TWI379433B - Semiconductor light emitting device - Google Patents

Semiconductor light emitting device Download PDF

Info

Publication number
TWI379433B
TWI379433B TW094123617A TW94123617A TWI379433B TW I379433 B TWI379433 B TW I379433B TW 094123617 A TW094123617 A TW 094123617A TW 94123617 A TW94123617 A TW 94123617A TW I379433 B TWI379433 B TW I379433B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
semiconductor light
light
transparent
electrode
emitting
Prior art date
Application number
TW094123617A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200610198A (en
Inventor
Hirokazu Asahara
Mitsuhiko Sakai
Masayuki Sonobe
Toshio Nishida
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Publication of TW200610198A publication Critical patent/TW200610198A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI379433B publication Critical patent/TWI379433B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

1379433 Λ .' i 九、發明說明： • 【發明所屬之技術領域】 : 本發明係關於一種氮化鎵系發光二極體等半導體發光元 • 件。 【先前技術】 藍色發光二極體元件之構成為如下：例如，於藍寶石基 板表面形成InGaN半導體發光部，進而於該1〇〇^半導體發 光。P之P側以及N側分別形成電極（參照日本專利第3009095 鲁號公報）。然而，由於藍寶石基板係絕緣性，因此独⑽ 半導體發光部侧形成P側以側之兩個電極，並且必須自 該等電極取出導線。因此，來自InGaN半導體發光部之光藉 由電極等被遮光’光之取出效率較差。 該問題係可藉由採用下述覆晶型構成而得以改善：使 InGaN半導體發光部對向接合於安裝基板，並且自藍寶石基 板側取出光（參照日本專利特開2〇〇3_224297號公報）。 ^ 覆晶型發光二極體元件成為下述構成：將藍寶石基板之 一側表面作為光取出面，將他側表面作為元件形成面，於 該元件形成面形成InGaN半導體發光部^ InGaN半導體發光 • 部具有下述構成：藉由N型GaN接觸層以及P型GaN接觸 . 層，夾住InGaN活性層8例如，N型GaN接觸層配置於藍寶 石基板側，P型GaN接觸層配置於安裝基板側。於該情形 時，於P型GaN接觸層表面形成？側電極膜。则則電極膜，其 * 被覆固定形成於去除P型GaN接觸層以及InGaN活性層之一 部分而露出的N型GaN接觸層中。 103360.doc 1379433 % . · 根據該構成，於半導體發光部中， Α 於第二接觸層表面形 成有透明電極’進而自半導體發光部角度4， 背後配置有金肩反射膜。藉由該構成，因可於金屬 將自半導體發光部透過透明電極 &、 、 ^ . 电棧之先朝向半導體發光部側 反射，故而可獲得良好之光取出效率。 並且’由於透明電極大致霜甚笛-社加。 復盍第一接觸層之全部區域， 因此金屬反射膜無需歐姆接觸於半 卞苧媸發先部，從而選擇 〆、材料之自由度較高。藉此，可選古 进擇回反射率之材料進一 步提高光取出效率’可選擇便宜之材料降低成本。 所謂"對於發光波長為透明"，盆 处n 异具體是指例如、發光波 長之透過率超過60%以上之情形。 上述半導體裝置，其對於上述半導體發光部之發光波長 為透明’將-側表面作為用以自上述半導體發光部發出之 光取出至外部的光取出面，將他側表面作為用以形成上述 半導體發光部之元件形成面，該元件形成面亦可進而含有 對向於上述第一接觸層之透明基板。 .作為透明基板’較好的是藍寶石基板，另外亦可使用 SiC、GaN、Zn〇等透明基板。 