TWI378554B - Optoelectronic headlight, its manufacturing method and light-emitting diode chip - Google Patents

Optoelectronic headlight, its manufacturing method and light-emitting diode chip Download PDF

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TWI378554B
TWI378554B TW096110961A TW96110961A TWI378554B TW I378554 B TWI378554 B TW I378554B TW 096110961 A TW096110961 A TW 096110961A TW 96110961 A TW96110961 A TW 96110961A TW I378554 B TWI378554 B TW I378554B
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Johannes Baur
Joachim Reill
Joerg Erich Sorg
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Description

1378554 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種光電探照燈，其具有至少一個發出電磁 輻射的發光二極體晶片。本發明亦涉及此種光電探照燈之 製造方法以及此光電探照燈用之發光二極體晶片。 本專利申請案主張德國專利申請案10 2006 015 117.8之 優先權，其已揭示的內容藉由參考而收納於此處。 【先前技術】 光電探照燈例如已描述在WO 2004/088200中，其具有多 個探照燈元件，每個元件具有至少一個發光二極體晶片， 與此發光二極體晶片相關聯之主光學元件以及探照燈輸出 元件。該探照燈輸出元件被以下述方式以二組配置：它們 的配置對應於探照燈所期望的發射特性。此二組探照燈元 件可彼此獨立地運作。 【發明內容】 本發明的目的是提供一種在「先前技術」部分所描述之 類型的光電探照燈的替代品，藉此其可實現預定的發射特 性。此外，本發明還提供一種這種類型的光電探照燈之製 造方法以及這種類型的光電探照燈用之發光二極體晶片。 上述目的藉由申請專利範圍獨立項所述的光電探照燈、 方法和發光二極體晶片來達成。此探照燈、其製造方法和 發光二極體晶片之有利的延伸形式及較佳配置描述在各別 的附屬項中。 提供在「發明所屬之技術領域」部分所描述之類型的探 1378554 照燈’該探照燈具有一個發光二極體晶片，該發光二極體 晶片具有至少二個空間發射區，或該探照燈具有至少二個 發光二極體晶片’每個發光二極體晶片具有至少一個空間 發射區。該發射區的至少部份區域彼此橫向隔開，即，該 發射區不橫向重疊或不橫向完全重疊。該發射區在其所屬 的主延伸面之俯視圖中具有不同的形狀，具有不同的大小 及/或不是矩形’且被不同地定位。特佳地，可彼此獨立地 驅動發射區。 有利地，該等發射區的主延伸面大致彼此平行。使用不 同形狀、或不同大小及/或不是矩形或被不同地定位的多個 不同的發射區’能夠以精確的方式來實現用於多種應用領 域之探照燈的不同的期望發射特性。此探照燈較佳是用作 機動車輛之前頭燈，或例如視頻投影機之投影應用的照明 單元的聚光燈。 可以使用探照燈來有益地實現各種探照燈功能。例如， 在用於機動車輛的前頭燈的情況下，例如有高速公路燈、 城市燈、國道燈以及轉彎燈，可藉由多個發射區之對應的 互連（corresponding interconnection)和驅動來實現。 以下述方式來有益地選擇發射區的形狀、大小及/或方 位：一個或多個發射區一起產生大致對應於期望的探照燈 光錐（desired headlight cone)的橫切面形狀。在此和以下， 探照燈光錐表示任意形狀的體積，通過其探照燈光發光， 其中，不包括其中亮度比在與探照燈相同距離處的最大亮 度低一個數量級的區域。應當明白，發射特性表示探照燈 -6- 1378554 光錐之一個或多個屬性，例如，在不同的立體角之光強度、 亮/暗過渡或橫切面形狀。橫切面形狀表示探照燈光錐在與 探照燈之主發射方向垂直的平面中之橫切面的形狀。 依據一個有利的實施形式，在主延伸面的俯視圖中之至 少一個發射區的形狀不是矩形的。此發射區具有沿著線之 邊界，特別是相對於彼此偏斜的邊界。 依據一個特別有利的實施形式，在主延伸面的俯視圖中 之至少一個發射區的形狀具有銳角或鈍角的轉角。作爲補 充或者替換，在主延伸面之俯視圖中之至少一個發射區之 形狀具有擁有優角的彎曲部分。”彎曲部分”不必然被理解 爲尖的轉角。而是，該彎曲部分亦可以例如是圓形的。 較佳地，在主延伸面之俯視圖中之至少一個發射區之形 狀不具有對稱軸。對於此種類型的發射區，有可能特別地 實現具有不對稱之橫切面及/或不對稱之發光分布的探照燈 光錐。 作爲適當的方式，相鄰的發射區在橫向上彼此具有較小 的距離。有利地。此距離小於或等於1 00微米，較佳地小 於或等於50微米，更佳地小於或等於20微米。對於此種 小距離，有可能實現具有特別均句的發光分布的探照燈光 錐。在另一個實施形式中’該發射區在橫向上部分地重疊。 依據一個特定的有利的實施形式，該一個或多個發光二 極體晶片被配置在載體上，且與該載體一起被覆蓋電性絕 緣層。在該絕緣層上形成導電軌結構，其中，該發射區之 每一者具有至少一個與該導電軌結構相連接的電性連接 4 4137*8554 墊。尤其是’該電性連接墊導電地與該導電軌結構相連接。 較佳地’該連接墊另外也機械地與該導電軌結構相連接。 原則上’可任意地構成或建構該導電軌結構；在一個個 案中’其也可以特別地由無結構的導電層構成。較佳地， 此導電軌結構包含多條導電軌，其可彼此連接，或作爲補 充或替代地彼此電性絕緣。 用於一個或多個發光二極體晶片之導電接觸連接及互連 的、以這種方式形成的導電軌結構對於探照燈之應用特別 有利。結果，不僅使得探照燈可精確地實現不同的發射特 性’而且亦可被合算地導電安裝和互連，且亦可配置非常 靠近該發射區的光學元件。具體而言，光學元件可以比在 一個或多個發光二極體晶片藉由一條或多條焊線地被電性 接觸連接的情況下更靠近發射區。 上述探照燈可有利地具有至少一個光學元件。較佳的 是，至少一個光學元件與每個發光二極體晶片相關聯；特 佳的是，多個或全部的發射區一起與一個光學元件相關 聯。此光學元件用來形成具有最大光束強度和最小發散度 的光束錐體。 較佳的是，一個光學元件與多個發光二極體晶片一起相 關聯。與專用光學元件與每一個發光二極體晶片相關聯的 情況相比較，這例如具有簡化安裝的優點。 