい。図1では、第1の領域には外気取り入れ口23a及び排気ダクト22aを、第2の領域には外気取り入れ口23b、送風用ファン24b及び排気ダクト22bを、第3の領域には外気取り入れ口23c、送風用ファン24c及び排気ダクト22cを具備している態様を例示している。なお、外気取り入れ口は、各領域に外気を取り入れることのできる開口であればよく、必ずしも各領域に特別に設けなくてもよい。例えば、図1の23aのように、上部カバー21とボックス17との隙間でもよい。また、上部カバー21内と連通する領域(図1の場合、上記第3の領域は上部カバー21内の領域と、ボックス17とインターナルギヤ15との間の隙間で連通している)であれば、図1の23cのように、上部カバー21に外気取り入れ口を設けることにより、領域内を空気が循環するようにしてもよい。また、排気ダクト22a、22b、22cは、各領域に個別に排気口を有していれば、互いに合流し、集合ダクト25から排気されるものとしてもよい。
このような構成を有する両面研磨装置11を用いてウエーハWの両面研磨を行うには、キャリアプレート16のウエーハ保持孔16aにウエーハWを保持し、上下定盤12、13の間にウエーハWを挟持し、上定盤13側より圧力をかけつつ、ウエーハWと上下定盤12、13を回転させながらその加工面に図示しない研磨スラリー供給手段から研磨スラリーを供給しながら研磨を行う。本発明の両面研磨装置11では、下定盤12を駆動するモーター18aが、下定盤12が含まれる領域とは異なる領域に配置されているため、研磨を行う際に、下定盤12を駆動するモーター18aから発生する熱を、下定盤に影響を与えることなく速やかに両面研磨装置11の外へ排出することができ、熱の影響で発生する下定盤12の形状のわずかな歪み、特に、研磨装置の運転開始からの経過時間による熱環境の変化による下定盤12の形状変化を効果的に防止することができる。その結果、ウエーハWを安定した形状で研磨することができる。特に、研磨装置の運転開始からの経過時間や停止の有無にかかわらず、ウエーハWを安定した形状で研磨することができる。
また、上述のように、下定盤を駆動する減速機19aや、上定盤13、太陽ギヤ14、インターナルギヤ15を駆動するそれぞれのモーター18b、18c、18d及び減速機19b、19c、19dが、下定盤12が含まれる領域とは異なる領域に配置されていれば、これらから発生する熱に関しても同様に下定盤に影響を与えることなく両面研磨装置11の外へ排出することができる。
また、上述のように、排気ダクト、外気取り入れ口、送風用ファン(またはブロワー)等の空気の循環手段が、ボックス内の隔壁で分離されたそれぞれの領域に、それぞれ個別に具備されていれば、隔壁で分離されたそれぞれの領域について個別に空気の循環を行うことができ、それぞれの領域において個別の温度管理を行うことができ、上記各発熱源から発生した熱をより効率的に装置外へと排出することができる。
また、図2は、本発明に係る両面研磨装置11の要部を上方から透視して模式的に示す装置図である。図2に示したように、下定盤12、上定盤13、太陽ギヤ14、インターナルギヤ15(それぞれ図1参照)を駆動するそれぞれの減速機19a、19b、19c、19dに、冷却用流体を冷却用流体供給ホース43で循環供給して、各減速機を冷却する冷却用流体供給手段42を具備するものとすることが望ましい。このように冷却用流体供給手段42によって各減速機を速やかに除熱することにより、より効率的に発熱を排出することができる。
ただし、冷却用流体供給手段42は、一般にモーターやポンプ等を内部に有し、発熱源となるため、前述の各発熱源の場合と同様の理由により、冷却用流体供給手段42は、下定盤12が含まれる領域とは異なる領域に配置されていることが好ましい。
なお、隔壁31a、31bの材質は特に限定されないが、鋼板上にウレタンシートを敷設したものであれば、安価な材料で、強度と、高い断熱性を併せ持つ隔壁とすることができ、分離された領域間の熱の移動をより効果的に抑制することができるので好ましい。
図3は本発明に係る研磨装置の別の一例(第2の態様)として片面研磨装置を示している。
この片面研磨装置61は、主に、回転可能な円盤状の下定盤12と、ウエーハWを保持し、回転可能な研磨ヘッド63とからなる。下定盤12は、装置本体ボックス17内に設置された駆動用モーター18aと減速機19aにより駆動される。なお、研磨の目的によっては、下定盤12の研磨面には研磨布(図示せず)が貼り付けられる。また、下定盤12の研磨面とは反対側に冷却ジャケット20が装着されていてもよい。また、装置上方を覆う、上部カバー21が配置されていてもよい。