、…半導體發光部’較好的是具有使請-V族氮化物化合物 ^導體之LED(發光二極體）構造。更具體的是，半導體發光 “可成為下述構造.由p型〇aN接觸層以及N型接觸 層夾住InGaN活性層。又，亦可成為下述構造： 由P型AlGaN 妾觸層以及N型AIGaN接觸層夹住AIGaN活性層。進而，活 f生層亦可具有多重量子井(Μ。W)構造。 103360.doc 1379433 上述半導體發光元件，其亦可進而含有介在於上述透明 電極與上述金屬反射膜間之透明絕緣膜。於該情形時，上 述金屬反射膜較好的是彳以形成於上述透明絕緣膜之開口 連接於上述透明電極。 根據該構成，因於透明電極與金屬反射膜間介在有透明 絕緣膜，故而來自半導體發光層之光反射大致產生於透明 絕緣膜與金屬反射膜之界面内。因絕緣體/金屬之界面上實 •質上不會產生光吸收，故而可進一步提高光取出效率。 又，由於金屬反射膜與透明電極係介以形成於透明絕緣 臈之開口而電性連接，因此金屬反射膜可起到作為用以連 接於安裝基板之電極的作用。 形成於透明絕緣臈之開口，較好的是以確保金屬反射膜 與透明電極間之電性連接的限度内盡可能形成為小面積。 更具體的是，上述開口總面積對於透明電極膜總面積之比 例，較好的是屬於1〜30%範圍内（例如，7%左右）。 Φ 作為對於發光波長為透明之絕緣膜之材料，例如可例示 有 SiOy(0< y)、SiON、Al2〇3、Zr02以及 SiNz(〇< Z)。 上述半導體發光元件，較好的是進而含有自上述第一接 觸層引出至上述金屬反射膜側之電極部。根據該構成，可 介以上述金屬反射膜將上述第二接觸層接合於安裝基板， 並且可彳以上㉛電極部將上述第一接觸層接合於安裝基 板。如此可實施覆晶接合。 上述透明電極，較好的是含有ZnixMgx〇(但是，〇&< 1)膜。ZnhMgxCKOSxc 。當㈣時為Zn〇)對於GaN半導體 103360.doc 1379433 A .« 層形成良好之歐姆接觸，並且對於370 nm〜1000 nm之波長 域之光表示80%以上之透過率。藉此，可降低接觸電阻， 並且更進一步提高面向表面電極側之光取出效率。 此外’本發明中之上述或其他目的、特徵以及效果，可 參照所附圖式如下所述之實施形態之說明更明瞭。 【實施方式】 、 圖1係圖解表示本發明之一實施形態之發光二極體元件 構造的剖面圖。該發光二極體元件係覆晶型，且具備有作 為透明基板之藍寶石基板1 ’形成於該藍寶石基板1上之 InGaN半導體發光部2，以及覆蓋111(}3]^半導體發光部2之藍 寶石基板1之相反側之表面形成的p側透明電極藍寶石基 板1中’將其一側表面作為光取出面丨a，將他側表面作為上 述元件形成面lb。於該元件形成面lb上形成有inGaN半導體 發光部2。 藍寶石基板1，其係對於InGaN半導體發光部2之發光波長 (例如460 nm)為透明之絕緣性基板。InGaN半導體發光部 2，其例如於藍寶石基板1側具有摻雜si之n型GaN接觸層 23 ’於藍寶石基板}之相反側具有摻雜Mg之p型GaN接觸層 27，於該等間具有InGaN活性層24、25。該111(}&]^活性層， 其例如具有單一量子井構造之InGals^ 24與多重量子井 (MQW)構造之inGaN層25的積層構造。更具體的是， 半導體發光部2,其於藍寶石基板1上自藍寶石基板1依次積 層緩衝層21、無摻雜GaN層22、上述N型GaN接觸層23、上 述InGaN活性層24,25、摻雜Mg之P型AlGaN鍍金層26以及上 -10- 103360.doc
1379433 .囔 ，》 等其他材料系之半導體發光元件中。 就本發明之實施形態加以詳細說明，但該等只是用以明 確本發明之技術内容揭示之具體例，本發明並非僅限於該 等具體例，根據所附之申請專利範圍限定本發明之精神以 及範圍。 該申請案對應於2004年7月12曰向日本國專利廳提出之 曰本專利特願2004-205094號，該申請案之所有内容均引用 自上述專利特願内容。 【圖式簡單說明】 圖1係圖解表示本發明之—實施形態之發光二極體元件 構造的剖面圖。 圖2係表示測定堆積於藍寶石基板上之Zn〇膜之透 的結果。 圖3係表示關於使Zn〇膜堆積於藍寶石基板、進而於該
ZnO膜上形成反射金屬層之構成，自藍寶石基板側測定反 射率的結果。 圖4係表示關於藍寶石基板上依次積層Zn〇膜、Si〇2膜以 及反射金屬層之構造，自藍寶石基板側測定反射率的結果。 圖5係圓解表示本發明之其他實施形態之發光二極體元 件構造的剖面圖。 圖6係圖解表示圖5之構成之變形例的剖面圖。 圖7係圓解表示圓5之構成之其他變形例的剖面圖。 【主要元件符號說明】 藍寶石基板 I03360.doc

