JP2009531839A - 光電式ヘッドライト、光電式ヘッドライトの製造方法と発光ダイオードチップ - Google Patents

光電式ヘッドライト、光電式ヘッドライトの製造方法と発光ダイオードチップ Download PDF

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ヨハネス バウワー
ヨアヒム ライル
ヨルグ エリッヒ ソルグ
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Abstract

光電式ヘッドライト、光電式ヘッドライトの製造方法、そして発光ダイオードチップを提供する。少なくとも２つの空間的発光領域を有する発光ダイオードチップを有するか、あるいはそれぞれが少なくとも１つの空間的発光領域を有する少なくとも２つの発光ダイオードチップ有する、電磁放射線を放射する光電式ヘッドライトを特定する。該ヘッドライトは、自動車用のフロントヘッドライト用に特に好適である。上記発光領域に関連した主伸展面の平面視では、該発光領域は、形が異なり、大きさが異なり、および／または矩形状には形成されず配向が異なる。特に好適には、発光領域は互いに独立して駆動される。光電式ヘッドライトと発光ダイオードチップの製造方法がさらに特定される。

Description

本発明は、電磁放射線を放射する少なくとも１つの発光ダイオード（luminescence diode）チップを含む光電式ヘッドライトに関する。本発明は、さらに、このタイプの光電式ヘッドライトの製造方法とこのタイプの光電式ヘッドライトのための発光ダイオードチップに関する。
本願は、独国特許出願第１０２００６０１５１１７．８号の優先権を主張し、その開示内容は参照により本願に援用される。
光電式ヘッドライトは例えば特許文献１に記載される。このヘッドライトは、それぞれが少なくとも１つの発光ダイオードチップを有する複数のヘッドライトエレメントと、該発光ダイオードチップに関連した主光学素子と、ヘッドライトエレメント出力部とを有する。ヘッドライトエレメント出力部は、その配置が所望のヘッドライト放射特性に対応するように、少なくとも２つのグループでもって配置される。ヘッドライトエレメントの２つのグループは、互いに独立して動作させることができる。
国際公開第２００４／０８８２００号パンフレット
本発明の目的は、序文で述べたタイプのものに取って代わる光電式ヘッドライトを特定し、これにより可能な限り所定の放射特性を実現することである。また、本発明は、このタイプの光電式ヘッドライトの製造方法と、このタイプの光電式ヘッドライトのための発光ダイオードチップとを特定する。
この目的は、独立請求項に記載の光電式ヘッドライト、その方法、そして発光ダイオードチップにより達成される。それぞれの従属請求項は、上記ヘッドライト、方法、そして発光ダイオードチップの有利な展開と好ましい構成に関する。
少なくとも２つの空間的発光領域を有する発光ダイオードチップを有するか、あるいはそれぞれが１つの空間的発光領域を有する少なくとも２つの発光ダイオードチップを有する、序文で述べられたタイプのヘッドライトを特定する。発光領域の少なくとも一部領域は横方向に互いに離れて配置される。換言すると発光領域同士は横方向に重ならないか、あるいは横方向に完全には重ならない。発光領域に関連した主伸展面の平面視では、発光領域は、形が異なり、大きさが異なり、および／または矩形状ではなく配向が異なる。特に好適には、発光領域は互いに独立して駆動される。
発光領域の主伸展面は有利には互いに実質的に平行である。形が異なり、大きさが異なり、および／または矩形状ではなく配向が異なる複数の異なる発光領域により、広範で多様なアプリケーション領域用のヘッドライトの所望の異なる放射特性を精密なやり方で実現することが可能になる。本ヘッドライトは、好適には、自動車用のフロントヘッドライトのために設けられる。あるいは本ヘッドライトは投射アプリケーション用（例えばビデオプロジェクター用）の照光ユニットのために設けられるスポットライトである。
本ヘッドライトにより、様々なヘッドライト機能を有利に実施することができる。自動車用のフロントヘッドライトの場合には、これら機能は、発光領域の相互接続と駆動により実現することができる例えば高速道路用ライト、都市用ライト、田舎道用ライト、コーナリング用ライトである。
発光領域の形状、大きさ、および／または配向は、有利には、１つの発光領域が、または複数の発光領域が一緒になって、所望のヘッドライト円錐（headlight cone）の断面形状に実質的に対応する形状を形成するように選択される。ここではそして以下では、ヘッドライト円錐は、それを通してヘッドライト光が光る任意の形状の立体を意味する。ただし輝度がヘッドライトからの同一距離における最高輝度より二桁以上小さい領域は除外される。放射特性は、例えば、異なる立体角での光度、明部／暗部の遷移、または断面形状などのヘッドライト円錐の１つまたは複数の特性を意味するように理解すべきである。断面形状は、ヘッドライトの主放射方向に垂直な面におけるヘッドライト円錐の断面形状を意味する。
好適な一実施態様によると、主伸展面の平面視では発光領域の少なくとも１つの形状は矩形ではない。発光領域は、特には線に沿って延び互いに斜めに配向された境界を有する。
特に好ましい一実施態様によると、主伸展面の平面視では発光領域の少なくとも１つの形状は鋭角または鈍角の角部を有する。さらにあるいは代替的に、主伸展面の平面視では発光領域の少なくとも１つの形状は優角の曲り部を有する。「曲り部」は、必ずしもとがった角として理解すべきではない。むしろ、曲り部は例えば丸みを帯びてもよい。
好適には、主伸展面の平面視では発光領域の少なくとも１つの形状は対称軸を持たない。このタイプの発光領域により、特には、非対称断面および／または非対称発光分布を有するヘッドライト円錐を実現することができる。
適切には、隣接する発光領域は横方向には互いに比較的短い距離を隔てて存在する。この距離は有利には１００μｍ以下、好適には５０μｍ以下、特に好適には２０μｍ以下である。このような短い距離により、特に一様な発光分布を有するヘッドライト円錐を実現することができる。別の実施態様では、発光領域は横方向で部分的に重なる。
特に有利な一実施態様によると、１つまたは複数の発光ダイオードチップがキャリア本体上に配置され、かつ電気絶縁層により被覆された上記キャリア本体と一緒に配置される。導電路構造は絶縁層上に形成され、各発光領域は該導電路構造に接続された少なくとも１つの電気接続パッドを有する。電気接続パッドは、特に、導電路構造体に導電的に接続される。好適には、接続パッドはまた導電路構造に付加的にかつ機構的に接続される。
導電路構造は、原理的に任意に構築し構造化することができ、個々のケースでは、特に非構造化導電性層から成ってもよい。好適には、導電路構造は、互いに接続されるかあるいは付加的にまたは代替的に互いに電気的に絶縁することができる複数の導電路を含む。
単一または複数の発光ダイオードチップの導電接触接続および相互接続のためにこのようにして形成される導電路構造は、ヘッドライトアプリケーションに対し特に有利である。この結果、ヘッドライトは、異なる放射特性を正確に実現できるようにするだけでなく、さらにまた、コスト効率良く導電的に実装され相互接続されるとともに、発光領域に密接することができる光学素子を備えることもできる。光学素子は、特には、１つまたは複数のボンディングワイヤによる１つまたは複数の発光ダイオードチップの電気的接触接続の場合より、さらに発光領域に近接させることができる。
ヘッドライトは有利には少なくとも１つの光学素子を有する。好適には、少なくとも１つの光学素子が各発光ダイオードチップに関連付けられ、特に好適には、複数の発光領域またはすべての発光領域は併せて１つの光学素子に関連付けられる。光学素子は、最大ビーム強度と最小発散を有するビーム円錐を形成するために役立つ。
好適には、光学素子は複数の発光ダイオードチップに関連付けられる。これは、例えば専用の光学素子が各発光ダイオードチップに関連付けられる場合と比較し、実装が単純化されるという利点を有する。
光学素子の光入力部が発光ダイオードチップに可能な限り密接して配置されると特に有利である。これは、特定されたワイヤを使用しない接点接続により特にうまく有利に可能となるが、これは、後者はボンディングワイヤによる接触接続と比較して特に低い高さで具現化することができるからである。適切には、光が光学素子から放射される場合の立体角は、そのビーム円錐の断面積がやはり小さい発光ダイオードチップに可能な限り密接した光学素子により低減される。これは、ヘッドライトアプリケーションまたは投影装置の場合がそうであるように、可能な最も高い放射強度が可能な最も小さい領域に投影されるように意図される場合に特に必要である。
