TWI357937B - Method for melting semiconductor wafer raw materia - Google Patents

Description

1357937 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一種半導體晶圓材料之溶解方法，其將 半導體晶圓材料放入單結晶製造裝置的坩鍋内，使用側面 加熱器加熱坩鍋，以使半導體晶圓材料溶解，本發明尤其 疋關於一種使用側面加熱器加熱坩鍋底部來減少溶融液之 氣泡的溶解方法。 【先前技術】 在使用單結晶製造裝置的單晶矽製造過程中，在石英 掛鋼内放人做為材料的多結晶塊，使用環繞掛窩側面而設 置的側面加熱器對坩鍋側面加熱。於是，材料溶解，產生 矽溶融液。在設置於坩鍋上部的結晶上拉機構的先端設置 矽晶圓的晶種，此晶種在浸泡於矽溶融液之後再拉上來。 晶種的的上拉是一邊繞著上拉軸旋轉一邊進行。於是’會 :::晶種的結晶方位而析出…此方式析出的二成單 、·、。晶碎鍵。 雖然從單結晶石夕錢提煉出晶圓，有時提煉出的晶圓内 會產生稱為針孔不良的泡狀不良情況。針孔不良為因容融 液中所從在的氣泡進入單晶石夕而產生的缺陷，

時，坩鍋内壁的表層上所存在的氣泡、附著於合解 氣體等可能是產生的原因。 ；料的SiO 此外，特開平05_9097公報（專利文 簡公報（專利文獻2)中記載„種技術，其以= 7054-8959-PF;Ahddub 6 1357937 進行材料的溶解處理，以高壓進行矽錠的上拉處理，藉由 此種爐内壓力的控制來減少針孔不良。 不過，結晶品質視爐内壓力而定。為了實現高品質的 石夕鍵’製造妙錠時’需要以高精度來控制爐内壓力。上述 專利文獻1，2的技術可控制爐内壓力來阻止針孔不良的技 術，不考慮結晶品質。使用上述專利文獻〗，2的技術難以 同時兼顧品質的提高和針孔不良的阻止。 本發明為鑑於此種實際情況所創作的發明，以減少溶 融液之氣泡以阻止晶圓上產生針孔不良為解決課題。 【發明内容】 第1發明為一種半導體晶圓材料之溶解方法，使用具備 坩鍋和圍繞該坩鍋之側面而設置之側面加熱器的單結晶製 造裝置來溶解半導體晶圓材料，其特徵在於包含.：侧面加 熱製程，主要使用上述側面加熱器對时鋼側面加轨，使上 述堆鋼内之材料溶解，產生溶融液；調整製程，調整上述 掛鍋和上述侧面加熱器之相對位置以使上述側面加熱器對 坩鍋底部的加熱量比進行上述侧面加熱製程時大；及底呷 加熱製程’保持上述位置調整後之上述㈣和上述側面加 熱器之相對位置並使用上述侧面加熱器料鋼底部加孰。 第2發明為第1發明中的上述 心门坌表程在以上述側面加 熱製程溶解全部材料之後進行。 第3發明為第1發明中的上述調整製 熱製程溶解一部分材料之後進行。 、’〔側面加 7054-8959-PF;Ahddub 第1至第3發明是關於一種半導體晶圓材料之溶解方 埶。。其：用具備坩鍋和圍繞該坩鍋之側面而設置之側面加 2的早結晶製造裝置來溶解半導體晶圓材料。本發明所 根據的觀點為，拉士 a對坩鍋底部加熱來使溶融液下部的溫 又上升’以使溶融液上部和下部的溫度差變大，所以，氣 飛政至外。p的自然對流在溶融液内變強。此外，在實際 7 =置中，在石墨坩鍋的内部設置石英坩鍋，不過，在此， 組合石英坩鍋和石墨坩鍋作為所謂的坩鍋。此外，所謂坩 锅底部，是指從掛鋼側面的下部跨過时銷的最下端而彎曲 的整個底面。 將掛鋼和側面加熱器保持在初始位置，將材料放入掛 銷内。此初始位置是指使用側面加熱器主要使㈣側面受 熱的位置。當使用側面加熱器對坩鍋側面加熱時，材料溶 解’產生溶融液。當溶融液的一部分或全部一溶解，使坩 鍋上升至初始位置之上或使側面加熱器下降至初始位置之 下。此時，調整掛鋼或側面加熱器的位置’以使相對於掛 鋼#側面加&器的才刀始相對位置為堆鋼側面下側弯曲部的 加熱量變大。然後，當一邊保持坩鍋和側面加熱器的相對 位置邊使用側面加熱器對掛銷底部加熱日寺，掛鍋底部 的加熱里變得比坩鍋側面的加熱量大，氣泡飛散至外部的 對流在溶融液内變強。如此，氣泡從溶融液消失。 第4發明為一種半導體晶圓材料之溶解方法，使用具備 坩鍋和圍繞該坩鍋之側面而設置之側面加熱器的單結晶製 造裝置來溶解半導體晶圓㈣，其特徵在於包含：調整製 7054—8959-PF;Ahddub 8 1357937 程’調整上述掛镇和 迷側面加熱器之相對位置以使上 側面加熱器對掛鋼底部的加熱量比掛鋼側面之加熱量大； 及底部加妖贺，位4士， …、 保持上述位置調整後之上述坩鍋和上述 側面加熱器之相對 ^ 並使用上述側面加熱器對坩鍋底部 加熱以溶解材料產生溶融液。 弟4發明和第1^ 弟1至第3發明相同，是關於-種半導體晶圓 材科之洛解方法，其使用具備㈣和圍繞該㈣之側面而

