KR20070041411A - 반도체 발광 소자 - Google Patents

반도체 발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20070041411A
KR20070041411A KR1020067001192A KR20067001192A KR20070041411A KR 20070041411 A KR20070041411 A KR 20070041411A KR 1020067001192 A KR1020067001192 A KR 1020067001192A KR 20067001192 A KR20067001192 A KR 20067001192A KR 20070041411 A KR20070041411 A KR 20070041411A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
semiconductor light
contact layer
transparent
electrode
Prior art date
Application number
KR1020067001192A
Other languages
English (en)
Inventor
히로카즈 아사하라
미츠히코 사카이
마사유키 소노베
도시오 니시다
Original Assignee
로무 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 로무 가부시키가이샤 filed Critical 로무 가부시키가이샤
Publication of KR20070041411A publication Critical patent/KR20070041411A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

반도체 발광 소자는 제1 도전형의 제1 컨택트층, 제2 도전형의 제2 컨택트층 및, 이것들에 끼워진 활성층을 갖는 반도체 발광부를 구비하고 있다. 이 소자는 또 상기 제2 컨택트층의 표면에 옴 접촉하고, 이 제2 컨택트층의 표면의 거의 전역을 덮는 동시에, 상기 반도체 발광부의 발광 파장에 대하여 투명한 투명 전극과, 상기 투명 전극의 거의 전역에 대향하여 배치되고, 상기 투명 전극과 전기적으로 접속되어 있는 동시에, 상기 반도체 발광부로부터 상기 투명 전극을 투과한 광을 상기 반도체 발광부에 향하여 반사하는 금속 반사막을 구비하고 있다.

Description

반도체 발광 소자{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 질화 갈륨계 발광 다이오드 등의 반도체 발광 소자에 관한 것이다.
청색 발광 다이오드 소자는 예를 들어 사파이어 기판의 표면에 InGaN 반도체 발광부를 형성하고, 추가로 이 InGaN 반도체 발광부의 P측 및 N측에 각각 전극을 형성하여 구성되어 있다(하기 특허 문헌 1 참조). 그러나, 사파이어 기판은 절연성이기 때문에, InGaN 반도체 발광부측에 P측 및 N측의 양(兩) 전극을 형성하고, 또한 이것들로부터 와이어를 인출하지 않으면 안 된다. 그 때문에, InGaN 반도체 발광부로부터의 광이 전극 등에 의하여 차광 되고 광의 취출 효율이 나쁘다.
이 문제는 InGaN 반도체 발광부를 실장 기판에 대향시켜서 접합하는 동시에, 사파이어 기판측으로부터 광을 취출하는 플립칩 P형의 구성(하기 특허 문헌 2 참조)을 채용함으로써 개선된다.
플립칩형 발광 다이오드 소자는 사파이어 기판의 한 쪽 표면을 광취출면으로 하고, 다른 쪽 표면을 소자 형성면으로 하여 이 소자 형성면에 InGaN 반도체 발광부를 형성한 구성으로 되어 있다. InGaN 반도체 발광부는 N형 GaN 컨택트층 및 P형 GaN 컨택트층에 의하여 InGaN 활성층을 사이에 둔 구조를 갖고 있다. 예를 들어, N 형 GaN 컨택트층이 사파이어 기판측에 배치되고, P형 GaN 컨택트층은 실장 기판측에 배치된다. 이 경우, P형 GaN 컨택트층의 표면에 P측 전극막이 형성된다. N측 전극막은 P형 GaN 컨택트층 및 InGaN 활성층의 일부를 제거하여 노출시킨 N형 GaN 컨택트층에 피착 형성된다.
그리고, P측 전극막 및 N측 전극막에 각각 접합하는 P측 패드 전극 및 N측 패드 전극이 설치된다. 이러한 패드 전극을 실장 기판에 대향시켜서 접합함으로써, 발광 다이오드의 플립칩 본딩을 행할 수 있다.
InGaN 반도체 발광부에서 발생한 광은 모두 사파이어 기판측에 취출되는 것은 아니고, 일부의 광은 P형 GaN 컨택트층으로 향한다. 여기서, 광취출 효율을 높기 때문에, P측 전극막의 재료에는 P형 GaN 컨택트층에 옴(ohmic) 접합 할 수 있을 뿐만 아니라, 양호한 반사율을 갖는 것이 요구된다. 그 때문에, 소자 제작상의 제약이 크고, 그러므로 접촉 저항이 작은 동시에 고반사율을 갖는 P측 전극막을 형성일이 곤란하였다.
특허 문헌 1: 일본 특허 제3009095호 공보
특허 문헌 2: 일본 특개 2003-224297호 공보
본 발명의 목적은 반도체 발광부를 실장 기판에 대향시켜서 접합하는 플립 칩형의 반도체 발광 소자에 있어서, 실장 기판측에 배치되는 전극에 부과되는 제한을 완화하고, 광취출 효율의 향상에 기여할 수 있는 반도체 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 반도체 발광 소자는 제1 도전형(P형 및 N형의 한 쪽)의 제1 컨택트층, 제2 도전형(P형 및 N형의 다른 쪽)의 제2 컨택트층 및 이것들에 끼워진 활성층을 갖는 반도체 발광부와, 상기 제2 컨택트층의 표면에 옴 접촉하고, 이 제2 컨택트층의 표면의 거의 전역을 덮는 동시에, 상기 반도체 발광부의 발광 파장에 대하여 투명한 투명 전극과, 상기 투명 전극의 거의 전역에 대향하여 배치되고, 상기 투명 전극과 전기적으로 접속되어 있는 동시에, 상기 반도체 발광부로부터 상기 투명 전극을 투과한 광을 상기 반도체 발광부에 향하여 반사하는 금속 반사막을 포함한다.