特に有利な一実施態様によると、１つまたは複数の発光ダイオードチップに加え、導電路構造を介し導電的に接続される少なくとも１つの電気接続パッドを有する電子部品が、キャリア本体上に配置される。好適には、該部品の接続パッドは、導電路構造を介し発光領域の少なくとも１つの接続パッドに導電的に接続される。電気部品は１つまたは複数の発光ダイオードチップとは異なるタイプのものである。「異なるタイプのもの」とは、該部品は機能および／または構造的特徴が異なることを意味し、この場合、これら部品は、特に異なる目的を達成するか、その動作モードの点で異なる物理的作用に基づくか、異なる形状の電気接続パッドを有するか、あるいは異なるやり方で実装される。
特に適切な一実施態様では、該電子部品は受動素子および／または集積回路である。該電子部品は好適にはＳＭＤ（表面実装型デバイス）実装に適する。さらにまたは代替的に、該部品はボンディングワイヤの使用を含む実装に好適である。ヘッドライトにおいて、このタイプの部品は、有利には、はんだまたはボンディングワイヤによるのではなく導電路構造に少なくとも部分的に基づき導電的に接続することができる。
光電式ヘッドライトでは、このタイプの従来のヘッドライトにおけるキャリア本体の構成要素である導電路は、原理的に、絶縁層に塗布された導電路構造により部分的または完全に置換することができる。これにより、第１には、技術的に実現が容易な、部品と発光ダイオードチップの電気的実装が可能になり、第２には、コスト効率の良いキャリア本体を使用することができるようになる。
有利には、少なくとも１つの発光領域の電気接続パッドは導電路構造を介しキャリア本体の接続領域に導電的に接続される。
絶縁層は特に有利には発光変換物質（luminescence conversion material）を含む。発光変換物質により、部品により放射された第１の波長範囲の電磁放射を第２の波長範囲の電磁放射に変換することができる。一例として、青色放射はこのようにして部分的に黄色放射に変換することができる。青色と黄色放射の好適な強度比が与えられると、これにより白色光を発生することができる。このタイプの発光変換の場合、放射を減結合するために設けられる絶縁層が発光領域の表面に直接隣接すると、効率に関し特に有利である。
適切な一実施態様では、１つまたは複数の発光ダイオードチップは、キャリア本体上に取り付けられたチップキャリア上に実装される。別個のチップキャリアを使用することにより、発光ダイオードチップからの熱の特に良好な発散は、例えば好適な材料が選択されると実現することができる。チップキャリアは、また、発光ダイオード部品の容器本体であってもよい。ここでは有利なことに該チップ容器における発光ダイオードチップの完全な電気的実装は必要とされず、むしろ、チップキャリアが導電路構造によりキャリア本体上に取り付けられて初めて、発光ダイオードチップは導電的に接続される。
電磁放射線を放射する光電式ヘッドライトの製造方法を特定する。本方法は、キャリア本体と、２つの発光領域を有する少なくとも１つの発光ダイオードチップとを設ける工程であって、これら発光領域に関連した主伸展面の平面視ではこれら発光領域は、形が異なり、大きさが異なり、および／または同一のタイプの形状の場合には配向が異なる、工程を含む。各発光領域は少なくとも１つの電気接続パッドを有する。発光領域は互いに独立して駆動されることが好ましい。
発光ダイオードチップはキャリア本体上に取り付けられる。その後、発光ダイオードチップとキャリア本体には絶縁層が塗布される。さらなる方法工程では、それぞれの発光領域の少なくとも１つの電気接続パッドのカバーを取るために、カットアウトが絶縁層内に形成される。導電性材料は、導電路構造を形成するために、電気接続パッドに接続されるように絶縁層上に塗布される。
適切には、導電性材料は層状に塗布される。実現すべき導電路構造の実施態様と形状に依存するが、上記層は適切には後で構造化されてもよく、その結果、特に、互いに電気的に絶縁された導電路構造の導電路を作製することができる。
少なくとも２つの発光ダイオードチップがキャリア本体と共に設けられる、電磁放射線を放射する光電式ヘッドライトのさらなる製造方法を特定する。各発光ダイオードチップは、少なくとも１つの電気接続パッドを有する少なくとも１つの発光領域を有する。該領域に関連した主伸展面の平面視では、発光領域は、形が異なり、大きさが異なり、および／または矩形状には形成されなく配向が異なる。
さらなる方法工程は、発光ダイオードチップをキャリア本体上に取り付ける工程と、発光ダイオードチップとキャリア本体に絶縁層を塗布する工程と、それぞれの発光領域の少なくとも１つの電気接続パッドのカバーを取るために、絶縁層内にカットアウトを形成する工程と、導電路構造を形成するために、導電性材料が電気接続パッドに接続されるように導電性材料を絶縁層に塗布する工程と、を含む。導電路構造は上記方法で具現化することができる。
本方法の好ましい実施態様では、絶縁層が塗布される前に、少なくとも１つの電気部品がキャリア本体上に設けられ取り付けられる。絶縁層は、電気部品もまた部分的にまたは完全に被覆されるように塗布される。この実施態様のさらなる方法工程は、上記部品の電気接続パッドのカバーを取るために絶縁層内にカットアウトを形成する工程と、導電路構造を形成するために、導電性材料が該部品の電気接続パッドに接続されるように導電性材料を絶縁層に塗布する工程と、を含む。
特に有利には、複数のヘッドライトは一緒にかつ実質的に同時に作製される。特に絶縁層を塗布する工程では、カットアウトの形成と導電性材料の塗布は一連の一括処理で行なうことができる。多数の光電式ヘッドライトはこれら一括処理において並行して処理することができる。これは、例えばボンディングワイヤを使用して接合する場合に必要とされるような個別工程の使用の代替としてコスト効率が良い。一括処理が使用される場合、さらに、必要な運用機械設置のための設備投資要件もまた最小限に抑えることができる。
異なる製品に対し柔軟に一括処理を設計することができる。１つの生産ライン上で異なる製品を作製することは原理的に可能である。これは、互いに異なる方法パラメータを切り替えた後、連続的にまたは並行して行うことができる。本方法は、種々のデバイスクラスの部品の導電性接触接続と導電性接続のために特に使用することができる。
絶縁層を塗布する工程は、有利には、前もって作製された層を貼付することを含む。さらに代替的に、絶縁層を塗布する工程は、有利には、印刷、スプレー、またはスピンコーティングにより絶縁層用材料を塗布することを含む。これらの手段により、絶縁層を塗布する工程は、技術的に簡単でコスト効率の良いやり方で実現することができる。
本方法の特に好ましい変形では、絶縁層を塗布する工程は、最初に、前駆体層を発光ダイオードチップとキャリア本体に塗布する。これは、例えばゾルゲル法、蒸着、またはサスペンションのスピンコーティングにより行われる。前駆体層からの有機成分を除去するのに好適な第１の熱処理が行なわれる。該材料は、その後、前駆体層を高密度化するのに好適な第２の熱処理が施される。特に、薄く一様なガラス層は、この方法により作製することができる。
絶縁層内のカットアウトは、好適にはレーザー加工を含む方法工程により作製される。この場合、絶縁層は、レーザー放射を使用することにより作製されるカットアウトの領域内で除去される。レーザー加工の間に、カットアウトの大きさ、形状と深さを正確に設定し直接作製することができる。
導電性材料を塗布する工程は、有利には、ＰＶＤ法により金属層を塗布することと、電着により金属層を硬化することとを含む。好適なＰＶＤ法は、例えばスパッタリングである。
代替的に、導電性材料は、また、印刷法、特にはスクリーン印刷法を使用することにより塗布することができる。さらに、導電性材料は、また、スプレー法または回転塗布法を使用することにより作製することができる。
電磁放射線を放射する発光ダイオードチップを特定する。発光ダイオードチップは、互いに独立して駆動され得る少なくとも２つの発光領域を有し、これら発光領域に関連した主伸展面の平面視では、発光領域は、形が異なり、大きさが異なり、および／または同一のタイプの形状の場合には配向が異なる。発光ダイオードは、特に有利には、光電式ヘッドライトにおけるアプリケーションに適する。
発光ダイオードチップの特に有利な一実施態様によると、主伸展面の平面視では発光領域の少なくとも１つの形状は矩形ではなくて、鋭角または鈍角の角部を有し、優角の曲り部を有し、および／または対称軸を持たない。
ヘッドライト、その製造方法、そして発光ダイオードチップのさらなる利点、好ましい実施態様と有用性は、添付図面に関する以下の例示的な実施形態の説明から明らかになる。