そして、本発明の片面研磨装置61では、隔壁が設けられ、ボックス17が複数の領域に分離され、少なくとも、下定盤12を駆動するモーター18aが、下定盤12が含まれる領域とは異なる領域に配置されている。図3においては、下定盤12を駆動するモーター18aが配置されている領域(第1の領域)と、下定盤を駆動する減速機19aが配置され、下定盤12が含まれている領域(第2の領域)の2つの領域に、隔壁31aにより2分割されている例を示しているが、これに限定されるものではない。さらに隔壁を設けて、下定盤を駆動する減速機19aが、下定盤12が含まれる領域とは異なる領域に配置されていてもよい。
その他、前述した両面研磨装置の場合と同様に、隔壁によって分離されたそれぞれの領域に、それぞれ個別の空気を循環させる手段が配置されていてもよい。図3には、第1の領域において外気取り入れ口23a及び排気ダクト22aを、第2の領域において外気取り入れ口23b、送風用ファン24b及び排気ダクト22bを具備する態様を例示している。また、外気取り入れ口は、各領域に外気を取り入れることのできる開口であればよい。また、それぞれの排気ダクトは合流し、集合ダクト25で全体を排気するものとしてもよい。また、減速機19aに冷却用流体を冷却用流体供給ホースで供給する冷却用流体供給手段を具備してもよく、この場合、冷却用流体供給手段は、下定盤12とは異なる領域に配置されることが好ましい。
このような構成を有する片面研磨装置61を用いてウエーハWの片面研磨を行うには、研磨ヘッド63にワックス貼着や真空吸着など種々の公知な保持方法でウエーハWを保持し、研磨ヘッド63側より圧力をかけつつ、ウエーハWと研磨ヘッド63と下定盤12とを回転させながらその加工面に研磨スラリーを供給しながら研磨を行う。本発明の片面研磨装置61では、下定盤12を駆動するモーター18aが、下定盤12が含まれる領域とは異なる領域に配置されているため、前述の両面研磨装置の場合と同様に、研磨を行う際に、下定盤12を駆動するモーター18aから発生する熱を、下定盤に影響を与えることなく速やかに片面研磨装置61の外へ排出することができ、熱の影響で発生する下定盤12の形状のわずかな歪みを効果的に防止することができる。その結果、ウエーハWを安定した形状で研磨することができる。
以下、本発明の実施例及び比較例について説明する。
(実施例1)
図1に示したような構成を有する本発明の両面研磨装置11を用いて、下定盤12、上定盤13、太陽ギヤ14、インターナルギヤ15を無負荷状態で3時間回転させ(ウエーハWをセットせず、実際のウエーハの研磨を行わない)、装置運転前および装置運転後の下定盤12の表面形状を測定し、各モーター及び各減速機の発熱による下定盤12の変形状態の測定を行った。なお、下定盤12及び上定盤13のサイズは共に外径1420mm、内径430mmであり、運転条件は、下定盤回転数50rpm、上定盤回転数は下定盤とは反対方向に30rpm、太陽ギヤ回転数35rpm、インターナルギヤ回転数3rpmとした。
なお、下定盤の変形状態の測定は、触針式の表面形状測定器で行った。
その結果、装置停止時の下定盤形状は凹1μm(下定盤の外周端と中央付近の最下点との差が1μm)であり、装置運転3時間後の形状は凹2.6μmであった。
(比較例1)
図4に示したような従来の両面研磨装置81を用いて実施例1と同様に無付加状態で運転を行い、下定盤の表面形状の変化を測定した。
その結果、装置停止時の下定盤形状凹1μmに対して、装置運転3時間後の形状は凹11μmと、10μm変化した。また装置運転停止後1時間後に行った測定では、凹3μmと、装置停止状態の形状に戻る傾向が見られた。
以上の結果より、装置運転による下定盤形状の変化量は、従来装置の10μmに対して、本発明の装置は1.6μmであり、本発明による下定盤形状の安定性が明らかとなった。
(実施例2)
