JP4654209B2 - 研磨装置 - Google Patents
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Description
これらの研削処理、ラッピング処理、ポリッシング処理等を行う高平坦度表面加工には、研磨ヘッドで下定盤にウエーハを押しつけて研磨スラリーを供給しながら研磨する片面研磨装置や、上下の定盤で円板状ウエーハを挟み研磨スラリーを供給しながら両面を同時に研磨する両面研磨装置が使用されている。
このように、前記ボックス内において、下定盤を駆動する減速機が、下定盤が含まれる領域とは異なる領域に配置されていれば、下定盤のための減速機から発生する熱についても、下定盤に直接影響するのを抑制するとともに、速やかに装置外へ排することができるので、下定盤のわずかな歪みをより効果的に防止することができる。
このように、ボックス内の隔壁で分離されたそれぞれの領域が、それぞれ個別に空気の循環手段を具備するものであれば、隔壁で分離されたそれぞれの領域について個別に空気の循環を行うことができ、発熱源から発生した熱をより効率的に装置外へと排出することができる。
このように、研磨装置が少なくとも下定盤を駆動する減速機に冷却用流体を冷却用流体供給ホースで循環供給して、該減速機を冷却する冷却用流体供給手段を具備するものであれば、減速機からの発熱を速やかに除去することができ、また、冷却用流体供給手段が下定盤が含まれる領域とは異なる領域に配置されていれば、冷却用流体供給手段から発生する熱についても下定盤に影響を与えることなく速やかに装置外へ排することができるので、下定盤のわずかな歪みをより効果的に防止することができる。
このような片面研磨装置であれば、下定盤の形状変化を効果的に抑制してウエーハを研磨することができる片面研磨装置となる。
このような両面研磨装置であれば、下定盤の形状変化を効果的に抑制してウエーハを研磨することができる両面研磨装置となる。
このように、上定盤、太陽ギヤ、インターナルギヤを駆動するそれぞれのモーター及び減速機が、下定盤が含まれる領域とは異なる領域に配置されていれば、これらのモーター及び減速機から発生する熱による下定盤形状への影響も防止することができる。
このように、両面研磨装置が、下定盤、上定盤、太陽ギヤ、インターナルギヤを駆動するそれぞれの減速機に冷却用流体を冷却用流体供給ホースで循環供給して、該それぞれの減速機を冷却する冷却用流体供給手段を具備するものであれば、減速機からの発熱を速やかに除去することができ、また、冷却用流体供給手段が、下定盤が含まれる領域とは異なる領域に配置されていれば、冷却用流体供給手段から発生する熱についても下定盤に影響を与えることなく速やかに装置外へ排することができるので、下定盤のわずかな歪みをより効果的に防止することができる。
このように、隔壁が、鋼板上に発泡ウレタンシートを敷設したものであれば、強度と断熱性に優れた隔壁とすることができるので、隔壁により分離された領域間の熱の移動をより効果的に抑制することができる。
前述のように、研磨装置を用いて、ウエーハの高い平坦性を、しかも安定して得るためには、研磨スラリーによる温度制御や、冷却ジャケットに冷却水を供給することで加工に伴って発生する研磨熱を除去するだけでは不十分であるという問題があった。
この両面研磨装置11は、主に、回転可能な円盤状の下定盤12と上定盤13と、該上下定盤12、13の間に配置され、ウエーハWを保持するウエーハ保持孔16aを有し、遊星運動をするキャリアプレート16と、そのキャリアプレート16を動かす太陽ギヤ14およびインターナルギヤ15とよりなる。下定盤12、上定盤13、太陽ギヤ14、インターナルギヤ15はそれぞれ、装置本体ボックス17内に設置されたそれぞれの駆動用モーター18a、18b、18c、18dとそれぞれの減速機19a、19b、19c、19dにより駆動される。なお、下定盤12、上定盤13、太陽ギヤ14、インターナルギヤ15のそれぞれの要素のうち2つ以上を、同一のモーターを用いて動かすものであってもよい。なお、研磨の目的によっては、上下定盤のそれぞれの研磨面には研磨布(図示せず)が貼り付けられる。また、定盤の研磨面とは反対側に冷却ジャケット20が装着されていてもよい。また、装置上方を覆う、上部カバー21が配置されていてもよい。
また、上述のように、排気ダクト、外気取り入れ口、送風用ファン(またはブロワー)等の空気の循環手段が、ボックス内の隔壁で分離されたそれぞれの領域に、それぞれ個別に具備されていれば、隔壁で分離されたそれぞれの領域について個別に空気の循環を行うことができ、それぞれの領域において個別の温度管理を行うことができ、上記各発熱源から発生した熱をより効率的に装置外へと排出することができる。
ただし、冷却用流体供給手段42は、一般にモーターやポンプ等を内部に有し、発熱源となるため、前述の各発熱源の場合と同様の理由により、冷却用流体供給手段42は、下定盤12が含まれる領域とは異なる領域に配置されていることが好ましい。
