TWI339468B - Semiconductor laser - Google Patents

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TWI339468B
TWI339468B TW093129794A TW93129794A TWI339468B TW I339468 B TWI339468 B TW I339468B TW 093129794 A TW093129794 A TW 093129794A TW 93129794 A TW93129794 A TW 93129794A TW I339468 B TWI339468 B TW I339468B
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Description

1339468 第93129794號專利申諳案 (沖年11月1 a) 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種模塑型半導體雷射’其係特別適用 於 CD、DVD(數位多用途光碟；digital versatile disk)、 DVD-ROM、可寫入資料之CD_R/Rw等拾訊器用光源，且 體積小又可以低價簡易製造。更詳細而言，係關於一種用 於大功率’必須有效散熱’且由導線框架（lead frame)及模 塑樹脂（molding resin)所形成之低價構造的半導體雷射。 【先前技術】 由導線框架與模塑樹脂構成封裝體之模塑型半導體雷 射’係形成例如第8圖所示之構造。在第8圖中，在作為 導線框架61而一體形成之3支導腳62、63、64内、共通 導腳62前端之晶片座（die pad)62a上係裝配接合有雷射 (LD)晶片68之副安裝部（subm〇unt)67。該晶片68以及 監視器用受光元件65係藉由未圖示之引線…卜匀與其他導 腳63、64進行引線接合。此外，如第8圖所示，藉由合成 樹脂進行轉注模塑（transfer m〇lding)，使框體66形成於光 束之射出側以外的周圍，藉此可與各導腳62、63、64 一體 化，即使與導線框架61分離，各導腳62至64也會維持固 定。 此時，若使導線框架的下面完全露出時，必須防止因 來自的片座62a的散熱而使設置在導體上等 導心2至Μ間產生短路，並藉由框體66確實固^: Μ至Μ，因此其構造上乃形成使樹脂環繞到導線框架61 3163«修正版 5 1339468 第93129794號專利申請案 (99年11月1曰） 之背面侧，並在導腳62至64周圍形成覆蓋。但是晶片座 62a係以露出的部分較易散熱’因此，如第$圖所示，乃 施加使晶片座62a部分由導線框架61的面降下且露出的向 下安置型之成形加工，或施加避免晶片座62a的導腳62 變形，而使兩側之導腳63、64的前端部向上彎曲的向上安 置型之成形加工。 以往的模塑型半導體雷射的構造係如前述 -—，久 路 導線框架之晶片座背面，藉由使之形成平坦面而使之與 散熱板等接觸而進行散熱。但是，若施加將晶片座由導線 框架：下壓，或將其他導腳之前端部側上壓的向下安置與 $上安置等加工成形時，不僅加工作業繁瑣，而且即使進 仃加工有時也會回復原狀，或在碰觸到其他裝置時容易產 生變形，而不利於成形精密度之管理，只要成形形狀發生 些微變化時，在進行模塑時便會產生樹脂毛邊，而 面確實與散熱板接觸，以至於產生無法充㈣熱 此外 部被樹脂覆蓋的情況較多，但晶片座部係 二述之第8圖所示，由於係形成僅在其周圍的_面設置 树脂的構造，因此黏著力較 ^ 起，產生浮動^:;=1從樹脂部浮 之可靠性降低的問題。