TWI301157B - - Google Patents

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TWI301157B
TWI301157B TW093102621A TW93102621A TWI301157B TW I301157 B TWI301157 B TW I301157B TW 093102621 A TW093102621 A TW 093102621A TW 93102621 A TW93102621 A TW 93102621A TW I301157 B TWI301157 B TW I301157B
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Description

1301157 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種光資訊記錄媒體用薄膜中具有非晶 質安定性、以濺鍍方式形成薄膜之際可採行直流（Dc)濺鍍 、濺鍍時不易發生電弧、可減少因電弧所造成之粒子（粉 塵）與結球、高密度且品質變動少並可提升量產性之濺鍍 靶及其製造方法以及光資訊記錄媒體用薄膜（特別是做為 保護膜使用者）及其製造方法。 【先前技術】 近年來，&須磁頭即可進行覆寫之高密度光資訊記錦 媒，之高密度記錄光碟技術被開發，迅速地被商品化。特 別是’ CD-RW做為可覆寫之CD自1977年問世以來，目前 已儼然成為最普及之相變化光碟。此㈣ 1000 呤；fc 士 ^ ^ I人左右。又’做為卿用之議_RW也已開發出而被 。。口化，此碟片之層結構基本上與C卜肫 數為1〇〇〇，_次左右。 /、覆寫-人 以下簡單地說明使用相變化型光碟之記錄原理。相變 垔光碟，係利用雷射光照射基板上之呓## A 升溫，該記錄薄膜之結構會發…:1錄之二使其加熱 質-結晶)來進行資訊二::…上之相變化(非晶 相間之光^叙 更具體而言係對於該 行資訊之：成之反射率的變化做檢測來進 -左右之雷射光用直徑縮窄至數百，數 此時，例如Φ 田之雷射光束以1〇m/s之線速度通過 1301157 時，光照射於光碟之某個點的時間為l〇〇ns，必 間内進行上述相變化與反射率之檢測。 、* 又，為了實現上述結晶學上之相變化、亦即實現 質與結晶之相變化，不僅是記錄層、即使是周邊 : 保護層與1呂合金之反射膜也會不斷地被加熱與急速冷卻 化来ΐ:以上情況，於CD_RW或是卿—RW等所使用之相變 化光碟係以硫化辞—石夕氧化物（ZnS. Μ)系之 體之保護層來挾持Ag—In—Sb—Te系或是Ge—I :::錄:膜:之兩側’進而設置…金反射膜，成為： 二…之:力了”可記錄之次數’可視情況於記憶體 續興保5隻層之間加入界面層。 其中’反射層與保護層除了需 質部與結晶部之反射率差的光學抑以夕力:己錄層之非晶 膜夕磁、思以 力外，也需要記錄薄 停件㈣ 防止熱變形之功能、甚至是記錄之際之敎 !；能（參見料「光學」26卷1號9〜15頁）/、、 带成ΙΓ述般，高炫點介電體保護層可承受升溫與冷卻所 他部位=度 必須者。此意味著介電體伴二射革且不變質之強勃度為 有’丨电體保蠖層扮演重要的角色。 法係保護層通常係㈣濺鍍法來形成。此濺鑛 古係以下述原理來進行。 又 之基板與乾相對向，在惰性氣體””極與負極所構成 乾之間施加高㈣產生電對該等基板與 氣體衝撞而形成„ ^騎電離之電子會與惰性 此電漿中之陽離子會衝撞於靶（負 1301157 極）表面將乾構成原子鼓出，此飛出的原子乃附著於對向 之基板表面形成薄膜。 以彺，於覆寫型光資訊記錄媒體之保護層一般所使用 ZnS Si〇2 ’在光學特性、熱特性、與記錄層之密合性等 二有叙異特性，故被廣泛使用。此外，使用此種 等之陶瓷濺鍍靶以往可形成數百〜數千A程度之薄膜。2 但是，該等材料由於靶之體（bulk)電阻值高，所以無 法利，直錢錢裝置來形成薄膜，通常是使用高頻賤錢 (RF)裝置。但是，此高頻濺鍍（RF)裝置價格昂貴，濺鍍效 率差’電力消耗量A ’控制複雜，成膜速度也慢，是其缺 點所在。 