TWI327326B - - Google Patents

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1327326 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於串聯等效電阻（ESR)低，可靠度高之 固體電解電容器及該電容器的製造方法。 【先前技術】 行動電話、個人電腦等電子機器所用之電容器，有小 型而電容大之期待。如此之電容器中，鉬固體電解電容器 φ 單位體積電容大，且性能良好，廣爲使用。通常鉬固體電 解電容器之介電體係用氧化鉅，而爲求更大電容，有使用 以電容率更高的氧化鈮爲主要成分之介電體層的電解電容 器之想法。該鈮系固體電解電容器係以一氧化鈮，鈮或以 鈮爲主要成分之合金，或一氧化鈮與，鈮或以鈮爲主要成 分之合金的混合物爲陽極，以經上述陽極之電解氧化形成 之鈮氧化物爲主要成分之層爲介電體層，以半導體爲陰極 所構成。爲得電容器之良好ESR値，有使用導電性高之有 · 機半導體作爲半導體之探討。然而，以導電性高之有機半 導體作爲固體電解電容器之陰極，將所製作之電容器構裝 於電路基板等時，有構裝時因焊料熱而電容器之漏電流（ 以下或略作LC)値大幅上升之問題。 【發明內容】 本發明提供，以導電性高之有機半導體用作鈮系固體 電解電容器之陰極’所製作之電容器構裝於電路基板時’ -5- (2) 1327326 不因構裝時之焊料熱而電容器的漏電流値大幅上升之鈮系 固體電解電容器’及使用其之電子電路以及電子機器❶ 本發明人等爲解決上述課題精心實驗，結果查明構裝 時LC之上升係因介電體層對熱之不安定性，發現其對策 係於形成介電體層時’加上修復熱所致LC的劣化之操作 二次以上即能解決，終於完成本發明。 亦即，本發明係有關於以下之固體電解電容器的製造 φ 方法，以該方法可得之固體電解電容器，使用該固體電解 電容器之電子電路及電子機器。 1.以選自一氧化鈮，鈮及以鈮爲主要成分之合金的一種， 或一氧化鈮與鈮或以鈮爲主要成分之合金的混合物爲陽極 ’以經上述陽極之電解氧化（化成）形成之鈮氧化物爲主要 成分之層爲介電體層，以於上述介電體層上形成之有機半 導體爲陰極之固體電解電容器的製造方法，其特徵爲：於 陰極之形成前使上述介電體層暴露於200至1〇〇〇 t之溫度 # 的步驟’以及介電體層之再化成步驟依序重複二次。 2·上述1之固體電解電容器的製造方法，其中上述暴露於 200至1000°C之溫度的步驟係於含水蒸氣之環境中施行。 3. 上述1或2之固體電解電容器的製造方法，其中上述暴露 於200至1 0 00 °C之溫度的步驟係於含5體積％以上之氧氣的 環境中施行。 4. 上述1至3中任一項之固體電解電容器的製造方法，其中 再化成後介電體層之漏電流値在InA/CV以下。 5·上述1之固體電解電容器的製造方法，其中有機半導體 -6- (3) 1327326 係選自苯并吡咯啉四聚物及氯醌所成之有機半導體，以四 硫基并四苯爲主要成分之有機半導體，以四氰基醌二甲院 爲主要成分之有機半導體’以於含下述一般式（1)或（2)

(式中R1至R4表氫原子’碳原子數1至6之烷基或碳原子數1 至6之院氧基’這些可相同或不同，X表氧、硫或氮原子 ，R5表僅於X係氮原子時存在之氫原子或碳原子數1至6之 烷基，R1與R2及R3與R4亦可互相結合成環狀。） 之重複單元的高分子以摻質摻雜之導電性高分子爲主要成 分之有機半導體的至少一種。 ♦ 6.上述5之固體電解電容器的製造方法，其中含一般式（1) 之重複單元的高分子係含下述一般式（3)

