JPH11307871A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 放熱性が高く、コストが低いうえに、ＬＤチ
ップの発光点の位置決めを精度よく、かつ簡単に行うこ
とができる半導体レーザ装置を実現する。 【解決手段】 リードフレーム１ａの一方の端部が板状
の搭載部１ｄとなり、他方の端部が、一方向に延びる電
極リード部１ｇとなっている。搭載部１ｄの表面にはヒ
ートシンク３を介してＬＤチップ２が搭載されている。
リードフレーム１ａには、ＬＤチップ２を封入するため
に樹脂モールド４が形成されている。樹脂モールド４に
は、ＬＤチップ２を封入するように透明キャップ５が取
り付けられている。搭載部１ｄの裏面側の部分は樹脂モ
ールド４から突出して露出しており、ＬＤチップ２で発
生した熱が搭載部１ｄの裏面から放出される。また、搭
載部１ｄの裏面側の部分の一辺は、ＬＤチップ２の発光
点の位置を決めるための基準７となっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＤチップが封入
された半導体レーザ装置に関し、特に、プラスチックな
どを用いてＬＤチップが封入されたプラスチックモール
ドパッケージの半導体レーザ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図４は、従来の半導体レーザ装置につい
て説明するための図である。図４（ａ）が、従来の半導
体レーザ装置を示す断面図であり、図４（ｂ）が図４
（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。図４（ａ）および図
４（ｂ）に示される半導体レーザ装置は、金属ステムを
用いてパッケージされたものである。この半導体レーザ
装置は、ＣＤやＤＶＤ用の単品半導体レーザとして最も
一般的に用いられており、全世界で月産１０００万個程
度、生産されている。

【０００３】従来の半導体レーザ装置では、図４（ａ）
および図４（ｂ）に示されるように、円盤状の金属ステ
ム１０９の表面から、ＬＤ（レーザダイオード）チップ
を搭載するための搭載部１０９ａが突出している。搭載
部１０９ａにはヒートシンク１０３を介してＬＤチップ
１０２が搭載されている。ＬＤチップ１０２で発生した
熱がヒートシンク１０３を介して金属ステム１０９に導
かれる。

【０００４】金属ステム１０９の裏面からは、その裏面
に対して垂直な方向に延びる棒状のリード部１０９ｂが
突出している。また、金属ステム１０９の中央部には、
金属ステム１０９の裏面から表面に貫通する棒状の端子
１２１が固定されている。金属ステム１０９の表面から
端子１２１の一端部が突出しており、その一端部がワイ
ヤ１２２を介してＬＤチップ１０２と電気的に接続され
ている。

【０００５】金属ステム１０９の表面には、円筒状の金
属製のキャップ１１０の一方の端面が接合されている。
このキャップ１１０によって、搭載部１０９ａ、ヒート
シンク１０３、ＬＤチップ１０２およびワイヤ１２２
や、端子１２１の、金属ステム１０９の表面から突出し
た部分が覆われている。キャップ１１０の他方の端部に
は、キャップ１１０の開口部を塞ぐカバーガラス１１１
が溶着されており、キャップ１１０およびカバーガラス
１１１によってＬＤチップ１０２などが封止されてい
る。カバーガラス１１１は、ＬＤチップ１０２から出射
するレーザ光の出射窓となる。

【０００６】図４（ａ）および図４（ｂ）に示した半導
体レーザ装置の製造方法としては、金属ステム１０９の
搭載部１０９ａにヒートシンク１０３を介してＬＤチッ
プ１０２を搭載し、ＬＤチップ１０２のワイヤボンディ
ングを行う。その後、カバーガラス１１１を融着したキ
ャップ１１０をプロジェクション溶接で金属ステム１０
９の表面に接合することにより、ＬＤチップ１０２が封
止される。