이 구성에 의하면, 반도체 발광부에 있어서, 제2 컨택트층의 표면에는 투명 전극이 형성되어 있고, 추가로 반도체 발광부로부터 보아 투명 전극의 배후에 금속 반사막이 배치되어 있다. 이 구성에 의해, 반도체 발광부로부터 투명 전극을 투과한 광을 금속 반사막에 있어서 반도체 발광부측으로 반사할 수 있기 때문에, 양호한 광취출 효율을 얻을 수 있다.
추가로, 투명 전극이 제2 컨택트층의 거의 전역을 덮으므로, 금속 반사막은 반도체 발광부에 옴 접촉할 필요가 없기 때문에, 그 재료의 선택의 자유도가 크다. 이로 인해, 고반사율의 재료를 선택하고, 광취출 효율을 한층 높이거나 저가의 재료를 선택하여 비용을 삭감하거나 할 수 있다. 「발광 파장에 대하여 투명」이란 구체적으로 예를 들어 발광 파장의 투과율이 60% 이상인 경우를 말한다.
상기 반도체 장치는 상기 반도체 발광부의 발광 파장에 대하여 투명하고, 한 쪽 표면을, 상기 반도체 발광부로부터 발한 광을 외부에 취출하기 위한 광취출면으로 하고, 다른 쪽 표면을, 상기 반도체 발광부를 형성하기 위한 소자 형성면으로 하고 있고, 이 소자 형성면이 상기 제1 컨택트층에 대향하고 있는 투명 기판을 추가로 갖고 있어도 된다.
투명 기판으로서는 사파이어 기판이 매우 적합하지만, 그 밖에도 SiC, GaN, ZnO 등의 투명 기판을 이용할 수 있다.
반도체 발광부는 III-V족 질화물 화합물 반도체를 이용한 LED(발광 다이오드) 구조를 갖고 있는 것이 바람직하다. 보다 구체적으로, 반도체 발광부는 InGaN 활성층을 P형 GaN 컨택트층 및 N형 GaN 컨택트층 사이에 두는 구조로 해도 된다. 또, AlGaN 활성층을 P형 AlGaN 컨택트층 및 N형 AlGaN 컨택트층 사이에 두는 구조로 해도 된다. 또한, 활성층은 다중 양자 우물(multi-quantum-well)(MQW) 구조를 갖고 있어도 된다.
상기 반도체 발광 소자는 상기 투명 전극과 상기 금속 반사막과의 사이에 개재된 투명 절연막을 추가로 갖고 있어도 된다. 이 경우에, 상기 금속 반사막은 상기 투명 절연막에 형성된 개구를 통하여 상기 투명 전극에 접속되어 있는 것이 바람직하다.
이 구성에 의하면, 투명 전극과 금속 반사막과의 사이에 투명 절연막이 개재되어 있으므로, 반도체 발광층으로부터의 광 반사의 대부분은 투명 절연막과 금속 반사막과의 계면에서 생긴다. 절연체/금속의 계면에서는 광의 흡수가 실질적으로 생기지 않기 때문에, 광취출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
또, 금속 반사막과 투명 전극이란 투명 절연막에 형성된 개구를 통하여 전기적으로 접속되어 있으므로, 금속 반사막은 실장 기판에의 접속을 위한 전극으로서의 역할을 담당할 수 있다.
투명 절연막에 형성되는 개구는 금속 반사막과 투명 전극과의 사이의 전기 접속이 확보되는 한도에서 가능한 한 소면적으로 형성되는 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는 투명 전극막의 총면적에 대한 상기 개구의 총면적의 비율이 1~30% 인 범위(예를 들어, 7% 정도)인 것이 바람직하다.
발광 파장에 대하여 투명한 절연막의 재료로서는 SiOy(0<y), SiON, Al2O3, ZrO2 및 SiNZ(0<z)를 예시할 수 있다.
상기 반도체 발광 소자는 상기 제1 컨택트층으로부터 상기 금속 반사막측으로 뻗은 전극부를 추가로 포함하는 것이 바람직하다. 이 구성에 의하면, 상기 금속 반사막을 통하여 상기 제2 컨택트층을 실장 기판에 접합하는 동시에, 상기 전극부를 통하여 상기 제1 컨택트층을 실장 기판에 접합할 수 있다. 이렇게 하여, 플립칩 접합을 행할 수 있다.
상기 투명 전극은 Zn1 -XMgXO(단, 0
Figure 112006003667585-PCT00001
x<1)막을 포함하는 것이 바람직하다. Zn1 -XMgXO(0
Figure 112006003667585-PCT00002
x<1. x=0 때 ZnO)는 GaN 반도체층에 대하여 양호한 옴 접촉을 형성하는 동시에, 370nm~1000nm 인 파장 영역의 광에 대하여 80% 이상의 투과율을 나타낸다. 이로 인해, 접촉 저항을 감소시킬 수 있는 동시에, 표면 전극측으로의 광취출 효율을 더욱 높일 수 있다.