移動便會產生引線接合 進行IS定=裝於拾訊器時，係形成除了可放入殼體等 確疋位外，逛可進行散熱的構 周圍形成作為框體之龄邱田… I由於在晶片座 體之樹月“，因此必須在 316363修正版 6 1339468 第93129794號專利申請索 (99年]】月1曰） 位，而由於樹脂部會發生樹月旨毛邊等而無法正確定位，如 此ϋ 了無法以正確位置之外，也無法使晶片座的 露出部確實與殼體接觸而進行散熱。此外，即使樹脂料 殼體接觸，但由於削旨之熱傳導性不佳，故無法充分散熱。 特別是’隨著近來可寫人資料之CD_R/RW等的普及，半 導體雷射被要求必須高輸出化，且高輸出必須由以往之 5mW左右提升至200mw左右以上，因此又產生無法有效 率地散熱而縮短半導體雷射壽命的問題。 另-方面’隨著近年來之電子機器的輕薄短小化，拾 訊器也隨著必須走向更為小型化，在半導體雷射方面對^ 小型化的需求也日益增大，因此無法藉由使之大型化而達 到散熱的目的。 【發明内容】 本發明係鑑於上述狀況而研發者，其目的在提供一種 模塑型半導體雷射’可提升導線框架與樹脂之密接性，並 在組裝於殼體等時進行正確之定位，同時又可充分散熱。 ^本發明之其他目的係提供一種經過精心設計之構造的 ，導體雷射’其係使以傾斜方式將半導體雷射設置在拾訊 器等’也不會使拾訊器大型化。 、本發明之半導體雷射係具冑：由&狀之導線框架所形 成之晶片座以及複數個導腳；由一體保持該晶片座以及複 數個導腳的模塑樹脂所形成的樹脂部；以及安裴在前述晶 片座表面側的雷射晶片；前述導線框架之晶片座以及複數 個導腳則端部’係在與前述導線框架面垂直的方向並未進 316363修正版 7 1339468 第93丨29794號專利申請索 年11月1曰） 仃、形加工，前述樹脂部為了能夠一體保持前述複數個導 腳以及前述晶片座而設在部分前述導線框架之一部分的表 裡兩面，而且部分之前述晶片座背面係呈外露而未受前述 樹脂部所覆蓋，另外，在前述晶片座之侧部係形成表= 面未又前述樹月旨部所覆蓋而露出之定位用及/或散熱用之 散熱片。 於别述晶片座頂部背面形成凹部，而設置在該晶片座 表面之前述樹脂部，係經由前述晶片座之頂部陷入前述晶 座背面之凹部内’且埋入該凹部内之樹脂與前述晶片座 二：：頂部側幾乎形成同—平面，而可使樹脂與晶片座的 :乂佳’且晶片座背面之頂部側、亦即晶片座背面之頂 核大部分的面積形成平坦面，而使與殼 板的接觸良好’以達到散熱之目的。 Κ散熱 :外：藉由在前述樹脂部之表面側到側面的角隅部， 形成C面或R面的去除部，則即使以一定角度 拾訊器内，也益須將於 $ ^ 士 g '、》又在 "，負將^裔加大，即可搭载半導體雷射。 匕外去除C面或R面係指以剖面 直線狀或圓弧狀。 狀將角部去除而形成 具體而言’藉由在前述導線框架之背面， 熱片以及樹脂部，俾使前述樹脂部之面 / 部覆蓋而露出之導線框架的面積，即可使:殼 散熱板接觸的金屬部分（導線框架）的面 : 熱效果。 以徒升散 更具體而言，藉由以前述雷射 对Βθ片的光的行進方向為 316363修正版 8 1339468 第9312^94號專利申請案 (99年11月1日） 中心軸，且到達前述散熱片之最側邊端為止的距離a(參照 第2圖）、與到達前述中心軸與前述樹脂部之最側邊端為止 的距離B的差，加上由樹脂部下端到晶片座上端為止的距 離D、與由前述樹脂部下端到該樹脂部上端為止的距離匸 的差所獲得之和（A—B + D—c)係超過2mm，且前述散熱 片之最大部分的寬度2A小於5.6mm，而形成前述散熱片 及樹脂部，如此一來，不僅其外形尺寸可與以往之半導體 雷射相同，亦可增加金屬部分之露出面積，而可有效率地 進行散熱。 根據本發明，第1，由於不須對導線框架進行與框架 面垂直方向的成形加工，因此除了可免去成形加工之工 數，亦可將晶片座等之位置保持在穩定的位置上，即使在 利用樹脂進行模塑的情形下，亦可避免與模具產生偏移， 並防止樹脂毛邊等之產生，而得以形成-定的形狀。