特別有利的是’如果該光學元件之光輸入儘可能地靠近 發光二極體晶片，有利地可能特別適宜於指定的無導線接 觸連接，因爲與藉由焊線的接觸連接相比較，該無導線接 1378554 觸連接可以實現爲具有特別小的高度。作爲適當的方式’ 藉由與發光二極體晶片盡可能靠近的光學元件來減少從光 學元件發出之立體角，光束錐體之橫切面面積在此仍然很 小。這特別在下述情況下是必要的’當最高的可能輻射強 度意欲被投射至最小的可能區域上’就像探照燈應用或投 影裝置情況那樣。 依據一個特定的有利的實施形式，除了一個或多個發光 二極體晶片之外，在該載體上配置電子組件，該組件具有 至少一個電性連接墊，該連接墊經由導電軌結構而導電地 連接。較佳的是，此組件之該連接墊經由該導電軌結構而 與該發射區之至少一個連接墊導電性地相連接。此電子組 件相對於該一個或多個發光二極體晶片具有不同類型。”具 有不同類型”是指：該組件在功能上及/或結構特徵上不同， 在這種情況下，它們可以具體實現不同的目的，在它們的 工作模式上基於不同的物理效應，具有不同形狀的電性連 接墊或可以以不同的方式被安裝。 在一個特別適當的實施形式中，該電子組件是被動組件 及/或積體電路’其較佳地適合於SMD安裝（表面可安裝裝 置的安裝）。作爲補充或替代，該組件適合於包括使用焊 線的安裝。在探照燈中，這種類型的組件可以至少部分地 基於導電軌結構而不是藉由焊料或藉由焊線來有利地導電 連接。 在上述光電探照燈中’原則上有可能將作爲在傳統的探 照燈內的載體的構成部分的導電軌，部分地或者完全地替 -9- 1378554 換爲被施加到絕緣層的導電軌結構。這樣首先允許了 和發光二極體晶片的電性安裝，其在技術上實現簡單 次允許了使用合算的載體。 有利的是，至少一個發射區的電性連接墊經由該導 結構而與載體之連接區導電地相連接。 有利地，上述絕緣層特別地包括發光轉換材料。藉 發光轉換材料，可以將要由該組件所發出的第一波長 內的電磁輻射轉換成第二波長範圍內的電磁輻射。舉 說，可以以這種方式將藍色輻射部分地轉換成黃色輻 在給定藍色和黃色輻射之適當強度比例的情況下，可 這種方式來產生白光。在這種類型的發光轉換的情況 如果絕緣層直接地鄰接用來耦合出輻射的發射區之那 面，則在效率上是特別有利的。 在一個適當的實施形式中，該一個或多個發光二極 片被安裝在被施加在載體上的晶片載體上。藉由使用 的晶片載體，可以例如在給定材料的適當選擇的情況 實現發光二極體晶片之特別良好的散熱。該晶片載體 以是發光二極體組件之殼體，其中，有利地不須將發 極體晶片完全地電性安裝至該晶片外殼上。而是，有 僅僅在藉由導電軌結構而在載體上施加晶片載體後導 連接該發光二極體晶片》 本發明亦提供一種發出電磁輻射的光電探照燈之製 法。此方法包括：提供一種載體和至少一個發光二極 片，其中，此發光二極體晶片具有至少二個發射區， 組件 ，其 電軌 由該 範圍 例來 射。 以以 下， 個表 體晶 獨立 下， 亦可 光二 可能 電地 造方 ΒΆ Β 體晶 該二 -10- 1378554 個發射區在其所屬的主延伸面的俯視圖中具有不同的形 狀，具有不同的大小及/或在相同類型的形狀的情況下被不 同地定位。每個該發射區具有至少一電性連接墊。該發射 區較佳是彼此獨立地被驅動。 該發光二極體晶片被施加在載體上。然後，向該發光二 極體晶片和該載體施加絕緣層。在另一個方法步驟中，爲 了將該發射區之至少一個相對應的電性連接墊露出，而在 絕緣層中形成多個切出部分（cutout)。以下述方法在絕緣 層上施加導電材料：其與電性連接墊相連接，以便形成導 電軌結構。 作爲適當的方式，該導電材料係以層的形式施加。根據 實施形式及要實現的導電軌結構之形狀，該層可以隨後被 適當地結構化，結果是，具體而言，亦可能產生彼此電性 絕緣的導電軌結構的導電軌。 本發明提供另一種發出電磁輻射之光電探照燈之製造方 法，其中，靠著載體提供了至少二個發光二極體晶片。該 發光二極體晶片之每一者具有至少一個發射區’該發射區 具有至少一個電性連接墊。該發射區在所屬的主延伸面的 俯視圖中，具有不同的形狀，具有不同的大小及/或不是矩 形，且被不同地定位。 其他的方法步驟包括：在載體上施加該發光二極體晶 片；向該發光二極體晶片和該載體施加絕緣層；在絕緣層 中形成切出部分，以將該發射區之至少一個相對應的電性 連接墊露出；以及以將導電材料連接到該電性連接墊的方 -11- 1378554 式來向該絕緣層施加該導電材料，以形成導電軌結構。可 以以上述方式來具體實現此導電軌結構。 在本方法之一個較佳的實施形式中，在施加絕緣層之 前’至少一個電子組件被提供且被施加在載體上。以該電 子組件也部分地或完全地被覆蓋的方式來施加該絕緣層。 而且，本實施形式的其他方法步驟包括：在該絕緣層中形 成切出部分以使該組件之電性連接墊露出；以及以導電材 料連接到該組件的電性連接墊的方式，向該絕緣層施加導 電材料，以形成導電軌結構。 特別有利的是，一起且基本上同時地製造多個探照燈。 具體而言，可以以一系列批次處理來執行絕緣層之施加、 切出部分之形成、和導電材料之施加的步驟。可以在這些 批次處理中並行地處理多個光電探照燈，這是對於使用單 獨的處理的合算的替代方式，該單獨的處理例如爲在使用 焊線焊接的情況下所需要的處理。而且，在使用批次處理 時’亦可將必要的操作安裝所需的資金耗費保持爲低。 可針對子同的產品靈活地設計該批次處理。基本上，有 可能在一條生產線上製造不同的產品。可以在相互不同的 方法的參數改變後並行地如此進行》本方法可以特別地用 於導電接觸連接和來自不同裝置類型的組件的連接。 有利地，絕緣層的施加包括預製層之施加。作爲補充或 替代，絕緣層的施加有利地包括：藉由印刷、噴射或旋轉 塗布來施加絕緣層的材料。藉由這些手段，可以在技術上 以簡單且合算的方式來實現施加絕緣層。 -12- 1378554 在本方法之一種特佳的變化形式中，爲了施加該絕緣 層，首先’向該發光二極體晶片和載體施加先質層 (precursor layer)。例如藉由溶膠凝膠方法，藉由氣相沉 積或藉由懸浮液之旋轉塗布來如此進行。執行第一熱處 理，其適合於由該先質層去除有機成分。對該材料隨後進 行第二熱處理，其適合於將該先質層硬化。具體而言，可 以藉由上述方法來產生薄和均勻的玻璃層。 較佳是藉由包括雷射加工的方法步驟來產生在絕緣層中 的切出部分。在這種情況下，使用雷射輻射在即將產生切 出部分之區域中去除絕緣層。在雷射加工期間，可精確地 設置且直接地產生切出部分之大小、形狀和深度。 施加導電材料有利地包括：藉由PVD方法來施加金屬 層，以及藉由電沉積（electrodeposition )使該金屬層強化》 適當的PVD方法例如是濺鍍。 作爲替代方式•亦可使用印刷法，特別是網版印刷法， 來施加導電材料。而且，亦可使用噴射法或旋轉塗布法來 產生導電材料。 提供一種發出電磁輻射的發光二極體晶片。此發光二極 體晶片具有至少二個發射區，該發射區可以彼此獨立地被 驅動，並且在其所屬的主延伸面之俯視圖中’具有不同的 形狀，具有不同的大小及/或在相同類型的形狀的情況下被 不同地定位。