【０００７】このような半導体レーザ装置では、ＬＤチ
ップ１０２を封止する方法として金属パッケージが用い
られており、ＬＤチップ１０２が金属製のキャップ１１
０および金属ステム１０９により覆われている。従っ
て、半導体レーザ装置の内部から外部への熱伝導が高
く、ＬＤチップ１０２の放熱に関する問題点が少ない。
また、半導体レーザ装置の発光点の位置決めでは金属ス
テム１０９の裏面が基準面として用いられ、その位置決
めは、金属ステム１０９の裏面を電子機器などの筐体へ
突き当てることにより行われる。

【０００８】上述した金属パッケージの半導体レーザ装
置の問題点としては、個片の部品点数が多く、それぞれ
の部品の作製にコストがかかり、半導体レーザ装置のコ
ストも高くなることが挙げられる。金属ステム１０９お
よびキャップ１１０を作製する際にかかるコストはそれ
ぞれ、共に１個あたり数十円かかる。それぞれの部品の
コストが高いという問題点を解決するために、図５に基
づいて後述する半導体レーザ装置が考えられた。

【０００９】図５は、従来の半導体レーザ装置について
説明するための図である。図５（ａ）が、従来の半導体
レーザ装置を示す上面図であり、図５（ｂ）が、図５
（ａ）に示した半導体レーザ装置の断面図である。

【００１０】図５（ａ）および図５（ｂ）に示される半
導体レーザ装置では、リードフレーム２０１ａの一方の
端部が、ＬＤチップが搭載される板状の搭載部２０１ｄ
となっている。リードフレーム２０１ａの他方の端部は
電極リード部２０１ｇとなっている。搭載部２０１ｄの
周囲および裏面を覆うように、リードフレーム２０１ａ
に、絶縁部材である樹脂モールド２０４が形成されてい
る。樹脂モールド２０４により搭載部２０１ｄの側面
や、裏面全体が被覆されている。そして、搭載部２０１
ｄの表面や電極リード部２０１ｇが樹脂モールド２０４
から露出している。この搭載部２０１ｄの表面にヒート
シンク２０３を介してＬＤチップ２０２が搭載されてい
る。ＬＤチップ２０２で発生した熱は、ヒートシンク２
０３を介してリードフレーム２０１ａに導かれる。

【００１１】また、樹脂モールド２０４には、リードフ
レーム２０１ａの電極リード部２０１ｇと平行なリード
フレーム２０１ｂおよび２０１ｃが固定されており、リ
ードフレーム２０１ａ，２０１ｂ，２０１ｃが並列に配
置されている。リードフレーム２０１ｂのＬＤチップ２
０２側の端部は接続部２０１ｅとなっており、また、リ
ードフレーム２０１ｃのＬＤチップ２０２側の端部は接
続部２０１ｆとなっている。接続部２０１ｅおよび２０
１ｆのそれぞれの一面は、樹脂モールド２０４の、搭載
部２０１ｄの表面が露出している面と同じ面に露出して
いる。リードフレーム２０１ｂの接続部２０１ｅの露出
面は、ワイヤ２０９を介してＬＤチップ２０２と電気的
に接続されている。

【００１２】そして、樹脂モールド２０４の両側面には
それぞれ、半導体レーザ装置を電子機器の筐体などに取
り付けるために用いられる取付け金具２０８が取り付け
られている。半導体レーザ装置を筐体に取り付ける際、
取付け金具２０８を筐体などに突き当てることによりＬ
Ｄチップ２０２の発光点の位置決めが行われる。この取
付け金具２０８からも、ＬＤチップ２０２で発生した熱
が放散される。