(3) (4) 1327326 (式中R6及R7各自獨立，表氫原子、碳原子數1至6之直鏈 或分枝飽和或不飽和烷基，或該烷基互相於任意位置結合 ’形成含二氧原子的至少一以上的5至7員環之飽和烴的環 狀構造之取代基，上述環狀構造可含或經取代之伸乙烯結 合’或可經取代之伸苯基構造。） 之構造單元作爲重複單元之高分子。 φ 7.上述5之固體電解電容器的製造方法，其中高分子係選 自聚苯胺、聚苯醚、聚苯硫醚、聚噻吩、聚呋喃、聚吡略 、聚甲基吡咯，以及這些之取代衍生物及共聚物。 8. 上述7之固體電解電容器的製造方法，其中高分子係聚 (3’ 4 -伸乙基二氧基噻吩）。 9. 上述1之固體電解電容器的製造方法’其中有機半導體 之導電率在1〇-1至1〇3西門子/公分之範圍。 10·上述1之固體電解電容器的製造方法，其中陽極係燒結 • 體或箔。 11. 上述1之固體電解電容器的製造方法，其中以鈮爲主要 成分之合金係選自鈮钽合金、鈮鉻合金以及鈮矽合金。 12. 上述1〇之固體電解電容器的製造方法，其中燒結體之 比表面積在0·2至7平方米/克。 13. 上述1之固體電解電容器的製造方法，其中於上述陽極 電•機械連接有選自鈮、部份氮化之鈮、部份氧化之鈮以 及耝之材質的導線。 】4.上述1之固體電解電容器的製造方法，其中暴露於2〇〇 -8- (5) (5)1327326 至1 000 °C之溫度的時間係10至100小時。 15. 上述1之固體電解電容器的製造方法，其中於有機半導 體層上設導電體層。 16. 經上述1至15之任一的製造方法製作之固體電解電容器 〇 17. 使用上述16之固體電解電容器的電子電路。 18. 使用上述16之固體電解電容器的電子機器。 【實施方式】 茲說明本發明之電容器的製造方法之一形態。 使用於本發明之陽極係一氧化鈮，鈮或以鈮爲主要成 分之合金，或一氧化鈮與鈮或以鈮爲主要成分之合金的混 合物。而主要成分係指50質量％以上之成分。陽極之形態 有燒結體、箔等。燒結體主要是使用將與上述陽極相同成 分之粉體或含粉體之漿體燒結的燒結體。如此之粉體係依 例如美國專利第 6387150 號、W003/050829、W003/091466 之方法及習知方法製作。 上述以鈮爲主要成分之合金，以鈮钽合金、鈮鍩合金 '鈮矽合金爲佳。用於本發明之燒結體的製造方法無特殊 限制，可例如將粉體加壓成形爲特定形狀後，於10·1至10· 5帕、1分鐘至10小時、500至2000 °C加熱而得。一般用於 本發明之燒結體的比表面積在0.2平方米/克至7平方米/克 〇 上述陽極（當陽極係燒結體時，燒結前之成形體階段 -9- (6) 1327326 或燒結後）亦可電•機械連接以較佳者爲選自鈮、部份氮 化之鈮、部份氧化之鈮、鉬之中的材質之導線。 形成於上述陽極之表面的介電體層係以鈮氧化物爲主 要成分。主要係由Nb2〇5所成，有時亦有部份Nb〇2存在。 該介電體層係經上述陽極之電解氧化（亦稱「化成」。）形 成。化成手法之一例係，將陽極浸泡於含磷酸等酸、鹽之 酸等的溶液中，於與另外製備之陰極用的Ta、鈾等之金屬 φ 板間施加電壓之習知方法爲之。 本發明則係將具有介電體之上述陽極暴露於200至 l〇〇〇°C之溫度，較佳者爲，用以防止陽極之過度氧化的環 境對策簡易之200至5 00°C之溫度，更佳者爲，可於較短時 間達成目的之230至500 °C的溫度後，使介電體層再化成， 更重複該高溫處理及再化成步驟一次以上，使上述介電體 層安定化。 暴露於該高溫之時間係1 〇秒至1 〇〇小時。暴露於高溫 • 之環境可係減壓、常壓、加壓下之任一條件。並可係在空 氣中，亦可於Ar、N2、He等氣體中爲之，較佳者爲在含0 至100體積％，60至100體積％更佳，又更佳者爲90至100體 積％之水蒸氣的環境中，或含5體積％以上之氧氣的環境中 。或水蒸氣及5體積％以上之氧氣同時或依該順序或相反 順序供給，進行上述高溫處理以使介電體層更加安定化， 或使製作之電容器於構裝後之漏電流（LC)値變爲更佳。 5體積％以上之氧氣的調製方法，其一例係氧氣以Ar 、N2、He等氣體稀釋之方法。水蒸氣的供給方法之一例 -10- (7) (7)1327326 係，由置於熱處理爐中之水槽藉熱供給水蒸氣之方法。 暴露具有介電體之上述陽極於高溫環境之最高溫度已 如上述，到達該溫度之前，可將具有介電體之上述陽極自 低溫緩緩升溫抵達最高溫度。升溫方法可任意選擇。上述 最高溫度係隨裝置特性變動，例如，有±50 °C左右之變動 亦無妨。又，於最高溫度施以人爲熱變動作溫度設定，基 本上亦無妨。 再化成之方法可係如同上述介電體層之形成方法。再 化成後之LC値（最終再化成後之LC値）隨上述陽極之種類 而異，通常以陽極（尤以燒結體者）之CV値（化成電壓與當 時陽極的電容之積）爲基準，製作成1奈安/CV以下，0.5奈 安/CV以下較佳，更佳者爲0.3奈安/CV以下之固體電解電 容器，其初期LC性能良好而較佳。再化成時間係決定在 能使上述LC値得以達成。在此，本發明中再化成後之LC 値係於再化成電壓的0.7倍之電壓測定的LC値。 高溫處理及再化成步驟之重複次數，隨所用粉之CV 値、陽極之大小、介電體層之厚度等而異，可先以預備實 驗決定。 用作本發明之陰極的有機半導體之具體例有，苯并吡 咯啉四聚物及氯醌所成之有機半導體，以四硫基并四苯爲 主要成分之有機半導體，以四氰基醌二甲烷爲主要成分之 有機半導體，以於含下述一般式（1)或（2)之重複單元的高 分子以摻質摻雜之導電性高分子爲主要成分之有機半導體 -11 -