:置=側面加熱器的單結晶製造裝置來溶解半導體晶圓材 料。本發明所根據的觀點為，藉由對掛鋼 泡飛散至外部的對流在溶融液内變強。 …末使- 首先’：材料放入掛鋼内。接著，使掛鍋上升到掛鍋 :二加熱$比坩鍋側面的加熱量大的位置或使側面加熱 态下降至初始位置之下。然後， 熱器的相對位置，，“田" 呆持掛鋼和側面加 于位置，-邊使用側面加熱器對掛鍋底部加敎 時’材料溶解，產生溶融液，再者，掛鋼底部的加敎量變 :比㈣側面的加熱量大’氣泡飛散至外部的對流在溶融 液内變強。如此，氣泡從溶融液消失。 ，第5發明為在第i或第4發明中’於上述調整製程中使上 述掛銷上升至上述㈣之升降動作範圍中上述側面加 之輪射熱最大之部分能保持㈣底部的掛鋼位置或其二 第6發明為在第i或第4發明中，於上述調整製程中， 上述側面加熱氣下降至上述側面加熱器之升降動作範圍： 上述側面加熱器之輻射熱最大之部分能保持掛鋼底部的掛 7054-8959-PF；Ahddub 9 uymi 銷位置或其下方。 第5及第6發明是關於調整掛銷和側面加妖胃 置的具體方法。使掛鋼上升時的掛銷的 加埶琴之轾射赦畀上 置為於側面 …射熱最大之部分維㈣鋼底部的位 在其位置的上方。使側面加熱器下降時的二 降位置為於側面加埶器之輻 …、态的下 …、訪之輻射熱取大之部分維持坩鍋底部 的位置，或者，在其位置的下方。 -