図1に示したような本発明の両面研磨装置11を用いて、実際にラッピング済みシリコン単結晶ウエーハの両面ポリッシングを行った。なお、下定盤12及び上定盤13のサイズは共に外径1420mm、内径430mmである。1個につき1つのウエーハ保持孔16aを有するキャリアプレート16を1バッチにつき5個用いて、1バッチに5枚の直径300mmシリコン単結晶ウエーハを研磨した。研磨布、研磨スラリーは通常のものを用いた。研磨条件は、研磨荷重100g/cm、下定盤回転数50rpm、上定盤回転数を下定盤と反対向きに30rpm、太陽ギヤ回転数35rpm、インターナルギヤ回転数3rpmとし、1バッチの研磨時間は30分とした。
装置を12時間以上停止させた状態から研磨をして、研磨バッチの進行によるウエーハ形状の変化を比較した。
その結果、1バッチ目から5バッチ目まで連続してフラットな形状であり、GBIR(global backside ideal range;ウエーハ裏面を平面に矯正した状態で、ウエーハ面内に1つの基準面を持ち、この基準面に対する最大、最小の位置変位の差であり、ウエーハの平坦性を示す指標となる)は0.1μmとなった。
本発明の両面研磨装置11では、強力な発熱源となる下定盤用モーター18aが、隔壁31aにより、下定盤12が含まれる領域と隔離されているため、熱の影響による下定盤12の形状変化が抑えられ、ウエーハの平坦性が安定して得られたものと考えられる。
(比較例2)
図4に示したような従来の両面研磨装置81を用いる以外は実施例2と同じ条件で実際にウエーハWの両面研磨を行った。なお、キャリアプレートは実施例2で使用したものと同一のものを使用した。
その結果、1バッチ目は凸形状でGBIRは1μm、2バッチ目は凸形状でGBIRは0.2μm、3バッチ目は凹形状でGBIRは0.2μm、4バッチ目は凹形状でGBIRは0.4μm、5バッチ目は凹形状でGBIRは0.5μmとなった。
従来の両面研磨装置81では、下定盤用モーター18a等から発生する熱による影響で、下定盤82の形状がわずかに変化し、ウエーハの平坦性が安定しないものとなったと考えられる。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
本発明に係る研磨装置の第1の態様の要部を模式的に示す断面図である。 本発明に係る研磨装置の第1の態様の要部を上方から透視して模式的に示す装置図である。 本発明に係る研磨装置の第2の態様の要部を模式的に示す断面図である。 従来の両面研磨装置の一例の要部を模式的に示す断面図である。
符号の説明
11…両面研磨装置、 12…下定盤、 13…上定盤、 14…太陽ギヤ、
15…インターナルギヤ、 16…キャリアプレート、
16a…ウエーハ保持孔、 17…ボックス、
18a…下定盤用モーター、 18b…上定盤用モーター、
18c…太陽ギヤ用モーター、 18d…インターナルギヤ用モーター、
19a…下定盤用減速機、 19b…上定盤用減速機、
19c…太陽ギヤ用減速機、 19d…インターナルギヤ用減速機、
20…冷却ジャケット、 21…上部カバー、
22a、22b、22c…排気ダクト、
23a、23b、23c…外気取り入れ口(隙間)、
24b、24c…送風用ファン、 25…集合ダクト、 31a、31b…隔壁、
42…冷却用流体供給手段、 43…冷却用流体供給ホース、
61…片面研磨装置、 63…研磨ヘッド、
81…両面研磨装置、 82…下定盤、 83…上定盤、 84…太陽ギヤ、
85…インターナルギヤ、 86…キャリアプレート、
86a…ウエーハ保持孔、 87…ボックス、
88a…下定盤用モーター、 88b…上定盤用モーター、
88c…太陽ギヤ用モーター、 88d…インターナルギヤ用モーター、
89a…下定盤用減速機、 89b…上定盤用減速機、
89c…太陽ギヤ用減速機、 89d…インターナルギヤ用減速機、
90…冷却ジャケット、 91…上部カバー、
92…排気ダクト、 93…外気取り入れ口、
W…ウエーハ。

Claims (8)

  1. 少なくとも、下定盤と、前記下定盤を駆動するためのモーター及び減速機と、少なくとも前記下定盤の加工作用面より下の部分を覆うボックスとを具備し、前記下定盤にウエーハを圧接し、前記下定盤を回転させて前記ウエーハを研磨する研磨装置において、
    前記ボックス内が、隔壁で複数の領域に分離されており、前記下定盤を駆動するモーターが、前記下定盤が含まれる前記領域とは異なる領域に配置されており、前記ボックス内の隔壁で分離されたそれぞれの領域は、それぞれ個別に空気の循環手段を具備することを特徴とする研磨装置。