此發光二極體晶片特別有利地適合應用在光 電探照燈中。 依據該發光二極體晶片之一個特別有利的實施形式，該 -13- 1378554 I # 至少一個發射區的形狀在該主延伸面之俯視圖中不是矩形 的，具有擁有銳角或鈍角之轉角，具有擁有優角的彎曲部 分及/或不具有對稱軸。 藉由下面結合附圖所述之示範性實施形式，上述探照 燈，上述方法和發光二極體晶片之其它優點、較佳實施形 式和便利（expediencies)將更加清楚。 【實施方式】 在圖式和示範性實施例中相同或相同作用的部分在每種 情況下被賦予相同的元件符號。所示的元件和元件彼此之 間的關係應當視爲不必然是真實依比例繪出。而是，使用 誇大的尺寸來圖示在圖式內的一些細節，以便提供更好的 理解。 第1圖所示的發光二極體晶片具有第一發射區21、第二 發射區22和第三發射區23。該發射區被配置在共用的載體 基板24上= 第一發射區21和第三發射區23在其主延伸面之俯視圖 中具有五邊形的形狀。第一發射區21之五邊形的形狀具有 三個直角和二個鈍角a、|3。第三發射區23同樣包括三個直 角。但是其還具有優角（reflex angle) γ和銳角δ。”發射區 之形狀的角”用於表示該形狀的輪廓的兩條相鄰的局部直 線相對於彼此定位的角度，該角是在該形狀內被測量，如 第1圖所示。 優角γ例如在185度和205度（包含兩者）之間。較佳是， 優角γ大約是195度。 -14- 4 1378554 第二發射區22具有四邊形形狀，其包括二個直角、一 銳角和一個鈍角。第二發射區22被配置在第一發射區 和第三發射區23之間。 在它們的整體配置中，三個發射區21、22和23形成 致矩形的，特別是正方形的形狀。彼此面對的發射區21 22、23的外側邊大致彼此平行。該發射區可彼此獨立地 作。 第4圖顯示在沿著第1圖中所示的虛線的切面上的示 切面圖。可以在這個切面圖中看出，發射區21、23是由 光二極體層210、230所形成。發光二極體層210、230 如是半導體層序列，其具有適合用來在施加電流時發出 磁輻射的活性區（active zone)。 該發光二極體層例如基於氮化物化合物半導體材料， 適合於從藍色及/或紫外線光譜發出電磁輻射。氮化物化 物半導體材料是含有氮之化合物半導體材料，例如•來 InxAlyGai-x-yN 系的材料，其中 OSxgl，OSygl 且 x + y$ 該發光二極體層具有例如由氮化物化合物半導體材料所 成的至少一個半導體層。 該發光二極體層可包含傳統的pn接面、雙異質結構、 量子井結構（SQW結構）或多量子井結構（MQW結構）°這 結構已爲此行的專家所知悉，因此此處不進一步詳細 明。MQW結構的例子已描述在 US 5,831，277和 5,684,309中，在這些發明中的揭示的內容藉由參考而被 含於此。 個 2 1 大 、 運 意 發 例 電 且 合 白 1 ° 構 單 些 說 US 包 •15- 1378554 發光二極體層210、230被施加在基板24上。此基板可 以是生長基板，在其上發光二極體層以半導體層序列形式 生長。作爲替代方式，基板24亦可以是載體基板，在其上 發光二極體層210，230在它們形成後被施加。 在此種情況下，可以例如在發光二極體層210、23 0和基 板24之間配置反射器，其使在發光二極體層210、230中 所產生的電磁輻射被反射。舉例而言，可以在這種情況下 包含金屬或電介質的鏡面。較佳地，該反射器包含電介質 層和在此電介質層上施加的金屬層，其中，該電介質層是 與發光二極體層210、230相鄰（未圖示）。 發光二極體層210、230彼此隔開。結果，可彼此獨立地 驅動它們的發射區21、23。可以以任何其他方式來實現不 同的發射區的互相獨立的可驅動性。也可以例如，發射區 沿著其所屬的主延伸面而部分地彼此重疊，即，該發射區 不必被配置在物理上彼此分離的區域中。 可以例如藉由電流阻障（current barrier )來實現部分重 疊的發射區，該電流阻障僅僅部分地防止電流--例如在第一 發射區中被施加--流過第二發射區所屬的發光二極體層的 區域。在激發第二發射區後，一個或多個電流阻障亦對應 地部分屏蔽電流。整體而言’可以以上述方式來實現二個 不同的、但有部分互相重疊之發射區。 第2圖中所示的發光二極體晶片具有第一發射區21和二 個第二發射區22。第一發射區21具有三角形形狀，其具有 一個直角和二個銳角α，β。該二個第二發射區22具有長矩 -16- 1378554 形形狀。它們係以下述方式並排配置：它們的二個長邊彼 此平行且彼此面對。第一發射區21以下述方式相對於該二 個第二發射區22被配置：藉由發射區的整體配置來形成具 有優角γ的五邊形形狀。此鈍角γ可以如第1圖所示的發光二 極體晶片之第三發射區之優角那樣來配置。 第3圖所示的發光二極體晶片具有五個發射區21、22, 其具有相同類型的形狀。三個第一發射區21的形狀具有第 一方向，且二個第二發射區22的形狀具有第二方向。其中， 該第一方向相對於與發射區之主延伸面平行的第二方向旋 轉180度。 該發射區都具有三角形形狀，其具有一個直角和二個銳 角。該發射區的整體配置再一次產生具有優角γ的五邊形形 狀，可以像先前之例子中所述的優角γ那樣來配置該優角γ。 第1至3圖中所示的發光二極體晶片良好地適用於機動 車輛前頭燈的探照燈模組中。對於此種類型的前頭燈，在 許多國家中規定了不對稱的發射特性，其中，所發出的探 照燈光錐具有擁有優角的不對稱的橫切面。 在第5圖所示的光電探照燈具有光電組件5 0和被動組件 100。這些不同類型的電子組件被配置在載體10上。可以 在第13圖的切面圖中看出，組件50、100和載體10被電 性絕緣層3覆蓋。在絕緣層3上形成導電軌結構1 4。光電 組件50和被動組件100具有連接到導電軌結構14的電性 連接墊7 、 6 、 106 。 光電組件50具有晶片載體20，其具有電性連接墊7。在 -17- 1378554 電性連接墊7之部分上施加發光二極體晶片1。此晶片在遠 離該晶片載體20之電性連接墊7之一側上具有三個發射區 21、22、23,其中每個具有電性連接墊6。這些電性連接墊 6和未被發光二極體晶片1覆蓋的電性連接墊7之那個部分 形成光電組件50之相對應的電性連接墊。 被動組件1〇〇例如是電阻器、變阻器或電容器。其電性 連接墊106之一經由導電軌結構14之導電軌而導電地與發 光二極體晶片1之第三發射區23之電性連接墊6相連接。 第二電性連接墊106同樣地與導電軌結構14之導電軌導電 地相連接，然而，這個導電軌不直接地引向光電組件50之 連接墊，而是與後者遠離。 第一發射區21和第二發射區22之連接墊6以及光電組 件50之形成在晶片載體20上的電性連接墊7也導電地與 導電軌結構14之導電軌相連接。該電性連接墊6、7、106 較佳是全部導電地且機械直接地與導電軌結構14相連接。 可以例如使用沒有導電軌或電性連接墊的載體10來生產 第5圖所示的探照燈’。