第7發明為在第1發明中，使上述底部加熱製程中之上 述側面加熱器之幸畐射熱比上述側面加熱製程中之上述側面 加熱器之輻射熱多。 第7發明為調整側面加埶 ‘.、、裔您輻射熱的發明。在使坩鍋 上升之後’主要使用側面加熱器使底部受熱。在此種狀能 下，若使側面加熱器的電力上升而加大了韓射熱在㈣ 内殘存材料的情況下，材料的溶解速度加速。另_方面， 在此種狀態下，掛鍋開口部受到的熱比掛鍋底部少。亦即， 即使使側面加熱器的電力上升 开也不會文到足以使坩鍋開 口部產生變形的熱量。 第8發明為在第3或第4發明中，於上述底部加熱製程 中，繼續使上述坩鍋上升至配置於坩鍋上方之材料和放入 坩鋼開口 σ卩及上述坩鍋之材料不會干涉到的位置。 第8發明為使坩鍋盡可能上升的發明。為了使用側面加 熱益主要對賴底部加熱，宜將㈣保持在側面加熱器的 熱輻射區域且盡可能在上方。不％，有時會在在坩鍋的上 方設置熱遮蔽板之類的上方元件。於是，宜使掛鋼上升至 7054-8959-PF;Ahddub 10 此上方元件和坩鍋不產生干涉的位置。 s又’當將大多數的元件放入坩鍋内時，有時材料會被 迫至堆鋼開口部的上部。如此被逼至㈣開口部之上方的 部分稱為橋部。使坩鍋上升至此橋部和上方元件不產生干 涉的位置。橋部的位置隨材料的溶解而_ ^下$，所以， 掛鋼隨著橋部的位置下降而上升。

第9發明在ρ或第4發明中，上述掛鋼由放入晶圓材料 的第-㈣和㈣設有此第—㈣之—部分的第二掛鋼所 構成’若將上述側面加熱器在上下方向之長度設為u，將 上述第二坩鍋在上下方向之長度設為[2，將在上述第一坩 鍋内面之最下端和上述側面加熱器之下端之距離之中為上 下方向之長度設為d，可得到（i/2)L2sL1g2L2，並且，在 上述底部加熱製程中將上述第一坩鍋保持在（l/4)Li^d彡 (3/4)Ll的位置。 第10發明為在第1或第4發明中，在上述底部加熱製程 中’以0.5~15rpm的速度旋轉坩鍋。 第9及第1〇發明為有效率地進行第丨發明或第4發明的 具體實施型態。 在第11發明中，當在以第1發明或4發明所產生的溶融 液中浸泡晶種之後上拉此晶種以成長結晶時，以〇. 136m/s 以上的角速度來旋轉並上拉結晶。 在第11發明中，當使用以第1發明或4發明所產生的溶 融液上拉出單結晶時’以1 3rpm以上的速度來旋轉並上拉單 結晶，藉此，可防止溶融液内所殘留的氣泡進入結晶。 7054-8959-PF;Ahddub 11 1357937 根據本發明之方法，可 θ 使坩鍋底部的加熱量大於坩鍋 训向的加熱量。於是，在 外部的對、融液内，氣泡飛散至 由一 减v 了溶融液中的氣泡，所以， 由此洛融液所產生的單晶矽幾# 矽提煉出曰圓 ^ s軋泡。若從此種單晶 東出曰曰圓，可產生針孔不良情況減少的晶圓。 此外，在第1及第4發明中， 便坩鍋上升的狀態下， 即使將側面加熱器的輻射埶 p …、支大，也只有坩鍋底部受熱而 已，掛鍋開口部不會過度受埶 部的變形。 U疋，不會產生时鋼開口 【實施方式】 以下參照圖Φ纟說明本發明的實施型態。 第1圖為剖面圖，以簡化方彳志—β 間化万式表不早結晶製造裝置的賴 造。 單結晶製造裝置！由連接至升降機構2的石墨掛鋼3、内 設於石墨堆锅3的侧面的一部分及底面的石英掛鋼4、圍繞 石墨坩鍋3及石英坩鍋4的侧面而設置的側面加熱器5、設置 於側面加熱器5和爐體6内壁之間的隔熱材料7、設置於石英 坩鍋4上方的熱遮蔽板8、設置於熱遮蔽板8上方的上拉機構 9所構成。此外，也有不設置熱遮蔽板8的情況。此外，單 結晶製造裝置1的各部的動作藉由未圖示出來的控制器來 控制。 隨著升降機構2的動作，石墨坩鍋3和石英坩鍋4共同朝 向單結晶的上昇方向進行上升動作’然後，朝相反方向進 7054-8959-PF;Ahddub 12 1357937 行下降動作。又，隨著升降機構2的動作， 英㈣4共同以升降方向的轴為令心， 鶴3和石 外’在本實施型態中，為了調整掛鋼(石墨二動作。此 锅4)和側面加熱器5的相對位置，使㈣進行升:央掛 過’亦可使側面加熱器5朝向單結晶的上拉方…不 作然後再朝相反方向進行下降動作。 升動 在本兑月曰中冑石英坩鍋4的升降動作範圍中石英 鋼4受到側面加熱器5所賦予 、 中心」。當石英㈣底部4b位於此熱中心下方時，由側面 加熱器5對石英坩鍋側面仏加熱’當石英坩鍋底部4b位於此 熱中心上方時，由側面加熱器5主要對石英坩鍋底部4b加 熱。此外，所謂坩鍋底部4b’是指從坩鍋側面的下部跨過 掛鋼的最下端而彎曲的整個底面。