  2. 前記ボックス内において、前記下定盤を駆動する減速機が、前記下定盤が含まれる領域とは異なる領域に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。
  3. 前記研磨装置は、少なくとも前記下定盤を駆動する減速機に冷却用流体を冷却用流体供給ホースで循環供給して、該減速機を冷却する冷却用流体供給手段を具備するものであり、該冷却用流体供給手段は、前記下定盤が含まれる領域とは異なる領域に配置されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の研磨装置。
  4. 前記研磨装置は、前記ウエーハを保持する研磨ヘッドを具備するものであり、該研磨ヘッドで前記下定盤に前記ウエーハを圧接して研磨するものであることを特徴とする請求項1ないし請求項のいずれか一項に記載の研磨装置。
  5. 前記研磨装置は、さらに、上定盤と、太陽ギヤと、インターナルギヤと、これらを駆動するそれぞれのモーター及び減速機と、前記ウエーハを保持するウエーハ保持孔を有する複数のキャリアプレートとを具備するものであり、前記キャリアプレートの前記ウエーハ保持孔で前記ウエーハを保持し、該ウエーハを前記下定盤と前記上定盤とで挟持し、前記太陽ギヤ及び前記インターナルギヤを回転させて前記キャリアプレートを自転及び公転させつつ前記下定盤及び上定盤を回転させて前記ウエーハを両面研磨する両面研磨装置であることを特徴とする請求項1ないし請求項のいずれか一項に記載の研磨装置。
  6. 前記上定盤、太陽ギヤ、インターナルギヤを駆動するそれぞれのモーター及び減速機が、前記下定盤が含まれる領域とは異なる領域に配置されていることを特徴とする請求項に記載の研磨装置。
  7. 前記研磨装置は、前記下定盤、上定盤、太陽ギヤ、インターナルギヤを駆動するそれぞれの減速機に冷却用流体を冷却用流体供給ホースで循環供給して、該それぞれの減速機を冷却する冷却用流体供給手段を具備するものであり、該冷却用流体供給手段は、前記下定盤が含まれる領域とは異なる領域に配置されていることを特徴とする請求項または請求項に記載の研磨装置。
  8. 前記隔壁は、鋼板上に発泡ウレタンシートを敷設したものであることを特徴とする請求項1ないし請求項のいずれか一項に記載の研磨装置。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5671735B2 (ja) * 2011-01-18 2015-02-18 不二越機械工業株式会社 両面研磨装置
JP6180875B2 (ja) * 2013-10-02 2017-08-16 株式会社荏原製作所 排気流量制御装置及びこれを備えた基板処理装置
KR101572103B1 (ko) * 2014-09-11 2015-12-04 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 연마 장치
KR101759877B1 (ko) * 2015-12-24 2017-07-20 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 연마챔버 및 이를 포함하는 웨이퍼 연마시스템
JP6323515B2 (ja) * 2016-08-31 2018-05-16 株式会社Sumco 半導体ウェーハのラッピング方法および半導体ウェーハ
CN106312782A (zh) * 2016-11-21 2017-01-11 天津时代创业科技有限公司 一种抛光平台控制***及控制方法
TWI821887B (zh) * 2016-11-29 2023-11-11 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
CN108942581A (zh) * 2018-07-20 2018-12-07 芜湖清柏白露智能信息科技有限公司 一种便于清理废屑的木板抛光装置
CN111055177A (zh) * 2019-12-31 2020-04-24 张子辉 一种用于铁质板材加工的稳定型表面处理设备
CN113001285A (zh) * 2021-03-02 2021-06-22 刘雪峰 一种用于铁质板材加工的打磨设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6188906A (ja) * 1984-10-05 1986-05-07 Sumitomo Metal Ind Ltd ロ−ル研削方法
