TWI384660B - 發光二極體封裝結構及其製作方法 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種發光二極體封裝結構及其製作方法，且特別是有關於一種高亮度的發光二極體封裝結構及其製作方法。
近年來，由於發光二極體的亮度不斷提升，使得發光二極體在某些領域已漸漸取代日光燈與白熱燈泡，例如需要高速反應的掃描器燈源、液晶顯示器的背光源或前光源、汽車的儀表板照明、交通號誌燈，以及一般的照明裝置等。
圖1繪示為習知發光二極體封裝結構的剖面示意圖。請參照圖1，習知的發光二極體封裝結構100係由一發光二極體晶片110、一承載基板120、兩條金屬線132、134以及一封裝膠體140所構成。發光二極體晶片110設置於承載基板120上，而且兩條金屬線132、134分別電性連接於發光二極體晶片110與承載基板120之間。封裝膠體140設置於承載基板120上並包覆兩條金屬線132、134。
本發明提供一種發光二極體封裝結構，具有較佳的亮度。
本發明提供一種發光二極體封裝結構的製作方法，可有效提升發光二極體封裝結構的亮度。
本發明提出一種發光二極體封裝結構包括一承載基板、一反射蓋以及一發光二極體晶片。反射蓋配置於承載基板上，反射蓋包括一基底、一氟化鎂層與一二氧化鈰層。基底具有一開口，開口暴露出部分承載基板。氟化鎂層配置於開口的內壁上。二氧化鈰層配置於氟化鎂層上。發光二極體晶片配置於開口中並位於承載基板上。
在本發明之一實施例中，開口具有一第一端與一第二端，第一端位於朝向承載基板，第二端位於朝向遠離承載基板的方向，第二端的直徑大於第一端的直徑。
在本發明之一實施例中，開口的內壁為一傾斜面。
在本發明之一實施例中，氟化鎂層更配置於基底之鄰近開口的部分上。
在本發明之一實施例中，發光二極體封裝結構更包括一透明材料層，其配置於開口中，並覆蓋發光二極體晶片。
在本發明之一實施例中，透明材料層與二氧化鈰層彼此獨立。
本發明提出一種發光二極體封裝結構的製作方法如下所述。首先，提供一承載基板與至少一發光二極體晶片，發光二極體晶片配置於承載基板上。接著，提供一基底，基底具有一開口。然後，形成一氟化鎂層於開口的內壁上。之後，形成一二氧化鈰層於氟化鎂層上。然後，將基底配置於承載基板上，並使發光二極體晶片位於開口中。
在本發明之一實施例中，形成氟化鎂層與二氧化鈰層的方法包括蒸鍍製程。
在本發明之一實施例中，發光二極體封裝結構的製作方法更包括在蒸鍍氟化鎂層時，通入氬氣。
在本發明之一實施例中，發光二極體封裝結構的製作方法更包括進行一壓膜製程，以形成覆蓋發光二極體晶片的一透明材料層。
在本發明之一實施例中，發光二極體封裝結構的製作方法更包括進行一銲線製程，以使發光二極體晶片電性連接至承載基板。
承上所述，本發明是在反射蓋上形成氟化鎂層與二氧化鈰層，以藉由氟化鎂與二氧化鈰的折射率的差異來提高反射蓋的反射率，進而提高發光二極體封裝結構的亮度。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖2繪示為本發明一實施例之發光二極體封裝結構的剖面示意圖。請參照圖2，本實施例之發光二極體封裝結構200包括一承載基板210、一反射蓋220以及一發光二極體晶片230。
反射蓋220配置於承載基板210上，承載基板210例如是一電路板。反射蓋220包括一基底222、一氟化鎂層224與一二氧化鈰層226。基底222具有一開口OP，開口OP暴露出部分承載基板210。在本實施例中，基底222包括一基層222a與一反射層222b，反射層222b覆蓋基層222a，且反射層222b的材質例如是銀。
在本實施例中，開口OP例如為一圓形開口，且開口OP具有一第一端E1與一第二端E2。第一端E1位於朝向承載基板210的位置，第二端E2位於朝向遠離承載基板210的方向，第二端E2的直徑D2大於第一端E1的直徑D1。開口OP的內壁W例如為一傾斜面。
氟化鎂層224配置於開口OP的內壁W上。二氧化鈰層226配置於氟化鎂層224上。在本實施例中，氟化鎂層224還可配置於基底222之鄰近開口OP的部分上，同樣地，二氧化鈰層226可配置於氟化鎂層224上並位於基底222之鄰近開口OP的部分上方。
值得注意的是，由於氟化鎂的折射率較低，而二氧化鈰的折射率較高，因此，本實施例是利用氟化鎂與二氧化鈰的折射率的差異來提高反射蓋的反射率，進而提高發光二極體封裝結構200的亮度。此外，二氧化鈰層226可保護氟化鎂層224。
發光二極體晶片230配置於開口OP中並位於承載基板210上，發光二極體晶片230可透過多條金屬線242、244電性連接至承載基板210。在其他實施例中，發光二極體晶片230亦可透過多個銲球電性連接至承載基板210。
此外，可在開口OP中配置一透明材料層250，以覆蓋並保護發光二極體晶片230與金屬線242、244。透明材料層250例如是與二氧化鈰層226彼此獨立，換言之，透明材料層250不覆蓋二氧化鈰層226。
本發明提出一種發光二極體封裝結構200的製作方法如下所述。
圖3A～圖3B為本發明一實施例之發光二極體封裝結構的製程剖面圖。