【００１３】このような半導体レーザ装置では、ＬＤチ
ップ２０２を封止する方法としてプラスティックモール
ドパッケージが用いられており、金属パッケージと比較
して部品点数が少なく、コストが低いという利点があ
る。図４（ａ）および図４（ｂ）に示した金属ステム１
０９およびキャップ１１０を作製する際にかかるコスト
はそれぞれ、共に１個あたり数十円かかるのに対して、
プラスティックモールドパッケージでは、コストが、１
個あたり数円から十数円となる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５
（ａ）および図５（ｂ）に示される従来の半導体レーザ
装置では、搭載部２０１ｄの裏面全体が樹脂モールド２
０４で被覆されており、リードフレーム２０１ａの、Ｌ
Ｄチップ２０２で発生した熱が伝わる部分である電極リ
ード部２０１ｇが細く長い。従って、ＬＤチップ２０２
の動作が過酷になると、ＬＤチップ２０２からの熱を効
率よく逃がすことができず、ＬＤチップ２０２の温度が
上昇してしまうという問題点がある。ＬＤチップの温度
が上昇すると、ＬＤチップの寿命が短くなったり、ＬＤ
チップの発振が不可能となったりしてしまうことがあ
る。

【００１５】本発明の目的は、ＬＤチップからの熱を十
分に放出することでき、コストが低いうえに、ＬＤチッ
プの発光点の位置決めを精度よく、かつ簡単に行うこと
ができる半導体レーザ装置を提供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、レーザダイオードチップと、レーザダイ
オードチップが表面に搭載される搭載部を有するリード
フレームと、搭載部に搭載されたレーザダイオードチッ
プを封入するためにリードフレームの少なくとも一部を
被覆する絶縁部材とを有する半導体レーザ装置におい
て、リードフレームの搭載部の裏面の少なくとも一部が
前記絶縁部材から露出しており、かつ、搭載部の裏面
の、露出した部分が、レーザダイオードチップの発光点
の位置を決めるための基準となっている。

【００１７】上記の発明では、リードフレームの搭載部
の裏面の少なくとも一部が絶縁部材から露出しているこ
とにより、搭載部の裏面の、露出した部分から、レーザ
ダイオードチップで発生した熱が放散されるので、半導
体レーザ装置から効率よく熱を逃がすことができる。ま
た、搭載部の裏面の、露出した部分が、レーザダイオー
ドチップの発光点の位置を決めるための基準となってい
ることにより、例えば、半導体レーザ装置を電子機器の
筐体に取り付ける際に、搭載部の裏面の、露出した部分
を筐体の基準面に押し当てたり、画像処理の基準とした
りすることで、レーザダイオードチップの発光点を精度
よく配置させることができる。また、半導体レーザ装置
を電子機器の筐体に取り付ける際に、搭載部の裏面の、
露出した部分を筐体の金属部分などと当接させること
で、レーザダイオードチップで発生した熱を効率よく逃
すことができる。

【００１８】また、レーザダイオードチップから出射す
るレーザ光の進行方向に配置され、レーザダイオードチ
ップ側と反対側から入射してレーザダイオードチップに
向かって進むレーザ光を、レーザダイオードチップに向
かう方向とは異なる方向に反射するマイクロプリズム
と、マイクロプリズムで反射されたレーザ光が入射する
受光素子とがレーザダイオードチップと共に封入されて
いてもよい。

【００１９】さらに、リードフレームの搭載部の形状が
板状であり、搭載部と平行な方向にレーザダイオードチ
ップからレーザ光が出射するように、搭載部にレーザダ
イオードチップが搭載されていることが好ましい。

【００２０】上記のように、板状の搭載部と平行な方向
にレーザダイオードチップからレーザ光が出射するよう
に、搭載部にレーザダイオードチップが搭載されている
ことにより、前述したマイクロプリズムなどをレーザダ
イオードチップと共に封入する際、マイクロプリズムと
レーザダイオードチップとが板状の搭載部と平行な方向
に並ぶことになる。従ってこの場合、半導体レーザ装置
を薄型化することができる さらに、リードフレームが棒状の電極リード部を複数有
しており、複数の電極リード部のうち特定の数の電極リ
ード部が前記絶縁部材の一方の側面から突出し、かつ、
複数の電極部のうち、前記特定の数の電極リード部を除
く電極リード部が前記絶縁部材の他方の側面から突出し
ていてもよい。