第2， 由於樹脂部係以覆蓋到部分導線框架的背面侧之方式設 置’因此不必擔心剝離現象之產生’而具有十分可靠之密 ^生。第3，由於係在晶片座之側部側形成表裡兩面未受 ，脂部覆蓋而露出的散熱片，因此例如即使將半導體雷射 安裝在，體等時，亦可以散熱片作為對位的基準，而得以 以極精密之尺寸進行安裳’同時由於可使散熱片及晶片座 #面與殼體（散熱片）等緊密接合’因此亦可大幅提升散執 特性。 、 此外，在晶片座背面之頂部背面形成凹部，並使樹脂 k入該凹部内’或在晶片座中設置錯定用貫通孔以埋入 316363修正版 9 1339468 (99年11月1日） 樹脂，而使晶片座背面之頂部側形成幾乎同一平面，藉此 可使大部分的晶片座露出且較容易與殼體等之散熱板接 觸，此外因頂部側並未具有樹脂之突出部，因此可—面藉 由前述殼體之散熱片進行定位，一面與殼體接觸。9 結果，根據本發明，即使是大功率用之半導體雷射， 亦可形成使用導線框架與模塑樹脂之模塑型之十分廉價的 構造’此外由於係利用設置在晶片座側部的散熱片進行斑 殼體間的對位及散熱’因此可以極高之精密度進行組裝， 而且除具有相當優異之散熱性外，還可以極低的價格獲 得。因此，對於CD、DVD、DVD_R〇M、可寫入資料之 CD-R/RW等使用拾訊器之電子機器的可靠性提昇及成本 之降低上有極大之助益。 【實施方式】 接著，參照圖式說明本發明之半導體雷射。本發明之 半導體雷射之一實施形態之正面、背面、上面以及侧面之 說月圖係刀別如第1A圖至第id圖所示，由板狀之導線框 架U參照第3圖）所形成之晶片座15以及複數個導腳n 至14係藉由模塑樹脂所形成之樹脂部2(在第1圖中係在 樹脂部2上標示陰影線）一體保持。而雷射晶片4係藉由副 安裝部3而安裝在晶片座15上。 此外’由於導線框架1之晶片座15、以及複數個導腳 U至14之前端部在與導線框架垂直的方向並未施加成形 加工’而一體支撐複數個導腳U至14以及晶片座15 ’因 此如第1A圖以及第iD圖所示，樹脂部2會被設置在部分 10 316363修正版 1339468 第93129794號專利f請案 (99年U月1曰） 導線框架的表裡兩面，而且晶片座15之背面的一部分未受 樹脂部2所覆蓋而露出，且在晶片座15側部形成有表裡兩 面未嗳樹脂部2覆蓋而露出之定位用或/及散熱用散熱片 16。在第1圖所示例中，係以具有4支導腳的例子來說明 雙波長半導體雷射用導腳，一般的單波長用的導腳在設置 3支的情況下亦同。 導線框架1係如第3圖所示，使用例如42合金或銅或 銅&金等所形成之厚度約〇 2至〇 4_之板材，而藉由沖 切成形等來形成，第丨至第4導腳丨丨至14係固定在側執 (Slde rail)17，晶片座15係形成在第1導腳11之前端部， 此外，定位用及/或散熱用散熱片16則形成於晶片座15之 側部側。在第2至第4導腳12至14之前端部係分別形成 引線接合部，並連接成多數組。該導線框架丨係如第 圖至第ID圖所示’在形成樹脂部2後，組裝雷射晶片4 等，再由側執17切開各導腳U至14，而使之分離為各個 半導體雷射。此外，18為索引孔（index h〇le)，19為導線 框架搬運用輸送孔》 ’ ^ 根據本發明，其特徵係在該導線框架1之晶片座15 之兩側部側，連接晶片座15並形成散熱片16。該散熱片 16係藉由不受樹脂部2所覆蓋而由樹脂部2露出的方式形 成，因此將半導體雷射安裝在殼體等時，可藉由將部分散 熱片16***該殼體之定位溝而進行正確之定位並完成安 裝。因此，在構成上，至少未受樹脂部2所覆蓋之部分= 寬度Ε=Α—Β(參照第2圖）與D—C的和係為2mm以上， 316363修正版 丄 W9468 第93129794號專利申請案 (99年11月1曰） 且=體之寬度2A(參照第2圖）係在以往之管殼型（⑽type) 構造之管座（stem)的直徑5 6mm以下。