Claims (1)

1379433 、申請專利範圍： 一種半導體發光元件，其特徵在於：包含 第094123617號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(1〇1年7月） 丨-——I I -- 1' ' 參
半導體發光部，其具有第一導電型之第一接^^7第-二導電型之第二接觸層以及夾於其間之活性層； 透明電極，其歐姆接觸於上述第二接觸層之表面，覆 蓋該第二接觸層表面，並且相對於上述半導體發光部之 發光波長為透明’且具有1000〜100000 Α之膜厚；
金屬反射膜，其配置為對向於該透明電極，與上述透 明電極電性連接，並且將自上述半導體發光部透過上述 透明電極之光朝向上述半導體發光部反射；及 透明絕緣膜，其介於上述透明電極與上述金屬反射膜 間，其中 上述金屬反射膜藉由形成於上述透明絕緣膜之複數個 開口電性連接於上述透明電極，具有大於上述透明電極 之面積，且於上述開口外與上述透明絕緣膜之與半導體 發光部相反側之表面接觸而形成有絕緣體/金屬之界 面， 上述複數個開口之總面積相對於上述透明電極膜之總 面積之比例位於1〜30%之範圍内， 上述金屬反射膜被焊墊電極覆蓋，使上述焊墊電極面 對安裝基板且覆晶接合於該安裝基板。 2.如請求項1之半導體發光元件，其中進而含有透明基板， 其相對於上述半導體發光部之發光波長為透明，將—側 表面作為用以自上述半導體發光部發出之光取出至外部 103360-1010727.doc 1379433 的光取出面，將另 光部之元件形成面 層。 -側表面作為用以形成上述半導體發 ’該讀形成面對向於上述第一接觸 3. 4. 5. 如請求項1之半導體發光元件， 接觸層朝上述金屬反射膜側引 如請求項1之半導體發光元件 Zni-xMgx〇(但是，〇$χ< i)膜。 如請求項1之半導體發光元件， A1 或 Ag。 其中進而含有自上述第一 出之電極部。 ，其中上述透明電極含有 其中上述金屬反射膜包含 6. 如請求们之半導體發光元件，其中上述透明絕緣膜包含 Si〇2’且具有80〇Ax奇數倍之膜厚。 7. 如請求们之半導體發光元件，其中上述透明絕緣膜與上 述金屬反射膜間設有接著層。 8. 如請求項丨之半導體發光元件，其中上述第一接觸層之表 面成為光取出面，於該光取出面進而含有配置為對向於 上述透明電極之電極。 9. 如明求項8之半導體發光元件，其中上述光取出面係粗面 加工之表面。 10.如請求項8之半導體發光元件，其中上述光取出面係規則 性凹凸面。 11.如請求項8之半導體發光元件，其中上述第一接觸層含有 光子結晶。 103360-1010727.doc -2 - .丄
七 、指定代表圖： (=)本案指定代表圖為：第（1 )圖 (二)本代表圖之元件符號簡單說明： la lb 2 3 5 5a、5b 6 7 8 9 10 21 22 23 23a 24 25 26 27 八 第094123617號專利申請案纖_換頁000年1〇月) 藍寶石基板 光取出面 元件形成面 半導體發光部 P側透明電極 透明絕緣膜 開口 N側電極 反射電極 P側焊墊電極 N側焊墊電極 安裝基板 緩衝層 無摻雜GaN層 N型GaN接觸層 表面（光取出面） 單量子井構成之InGaN層 多重量子井構成之InGaN層 P型AlGaN鍍金層 本案若^坏軸化學式 103360-1001027.doc
TW094123617A 2004-07-12 2005-07-12 Semiconductor light emitting device TWI379433B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004205094 2004-07-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200610198A TW200610198A (en) 2006-03-16
TWI379433B true TWI379433B (en) 2012-12-11