【００２１】さらに、レーザダイオードチップで発生し
た熱をリードフレームに導くためのヒートシンクを介し
てレーザダイオードチップがリードフレームの搭載部に
搭載されていることや、前記絶縁部材の材質として樹脂
が用いられていることが好ましい。

【００２２】上記のように、レーザダイオードチップを
封入するための絶縁部材の材質として樹脂が用いられ、
レーザダイオードチップが樹脂モールドパッケージによ
り封止されることにより、従来の金属パッケージと比較
して部品点数が少なくなり、半導体レーザ装置のコスト
が低くなる。

【００２３】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。

【００２４】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施形態の半導体レーザ装置について説明するため
の図である。図１（ａ）が本実施形態の半導体レーザ装
置の上面と平行な方向での断面図であり、図１（ｂ）が
本実施形態の半導体レーザ装置の側面と平行な方向での
断面図である。

【００２５】本実施形態の半導体レーザ装置では図１
（ａ）および図１（ｂ）に示すように、リードフレーム
１ａの一方の端部が、ＬＤチップが搭載される板状の搭
載部１ｄとなっている。リードフレーム１ａの他方の端
部は、一方向に延びる電極リード部１ｇとなっている。
リードフレーム１ａの搭載部１ｄの表面には、ヒートシ
ンク３を介してＬＤチップ２が搭載されている。ＬＤチ
ップ２は、電極リード部１ｇと平行な方向にＬＤチップ
２からレーザ光が出射するように配置されている。リー
ドフレーム１ａには、ＬＤチップ２およびヒートシンク
３を封入するための樹脂モールド４が形成されている。
この樹脂モールド４によって、ＬＤチップ２の上面およ
び、ＬＤチップ２の、ＬＤチップ２から出射するレーザ
光の進行方向側を除いて、ＬＤチップ２およびヒートシ
ンク３が覆われている。

【００２６】また、樹脂モールド４によって、搭載部１
ｄの側面および、リードフレーム１ａの、搭載部１ｄと
電極リード部１ｇとの間の部分が被覆されている。搭載
部１ｄは電極リード部１ｇよりも厚くなっており、搭載
部１ｄの裏面側の部分が樹脂モールド４から突出して露
出している。搭載部１ｄの裏面の、樹脂モールド４から
露出した部分の一辺が、半導体レーザ装置を位置決めす
る際の基準７となっている。搭載部１ｄにＬＤチップ２
を搭載する際、ＬＤチップ２が基準７から、決められた
位置に精度よく配置させる。

【００２７】さらに、樹脂モールド４には、電極リード
部１ｇと平行なリードフレーム１ｂおよび１ｃがリード
フレーム１ａと共に固定されている。リードフレーム１
ｂ，１ａ，１ｃはこの順番で並列に並べられ、３つのリ
ードフレームは同一平面内に配置されている。リードフ
レーム１ｂのＬＤチップ２側の端部は接続部１ｅとなっ
ており、また、リードフレーム１ｃのＬＤチップ２側の
端部は接続部１ｆとなっている。接続部１ｅおよび１ｆ
のそれぞれの一面は、樹脂モールド４の、搭載部１ｄの
表面が露出している面と同じ面に露出している。リード
フレーム１ｂの接続部１ｅの露出面は、ワイヤ９を介し
てＬＤチップ２と電気的に接続されている。

【００２８】そして、樹脂モールド４には、ＬＤチップ
２の上面および、ＬＤチップ２の、ＬＤチップ２から出
射するレーザ光の進行方向側を覆うように透明キャップ
５が取り付けられている。これにより、ＬＤチップ２お
よびシートシンク３が半導体レーザ装置の内部に封入さ
れる。