亦即，藉由使 + D〜C形成為2mm以上，與殼體之溝的接觸面積，可確 呆在可正確保持半導體雷射之位置的程度，同時又可充分 進仃散熱。其具體例係形成2A=5 2mm左右、晶片座Μ 之高度F=l.4mm左右、散熱片16之長度G=34mm左右、 A〜B=〇.75mm 左右 ' D_c=1 45mm 左右。 、此外，在第3圖所示例中，在晶片座15中，錨定用貫 通孔15a係形成於2處。該貫通孔15a係如第4圖中在形 j树月曰。P 2後之部分剖面說明圖所示，形成為在晶片座^ $ 背面側之直徑較大，而在表面側直徑較小之附有段差的 孔，且在埋入樹脂後，形成不易剝離的構造。此外，在第 3时雖未顯示’但在晶片座頂部之背面，亦分別於2處（在 第圖中樹脂部2由晶片座15頂部繞到冑面侧的部分）， 如第4圖所示形成凹部(壓紋狀封口⑽，表面側之樹脂部 2經由頂部埋入晶片座15背面之凹部15b内，並形成同樣 不易剝離的構造。藉由作成上述構造，可使晶片座i 5背面 大致形成平坦面而容易與殼體等進行接觸，同時使樹脂部 2確實固定在晶片座μ上。 樹月1部2係被確實固定，即使第I至第4導腳n至 14與導線框架分離也不會散開，且用以確實保持雷射晶片 4等各電極與導腳U至14之間的連接，因此在前述導線 框架1的狀態下係藉由轉注模塑等之樹脂成形來形成。― 般而a ’在使晶片座！ 5之背面露出的情況下，如前述一 316363修正版 12 第93129794號專利申請索 (99年Π月1曰） 般，係在使晶片座部分等成( ^ ' m PJr ^ m ^ 荨成形後才進行模塑成型，但本發 之係省略導線框架之成形，而直接在平坦 下’一面進行模塑成型-面露出晶片座15背面之大 因此矣在本發明中，樹脂部2係如第Μ圖及第a圖 所不’在表面側係設置成霜筌曰 ^ bsp η 5 1 ι盍日日片座15之側部、以及複數 個導腳11至14之根都的犯_ρ 亦t Λ ’同時在導線框架之背面側 亦形成有树月曰部2，其传播士山# U ^ 1ς . 、’、冓成由其頂部及底部側繞入到晶 片座15之下端部的形式。由 —由於頂部側之樹脂部2之繞入方 式係如别述第4圖所示，僅繞 却日曰月座15背面之凹 口P 15b内，因此會與晶片座 忐巫,, 度15月面幾乎呈同一平面，而形 m 樹腊部2之表面側，抵接於雷射晶片 後方的部分形成有傾斜部22，俾使由雷射晶片4之後 射出的光進行反射而不會返回雷射晶片4側。 $ 14二方面底邛側的繞入方式’係以可覆蓋到導腳11 至14部以及晶片座15之 - 之潦面與樹脂部2之背側表面之間形 、 常在該種裝置吏晶片座背 ^ 又。’、P，通 ^ 1月面路出時，為使晶片座背面整 —入 杈係進仃導腳之成形加工，或在背面側 元全不形成樹脂部，但本發 框架之平坦性，乃省略丄=徵在於:為了維持導線 介—北 對導線框架進行成形加工，而藉由 亦在背面側設置樹脂部2，使 3由 使之形成段差，而形成可蕤ά 小面積之樹脂部2確實固定導心】至心及 曰由 之部分的構造，藉此，可使穿 日曰片座15 裝置形成以下構造：亦即可在無 316363修正版 13 1339468 第93129794號專利申請案 (99年11月1曰') 須增加整體尺寸之情況下，使散熱片16由樹脂部2露出， 並且可使用於定位及/或散熱上。