探照燈之全部的導電軌有利地例如 被形成爲在該絕緣層3上之導電軌結構14之一部分。 作爲替代方式，亦可將在絕緣層3上所形成的導電軌結 構14來與相對應的載體10之導電軌及/或連接墊相組合， 即，該組件之電性互連包括導電軌結構1 4和該載體1 0之 導電軌及/或連接墊。此種類型的探照燈之例子已顯示在第 6圖中。 第6圖所示的探照燈具有載體10,其包括電性連接墊7, -18- 1378554 在其上施加第一發光二極體晶片1和第二發光二極體晶片 2。第一發光二極體晶片1具有單個發射區，該發射區在其 主延伸面之俯視圖中具有矩形形狀。第二發光二極體晶片2 具有單個發射區，其在其主延伸面之俯視圖中具有三角形 形狀。發光二極體晶片之間的距離例如大約是20微米。 發光二極體晶片1、2之面向電性連接墊7之側面導電地 與連接墊7相連接。遠離電性連接墊7之發光二極體晶片 1、2之側面每個具有電性連接墊6，其導電地與導電軌結 構14之導電軌相連接。第一發光二極體晶片1之連接墊6 經由該導電軌結構而導電地與該載體1〇之電性連接區8相 連接。 導電軌結構14之另一個導電軌將該電性連接墊7與同樣 位於載體10上的被動組件1〇〇之連接墊106相連接。被動 組件100具有二個電性連接墊106,其中，第二電性連接墊 也導電地與導電軌結構1 4之導電軌相連接。 有可能導電軌結構1 4，例如，沒有將探照燈的組件的電 性連接墊彼此直接地導電連接的導電軌。多個發光二極體 晶片較佳爲可以用在如從第5和6圖中所示的探照燈選取 之部分的情況下。舉例來說，包含四個（含）至十個（含）發光 二極體晶片。作爲替代方式，該探照燈具有例如四個（含） 至十個（含）光電組件，每個光電組件包含至少一個發光二極 體晶片1。 在這種類型的探照燈中，該被動組件例如用來使施加在 光電組件上的電壓獲得穩定。變阻器被方便地用於這個目 -19- 1378554 的。作爲補充或替代方式，可以獲得相對於光電組件50不 同類型之電子組件來用於任何目的，例如用於在探照燈中 形成適當的電子驅動電路。這也特別包含使用積體電路所 形成的邏輯電路。舉例來說，邏輯晶片及/或記憶體晶片可 被配置在載體10上，且將其導電地與導電軌結構14相連 接。 在第7圖中顯示了來自具有積體電路200之示範性探照 燈之選取部分。積體電路200具有例如外殼，且適合於被 以類似於SMD組件的方式安裝且連接。作爲補充或者替 代，亦可使用沒有外殻之積體電路（裸晶粒，bare die)。此 種裸晶粒通常藉由黏合劑黏接或焊接而被機械地安裝，且 藉由引線接合（wire bonding)製程而被導電地連接。而且， 亦可使用適合於藉由凸塊安裝（bump mounting)來連接之 積體電路。 在第7圖所示的探照燈的情況中，這種類型的積體電路 200被施加在載體10上，且使用施加在絕緣層3上的導電 軌結構14而導電地相連接。舉例來說，積體電路200之全 部的電性連接墊206直接導電地與導電軌結構14之導電軌 相連接。 在載體10上施加具有第一和第二非矩形發射區21、22 的第一發光二極體晶片1。該第一發射區21是三角形的’ 第二發射區是四邊形的。它們每個都具有電性連接墊6。與 載體10上的晶片一起並排配置了用於發光二極體晶片之電 性連接用的另外的連接墊7。該電性連接墊6、7經由導電 -20- 1378554 軌結構之導電軌而導電地與積體電.路200之連接墊相連接。 爲了清楚之故，該絕緣層未顯示在第5、6、7圖中。該 絕緣層被配置在該導電軌結構14和圖中所示的其它元件之 ' 間，其中，該絕緣層在要接觸連接的連接墊之區域中具有 用於鍍通孔的切出部分（cutout for plated-through holes)。 藉由以下參照第8至21圖所述之用於生產探照燈之示範性 方法來說明此種構造。 第8至13圖中包含第5圖所示的探照燈之製造方法之不 ® 同方法階段的示意切面圖。第13圖所示的切面圖是沿著第 5圖中所示的虚線之部分之圖示。第8至12圖所示之切面 _ 圖是在所述的示範性方法之在前方法階段期間的相對應部 分的圖示。 第8圖顯示載體10之提供方法步驟。該載體10具有例 如平板的形狀。作爲替代方式，該載體亦可具有結構且不 平坦。其包含例如陶瓷材料、塑料及/或金屬，或基本上由 這些材料之一者所構成。舉例來說，該載體由氮化鋁所構 ⑩成。 在載體10上施加不同類型的至少兩種電子組件50, 1〇〇’請參照第9圖。這些組件被方便地固定到載體1〇。雖 然將該組件導電地連接至載體1 〇是不必要的，但在該組件 和該載體1 〇之間的具有高導熱率的連接是有利的。組件 50、100例如藉由黏結劑及/或藉由焊料而與該載體相連 接。然而，原則上亦可不需上述的連接。 該組件之一是光電組件5 0，其包括：晶片載體2 〇 ,施加 •21- 1378554 在晶片載體20上的電性連接層7以及施加在電 上的發光二極體晶片1。 發光二極體晶片1在其面對電性連接層7之 具有例如藉由焊接（未圖式）而導電地或機械地 層7相連接的電性連接墊。在遠離電性連接層Ί 該發光二極體晶片1具有一電性連接墊6。此連 由接觸層或接觸層序列形成，該接觸層或接觸 加至發光二極體晶片1之發光二極體層上，且 微影術而被結構化。 晶片載體20包括陶瓷、金屬和塑料材料中K 或由這些材料中的一者所構成。舉例來說，其 構成。 被動組件100係與光電組件50相隔一定距離 載體10上。該組件具有以下述方式形成的二個 1 06 :組件1 00適合於SMD安裝。SMD表示”表 置”》SMD安裝應當被理解爲表示通常是SMD釋 其一般包括：將該組件施加至安裝區，以及將 性連接墊焊接在安裝區內。 第10圖所示的方法階段中，向電子組件50、 體10施加絕緣層3»較佳是藉由噴射或旋轉塗 液來施加絕緣層3。而且，例如，印刷法，特別 法也可有利地用於施加絕緣層3。 在第11圖所示的方法步驟中，於該絕緣層3 第一切出部分11和兩個第二切出部分12,藉由 :性連接層7 外部區域上 與電性連接 之一側上， 接墊6例如 層序列被施 例如藉由光 丨至少一者， 由氮化鋁所 地被施加在 電性連接墊 面可安裝裝 I件的安裝， 該組件之電 1 0 0和向載 布聚合物溶 是網版印刷 中產生一個 該第一切出 -22- 1378554 部分11使發光二極體晶片1之電性連接墊6之部分區域露 出，藉由第二切出部分12在每種情況下使被動組件100之 電性連接墊106之部分區域露出。切出部分n、12係例如 藉由光微影製程或藉由雷射加工而產生，其中雷射加工是 較佳的。 < 然後，以使導電材料與電性連接墊6、106相連接的方式 來向絕緣層施加導電材料。作爲適當的方式，以導電材料 塡入切出部分11、12且覆蓋絕緣層3的方式來施加。其被 施加來形成電性的導電軌結構14。 該導電材料包括例如至少一種金屬、或由該金屬所構 成。例如’以金屬層的形式來施加。這是例如藉由氣相沉 積或濺鍍來進行的。然後，將該金屬層結構化，其例如藉 由光微影術來進行的。 