본 발명에 있어서 상술한, 또는 또다른 목적, 특징 및 효과는 첨부 도면을 참조하여 후술하는 실시 형태의 설명에 의해 밝혀진다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 발광 다이오드 소자의 구조를 도해적으로 나타내는 단면도.
도 2는 사파이어 기판상에 퇴적된 ZnO막의 투과율을 측정한 결과를 나타내는 도면.
도 3은 사파이어 기판상에 ZnO막을 퇴적시키고, 추가로 이 ZnO막상에 반사 금속층을 형성한 구조에 대하여 사파이어 기판측으로부터 반사율을 측정한 결과를 나타내는 도면.
도 4는 사파이어 기판상에 ZnO막, SiO2막 및 반사 금속층을 차례로 적층한 구조에 대하여 사파이어 기판측으로부터 반사율을 측정한 결과를 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 다른 실시 형태에 관한 발광 다이오드 소자의 구조를 도해적으로 나타내는 단면도.
도 6은 도 5의 구성의 변형예를 나타내는 도해적인 단면도.
도 7은 도 5의 구성의 다른 변형예를 나타내는 도해적인 단면도.
도 1은 본 발명의 일실시 형태에 관한 발광 다이오드 소자의 구조를 도해적으로 나타내는 단면도이다. 이 발광 다이오드 소자는 플립칩형이고, 투명 기판으로 서의 사파이어 기판(1)과, 상기 사파이어 기판(1)상에 형성된 InGaN 반도체 발광부(2)와, InGaN 반도체 발광부(2)의 사파이어 기판(1)과는 반대측의 표면을 피복하여 형성된 P측 투명 전극(3)을 구비하고 있다. 사파이어 기판(1)은 그 한 쪽 표면이 광취출면(1a)으로 되고, 다른 쪽 표면이 상기 소자 형성면(1b)으로 되어 있다. 이 소자 형성면(1b)상에 InGaN 반도체 발광부(2)가 형성되어 있다.
사파이어 기판(1)은 InGaN 반도체 발광부(2)의 발광 파장(예를 들면 460nm)에 대하여 투명한 절연성의 기판이다. InGaN 반도체 발광부(2)는 예를 들어 사파이어 기판(1)측에 Si를 도핑한 N형 GaN 컨택트층(23)을 갖고, 사파이어 기판(1)과는 반대측에 Mg를 도핑한 P형 GaN 컨택트층(27)을 갖고, 이들 사이에 InGaN 활성층(24, 25)을 갖는다. 이 InGaN 활성층은 예를 들어 단일 양자 우물 구조의 InGaN층(24)과 다중 양자 우물(MQW) 구조의 InGaN층(25)과의 적층 구조를 갖는다. 보다 구체적으로, InGaN 반도체 발광부(2)는 사파이어 기판(1)상에, 버퍼층(21), 언도핑한 GaN층(22), 상기 N형 GaN 컨택트층(23), 상기 InGaN 활성층(24,25), Mg를 도핑한 P형 AlGaN 클래드(clad)층(26), 상기 P형 GaN 컨택트층(27)을, 사파이어 기판(1)으로부터 그 순서로 적층하여 구성할 수 있다. P측 투명 전극(3)은 P형 GaN 컨택트층(27)의 거의 전면에 옴 접촉한다.
InGaN 반도체 발광부(2)는 InGaN 활성층(24)으로부터 P형 GaN 컨택트층(27)까지의 각 층의 일부가 동일한 패턴으로 에칭 제거되어 있고, 이로 인해 N형 GaN 컨택트층(23)이 노출되고 있다. 이 N형 GaN 컨택트층(23)의 노출한 표면에 N측 전극(6)이 피착 형성되어 있다.
한편, P형 GaN 컨택트층(27)의 거의 전면을 덮는 P측 투명 전극(3)에는 그 전면을 덮는 투명 절연막(5)이 피착 형성되어 있다. 이 투명 절연막(5)은 또 InGaN 반도체 발광부(2) 전체를 덮고 있으며, 패시베이션(passivation)막으로서 기능하고 있다. 이 투명 절연막(5)에는 P측 투명 전극(3)의 표면의 일부(미소(微小) 영역)를 노출시키는 복수의 개구(5a)와, N측 전극(6)의 표면의 일부를 노출시키는 개구(5b)가 형성되어 있다. 그리고, 투명 절연막(5)의 표면(InGaN 반도체 발광부(2)와는 반대측의 표면)에 있어서, P형 GaN 콘택트층(27)에 대향하는 영역의 거의 전역을 덮도록, 금속 재료로 이루어지는 반사 전극(7)이 형성되어 있고, 추가로 이 반사 전극(7)은 예를 들어 Au 로 이루어지는 P측 패드 전극(8)으로 덮여 있다. 반사 전극(7)은 개구(5a)를 통하여 P측 투명 전극(3)에 접합하고 있고, 이로 인해 P측 투명 전극(3), 반사 전극(7) 및 P측 패드 전극(8)은 전기적으로 접속되어 있다.