在此，舉出具體例說明熱中心。如第2圖所示，將側面 加熱器5在上下方向之長度設為「u」，將石墨坩鍋3在上 下方向之長度設為「L2」，將在石英坩鍋4内面最下端4d 和側面加熱器5之下端5a之距離之中為上下方向之長度設 為「d」。在本實施型態之單結晶製造裝置1中，以（1/2)L2 S LI S 2L2的方式來設計側面加熱器5和石墨坩鍋3。側面加 熱器5的輻射熱從下端5a開始算起為（1/4)L1以上且 (3 / 4 ) L1以下的區域。此區域為熱中心。如此，熱中心具有 某種程度的寬度。為了對石英坩鍋底部41)加熱多於石英坩 鍋側面4a，石英坩鍋底部4b至少必須熱中心下端的上方。 在本實施型態的單結晶製造裝置1中，在（1/4)L1 S d S 7054-8959-PF;Ahddub 13 1357937 • . (3/4)Ll的條件下對石英坩鍋底部4b加熱是最有效率的。在 以下所示的各實施例中，假設於滿足此種條件的位置支持 石英坩鍋4，對石英坩鍋底部4b加熱。 接著’以各實施例說明使用單結晶製造裝置1溶解材料 的步驟。 [第1實施例] 將矽材料30的塊狀物放入石英坩鍋4的内部後，使升降 機構2動作’將石墨坩鍋3及石英坩鍋4配置於初始位置。此 •時，如第3A圖所示，使石英坩鍋底部4b位於熱中心的下方 來配置石墨坩鍋3及石英坩鍋4。以下將「石墨坩鍋3及石英 坩鍋4」稱為「石英坩鍋4的組合」。在此位置上，一邊支 持石英坩鍋4的組合，一邊使側面加熱器5動作，透過石墨 坩銷3對石英坩銷側面4a加熱。於是，石英坩鋼4内的材料 30溶解，產生溶融液31。此溶融液31含有導致針孔不良的 氣泡。 φ 石英坩鍋4内的材料30全部溶解之後，使升降機構2動 作，使石英坩鍋4的組合上升。此時，如第3B圖所示，使石 英掛鋼底部4b位於熱中心或熱中心的上方來配置石英坩銷 4的組合◊在此位置上，一邊支持石英坩鍋4的組合，一邊 使侧面加熱器5動作’如此對石英坩鍋底部4b加熱。將側面 加熱器5對石英坩鍋底部4b的加熱時間設為60min以上，上 限設定在石英坩鍋4不會變化或變形的範圍。當對石英坩鋼 底部4b加熱時，若使升降機構2動作並使石英坩鍋4的組合 旋轉，會更有效果。坩鍋的旋轉數宜為0.5〜15rpm。 7054-8959-PF;Ahddub 14 1357937 ，在溶解材料後，可使_底部的加敎 二…銷側面的加熱量。於是，如第4圖所 内、 :溶融液中’氣泡飛散至外部的對流變強。如此，= 使側面加熱器的輻射熱增加 % 4二VW., 便坩鍋内的對流變 強，進而減少溶融液令的氣泡。由此溶融 MM含氣泡。若從此單-夕提煉出晶》，可產生:： 不良減少的晶圓。 座生針孔 又’在使掛鋼上升的狀態下，即使將側面加敎器的幸S 射熱變大，也只有掛銷底部受熱，㈣開口部不會過度受 熱。於是，不會產生坩鍋開口部的變形。 [第2貫施例] 第2實施例和第1實施例的不同點為使石英㈣4的組 合上升的時序。 將矽材料30的塊狀物放入石英增鍋4的内部後，使升降 機構2動作，將石英坩鍋4的組合配置於初始位置。此時， 如第3Α圖所示，使石英坩鍋底部让位於熱中心的下方來配 置石英坩鍋4的组合。在此位置上，一邊支持石英坩鍋彳的 組合，一邊使側面加熱器5動作，如此對石英坩鍋側面铛 加熱。於是，石英坩鍋4内的材料3〇溶解，產生溶融液31。 