八、 又，為了提昇成膜速度，在施加高電力的情況下，基 板溫度會上升，會發生聚碳酸酯製基板之變形之問題。2 ，ZnS—Si〇2由於膜厚故產率低、成本增加亦為問題。 覆寫型DVD在雷射波長之短波長化、甚至是次數 之增加、大容量化、高速記錄化被殷切期望，但上述 ZnS—Si〇2材料尚有其他問題。 亦即，光資訊記錄媒體之覆寫次數會惡化之原因之一 乃挾持於ZnS—Si02中之記錄層材在反覆受到加熱、冷 卻之際，於記錄層與保護層之間發生間隙。此乃引發反射 率等之惡化的主要原因。 為了提昇其間之密合十生，雖於記錄層與保護層之間設 置以氮化物或碳化物為主成分之中間層，但積層數之增加 卻成為產率低以及成本增加之問題。 1301157 -墟決上述問題，乃考慮使用相較於zns—叫更 呆女，之非質性來提昇與記錄層之密合性的做法。 飛蓉 Ί同系化合物（參見技術雜諸「固體物理」李春 ΓκΜ ΓΓ，ν〇1* 35>Ν°·12〇〇^^32Ιγ,,^ 子顯錢觀察」）之特徵為，呈現複 二呈Γ:成膜時之非晶質性可安定保持；又於使用波長 ”=明’所以擁有折射率接近Zns—咖2之特性。 性，=::/系之同系化合物添加到Zns，可提升非晶質 ^精由排除絕緣材之S102,可期待賤鍍特性之安定 記錄媒體之特性改善以及生產性提昇。 性材二用=同二::二為主成分之材料當作透明導電 電性與藍光開20曰0Π19號公報），含有在導 之例（泉目姓 、炎之非曰日貝性氧化物的透明導電體膜 、為/n(uzl_~44236號公報），以In與&為主成分 子比為 2/2 = 〜20)、且 In # Zn(ln/(ln+zn))之原 咖05號公報8)5。之耐濕性膜形成用輕之例（參見例特許第 記錄t用，用以形成上述透明導電膜之材料未必在光資訊 ’、另二賴(特別是做為保護膜使用)上是恰當的。 複合體乾方加有Zn0系同系化合物之與Zns所成之 ，此為問題所難以提昇’僅能得到低密度之燒結餘 乂月(『日H侧正替換^換頁 L301 錄第9310262H虎(95年12月修正） 此種低密度乾，利用濺鍍形成 ，該電弧會造成賤鑛時發生粒子(粉塵)…易弧 成膜之均勻性與品質降低，且生產性也差二= 【發明内容】 馮問題所在。 本發明之目的在於獲得：以濺 少對基板加熱等之影響，可進行高速成膜，可：:膜： 並可減少濺鍍時所發生之粒子(粉塵)與結球，可減 < 的變動、提昇量產性，且晶粒微細屬高密度:甘 製造方法，以及特別可適用 ，1八 薄膜及其製造方法。 “心錄媒體用 得到述課題，本發明者不斷努力研究的結果， 見解1採用卩Zns等之硫屬化辞與ζηο為主成 1性耸則可活用光學特性、熱特性、與記錄層之密 優=性，藉由保有導電性而可進行dc濺鑛’ ==,、度可維持做為保護膜之特性，再者可減錢 鍍時所發生之粒子與結球，膜厚之㈣性也可獲得提昇。 本發明基於此見解，乃提供： 1. -種㈣，其特徵在於，含有以氧化辞為主成分 :化合物以及硫屬化鋅’該以氧化鋅為主成分之化合物係 二足 AxByO(Ka雇)/2(Zn0)m，〇<χ<2，γ = 2_χ，i “（A，B 分別 為3價以上之陽性元素，價數分別為“、Kb)。 2. -種濺鍍靶’其特徵在於，含有以氧化辞為主成分 之化合物以及硫屬化辞，且相對密度9〇%以上、體電阻值 Ο.ΙΩμ以下；該以氧化鋅為主成分之化合物係滿足 AXM(Ka_)/2(ZnO)m’ 〇<Χ<2’ Υ = 2_χ’ hm(A，B 分別為 3 10 1301157
=y〇(KaX刪）/2(Zn〇)m，G〈x<2，YiX，Mmu，B貝以上之陽性元素，價數分別4 Ka、Kb)。3.如上述丨或2記載，其巾，所人 為主成分之化合物係滿足2^m。 B 分別為3 以氧化鋅 4.如上述M2記载之濺鍍乾，其中，Α為鋼。 、5.如上述1或2記載之濺鍍靶，其中，以& 成分之化合物相對於硫屬化# 氧化鋅為主 瓜屬化銲以體積比例計 上。 3有25%以 6·如上述1或2記載之濺鍍靶，其中， 的元素之變動範圍在0.5重量％以内。 鬥之鋅以外 7.如上述i或2記載之濺鍍靶，其中 動範圍在3%以内。 β之密度變