A Η 取热片J 6 達令心軸與樹脂部2之备 之最側端為止的距離Β的差，加上由 由於晶片座15之背面與背面侧樹脂部2之表面並不一 =，因此背面侧並非完全形成平坦面，實際上在將該種半 導體雷射、特別是大功率用之半導體雷射組裝在拾訊器 (Pickup)内時，首重於如何定位並使之散熱因此如第$ 圖所不，係在鋁或鋅等具良好熱傳導性的金屬所形成的殼 體9内***半導體雷射8，而一面移動整個殼體一面進行 半導體雷射之定位H藉由在殼體9内部形成段差， 在本發明中’由於半導體雷射8之頂部側會形成平坦面， 因此若由該頂部侧***殼體内部，即可不受樹脂部2之突 ^的影響’而使晶片座背面密接並安裝於殼體9内。在 圖中，該散熱片16與晶片座15之背面係密接安裝在 9 ’而樹脂部因顧慮到成形所致之尺寸，a 顯示’以雷射晶片之光的行進方向 β 之最側端為止的距離a、與到 316363修正版 14 06 第93129794號專利申請案 , (99 if- 1 1 B 1 α 1 樹脂部2之下端到達晶片座 丄啼兩止的距離D、與谢賠 部2之下端到達樹脂部2 m ”鲥月曰 ,, 知為止的距離C的差所獲得 的^侧_c)係超過2mm。此外，散熱片16之最大二 的寬度2八係小於以往之管殼型構造的直徑5.6·。 另外以其他表現方式來顯示上述尺寸時，在第2_ 示之導線框架之背面中，畏林多 Τ敢好形成散熱片16以及樹脂部 2 ’俾使樹脂部2之面積得以，丨认土， 稹传以小於未受樹脂部2覆蓋而露出 之導線框架的面積。亦即’本發明係藉由儘可能增加上述 散熱片16以及晶片座15部與殼體的接觸面積，以正確執 行半導體雷射8在殼體9中的中# . ^ 瓶y甲的疋位，且儘可能使散熱更為 谷易因此：^ j述—般’係在省略導線框架之成形加工 的it况下®正確地維持其平面性’ 一面使樹脂部繞入 老面側並形成段差’而縮小樹脂部面積並增加散熱片b 之露出面積。 _在第1C圖的例中’由樹脂部2之表面側到側面的形 狀係形成R面加工之形狀。其理由係因將半導體雷射安裳 :拾訊器時有時必須使雷射光束傾斜某角度而射出，此 耠，如第6圖所示，必須以傾斜方式裝入殼體9内。但是， 田树月曰邛2之角隅部突出時，如第6B圖之虛線所示，會 使双體9變大’但若在角隅部21形成R面或C面（在第6 圖中係顯示C面的例子）時，只需將殼體尺寸減低H，便有 助於拾訊器之輕薄化。該R面或C面係根據前述尺寸例， 形成為〇.5mm左右。 雷射晶片4例如係形成為由例如AlGaAs系或 15 316363修正版 1339468 第93129794號專利申請案 (99年11月1曰）
InGaA 1P系等之化合物半導體所形成之一般的雙異質構造 (double heter〇structure)，其大小若是用於cd時約為25〇 ymX250//m，用於 DVD 時約為 25〇"mx5〇〇^m，而用於 CD R/RW時約為25〇 # mx8〇〇以瓜。該等體積極小且容易 使用’此外’為了確保散熱性，並緩和晶片與導線框架之 熱膨脹係數差異所導致之應力，—般係接合在由 0.8mmx 1mm左右大小之矽基板（可内建piN光電二極體）或 A1N(氮化銘）等所構成之副安裝部3 i。在第}圖所示例 中係顯示雙波長用之雷射晶片的例子，係拉出雙波長用 之電極端子’如第1A圖所示，其一方的電極係藉由金線6 等之引線接合連接在副安裝部3，並由其背面以導電性黏 接劑等隔著晶片座b而與第1導腳11連接，另一方的電 極々(背面電極）則是經由副安裝部3上的連接部並利用金線 6等引線接合與第2、第4導腳12、14連接。 -此外，用以監測雷射晶片4之發光輸出的受光元件5 ^同樣D又在田彳女裝部3，其一方的電極係經由副安裝部3 二及a曰片座15等與第1導腳11連接，而另一方的電極則 藉由金、線6等之引線接合直接與帛3導腳13電性連接。另 外該叉光元件5係可設在副安裝部3以外的位置，不需 要文光元件5時，亦可省略受光元件5。 4根據本發明，在晶片座側部，由於定位用以及散熱用 <政”、、片未文樹脂部所覆蓋，而可以充分的寬度（〇 丄因此在安裝於殼體時，可在殼體内進行精確定位並 確實安裝，此外由於散熱片以及晶片座背面之大部分可以 16 316363修正版 丄 第93129794號專利申請案 良好之密接度與殼 __ 升。