此溶融液31含有導致針孔不良的氣泡。 石英坩鍋4内的材料3〇的一部分溶解之後，使升降機構 2動作，使石英坩鍋4的組合上升。在第2實施例中，於不是 全部的材料30都溶解的狀態下，使石英坩鍋4的組合上升， 所以’必須考慮如下事項。 7054'8959-PF;Ahddub 15 若將很多材料30放入石英掛鋼4内’如第5A圖所示’材 料30可能會雄藉姐+ ” u —隹積仔比石央坩鍋開口部切高。將以此方式突 出於石央料開口部化上方的部分稱為橋部3Ga。在材料30 :溶解初期’有時橋部3〇a會留下來，若在此種狀態下使石 央坩鍋4的組合上升,位於石英坩鍋*上方的熱遮蔽板8和橋 部30a會產生干涉。為了防止此種情況，首先，使石英掛鋼 4的‘·且口上升至橋部3〇a和熱遮蔽板8不會干涉的位置。橋部 3〇a的位置隨著材㈣的溶解—起下降，所以，石英掛鋼4 的組合隨著橋部30a的位置而緩緩上升。 外，如第5B圖所示，若橋部3〇a的高度變得和石英掛 鍋開口部4c相同，可在不受到橋部心限制的情況下，使石 英掛銷4的組合上升。此時，如第3β圖所示，使石英掛鋼底 部牝位於熱令心或熱中心的上方來配置石英掛鋼4的組 〇在此位置上，—邊支持石英掛鋼4的组合，—邊使側面 加熱器5動作’如此對石英㈣底部4b加熱。將側面加熱器 5對石英坩鍋底部4b的加熱時間設為6〇min以上。當對石英 坩鍋底部4b加熱時，若使升降機構2動作並使石英坩鍋*的 組合旋轉，會更有效果。坩鍋的旋轉數宜為〇 5〜i5qm。 此外，在橋部不存在的情況下，可於材料的_部分溶 解的時點，使石英坩鍋4從第3A圖所示的初始位置上升到第 3 B圖所示的位置。 根據本實施例，在溶解材料後，可使坩鍋底部的加熱 量多於堆鍋側面的加熱量。於是，在坩鍋内的溶融液中， 氣泡飛散至外部的對流變強。如此，可在不使側面加熱器 7054-8959-PF;Ahddub 16 丄：〇/937 的輻射熱增加的情況下，使坩鍋内的對流變強，進而減少 冷融液中的氣泡。由此溶融液所產生的單晶矽幾乎不含氣 :°若從此單晶妙提煉出晶JU ’可產生針孔不良減少的晶 又，在使坩鍋上升的狀態下，即使將側面加熱器的輻 射熱變大，也只有坩鍋底部受熱，坩鍋開口部不會過度受 熱。於是’不會產生坩鍋開口部的變形。 又，根據本實施例，一邊使材料溶解，一邊增強溶融 液中的對流以使氣泡飛散至外部，所以，相較於第i實施 U 了縮短從溶解材料到消滅氣泡的處理時間。 [第3實施例] 在本實把例中，將石央时鍋4的初始位置盡可能設置在 上方，在溶解材料之前，使石英坩鍋4的組合上升。 將矽材料30的塊狀物放入石英坩鍋4的内部後，使升降 機構2動作，將石英坩鍋4的組合配置於初始位置。此時， 使石央坩鍋底部4b位於熱中心的上方來配置石英坩鍋4的 組合。在此位置上，一邊支持石英坩鍋4的組合，一邊使側 面加熱器5動作，如此對石英坩鍋側面牡加熱。於是，石英 坩鍋4内的材料3〇溶解，產生溶融液31。 根據本實施例，從材料溶解的初始階段開始，可使底 部的加熱量多於坩鍋側面的加熱量。於是，在坩鍋内的溶 融液117氣’包飛散至外部的對流變強。如此，可在不使側 面加熱器的輻射熱增加的情況下，使坩鍋内的對流變強， 進而減少溶融液中的氣泡。由此溶融液所產生的單晶矽幾 17 7054-8959-PF；Ahddub