Family

ID=35783895

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094123617A TWI379433B (en) 2004-07-12 2005-07-12 Semiconductor light emitting device

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7375380B2 (zh)
JP (1) JP4976849B2 (zh)
KR (1) KR20070041411A (zh)
CN (1) CN1820378A (zh)
TW (1) TWI379433B (zh)
WO (1) WO2006006555A1 (zh)

Families Citing this family (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005535625A (ja) * 2002-06-25 2005-11-24 ワイス 皮膚障害の治療におけるチオオキシインドール誘導体の使用
EP2264798B1 (en) 2003-04-30 2020-10-14 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
US7179670B2 (en) * 2004-03-05 2007-02-20 Gelcore, Llc Flip-chip light emitting diode device without sub-mount
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
TWI257714B (en) * 2004-10-20 2006-07-01 Arima Optoelectronics Corp Light-emitting device using multilayer composite metal plated layer as flip-chip electrode
US8729580B2 (en) * 2005-12-06 2014-05-20 Toshiba Techno Center, Inc. Light emitter with metal-oxide coating
JP2007165409A (ja) * 2005-12-09 2007-06-28 Rohm Co Ltd 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
JP2007207869A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Rohm Co Ltd 窒化物半導体発光素子
JP2007235122A (ja) * 2006-02-02 2007-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
JP2007221029A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Sony Corp 半導体発光素子およびその製造方法
US7622746B1 (en) * 2006-03-17 2009-11-24 Bridgelux, Inc. Highly reflective mounting arrangement for LEDs
US7687811B2 (en) * 2006-03-21 2010-03-30 Lg Electronics Inc. Vertical light emitting device having a photonic crystal structure
US7573074B2 (en) 2006-05-19 2009-08-11 Bridgelux, Inc. LED electrode
DE102007004302A1 (de) 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
US8941141B2 (en) * 2006-10-17 2015-01-27 Epistar Corporation Light-emitting device
US8878245B2 (en) 2006-11-30 2014-11-04 Cree, Inc. Transistors and method for making ohmic contact to transistors
CN102779918B (zh) 2007-02-01 2015-09-02 日亚化学工业株式会社 半导体发光元件
US8021904B2 (en) * 2007-02-01 2011-09-20 Cree, Inc. Ohmic contacts to nitrogen polarity GaN
JP5130730B2 (ja) * 2007-02-01 2013-01-30 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
US20080217634A1 (en) * 2007-03-06 2008-09-11 Wen-Huang Liu Vertical light-emitting diode structure with omni-directional reflector
US9484499B2 (en) 2007-04-20 2016-11-01 Cree, Inc. Transparent ohmic contacts on light emitting diodes with carrier substrates
DE102007022947B4 (de) 2007-04-26 2022-05-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
JP5251038B2 (ja) * 2007-08-23 2013-07-31 豊田合成株式会社 発光装置
US11114594B2 (en) 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
DE102007046743A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US9634191B2 (en) 2007-11-14 2017-04-25 Cree, Inc. Wire bond free wafer level LED
US8536584B2 (en) * 2007-11-14 2013-09-17 Cree, Inc. High voltage wire bond free LEDS
US8368100B2 (en) 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
US8378567B2 (en) * 2007-11-21 2013-02-19 Industrial Technology Research Institute Light-polarizing structure
US8026527B2 (en) * 2007-12-06 2011-09-27 Bridgelux, Inc. LED structure
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
DE102008011809A1 (de) * 2007-12-20 2009-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP2009200178A (ja) * 2008-02-20 2009-09-03 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子
JP2013038450A (ja) * 2008-03-26 2013-02-21 Panasonic Corp 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置
US8373152B2 (en) * 2008-03-27 2013-02-12 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting element and a production method therefor
DE102008035900A1 (de) 2008-04-30 2009-11-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip
US8384115B2 (en) * 2008-08-01 2013-02-26 Cree, Inc. Bond pad design for enhancing light extraction from LED chips
JP2010067868A (ja) * 2008-09-12 2010-03-25 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP5091823B2 (ja) * 2008-09-30 2012-12-05 パナソニック株式会社 半導体発光素子
JP5161720B2 (ja) * 2008-09-30 2013-03-13 パナソニック株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
JP4702442B2 (ja) 2008-12-12 2011-06-15 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR101020910B1 (ko) * 2008-12-24 2011-03-09 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP5334601B2 (ja) * 2009-01-21 2013-11-06 株式会社東芝 半導体発光ダイオード素子及び半導体発光装置