亦即^於料框有助於散熱特性之提 田^在框架面之上下施加成形加工， 因此散熱片與晶片座》 平神面，Μ 別可維持與導線框架相同的 一 此外，未受樹脂覆蓋之散埶片尸；S： ^ , 架所決定之厚声而Π士 尽度’係由導線框 行应殼體之trr脂毛邊等之影響，因此可確實進 執片背面A =5。…结果，如前述第5圖所示，連同與散 ΐ紗的晶片座背面也能夠在毫無間隙之情況 _ ’並錢寬廣的面積有效率地進行散熱。 卜由於導線框架與樹脂部的關係，係在晶片座之 Μ㈣由表㈣面利用樹脂部加以覆蓋’因此可以十分 密接性接合。此外，在晶片座上端側，亦藉由在晶 :座方面形成凹部(厘紋狀封口)並設置樹脂之繞入部，而 '寻*在不_損害晶片座背面之平坦性的情況下更加提升密 接!生此外’藉由在晶片座令設置錫定用之附有段差的貫 通孔，而可進一走提升其密接性。 此外，藉由進行樹脂部之角隅部的倒角處理，即使以 傾斜某曰角度㈣方式搭載半導體雷射，亦可減少殼體（散熱 板）之厚度，並減少拾訊器之厚度，而有助於電子器之 薄化。 其結果，根據本發明，係使用採用了導線框架與模塑 樹脂之模塑型封裝體，即使是例如2〇〇 mW左右以上的大 功率用半導體雷射，亦可進行十分正確的定位，並以及低 廉的價格形成具優異散熱特性的高性能拾訊器。 第7圖係說明使用上述半導體雷射而構成輕薄型拾訊 316363修正版 17 1339468 第93129794號專利申請案 (99年11月1曰） 器之例子的概略說明圖。亦即，將半導體雷射50以橫向配 置’並利用繞射光柵51，使來自半導體雷射50之光，利 用例如3光束法予以3分割’再經由分離射出光與反射光 的刀光器（beam splitter)52，以準直鏡（collimator lens)53 使 其形成平行光束，並藉由稜鏡（反射鏡）54使光束彎曲9〇。 (Z軸方向）’最後再利用物鏡55在DVD或CD等光碟56 表面匯集成焦點。另外，形成一種透過分光器52，再經由 凹透鏡57等而由光檢測器58檢測出來自光碟56的反射光 的構造。此外，在第7圖中半導體雷射5〇與光檢測器58 係大致位於同一平面（xy面）。另外，上述半導體雷射5〇 貝際上係被***並安裝在兼具散熱與定位功能之殼體（散 熱板）内。 【圖式簡單說明】 施例構造之正面、背面、 第1A圖至第1D圖係顯示本發明之半導體雷射之一實 平面以及侧面的說明圖。 第+2圖係說明第1圖之半導體雷射之樹脂部與未受樹 脂所覆蓋而露出之導線框架的尺寸關係的圖。 的說明圖。 圖係顯示使用在第1圖之半導體雷射 之導線框架 第4圖係第1圖之半導體雷射之晶片座頂部 及錨用貫通孔部分之剖面說明圖。
第6A圖至帛6B圖係說明在本發明 之凹部以 圖所示之半導體雷射安裝在 體之接觸情況。 明之半導體雷射之樹 316363修正版 18 1339468 第93129794號專利申請案 (99年11月1日） 脂角隅部切入c面時之狀態的說明圖，以及說明以角 度Θ傾斜安裝於殼體時可使殼體變薄的說明圖。 第7圖係顯示拾訊器之構造例的說明圖。 第8圖係藉由以往之樹脂模塑形成之半導體雷射的說 【主要元件符號說明】 2 4 6 9 15、 15b 17 19 21 52 54 56 樹脂部 雷射晶片 金線 殼體 62a 晶片座 3 副安裝部 5 受光元件 $、50 半導體雷射 11至14 導腳 15a 貫通孔 凹部 16 側軌 18 導線框架搬運用輸送孔 角隅部 51 分光器 53 稜鏡（反射鏡） 55 光碟 57 光檢測器 散熱片 索引孔 繞射光柵 準直鏡 物鏡 凹透鏡 58 62、63、64 導腳 66 框體 61 導線框架 65 受光元件 67 副安裝部 68 雷射晶片 19 316363修王版

Claims (1)

