TWI323913B - Two-fluid jet module for cleaning substrate and cleaning device using thereof - Google Patents

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TWI323913B
TWI323913B TW095133094A TW95133094A TWI323913B TW I323913 B TWI323913 B TW I323913B TW 095133094 A TW095133094 A TW 095133094A TW 95133094 A TW95133094 A TW 95133094A TW I323913 B TWI323913 B TW I323913B
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Description

九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於用於清洗基材之二流體噴射模組及使用該 模.,且之基材,月洗裝置,尤其係關於將兩種流體進行混合並 擴散而喷射至基材表面的用☆清洗基材之二流體喷射模組 及使用該模組之基材清洗裝置。 【先前技術】
通常’半導體裝置錢㈣置藉由使科導體晶圓或平 板顯示器(FPD : flat panel display),經由蒸鍍製程、蝕刻 製程 '光刻製程、離子注入製程等多種製造製程而製造。 在此等製造製程中表面處理製程係使用清洗液、蝕刻液 或顯影液等處理液處理基材表面,以對基材進行清洗 (cleamng)、# 刻(etching)、顯影㈣或去膜 (stripping)的製程。
亦即’該等表面處理製程藉由該等處職處理由傳送帶 —Μ。⑽移送方法以-定速度沿水平方向進行移送之 基材的上表面、下表面或上下兩面而對基材進行清洗、蝕 刻、顯影或去膜。 。此外,在基材經受包括該等表面處理製程之各種製造裳 力程甲其表面會党顆粒及污染物污染而需清除,為 …分製造製程之前/後進行該等清洗製程。 如此,清決製程係用於清潔基材表面之製輕。 :為:例’清洗製程由藥液處理製程、沖洗製程及乾燥 成’尤其^處理製程為清除基材表面之顆粒及污 U3758.doc 木物,在基材表面上使用去離子水(deionized water)或化 學藥品(chemical)等清洗液。 且清洗製程中曾公開具有用於清洗基材之二流體噴射模 、、且(下面商稱二流體喷射模組)之基材清洗裝置,該二流體 噴射模組為清除顆粒及污染物而使用清洗液處理基材,並 為提咼清洗能力而在清洗液中混合乾燥空氣(clean
Au)形成二流體’隨後將所生成之二流體擴散以泡沫 (bubble)形態衝擊基材表面。 圖1為現有的二流體噴射模組之示意圖,圖2為將圖1中 展不的二流體噴射模組沿A_A,線截取之剖面圖。 如圖1及圖2所示,現有的二流體喷射模組在主體1〇内部 之混合空間11分別設有供應乾燥空氣及去離子水的供應管 30、40,乾燥空氣及去離子水分別供應至該混合空間11進 行混合而生成二流體。 如此,在主體10内部之混合空間]^生成的二流體將沿在 主體10之一端朝向基材之寬度方向設置的多個喷嘴尖端汕 擴散,以泡沫形態喷射至基材表面。 對於此種二流體喷射模組而言,尤其重要的係生成細微 而均之--流體以提高清洗基材之效率,並將所生成之— 流體均一地噴射至基材表面。 但現有的二流體噴射模組採用分別供應清洗液及乾燥空 氣之後在主體内部簡單進行混合之方式,因此各二流體之 液滴大小互不均一,導致清洗效率降低。 尤其,現有的二流體噴射模組由於各二流體液滴之大 H3758.doc 未%充分變為微粒,因此難以在精細的清洗製程中使用β 【發明内容】 本發明係為解決如上所述之問題而提出的,其目的在於 提供種以超微粒狀態均一地生成二流體並進行噴射的用 於β洗基材之二流體喷射模組及使用該模組之基材清洗裝 置。 為實現上述目的根據本發明所提供的用於清洗基材之二 流體噴射模組包含:主體内部的用於接收乾燥空氣之第一 接收。卩’該主體内部的用於接收清洗液之第二接收部;喷 射通道’該噴射通道一端與該第一接收部連通,另一端暴 露在該主體外部,而側方具有流入該第二接收部之清洗液 的混入口。 其中’該噴射通道在其兩側形成相互偏心而設置的該混 入口’使清洗液可與乾燥空氣形成渦流的同時流入至該噴 射通道中。 