TWI384660B (zh) * 2009-01-23 2013-02-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構及其製作方法
KR100969126B1 (ko) * 2009-03-10 2010-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
US9093293B2 (en) 2009-04-06 2015-07-28 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting light emitting diode
US8476668B2 (en) * 2009-04-06 2013-07-02 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting LED
US8741715B2 (en) * 2009-04-29 2014-06-03 Cree, Inc. Gate electrodes for millimeter-wave operation and methods of fabrication
US20100327300A1 (en) * 2009-06-25 2010-12-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Contact for a semiconductor light emitting device
TW201104913A (en) * 2009-07-31 2011-02-01 Tekcore Co Ltd Vertical light-emitting diode and manufacture method thereof
KR100974787B1 (ko) * 2010-02-04 2010-08-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101064020B1 (ko) * 2010-04-23 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
JP5325834B2 (ja) 2010-05-24 2013-10-23 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP5337106B2 (ja) 2010-06-04 2013-11-06 株式会社東芝 半導体発光装置
JP5414627B2 (ja) * 2010-06-07 2014-02-12 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
WO2011162367A1 (ja) * 2010-06-25 2011-12-29 昭和電工株式会社 半導体発光素子
JP2012019140A (ja) * 2010-07-09 2012-01-26 Showa Denko Kk 半導体発光素子およびランプ、電子機器、機械装置
JP5258853B2 (ja) 2010-08-17 2013-08-07 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
US8455882B2 (en) 2010-10-15 2013-06-04 Cree, Inc. High efficiency LEDs
US8916883B2 (en) * 2010-12-20 2014-12-23 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and method for fabricating the same
JP5777879B2 (ja) 2010-12-27 2015-09-09 ローム株式会社 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ
JP6056150B2 (ja) 2011-04-08 2017-01-11 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
US8592847B2 (en) * 2011-04-15 2013-11-26 Epistar Corporation Light-emitting device
US10243121B2 (en) 2011-06-24 2019-03-26 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip with improved reliability
JP2013030634A (ja) * 2011-07-28 2013-02-07 Showa Denko Kk 半導体発光素子
JP5768759B2 (ja) * 2012-04-27 2015-08-26 豊田合成株式会社 半導体発光素子
JP6185786B2 (ja) * 2012-11-29 2017-08-23 スタンレー電気株式会社 発光素子
JP2014116397A (ja) * 2012-12-07 2014-06-26 Stanley Electric Co Ltd 発光素子
JP6261927B2 (ja) * 2013-09-24 2018-01-17 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
TWI632692B (zh) * 2013-11-18 2018-08-11 晶元光電股份有限公司 半導體發光元件
KR102323686B1 (ko) * 2014-10-21 2021-11-11 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 및 그 제조 방법
JP5945736B2 (ja) * 2014-12-02 2016-07-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光素子
TWI572061B (zh) * 2014-12-10 2017-02-21 財團法人工業技術研究院 半導體發光結構
USD826871S1 (en) 2014-12-11 2018-08-28 Cree, Inc. Light emitting diode device
JP2016134501A (ja) * 2015-01-20 2016-07-25 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
US10658546B2 (en) * 2015-01-21 2020-05-19 Cree, Inc. High efficiency LEDs and methods of manufacturing
TWI583019B (zh) * 2015-02-17 2017-05-11 新世紀光電股份有限公司 Light emitting diode and manufacturing method thereof
KR102038443B1 (ko) * 2015-03-26 2019-10-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR102411154B1 (ko) * 2015-07-09 2022-06-21 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자
KR102569249B1 (ko) * 2015-07-22 2023-08-23 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지
US10170455B2 (en) 2015-09-04 2019-01-01 PlayNitride Inc. Light emitting device with buffer pads
TWI552385B (zh) * 2015-09-04 2016-10-01 錼創科技股份有限公司 發光元件
KR102427641B1 (ko) * 2015-09-16 2022-08-02 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
WO2017127461A1 (en) * 2016-01-18 2017-07-27 Sensor Electronic Technology, Inc. Semiconductor device with improved light propagation
JP6332301B2 (ja) 2016-02-25 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光素子
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
KR102519668B1 (ko) 2016-06-21 2023-04-07 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR102476139B1 (ko) 2016-08-03 2022-12-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
CN107845711A (zh) * 2017-11-03 2018-03-27 江苏新广联半导体有限公司 提升电流扩展均匀性的led倒装芯片及其制作方法
KR102427642B1 (ko) 2018-01-25 2022-08-01 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102543183B1 (ko) 2018-01-26 2023-06-14 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
JP6915029B2 (ja) 2018-11-30 2021-08-04 シャープ株式会社 マイクロ発光素子及び画像表示素子
KR20210091895A (ko) 2020-01-15 2021-07-23 삼성전자주식회사 발광 소자