8.如上述1 $ 2記載之濺錢乾，其中 變動相對於平均值在4〇%以内。 之體電阻 。.如上述1或2記載之濺鍍靶，其中，靶 晶粒徑為以下，具有以氧化鋅為主成八内之平均結 硫屬化物呈均勻分散之組織。 ”、、刀之氧化物與
10. 一種光資訊記錄媒體用薄膜，其特徵在於， 上述1〜9中任一記載之濺鍍靶所形成者。 11·如上述10記載之光資訊記錄媒體用薄膜， 錄層鄰接來使用。 Λ 係使用 係與記 12· —種光資訊記錄媒體 於，係使用上述1〜9中任一 形成薄膜。 用薄膜之製造方法 記載之濺鍍靶 ，其特徵在 以直流濺鍍來 11 1301157 13· —種濺鍍靶之製造方法，係用以製造上 地i〜9中任 一記載之濺鍍靶，其特徵在於，對於平均粒徑為5 #爪以 之各構成元素的氧化物粉末以及硫屬化物粉末進行常壓焊 結或高溫加壓燒結。 & 乂 14·如上述13記載之濺鍍靶之製造方法， 、 * 其中，燒結 如係將以氧化鋅為主成分之氧化物粉末以〜。。做預 燒結。 15·如上述14記載之濺鍍靶之製造方 J成，具中，預燒
結之後，粉碎為1 # m以下。 70 16·如上述13〜15中任一記載之濺鍍靶之製造方法，係 在真空中或是以氬氣、氮氣為代表之惰性環境氣氛中進^ 燒結。 仃 17.如上述13〜15中任一記載之濺鍍靶之製造方法，其 中，燒結前之氧化物粉末係事先形成以氧化辞為主成分之 化合物。 【實施方式】
本發明之濺鍍靶係含有硫屬化鋅，且進—步添加以氧 化鋅為主成分之化合物，該以氧化辞為主成分之化合物係
滿足 AxByO(KaX+KbY)/2 (ZnO)ra ， 0<χ<2 ， Y=〇-Y 卜，igm(A，B 分別 為3價以上之陽性元素，價數分別為Ka、反…。 特別是，A、B係使用擇自鋁、鎵 琢 、叙、紀、鑭、 鈀、鉻、錳、鐵、鈮、鈕、鍺、錫 弟 场銻專中至少一種元素 。又，A又以使用銦為佳。 又，上述以氧化鋅為主成分之彳卜人* 风刀之化合物相對於硫屬化鋅 12 1301157 以體積比例計含有25%以上來使用為佳。 本發明藉由添加該以氧化鋅為主成分之化合物， 靶之導電性’藉此’能利用直流濺鍍(DC濺鍍)來形成薄膜。 DC減鍍相較於RF濺鍍，成臈速度快、減鍍效率優良 ’此為其優點所在。 ”又、，置價袼便宜，控制容易，電力消耗量也 少’此為優點所在。由於保護膜本身之膜厚亦可降低，所 以可發揮生產性提昇、防止基板加熱之效果。 是以，藉由使用本發明之濺鍍靶，可提升生產性，可 得到品質優良的材料，能以低成本安定地製造出擁有光碟 保護膜之光記錄媒體，此為顯著效果所在。 再者，本發明之濺鍍靶，以靶内之鋅以外的元素之變 動範圍在0.5重量％以内（較佳為〇·3%以内）、靶内之密度 的變動範圍在3%以内（較佳為h5%以内）、靶内之體電阻的 變動範圍相對於平均值在4〇%以内（較佳為2〇%以内）、靶内 之平均結晶粒徑為1 0 # U!以下、且具備以氧化鋅為主成分 之氧化物與硫屬化物呈現均勻分散之組織乃為所希望者。 藉此’可進行均勻的成膜，可形成特性優異之光資訊記錄 媒體用薄膜（保護膜）。 可使用上述本發明之靶來形成光資訊記錄媒體用薄膜（ 保護膜），此保護膜至少與記錄層鄰接來使用。 靶燒結體，若將平均粒徑5 /z m以下之各構成元素的氧 化物粉末以及硫屬化物粉末在常壓燒結或高溫加壓燒結， 可製造出高密度之濺鍍用靶。 13 1301157 再者，燒結前將以氧化鋅為主成分之氧化物粉均勻混 合之後以800〜1300°C進行預燒結乃為所希望者，又於預蛘 結之後，進一步粉碎至1 # m以下為佳。燒結以在真空中或 氬氣、氮氣等之惰性環境氣氛中進行為佳。藉此，可得到 具有相對松度90%以上之滅鍍&。燒結前之氧化物粉末以 形成以氧化鋅為主成分之化合物為佳。此乃由於可提高均 勻性，可更有效地發揮同系化合物之優點，非晶質性$定 之故。 藉由使用本發明之濺鍍靶，可提升生產性，可得到品 質優良的材料，能以低成本安定地製诰+ "" 文疋地Ik出擁有光碟保護膜 之光記錄媒體，此為顯著效果所在。 