JPH01107927A (ja) * 1987-10-19 1989-04-25 Sanden Corp 穴付き積層板の製造方法
JPH05237761A (ja) * 1992-02-28 1993-09-17 Shin Etsu Handotai Co Ltd 研磨機の除熱方法
JP2000033556A (ja) * 1998-07-17 2000-02-02 Super Silicon Kenkyusho:Kk 平面ラップ/ポリッシュ盤
JP2000127033A (ja) * 1998-10-27 2000-05-09 Speedfam-Ipec Co Ltd 研磨装置
JP2000218515A (ja) * 1999-02-04 2000-08-08 Speedfam-Ipec Co Ltd 研磨加工機

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2953943B2 (ja) 1994-02-28 1999-09-27 日立造船株式会社 表面仕上げ装置付き両面研磨機
DE19544328B4 (de) * 1994-11-29 2014-03-20 Ebara Corp. Poliervorrichtung
JPH11188613A (ja) 1997-12-25 1999-07-13 Speedfam Co Ltd 高平坦度材料製造装置及びその温度制御方法
JP3953682B2 (ja) * 1999-06-02 2007-08-08 株式会社荏原製作所 ウエハ洗浄装置
KR100574140B1 (ko) 1999-07-02 2006-04-25 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 제조 설비, 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법
US6616512B2 (en) * 2000-07-28 2003-09-09 Ebara Corporation Substrate cleaning apparatus and substrate polishing apparatus with substrate cleaning apparatus
JP4553335B2 (ja) 2000-10-11 2010-09-29 キヤノン株式会社 移動体通信システム及びその制御方法
JP4564202B2 (ja) 2001-05-07 2010-10-20 高松機械工業株式会社 工作機械
JP2003133274A (ja) 2001-10-22 2003-05-09 Ebara Corp 研磨装置
TWI228768B (en) * 2002-08-08 2005-03-01 Jsr Corp Processing method of polishing pad for semiconductor wafer and polishing pad for semiconductor wafer

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6188906A (ja) * 1984-10-05 1986-05-07 Sumitomo Metal Ind Ltd ロ−ル研削方法
JPH01107927A (ja) * 1987-10-19 1989-04-25 Sanden Corp 穴付き積層板の製造方法
JPH05237761A (ja) * 1992-02-28 1993-09-17 Shin Etsu Handotai Co Ltd 研磨機の除熱方法
JP2000033556A (ja) * 1998-07-17 2000-02-02 Super Silicon Kenkyusho:Kk 平面ラップ/ポリッシュ盤
JP2000127033A (ja) * 1998-10-27 2000-05-09 Speedfam-Ipec Co Ltd 研磨装置
JP2000218515A (ja) * 1999-02-04 2000-08-08 Speedfam-Ipec Co Ltd 研磨加工機

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