乎不含氣泡。芒從A DD PI 減少的晶圓。提煉出晶圓，可產生針孔不良 射2 ’在使坤鍋上升的狀態τ，即使將側面加熱器的輻 敎’’、夂Α也只有㈣底部受熱，㈣開口部不會過度受 …、。於是，不會產生坩鍋開口部的變形。 又’根據本實施例，—邊使材料溶解—邊增強溶融 液·中的對流以使廣冷艰玉 ，飛放至外。卩，所以，相較於第1實施 歹1 ’可縮短從溶解材料利滅氣泡的處理時間。 [第4實施例] ,上述第1至第3實施例和產生溶融液時的控制有關，不 =，本實施例和在產生溶融液之後上拉單結晶時的控制有 關。 將晶種浸泡於藉由上述第i至第3實施例產生的溶融液 中之後’上拉此晶種並且成長單結晶。在本實施例中上 拉機構9將曰曰種上拉至上方，並使其以上拉軸為中心而旋 轉。其旋轉數為0.136m/s以上的角速度，上限設為可上拉 出實質結晶的上限速度，亦即〇21/m/s。於是，從溶融液 ，出氣泡的效果，亦即’所謂的吐出效果提高，所形成的 單晶石夕的氣泡進一步得以減少。 ,根據本發明之發明人所進行的實驗，得到從使用習知 、、十孔不良產生率〇. 3%減少到使用本發明的〇.丨％的桔 果。 此外’各實施例可有各種型態。 例如，在第1至第3實施例中，使石英掛鋼4的組合上 18 7054-8959-PF；Ahddub 1357937 升，不過，也可使側面加熱器5下降。石英坩鍋4的組合上 升和側面加熱器5的下降可得到相同的效果。 又’在第1及第2實施例中，可在时鋼上升後使側面 加熱窃5的輻射熱上升。又，在帛3實施例中，可使側面 加熱器5的轎射熱上升得比過去多。若將輕射熱增加，可 進一步縮紐溶解材料及消滅氣泡的時間。 【圖式簡單說明】 第1圖為剖面圖，以簡化方式表示單結晶製造裝置的構 造。 第2圖表示單結晶製造裝置中的尺寸的定義。 第3A圖表示坩鍋側面受到加熱的狀態，第3B圖表示坩 鍋底部受到加熱的狀態。 第4圖表示坩銷内的對流。 第5A圖表示將材料放入坩鍋的狀態，第5β圖溶解材料 後的狀態。 【主要元件符號說明】 2〜升降機構； 4〜石英掛鋼； 4b〜石英坩鋼底面； 4d~石英掛鋼内面最下端； 5a~側面加熱器下端； 7〜隔熱材料； 卜單結晶製造裝置 3〜石墨坩鍋； 4 a〜石英坩鋼側面； 4c〜石英坩鍋開口部 5〜側面加熱器； 6〜爐體； 7054-8959-PF;Ahddub 19 1357937 8〜熱遮蔽板； 30〜材料； 31〜溶融液。 9〜上拉機構； 30a〜橋部；