本發明之濺鍍靶之密度提昇，由於 粒微細化，可使得乾之減鍍面均勻且 減少粒子、結球，且可提高靶壽命， 的情況下提昇量產性。 ^田T減少空孔使得晶 平滑，所以濺鍍時可 並且能在品質變動少 (實施例與比較例） 又，本實施例不 即，本發明僅受 實施例以外之各 以下，基於實施例與比較例來說明。 過為一例，本發明並不因此例而受限。亦 申請專利範圍所限制，而包含本發明所含 種的變形。 (實施例1) 4N等級之1 // m 以下之ZnO粉， ’乾燥之後，以 準備4Ν等級之5#m以下的ιη2〇3粉與 以下的Al2〇3粉與4Ν等級之平均粒徑m 調製出Ih oAl! Q〇3(ZnO)3，進行濕式混合 14 1301157 1100°C做預燒結。 預燒結之後’進行濕式微粉碎達平均粒徑程度然 後加以乾燥。將此InuAluO/z^粉與4N等級之平均粒 徑 5 …下之 _ 以 ZnS : In] 〇Ali 雜〇)3 = 7〇 : 3〇 體 積％的方式做混合。將此混合粉填充於碳製模具中，以溫 度1 000°C進行熱壓做成靶。此靶之相對密度為92%。 將該靶加工成為6英吋φ尺寸，使用該加工後之靶進行 濺鍍。濺鍍條件係設定為DC濺鍍、濺鍍功率！ 〇〇〇w、Ar氣 壓0· 5Pa、於玻璃基板形成目標膜厚15〇〇Α。成膜樣品之 穿透率為95%(波長650nm)，折射率為2.2(波長633nm)。 又，進行成膜樣品之退火處理（6〇01： X 30分鐘，Ar氣 流）前後之XRD(Cu-Ka，40kV，30mA，以下相同）測定。結 果，未見到特定之結晶波峰，可保持安定之非晶質性。 實施例1之靶的化學組成、混合比例、相對密度、 濺鍍可能性、折射率、非晶質性（相對於2 0 =20〜60。之未 成膜玻璃基板的最大波峰強度比）係示於表1。 15 13〇腦 虎第93102621號(卯年I2月修正）
實施例2 ZnS : In, 2Α1α803(Ζη0)4=65 : 35 體積％ 1.5 〇 2.1 實施例3
ZnS : In〗aGawO/ZnO^yO : 30 體積％ 95 〇 2.2 1.0 實施例4
ZnS : In〗 oGa〗 〇03(ΖηΟ)7=70 : 30 體積0/〇 〇 2.2 1.1 實施例 5 ZnS : In】 5Fea503(Zn0)2=75 : 25 體積％ 〇 2.5 1.4 實施例6
ZnS : In丨。Sn, 0O3 5(ZnO)4=70 : 30 體積％ 93 〇 2.3 1.1 實施例7
ZnS : 。八1〇5〇3。50狀11〇)5=65 : 35 體積％ 92 〇 2.2 1.2 比較例
ZnS : Ir^Al, 5Ο3(ΖηΟ)α8=70 : 30 體積0/〇 92 〇 2.2 9.0 比較例2
ZnS : In】 oAl,。〇3(211〇)3=90 : 10 體積％ 83
X 2.1 2.5 比較例
ZnS : Ιη。#% 8Ο3(ΖηΟ)α5=70 : 30 體積0/〇 82 〇 2.2 5.2 比較例 4 ZnS : Fe, oAl】 Q〇3(ZnO)Q25=70 : 30 體積0/〇 2.5 〇 7.0 非晶質性係以對於2 0 =20〜60。之未成膜玻璃基板的 最大波峰強度比表示。 (實施例2-7) 除了改變AxBy0(
KaX+KbY)/2 (Zn0)m化合物之組成，且改變 與ZnS之比例，除此以外，係與實施例1同樣的條件來製 造乾’與實施例1同樣對靶之化學組成、混合比例、相對 密度、DC濺鍍可能性、折射率、非晶質性進行調查。其結 果如表1所示。 、。果相對密度均在9〇%以上，並可進 射率為2.〗〜2.5，且任一 折 持女疋之非晶質性。 保 16 1301157 (比較例1 ) 準備4N等級之以下的In2〇3粉與4N等級之1//m 以下的Al2〇3粉與4N等級之平均粒# 5“0之ZnQ粉， 調製出InuAl^UnG)"，進行濕式混合，乾燥之後，以 110 0 °c做預燒結。