且根據本發明所提供的基材清洗裝置包含:用於移送基 材之移送部;設置於被移送之基材的上側、下側或上下兩 側之該二流體噴射模組;向該二流體喷射模組供應清洗液 之清洗液供應部;向該二流體噴射模組供應乾燥空氣之氣 體供應部。 【實施方式】 以下’參照附圖詳細說明本發明之較佳實施例。 <實施例1> 圖3為本發明所提供的用於清洗基材之二流體喷射模組 113758.doc 之第-實施例的示意圖’圖4為將圖3中展示之用於清洗基 材之二流體噴射模組沿B — B,線截取之剖面圖。 如圖3及圖4所不,根據本發明所提供的用於清洗基材之 二流體喷射模組之第-實施例中,二流體噴射模組包含: 接收乾燥空氣的第一接收部11〇;接收清洗液的第二接收 部120,噴射通道13〇,該喷射通道13〇一端與該第一接收 部110連通,另一端與喷嘴尖端14〇結合,而側方具有與該 第二接收部120連通的混入口 1;H。 尤其’該第一接收部11〇、該第二接收部12〇、該喷射通 道130及該混入口 131藉由在同一主體ι〇〇内進行孔加工而 形成。 具體而言’第一接收部11〇藉由自主體1〇0之上表面朝底 面以預定深度進行孔加工而形成,喷射通道13〇藉由自第 一接收部110之底端朝該主體1〇〇之底面進行孔加工而形 成’第二接收部120藉由自主體1〇〇外側面朝喷射通道130 之側方以預定深度進行孔加工而形成,混入口 13 1藉由自 第二接收部120之端部進行孔加工而形成,以接通喷射通 道 130。 亦即,由於第一接收部110及喷射通道130之直徑沿加工 方向變小,因此易於進行孔加工;同樣,第二接收部120 及混入口 1 3 1之直徑亦沿加工方向變小,因此易於進行孔 加工0 如上所述之根據本發明所提供的用於清洗基材之二流體 噴射模組之第一實施例中,供應乾燥空氣的第一供應管 113758.doc 150連接於第一接收部110,供應清洗液的第二供應管ι6〇 連接於該第二接收部120。 因此,供應至第一接收部11〇之乾燥空氣沿噴射通道13〇 朝垂直下方流動,而供應至第二接收部12〇之清洗液根據 文丘裏(ventud)效應經由混入口 i 3丨高速流入至噴射通道 130 中。 高速流入至喷射通道13〇之清洗液與噴射通道13〇内部之 乾燥空氣高速衝突而進行混合,因此與現有的簡單混合方 式相比生成更為細微且均一之二流體薄霧。 如此混合而生成之二流體沿喷射通道丨3 〇移動的同時被 擴散而生成更為細微之薄霧,最後經由噴射通道丨3 〇端部 之噴嘴尖端140喷射至基材上。 且在喷射通道130内混合而生成並進行擴散的二流體根 據噴射通道130端部之喷嘴尖端14〇之形狀以特定的液滴形 癌嘴射至基材表面。 綜上所述,根據本發明所提供的二流體噴射模組之第— 實施例,根據文丘裏效應使乾燥空氣及清洗液形成均一之 二流體薄霧,並藉由機械加工在同一主體1〇〇内部形成各 接收部110、120及噴射通道130以及混入口 131,因而提高 製作之簡便性。 <實施例2> 圖5為本發明所提供的用於清洗基材之二流體喷射模多且 之第二實施例的示意圖,圖6為將圖5中展示的用於清洗基 材之一流體'^射模組沿C - C ’線截取之剖面圖,圖7為將圖$ 113758.doc 中展不的用於清洗基材之二流體喷射模組沿DD,線截取之 °J面圖。在此’與先前的附圖相同之附圖標記表示具有相 同功能之部件。 如圖5至圖7所示,根據本發明所提供的用於清洗基材之 一 μ體喷射模組之第二實施例中,二流體噴射模組包含: 接收乾燥空氣的第一接收部110 ;接收清洗液的第二接收 部120,喷射通道130 ’該噴射通道130—端與該第一接收 部11 0連通’另一端與噴嘴尖端14〇結合,而侧方具有與該 第二接收部120連通的混入口 13 1 ;尤其,該第二接收部 120在主體1 〇〇之外側面形成為相互對稱的一對而該等混 入口 131、132如圖7所示,形成於噴射通道13〇之兩側並相 互偏心而設置。 因此,供應至第一接收部110之乾燥空氣沿噴射通道〗3〇 朝垂直下方流動’而供應至第二接收部12〇之清洗液根據 文丘裏效應經由混入口 1 3 1、1 3 2高速流入至噴射通道1 3 〇 中。 高速流入至喷射通道130之清洗液與噴射通道υο内部之 乾燥空氣形成旋回狀的渦流,且與乾燥空氣高速衝突,因 此不僅可更加細微地進行擴散,且生成更為均—之二流體 薄霧。 如此混合而生成之二流體沿喷射通道13〇流動的同時再 次被擴散而經由喷射通道13〇端部之喷嘴尖端14〇喷射至基 材上。 