한편, N측 전극(6)에서는 기둥 형상의 N측 패드 전극(9)이 세워져 있다. 이 N측 패드 전극(9)은 투명 절연막(5)의 개구(5b)를 통하여 N측 전극(6)에 접합되어 있다.
이와 같은 구조에 의해, P측 패드 전극(8) 및 N측 패드 전극(9)을 모두 실장 기판(10)에 대향시켜서 이 실장 기판(10)에 접합할 수 있다. 11은 땜납(solder) 등의 자재(brazing material)를 나타낸다.
P측 투명 전극(3)은 예를 들어 Zn1 -XMgXO(0
Figure 112006003667585-PCT00003
x<1 . x=0 일 때 ZnO)로 이루어지고, InGaN 반도체 발광부(2)의 발광 파장에 대하여 투명한 도전체층을 이룬다. Zn1-XMgXO(특히 Ga를 도핑한 ZnO)는 GaN와 격자(lattice) 정수가 근사하고 있고, 사후의 어닐링(post-annealing)을 필요로 하는 일 없이, InGaN 반도체 발광부(2)의 상기 P형 GaN 컨택트층(27)과의 사이에 양호한 옴 접촉을 형성한다(ken Nakahara 등 저, 「Improved External Efficiency InGaN-Based Light-Emitting Diodes with Transparent Conductive Ga-Doped ZnO as p-Electrodes」, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.43, No.2A, 2004년, pp.L180-L182 참조). 그리고, 예를 들어 370nm~1000nm 인 파장의 광에 대하여 80% 이상의 투과율을 나타낸다. 따라서, Zn1 -XMgXO를 이용함으로써, P형 GaN 컨택트층(27)과의 접촉 저항이 낮고, 또 투과율이 높은 P측 투명 전극(3)을 실현할 수 있다.
이와 같은 P측 투명 전극(3)은 예를 들어 분자선에 에피텍셜(MBE)법에 따라 형성할 수 있다. 이 P측 투명 전극(3)의 막 두께는 예를 들어 1000~100000Å(예를 들어, 5000Å 정도)로 된다.
반사 전극(7)을 구성하는 금속 재료의 예로서는 Al, Ag, Pd, In, Ti 등을 들 수 있다. 반사 전극(7)은 이러한 같은 금속 재료를 스퍼터링(sputtering) 또는 증착법으로 투명 절연막(5)의 표면에 피착시켜서 형성된다.예를 들어, Al를 이용하는 경우, 그 막 두께는 500~10000Å(예를 들어, 1000Å 정도)로 된다.
투명 절연막(5)은 예를 들어 SiOy, SiON, Al2O3, Zr02 또는 SiNz로 이루어지고, InGaN 반도체 발광부(2)의 발광 파장에 대하여 투명한 것이다. 이 투명 절연막(5)은 예를 들어 스퍼터법 또는 CVD법(화학적 기상 성장법)에 따라 형성된다. 이 투명 절연막(5)의 두께 t는 절연성을 확보할 수 있는 범위에서 임의에 정하면 좋지만, 예를 들어 투명 절연막(5)이 SiO2막으로 이루어지는 경우에는 그 막 두께 t는 800Å × 홀수배로 되는 것이 바람직하다. 이 막 두께 t는 InGaN 반도체 발광부(2)의 발광 파장 λ(=460nm), SiO2의 굴절률 n(=1.46)에 대하여 t = λ/(4ㆍn) × 홀수배 되는 관계에 있다. 이 막 두께 t는 투명 절연막(5)과 반사 전극(7)과의 계면에 있어서, 최대의 반사 효율을 얻기 위한 조건을 만족한다.
이상과 같은 구성에 의해, P측 패드 전극(8)과 N측 패드 전극(9)과의 사이에 순(forward)방향 전압을 인가하면, InGaN 반도체 발광부(2)로부터 파장이 460nm 인 청색의 광이 발생한다. 이 광은 사파이어 기판(1)을 투과하여 광취출면(1a)측에 취출된다. InGaN 반도체 발광부(2)로부터 P측 투명 전극(3)에 향한 광은 이 P측 투명 전극(3)을 투과하고, 또 투명 절연막(5)을 투과하여 반사 전극(7)으로 입사하고, 이 반사 전극(7)에 의하여 반사된다. 이 반사한 광은 사파이어 기판(1)에 향하여 그 광취출면(1a)으로부터 취출한다. 이렇게 하여, 고효율로 광을 취출할 수 있다. 투명 절연막(5) 및 반사 전극(7)은 절연체/금속의 계면을 형성하고 있으므로, 이 계면에서는 실질적으로 광의 흡수가 생기지 않는다. 그 때문에, 양호한 광취출 효율을 달성할 수 있다.
이와 같이, 이 실시 형태의 발광 다이오드 소자에 의하면, P형 GaN 컨택트층(27)의 표면에 P측 투명 전극(3)을 접합하여 형성하고 있고, 이 P측 투명 전극(3)상에 투명 절연막(5)을 통하여 반사 전극(7)이 형성되어 있다. 그 때문에, 반사 전 극(7)의 재료를 선택할 때는 P형 GaN 컨택트층(27)과의 옴 접합의 양부(良否)를 고려할 필요가 없기 때문에, 재료 선택의 폭이 넓어진다. 이로 인해, 고반사율의 재료를 선택하여 고광취출 효율의 소자를 실현하거나, 저가의 금속 재료를 선택하여 소자의 제조 비용의 감소를 도모할 수 있다.