X (8) 1327326

式（1)及（2)中R1至R4表氫原子、碳原子數1至6之烷基 或碳原子數1至6之烷氧基，這些可係相同或互異，X表氧 、硫或氮原子，R5表僅於X係氮原子時存在之氫或碳原子 數1至6之烷基，R1與R2及R3與R4亦可互相結合成環狀。 又，本發明中，含上述一般式（1)之重複單元的導電 性高分子，較佳者有含下一般式（3)之構造單元作爲重複 單元之導電性高分子。

式中R6及R7各自獨立，表氫原子、碳原子數1至6之直 鏈或分枝的飽和或不飽和烷基，或該烷基於任意位置互相 結合，形成含二氧元素之至少一以上的5至7員環之飽和烴 -12- (9) 1327326 環狀構造之取代基。又，上述環狀構造包含具有可經取代 之伸乙烯結合者，及可經取代之伸苯基構造者。 含如此之化學構造的導電性高分子使之荷電，以撞質 摻雜。摻質可用已知摻質，沒有限制。 含上述式（1)至（3)之重複單元的高分子有例如，聚苯 胺、聚苯醚、聚苯硫醚、聚噻吩、聚呋喃、聚吡咯、聚甲 基吡咯’及這些之取代衍生物、共聚物等。其中以聚吼略 、聚噻吩及這些之取代衍生物（例如聚（3，4-亞乙基二氧 基噻吩）等）爲較佳。 β 上述半導體若使用電導率在10·1至1〇3西門子/公分範 圍者，則所製作之電容器的E S R値小而較佳。 本發明之固體電解電容器，爲使與經前敍方法等形成 之由半導體層之上拉出外部之導線（例如，導線架）之電接 觸良好，亦可設導電層。 導電層可例如以導電膏之固化、鍍層、金屬蒸鍍、耐 熱性導電樹脂膜之形成等形成。導電膏以銀膏、銅膏、鋁 41 膏、碳膏、鎳膏等爲佳，這些可用一種亦可用二種以上。 使用二種以上時，可予混合亦可疊以個別層。施用導電膏 後放置於空氣中，或加熱使之固化。鍍層有鍍鎳、鍍銅、 鍍銀、鍍鋁等。蒸鍍之金屬有鋁、鎳、銅、銀等。 具體而言係例如於另一電極上依序層合以碳膏、銀膏 ，以如環氧樹脂的材料封裝，構成固體電解電容器。 如上構成之本發明的電容器，可經例如樹脂模封、樹 脂殼體、金屬外殼、樹脂之浸沾、層合膜之外包裝等外包 -13- (10) 1327326 裝，成爲各種用途之電容器產品。 依本發明製造之電容器可利用於例如，電源電路等使 用高電容之電容器的電路，這些電路可利用於個人電腦、 . 伺服器、照相機、遊戲機、DVD、AV設備、行動電話等 數位設備、各種電源等之電子機器。依本發明製造之電容 器因於構裝後漏電流之上升小，其使用可得初期故障少之 電子電路及電子機器。 φ 以下舉具體例說明本發明，惟本發明之範圍並不受限 於這些例子。 實施例1至8 : 利用鈮錠之氫脆性粉碎成之鈮一次粉（平均粒徑0.8微 米）經造粒得平均粒徑1 〇 〇微米之鈮粉（因係微粉經自然氧 化，有氧3 5000ppm存在）。其次放置於500°C之氮氣環境中 ，再放置於7〇〇°C之Ar中，成氮化量lOOOOppm之部份氮化 # 鈮粉（CV 82000/克）。該鈮粉與徑0.29毫米之鈮線一倂成形 後於1 320°C燒結，製作多數個大小4.0 x3.5 xl.7毫米（質 量0.08克）之燒結體（陽極）。繼之，於0.1質量％的磷酸水溶 液中，以80 °c、18伏特之條件化成7小時，於陽極表面形 成以氧化鈮爲主要成分之介電體層。其次以放置形成介電 體層之陽極於表1之溫度的大氣下之爐中的方法進行熱處 理後，於0.1%磷酸水溶液中，以8(TC、13伏特之條件進行 再化成。表1列有再化成時間、熱處理-再化成之次數及最 終再化成後之LC値。繼之，於溶解吡咯單體及蒽醌磺酸