預燒結之後，進行濕式微粉碎達平均粒徑i "程度然 後加以乾燥。將此IriBAl^Un。）"粉與4N等級之平均 粒徑 5_ 下之 ZnS 粉以 ZnS: Ιη〇 5Α1ΐ 5〇3(Ζη〇ν8 = 7〇: 30體積％的方式做混合。 將此混合粉填充於碳製模具中，以溫度100(rc進行熱 壓做成靶。此靶之相對密度為92%。 將該靶加工成為6英吋φ尺寸，使用該加工後之靶進行 濺鍍。濺鍍條件係設定為DC濺鍍、濺鍍功率1〇〇〇w、Ar氣 壓〇.5Pa、於玻璃基板形成目標膜厚15〇〇A。成膜樣品之 穿透率為90%(波長650nm)，折射率為2.2(波長633nm)。
又’進行成膜樣品之退火處理（6〇〇°c x3〇分鐘，ΑΓ氣 流）W後之XRD測定。結果，本比較例由於Zn〇比例低而會 出現結晶波峰。 此比較例1之靶的化學組成、混合比例、相對密度、 DC濺鍍可能性、折射率、非晶質性（相對於2 0 =2〇〜6〇。之 未成膜玻璃基板的最大波峰強度比）係示於表1。 (比較例2-4) 除了改變AxByO(KaX+KbY)/2(zn〇)m化合物之組成，且改變 與ZnS之比例’且針對本案條件外的情況，除此以外，係 17 1301157 與比較例1同樣的條件來製造靶，與比較例丨同樣對靶 化學組成、混合比例、相對密度、DC：濺鍍可能 化丨王、折射率 、非晶質性進行調查。其結果如表1所示。 結果，比較例2之折射率為2·〜2· 2之範 1一由於
AxBy0(Kax+KbY)/2(Zn0)m化合物之混合比例低，無法進行 鍍，又相對密度低達83%。 比較例.3與比較例4之折射率皆在2.卜2.5之範圍， 但由於ZnO之比例低所以會見到結晶波峰，無法得到非晶 質之安定。 ％ 於上述實施例卜7中，纟3價以上之陽性元素（A b)方 面雖使用铜、銘、鐵、錫1，但即使使用其他3價以上 之陽性元素’例如使用擇自銳、釔、鑭、⑱、鉻、錳、鈮 鍺録等中至少一種元素來實施，也可得到與實施 例1 7同樣的結果（結果重複，由於繁複故在此省略）。又 ’使得以上元素複合的情況也能得到同樣的結果。 (實施例8) m % 準備倾等級之5//m以下的Ιη203粉與4N等級之1// 以下的Al2〇3粉與4N等級之平均_"以下之μ粉， 調製出InuM』綱3,進行場式混合，乾燥 1100°C做預燒結。 曰之後以XRD測定來觀察Ιηι·〇Α1ι·〇〇3(Ζη())3之結 、 $ 7 $仃濕式微粉碎使得該預燒結#達平均粒 径1 // m程度然後加 4N 乂乾知。將此 InuAluC^ZnO、粉與 4N寺級之平均……下之ZnS粉以ZnS: 18 1301157 huAluOJZnOhdO : 30體積％的方式做混合。混合係使 用濕式球磨機混合或是向速攪拌混合機使得各粉末均勻地 分散。 其次，將此混合粉填充於碳製模具中，以溫度9〇(rc 進行熱壓做成靶。此靶之相對密度為92%。靶内之平均結 晶粒徑為4 // m。 自靶内任意3處做取樣所測定之組成（lcp法）與密度（ 阿基米德法）的結果以及對於經過平滑加工之靶的濺鍍面 之任意5處的體電阻（4端子法）進行測定之結果係如表2 所示。如表2所示般，可得到組成、密度、體電阻值之變 動極小的結果。 又，將該靶加工成為6英吋ψ尺寸，使用該加工後之靶 進行濺鍍。濺鍍條件係設定為Dc濺鍍、濺鍍功率1〇〇〇w、
Ar氣壓〇· 5Pa、目標膜厚15〇〇人。成膜樣品之穿透率為 95%(波長650nm)，折射率為2·2(波長633nm)。 又，進行成膜樣品之退火處理（6〇〇〇c χ3〇分鐘，Ar氣 流）前後之XRD(Cu〜Ka，40kV，30mA，以下相同）測定。結 果’未見到特定之結晶波峰，可保持安定之非晶質性。 