【００２９】このような半導体レーザ装置では、ＬＤチ
ップ２からレーザ光を出射させるためにＬＤチップ２に
電流を流すことによってＬＤチップ２で熱が発生する。
ＬＤチップ２で発生した熱はヒートシンク３を通じてリ
ードフレーム１ａの搭載部１ｄに伝わり、搭載部１ｄに
伝わった熱が搭載部１ｄの裏面から半導体レーザ装置の
外部に放出される。また、半導体レーザ装置を電子機器
などに取り付ける際、電子機器の金属製の筐体に基準面
７を接触させることにより、ＬＤチップ２からの熱を半
導体レーザ装置から効率よく放出させることができる。

【００３０】半導体レーザ装置を使用する場合、レンズ
などの光学素子と組み合わせて使用することが圧倒的に
多い。この場合、光学距離を正確に決めるために、本実
施形態では前述したように、レーザ光が搭載部１ｄおよ
び電極リード部１ｇと平行な方向に出射するようにＬＤ
チップ２を配置し、リードフレーム１ａの基準７と、Ｌ
Ｄチップ２の発光点の位置との関係（基準７と発光点と
の距離）を規定して組み立てている。これにより、半導
体レーザ装置の使用時に、基準７を筐体のざぐりなどに
突き当てて半導体レーザ装置を固定すれば、発光点の位
置を規定することができる。

【００３１】以上で説明したように、本実施形態の半導
体レーザ装置では、リードフレーム１ａの搭載部１ｄの
裏面が樹脂モールド４から露出していることにより、搭
載部１ｄの裏面から、ＬＤチップ２で発生した熱が放散
されるので、半導体レーザ装置から効率よく熱を逃がす
ことができる。また、搭載部１ｄの裏面側の部分の一辺
が、ＬＤチップ２の発光点の位置を決めるための基準７
となっていることにより、半導体レーザ装置を電子機器
の筐体に取り付ける際に、基準７を筐体の基準面に押し
当てたり、画像処理の基準としたりすることで、ＬＤチ
ップ２の発光点を精度よく、かつ簡便に配置させること
ができる。また、半導体レーザ装置を電子機器の筐体に
取り付ける際に、搭載部１ｄの裏面側の部分を筐体の金
属部分などと当接させることで、ＬＤチップ２で発生し
た熱を効率よく逃すことができる。

【００３２】さらに、ＬＤチップ２を封止する方法とし
て、樹脂モールドパッケージが用いられていることによ
り、半導体レーザ装置のコストが低く抑えられる。

【００３３】（第２の実施の形態）図２は、本発明の第
２の実施形態の半導体レーザ装置について説明するため
の図である。図２（ａ）が本実施形態の半導体レーザ装
置の上面と平行な方向での断面図であり、図２（ｂ）が
本実施形態の半導体レーザ装置の側面と平行な方向での
断面図である。本実施形態の半導体レーザ装置では、第
１の実施形態のものと比較して、半導体レーザ装置の両
側からリードフレームが突出している点が異なってい
る。

【００３４】本実施形態の半導体レーザ装置では図２
（ａ）および図２（ｂ）に示すように、リードフレーム
２１ａが、ＬＤチップが搭載される板状の搭載部２１ｄ
と、搭載部２１ｄの一方の側面から突出する電極リード
部２１ｇと、搭載部２１ｄの他方の側面から突出する電
極リード部２１ｈとで構成されている。搭載部２１ｄの
厚みはリードフレーム２１ａの他の部分の厚みよりも厚
くなっている。

【００３５】リードフレーム２１ａには、リードフレー
ム２１ａに搭載されるＬＤチップを封入するための絶縁
部材である樹脂モールド２４が形成されている。リード
フレーム２１ａの一部は、樹脂モールド２４によって被
覆されているが、搭載部２１ｄの表面および裏面や、電
極リード部２１ｇおよび２１ｈは樹脂モールド２４から
露出している。搭載部２１ｄの裏面側の部分は樹脂モー
ルド２４から突出しており、突出した部分の一辺が基準
２７となっている。

【００３６】本実施形態の半導体レーザ装置を電子機器
などに組み付ける組立装置において、組立装置側の基準
面に基準２７を押し当てたり、基準２７を画像処理の基
準として使うことにより、半導体レーザ装置の組み付け
位置の精度を出すことができる。