首先，請參照圖3A，提供一承載基板210與一發光二極體晶片230，發光二極體晶片230配置於承載基板210上。接著，進行一銲線製程，以使發光二極體晶片230透過多條金屬線242、244電性連接至承載基板210。然後，進行一壓膜製程，以形成覆蓋發光二極體晶片230與金屬線242、244的一透明材料層250。
接著，請參照圖3B，提供一基底222，其具有一開口OP。然後，形成一氟化鎂層224於開口OP的內壁W上。之後，形成一二氧化鈰層226於氟化鎂層224上。在本實施例中，形成氟化鎂層224與二氧化鈰層226的方法包括蒸鍍製程，且在蒸鍍氟化鎂層時可通入氬氣，以藉由氬氣清潔基底222的表面，以增加氟化鎂與基底222的結合力，並藉由氬氣撞擊氟化鎂，以增加氟化鎂撞擊基底222的力量。
然後，請參照圖2，例如是以黏著的方式將基底222配置於承載基板210上，並使晶片230位於開口OP中，換言之，開口OP暴露出晶片230。
綜上所述，本發明在反射蓋上形成氟化鎂層與二氧化鈰層，並藉由氟化鎂與二氧化鈰的折射率的差異來提高反射蓋的反射率，進而提高發光二極體封裝結構的亮度。此外，由於本發明的氟化鎂層與二氧化鈰層只需在形成反射蓋時一併形成，故與現有的發光二極體封裝結構的製程相容。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、200．．．發光二極體封裝結構
110、230．．．發光二極體晶片
120、210．．．承載基板
132、134、242、244．．．金屬線
140．．．封裝膠體
220．．．反射蓋
222．．．基底
222a．．．基層
222b．．．反射層
224．．．氟化鎂層
226．．．二氧化鈰層
250．．．透明材料層
D1、D2．．．直徑
E1．．．第一端
E2．．．第二端
OP．．．開口
W．．．內壁
圖1繪示為習知發光二極體封裝結構的剖面示意圖。
圖2繪示為本發明一實施例之發光二極體封裝結構的剖面示意圖。
圖3A～圖3B為本發明一實施例之發光二極體封裝結構的製程剖面圖。
200．．．發光二極體封裝結構
210．．．承載基板
220．．．反射蓋
222．．．基底
222a．．．基層
222b．．．反射層
224．．．氟化鎂層
226．．．二氧化鈰層
230．．．發光二極體晶片
242、244．．．金屬線
250．．．透明材料層
D1、D2．．．直徑
E1．．．第一端
E2．．．第二端
OP．．．開口
W．．．內壁
Claims (11)
- 一種發光二極體封裝結構，包括：一承載基板；一反射蓋，配置於該承載基板上，該反射蓋包括：一基底，具有一開口，該開口暴露出部分該承載基板；一氟化鎂層，配置於該開口的內壁上；一二氧化鈰層，配置於該氟化鎂層上；以及一發光二極體晶片，配置於該開口中並位於該承載基板上。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構，其中該開口具有一第一端與一第二端，該第一端位於朝向該承載基板，該第二端位於朝向遠離該承載基板的方向，該第二端的直徑大於該第一端的直徑。
- 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體封裝結構，其中該開口的內壁為一傾斜面。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構，其中該氟化鎂層更配置於該基底之鄰近該開口的部分上。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構，更包括：一透明材料層，配置於該開口中，並覆蓋該發光二極體晶片。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構，其中該透明材料層與該二氧化鈰層彼此獨立。
- 一種發光二極體封裝結構的製作方法，包括：提供一承載基板與至少一發光二極體晶片，該發光二極體晶片配置於該承載基板上；提供一基底，該基底具有一開口；形成一氟化鎂層於該開口的內壁上；形成一二氧化鈰層於該氟化鎂層上；以及將該基底配置於該承載基板上，並使該發光二極體晶片位於該開口中。
- 如申請專利範圍第7項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中形成該氟化鎂層與該二氧化鈰層的方法包括蒸鍍製程。
- 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，更包括：在蒸鍍該氟化鎂層時，通入氬氣。
- 如申請專利範圍第7項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，更包括：進行一壓膜製程，以形成覆蓋該發光二極體晶片的一透明材料層。
- 如申請專利範圍第7項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，更包括：進行一銲線製程，以使該發光二極體晶片電性連接至該承載基板。
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