この片面研磨装置61は、主に、回転可能な円盤状の下定盤12と、ウエーハWを保持し、回転可能な研磨ヘッド63とからなる。下定盤12は、装置本体ボックス17内に設置された駆動用モーター18aと減速機19aにより駆動される。なお、研磨の目的によっては、下定盤12の研磨面には研磨布(図示せず)が貼り付けられる。また、下定盤12の研磨面とは反対側に冷却ジャケット20が装着されていてもよい。また、装置上方を覆う、上部カバー21が配置されていてもよい。
(実施例1)
図1に示したような構成を有する本発明の両面研磨装置11を用いて、下定盤12、上定盤13、太陽ギヤ14、インターナルギヤ15を無負荷状態で3時間回転させ(ウエーハWをセットせず、実際のウエーハの研磨を行わない)、装置運転前および装置運転後の下定盤12の表面形状を測定し、各モーター及び各減速機の発熱による下定盤12の変形状態の測定を行った。なお、下定盤12及び上定盤13のサイズは共に外径1420mm、内径430mmであり、運転条件は、下定盤回転数50rpm、上定盤回転数は下定盤とは反対方向に30rpm、太陽ギヤ回転数35rpm、インターナルギヤ回転数3rpmとした。
なお、下定盤の変形状態の測定は、触針式の表面形状測定器で行った。
その結果、装置停止時の下定盤形状は凹1μm(下定盤の外周端と中央付近の最下点との差が1μm)であり、装置運転3時間後の形状は凹2.6μmであった。
図4に示したような従来の両面研磨装置81を用いて実施例1と同様に無付加状態で運転を行い、下定盤の表面形状の変化を測定した。
その結果、装置停止時の下定盤形状凹1μmに対して、装置運転3時間後の形状は凹11μmと、10μm変化した。また装置運転停止後1時間後に行った測定では、凹3μmと、装置停止状態の形状に戻る傾向が見られた。
図1に示したような本発明の両面研磨装置11を用いて、実際にラッピング済みシリコン単結晶ウエーハの両面ポリッシングを行った。なお、下定盤12及び上定盤13のサイズは共に外径1420mm、内径430mmである。1個につき1つのウエーハ保持孔16aを有するキャリアプレート16を1バッチにつき5個用いて、1バッチに5枚の直径300mmシリコン単結晶ウエーハを研磨した。研磨布、研磨スラリーは通常のものを用いた。研磨条件は、研磨荷重100g/cm2、下定盤回転数50rpm、上定盤回転数を下定盤と反対向きに30rpm、太陽ギヤ回転数35rpm、インターナルギヤ回転数3rpmとし、1バッチの研磨時間は30分とした。
装置を12時間以上停止させた状態から研磨をして、研磨バッチの進行によるウエーハ形状の変化を比較した。
本発明の両面研磨装置11では、強力な発熱源となる下定盤用モーター18aが、隔壁31aにより、下定盤12が含まれる領域と隔離されているため、熱の影響による下定盤12の形状変化が抑えられ、ウエーハの平坦性が安定して得られたものと考えられる。
図4に示したような従来の両面研磨装置81を用いる以外は実施例2と同じ条件で実際にウエーハWの両面研磨を行った。なお、キャリアプレートは実施例2で使用したものと同一のものを使用した。
従来の両面研磨装置81では、下定盤用モーター18a等から発生する熱による影響で、下定盤82の形状がわずかに変化し、ウエーハの平坦性が安定しないものとなったと考えられる。
15…インターナルギヤ、 16…キャリアプレート、
16a…ウエーハ保持孔、 17…ボックス、
18a…下定盤用モーター、 18b…上定盤用モーター、
18c…太陽ギヤ用モーター、 18d…インターナルギヤ用モーター、
19a…下定盤用減速機、 19b…上定盤用減速機、
19c…太陽ギヤ用減速機、 19d…インターナルギヤ用減速機、
20…冷却ジャケット、 21…上部カバー、
22a、22b、22c…排気ダクト、
23a、23b、23c…外気取り入れ口(隙間)、
24b、24c…送風用ファン、 25…集合ダクト、 31a、31b…隔壁、
42…冷却用流体供給手段、 43…冷却用流体供給ホース、
61…片面研磨装置、 63…研磨ヘッド、
81…両面研磨装置、 82…下定盤、 83…上定盤、 84…太陽ギヤ、
85…インターナルギヤ、 86…キャリアプレート、
86a…ウエーハ保持孔、 87…ボックス、
88a…下定盤用モーター、 88b…上定盤用モーター、
88c…太陽ギヤ用モーター、 88d…インターナルギヤ用モーター、
89a…下定盤用減速機、 89b…上定盤用減速機、
89c…太陽ギヤ用減速機、 89d…インターナルギヤ用減速機、
90…冷却ジャケット、 91…上部カバー、
92…排気ダクト、 93…外気取り入れ口、
W…ウエーハ。
Claims (8)
- 少なくとも、下定盤と、前記下定盤を駆動するためのモーター及び減速機と、少なくとも前記下定盤の加工作用面より下の部分を覆うボックスとを具備し、前記下定盤にウエーハを圧接し、前記下定盤を回転させて前記ウエーハを研磨する研磨装置において、
前記ボックス内が、隔壁で複数の領域に分離されており、前記下定盤を駆動するモーターが、前記下定盤が含まれる前記領域とは異なる領域に配置されており、前記ボックス内の隔壁で分離されたそれぞれの領域は、それぞれ個別に空気の循環手段を具備することを特徴とする研磨装置。 - 前記ボックス内において、前記下定盤を駆動する減速機が、前記下定盤が含まれる領域とは異なる領域に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。