作爲替代，首先，向絕緣層3的整個區域上施加具有1〇〇 奈米厚度之較薄的金屬層。在被提供用來形成導電軌結構 14之區域中’選擇性地以電解（eiectr〇 lytically)來強化， 且隨後蝕刻該金屬直至未被強化的區域被除去爲止。例如 藉由向該金屬層施加光阻層來進行，其中，藉由光微影術， 在被提供用於導電軌結構14的區域中（未圖示）產生切出部 分。 在光阻層的切出部分之區域中，先前施加的金屬層係藉 由電解沉積而被強化。以下述方式來有利地如此進行：在 電解強化層內的金屬層較預先在整個區域上施加的金屬層 厚的多。舉例來說，在電解強化區域中之金屬層的厚度可 -23- 1378554 以是幾個微米。然後，去除光阻層，且進行蝕刻處理，其 具體去除了在沒有被電解強化的區域中的金屬層。相反 地，在該電鍍強化的區域中，金屬層由於其較大的厚度而 只有一部分地被去除，結果是它保留在這些區域中以形成 導電軌結構14 » 作爲另一替代方式，也可以將該導電軌結構直接地以結 構化的形式施加在絕緣層3。可以例如使用印刷法，特別是 使用網版印刷法來進行。 作爲對於金屬之替代，有利地使用例如透明的導電材 料，其特別地對於由發光二極體晶片1所發出的電磁輻射 是透明的。具體地，如銦錫氧化物（ITO)之透明導電氧化物 (TCO)，適合用於作爲此種類型的透明導電材料。作爲替 代，例如使用透明的導電塑料層。透明導電材料較佳是藉 由氣相沉積、印刷、噴射、或旋轉塗布來施加。 在形成該導電軌結構14之後（請參照第12圖），在另一 個可選擇的方法步驟中，可向該導電軌結構施加電性絕緣 覆蓋層15，請參照第13圖。絕緣覆蓋層15較佳是塑料層 (plastic layer )，例如阻劑層（resist layer)，其特別地 覆盡導電軌結構 14，以產生一種無電勢之表面 (potential - fre e surface ) 〇 在第14圖中顯示了上面參照第10圖所述的施加絕緣層3 的—種替代變化形式。在這種情況下，在向載體10施加之 前預製電性絕緣層。舉例來說，以可撓膜（flexible film ) 之形式來提供它，然後被施加至該組件和載體1 0 »可使用 -24- 1378554 黏結劑藉由例如積層或黏結劑黏結來施加該膜。對於其餘 部分，可以以如上所述的方式來進行本方法。 下面參照第15至18圖所示的方法的示範性實施例的描 ' 述說明了施加絕緣層3的另一種替代變化形式。 • 與上面參照第8至14圖所述的方法相反，提供了具有二 個連接區7、8的載體10。該電性連接區7、8在電性上彼 此絕緣。它們係藉由例如金屬層所形成，該金屬層被施加 在載體10之基體上。該載體10可以例如是PCB(印刷電路 •板），特別是MCPCB。 發光二極體晶片1被施加至第一連接區7上，且導電地 與終端區7相連接，例如藉由下述方式來進行：藉由透過 焊料或導電黏結劑焊接、或黏結劑黏接來施加該發光二極 體晶片之面向該連接區之那個區。在其與連接區7遠離的 —側，發光二極體晶片1具有電性連接墊6。發光二極體晶 片1是被施加在載體_ 1 0上的光電組件的一個例子。 作爲替代方式，該光電組件亦可具有外殻，其中，發光 Φ 二極體晶片1如果適合的話與在第6圖所示的第二發光二 極體晶片2 —起被安裝，且如果適合的話，亦被封裝。該 外殼可以適合於例如SMD安裝。 第1 5至21圖係顯示對應於在生產探照燈之不同方法階 段期間沿著第6圖所示虛線之在第6圖所示之探照燈的切 面圖。第21圖所示的切面圖對應於已製成的探照燈的切面 的圖示。 包含有機和無機成分 （organic and inorganic -25- 1378554 constituents)的先質層（precursor layer) 9被施加到載體 10和其上所施加的組件上，請參照第16圖。該先質層之施 加，例如藉由溶膠-凝膠方法，藉由氣相沉積、濺鍍、噴射， 或藉由懸浮液之旋轉塗布來達成》 然後，該先質層進行第一熱處理。在這種情況下，其例 如在較佳爲大約200°C至400°C之溫度^下被置於中性或 略含氧氣的空氣中達到約4小時至8小時。舉例來說，純 氮空氣或具有低氧氣分壓的中性空氣適合於這個目的。在 第一熱處理期間，先質層9之有機成分被去除，如第17圖 中的箭頭1 8所示。 然後，所形成的層藉由第二熱處理來硬化，如第18圖之 示意圖示，以便製成絕緣層3。該第二熱處理包含燒結，其 在較佳爲大約3 00°C至500°C之溫度T2下進行大約4小時 至5小時》該第二熱處理較佳是在還原性空氣（reducing atmosphere)或氧化性空氣中進行。具體而言，可以藉由上 述方法來產生玻璃層。 這樣所產生的絕緣層3隨後設有多個切出部分11、12, 以便將電性連接墊6之部分區域或載體之電性連接區8露 出，請參照第19圖。然後，向絕緣層3施加用於形成導電 軌結構14的導電材料，請參照第20圖。然後，可選擇地 (optionally)，向導電軌結構14施加絕緣覆蓋層15，如第 2 1圖所示。 可以以類似於絕緣層3的製造方式來製造覆蓋層15。其 可以具體包括玻璃或由玻璃所構成。在此種情況下，上面 -26- 137.8554 參照第16至18圖所描述的方法步驟較佳爲第一次被執 行，以產生絕緣層3，且在施加導電軌結構14之後被重複 進行，以形成覆蓋層1 5。 藉由多次重複施加電性絕緣層和導電層，亦可實現多層 之導電軌結構。這在下述情況下特別有利：如果要在受限 的空間內實現多個電子組件的複雜互連。 在上述的方法和光電探照燈中，絕緣層及/或絕緣覆蓋層 可以包括發光轉換材料，後者被提供爲例如粉末形式的至 少一種螢光體。適當的發光轉換材料例如是用於LED應用 的所有習知轉換劑。 適合於作爲轉換劑之這樣的螢光體和螢光體化合物的例 子是： -氯矽酸鹽，係例如已揭示在DE 1 003 6940及其中所述的 先前技術中者： -正矽酸鹽、硫化物、硫代金屬酸鹽（thiometal)、和釩 酸鹽，係例如已揭示在WO 2000/3 3 3 90及其中所述的先前 技術中者； -銀酸鹽、氧化物、鹵化磷酸鹽（halophosphate)，係例 如已揭示在US 6,616,862及其中所述的先前技術中者； -氮化物、氮氧化砂（s i ο n e )和塞龍（s i a 1 ο n e )，係例如 已描述在DE 10147040及其中所述的先前技術中者； -如 YAG:Ce 之稀土 石榴石（garnet of rare earths)、和 鹼土金屬元素，係例如已揭示在US 2004-062699及其中所 述的先前技術中者。 -27- 1378554 本發明當然不限於依據各實施例中所作的描述。反之， 本發明包含每一新的特徵和各特徵的每一種組合，特別是 包含各申請專利範圍-或不同實施例之各別特徵之每一種組 合，當相關的特徵或相關的組合本身未明顯地顯示在各申 請專利範圍中或各實施例中時亦同。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示根據第一示範性實施例之發光二極體晶片 之示意俯視圖。 第2圖係顯示根據第二示範性實施例之發光二極體晶片 之示意俯視圖。 第3圖係顯示根據第三示範性實施例之發光二極體晶片 之示意俯視圖。 第4圖係顯示根據第1圖所示的發光二極體晶片之示意 切面圖。 第5圖係顯示從根據第一示範性實施例之光電探照燈選 取之部分的示意俯視圖。 第6圖係顯示從根據第二示範性實施例之光電探照燈選 取之部分的示意俯視圖。 第7圖係顯示從根據第三示範性實施例之光電探照燈選 取之部分的示意俯視圖。 第8至13圖係顯示根據第一示範性實施例之方法、用於 製造在第5圖所示的探照燈的不同方法階段的示意切面圖 〇 第14圖係顯示根據第二示範性實施例之方法、用於製造 -28- 137*8554 #第5圖所示的探照燈的方法階段的示意切面圖。 第15至21圖係顯示根據第三示範性實施例之用於製造 在第6圖所示的光電探照燈的方法的不同方法階段的示意 切面圖。 【主要元件符號說明】