例示的な実施形態と添付図面では、同じ構成要素または同じように作用する構成要素は、それぞれの場合において同じ参照符号が付される。例示された要素と、要素間相互の大きさ関係は、必ずしも原寸に比例するものと見なしてはならない。むしろ、添付図面におけるいくつかの詳細は、より良く理解するために誇張された大きさで例示される。
図１に例示された発光ダイオードチップは、第１の発光領域２１、第２の発光領域２２、そして第３の発光領域２３を有する。上記発光領域は共通のキャリア基板２４上に配置される。
第１の発光領域２１と第２の発光領域２３は、それらの主伸展面の図示された平面視において五角形の形状を有する。第１の発光領域２１の五角形の形状は３つの直角と２つの鈍角α、βを有する。第３の発光領域２３は同様に３つの直角を含むが、さらに優角γと鋭角δを有する。「発光領域の形状の角度」は、形状の輪郭の２つの隣接する部分的直線が互いに置かれた角度を意味するように使用され、角度は、図１に例示されるように形状の内側で測定される。
優角γは、例えば１８５°と２０５°の間（１８５°と２０５°を含む）にある。好適には、優角γは約１９５°である。
第２の発光領域２２は２つの直角、鋭角、そして鈍角を含む四角形状を有し、第１の発光領域２１と第３の発光領域２３との間に配置される。
それらの全体構成において、３つの発光領域２１、２２、２３により実質的に矩形、特には正方形を形成する。発光領域２１、２２、２３の対向する外側面は、実質的に互いに平行である。これら発光領域は、互いに独立して動作させることができる。
図４には、図１に描かれた破線に沿った部分の概略断面図を例示する。この断面図でわかるように、発光領域２１、２３は発光ダイオード層２１０、２３０により形成される。発光ダイオード層２１０、２３０は、例えば電流が印加されると電磁放射線を放射するのに好適な活性領域を有する半導体層列である。
発光ダイオード層は、例えば窒化化合物半導体材料をベースとしており、青色および／または紫外線スペクトルの電磁放射線を放射するのに好適である。窒化化合物半導体材料は、系ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮから成る材料などのように窒素を含む化合物半導体材料である。ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１。発光ダイオード層は、例えば窒化化合物半導体材料から成る少なくとも１つの半導体層を有する。
発光ダイオード層は、例えば従来のｐｎ接合、二重ヘテロ構造、単一量子井戸構造（ＳＱＷ構造）、または多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）を含むことができる。このような構造は当業者らに公知であり、したがってここではこれ以上詳細に説明しない。このようなＭＱＷ構造の例は米国特許第５，８３１，２７７号明細書と米国特許第５，６８４，３０９号明細書に記載され、この点に関する開示内容は参照により本願に援用される。
発光ダイオード層２１０、２３０は基板２４上に塗布される。これは、その上に発光ダイオード層が半導体層列の形で成長される成長基板であってよい。代替的に、基板２４は、その形成後に発光ダイオード層２１０、２３０が塗布されるキャリア基板であってもよい。
この場合、発光ダイオード層２１０、２３０内で発生した電磁放射線を反射するリフレクタは、例えば発光ダイオード層２１０、２３０と基板２４との間に配置することができる、一例として、このケースでは金属ミラーまたは誘電体ミラーを含むことができる。好適には、リフレクタは、誘電体層上に塗布された誘電体層と金属層を含み、誘電体層は発光ダイオード層２１０、２３０（図示せず）に隣接する。
発光ダイオード層２１０、２３０は互いに離れて配置される。その結果、それらの発光領域２１、２３を互いに独立して駆動することができる。但し、異なる発光領域の互いに独立した駆動の実現は、他の任意のやり方でも達成することができる。例えば、発光領域は、当該主伸展面に沿って互いに部分的に重なることも可能である。すなわち、発光領域は、物理的に互いに分離された領域内に配置される必要はない。
部分的に重なる発光領域は、例えば、電流（例えば、第１の発光領域内で印加される）が第２の発光領域に関連する発光ダイオード層の領域を通って流れるのを部分的にのみ防ぐ電流障壁により実現することができる。第２の発光領域が活性化されると、１つまたは複数の電流障壁は、また、当該電流の部分的遮蔽をもたらす。概して、異なるが部分的に互いに重なる２つの発光領域はこのようにして実現することができる。
図２に例示された発光ダイオードチップは第１の発光領域２１と２つの第２の発光領域２２を有する。第１の発光領域２１は、１つの直角と２つの鋭角α、βを有する三角形状を有する。２つの第２の発光領域２２は細長い矩形形状を有する。その縦辺の２つが互いに平行かつ互いに対向するように、２つの第２の発光領域２２は互いに隣接して配置される。第１の発光領域２１は、優角γを有する五角形の形状が各発光領域の全体の配置により形成されるように、２つの第２の発光領域２２に対して配置される。この優角γは、図１に例示された発光ダイオードチップの第３の発光領域の優角のように構成することができる。
図３に例示された発光ダイオードチップは、同一のタイプの形状を有する５つの発光領域２１、２２を有する。３つの第１の発光領域２１の形状は第１の配向を有し、２つの第２の発光領域２２の形状は第２の配向を有し、第１の配向は、発光領域の主伸展面と平行な第２の配向に対し１８０°だけ回転される。
すべての発光領域は、１つの直角と２つの鋭角を有する三角形状を有する。発光領域の全体配置により、ここでもまた、先の例で説明した優角γのように構成することができる優角γを有する五角形の形状が作られる。
図１〜３に例示された発光ダイオードチップは、自動車のフロントヘッドライト用のヘッドライトモジュールにおける使用に適切である。このタイプのフロントヘッドライトは、非対称放射特性（放射ヘッドライト円錐は、優角を有する非対称断面を有する）が多くの国々で規定されている。
図５に例示された光電式ヘッドライトは光電子部品５０と受動素子１００とを有する。これらの異なるタイプの電気部品はキャリア本体１０上に配置される。図１３の断面図において識別することができるように、部品５０、１００とキャリア本体１０は電気絶縁層３により被覆される。導電路構造１４は絶縁層３上に形成される。光電子部品５０と受動電気部品１００は、導電路構造１４に接続された電気接続パッド７、６、１０６を有する。
光電子部品５０は、電気接続パッド７を有するチップキャリア２０を有する。発光ダイオードチップ１は電気接続パッド７の一部分上に取り付けられる。該チップは、チップキャリア２０の電気接続パッド７から遠い側に、それぞれが電気接続パッド６を有する３つの発光領域２１、２２、２３を有する。これらの電気接続パッド６と、発光ダイオードチップ１により被覆されない電気接続パッド７の一部は、光電子部品５０のそれぞれの電気接続パッドを形成する。
受動素子１００は例えば抵抗器、バリスタ、またはキャパシタである。電気接続パッド１０６の１つは、導電路構造１４の導電路を介し発光ダイオードチップ１の第３の発光領域２３の電気接続パッド６に導電的に接続される。第２の電気接続パッド１０６は導電路構造１４の導電路に同様に導電的に接続されるが、この導電路は、光電子部品５０の接続パッドに直接導かれず、むしろそれから離れる。
第１の発光領域２１と第２の発光領域２２の接続パッド６と、光電子部品５０の電気接続パッド７（チップキャリア２０上に形成された）は、また、導電路構造１４の導電路に導電的に接続される。電気接続パッド６、７、１０６は、好適には、すべて導電路構造１４に導電的に、そして機構的に直接接続される。
図５に例示されたヘッドライトは、例えば、導電路や電気接続パッドを有しないキャリア本体１０により作製することができる。ヘッドライトのすべての導電路は、有利には、例えば絶縁層３上の導電路構造１４の一部として形成される。
代替的に、絶縁層３上に形成された導電路構造１４と、対応するキャリア本体１０の導電路および／または接続パッドとを組み合わせることも可能である。すなわち、部品の電気的相互接続部は、導電路構造１４と、キャリア本体１０の導電路および／または接続パッドとの両方を含む。このタイプのヘッドライトの例を図６に例示する。
図６に例示されたヘッドライトは、第１の発光ダイオードチップ１と第２の発光ダイオードチップ２が取り付けられる電気接続パッド７を有するキャリア本体１０を有する。第１の発光ダイオードチップ１は、その主伸展面の平面視において矩形形状を有する単一の発光領域を有する。第２の発光ダイオードチップ２はその主伸展面の平面視において三角形状を有する単一の発光領域を有する。発光ダイオードチップ同士間の距離は、例えば約２０μｍである。