【００３７】搭載部２１ｄの表面にはヒートシンク２３
を介してＬＤチップ２２が搭載されている。ここで、Ｌ
Ｄチップ２２の発光点の位置が基準２７から、決められ
た所定の距離に精度よく配置されるように、ＬＤチップ
２２が設置されている。

【００３８】樹脂モールド２４には、電極リード部２１
ｇと共に半導体レーザ装置の一方の側面から突出するリ
ードフレーム２１ｃと、電極リード部２１ｈと共に半導
体レーザ装置の他方の側面から突出するリードフレーム
２１ｂとが固定されている。リードフレーム２１ｂとＬ
Ｄチップ２２とはワイヤ２９を介して電気的に接続され
ている。そして、ＬＤチップ２２およびヒートシンク２
３を封入するように、樹脂モールド２４に透明キャップ
２５が取り付けられている。

【００３９】このような半導体レーザ装置を電子機器な
どの筐体に搭載する際、筐体の凹部などに基準２７を押
し当てることにより、ＬＤチップ２２の光軸の調整や、
ＬＤチップ２２の発光点の光軸方向での位置決めを行う
ことができる。

【００４０】本実施形態の半導体レーザ装置において
も、第１の実施形態と同様に、ＬＤチップ２２で発生し
た熱が搭載部２１ｄの裏面から放出されるので、ＬＤチ
ップ２２の温度上昇が抑制される。

【００４１】さらに、搭載部２１ｄの裏面の、樹脂モー
ルド４から露出した部分を筐体などと接触させることに
より、ＬＤチップ２２で発生した熱を搭載部２１ｄの裏
面から筐体に逃がすことが可能である。また、この半導
体レーザ装置のパッケージはプラスティックモールドに
よるものであるので、従来の金属製パッケージに比べコ
ストを低くすることが可能である。

【００４２】（第３の実施の形態）図３は、本発明の第
３の実施形態の半導体レーザ装置について説明するため
の図である。図３（ａ）が本実施形態の半導体レーザ装
置の上面と平行な方向での断面図であり、図３（ｂ）が
本実施形態の半導体レーザ装置の側面と平行な方向での
断面図である。本実施形態の半導体レーザ装置では、第
１および第２の実施形態のものと比較して、ＬＤチップ
と共にマイクロプリズムおよび受光素子が封入されてい
る点が大きく異なっている。

【００４３】本実施形態の半導体レーザ装置では図３
（ａ）および図３（ｂ）に示すように、リードフレーム
４１ａが、ＬＤチップが搭載される板状の搭載部４１ｄ
と、搭載４１ｄの一方の側面から突出する電極リード部
４１ｇと、搭載部４１ｄの他方の側面から突出する電極
リード部４１ｈとで構成されている。搭載部４１ｄの厚
みはリードフレーム４１ａの他の部分の厚みよりも厚く
なっている。

【００４４】リードフレーム４１ａには、リードフレー
ム４１ａに搭載されるＬＤチップ４２を封入するための
絶縁部材である樹脂モールド４４が形成されている。リ
ードフレーム４１ａの一部は、樹脂モールド４４によっ
て被覆されているが、搭載部４１ｄの表面および裏面
や、電極リード部４１ｇおよび４１ｈは樹脂モールド４
４から露出している。搭載部４１ｄの裏面側の部分は樹
脂モールド４４から突出しており、突出した部分の一辺
が基準４７となっている。

【００４５】本実施形態の半導体レーザ装置を電子機器
に組み付ける組立装置において、組立装置側の基準面に
基準４７を押し当てたり、基準４７を画像処理の基準と
して使うことにより、半導体レーザ装置の組み付け位置
の精度を出すことができる。