- 前記研磨装置は、少なくとも前記下定盤を駆動する減速機に冷却用流体を冷却用流体供給ホースで循環供給して、該減速機を冷却する冷却用流体供給手段を具備するものであり、該冷却用流体供給手段は、前記下定盤が含まれる領域とは異なる領域に配置されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の研磨装置。
- 前記研磨装置は、前記ウエーハを保持する研磨ヘッドを具備するものであり、該研磨ヘッドで前記下定盤に前記ウエーハを圧接して研磨するものであることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の研磨装置。
- 前記研磨装置は、さらに、上定盤と、太陽ギヤと、インターナルギヤと、これらを駆動するそれぞれのモーター及び減速機と、前記ウエーハを保持するウエーハ保持孔を有する複数のキャリアプレートとを具備するものであり、前記キャリアプレートの前記ウエーハ保持孔で前記ウエーハを保持し、該ウエーハを前記下定盤と前記上定盤とで挟持し、前記太陽ギヤ及び前記インターナルギヤを回転させて前記キャリアプレートを自転及び公転させつつ前記下定盤及び上定盤を回転させて前記ウエーハを両面研磨する両面研磨装置であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の研磨装置。
- 前記上定盤、太陽ギヤ、インターナルギヤを駆動するそれぞれのモーター及び減速機が、前記下定盤が含まれる領域とは異なる領域に配置されていることを特徴とする請求項5に記載の研磨装置。
- 前記研磨装置は、前記下定盤、上定盤、太陽ギヤ、インターナルギヤを駆動するそれぞれの減速機に冷却用流体を冷却用流体供給ホースで循環供給して、該それぞれの減速機を冷却する冷却用流体供給手段を具備するものであり、該冷却用流体供給手段は、前記下定盤が含まれる領域とは異なる領域に配置されていることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の研磨装置。
- 前記隔壁は、鋼板上に発泡ウレタンシートを敷設したものであることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載の研磨装置。
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Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5671735B2 (ja) * | 2011-01-18 | 2015-02-18 | 不二越機械工業株式会社 | 両面研磨装置 |
JP6180875B2 (ja) * | 2013-10-02 | 2017-08-16 | 株式会社荏原製作所 | 排気流量制御装置及びこれを備えた基板処理装置 |
KR101572103B1 (ko) * | 2014-09-11 | 2015-12-04 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 연마 장치 |
KR101759877B1 (ko) * | 2015-12-24 | 2017-07-20 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 연마챔버 및 이를 포함하는 웨이퍼 연마시스템 |
JP6323515B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2018-05-16 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハのラッピング方法および半導体ウェーハ |
CN106312782A (zh) * | 2016-11-21 | 2017-01-11 | 天津时代创业科技有限公司 | 一种抛光平台控制***及控制方法 |
TWI821887B (zh) * | 2016-11-29 | 2023-11-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體 |
CN108942581A (zh) * | 2018-07-20 | 2018-12-07 | 芜湖清柏白露智能信息科技有限公司 | 一种便于清理废屑的木板抛光装置 |
CN111055177A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-24 | 张子辉 | 一种用于铁质板材加工的稳定型表面处理设备 |
CN113001285A (zh) * | 2021-03-02 | 2021-06-22 | 刘雪峰 | 一种用于铁质板材加工的打磨设备 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6188906A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-07 | Sumitomo Metal Ind Ltd | ロ−ル研削方法 |