19 1301157 表2 例 組成(重量％) 密度(％) 體電阻(Dcm) 實施例8 In ： 8.2,8.2,8.3 Al ： 2.9,2.9,2.8 92.0,92.4,92.5 0.021,0.022,0.025,0.019 ,0.023 實施例9 In · 8.1,8.0,8.0 Ga ： 4.8,4.9,4.8 92.8,93.5,93.1 0.021,0.022,0.025,0.019 ,0.023 實施例10 In ： 8.4,8.2,8.3 Sn ： 4.3,4.2,4.2 90.8,91.2,91.4 0.034,0.037,0.028,0.030 ,0.032 實施例11 In ： 12.2,12.1,11.9 Cr ： 0.6,0.5,0.6 94.3,94.0,93.9 ~ 0.042,0.048,0.051,0.038 ,0.037 比較例5 In · 8.6,8.1,8.0 Al ： 2.4,2.5,3.0 80.0,82.4,85.5 0.35,1.32,1.54,0.98 ,0.64 比較例6 In ： 15.0,15.9,14.2 Ga ： 9.2,9.3,8.7 75.2,80.7,80.1 ~ 0.2,2.5,0.4,3.0,0.7
(實施例9) 準備4N等級之5// m以下的Ιη203粉與4N等級之3/z m 以下的GagO3粉與4N等級之平均粒徑5 # m以下之ZnO粉， 調製出InuGauO/ZnO)3，進行濕式混合，乾燥之後，以 1100°C做預燒結。
預燒結之後以XRD測定來觀察Ini QGau〇3(Zn〇)3之結 晶波峰。進一步進行濕式微粉碎使得該預燒結粉達平均粒 徑Um程度然後加以乾燥。將& InuGaiA(Zn())3粉與 4N等級之平均粒徑5 V m以下之ZnS粉以ZnS : InuGauO/ZnOh’ ： 30體積％的方式做混合。混合係使 用濕式球磨機混合或是高速授拌混合機使得各粉末均句地 其次，將此混 進行熱壓做成靶。 晶粒徑為3. 5/z m。 自靶内任意3 合粉填充於碳製模具中，以溫度95(rc 此靶之相對密度為94%。靶内之平均結 處做取樣所測定之組成（ICP法）與密度（ 20 1301157 阿基米德法）的結果以 之任意5處的體電:(=、㈣平滑加…的濺鍍面 所示。如表子Γ)進行測定之結果係如表2 動極小的結果。I可付到組成、密度、體電阻值之變 又’將該輕加工成為6英⑽寸，使用該加工 進行濺鍍。濺鍍條件係#
…又為Dc濺鍍、濺鍍功率1 000W、 Ar氣[0.5Pa、目桓腔声X ‘Μ厚1500A。成膜樣品之穿透 ㈣波長叫折射率為2·2(波長陶^ 又’進仃成膜樣品之退火處理（600°C Χ30分鐘，Ar氣 流)前後之測定。結果，未見到特定之結晶波峰，可保 持安定之非晶質性。 (實施例10) 準備4N等級之以下的In2〇3粉與4N等級之3P 以下的Sn〇粉與4N等級之平均粒徑5"以下之Μ粉， 調製出InuSnuGa 5(ZnG)4，進行濕式混合，乾燥之後，以 1100°C做預燒結。 預燒結之後以XRD測定來觀冑Ini 〇Sni 〇〇3 5(Zn〇)4之 結晶波峰。進一步進行濕式微粉碎使得該預燒結粉達平均 粒徑i//m程度然後加以乾燥。將此Irii qSiii 〇〇3 5(如〇)4粉 與4N等級之平均粒徑5从^以下之ZnS粉以znS : InuSnuO3 5(ZnO)4 = 70 : 30體積％的方式做混合。混合係使 用濕式球磨機混合或是高速攪拌混合機使得各粉末均勻地 分散。
其次’將此混合粉填充於碳製模具中，以溫度950°C 21 1301157 進行熱壓做成靶。此靶之相斜—ώ a πιη/ ^ ^ <相對岔度為91 %。靶内之平均結 晶粒徑為3. 5 // m。 自靶内任意3處做取樣所測定之組成(ICP法)與密度( 阿基米德法）的結果以及對於經過平滑加工之輕的錢鑛面 之任意5處的體電阻（4嫂&、+、、…，〜 /« & v &子法）進行測定之結果係如表2 所示。如表2所示般，可傻&丨2 Λ Λ J传到組成、密度、體電阻值之變 動極小的結果。 又，將該革巴加工成為6英口寸Φ尺寸，使用該加工後之革巴 進仃濺鍍。濺鍍條件係設定為Dc濺鍍、濺鍍功率i 〇〇⑽、