-14- (11) 1327326 之水溶液中進行電解聚合，形成聚吡咯所成之半導體（陰 極）。更於陰極側依序層合碳膏、銀膏後，放置於另外製 備的外部電極：導線架之二凸部，安置陽極側之導線及陰 極側之銀膏側’前者以點焊、後者以銀膏作電•機械連接 。然後，除部份導線架以外，用環氧樹脂轉移成形，將模 封外之導線架切斷•加工，製作大小7.3 x4.3 x2.8毫米 之晶片型固體電解電容器。 實施例9 : 實施例1中，除所有熱處理係於水蒸氣中進行以外， 如同實施例1製作固體電解電容器。水蒸氣係以於熱處理 爐（內部尺寸400x400x400毫米）中放置裝水之內徑80毫米 的水皿而得。爐內之空氣以水蒸氣充分取代後進行熱處理 〇 實施例1 〇 : # 實施例1中，除所有熱處理係於充滿以氬氣稀釋之 1 5 %氧氣之爐中進行以外’如同實施例1製作固體電解電 容器。 實施例1 1 : 實施例1中，除使用（=:乂値12萬/克之鈮粉，所有熱處理 係於充滿以氬稀釋之45%氧氣的爐中進行’以及取代吼略 單體改用伸乙基二氧基噻吩單體進行電解聚合’半導體以 -15- (12) 1327326 聚伸乙基二氧基噻吩爲之以外，如同實施例1製作固體電 解電容器。 比較例1至4 : 實施例1中，除不作熱處理亦不作再化成（比較例1)， 不作熱處理，作再化成一次（比較例2)，進行熱處理但不 作再化成（比較例3)，各作一次熱處理及再化成（比較例4) 以外，如同實施例1製作固體電解電容器。 比較例5 : .實施例1中除熱處理溫度爲1 8 (TC以外，如同實施例1 製作固體電解電容器。 實施例1 2 : 實施例1中除縮短再化成時間而最終再化成LC値爲1 .1 φ 奈安/CV以外，如同實施例1製作固體電解電容器。 實施例1 3 : 實施例1中取代鈮錠改用鈮钽合金（鈮67質量％)錠予以 粉碎，得平均粒徑0.6微米之一次粉，造粒製作平均粒徑 120微米之鈮鉬合金粉（自然氧化氧3 0000ppm)。如同實施 例1，放置於氮氣環境中，成氮化量8 500ppm之部份氮化 鈮鉬合金粉（CV79000/克）。該粉連同（K40毫米徑之鈮線成 形後，於1 360 °C燒結製作多數個燒結體（形狀同實施例1。 -16- (13) 1327326 鈮線於燒結體內部以3.2毫米’外部以10毫米突出）。其次 以如同實施例1之條件進行化成•熱處理·再化成•半導 體層形成·電容器製作。 實施例1 4 : 實施例1中取代鈮錠改用鈮锆合金（鈮98質量％)錠加以 粉碎，得平均粒徑0.8微米之一次粉，造粒製作平均粒徑 160微米之鈮锆合金粉（自然氧化氧45000ppm)。其次放置 φ 溫度600 °C之氮氣環境中，更以實施例1之條件放置於Ar中 ，成氮化量18500ppm之部份氮化鈮鉻合金粉（CV85000/克） 。該粉連同徑〇 . 4 5毫米之鈮線成形後，於1 3 4 0 °C燒結製作 多數個燒結體（形狀同實施例1。鈮線於燒結體內部以3.2 毫米，外部以10毫米突出）。其次除熱理時之氧量改爲30% 以外，以如同實施例1 0之條件進行化成•熱處理·再化成 •半導體層形成·電容器製作。 實施例1 5 : # 實施例1中取代鈮錠改用鈮矽合金（鈮96質量％)錠加以 粉碎，得平均粒徑0.7微米之一次粉，造粒製作平均粒徑 90微米之鈮矽合金粉（自然氧化氧40 OOppm)。本實施例中 不作氮環境中之放置（CV130000/克）。該粉連同〇.40毫米 徑之鈮線成形後，於130(TC燒結製作多數個燒結體（形狀 同實施例1。鈮線於燒結體內部以3.2毫米，外部以10毫米 -突出）。其次以如同實施例9之條件進行化成·熱處理·再 化成•半導體層形成.電容器製作。 -17- (14) 1327326 實施例1至15及比較例1至5中製作之固體電解電容器 的初期性能及構裝後之LC値（4伏特）列於表2。構裝條件係 以將上述固體電解電容器以焊膏附著於電路基板，通過具 有最高溫度260°C(230°C ’ 30秒）之溫度曲線的迴焊爐三次 之方法爲之。構裝後之LC値’係通過迴焊爐後30分鐘以 內之値。構裝後1〇〇千赫之ESR値全在40毫歐姆以下。各 例係n = 30之平均。 1327326 熱處理 溫度時間 (°C )(分鐘） 再化成 時間 (分鐘） 總次數 (次） 最終再化成後 LC/CV (ηΑ/ μ F V) 1 250 10 10 40 0.13 2 250 100 10 40 0.18 3 290 10 10 30 0.12 4 290 100 10 30 0.17 實 5 290 10 50 3 0 0.09 6 3 80 10 10 15 0.20 施 7 500 10 100 10 0.5 1 8 2 10 10 10 55 0.23 例 9 25 0 10 10 40 0.12 10 250 10 10 40 0.10 11 250 10 10 40 0.24 12 250 10 10 40 1.10 13 250 10 10 40 0.09 14 250 10 10 40 0.12 15 250 10 10 40 0.33 1 0 1.12 比 2 10 0 0.14 較 3 250 10 0 1.6 1 例 4 250 10 10 1 0.40 5 180 10 10 40 0.16 -19- (16)1327326