電気接続パッド７に対向する発光ダイオードチップ１、２の側面が接続パッド７に導電的に接続される。電気接続パッド７から遠い発光ダイオードチップ１、２の側面は、それぞれ導電路構造１４の導電路に導電的に接続された電気接続パッド６を有する。第１の発光ダイオードチップ１の接続パッド６は、導電路構造を介しキャリア本体１０の電気的接続領域８に導電的に接続される。
導電路構造１４の別の導電路は、電気接続パッド７を、キャリア本体１０上に同じ様に置かれた受動素子１００の接続パッド１０６に接続する。この受動素子１００は２つの電気接続パッド１０６を有し、第２の電気接続パッドもまた導電路構造１４の導電路に導電的に接続される。
例えば、導電路構造１４が、ヘッドライトの部品の電気接続パッドを直接互いに導電的に接続する導電路を持たないことも可能である。
図５と図６に例示されたヘッドライトの抜粋部分の場合、複数の発光ダイオードチップを好適に使用することができる。一例として、４〜１０個の発光ダイオードチップが包括的に含まれる。代替的に、ヘッドライトは、それぞれが少なくとも１つの発光ダイオードチップ１を含む例えば４〜１０個の光電子部品を包括的に有する。
このタイプのヘッドライトにおいて、受動素子は、例えば光電子部品に印加される電圧を安定させるために役立つ。バリスタはこの目的のために適切に使用される。さらにまたは代替的に、光電子部品５０に対し異なるタイプの別の電気部品が、例えばヘッドライトにおける好適な電気的駆動回路を形成するためなどの目的のために含まれてもよい。これは、特には集積回路を使用することにより形成されるロジック回路も含む。一例として、ロジックチップおよび／またはメモリチップがキャリア本体１０上に配置され、導電路構造１４に導電的に接続されてもよい。
図７には、集積回路２００を有する例示的なヘッドライトの抜粋部分を例示する。集積回路２００は例えば容器を備えており、ＳＭＤ部品と同様なやり方で実装され接続されるのに好適である。さらにまたは代替的に、容器を有しない集積回路（ベアダイ）を使用することもまた可能である。このようなベアダイは、一般的には接着またははんだ付けにより機構的に実装され、ワイヤボンディング処理により導電的に接続される。さらに、バンプ実装により接続するのに好適な集積回路を使用することもまた可能である。
図７に例示されたヘッドライトの場合には、このタイプの集積回路２００はキャリア本体１０上に取り付けられ、絶縁層３上に塗布された導電路構造１４を使用することにより導電的に接続される。一例として、集積回路２００のすべての電気接続パッド２０６は、導電路構造１４の導電路へ直接導電的に接続される。
第１および第２の非矩形の発光領域２１、２２を有する発光ダイオードチップ１はキャリア本体１０上に取り付けられる。第１の発光領域２１は三角形状であり第２の発光領域は四角形状である。それらはそれぞれ電気接続パッド６を有する。発光ダイオードチップの電気的接続のための別の接続パッド７はキャリア本体１０上のチップの横に配置される。電気的接続６、７は、導電路構造の導電路を介し集積回路２００の接続パッドに導電的に接続される。
明瞭化のため、絶縁層は図５、６、７には例示されない。絶縁層は、図に例示された導電路構造１４と他の素子との間に配置され、絶縁層は、接触接続すべき接続パッドの領域内にメッキスルーホール用のカットアウトを有する。この構造については、図８〜２１に関する例示的なヘッドライトの製造方法の以下の説明により例示する。
図８〜１３は、図５に例示されたヘッドライトの例示的な製造方法の異なる方法段階の概略断面図を含む。図１３に例示された断面図は、図５に描かれた破線に沿った断面の図解である。図８〜１２に例示された断面図は、例示的な方法の先行する方法段階中の対応する断面の図解である。
図８には、キャリア本体１０を設ける方法工程を図示する。キャリア本体１０は例えば平坦な板状である。代替的に、キャリア本体はまた構造体と凸凹とを有してもよい。キャリア本体は例えばセラミック材、プラスチックおよび／または金属を含むか、あるいは実質的にこれらの材料の１つから成る。一例として、キャリア本体は窒化アルミニウムから成る。
少なくとも２つの異なるタイプの電気部品５０、１００がキャリア本体１０に取り付けられる（図９参照）。これらの部品は適切にはキャリア本体１０に固定される。該部品のキャリア本体１０への導電的結合は必要ではないが、該部品とキャリア本体１０との間での高い熱伝導率を有する接続は有利であろう。部品５０、１００は、例えば、接着剤および／またははんだによりキャリア本体１０に接続される。しかしながら、原理的に、このタイプの接続はなしで済ますこともできる。
該部品の１つは、チップキャリア２０と、該チップキャリア２０上に塗布された電気的接続層７と、該電気的接続層７上に取り付けられた発光ダイオードチップ１とを含む光電子部品５０である。
電気的接続層７に対向する外側領域上に、発光ダイオードチップ１は、例えばはんだ付け（例示せず）により電気的接続層７に導電的に機構的に接続される電気接続パッドを有する。電気的接続層７から遠い側に、発光ダイオードチップ１は電気接続パッド６を有する。接続パッド６は、例えば、発光ダイオードチップ１の発光ダイオード層上に塗布されそして例えばフォトリソグラフィにより構築されるコンタクト層またはコンタクト層列により形成される。
チップキャリア２０は、セラミック、金属、プラスチックの材料の少なくとも１つを含むか、あるいはこれらの材料の１つから成る。一例として、チップキャリア２０は窒化アルミニウムから成る。
受動素子１００は、光電子部品５０から一定の距離を置いてキャリア本体１０上に取り付けられる。部品１００は、該部品がＳＭＤ実装に好適となるように形成された２つの電気接続パッド１０６を有する。ＳＭＤは「表面実装型デバイス：surface mountable device」を表わす。ＳＭＤ実装とは、ＳＭＤ部品に特有な実装工程であって、一般的には、部品を実装エリアに取り付けることと、該部品の電気接続パッドを実装エリア上の接続パッドにはんだ付けすることとを含む実装工程を意味するものと理解すべきである。
図１０に例示された方法段階において、絶縁層３は電気部品５０、１００、およびキャリア本体１０に塗布される。絶縁層３は、好適には、高分子溶液の噴霧またはスピンコーティングにより塗布される。さらに、例えば、印刷法特にはスクリーン印刷もまた絶縁層３の塗布のために有利に使用することができる。
図１１に例示された方法工程では、発光ダイオードチップ１の電気接続パッド６の一部領域のカバーが取られた第１のカットアウト１１と、受動素子１００の電気接続パッド１０６の一部領域のカバーが取られた２つの第２のカットアウト１２とが絶縁層３内に作製される。カットアウト１１、１２は、例えばリソグラフィ処理またはレーザー加工（レーザー加工が好ましい）により作製される。
その後、電気接続パッド６、１０６に接続されるように導電性材料が絶縁層に塗布される。適切には、導電性材料は、カットアウト１１、１２を埋め絶縁層３を被覆するように塗布される。図１２に示されるように、導電性材料は、導電路構造１４を形成するために塗布される。
導電性材料は例えば少なくとも１つの金属を含むか、あるいは１つの金属から成る。導電性材料は例えば金属層の形で塗布される。これは、例えば蒸着またはスパッタリングにより行われる。金属層はその後構築されるが、これは例えばフォトリソグラフィにより行われる。
代替的に、最初に、例えば厚さが１００ｎｍの比較的薄い金属層が絶縁層３の全領域にわたって塗布される。導電路構造１４を形成するために設けられた領域において、該金属層は、電気分解で選択的に硬化された後、未硬化領域が除去されるまでエッチングされる。これは例えば金属層にフォトレジスト層を塗布することにより行われ、フォトリソグラフィ技術により、カットアウトは導電路構造１４（図示せず）のために設けられた領域内に作製される。
フォトレジスト層内のカットアウトの領域では、先に塗布された金属層は電着により硬化される。これは、先に全体領域にわたって塗布された金属層より、電気分解で硬化された層において金属層が著しく厚くなるようなやり方で行われると有利である。一例として、電気分解で硬化された領域内の金属層の厚さは数μｍであってよい。その後、フォトレジスト層は除去され、電気分解で硬化されていない領域内の金属層を特に除去するエッチング処理が行なわれる。電気分解で硬化された領域では、対照的に、金属層はその厚い厚さのため部分的にのみ除去されるので、結果として、金属層は導電路構造１４を形成するためのこれらの領域内に残る。