Ar氣壓〇.5Pa、目標臈厚l5〇〇A。成膜樣品之穿透率為 95%(波長650nm)，折射率為2·3(波長633nm)。 又，進行成膜樣品之退火處理（6〇(rc χ3〇分鐘，氣 流）前後之XRD測定。結果，未見到特定之結晶波峰，可保 持安定之非晶質性。 (實施例II) 準備4N等級之5 // m以下的In2〇3粉與4N等級之3 # m 以下的Cr2〇3粉與4N等級之平均粒徑5 # m以下之Zn〇粉， 调製出InuCro.zOJZnO)5，進行濕式混合，乾燥之後，以 ll〇〇°C做預燒結。 預燒結之後以XRD測定來觀察ini 8Cr() 2〇3(Zn〇)5之結 晶波峰。進一步進行濕式微粉碎使得該預燒結粉達平均粒 徑l//m程度然後加以乾燥。將此Ini 8CrQ 2〇3(Zn〇)5粉與 4N等級之平均粒徑5 // m以下之ZnS粉以ZnS : Ini· sCr。2〇3(ZnO)5 = 60 ·· 40體積％的方式做混合。混合係使 22 1301157 用濕式球磨機混合或是高 分散。 連攪拌混合機使得各粉末均勻地 =次，將此混合粉填充於碳製模具中， ，亍㈣職。此乾之相對密度為 晶粒徑為4.0/zni。 K十均結 自靶内任意3處傲〜， ,# 代取樣所測定之組成（ICP法）盥密产（ 阿基米德法）的結果以乃 /、也度（ 之任立丨_ ^、；、，生過平滑加工之靶的濺鍍面 之任思5處的體電阻（4山 u鳊子法）進行測定之結果係如表2 所不。如表2所示般，可锟 動極小的結果。 了_組成、密度、體電阻值之變 又將絲加工成為6英时+尺寸，使用該加之 進行濺鍍。濺鍍條件倍执 /、口又疋為DC濺錢、濺鑛功率1 oqow、
Ar氣壓〇· 5Pa、目輕勝m 祆臈厗1 500A。成膜樣品之穿透率為 92%(波長650nm)，折身十i炎 〆 研射率為2·3(波長633nm)。 又，進行成膜檨〇 +、胃，# , ^σπ之退火處理（6〇(TC X30分鐘，Ar氣 流）前後之XRD測定。姓 ’、 、、、。果’未見到特定之結晶波峰，可保 持安定之非晶質性。 (比較例5) 準備4N等、及之5" m以下的Ιη203粉與4N等級之1 " m 以下的Al2〇3粉與4N等級之平均《5㈣以下之Zn0粉， 調製出InuAluKzno^，進一步與4N等級之平均粒徑5 ^ 以下之 ZnS 粉以 ZnS: Ιηι 〇Α1ι 〇〇3(Ζη〇)3 = 7〇: 3〇體積％ 的方式做混合。 其次，將此混合粉填充於碳製模具中，以溫度9〇(Γ(： 23 1301157 進行熱壓做絲。此之相對密度為82%。_< 晶粒徑為13 // m。 ° 自羊巴内任意3處做取樣所測定之組成⑽法）與密 阿基米德法）的結果以及對於經過平滑加工之無的賤链人面 之任意5處的體電阻(4端子法)進行測定之結果係如表2 所不。如表 2所示般，猎& |知+ _ . 于到、、且成、岔度、體電阻值之變 大的結果。 又，將該靶加工成為6英时φ尺寸，使用該加工後之乾 進行激鍍。⑽條件係設定為Dc濺鑛、義功率ι〇剛、
Ar氣壓0.5Pa，結果該革巴發生許多的異常放電，無法 DC丨賤鍍。 (比較例6) 準備4N等級之5//m以下的Ιη203粉與4N等級之 以下的Ga^粉與㈣等級之平均粒徑以下之Zn〇粉， 调製出InGaO3(ZnO)0.7，進一步與4N等級之平均粒徑— 、下之 ZnS 私以 ZnS . InGaQ3(zn〇)Q 7=6〇 : 4〇 體積 ％的方式 做混合。 其次，將此混合粉填充於碳製模具中，以溫度900t 進行熱壓做成靶。此靶之相對密度為78%。靶内之平均結 晶粒徑為ll#m。 自革巴内任意3處做取樣所測定之組成（Icp法）與密度（ 阿基米德法）的結果以及對於經過平滑加工之把的錢鍵面 之任意5處的體電阻（4端子法）進行測定之結果係如表2 所不。如表2所不般，得到組成、密度、體電阻值之變動 24 1301157 大的結果。 又， 進行濺鍍 ^氣壓 溅鍍。 將該靶加工成為6英吋φ尺寸’使用該加工後之靶 。濺鍍條件係設定為Dc濺鍍、濺鍍功率iooow、 0.5Pa’結果奸發生許多的異f放電，無法進行 方於上述貫施例8〜11中，在3價以上之陽性元素(A，B) 面雖使用銦、錫、鉻、鎵’但即使使用其他3價以上之 &性元素，例如使用擇自lg、m m 鎚、麵、鍺、録等中至少一種元素來實施，也可得到與實 施例8〜11同樣的結果(結果重i ’由於繁複故在此省仆 又，使得以上元素複合的情況也能得到同樣的結果。 