如上所述,根據本發明所提供的二流體喷射模組之第二 II3758.doc 實施例,由於具有文丘裏結構及偏心設置的混入口 131、 132 ’從而使乾燥$氣及清洗液在喷射通道13〇中的流動性 大幅增加。 因此,根據本發明所提供的二流體喷射模組之第二實施 例,由於使清洗液流入至噴射通道13〇,因此乾燥空氣及 清洗液形成渦流,同時清洗液與乾燥空氣高速衝突而形成 均一的超微粒狀態之二流體薄霧。 <實施例3> 圖8為本發明所提供的用於清洗基材之二流體噴射模組 之第三實施例的示意圖,圓9為將圖8中展示的用於清洗基 材之二流體噴射模組沿E-E,線截取之剖面圖,圖1〇為將圖 8中展示的用於清洗基材之二流體噴射模組沿F F,線截取之 剖面圖。在此,與先前的附圖相同之附圖標記表示具有相 同功能之部件》 如圖8至圖10所示,根據本發明所提供的用於清洗基材 之二流體噴射模組之第三實施例中,二流體喷射模組包 含:接收乾燥空氣的第一接收部21 〇 ;接收清洗液的第二 接收部310 ;噴射通道330,該噴射通道330 一端與該第一 接收部210連通’另一端與噴嘴尖端340結合,而側方具有 與該第二接收部310連通的混入口 33 1、332。 尤其’該第一接收部210及該第二接收部31〇分別形成於 互不相同之主體200 ' 300内部,設置為上下結構。 如上所述之根據本發明所提供的用於清洗基材之二流體 1射模組之第二貫施例中’形成第一接收部2 1 〇之第一主 U3758.doc -12- 1323913 體2〇0上連接用於供應乾燥空氣的第-供應管22G、形成第 -接收部3 1 0之第二主體3 〇 〇上連接用於供應清洗液的第二 供應管320。 另外,該<實施例2>中分別言曼置形成於主體_兩側的第 一接收部120及向各第二接收部12〇供應清洗液的第二供應 管160 ’而該第三實施例中只在第二主體3〇〇之一側連接第 二供應管320,但亦能向該等混入口 331、出分別供應清 洗液。 因此,供應至第一接收部210之乾燥空氣沿喷射通道33〇 朝垂直下方流動,而供應至第二接收部32〇之清洗液根據 文丘裏效應經由混入口 331、332高速流入至噴射通道33〇 中。 高速流入至喷射通道330之清洗液與喷射通道33〇内部之 乾燥空氣形成旋回狀的渦流,且與乾燥空氣高速衝突,因 此不僅可更為細微地進行擴散,且生成更為均一之二流體 薄霧。 如此混合而生成之二流體沿喷射通道3 3 〇流動的同時再 次被擴散而經由噴射通道330端部之噴嘴尖端34〇噴射至基 材上。 如上所述,根據本發明所提供的二流體噴射模組之第三 實施例,不僅生成均一的超微粒狀態之二流體薄霧,且由 於具有形成第二接收部320之第二主體3〇〇,因而即使只在 第二主體300之一側連接第二供應管32〇,亦能向用於^成 渦流的混入口 33 1、332分別供應清洗液,因此使設備變得 113758.doc 13 1323913 簡單。 <實施例4> 圖Π為使用本發明所提供的用於清洗基材之二流體噴射 模組之基材清洗裝置的一實施例的剖面圖。在此,與先前 的附圖相同之附圖標記表示具有相同功能之部件。 如圖11所示,使用根據本發明所提供的用於清洗基材之 二流體噴射模組之基材清洗裝置的一實施例包含:用於移 送基材S之移送部400 ;設置於被移送之基材s之上側、下 側或上下兩侧的該 <實施例1>至 <實施例3>中之任意一個二 流體喷射杈組500 ;向該二流體噴射模組5〇〇供應清洗液的 清洗液供應部600 ;向該二流體喷射模組5〇〇供應乾燥空氣 的氣體供應部700。 在此,雖然舉出該二流體喷射模組5〇〇採用該〈實施例 之二流體噴射模組5〇〇之實例,但亦可採用該 <實施例1:>或 該<實施例3>之用於清洗基材之二流體喷射模組。 综上所述,雖㈣由附圖以特定的較佳實施例為實例說 明了本發明’但本發明並不限定於上述實施例,在不偏離 本發明思想之範疇内本發明熟習此項技術者可進行各種變 更及修改。 如上所述,由於本發明向基材表面喷射均一併形成為超 微粒狀態之二流體薄霧’因此不僅大幅度提高基材之清洗 效率,且可進行精細的清洗過程。 且由於本發明藉由各種方式以最簡單之結構進行製造, 因此易於製造及維護。 、