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3462720B2 (ja) * 1997-07-16 2003-11-05 三洋電機株式会社 ｎ型窒化物半導体の電極及び前記電極を有する半導体素子並びにその製造方法
JP3130292B2 (ja) * 1997-10-14 2001-01-31 松下電子工業株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP3896704B2 (ja) * 1998-10-07 2007-03-22 松下電器産業株式会社 ＧａＮ系化合物半導体発光素子
TW543128B (en) * 2001-07-12 2003-07-21 Highlink Technology Corp Surface mounted and flip chip type LED package
JP4447806B2 (ja) * 2001-09-26 2010-04-07 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP3782357B2 (ja) * 2002-01-18 2006-06-07 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
JP4122785B2 (ja) * 2002-01-30 2008-07-23 日亜化学工業株式会社 発光素子
US6878969B2 (en) 2002-07-29 2005-04-12 Matsushita Electric Works, Ltd. Light emitting device
JP2004158546A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Matsushita Electric Works Ltd 半導体発光素子
JP3795007B2 (ja) * 2002-11-27 2006-07-12 松下電器産業株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP3720341B2 (ja) * 2003-02-12 2005-11-24 ローム株式会社 半導体発光素子
US7808011B2 (en) * 2004-03-19 2010-10-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006006555A1 (ja) 2006-01-19
KR20070041411A (ko) 2007-04-18
CN1820378A (zh) 2006-08-16
JPWO2006006555A1 (ja) 2008-04-24
TW200610198A (en) 2006-03-16
JP4976849B2 (ja) 2012-07-18
US7375380B2 (en) 2008-05-20
US20060273335A1 (en) 2006-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI379433B (en) Semiconductor light emitting device
JP4644193B2 (ja) 半導体発光素子
JP5582054B2 (ja) 半導体発光素子
TWI446589B (zh) A semiconductor light-emitting element, a light-emitting device using a semiconductor light-emitting element, and an electronic device
US8017963B2 (en) Light emitting diode with a dielectric mirror having a lateral configuration
JP5494005B2 (ja) 半導体発光素子
CN102569589B (zh) 半导体发光元件
CN104465920A (zh) 第iii族氮化物半导体发光器件
JP2007335793A (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
TW201205871A (en) Semiconductor light-emitting element
US9601657B2 (en) Light-emitting device
JP5258853B2 (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
TWI529967B (zh) 半導體發光裝置
JP2005045038A (ja) 窒化物半導体発光素子
KR20130052002A (ko) Ⅲ족 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법
JP3505353B2 (ja) 半導体発光装置
TW201637240A (zh) 半導體發光元件及其製造方法
US20130126829A1 (en) High efficiency light emitting diode
CN103035812A (zh) 基板
JP4836410B2 (ja) 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
TW201505211A (zh) 發光元件
JP5378131B2 (ja) 窒化物半導体発光ダイオード素子
JP2006351575A (ja) 半導体発光素子
JP2009238931A (ja) 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法
CN101834252B (zh) 发光器件、制造发光器件的方法以及发光装置