【００４６】搭載部４１ｄの表面にはヒートシンク４３
を介してＬＤチップ４２が搭載されている。ここで、Ｌ
Ｄチップ４２の発光点の位置が基準４７から、決められ
た所定の距離に精度よく配置されるように、ＬＤチップ
４２が設置されている。また、ＬＤチップ４２から、搭
載部４１ｄと平行な方向にレーザ光が出射するようにＬ
Ｄチップ４２が搭載されている。

【００４７】樹脂モールド４４の、搭載部４１ｄの表面
が露出している面上には、ＬＤチップ４２から出射する
レーザ光の進行方向に配置されたマイクロプリズム５２
と、マイクロプリズム５２と樹脂モールド４４との間に
挟まれるＩＣ内蔵受光素子５２とが搭載されている。マ
イクロプリズム５２は、ＬＤチップ４２側と反対側から
マイクロプリズム５３に入射してＬＤチップ４２に向か
って進むレーザ光をＩＣ内蔵受光素子５２に向けて反射
するものである。マイクロプリズム５３で反射されてＩ
Ｃ内蔵受光素子５２に入射するレーザ光はＩＣ内蔵受光
素子５２で電気信号に変換される。

【００４８】樹脂モールド４４には、電極リード部４１
ｇと共に半導体レーザ装置の一方の側面から突出するリ
ードフレーム４１ｃ，４１ｊ，４１ｌと、電極リード部
４１ｈと共に半導体レーザ装置の他方の側面から突出す
るリードフレーム４１ｂ，４１ｉ，４１ｋとが固定され
ている。リードフレーム４１ｂとＬＤチップ４２とはワ
イヤ４９を介して電気的に接続されている。そして、Ｌ
Ｄチップ４２、ヒートシンク４３、ＩＣ内蔵受光素子５
２およびマイクロプリズム５３を封入するように、樹脂
モールド４４に透明キャップ４５が取り付けられてい
る。

【００４９】本実施形態の半導体レーザ装置は、ＣＤや
ＤＶＤなどの光ディスクを再生するために用いられる。
この場合、半導体レーザ装置から出射したレーザ光を光
ディスクの記録媒体に照射し、光ディスクで反射された
反射光をＩＣ内蔵受光素子５２で受光することによって
光ディスクの信号が読み出される。

【００５０】本実施形態の半導体レーザ装置の動作とし
ては、ＬＤチップ４２から出射したレーザ光がマイクロ
プロプリズム５３および透明キャップ４５を通って光デ
ィスクに照射される。光ディスクに照射されたレーザ光
は光ディスクでＬＤチップ４２に向かう方向に反射さ
れ、反射されたレーザ光が半導体レーザ装置内に戻って
マイクロプリズム５３に入射する。マイクロプリズム５
３に入射したレーザ光はマイクロプリズム５３によって
ＩＣ内蔵受光素子５２に向けて反射され、ＩＣ内蔵受光
素子５２で電気信号に変換される。

【００５１】このように光ディスクを再生する時などに
用いられる半導体レーザ装置においても、第１および第
２の実施形態と同様に、半導体レーザ装置の位置決めを
突き当てにより行うことができる。また、放熱性が高い
半導体レーザ装置が得られる。さらに、搭載部４１ｄと
平行な方向にＬＤチップ４２からレーザ光が出射するよ
うにＬＤチップ４２が搭載されているので、マイクロプ
リズム５３とＬＤチップ４２とが搭載部４１ｄと平行な
方向に並ぶことになり、半導体レーザ装置の薄型化が可
能となる。

【００５２】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、リードフ
レームの搭載部の裏面の少なくとも一部が絶縁部材から
露出していることにより、レーザダイオードチップで発
生した熱を効率よく逃がすことができ、半導体レーザ装
置の温度上昇を抑制することができるので、レーザダイ
オードチップの特性が変化することがなく、信頼性の高
い半導体レーザ装置が得られるという効果がある。その
上、搭載部の裏面の、露出した部分が、レーザダイオー
ドチップの発光点の位置を決めるための基準となってい
ることにより、例えば、半導体レーザ装置を電子機器の
筐体に取り付ける際に、搭載部の裏面の、露出した部分
を筐体の基準面に押し当てたり、画像処理の基準とした
りすることで、レーザダイオードチップの発光点を簡単
に、かつ、精度よく配置させることができるという効果
がある。