表2 產品初期値 容量（M F) LC( μ A) 構裝後 LC( μ A) LC變化率 構裝後LC/初期LC 1 328 17 43 2.5 2 330 2 1 53 2.5 3 325 15 4 1 2.7 實 4 320 20 55 2.8 5 326 13 40 3 . 1 施 6 3 18 16 58 3.6 7 307 15 7 1 4.7 例 8 333 19 57 3.0 9 320 17 34 2.0 10 32 1 16 36 2.3 11 466 26 66 2.5 12 3 19 84 148 1.8 13 320 8 13 1.6 14 340 16 3 1 1.9 15 550 27 68 2.5 1 323 128 123 1 9.6 比 2 330 19 287 15.1 較 3 322 2 15 1634 7.6 例 4 334 15 186 12.4 5 328 28 179 6.4 -20- (17) (17)1327326 比較實施例1至8及比較例1至4之結果知，形成介電體 層之陽極經進行熱處理後之再化成步驟二次以上，構 LC値仍良好。又，比較實施例1至8及比較例5之結果貝ij , 因熱處理溫度在200°C以上，構裝後之LC値良好。更比較 實施例1至8及實施例12之結果知，使再化成後之LC/CV値 在1奈安以下而製作之固體電解電容器之產品初期的LC値 良好，構裝後之LC値亦良好。 產業上之利用可能性 利用包含，在有機半導體所成之陰極的形成前使介電 體層暴露於200至1000°C之溫度後，再化成步驟經重複二 次以上之步驟的本發明之製造方法，可得構裝後漏電流 (LC)値良好之固體電解電容器。