さらなる代替的に、導電路構造が、構造化した形でもって絶縁層３に直接塗布されることも可能である。これは、例えば印刷法、特にはスクリーン印刷法を使用することにより行うことができる。
金属の代替として、例えば発光ダイオードチップ１により放射された電磁放射線に対し特に透過性のある透明な導電性材料を使用すると有利である。特に、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの透明な導電性酸化物（ＴＣＯ）はこのタイプの導電性透明材料として好適である。代替的には、例えば透明な導電性プラスチック層が使用される。導電性透明材料は、好適には蒸着、印刷、噴霧、またはスピンコーティングにより塗布される。
導電路構造１４の形成後（図１２参照）、オプションのさらなる方法工程において、電気絶縁カバー層１５を導電路構造に塗布することができる（図１３参照）。絶縁カバー層１５は好ましくはプラスチック層（例えばレジスト膜）である。絶縁カバー層１５は、無電位表面を作製するために特に導電路構造１４を被覆する。
図１０を参照して上述したように、絶縁層３を塗布する工程の別の変形を図１４に示す。この場合、電気絶縁層は、キャリア本体１０に塗布される前に前もって作製されている。一例として、電気絶縁層は、その後部品とキャリア本体１０に塗布されるフレキシブルフィルムの形で設けられる。該フィルムは、ラミネート加工または例えば接着剤を使用する接着により取り付けられてもよい。その他の点に関し、この方法は上述のやり方で行なうことができる。
絶縁層３を塗布する工程のさらに別の変形について、図１５〜１８を参照し説明される方法の例示的な実施形態の説明との関連において、以下に説明する。
図８〜１４を参照して上に説明された方法とは対照的に、２つの接続領域７、８を有するキャリア本体１０が設けられる。電気的接続領域７、８は互いに電気的に絶縁される。これらは、例えばキャリア本体１０の基体上に塗布される金属層により形成される。キャリア本体１０は、例えばＰＣＢ（プリント回路基板）特にはＭＣＰＣＢであってよい。
発光ダイオードチップ１は第１の接続領域７上に取り付けられ、接続領域７に導電的に接続される。これは、例えば、はんだまたは導電性接着剤によるはんだ付けまたは接着により、接続領域に対向する発光ダイオードチップの当該領域を取り付けることにより行われる。接続領域７に遠い面上に、発光ダイオードチップ１は電気接続パッド６を有する。発光ダイオードチップ１は、キャリア本体１０上に取り付けられる光電子部品の一例である。
代替的に、光電子部品は、また、発光ダイオードチップ１が（適切な場合は図６に例示された第２の発光ダイオードチップ２と共に）実装され適切な場合は密閉される容器を有してもよい。容器は、例えばＳＭＤ実装に好適であってよい。
図１５〜２１は、ヘッドライトの製造の異なる方法段階中の、図６に描かれた破線に沿った図６に例示されたヘッドライトの断面の図解に対応する。図２１に例示された断面図は、完成したヘッドライトの断面の図解に対応する。
有機および無機成分を含む前駆体層９がキャリア本体１０と、その上に取り付けられた部品とに塗布される（図１６参照）。前駆体層は、例えばゾルゲル法により、蒸着、スパッタリング、噴霧、またはサスペンションのスピンコーティングにより塗布される。
前駆体層には、その後、第１の熱処理が施される。この場合、前駆体層は、例えば好適には約２００°Ｃ〜４００°Ｃの温度Ｔ１で約４時間から８時間、中性またはわずかに酸素含有雰囲気中に放置される。一例として、低酸素分圧を有する純粋な窒素雰囲気または中性雰囲気がこの目的に対し好適である。この第１の熱処理中に、図１７の矢印１８により示されるように前駆体層９の有機成分は除去される。
絶縁層３を作製するために、図１８に概略図示されるように、その結果生じた層はその後第２の熱処理により高密度化される。第２の熱処理は、好適には約３００°Ｃ〜５００°Ｃの温度Ｔ２で約４時間から５時間で達成されるシンタリング工程を含む。第２の熱処理は、好適には還元雰囲気または酸化雰囲気下で行なわれる。特に、ガラス層はこの方法により作製することができる。
こうして作製された絶縁層３には、その後、電気接続パッド６の一部領域、またはキャリア本体８の電気的接続領域のカバーを取るためにカットアウト１１、１２が設けられる（図１９参照）。その後、導電路構造１４を形成するための導電性材料が絶縁層３に塗布される（図２０参照）。その後、絶縁カバー層１５が導電性トラック構造１４に随意的に塗布される（図２１に図示）。カバー層１５は絶縁層３の作製と似たやり方で作製することができる。
カバー層１５は特にはガラスを含むか、あるいはガラスで構成することができる。この場合、図１６〜１８を参照し上に述べた方法工程は、好適には、絶縁層３を作製するために最初に行なわれ、そしてカバー層１５を形成するために、導電路構造１４を塗布した後に繰り返される。
電気絶縁層と導電性層の塗布を複数回繰り返すことにより、多層の導電路構造を実現することも可能である。これは、特に、制限された空間において複数の電気部品の複雑な相互接続を実現する場合に有利である。
上述した方法と光電式ヘッドライトでは、絶縁層および／または絶縁カバー層は発光変換物質を含むことができる。後者は、例えばパウダー状の少なくとも１つの蛍光体として存在する。
好適な発光変換物質は、例えばＬＥＤのアプリケーション用として知られたすべてのコンバータである。コンバータとして好適なこのような蛍光体と蛍光体混合物の例としては次のものが有る。
−例えば、独国特許出願公開第１００３６９４０号明細書およびその明細書中に記載された従来技術において開示されたクロロ珪酸鉛錯体、
−例えば、国際公開第２０００／３３３９０号パンフレットおよびその明細書中に記載された従来技術において開示されたオルト珪酸塩、硫化物、チオ金属、バナジン酸塩、
−例えば、米国特許第６，６１６，８６２号明細書およびその明細書中に記載された従来技術において開示されたアルミン酸塩、酸化膜、ハロゲンリン酸塩、
−独国特許出願公開第１０１４７０４０号明細書およびその明細書中に記載された従来技術において開示された窒化物、Ｓｉｏｎｅ、サイアロン、
−例えば、米国特許公開第２００４−０６２６９９号明細書およびその明細書中に記載された従来技術において開示されたＹＡＧ：Ｃｅのような希土類元素及びアルカリ土類元素のガーネット。
本発明は、上記例示的な実施形態に基づいた本発明の記載による例示的な実施形態に限定されない。むしろ、本発明は、その特徴またはその組み合わせ自体が特許請求範囲または例示的な実施形態の中に明示的に特定されなくても、任意の新しい特徴と、また特には特許請求範囲における特徴の任意の組み合わせも含むその特徴の組み合わせも包含する。
第１の例示的な実施形態による発光ダイオードチップの概略平面図 第２の例示的な実施形態による発光ダイオードチップの概略平面図 第３の例示的な実施形態による発光ダイオードチップの概略平面図 図１に例示された発光ダイオードチップの概略断面図 第１の例示的な実施形態による光電式ヘッドライトの抜粋部分の概略平面図 第２の例示的な実施形態による光電式ヘッドライトの抜粋部分の概略平面図 第３の例示的な実施形態による光電式ヘッドライトの抜粋部分の概略平面図 本方法の第１の例示的な実施形態による、図５に例示されたヘッドライトの製造のための異なる方法段階の概略断面図 本方法の第１の例示的な実施形態による、図５に例示されたヘッドライトの製造のための異なる方法段階の概略断面図 本方法の第１の例示的な実施形態による、図５に例示されたヘッドライトの製造のための異なる方法段階の概略断面図 本方法の第１の例示的な実施形態による、図５に例示されたヘッドライトの製造のための異なる方法段階の概略断面図 本方法の第１の例示的な実施形態による、図５に例示されたヘッドライトの製造のための異なる方法段階の概略断面図 本方法の第１の例示的な実施形態による、図５に例示されたヘッドライトの製造のための異なる方法段階の概略断面図 本方法の第２の例示的な実施形態による、図５に例示されたヘッドライトの製造のための方法段階の概略断面図 図６に例示された光電式ヘッドライトの製造方法の第３の例示的な実施形態の異なる方法段階の概略断面図 図６に例示された光電式ヘッドライトの製造方法の第３の例示的な実施形態の異なる方法段階の概略断面図 図６に例示された光電式ヘッドライトの製造方法の第３の例示的な実施形態の異なる方法段階の概略断面図 図６に例示された光電式ヘッドライトの製造方法の第３の例示的な実施形態の異なる方法段階の概略断面図 図６に例示された光電式ヘッドライトの製造方法の第３の例示的な実施形態の異なる方法段階の概略断面図 図６に例示された光電式ヘッドライトの製造方法の第３の例示的な実施形態の異なる方法段階の概略断面図 図６に例示された光電式ヘッドライトの製造方法の第３の例示的な実施形態の異なる方法段階の概略断面図