도 2, 도 3 및 도 4는 투명 절연막(5)의 효과를 설명하기 위한 도면이다. 도 2는 사파이어 기판상에 퇴적시킨 ZnO막의 투과율을 측정한 결과를 나타낸다. 또, 도 3은 사파이어 기판상에 ZnO막을 퇴적시키고, 추가로 이 ZnO막상에 반사 금속층을 형성한 구조에 대하여 사파이어 기판측으로부터 반사율을 측정한 결과를 나타낸다. 또한, 도 4는 사파이어 기판상에 ZnO막, SiO2막 및 반사 금속층을 차례로 적층한 구조에 대하여 사파이어 기판측으로부터 반사율을 측정한 결과를 나타낸다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 사파이어 기판상에 쌓은 ZnO는 상당히 높은 투과율을 갖는다. 그 때문에, Ag나 Al라고 하는 고반사율의 금속으로 이루어지는 반사 금속층을 ZnO 상에 형성하고 사파이어 기판측으로부터 반사율을 측정하면, 거의 반사 금속층 단체(單體)의 반사율이 얻어질 것이라고 기대된다.
그러나, 실제로는 반사 금속층을 ZnO에 직접 본딩하면, 도 3에 나타내는 바와 같이 원하는 반사율을 얻을 수 없다. 상세한 원리는 분명하지 않으나, Ag나 Al으로 하는 은백색계 금속은 Ga 도핑 ZnO와 옴 접촉을 형성하고, 이것에 기인하여 반사 금속층 단체의 반사율이 저해되어 있는 것이라고 추정된다.
여기서, ZnO와 반사 금속층과의 사이에 투명 절연막을 개재하면, 도 4에 나 타내는 바와 같이, 반사 금속층이 본래 갖는 높은 반사율을 얻을 수 있게 된다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 형태에 관한 발광 다이오드 소자의 구조를 도해적으로 나타내는 단면도이다. 이 도 5에 있어서, 전술한 도 1에 나타난 각 부와 동일한 부분에는 도 1의 경우와 동일한 참조 부호를 부여하여 나타낸다.
이 실시 형태에서는 사파이어 기판(1)이 설치되지 않고, N형 GaN 컨택트층(23)이 최상층으로 되어 있고, 이 N형 GaN 컨택트층(23)의 표면(23a)(실장 기판(10)과는 반대측인 표면)이 광취출면으로 되어 있다. 이 광취출면으로서의 표면(23)상에 N측 전극(6A)이 형성되어 있다. 이 구성의 발광 다이오드 소자는 예를 들어 도 1에 나타내는 구조를 형성한 후에, 사파이어 기판(1), 버퍼층(21) 및 언도핑한 GaN층(22)을 연삭하여 제거하고, N형 GaN 컨택트층(23)의 표면을 노출시킴으로써 제작하는 것이 가능하다.
이 실시 형태의 발광 다이오드 소자에 의하면, 사파이어 기판(1), 버퍼층(21) 및 언도프 GaN층(22)을 통과할 때의 손실이나, 이러한 층간의 계면에서의 반사에 의한 손실을 없앨 수 있으므로, 광취출 효율의 향상에 기여할 수 있다. 추가로, P측 전극 및 N측 전극이 대향 배치된 구조로 되므로, 전류 분포를 균일화할 수 있고, 소자의 발열을 억제할 수 있다고 하는 효과도 얻어진다.
N형 GaN 컨택트층(23)의 광취출면으로서의 표면(23a)은 경면(鏡面)으로 완성되어 있어도 되지만, 광취출 효율을 높이기 위해서는 도 6에 나타내는 바와 같이 조면(粗面, roughened) 가공한 표면으로 하거나 도 7에 나타내는 규칙적인 요철(凹凸)(예를 들어, 딤플(dimple)을 규칙 배열하여 되는 것)을 형성한 표면으로 하는 것이 바람직하다. 특히, 도 7의 구성의 경우에는 N형 GaN 컨택트층(23) 전체를 포토닉 결정(photonic crystal layer)으로서 광취출 효율에 더욱 향상을 도모하는 것이 바람직하다.
이상, 본 발명의 2개의 실시 형태에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 다른 형태로 실시할 수도 있다. 예를 들어, 전술한 실시 형태에서는 P측 투명 전극(3)과 반사 전극(7)과의 사이에 투명 절연막(5)이 개재되어 있으나, 이 투명 절연막(5)을 없게 하고, P측 투명 전극(3)과 반사 전극(7)이 서로의 거의 전면에 접하도록 해도 된다. 단, P측 투명 전극(3)과 반사 전극(7)과의 계면에서의 광의 흡수를 가능한 한 줄이기 위해서는 투명 절연막(5)을 설치하는 것이 바람직하다.
또, 투명 절연막(5)과 반사 전극(7)과의 사이에, 밀착성을 높이기 위한 접착층을 설치해도 된다. 접착층은 예를 들어 알루미늄(Al2O3)을 스퍼터에 의하여 0.1㎛ 정도 설치함으로써 형성되어도 된다.