Claims (1)

1327326 (18) 拾、申請專利範圍 1.一種固體電解電容器的製造方法，其係以選自一氧 化鈮、銅及以鈮爲主要成分之合金的一種，或一氧化銀與 鈮或以鈮爲主要成分之合金的混合物爲陽極，以經上述陽 極之電解氧化（化成）形成之鈮氧化物爲主要成分之層爲介 電體層’以形成於上述介電體層上之有機半導體爲陰極的 固體電解電容器的製造方法，其特徵爲：於上述陰極之形 鲁成前使上述介電體層暴露於200至1000。(：之溫度的步驟， 及介電體層的再化成步驟依序重複二次以上。 2·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器的製造方 法’其中上述暴露於200至1000 °c之溫度的步驟係於含水 蒸氣之環境中進行。 3_如申請專利範圍第1或2項之固體電解電容器的製造 方法，其中上述暴露於200至1〇〇〇 °C之溫度的步驟係於含5 體積％以上之氧氣的環境中進行。 # 4.如申請專利範圍第1至3項中任一項之固體電解電容 器的製作方法’其中再化成後的介電體層之漏電流値在 InA/CV以下。 5.如申請專利範圍第1項之固體電容器的製造方法， 其中有機半導體係選自苯并吼略啉四聚物及氯醒所成之有 機半導體’以四硫基并四苯（tetrathiotetracene)爲主要成 分之有機半導體，以四氰基醌二甲烷 (tetracyanoquinodimethane)爲主要成分之有機半導體，以 及主要成分係於含下述一般式（1)或（2) X- (19) 1327326

(式中，R1至R4表氫原子，碳原子數1至6之院基或碳原子 數1至6之烷氧基，這些可係相同或互異’ X表氧、硫或氮 原子，R5表僅於X係氮原子時存在之氫或碳原子數1至6之 烷基，R1與R2及R3與R4亦可互相結合成環狀） 之重複單元的高分子以摻質摻雜的導電性高分子之有機半 導體的至少一種。 6.如申請專利範圍第5項之固體電解電容器的製造方 法，其中含一般式（1)之重複單元的高分子係，含下述一 般式（3)

(式中，R6及R7各自獨立，表氫原子、碳原子數1至6之直 -23- (20) 1327326 鏈或分枝飽和或不飽和烷基，或該烷基互相於任意位置結 合’形成含一氧原子之至少一以上的5至7員環的飽和烴環 狀構造之取代基’上述環狀構造亦可含可經取代之伸乙稀 結合，或可經取代之伸苯基構造） 之構造單元作爲重複單元的高分子。 7. 如申請專利範圍第5項之固體電解電容器的製造方 法，其中高分子係選自聚苯胺、聚苯醚、聚苯硫醚、聚噻 φ 吩、聚呋喃、聚吡咯、聚甲基吡咯，以及這些之取代衍生 物及共聚物。 8. 如申請專利範圍第7項之固體電解電容器的製造方 法，其中局分子係聚（3，4·亞乙基二氧基噻吩）。 9. 如申請專利範圍第1項之固體電解電容器的製造方 法，其中有機半導體之導電率在10·1至103S/cm之範圍。 10. 如申請專利範圍第1項之固體電解電容器的製造方 法，其中陽極係燒結體或箔。 # 11.如申請專利範圍第1項之固體電解電容器的製造方 法，其中以鈮爲主要成分之合金係選自鈮钽合金、鈮锆合 金以鈮矽合金。 12. 如申請專利範圍第10項之固體電解電容器的製造 方法，其中燒結體之比表面積在0.2至7平方米/克。 13. 如申請專利範圍第1項之固體電解電容器的製造方 法，其中於上述陽極有選自鈮、部份氮化之鈮、部份氧化 之鈮以及鉬之材質的導線之電•機械連接。 14. 如申請專利範圍第1項之固體電解電容器的製造方 -24- (21) (21)1327326 法，其中暴露於200至1 000°c之溫度的時間係10秒至100小 時。 15. 如申請專利範圍第1項之固體電解電容器的製造方 法，其中於有機半導體層上設有導電體層。 16. —種固體電解電容器，其特徵爲：以如申請專利 範圍第1至15項中任一項之製造方法製作。 17. —種電子電路，其特徵爲：使用如申請專利範圍 第16項之固體電解電容器。 18. —種電子機器，其特徵爲：使用如申請專利範圍 第16項之固體電解電容器。 -25-