Claims (18)

  1. 電磁放射線を放射する光電式ヘッドライトであって、
    少なくとも２つの発光領域を有する発光ダイオードチップを含み、あるいは、それぞれが少なくとも１つの発光領域を有する少なくとも２つの発光ダイオードチップを含み、
    前記発光領域は互いに独立して駆動され、前記領域に関連した主伸展面の平面視では、前記発光領域は、形が異なり、大きさが異なり、および／または矩形状には形成されず配向が異なることを特徴とする、光電式ヘッドライト。
  2. 前記主伸展面の平面視では前記発光領域の少なくとも１つの形状は矩形ではないことを特徴とする、請求項１に記載のヘッドライト。
  3. 前記主伸展面の平面視では前記発光領域の少なくとも１つの形状は鋭角または鈍角の角部を有することを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のヘッドライト。
  4. 前記主伸展面の平面視では前記発光領域の少なくとも１つの形状は優角の曲り部を有することを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれかに記載のヘッドライト。
  5. 前記主伸展面の平面視では前記発光領域の少なくとも１つの形状は対称軸を有しないことを特徴とする、請求項１から請求項４のいずれかに記載のヘッドライト。
  6. 隣接する発光領域は互いに１００μｍ以下離れて存在することを特徴とする、請求項１から請求項５のいずれかに記載のヘッドライト。
  7. 前記１つまたは複数の発光ダイオードチップは、キャリア本体上に、かつ導電トラック構造がその上に形成された電気絶縁層により被覆された前記キャリア本体と共に配置され
    前記発光領域は前記導電路構造に接続された少なくとも１つの電気接続パッドを有することを特徴とする、請求項１から請求項６のいずれかに記載のヘッドライト。
  8. 前記１つまたは複数の発光ダイオードチップに加えて、電子部品が前記キャリア本体上に配置され、前記部品は、前記導電路構造を介し前記発光領域の少なくとも１つの接続パッドに導電的に接続された少なくとも１つの電気接続パッドを有することを特徴とする、請求項７に記載のヘッドライト。
  9. 前記電子部品は受動素子および／または集積回路であることを特徴とする、請求項８に記載のヘッドライト。
  10. 前記電子部品はＳＭＤ実装に好適であることを特徴とする、請求項８または請求項９に記載のヘッドライト。
  11. 少なくとも１つの発光領域の前記接続パッドは、前記導電路構造を介し前記キャリア本体の接続領域に導電的に接続されることを特徴とする、請求項７から請求項１０のいずれかに記載のヘッドライト。
  12. 前記絶縁層は発光変換物質を含むことを特徴とする、請求項７から請求項１１のいずれかに記載のヘッドライト。
  13. 前記１つまたは複数の発光ダイオードチップはチップキャリア上に実装され、
    前記チップキャリアは前記キャリア本体上に取り付けられることを特徴とする、請求項７から請求項１２のいずれかに記載のヘッドライト。
  14. 電磁放射線を放射する光電式ヘッドライトの製造方法であって、
    キャリア本体と、互いに独立して駆動され得る少なくとも２つの発光領域を有する少なくとも１つの発光ダイオードチップとを設ける工程であって、前記発光領域に関連した主伸展面の平面視では、前記発光領域は、形が異なり、大きさが異なり、および／または同一のタイプの形状の場合には配向が異なり、各発光領域は少なくとも１つの電気接続パッドを有する、工程と、
    前記発光ダイオードチップを前記キャリア本体上に取り付ける工程と、
    絶縁層を前記発光ダイオードチップと前記キャリア本体に塗布する工程と、
    前記発光領域それぞれの少なくとも１つの電気接続パッドのカバーを取るために、前記絶縁層内にカットアウトを形成する工程と、
    導電路構造を形成するために、前記電気接続パッドに接続されるように導電性材料を前記絶縁層に塗布する工程と、を含む方法。
  15. 電磁放射線を放射する光電式ヘッドライトの製造方法であって、
    キャリア本体と、少なくとも１つの電気接続パッドを有する少なくとも１つの発光領域をそれぞれが有する少なくとも２つの発光ダイオードチップとを設ける工程であって、前記発光領域に関連した主伸展面の平面視では、前記発光領域は、形が異なり、大きさが異なり、および／または矩形状には形成されず配向が異なる、工程と、
    前記発光ダイオードチップを前記キャリア本体上に取り付ける工程と、
    絶縁層を前記発光ダイオードチップと前記キャリア本体に塗布する工程と、
    前記発光領域それぞれの少なくとも１つの電気接続パッドのカバーを取るために、前記絶縁層内にカットアウトを形成する工程と、
    導電路構造を形成するために、前記電気接続パッドに接続されるように導電性材料を前記絶縁層に塗布する工程と、を含む方法。
  16. 前記絶縁層が塗布される前に、前記キャリア本体上に少なくとも１つの電気部品を取り付ける工程と、
    前記電気部品が被覆されるように前記絶縁層を塗布する工程と、
    前記部品の前記電気接続パッドのカバーを取るために前記絶縁層内にカットアウトを形成する工程と、
    前記導電性材料が前記部品の前記電気接続パッドに接続されるやり方で、導電路構造を形成するために導電性材料を前記絶縁層に塗布する工程と、をさらに含む請求項１４または請求項１５に記載の方法。
  17. 互いに独立して駆動され得る少なくとも２つの発光領域を有し、前記発光領域に関連した主伸展面の平面視では、前記発光領域は、形が異なり、大きさが異なり、および／または同一のタイプの形状の場合には配向が異なることを特徴とする、電磁放射線を放射する発光ダイオードチップ。
  18. 前記主伸展面の平面視では、前記発光領域の少なくとも１つの形状は矩形でなく、鋭角または鈍角の角部を有し、優角の曲り部を有し、および／または対称軸を有しないことを特徴とする、請求項１７に記載の発光ダイオードチップ。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012015480A (ja) * 2010-07-02 2012-01-19 Shogen Koden Kofun Yugenkoshi 光電素子
JP2013539604A (ja) * 2010-09-07 2013-10-24 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法
JP2014517497A (ja) * 2011-04-04 2014-07-17 セラムテック ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Ａｌ冷却体を備えたセラミック製プリント基板
JP2014179616A (ja) * 2013-03-13 2014-09-25 Lg Innotek Co Ltd 発光モジュール
JP2015097234A (ja) * 2013-11-15 2015-05-21 日亜化学工業株式会社 発光素子
US9324691B2 (en) 2009-10-20 2016-04-26 Epistar Corporation Optoelectronic device
JP2017195423A (ja) * 2017-08-04 2017-10-26 日亜化学工業株式会社 発光素子
JP2021145148A (ja) * 2019-07-17 2021-09-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2023145656A1 (ja) * 2022-01-26 2023-08-03 株式会社小糸製作所 半導体発光素子、前照灯装置、および半導体発光素子の製造方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006015117A1 (de) * 2006-03-31 2007-10-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Scheinwerfer, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Scheinwerfers und Lumineszenzdiodenchip
DE102007046337A1 (de) * 2007-09-27 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