또, 전술한 실시 형태에서는 질화 갈륨계 반도체 발광 소자를 예를 들었으나, 본 발명은 ZnSe, ZnO, GaAs, GaP, SiC, InAlGaP 등의 다른 재료계의 반도체 발광 소자에 대해서도 적용할 수 있다.
본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하였으나, 이것들은 본 발명의 기술적 내용을 분명히 하기 위하여 이용된 구체적인 예에 지나지 않으며, 본 발명은 이러한 구체적인 예로 한정하여 해석되어야 하는 것이 아니고, 본 발명의 정신 및 범위는 첨부의 청구의 범위에 의해서만 한정된다.
이 출원은 2004년 7월 12일에 일본 특허청에 제출된 일본 특원 2004-205094호에 대응하고 있고, 이 출원의 전개시는 여기에 인용에 의해 편입되는 것으로 한다.
본 발명에 의하면 반도체 발광부를 실장 기판에 대향시켜서 접합하는 플립 칩형의 반도체 발광 소자에 있어서, 실장 기판측에 배치되는 전극에 부과되는 제한을 완화하고, 광취출 효율의 향상에 기여할 수 있는 반도체 발광 소자를 제공할 수 있다.

Claims (9)

  1. 제1 도전형의 제1 컨택트층, 제2 도전형의 제2 컨택트층 및 이것들에 끼워진 활성층을 갖는 반도체 발광부와,
    상기 제2 컨택트층의 표면에 옴(ohmic) 접촉하고, 상기 제2 컨택트층의 표면의 거의 전역을 덮는 동시에, 상기 반도체 발광부의 발광 파장에 대하여 투명한 투명 전극과,
    상기 투명 전극의 거의 전역에 대향하여 배치되고, 상기 투명 전극과 전기적으로 접속되어 있는 동시에, 상기 반도체 발광부로부터 상기 투명 전극을 투과한 광을 상기 반도체 발광부에 향하여 반사하는 금속 반사막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 발광부의 발광 파장에 대하여 투명하고,
    한 쪽 표면을, 상기 반도체 발광부로부터 발한 광을 외부로 취출하기 위한 광취출면으로 하고,
    다른 쪽 표면을, 상기 반도체 발광부를 형성하기 위한 소자 형성면으로 하고 있고,
    상기 소자 형성면이 상기 제1 컨택트층에 대향하고 있는 투명 기판을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 투명 전극과 상기 금속 반사막과의 사이에 개재된 투명 절연막을 추가로 포함하고,
    상기 금속 반사막은 상기 투명 절연막에 형성된 개구를 통하여 상기 투명 전극에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 컨택트층에서부터 상기 금속 반사막측으로 뻗는 전극부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 투명 전극은 Zn1 - XMgXO(단, 0
    Figure 112006003667585-PCT00004
    X
    Figure 112006003667585-PCT00005
    1)막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 컨택트층의 표면이 광취출면으로 되어 있고,
    상기 광취출면에, 상기 투명 전극에 대향하도록 배치된 전극을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 광취출면이 조면(粗面, roughened) 가공된 표면인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 광취출면이 규칙적인 요철(凹凸)면인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 제1 컨택트층이 포토닉 결정(photonic crystal layer)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
KR1020067001192A 2004-07-12 2005-07-11 반도체 발광 소자 KR20070041411A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2004-00205094 2004-07-12
JP2004205094 2004-07-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070041411A true KR20070041411A (ko) 2007-04-18

Family

ID=35783895

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067001192A KR20070041411A (ko) 2004-07-12 2005-07-11 반도체 발광 소자

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7375380B2 (ko)
JP (1) JP4976849B2 (ko)
KR (1) KR20070041411A (ko)
CN (1) CN1820378A (ko)
TW (1) TWI379433B (ko)
WO (1) WO2006006555A1 (ko)

Families Citing this family (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1515680A4 (en) * 2002-06-25 2005-09-21 Wyeth Corp USE OF THIO-OXINDOLE DERIVATIVES IN THE TREATMENT OF SKIN DISORDERS
EP1620903B1 (en) 2003-04-30 2017-08-16 Cree, Inc. High-power solid state light emitter package
US7179670B2 (en) * 2004-03-05 2007-02-20 Gelcore, Llc Flip-chip light emitting diode device without sub-mount
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
TWI257714B (en) * 2004-10-20 2006-07-01 Arima Optoelectronics Corp Light-emitting device using multilayer composite metal plated layer as flip-chip electrode
US8729580B2 (en) * 2005-12-06 2014-05-20 Toshiba Techno Center, Inc. Light emitter with metal-oxide coating
JP2007165409A (ja) * 2005-12-09 2007-06-28 Rohm Co Ltd 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
JP2007207869A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Rohm Co Ltd 窒化物半導体発光素子
JP2007235122A (ja) * 2006-02-02 2007-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
JP2007221029A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Sony Corp 半導体発光素子およびその製造方法
US7622746B1 (en) * 2006-03-17 2009-11-24 Bridgelux, Inc. Highly reflective mounting arrangement for LEDs
US7687811B2 (en) * 2006-03-21 2010-03-30 Lg Electronics Inc. Vertical light emitting device having a photonic crystal structure
US7573074B2 (en) * 2006-05-19 2009-08-11 Bridgelux, Inc. LED electrode
DE102007004302A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
US8941141B2 (en) * 2006-10-17 2015-01-27 Epistar Corporation Light-emitting device
US8878245B2 (en) 2006-11-30 2014-11-04 Cree, Inc. Transistors and method for making ohmic contact to transistors
CN102779918B (zh) * 2007-02-01 2015-09-02 日亚化学工业株式会社 半导体发光元件
JP5130730B2 (ja) * 2007-02-01 2013-01-30 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
US8021904B2 (en) * 2007-02-01 2011-09-20 Cree, Inc. Ohmic contacts to nitrogen polarity GaN
US20080217634A1 (en) * 2007-03-06 2008-09-11 Wen-Huang Liu Vertical light-emitting diode structure with omni-directional reflector