1，2 發 光 二 極 體 晶片 3 絕 緣 層 6, 7, 106 連 接 墊 8 連 接 區 9 先 質 層 10 載 體 11, 1 2 切 出 部 分 14 導 電 軌 結 構 15 覆 蓋 層 20 晶 片 載 體 200 積 體 電 路 21， 22， 23 發 射 丨品- 206 連 接 墊 2 10, 230 發 光 二 極 體 層 24 基 板 50 光 電 組 件 100 電 子 組 件 -29-

Claims (1)

1378554
第 96 1 1 096 1 號 片」專利案 光電探照燈、其製造方法及發光二極體晶 (2010年12月30日修正） 十、申請專利範圍： 1· 一種發出電磁輻射之光電探照燈，其特徵爲： 其包含發光二極體晶片’該發光二極體晶片具有至少二個 發射區，該等發射區之每一者係藉由半導體層序列形成， 其中，該等發射區可以彼此獨立地被驅動，且該等發射區 在所屬的主延伸面的俯視圖中具有不同的形狀，具有不同 的大小，及/或不是矩形，及/或被不同地定位，其中， 該至少二個發射區每一者具有適合發出電磁輻射的活性 區，且該至少二個發射區及該等活性區係彼此隔開；或 該等發射區局部重疊，其中具有至少一個電流阻障 (current barrier) ’透過該電流阻障僅局部地防止該施加在 第一發射區之電流流經半導體層序列中與第二發射區關 連的區域。 2. 如申請專利範圍第1項之光電探照燈，其中在該主延伸面 之俯視圖中，至少一個發射區的形狀不是矩形的。 3. 如申請專利範圍第1或2項之光電探照燈，其中在該主延 伸面之俯視圖中，至少一個發射區的形狀具有擁有銳角或 鈍角的轉角。 4. 如申請專利範圍第1項之光電探照燈，其中在該主延伸面 之俯視圖中，至少一個發射區的形狀具有擁有優角（reflex angle )的彎曲部分。 I37S554 5. 如申請專利範圍第1項之光電探照燈，其中在該主延伸面 之俯視圖中，至少一個發射區的形狀不具有對稱軸》 6. 如申請專利範圍第1項之光電探照燈，其中相鄰的發射區 彼此的距離是小於或等於ΙΟΟμιη。 7. 如申請專利範圍第1項之光電探照燈，其中一個或多個該 發光二極體晶片被配置在載體上，且與該載體一起被覆蓋 電性絕緣層，在該電性絕緣層上形成導電軌結構，其中， 該發射區之每一者具有至少一個連接到該導電軌結構的 # 電性連接墊。 8. 如申請專利範圍第7項之光電探照燈，其中除了一個或多 個該發光二極體晶片之外，在該載體上另配置電子組件， 該電子組件具有至少一個電性連接墊，該電性連接墊經由 該導電軌結構而導電地與該發射區之至少一個連接墊相 連接。 9·如申請專利範圍第8項之光電探照燈，其中該電子組件是 被動組件及/或積體電.路。 ® 1〇·如申請專利範圍第8或9項之光電探照燈，其中該電子 組件適合於 SMD 安裝（Surface Mountable Device mounting )° 11. 如申請專利範圍第7項之光電探照燈，其中至少一個發 射區的連接墊是經由該導電軌結構而導電地與該載體的 連接區相連接。 12. 如申請專利範圍第7項之光電探照燈，其中該絕緣層含 有發光轉換材料。 1378554 13.如申請專利範圍第7項之光電探照燈，其中一個或 該發光二極體晶片係安裝在被施加於該載體上的晶 體上。 14· —種發出電磁輻射之光電探照燈之製造方法，包括 步驟： 提供載體和至少一個發光二極體晶片，該發光二極 片具有至少二個發射區，該等發射區之每一者係藉由 體層序列形成，該等發射區能彼此獨立地被驅動，且 發射區在所屬的主延伸面的俯視圖中具有不同的形狀 有不同的大小，及/或在相同類型的形狀的情況下被 地定位，其中，該等發射區每一者具有至少一個電性 墊，且其中該至少二個發射區係彼此隔開，且其中 該至少二個發射區每一者具有適合發出電磁輻射的 區，且該至少二個發射區與該等活性區係彼此隔開； 該等發射區局部重疊，其中具有至少一個電流阻障， 該電流阻··障僅局部地防止該施加在第一發射區之電 經半導體層序列中與第二發射區關連的區域； 在該載體上施加該發光二極體晶片； 向該發光二極體晶片和該載體施加絕緣層； 在絕緣層中形成多個切出部分，以便露出該發射區之 —個相對應的電性連接墊；及 以下述方式在該絕緣層上施加導電材料：使此材料與 性連接墊相連接，以形成導電軌結構。 15.如申請專利範圍第14項之製造方法，其中另具有以 多個 片載 以下 ΆΆ 曰 渥日日 半導 該等 ，具 不同 連接 活性 或 透過 流流 至少 該電 下的 -3- 1378554 步驟： 在施加該絕緣層之前，向該載體施加至少一個電子組件； 以也覆蓋該電子組件的方式施加該絕緣層； 在該絕緣層中形成多個切出部分，以便露出該組件之電性 連接墊；及 以導電材料連接到該組件的電性連接墊的方式向該絕緣層 施加導電材料，以便形成導電軌結構。 16. —種發出電磁輻射之發光二極體晶片，其特徵爲： 其具有至少二個發射區，該等發射區之每一者係藉由半 導體層序列形成，該等發射區可以彼此獨立地被驅動，並 且在所屬的主延伸面的俯視圖中，具有不同的形狀，具有 不同的大小，及/或在相同類型的形狀的情況下被不同地 定位，其中該至少二個發射區每一者具有適合發出電磁輻 射的活性區，且該至少二個發射區與該等活性區係彼此隔 開；或 該等發射區局部重疊.，其中具有至少一個電流阻障，透過 該電流阻障僅局部地防止該施加在第一發射區之電流流 經半導體層序列中與第二發射區關連的區域。 17·如申請專利範圍第16項之發光二極體晶片，其中該至少 一個發射區的形狀在該主延伸面的俯視圖中不是矩形的 ’具有擁有銳角或鈍角的轉角，具有擁有優角的彎曲部分 ’及/或不具有對稱軸。 1378554 七、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第（5 )圖。 (二） 本代表圖之元件符號簡單說明： 1 發光二極體晶片 6， 7， 106 連接墊 10 載體 14 導電軌結構 20 晶片載體 21, 22, 23 發射區 50 光電組件 100 電子組件 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式 益。 **»、 -4-