JP2009218452A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Harison Toshiba Lighting Corp 発光デバイス及び灯具
DE102008025397A1 (de) 2008-05-28 2009-12-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Fahrzeugbeleuchtungsvorrichtung mit mindestens zwei Halbleiter-Leuchtelementen
DE102008054218A1 (de) 2008-10-31 2010-05-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip
KR102136181B1 (ko) * 2009-10-01 2020-07-22 루미너스 디바이시즈, 아이엔씨. 발광 장치
TW201115779A (en) * 2009-10-26 2011-05-01 Gio Optoelectronics Corp Light emitting apparatus
DE102011102032A1 (de) * 2011-05-19 2012-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleitermodul und Display mit einer Mehrzahl derartiger Module
DE102013001285A1 (de) * 2013-01-25 2014-07-31 GM Global Technology Operations LLC (n. d. Ges. d. Staates Delaware) Kraftfahrzeugscheinwerfer
FR3030995A1 (fr) * 2014-12-23 2016-06-24 Aledia Source de lumiere electroluminescente a parametre de luminance ajuste ou ajustable en luminance et procede d'ajustement d'un parametre de luminance de la source de lumiere electroluminescente
DE102015104886A1 (de) * 2015-03-30 2016-10-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
US10211188B2 (en) * 2016-12-01 2019-02-19 Cheng Chang TransFlexDisplay Corp. Method for making an LED module and module made thereof
DE102019220378A1 (de) * 2019-12-20 2021-06-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11191642A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Rohm Co Ltd 半導体発光素子、半導体発光モジュール、およびこれらの製造方法
JP2000252592A (ja) * 1999-03-01 2000-09-14 Hitachi Ltd 光ディスク装置
JP2000315062A (ja) * 1999-05-06 2000-11-14 Hitachi Ltd 平面表示装置
JP2004047617A (ja) * 2002-07-10 2004-02-12 Sony Corp 電子部品の実装構造及びその製造方法
JP2004055742A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子及びそれを備えた発光素子アレイ
JP2004172578A (ja) * 2002-09-02 2004-06-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置
JP2005033194A (ja) * 2003-06-20 2005-02-03 Nichia Chem Ind Ltd パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置
JP2005063706A (ja) * 2003-08-20 2005-03-10 Stanley Electric Co Ltd 車両前照灯用光源装置及び車両前照灯
JP2005085895A (ja) * 2003-09-05 2005-03-31 Nichia Chem Ind Ltd 光源装置及び照明装置
JP2005159178A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Nichia Chem Ind Ltd 発光素子およびそれを用いた光源装置
JP2005209852A (ja) * 2004-01-22 2005-08-04 Nichia Chem Ind Ltd 発光デバイス

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5684309A (en) * 1996-07-11 1997-11-04 North Carolina State University Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes
US5831277A (en) * 1997-03-19 1998-11-03 Northwestern University III-nitride superlattice structures
WO1999019900A2 (en) * 1997-10-14 1999-04-22 Patterning Technologies Limited Method of forming an electronic device
US6252254B1 (en) 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US7323634B2 (en) * 1998-10-14 2008-01-29 Patterning Technologies Limited Method of forming an electronic device
DE19931689A1 (de) * 1999-07-08 2001-01-11 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Optoelektronische Bauteilgruppe
US6737801B2 (en) * 2000-06-28 2004-05-18 The Fox Group, Inc. Integrated color LED chip
DE10036940A1 (de) * 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
US6616862B2 (en) * 2001-05-21 2003-09-09 General Electric Company Yellow light-emitting halophosphate phosphors and light sources incorporating the same
DE10147040A1 (de) * 2001-09-25 2003-04-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
CN100595937C (zh) * 2002-08-01 2010-03-24 日亚化学工业株式会社 半导体发光元件及发光装置
US7078737B2 (en) * 2002-09-02 2006-07-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting device
JP4263453B2 (ja) * 2002-09-25 2009-05-13 パナソニック株式会社 無機酸化物及びこれを用いた発光装置
DE10314524A1 (de) * 2003-03-31 2004-10-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Scheinwerfer und Scheinwerferelement