  1. 十、申請專利範圍： 1. 一種半導體雷射，係具有： 晶片座以及複數個導腳， 第93129794號專利申請案 (99年11月】曰） 由板狀之導線框架所形、 树月日。(5 ’由-體保持該晶片座以及複數個導腳的模 塑樹脂所形成；以及 2射晶片，安裝在前述晶片座表面側； 别述¥線框架之晶片座以及複數個導腳前端部，係 在與前述導線框架面不同的方向並未施加成形加工，前 ^脂部為了能夠-體保持前述複數個導腳以及前述 日日=座而設置在部分前述導線框架之表裡兩面，而且前 述:片座皮面之一部分係呈外露而未受前述樹脂部所 j蓋，另外，在前述晶片座之側部係形成表裡兩面未受 刖述樹脂部覆蓋而露出之定位用及/或散熱用 片 · 巧入…、 在刚述樹脂部之表面側到侧面的角隅部，係形成C 面或R面的去除部。 2. t申請專利範圍s i項之半導體雷射’其中，係於前述 曰曰片座頂部背面形成凹部，而設置在該晶片座表面之前 述樹脂部’係經由前述晶片座之頂部陷入前述晶片座背 面之凹部内’而埋入該凹部内之樹脂與前述晶片座背面 之頂部側幾乎形成同一平面。 .如申凊專利範圍第1項之半導體雷射，其中，在前述導 線框架之背面係形成前述散熱片以及樹脂部，俾使前述 20 316363修正版 1339468 π 現辱利甲铕； 樹月匕加^ (效年U月1曰J 架的曰^面積小於未受該樹脂部覆蓋而露出之導線框 4.二申：專利範圍第1項之半導體雷射，其中，係以下列 :::成前述散熱片及樹脂部:以前述雷射晶片的光的 正的：：為中心軸’並使到達前述散熱片之最側邊端為 離A、與到達前述中心軸與前述樹脂部之最側邊 踹的距離B的差，加上由前述樹脂部下端到晶片座 :為止的距離D、與由前述樹脂部下端到該樹脂部上 ，為止的距離c的差所獲得之和(A—b + d_c)超過 ，，且前述散熱片之最大部分的寬度小於56贿。 .:申請專利範圍第！項之半導體雷射，其中，係在前述 =座令形成有附有段差的貫通孔，該貫通孔係在該晶 片座背面側其直徑較大，而在表面側其直徑較小。 6·，申請專利範圍第w之半導體雷射，其中，前述樹脂 糸覆蓋前述導腳之根部’並且以由頂部及底部侧繞入 的方式形成在前述晶片座之背面側。 7·如:請專利範圍第6項之半導體雷射，其中，前述晶片 座背面之露出面與繞入該晶片座背面側之前述樹脂部 之表面，係在前述晶片座之頂部側實際上形成同一面， 且在前述底部側形成有段差。 8·如申請專利範圍帛！項之半導體雷射，其中，抵接於前 述雷射晶ϋ後方之前述㈣部巾，係形成有傾斜部，可 使由該雷射晶月後端面射出的光進行反射而不會返回 雷射晶片側。 316363修正版 21 第93129794號專利申請素 9 如 （99年11月！日; .:請專利範圍第】項之半導體雷射，其中，形成有前 :樹脂部’俾使未受前述樹脂部所覆蓋而露出之前述散 熱片的寬度在0.5mm以上。 =申請專利範圍第9項之半導體雷射，其中，前述散教 片係***人殼體内’俾得以與具良好所 形成的該殼體接觸。 M所 U.如==第1項之半導雜雷射，其中，前述雷射 晶片係為雙波長用之雷射晶片。 316363修正版 22 1339468 第93129794號專利申請案 (99年11月1曰) 七、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第（1 )圖。 (二） 本代表圖之元件符號簡單說明： 2 樹脂部 3 副安裝部 4 雷射晶片 5 受光元件 6 金線 11 至 14 導腳 15 晶片座 15a 貫通孔 16 散熱片 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： 本案無代表化學式 4 316363修正版
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