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006015117A1 (de) * 2006-03-31 2007-10-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Scheinwerfer, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Scheinwerfers und Lumineszenzdiodenchip
DE102007046337A1 (de) 2007-09-27 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
JP2009218452A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Harison Toshiba Lighting Corp 発光デバイス及び灯具
DE102008025397A1 (de) * 2008-05-28 2009-12-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Fahrzeugbeleuchtungsvorrichtung mit mindestens zwei Halbleiter-Leuchtelementen
DE102008054218A1 (de) 2008-10-31 2010-05-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip
KR102136181B1 (ko) * 2009-10-01 2020-07-22 루미너스 디바이시즈, 아이엔씨. 발광 장치
US9324691B2 (en) * 2009-10-20 2016-04-26 Epistar Corporation Optoelectronic device
TW201115779A (en) * 2009-10-26 2011-05-01 Gio Optoelectronics Corp Light emitting apparatus
TWI466284B (zh) * 2010-07-02 2014-12-21 Epistar Corp 光電元件
DE102010044560A1 (de) 2010-09-07 2012-03-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
CN103563074B (zh) * 2011-04-04 2018-09-14 陶瓷技术有限责任公司 具有Al冷却体的陶瓷印刷电路板
DE102011102032A1 (de) * 2011-05-19 2012-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleitermodul und Display mit einer Mehrzahl derartiger Module
DE102013001285A1 (de) * 2013-01-25 2014-07-31 GM Global Technology Operations LLC (n. d. Ges. d. Staates Delaware) Kraftfahrzeugscheinwerfer
KR102003001B1 (ko) * 2013-03-13 2019-07-23 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈
JP6191409B2 (ja) * 2013-11-15 2017-09-06 日亜化学工業株式会社 発光素子
FR3030995A1 (fr) * 2014-12-23 2016-06-24 Aledia Source de lumiere electroluminescente a parametre de luminance ajuste ou ajustable en luminance et procede d'ajustement d'un parametre de luminance de la source de lumiere electroluminescente
DE102015104886A1 (de) * 2015-03-30 2016-10-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
US10211188B2 (en) * 2016-12-01 2019-02-19 Cheng Chang TransFlexDisplay Corp. Method for making an LED module and module made thereof
JP6384578B2 (ja) * 2017-08-04 2018-09-05 日亜化学工業株式会社 発光素子
JP7152688B2 (ja) * 2019-07-17 2022-10-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102019220378A1 (de) * 2019-12-20 2021-06-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
WO2023145656A1 (ja) * 2022-01-26 2023-08-03 株式会社小糸製作所 半導体発光素子、前照灯装置、および半導体発光素子の製造方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5684309A (en) * 1996-07-11 1997-11-04 North Carolina State University Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes
US5831277A (en) * 1997-03-19 1998-11-03 Northwestern University III-nitride superlattice structures
EP1027723B1 (en) * 1997-10-14 2009-06-17 Patterning Technologies Limited Method of forming an electric capacitor
JP3641122B2 (ja) 1997-12-26 2005-04-20 ローム株式会社 半導体発光素子、半導体発光モジュール、およびこれらの製造方法