US9484499B2 (en) 2007-04-20 2016-11-01 Cree, Inc. Transparent ohmic contacts on light emitting diodes with carrier substrates
DE102007022947B4 (de) 2007-04-26 2022-05-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
JP5251038B2 (ja) * 2007-08-23 2013-07-31 豊田合成株式会社 発光装置
US11114594B2 (en) 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
DE102007046743A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US8368100B2 (en) 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
US9634191B2 (en) * 2007-11-14 2017-04-25 Cree, Inc. Wire bond free wafer level LED
US8536584B2 (en) * 2007-11-14 2013-09-17 Cree, Inc. High voltage wire bond free LEDS
US8378567B2 (en) * 2007-11-21 2013-02-19 Industrial Technology Research Institute Light-polarizing structure
US8026527B2 (en) * 2007-12-06 2011-09-27 Bridgelux, Inc. LED structure
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
DE102008011809A1 (de) * 2007-12-20 2009-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP2009200178A (ja) * 2008-02-20 2009-09-03 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子
JP2013038450A (ja) * 2008-03-26 2013-02-21 Panasonic Corp 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置
CN102037575B (zh) * 2008-03-27 2013-04-10 宋俊午 发光元件及其制造方法
DE102008035900A1 (de) * 2008-04-30 2009-11-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip
US8384115B2 (en) * 2008-08-01 2013-02-26 Cree, Inc. Bond pad design for enhancing light extraction from LED chips
JP2010067868A (ja) * 2008-09-12 2010-03-25 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP5161720B2 (ja) * 2008-09-30 2013-03-13 パナソニック株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
JP5091823B2 (ja) * 2008-09-30 2012-12-05 パナソニック株式会社 半導体発光素子
JP4702442B2 (ja) * 2008-12-12 2011-06-15 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR101020910B1 (ko) * 2008-12-24 2011-03-09 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP5334601B2 (ja) * 2009-01-21 2013-11-06 株式会社東芝 半導体発光ダイオード素子及び半導体発光装置
TWI384660B (zh) * 2009-01-23 2013-02-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構及其製作方法
KR100969126B1 (ko) * 2009-03-10 2010-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
US9093293B2 (en) 2009-04-06 2015-07-28 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting light emitting diode
US8476668B2 (en) * 2009-04-06 2013-07-02 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting LED
US8741715B2 (en) * 2009-04-29 2014-06-03 Cree, Inc. Gate electrodes for millimeter-wave operation and methods of fabrication
US20100327300A1 (en) * 2009-06-25 2010-12-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Contact for a semiconductor light emitting device
TW201104913A (en) * 2009-07-31 2011-02-01 Tekcore Co Ltd Vertical light-emitting diode and manufacture method thereof
KR100974787B1 (ko) 2010-02-04 2010-08-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101064020B1 (ko) * 2010-04-23 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
JP5325834B2 (ja) 2010-05-24 2013-10-23 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP5337106B2 (ja) * 2010-06-04 2013-11-06 株式会社東芝 半導体発光装置
JP5414627B2 (ja) * 2010-06-07 2014-02-12 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP5637210B2 (ja) * 2010-06-25 2014-12-10 豊田合成株式会社 半導体発光素子
JP2012019140A (ja) 2010-07-09 2012-01-26 Showa Denko Kk 半導体発光素子およびランプ、電子機器、機械装置
JP5258853B2 (ja) 2010-08-17 2013-08-07 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
US8455882B2 (en) 2010-10-15 2013-06-04 Cree, Inc. High efficiency LEDs
US8916883B2 (en) * 2010-12-20 2014-12-23 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and method for fabricating the same
JP5777879B2 (ja) * 2010-12-27 2015-09-09 ローム株式会社 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ
JP6056150B2 (ja) 2011-04-08 2017-01-11 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
US8592847B2 (en) * 2011-04-15 2013-11-26 Epistar Corporation Light-emitting device
US10243121B2 (en) 2011-06-24 2019-03-26 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip with improved reliability
JP2013030634A (ja) * 2011-07-28 2013-02-07 Showa Denko Kk 半導体発光素子
JP5768759B2 (ja) 2012-04-27 2015-08-26 豊田合成株式会社 半導体発光素子
JP6185786B2 (ja) * 2012-11-29 2017-08-23 スタンレー電気株式会社 発光素子
JP2014116397A (ja) * 2012-12-07 2014-06-26 Stanley Electric Co Ltd 発光素子
JP6261927B2 (ja) * 2013-09-24 2018-01-17 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
TWI632692B (zh) * 2013-11-18 2018-08-11 晶元光電股份有限公司 半導體發光元件
KR102323686B1 (ko) * 2014-10-21 2021-11-11 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 및 그 제조 방법