EP1515368B1 (en) * 2003-09-05 2019-12-25 Nichia Corporation Light equipment
DE10353679A1 (de) * 2003-11-17 2005-06-02 Siemens Ag Kostengünstige, miniaturisierte Aufbau- und Verbindungstechnik für LEDs und andere optoelektronische Module
DE102004019445A1 (de) * 2004-04-19 2005-11-03 Siemens Ag Mit planarer Verbindungstechnik auf einem insbesondere elektrischleitendem Substrat aufgebaute Schaltung
ATE472927T1 (de) * 2004-06-04 2010-07-15 Koninkl Philips Electronics Nv Elektrolumineszenzstruktur und led mit einer el- struktur
WO2007052777A1 (en) * 2005-11-04 2007-05-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting module, and display unit and lighting unit using the same
CN101331618A (zh) * 2005-12-14 2008-12-24 皇家飞利浦电子股份有限公司 产生期望色点的光的半导体光源和方法
DE102006015117A1 (de) * 2006-03-31 2007-10-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Scheinwerfer, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Scheinwerfers und Lumineszenzdiodenchip

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11191642A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Rohm Co Ltd 半導体発光素子、半導体発光モジュール、およびこれらの製造方法
JP2000252592A (ja) * 1999-03-01 2000-09-14 Hitachi Ltd 光ディスク装置
JP2000315062A (ja) * 1999-05-06 2000-11-14 Hitachi Ltd 平面表示装置
JP2004047617A (ja) * 2002-07-10 2004-02-12 Sony Corp 電子部品の実装構造及びその製造方法
JP2004055742A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子及びそれを備えた発光素子アレイ
JP2004172578A (ja) * 2002-09-02 2004-06-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置
JP2005033194A (ja) * 2003-06-20 2005-02-03 Nichia Chem Ind Ltd パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置
JP2005063706A (ja) * 2003-08-20 2005-03-10 Stanley Electric Co Ltd 車両前照灯用光源装置及び車両前照灯
JP2005085895A (ja) * 2003-09-05 2005-03-31 Nichia Chem Ind Ltd 光源装置及び照明装置
JP2005159178A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Nichia Chem Ind Ltd 発光素子およびそれを用いた光源装置
JP2005209852A (ja) * 2004-01-22 2005-08-04 Nichia Chem Ind Ltd 発光デバイス

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9985184B2 (en) 2009-10-20 2018-05-29 Epistar Corporation Optoelectronic device
US10665756B2 (en) 2009-10-20 2020-05-26 Epistar Corporation Optoelectronic device
US9324691B2 (en) 2009-10-20 2016-04-26 Epistar Corporation Optoelectronic device
US10418524B2 (en) 2009-10-20 2019-09-17 Epistar Corporation Optoelectronic device
JP2018029217A (ja) * 2009-10-20 2018-02-22 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 光電素子
JP2016021595A (ja) * 2010-07-02 2016-02-04 晶元光電股▲ふん▼有限公司 光電素子
JP2012015480A (ja) * 2010-07-02 2012-01-19 Shogen Koden Kofun Yugenkoshi 光電素子
JP2013539604A (ja) * 2010-09-07 2013-10-24 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法
US9224931B2 (en) 2010-09-07 2015-12-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing an optoelectronic semiconductor component
JP2014517497A (ja) * 2011-04-04 2014-07-17 セラムテック ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Ａｌ冷却体を備えたセラミック製プリント基板
JP2014179616A (ja) * 2013-03-13 2014-09-25 Lg Innotek Co Ltd 発光モジュール
US10325886B2 (en) 2013-11-15 2019-06-18 Nichia Corporation Light emitting element and light emitting element array
US9825011B2 (en) 2013-11-15 2017-11-21 Nichia Corporation Light emitting element and light emitting element array
JP2015097234A (ja) * 2013-11-15 2015-05-21 日亜化学工業株式会社 発光素子
JP2017195423A (ja) * 2017-08-04 2017-10-26 日亜化学工業株式会社 発光素子
JP2021145148A (ja) * 2019-07-17 2021-09-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7152688B2 (ja) 2019-07-17 2022-10-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2023145656A1 (ja) * 2022-01-26 2023-08-03 株式会社小糸製作所 半導体発光素子、前照灯装置、および半導体発光素子の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8267561B2 (en) 2012-09-18
WO2007115523A1 (de) 2007-10-18
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KR101314367B1 (ko) 2013-10-04

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