【００５３】さらに、レーザダイオードチップを封入す
るための絶縁部材の材質として樹脂を用い、レーザダイ
オードチップが樹脂モールドパッケージにより封止され
ることにより、従来の金属パッケージと比較して部品点
数が少なくなり、半導体レーザ装置のコストが低くなる
という効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態の半導体レーザ装置に
ついて説明するための図である。

【図２】本発明の第２の実施形態の半導体レーザ装置に
ついて説明するための図である。

【図３】本発明の第３の実施形態の半導体レーザ装置に
ついて説明するための図である。

【図４】従来の技術による半導体レーザ装置について説
明するための図である。

【図５】従来の技術による半導体レーザ装置について説
明するための図である。

【符号の説明】

１ａ、１ｂ、１ｃ、２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、４１ｃ、
４１ｂ、４１ｉ、４１ｊ、４１ｋ、４１ｌ リードフ
レーム １ｄ、２１ｄ、４１ｄ 搭載部 １ｅ、１ｆ 接続部 １ｇ、２１ｇ、２１ｈ、４１ｇ、４１ｈ 電極リード
部 ２、２２、４２ ＬＤチップ ３、２３、４３ ヒートシンク ４、２４、４４ 樹脂モールド ５、２５、４５ 透明キャップ ７、２７、４７ 基準 ９、２９、４９ ワイヤ ５２ ＩＣ内蔵受光素子 ５３ マイクロプリズム

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レーザダイオードチップと、該レーザダ
   イオードチップが表面に搭載される搭載部を有するリー
   ドフレームと、前記搭載部に搭載された前記レーザダイ
   オードチップを封入するために前記リードフレームの少
   なくとも一部を被覆する絶縁部材とを有する半導体レー
   ザ装置において、 前記リードフレームの前記搭載部の裏面の少なくとも一
   部が前記絶縁部材から露出しており、かつ、前記搭載部
   の裏面の、露出した部分が、前記レーザダイオードチッ
   プの発光点の位置を決めるための基準となっていること
   を特徴とする半導体レーザ装置。
2. 【請求項２】 前記レーザダイオードチップから出射す
   るレーザ光の進行方向に配置され、前記レーザダイオー
   ドチップ側と反対側から入射して前記レーザダイオード
   チップに向かって進むレーザ光を、前記レーザダイオー
   ドチップに向かう方向とは異なる方向に反射するマイク
   ロプリズムと、該マイクロプリズムで反射されたレーザ
   光が入射する受光素子とが前記レーザダイオードチップ
   と共に封入されている請求項１項に記載の半導体レーザ
   装置。
3. 【請求項３】 前記リードフレームの前記搭載部の形状
   が板状であり、前記搭載部と平行な方向に前記レーザダ
   イオードチップからレーザ光が出射するように、前記搭
   載部に前記レーザダイオードチップが搭載されている請
   求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
4. 【請求項４】 前記リードフレームが棒状の電極リード
   部を複数有しており、複数の前記電極リード部のうち特
   定の数の電極リード部が前記絶縁部材の一方の側面から
   突出し、かつ、複数の前記電極部のうち、前記特定の数
   の電極リード部を除く電極リード部が前記絶縁部材の他
   方の側面から突出している請求項１〜３のいずれか１項
   に記載の半導体レーザ装置。
5. 【請求項５】 前記レーザダイオードチップで発生した
   熱を前記リードフレームに導くヒートシンクを介して前
   記レーザダイオードチップが前記リードフレームの前記
   搭載部に搭載されている請求項１〜４のいずれか１項に
   記載の半導体レーザ装置。
6. 【請求項６】 前記絶縁部材の材質として樹脂が用いら
   れている請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体レ
   ーザ装置。