上可利用拇 本發明係於ZnS等之硫屬化辞中添加以Ζη〇為主成分 之化合物（同系化合物）進行成分調整，謀求非晶質性之安 對於靶賦予導電性，並藉由提昇光資訊記錄媒體之 與記錄材層的密合性來提昇特性，並使得相對密度成為 9⑽以上之高密度化來達成安^之沉漉鑛。 成為 再者，可達成DC濺鍍的特徵，亦即達成濺鍍控制容易 、提昇成臈速度、提昇濺鍍效率，此為顯著的效果所在。 再者，可減少成膜之際之濺鍍時所發生之粒子（粉塵） 與:’。口口質變動少並可提升量產性，能以低廉成本安定 地製造出擁有光碟保護膜之光記錄媒體。此為顯著效果所 在0 再者’藉由減低靶内之鋅以外的元素之變動範圍、把 25 1301157
内之邊、度的變動絡R 、 動乾圍、以及靶内之體電阻相料认 變動，並使得革巴内 #於平均值的 以氧化鋅為主成： 粒徑為10…下、且具備 成分之氧化物與硫屬化物呈現均句分散之組 織，則可進仃均句的成膜’可形成特性優異之光資訊記錄 媒體用薄膜（保護膜）。
26

Claims (1)

  1. —f 3併禪號第 "/λ 口 93102621號(95年12月修正) 叫鹰日修(姿)Iff 申請專利範圍： 1. -種濺鍍靶’其特徵在於’含有以氧化鋅為主成分 之化合物以及硫屬化鋅’該以氧化鋅為主成分之化合物係 滿足 AxBAKaX+KbY)/2(Zn0)n，（)<χ<2, γ = 2_χ，心⑽分別 為3價以上之陽性TL素，價數分別為Ka、Kb)，且該以氧 化鋅為主成分之AxBy0(KaX + KbY)/2(Zn0)m化合物相對於硫屬化 鋅以體積比例計係含有2 5 %以上。。 2. -種繼，其特徵在於，含有以氧化辞為主成分 之化合物以及硫屬化鋅，且相對密度9〇%以上、體電阻值 0. 1 Ω cm以下·’該以氧化辞為主成分之化合物係滿足 AxBy0(KaX+KbY)/2(Zn0)m ’ 〇<χ<2 ’ γ = 2_χ，丨 $ m(A，b 分別為 3 價以上之陽性元素，價數分別為Ka、Kb)，且該以氧化辞 為主成分之AxByO(KaX+KbY)/2(Zn〇)m化合物相對於硫屬化鋅以 體積比例計係含有2 5 %以上。 濺链靶，其中，所含 m ° 濺鍍靶，其中，A為 3·如申請專利範圍第1或2項之 以氧化鋅為主成分之化合物係滿足2 $ 4·如申請專利範圍第1或2項之 鋼0 5.如申請專利範圍第1或 之鋅以外的元素之變動範圍在 6·如申請專利範圍第1或 之密度變動範圍在3%以内。 7 ·如申請專利範圍第1或 之體電阻變動相對於平均值在 8·如申請專利範圍第1或 之平均結晶粒徑為1 0 // m以下 2項之濺鍍靶，其中，靶内 0 · 5重量％以内。 2項之濺鍍靶，其中，靶内 2項之機鍍靶，其中，靶内 40%以内。 2項之濺鍍靶，其中，靶内 ，具有以氧化辞為主成分之 27 1301157 氧化物與硫屬化物呈均勻分散之組織 9 · 一種光資訊記錄媒體 於’係使用申請專利範圍第 直流濺鍍來形成薄膜。 用薄膜之製造方法，其特徵在 1 8項中任_項之濺錢乾，以 製造方法，係用以製造申請專利範圍 =〜8項中任一項之濺餘’其特徵在於，對於平均粒經 :二:乂下之各構成元素的氧化物粉末以及硫屬化物粉 末進行常壓燒結或向溫加壓燒結。 n.如申請專利範圍第10項之濺α之製造方H 中，燒結前係將以氧化鋅為主成分之氧化物 :、 800〜1 300°C做預燒結。 1末以 ^吸祀之裂造方法，j 中，預燒結之後’粉碎為1 # m以下。 ’ 13.如申請專利範圍第10~12項中任一項之濺錢乾之, 造方法’係在真空中或是以氬氣、氮: 氣氛中進行燒結。 代衣之f “生 14·如申請專利範圍第10〜12項中 1 項之濺艘夕制 造方法，其中，燒結前之氧化物粉末係拿 、 為主成分之化合物。 ’ 項之濺鍍靶之製造 先形成以氧化鋅為 15.如申請專利範圍第13項中任_ 方法，其中，燒結前之氧化物粉末係事 主成分之化合物。 拾壹、圖式： 無 28
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