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Claims (1)

1. 、申請專利範圍 1.種半導體晶圓材料之溶舷 g| έΑ ^ w ^ _ 方法，使用具備坩鍋系 U銷之側面而設置之側面加熱 來溶解半導體晶圓材料， s灰^裝置 其特徵在於包含： 側面加熱製程，主 加款，使上述掛㈣ 熱器對掛鋼側面 …吏相鋼内之材料溶解，產生㈣ 調整製程，調整上站；w纽 这坩鍋和上述側面加熱器之相 置以使上述侧面加埶写斜 面加熱製程時大;及―加熱量比進行上述側 底部加熱製程，保持上述位置調整後之上 迷側面加熱器之相對 上 部加熱。 並使用上逑側面加熱器對坩鍋底 法，1如申°月專利範圍第1項之半導體晶圓材料之溶解方 ,, 述D周正製^在以上述側面加熱製程溶解全$ 材料之後進行。 肝王口P 法，1.如申請專利範圍第1項之半導體晶圓材料之溶解方 分材料Γ ^上述調整製程在以上述側面加熱製程溶解—部 刀材枓之後進行。 1 圍繞半導體晶圓材料之溶解方法，使用具備掛鋼和 、°之側面而設置之側面加熱器的單結晶製造f w 來溶解半導體晶圓材料， h裝置 其特徵在於包含： °周整製程’調整上述坩鍋和上述側面加熱器之相對位 7〇54-8959-PF;Ahddub 1357937 置以使上述侧面加熱器對坩鎬底部的加熱量比坩鍋側面之 加熱量大；及 底部加熱製程，保持上述位置調整後之上述掛銷和上 述側面加熱器之相對位置並使用上述侧面加熱器對掛鍋底 部加熱以溶解材料產生溶融液。 5. 如申請專利範圍第丨或4項之半導體晶圓材料之溶解 方法，其令，在上述調整製程中，使上述坩鍋上升至上述 掛鋼之升降動作範圍中上述側面加熱器之輻射熱最大之部 分能保持掛鋼底部的掛鋼位置或其上方。 6. 如申請專利範圍第〗或4項之半導體晶圓材料之溶解 方法’其中’在上述調整製程中，使上述側面加熱器下降 至上述側面加熱器之升降動作範圍令上述側面加孰考之輻 射熱最大之部分能保持掛鋼底部的側面加熱器位置或其下 方0 7.如申請專利範圍第】項之半導體晶圓材料之溶解，

   射敎其中，使上述底部加熱製程中之上述側面加熱器之秦 ^熱比上述側面加熱製程中之上述側面加熱器之 多。 用 8.如申請專利範圍第…項之半導體晶圓材料<& 法’其中’在上述底部加熱製程中，繼續使上述坩鍋 升至配置於坩鍋上方之材料和放 之材料不會干涉到的位置。 。開口部及上物 1中請專利範圍第_項之半導體晶圓材 方法’其中’上述㈣由放入晶圓材料的第一掛鋼和内: 7〇54-8959-PF；Ahddub 22 1357937 設有此第一掛鋼之一部分的第二掛鍋所構成，若將上述側 面加熱器在上下方向之長度設為L1，將上述第二掛錯在上 下方向之長度設為L2,將在上述第一坩鍋内面之最下端和 上述侧面加熱器之下端之距離之中為上下方向之長度設為 d，可得到（1/2)L2S LI S 2L2，並且，在上述底部加熱製程 中將上述第一坩鍋保持在（1/4)11各（1$(3/4)1^的位置。

   1 0.如申請專利範圍第丨或4項之半導體晶圓材料之溶 解方法，其中，在上述底部加熱製程中，以〇5〜15rpm的速 度旋轉坩銷。 11. 一種半導體晶圓之結晶成長方法，其特徵在於，當 在使用如申4專利範圍第丨或4項之半導體晶圓材料之溶解 方法所產生的溶融液中浸泡晶種之後上拉此晶種以成長結 晶時，以0.136m/s以上的角速度來旋轉並上拉結晶。

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