JPH01107927A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-25 | Sanden Corp | 穴付き積層板の製造方法 |
JPH05237761A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 研磨機の除熱方法 |
JP2000033556A (ja) * | 1998-07-17 | 2000-02-02 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 平面ラップ/ポリッシュ盤 |
JP2000127033A (ja) * | 1998-10-27 | 2000-05-09 | Speedfam-Ipec Co Ltd | 研磨装置 |
JP2000218515A (ja) * | 1999-02-04 | 2000-08-08 | Speedfam-Ipec Co Ltd | 研磨加工機 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2953943B2 (ja) | 1994-02-28 | 1999-09-27 | 日立造船株式会社 | 表面仕上げ装置付き両面研磨機 |
DE19544328B4 (de) * | 1994-11-29 | 2014-03-20 | Ebara Corp. | Poliervorrichtung |
JPH11188613A (ja) | 1997-12-25 | 1999-07-13 | Speedfam Co Ltd | 高平坦度材料製造装置及びその温度制御方法 |
JP3953682B2 (ja) * | 1999-06-02 | 2007-08-08 | 株式会社荏原製作所 | ウエハ洗浄装置 |
KR100574140B1 (ko) | 1999-07-02 | 2006-04-25 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 반도체 제조 설비, 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법 |
US6616512B2 (en) * | 2000-07-28 | 2003-09-09 | Ebara Corporation | Substrate cleaning apparatus and substrate polishing apparatus with substrate cleaning apparatus |
JP4553335B2 (ja) | 2000-10-11 | 2010-09-29 | キヤノン株式会社 | 移動体通信システム及びその制御方法 |
JP4564202B2 (ja) | 2001-05-07 | 2010-10-20 | 高松機械工業株式会社 | 工作機械 |
JP2003133274A (ja) | 2001-10-22 | 2003-05-09 | Ebara Corp | 研磨装置 |
TWI228768B (en) * | 2002-08-08 | 2005-03-01 | Jsr Corp | Processing method of polishing pad for semiconductor wafer and polishing pad for semiconductor wafer |
-
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- 2008-02-04 TW TW097104271A patent/TWI385051B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6188906A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-07 | Sumitomo Metal Ind Ltd | ロ−ル研削方法 |
JPH01107927A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-25 | Sanden Corp | 穴付き積層板の製造方法 |
JPH05237761A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 研磨機の除熱方法 |
JP2000033556A (ja) * | 1998-07-17 | 2000-02-02 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 平面ラップ/ポリッシュ盤 |
JP2000127033A (ja) * | 1998-10-27 | 2000-05-09 | Speedfam-Ipec Co Ltd | 研磨装置 |
JP2000218515A (ja) * | 1999-02-04 | 2000-08-08 | Speedfam-Ipec Co Ltd | 研磨加工機 |
Also Published As
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