US6252254B1 (en) 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US7323634B2 (en) * 1998-10-14 2008-01-29 Patterning Technologies Limited Method of forming an electronic device
JP2000252592A (ja) * 1999-03-01 2000-09-14 Hitachi Ltd 光ディスク装置
JP2000315062A (ja) * 1999-05-06 2000-11-14 Hitachi Ltd 平面表示装置
DE19931689A1 (de) * 1999-07-08 2001-01-11 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Optoelektronische Bauteilgruppe
US6737801B2 (en) * 2000-06-28 2004-05-18 The Fox Group, Inc. Integrated color LED chip
DE10036940A1 (de) 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
US6616862B2 (en) * 2001-05-21 2003-09-09 General Electric Company Yellow light-emitting halophosphate phosphors and light sources incorporating the same
DE10147040A1 (de) * 2001-09-25 2003-04-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
JP2004047617A (ja) 2002-07-10 2004-02-12 Sony Corp 電子部品の実装構造及びその製造方法
JP2004055742A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子及びそれを備えた発光素子アレイ
KR100891403B1 (ko) * 2002-08-01 2009-04-02 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법과 그것을 이용한 발광장치
US7078737B2 (en) * 2002-09-02 2006-07-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting device
JP3782411B2 (ja) * 2002-09-02 2006-06-07 松下電器産業株式会社 発光装置
JP4263453B2 (ja) * 2002-09-25 2009-05-13 パナソニック株式会社 無機酸化物及びこれを用いた発光装置
DE10314524A1 (de) 2003-03-31 2004-10-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Scheinwerfer und Scheinwerferelement
JP4645071B2 (ja) * 2003-06-20 2011-03-09 日亜化学工業株式会社 パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置
JP4314911B2 (ja) * 2003-08-20 2009-08-19 スタンレー電気株式会社 車両前照灯
JP2005159178A (ja) 2003-11-27 2005-06-16 Nichia Chem Ind Ltd 発光素子およびそれを用いた光源装置
JP4806889B2 (ja) * 2003-09-05 2011-11-02 日亜化学工業株式会社 光源装置及び照明装置
EP1515368B1 (en) * 2003-09-05 2019-12-25 Nichia Corporation Light equipment
DE10353679A1 (de) * 2003-11-17 2005-06-02 Siemens Ag Kostengünstige, miniaturisierte Aufbau- und Verbindungstechnik für LEDs und andere optoelektronische Module
JP4622253B2 (ja) 2004-01-22 2011-02-02 日亜化学工業株式会社 発光デバイス及びその製造方法
DE102004019445A1 (de) * 2004-04-19 2005-11-03 Siemens Ag Mit planarer Verbindungstechnik auf einem insbesondere elektrischleitendem Substrat aufgebaute Schaltung
JP2008502102A (ja) * 2004-06-04 2008-01-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ エレクトロルミネッセント構造、及びｅｌ構造を有するｌｅｄ
US7745985B2 (en) * 2005-11-04 2010-06-29 Panasonic Corporation Light-emitting module, and display unit and lighting unit using the same
EP1964184A2 (en) * 2005-12-14 2008-09-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Solid-state light source and method of producing light of a desired color point
DE102006015117A1 (de) * 2006-03-31 2007-10-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Scheinwerfer, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Scheinwerfers und Lumineszenzdiodenchip

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