c S 113758.doc -14 · 1323913 【圖式簡單說明】 圖1為現有的用於清洗基材之二流體噴射模組之示意 圖; 圖2為將圖1中展示之二流體喷射模組沿A-A'線截取之剖 面圖; 圖3為本發明所提供的用於清洗基材之二流體噴射模組 之第一實施例的示意圖; 圖4為將圖3中展示之用於清洗基材之二流體喷射模組沿 B-B'線截取之剖面圖; 圖5為本發明所提供的用於清洗基材之二流體喷射模組 之第二實施例的示意圖; 圖6為將圖5中展示之用於清洗基材之二流體噴射模組沿 C-C'線截取之剖面圖; 圖7為將圖5中展示之用於清洗基材之二流體喷射模組沿 D-D'線截取之剖面圖; 圖8為本發明所提供的用於清洗基材之二流體喷射模組 之第三實施例的示意圖; 圖9為將圖8中展示之用於清洗基材之二流體喷射模組沿 E-E'線截取之剖面圖; 圖10為將圖8中展示之用於清洗基材之二流體噴射模組 沿F-F'線截取之剖面圖; 圖11為使用本發明所提供的用於清洗基材之二流體噴射 模組之基材清洗裝置一實施例的剖面圖。 【主要元件符號說明】 I13758.doc -15· 1323913
10 主體 11 混合空間 20 噴嘴尖端 30 供應管 40 供應管 100 主體 110 第一接收部 120 第二接收部 130 噴射通道 13 1 混入口 132 混入口 140 喷嘴尖端 150 第一供應管 160 第二供應管 200 第一主體 210 第一接收部 220 第一供應管 300 第二主體 310 第二接收部 320 第二供應管 330 喷射通道 331 混入口 332 混入口 340 噴嘴尖端 113758.doc -16- 1323913
400 移送部 500 二流體噴射模組 600 清洗液供應部 700 氣體供應 -· ΛΓ. ·· I13758.doc -17-

Claims (1)

1323913 曰修(更)正本 組’其特徵在於包 第095133094號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(98年10月) 十、申請專利範圍: 一種用於清洗基材之二流體噴射模 含: 空 形成於主體内部之多個第一接收部,用於接收乾燥 氣; 形成於該主體内部之多個第二接收部,用於接收清洗 液; 該多個第一接收部及該多個第二接收部相互對應地形 成; 噴射通道,該喷射通道一端與該第一接收部連通,另 一端暴露在該主體外部’而側方具有流入該第二接收部 之清洗液的混入口; 該喷射通道的兩側相互偏心地形成一對混入口,使流 入的清洗液與乾燥空氣形成渦流。 2. 如請求項1之用於清洗基材之二流體喷射模組,其特徵 在於該主體包含形成該第一接收部之第一主體及形成該 第二接收部及該喷射通道之第二主體。 3. 如請求項1或2之用於清洗基材之二流體噴射模組,其特 徵在於該喷射通道之另一端設置喷嘴尖端。 4. 一種基材清洗裝置,其特徵在於包含: 用於移送基材之移送部; 設置於被移送之基材的上側、下側或上下兩側之如請 求項1或2之二流體喷射模組; 向該二流體噴射模組供應清洗液之清洗液供應部; 向該二流體噴射模組供應乾燥空氣之氣體供應部。 113758-981022.doc ,.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101617347B1 (ko) * 2014-12-16 2016-05-02 주식회사 케이씨텍 블록형 버블젯 세정 노즐
US9810676B2 (en) * 2015-01-12 2017-11-07 Ecolab Usa Inc. Apparatus for, system for and methods of maintaining sensor accuracy
CN112775096B (zh) * 2019-11-11 2022-04-05 安徽汇久管业有限公司 一种不锈钢管件用超声波清洗设备

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003145064A (ja) * 2001-11-12 2003-05-20 Tokyo Electron Ltd 2流体ジェットノズル及び基板洗浄装置
JP2004344689A (ja) * 2003-05-19 2004-12-09 Ikeuchi:Kk 2流体ノズル
JP4464850B2 (ja) * 2004-03-09 2010-05-19 株式会社ルネサステクノロジ 基板洗浄用2流体ノズル及び基板洗浄装置

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