JP5945736B2 (ja) * 2014-12-02 2016-07-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光素子
TWI572061B (zh) * 2014-12-10 2017-02-21 財團法人工業技術研究院 半導體發光結構
USD826871S1 (en) 2014-12-11 2018-08-28 Cree, Inc. Light emitting diode device
JP2016134501A (ja) * 2015-01-20 2016-07-25 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
US10658546B2 (en) * 2015-01-21 2020-05-19 Cree, Inc. High efficiency LEDs and methods of manufacturing
TWI583019B (zh) * 2015-02-17 2017-05-11 新世紀光電股份有限公司 Light emitting diode and manufacturing method thereof
KR102038443B1 (ko) 2015-03-26 2019-10-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR102411154B1 (ko) 2015-07-09 2022-06-21 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자
US10535804B2 (en) 2015-07-22 2020-01-14 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting device package
TWI552385B (zh) * 2015-09-04 2016-10-01 錼創科技股份有限公司 發光元件
US10170455B2 (en) 2015-09-04 2019-01-01 PlayNitride Inc. Light emitting device with buffer pads
KR102427641B1 (ko) * 2015-09-16 2022-08-02 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US10461221B2 (en) * 2016-01-18 2019-10-29 Sensor Electronic Technology, Inc. Semiconductor device with improved light propagation
JP6332301B2 (ja) 2016-02-25 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光素子
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
KR102519668B1 (ko) 2016-06-21 2023-04-07 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR102476139B1 (ko) 2016-08-03 2022-12-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
CN107845711A (zh) * 2017-11-03 2018-03-27 江苏新广联半导体有限公司 提升电流扩展均匀性的led倒装芯片及其制作方法
KR102427642B1 (ko) 2018-01-25 2022-08-01 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102543183B1 (ko) 2018-01-26 2023-06-14 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
JP6915029B2 (ja) * 2018-11-30 2021-08-04 シャープ株式会社 マイクロ発光素子及び画像表示素子
KR20210091895A (ko) 2020-01-15 2021-07-23 삼성전자주식회사 발광 소자

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3462720B2 (ja) * 1997-07-16 2003-11-05 三洋電機株式会社 ｎ型窒化物半導体の電極及び前記電極を有する半導体素子並びにその製造方法
JP3130292B2 (ja) * 1997-10-14 2001-01-31 松下電子工業株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP3896704B2 (ja) * 1998-10-07 2007-03-22 松下電器産業株式会社 ＧａＮ系化合物半導体発光素子
TW543128B (en) * 2001-07-12 2003-07-21 Highlink Technology Corp Surface mounted and flip chip type LED package
JP4447806B2 (ja) * 2001-09-26 2010-04-07 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP3782357B2 (ja) * 2002-01-18 2006-06-07 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
JP4122785B2 (ja) 2002-01-30 2008-07-23 日亜化学工業株式会社 発光素子
US6878969B2 (en) 2002-07-29 2005-04-12 Matsushita Electric Works, Ltd. Light emitting device
JP2004158546A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Matsushita Electric Works Ltd 半導体発光素子
JP3795007B2 (ja) * 2002-11-27 2006-07-12 松下電器産業株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP3720341B2 (ja) * 2003-02-12 2005-11-24 ローム株式会社 半導体発光素子
US7808011B2 (en) * 2004-03-19 2010-10-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006006555A1 (ja) 2006-01-19
US7375380B2 (en) 2008-05-20
JP4976849B2 (ja) 2012-07-18
US20060273335A1 (en) 2006-12-07
TWI379433B (en) 2012-12-11
TW200610198A (en) 2006-03-16
CN1820378A (zh) 2006-08-16
JPWO2006006555A1 (ja) 2008-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4976849B2 (ja) 半導体発光素子
JP4644193B2 (ja) 半導体発光素子
KR101017394B1 (ko) 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
US6919585B2 (en) Light-emitting diode with silicon carbide substrate
US8274070B2 (en) Semiconductor light-emitting element including an auxiliary electrode
KR100839179B1 (ko) 반도체 발광 소자, 반도체 발광 소자의 제조 방법, 및전극층의 접속 구조
US20050218419A1 (en) Light emitting element, method of manufacturing the same, and semiconductor device having light emitting element
US20080237616A1 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
US8354685B2 (en) Semiconductor light emitting device
US7148521B2 (en) Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
JP2014033090A (ja) 半導体発光装置
JP4873930B2 (ja) 反射電極及びそれを備える化合物半導体の発光素子
JP2004503096A (ja) ＩｎＧａＮベースの発光ダイオードチップ及びその製造方法
US11942573B2 (en) Deep UV light emitting diode
JP2006190854A (ja) 発光ダイオード
KR101895227B1 (ko) 반도체 발광소자
US20240222562A1 (en) Deep uv light emitting diode
JPWO2017038448A1 (ja) 窒化物半導体素子
KR101683683B1 (ko) 반도체 발광소자
US20210328106A1 (en) Optoelectronic semiconductor component with a current spreading structure containing silver, and optoelectronic device

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid