TWI293132B - - Google Patents

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TWI293132B
TWI293132B TW090114014A TW90114014A TWI293132B TW I293132 B TWI293132 B TW I293132B TW 090114014 A TW090114014 A TW 090114014A TW 90114014 A TW90114014 A TW 90114014A TW I293132 B TWI293132 B TW I293132B
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TW
Taiwan
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electrode
potential
common electrode
pixel
power supply
Prior art date
Application number
TW090114014A
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English (en)
Inventor
Yukio Tanaka
Katsuhiko Kumagawa
Original Assignee
Matsushita Electric Ind Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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1293132 A7 B7 ----—-- 五、發明說明（I ) 【技術領域】 本發明係有關使用薄膜電晶體等開關元件之主動陣列 型顯示裝置、其驅動方法、及顯示元件。 【習知技術】 就顯示裝置而言，例如，液晶顯示裝置係以薄型輕籩 之平面顯示器而被廣泛使用在各種電子機器之顯示裝®中 。其中，使用薄膜電晶體(TFT)等開關元件之主動陣列製_ 示裝置亦藉由其優異之影像特性，被廣泛應用在個人驚_ 用之監視顯示器、與液晶電視等方面。 首先，藉由圖3來說明主動陣列型顯示裝置之基本_ 成。顯示裝置係大致由掃描信號驅動電路21、影像信號|瞳 動電路22、及顯示元件23所構成。顯示元件之主要櫞成 要素具有：配置成陣列狀之複數像素電極5、對應這些像 素電極而配列之複數開關元件3( —般係使用薄膜電晶體 (TFT)等）、對應配列成陣列狀之像素電極且沿行方向（水平 方向)配置之複數掃描電極1、及對應配列成陣列狀之像素 電極且沿列方向(垂直方向)配置之複數影像信號電極2。又 ，影像信號電極2係透過開關元件3，電氣連接在像素電 極5上。又，備有與像素電極5對向之對向電極20，在像 素電極5與對向電極4之間，***液晶等顯示介質。而且 ，稱爲共通電極4之電極係與掃描電極1平行，在共通電 極4與像素電極5之間，形成儲存電容7。影像信號驅動 電路22係將影像信號施加於顯示元件23之複數影像信號 電極2之驅動電路。又，掃描信號驅動電路21係將控制開 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ______________I _ I ϋ H »3^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂. :線. 1293132 A7 __B7_____ 玉、發明說明（ 關元件3導通之掃描信號施加於顯示元件23之複數掃描電 極1之驅動電路。 就這種主動陣列型液晶顯示裝置之一種驅動方法而言 ，有揭示於日本專利特開平5-143021號公報之驅動法。這 種方法係與掃描電極(也叫做閘極電極或閘極線）平行，設 置稱爲共通電極之配線’在該共通電極與像素電極之間， 形成儲存電容，使共通電極之電位與掃描電極之電位同步 變動，藉由通過儲存電容之電容耦合，將重疊電壓施加於 像素電極電位之方法。藉由這種電壓重疊之效果，能得到 影像信號電壓（源極電壓）之低電壓化、減低驅動電力、提 高響應速度、及提高驅動可靠度等效果。 圖14係在共通電極與像素電極之間，形成儲存電容 Cst(—般說來，Cst係指共通電極-像素電極間電容)之液晶 顯示裝置之1像素之等效電路圖，圖15係驅動該液晶顯示 裝置1時，用來說明各部電位之圖。在圖14中，TFT係薄 膜電晶體，Cgd係閘極-汲極間電容(掃描電極-像素電極間 電容），Clc係在像素電極與挾著液晶形成對向之對向電極 間，所形成之像素電極-對向電極間電容(主要係由液晶所 形成的電容，但亦有除此之外介質被電氣性串聯或並聯所 產生之電容成分，或意圖附加這種電容），Vg(n)係表示掃 描電極之電位，Vs係表示影像信號電位，vd係表示像素 電極之電位，Vf係表示對向電極之電位，vc(n)係表示共通 電極之電位。又，像素配列係配列成陣列狀，在其中第n 行，用含有注目的意味，在Vg與Vc中，特別附加了 n字 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·· -1線· 1293132 A7 ____B7 ___ 五、發明說明（、） Ο 又，掃描電極、像素電極等雖被配列成複數陣列狀， 但爲了期望嚴密起見，以某掃描電極爲基準，藉由該掃描 電極來控制TFT的ΟΝ/OFF之像素(一般有複數)有時稱爲 「屬於掃描電極之像素」。相反的，以某像素(或像素電極 )爲基準，控制該像素之TFT的ΟΝ/OFF之掃描電極有時也 稱爲「該段之掃描電極」。圖14所示之像素電極(Vd)係「 屬於掃描電極(Vg(n)之像素電極），掃描電極(Vg(n))係「相 對於像素電極(Vd)之該段掃描電極」。以下，只要沒有特 別說明，則僅指「像素(電極）」或「掃描電極」。 因共通電極也是複數配列，故當特別嚴密指定時，則 成爲「連接於像素電極之儲存電容另一側連接端之共通電 極」等。圖14之共通電極(Vc(n))係「連接於像素電極(vd) 之儲存電容另一側連接端之共通電極」，以下，該電極亦 簡稱爲「共通電極」。 如圖15所示，在奇數圖框中，影像信號電壓係以Vd 爲基準，取負値，爲Vsig(-)。若掃插電極電位vg(n)爲導 通(ON)位準(掃描電極之第1電位位準)Vg〇n的話，則TFT 成爲導通狀態(ON狀態），像素電位Vd被充電到 。此時，共通電極電位爲Vc(-）之値(共通電極之第2電位 位準）。其次，把Vg(n)當做不導通位準(掃描電極之第2電 位位準)Vgoff，將TFT設定在不導通狀態(0FF狀態）。然後 ，若使共通電極之電位從Vc(-）往Vcoff(共通電極之第3 電位位準)向下變化的S舌’則在像素電位v d中，與這種電 5 ί紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐）— -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： -線· 1293132 A7 ___B7______ 五、發明說明（屮） 位差成比例之耦合電壓向下重疊(圖15中之箭頭）。 在偶數圖框中，影像信號電壓係以Vd爲基準取正値 爲Vsig(+)。當把像素充電到Vsig(+)時，這次係事先把共 通電極之電位當做Vc(+)(共通電極之第1電位位準）。待 充電完成，掃描電極電位下降後，使共通電極之電位從 Vc(+)往Vcoff向上變化。在像素電位Vd中，與這種電位 差成比例的耦合電壓向上重疊。 其結果，能一面將小振幅(Vsig(+)與Vsig(-）)之電壓 供應給影像信號電極，一面將比上述小振幅大的大振幅 (Vdo(+)與Vdo(-）)之電壓施加給像素電極。例如，使用輸 出電壓範圍5V之影像信號用1C，可將施加於液晶之電壓 範圍擴大到10V與15V，因使用低耐壓1C，故能使用該耐 壓以上之電壓來驅動液晶。 又，共通電極電位成爲Vc(+)或Vc(-）之期間，稱爲 共通電極補償期間，此時之電壓Vc(±)稱爲共通電極補償 電壓(補償電位）。又，較佳係Vc(+)與Vc(-）爲不同値， Vcoff係即使Vc(+)或Vc(-）之兩者爲同電壓亦無妨。又， 掃描電極電位在Vgon期間中，共通電極電位並不是經常必 須保持在Vc(±)。至少在掃描電極從Vgon下降到Vgoff之 瞬間(即，TFT從ON變成OFF之瞬間），只要達到該値即可 〇 又，掃描信號驅動電路係具有2種輸出位準，共通電 極電位控制電路係具有3種輸出位準。即，掃描信號驅動 電路係具有第1電位位準Vgon及第2電位位準Vgoff，共 6 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' "" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) «·· 一5J·. 線· 1293132 A7 _________B7_ 五、發明說明（匕） t 通電極電位控制電路係具有第1電位位準Vc(+)、第2電 位位準Vc(—）、及第3電位位準Vcoff。又，一般說來，共 通電極電位驅動電路之電源係對應上述之3種電位位準， 必須要有3種電源。但是，若第丨電位位準Vc(+)或第2 電位位準Vc(-）中之任一種電位位準等於第3電位位準 Vcoff的話，則只要2種電源就可以。又，因此，當任一種 補償電位等於Vcoff時，就電位位準而言，亦可看作是其 他之電位位準，電位位準可看作3種。 又’從另一觀點來看，以上之電壓重疊不外乎是像素 電極上之電荷不滅法則。即，從像素充電完成，掃描電極 電位下降前(掃描電極電位爲Vgon)，到共通電極補償期間 結束之間，因保存像素電極之電荷，故能分別就奇數圖框 及偶數圖框，得到以下之(式11)。
Cgd(Vsig(— ) — Vgon) + Cst(Vsig( —)—
Vc( — )) + Clc(Vsig( — ) — V(d)) =Cgd(Vdo(— ) — Vgoff) + Cst(Vdo(—)—
Vcoff) + Clc(Vdo( — ) - Vd)
Cgd(Vsig( + ) - Vgon) + Cst(Vsig( + )-Vc(+)) + Clc(Vsig(+)-V(d)) =Cgd(Vdo(+ ) — Vgoff) + Cst(Vdo(+ )—
Vcoff) + Clc(Vdo(+) —Vd) …(式11) 若將(式11)變形的話，則能得到以下之(式12)。
Vdo(— ) = Vsig(— ) — astAVc(—) — agdA Vgon 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · --線· A7 1293132 ____B7____ 五、發明說明（L)
Vdo( + )= Vsig( + )- o:stAVc(+)— agdAVgon …(式12) 式中，△ Vgon、△ Vc( + )、△ Vc(—)、及 a gd、a st 係 用以下之(式13)及(式14)來表示。 Δ Vgon = Vgon — Vgoff △ Vc( + ) = Vc(+ ) — Vcoff AVc(—) = Vc(—) — Vcoff …(式13) a gd= Cgd/Ctot a st= Cst/Ctot Ctot= Cgd+ Clc+ Cst …(式14) 在(式12)中之兩式中，右邊第2項係相當於來自共通 電極之(電容)耦合電壓之重疊部分，由△▽◦(+)或^Vc(一） 來決定。這些Δν(；(+)或AVc(-）係在連接儲存電容端之共 通電極像素被充電之瞬間，把電位(這種情形爲Vc( + )或 Vc(-))之保持狀態之電位(此時爲Vcoff)當作基準來看時之 値。（式12)之右邊第3項係來自掃描電極之(電容)耦合電壓 ，稱爲饋通(feedthrough)。又，（式14)之Ctot能看作是電氣 連接於像素電極之全部電容之總和。 又，亦如圖15所述，在像素電極上，每1圖框被充電 成極性反轉之信號電壓。此時，亦可把整個畫面當做同極 性，使每1圖框反轉(場反轉方式），除此之外，亦有使每1 行逆極性反轉之方式(行反轉方式）、使每1列逆極性反轉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . · --線. A7 1293132 ___B7____ 五、發明說明（^)) 之方式（列反轉方式）、及組合行反轉與列反轉，用黑白相 間方格來反轉之方式（點反轉方式)等。若描繪這些各方式 之像素充電圖案的話，則分別成爲圖16A、圖16B、圖16C 、及圖16D。而且，若描繪分別所鄰接之影像信號電極 VSP及VSQ所施加之電壓波形的話’則成爲各圖右側之波 形。 場反轉與列反轉之情形’係在1圖框內，施加於影像 信號電極之影像信號極性爲一定’但行反轉與點反轉之情 形，係在每選擇各掃描電極時’反轉影像信號之極性。又 ，場反轉與行反轉之情形，其鄰接之影像信號電極間之極 性係相同，但列反轉與點反轉之情形，則成爲相反之極性 。列反轉與點反轉之情形，影像信號驅動電路具有同時施 加2種不同極性之(即正極性與負極性)影像信號給複數影 像信號電極之功能。 在這些各種方式中，場反轉與行反轉之情形，容易產 生水平串訊者，在（S.Tomita et.al.:Journal of the SID，l/2(1993)p.p.211-218)中，有詳細說明。將其內容槪述 如下。 在場反轉與行反轉中，當選擇某掃描電極，來進行像 素充電時，所有之像素係以同極性來進行充電。即，當該 行之像素電極電位爲偶數場時，係從負電壓變化到正電壓 ，當該行之像素電極電位爲奇數場時，係從正電壓變化到 負電壓。這樣的話，則透過像素電極-對向電極間之電容( 亦包含液晶電容），來變動對向電極之電位（因對向電極具 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 轉· 訂· --線· 1293132 A7 __B7___ 五、發明說明（t ) 有有限之薄片電阻，故即使在畫面端部固定電位，在畫面 內部，電位亦少許變動），像素所充電之電位亦受其影響而 變動，產生了串訊。這可說是由於共通電極電位之變動， 使(式11)兩邊所示之Vd在左邊與右邊成爲不同之値，像素 電極之保持電位Vdo(±)不成爲(式12)所示之値而產生之串 訊。 相對的，列反轉與點反轉之情形，當選擇某行之掃描 電極，來進行像素充電時，因在鄰接像素間之充電極性爲 相反，故透過像素電極-共通電極間電容之共通電極之電位 變動被相互抵消，不產生上述之串訊。 根據以上理由，較佳係採用列反轉或點反轉。 但是，藉由圖3之電路構成與圖15所說明之驅動方法 ，在使共通電極電位變動之液晶顯示裝置中，可知畫面尺 寸越大，產生閃爍與亮度不均越明顯。 又，若畫面尺寸變大的話，當進行寫入影像信號時’ 其對向電極之電位變動就會變大，水平串訊就會變明顯起 來，故必須對水平串訊，採用列反轉方式(有利之驅動方式 )或點反轉方式。但是，在圖3之電路構成中，當採用圖15 之驅動方法時，在選擇掃描電極之瞬間，藉由控制共通電 極電位，涉及屬於該行之所有像素，施加與影像信號同極 性之一定重疊電壓，能得到像素電極保持電位之振幅增大 效果，故像列反轉與點反轉那樣，在選擇掃描電極間’施 加正負兩電極之影像信號之驅動方式之情形，產生得不到 這種像素電極保持電位之振幅增大效果(即，不能使影像信 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1293132 A7 --- B7____ 五、發明說明（1 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 號驅動電路1C之低電壓化)之問題。即，習知技術之問題 點’係不能實現使影像信號驅動電路1C之低電壓化與削減 水平串訊並存之影像顯示裝置。 【發明所要解決的課題】 本發明係針對以上所述之問題點，其第1目的係削減 閃爍與亮度不均，其第2目的係提供能使影像信號驅動電 路1C之低電壓化與削減水平串訊並存之顯示裝置、其驅動 方法、及顯示元件。 爲了達成前述目的，有關本發明之第1顯示裝置係具 有：配置成陣列狀之複數像素電極、連接於複數像素電極 之開關元件、掃描電極、影像信號電極、共通電極、對向 電極、***於前述像素電極與前述對向電極間之顯示介質 、及形成於前述像素電極與前述共通電極間之儲存電容， 其特徵在於： i線· 當用Cgd來表示前述像素電極與前述掃描電極間之掃 描電極_像素電極間電容，用Cst來表示前述像素電極與前 述共通電極間之共通電極-像素電極間電容，用Ctot來表示 電氣連接於前述像素電極之全部電容之總和時，在畫面內 離供電端近的部分與離供電端遠的部分，係將(式1)所示之 a gd及^ st同時設定爲不同之値。 a gd= Cgd/Ctot 5 a st= Cst/Ctot ···(式 1) 第1顯示裝置較佳係具有影像信號驅動電路，對應顯 示週期，將2種不同極性之影像信號施加於影像信號電極 〇 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） ' A7 1293132 ____B7_ 五、發明說明（卜） 又，第1顯示裝置較佳係具有：共通電極電位控制電 路(將電壓信號施加於複數共通電極)與掃描信號驅動電路( 將電壓信號施加於複數掃描電極），前述共通電極電位控制 電路至少具有2値之輸出電位位準，前述掃描信號驅動電 路至少具有2値之輸出電位位準。 在第1顯示裝置中，當選擇某掃描電極時，前述掃描 電極之電位成爲第1電位位準Vgon，在未選擇前述掃描電 極之保持期間中，前述掃描電極之電位大致成爲第2電位 位準Vgoff ; 連接於複數像素（屬於前述掃描電極）之像素電極之儲 存電容另一側連接端之共通電極電位，係在選擇前述掃描 電極時，當影像信號之極性爲正時，成爲第1電位位準 Vc(+)，當影像信號之極性爲負時，成爲第2電位位準Vc( 一）； 當用Δν(：(+)來表示前述共通電極之第1電位位準Vc( + )以後之保持期間之電位差，用AVc(-）來表示前述共通 電極之第2電位位準Vc(-）以後之保持期間之電位差時’ 較佳係在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分 減小(式2)所示之r値。 γ = a stVcp/2 …（式 2) (式中 ’ Vcp= △ Vc( +)— △ Vc(—） ···（式 3)) 這種情形，當在前述r之畫面內，離供電端近之部分 之値設爲τ (〇)，在前述τ之畫面內’離供電端遠之部分之 値設爲r (E)，把相當於這些距離中間部分之値設爲r (M) 12 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) «·· ;線· 1293132 A7 ______B7 —---— 五、發明說明（11) 時，較佳係前述γ (Μ)比[r (〇)+ r (e)]/2小。 又，較佳係Vcp取負値。 在第1顯示裝置中，當選擇某掃描電極時，前述掃描 電極之電位成爲第1電位位準Vgon，在未選擇前述掃描電 極之保持期間中，前述掃描電極之電位大致成爲第2電位 位準Vgoff， 連接於複數像素（屬於前述掃描電極）之像素電極之儲 存電容另一側連接端之共通電極電位，係在選擇前述掃插 電極時，當影像信號之極性爲正時，成爲第1電位位準 Vc(+)，當前述影像信號之極性爲負時’成爲弟2鼠位位 準 Vc(—); 當用Δνα + )來表示前述共通電極之第1電位位準Vc( + )以後之保持期間之電位差，用AVc(-）來表示前述共通 電極之第2電位位準Vc(-）以後之保持期間之電位差時， 較佳係在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分 增大(式4)所示之β値。 β = a gdi+ a st(A Vcc/Δ Vgon) ···(式 4) (式中，△ Vgon = Vgon—Vgoff， Δ Vcc = [ Δ Vc( + ) + Δ Vc(- )]/2 ···(式 5)) 這種情形，在前述Θ之畫面內，離供電端近之部分之 値設爲3(0)，在前述/3之畫面內，離供電端遠之部分之値 設爲/5(E)，把相當於這些距離中間部分之値設爲/3 (M)時 ，較佳係前述/3 (M)比[占（〇)+ /3 (E)]/2大。 又，較佳係△ Vcc爲負値。 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) - --線- A7 1293132 ___B7_____ 五、發明說明（|公）
V 在第1顯示裝置中’當選擇某掃描電極時，前述掃描 電極之電位成爲第1電位位準ν§οη ’在未選擇前述掃描電 極之保持期間中，則述掃描電極之電位大致成爲弟2電位 位準Vgoff ; 連接於複數像素（屬於前述掃描電極）之像素電極之儲 存電容另一側連接端之共通電極電位，係在選擇前述掃描 電極時，當影像信號之極性爲正時，成爲第1電位位準 Vc(+)，當影像信號之極性爲負時，成爲第2電位位準Vc( 一）； 當用Δνα+)來表示前述共通電極之第1電位位準Vc( + )以後之保持期間之電位差，用^Vc(-）來表示前述共通 電極之第2電位位準Vc(-）以後之保持期間之電位差時’ 較佳係在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分 減小(式2)所示之r値’ γ = a stVcp/2 ···(式 2) (式中，Vcp= △ Vc(+)_ △ Vc(—） 式 3)) 且，較佳係在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端 近的部分增大(式4)所示之/3値。 β = a gd+ a st(A Vcc/Δ Vgon) …（式 4) (式中，Δν2〇η=ν£〇η—Vgoff，△▽◦◦=[△▽◦(+) + Δ Vc(-)]/2 ···(式 5)) 爲了達成前述目的，有關本發明之第2顯示裝置係具 有，配置成陣列狀之複數像素電極、連接於複數像素電極 之開關元件、掃描電極、影像信號電極、共通電極、對向 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 雄： . 線· A7 1293132 __ B7__ 一 五、發明說明（1、） 電極、***於前述像素電極與前述對向電極間之顯示介質 、及形成於前述像素電極與任一前述共通電極間之儲存電 容；連接於複數像素(屬於某1前述掃描電極)之前述像素 電極之前述儲存電容另一側連接端之前述共通電極係具有 複數個，其特徵在於： 當用Cgd來表示前述像素電極與前述掃描電極間之掃 描電極-像素電極間電容，用Cst來表示前述像素電極與前 述共通電極間之共通電極-像素電極間電容，用Ctot來表示 電氣連接於前述像素電極之全部電容之總和時’在畫面內 ，離供電端近的部分與離供電端遠的部分，係將(式1)所示 之a gd及a st同時設定爲不同之値。 gd= Cgd/Ctot j a st= Cst/Ctot ···(式 1) 第2顯示裝置較佳係具有影像信號驅動電路，該影像 信號驅動電路係將2種不同極性之影像信號同時施加於複 數影像信號電極，且對應顯示週期，將2種不同極性之影 像信號施加於各個前述影像信號電極。 又，第2顯示裝置較佳係在屬於某1個掃描電極之複 數像素中，具有第1共通電極與第2共通電極，第1共通 電極係在連接於像素電極(屬於施加第1極性影像信號之影 像信號電極之像素)之儲存電容另一側連接端，第2共通電 極係在連接於像素電極(屬於施加第2極性影像信號之影像 信號電極之像素)之儲存電容另一側連接端。 又’第2顯示裝置較佳係具有：共通電極電位控制電 路(將電壓信號施加於複數共通電極)與掃描信號驅動電路( 15 本紙張尺度適用中國國家^ (CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 雄· •線- 1293132 A7 --- -B7___ 五、發明說明） 將電壓信號施加於複數掃描電極），前述共通電極電位控制 電路係至少具有2値之輸出電位位準，前述掃描信號驅動 電路係至少具有2値之輸出電位位準。 又，在第2顯示裝置中，當選擇某掃描電極時，前述 掃描電極之電位成爲第1電位位準Vgon，在未選擇前述掃 描電極之保持期間中，前述掃描電極之電位大致成爲第2 電位位準Vgoff ; 在連接於複數像素（屬於前述掃描電極）之像素電極之 儲存電容另一側連接端之共通電極中， 當前述第1共通電極之電位選擇前述掃描電極時，當 影像信號電極(對應前述第1共通電極)所施加之影像信號 極性爲正時，成爲第1電位位準Vc(+)，當前述影像信號 之極性爲負時，成爲第2電位位準Vc(-）； 當前述第2共通電極之電位選擇前述掃描電極時’當 影像信號電極(對應前述第2共通電極)所施加之影像信號 極性爲正時，成爲第1電位位準Vc(+)，當前述影像信號 之極性爲負時，成爲第2電位位準Vc(-）； 當用Δν(；(+)來表示前述共通電極之第1電位位準Vc( + )以後之保持期間之電位差，用AVc(-）來表示前述共通 電極之第2電位位準Vc(-）以後之保持期間之電位差時’ 較佳係在畫面內’離供電端遠的部分比離供電端近的部分 減小(式2)所示之r値。 γ = a stVcp/2 ···(式 2) (式中，Vcp= △ Vc(+)— △ Vc(—) ···(式 3)) 16 張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） "" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I I I I I I I 訂----— II--線| A7 1293132 __B7___ 五、發明說明（^) 這種情形，在前述r之畫面內，離供電端近之部分之 値設爲r (〇)，在前述r之畫面內，離供電端遠之部分之値 設爲r (E)，把相當於這些距離中間部分之値設爲r (M)時 ，較佳係前述r (M)比[r (〇)+ r (e)]/2小。 又，較佳係Vcp爲負値。 又，在第2顯示裝置中，當選擇某掃描電極時，前述 掃描電極之電位成爲第1電位位準Vgon，在未選擇前述掃 描電極之保持期間中，前述掃描電極之電位大致成爲第2 電位位準Vgoff ; 在連接於複數像素（屬於前述掃描電極）之像素電極之 儲存電容另一側連接端之共通電極電位中， 當前述第1共通電極之電位選擇前述掃描電極時，當 影像信號電極(對應前述第1共通電極)所施加之影像信號 極性爲正時，成爲第1電位位準Vc(+)，當前述影像信號 極性爲負時，成爲第2電位位準Vc(-）； 當前述第2共通電極之電位選擇前述掃描電極時’當 影像信號電極(對應前述第2共通電極)所施加之影像信號 極性爲正時，成爲第1電位位準Vc(+)，當前述影像信號 極性爲負時，成爲第2電位位準Vc(-）； 當用Δν(；( + )來表示前述共通電極之第1電位位準Vc( + )以後之保持期間之電位差，用AVc(-）來表示前述共通 電極之第2電位位準Vc(-）以後之保持期間之電位差時， 較佳係在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分 增大(式4)所示之Θ値。 17 _______________ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^•: 訂·· A7 1293132 ____B7_ 五、發明說明（Ik β = a gd-l· a st(A Vcc/Δ Vgon) ···(式 4) (式中’ △Vgon=Vgon—Vgoff ’ Δν(χ=[Δν(：(+) + Δ Vc(- )]/2 ···(式 5)) 這種情形，在前述^之畫面內，離供電端近之部分之 値設爲3(0)，在前述/5之畫面內，離供電端遠之部分之値 設爲/3(E)，把相當於這些距離中間部分之値設爲点（M)時 ，較佳係前述冷〇^)比[/5(〇)+/3卬)]/2大。 又，較佳係Vcc爲負値。 在第2顯示裝置中，當選擇某掃描電極時，前述掃描 電極之電位成爲第1電位位準Vgon ’在未選擇前述掃描電 極之保持期間中，前述掃描電極之電位大致成爲第2電位 位準Vgoff ; 在連接於複數像素(屬於前述掃描電極）之像素電極之 儲存電容另一側連接端之共通電極電位中， 當前述第1共通電極之電位選擇前述掃描電極時’當 影像信號電極(對應前述第1共通電極)所施加之影像信號 極性爲正時，成爲第1電位位準Vc(+)，當前述影像信號 極性爲負時，成爲第2電位位準Vc(-）； 當前述第2共通電極之電位選擇前述掃描電極時’當 影像信號電極(對應前述第2共通電極)所施加之影像信號 極性爲正時，成爲第1電位位準Vc( + ) ’當前述影像丨§號 極性爲負時，成爲第2電位位準Vc(—）； 當用Δν(；(+)來表示前述共通電極之第1電位位準Vc( + )以後之保持期間之電位差，用AVc(-）來表示前述共通 18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) t: . i線· A7 1293132 ___B7__—---- 五、發明說明（0) 電極之第2電位位準Vc(-）以後之保持期間之電位差時’ 較佳係在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分 減小(式2)所示之r値’ y = a stVcp/2 ···(式 2) (式中，Vcp= △ Vc(+)— △ Vc(—) ···(式 3)) 且較佳係在畫面內’離供電端遠的部分比離供電V而近 的部分增大(式4)所示之/3値。 β = a gd + a st( Δ Vcc/ Δ Vgon) …（式 4) (式中，△VgonsVgon—Vgoff，Δνα=[Δν(：( + ) + △ Vc(—）]/2 ···(式 5)) 爲了達成前述目的，有關本發明之第3顯示裝置係具 有：配置成陣列狀之複數像素電極、連接於複數像素電極 之開關元件、掃描電極、影像信號電極、共通電極、*** 於前述像素電極與前述共通電極間之顯示介質、及儲存電 容(透過前述顯示介質，形成於前述共通電極(與前述像素 電極對向)及該段前述掃描電極以外之電極與前述像素電極 間），其特徵在於： 當用Cgd來表示前述像素電極與前述掃描電極間之掃 描電極-像素電極間電容，用Clc來表示前述像素電極與前 述共通電極間之共通電極-像素電極間電容，用Ctot來表示 電氣連接於前述像素電極之全部電容之總和時，在畫面內 ，離供電端近的部分與離供電端遠的部分，將(式6)所示之 agd及a st同時設定爲不同之値。 a gd= Cgd/Ctot j a lc = Clc/Ctot …（式 6) 19 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐_) " ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 雄· 訂·- -線· 1293132 A7 _____B7__ 五、發明說明（A) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又’第3顯示裝置較佳係對應顯示週期，具有影像信 號驅動電路，將2種不同極性之影像信號施加於影像信號 電極。 又，第3顯示裝置較佳係具有：共通電極電位控制電 路(將電壓信號施加於複數共通電極)與掃描信號驅動電路( 將電壓信號施加於複數掃描電極），前述共通電極電位控制 電路係至少具有2値之輸出電位位準，前述掃描信號驅動 電路係至少具有2値之輸出電位位準。 在第3顯示裝置中，當選擇某掃描電極時，前述掃描 電極之電位成爲第1電位位準Vgon，在未選擇前述掃描電 極之保持期間中，前述掃描電極之電位大致成爲第2電位 位準Vgoff ; --線- 透過複數像素（屬於前述掃描電極）之像素電極與顯示 介質而形成對向之共通電極電位，係在選擇前述掃描電極 時，當影像信號極性爲正時，成爲第1電位位準Vc( + )， 當影像信號極性爲負時，成爲第2電位位準Vc(-）ϊ 當用Δν(：( + )來表示前述共通電極之第1電位位準Vc( + )以後之保持期間之電位差，用AVc(-）來表示前述共通 電極之第2電位位準Vc(-）以後之保持期間之電位差時’ 較佳係在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分 減小(式7)所示之r値。 γ = a lcVcp/2 ···(式 7) (式中，Vcp= △ Vc( +)— △ Vc(—) ···(式 8)) 這種情形，在前述r之畫面內，離供電端近之部分之 20 張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G x 297公 A7 1293132 __B7__ 五、發明說明（ή) 値設爲r (〇)，在前述r之畫面內’離供電端遠之部分之値 設爲r (E)，把相當於這些距離中間部分之値設爲r (M)時 ，較佳係前述r (M)比[r (〇)+ r (e)]/2小。 又，較佳係前述Vcp爲負値。 在第3顯示裝置中，當選擇某掃描電極時’前述掃描 電極之電位成爲第1電位位準Vgon，在未選擇前述掃描電 極之保持期間中，前述掃描電極之電位大致成爲第2電位 位準Vgoff ; 透過複數像素（屬於前述掃描電極）之像素電極與顯示 介質而形成對向之共通電極電位’係在選擇前述掃描電極 時，當影像信號極性爲正時，成爲第1電位位準Vc(+)， 當影像信號極性爲負時，成爲第2電位位準Vc 當用Δν〇(+)來表示前述共通電極之第1電位位準Vc( + )以後之保持期間之電位差，用AVc(-）來表示前述共通 電極之第2電位位準Vc(-）以後之保持期間之電位差時， 較佳在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分增 大(式9)所示之冷値。 β = a gd+ α lc(A Vcc/Δ Vgon) …（式 9) (式中，△Vgon^Vgon—Vgoff，Δνπ=[Δν(：(+) + △ Vc(—)]/2 ···(式 10)) 這種情形，在前述θ之畫面內，離供電端近之部分之 値設爲3(0)，在前述Θ之畫面內，離供電端遠之部分之値 設爲/9(E)，把相當於這些距離中間部分之値設爲沒（Μ)時 ，較佳係前述y5(M)比[/3(0)+沒（Ε)]/2大。 21 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . --線· A7 1293132 B7________ 五、發明說明（V13) 又，較佳係前述A Vcc爲負値。 在第3顯示裝置中，當選擇某掃描電極時，前述掃描 電極之電位成爲第1電位位準Vgon，在未選擇前述掃描電 極之保持期間中，前述掃描電極之電位大致成爲第2電位 位準Vgoff ; 透過複數像素（屬於前述掃描電極）之像素電極與顯示 介質而形成對向之共通電極電位，係在選擇前述掃描電極 時，當影像信號極性爲正時，成爲第1電位位準Vc( + ) ’ 當影像信號極性爲負時，成爲第2電位位準Vc(-）； 當用△ Vc(+)來表示前述共通電極之第1電位位準Vc( + )以後之保持期間之電位差，用AVc(-）來表示前述共通 電極之第2電位位準Vc(-）以後之保持期間之電位差時， 較佳係在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分 減小(式7)所示之r値’ γ = a lcVcp/2 ···(式 7) (式中，Vcp= △ Vc(+)— △ Vc(—） ···（式 8)) 且，較佳係在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端 近的部分增大(式9)所示之/3値。 β = a gd+ a lc( A Vcc/Δ Vgon) ···(式 9) (式中，△VgonsVgon — Vgoff，Δν(^=[Δν〇(+) + Δ Vc(-)]/2 ···(式 10)) 爲了達成前述目的，有關本發明之第4顯示裝置係具 有：配置成陣列狀之複數像素電極、連接於複數像素電極 之開關元件、掃描電極、影像信號電極、共通電極、*** 22 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 雄· 訂： --線· A7 1293132 _____B7_ 一 五、發明說明) 於前述像素電極與前述共通電極間之顯示介質、及儲存孀： 容(透過前述顯示介質，形成於前述共通電極(與前述像^ 電極對向)及該段前述掃描電極以外之電極與前述像素電極 間）；透過複數像素(屬於某1前述掃描電極)之前述像素電 極與前述顯示介質而形成對向之複數電極係具有複數個’ 其特徵在於： 當用Cgd來表示前述像素電極與前述掃描電極間之掃 描電極-像素電極間電容，用Clc來表示前述像素電極與前 述共通電極間之共通電極-像素電極間電容，用Ctot來表示 電氣連接於前述像素電極之全部電容之總和時，在畫面內 ，離供電端近的部分與離供電端遠的部分，將(式6)所示之 agd及a st同時設定在不同之値。 a gd= Cgd/Ctot，a lc= Clc/Ctot "/(^6) 第4顯示裝置較佳係具有影像信號驅動電路，該影像 信號驅動電路係將2種不同極性之影像信號同時施加於複 數影像信號電極，且對應顯示週期，將2種不同極性之影 像信號施加於各個前述影像信號電極。 又，第4顯示裝置較佳係在屬於某1個掃描電極之複 數像素中，具有第1共通電極與第2共通電極；第1共通 電極係透過像素電極(屬於施加第1極性影像信號之影像信 號電極之像素)與顯示介質而形成對向；第2共通電極係與 前述第1共通電極不同，透過像素電極(屬於施加第2極性 影像信號之影像信號電極之像素)與顯示介質而形成對向。 又，第4顯示裝置較佳係具有：共通電極電位控制電 23 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項矜填寫本頁) 雄·
^1 1 n I ϋ n H^一^I ϋ I i^i I n ·ϋ I I ft— n n ϋ ·1_— I .^1 ϋ ·ϋ ϋ I n n ϋ ϋ -ϋ ϋ ϋ ϋ βϋ I A7 1293132 __B7_____ 五、發明說明（>L) 路(將電壓信號施加於複數共通電極)與掃描信號驅動電路( 將電壓信號施加於複數掃描電極），前述共通電極電位 電路係至少具有2値之輸出電位位準，前述掃描信號驅動 電路係至少具有2値之輸出電位位準。 在第4顯示裝置中，當選擇某掃描電極時，前述掃描 電極之電位成爲第1電位位準Vgon，在未選擇前述掃描電 極之保持期間中，前述掃描電極之電位大致成爲第2 位準Vgoff ; 在透過複數像素（屬於前述掃描電極）之像素電極與1 頁 示介質而形成對向之共通電極中， 前述第1共通電極電位係在選擇前述掃描電極時’當 影像信號(施加於對應前述第1共通電極之影像信號電1極) 極性爲正時，成爲第1電位位準Vc(+)，當前述影像信號 極性爲負時，成爲第2電位位準Vc(-）； 前述第2共通電極電位係在選擇前述掃描電極時’當 影像信號(施加於對應前述第2共通電極之影像信號電極) 極性爲正時，成爲第1電位位準Vc(+)，當前述影像信號 極性爲負時，成爲第2電位位準Vc(-）； 當用Δν〇(+)來表不則述共通電極之弟丨鼠位彳乂準Vc( + )以後之保持期間之電位差，用AVc(-）來表示前述共通 電極之第2電位位準Vc(-）以後之保持期間之電位差時’ 較佳係在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分 減小(式Ό所示之r値。 γ = a lcVcp/2 ···(式 7) 24 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
I I 11---訂·1111111 *5^ I •丨 A7 1293132 ____B7____ 五、發明說明(Vl) (式中，Vcp= △ Vc(+) — △ Vc(—) ···(式 8)) 這種情形，當在前述r之畫面內，離供電端近之部分 之値設爲τ (〇)，在前述τ之畫面內，離供電端遠之部分之 値設爲r (E)，把相當於這些距離中間部分之値設爲r (M) 時，較佳係前述r(M)比[r (〇)+ r (e)]/2小。 又，較佳係Vcp爲負値。 在第4顯示裝置中，當選擇某掃描電極時，前述掃描 電極之電位成爲第1電位位準Vgon，在未選擇前述掃描電 極之保持期間中，前述掃描電極之電位大致成爲第2電位 位準Vgoff ; 在透過複數像素（屬於前述掃描電極）之像素電極與顯 示介質而形成對向之共通電極中， 當用Δνα+)來表示前述共通電極之第1電位位準Vc( + )以後之保持期間之電位差，用AVc(-）來表示前述共通 電極之第2電位位準Vc(-）以後之保持期間之電位差時’ 較佳係在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分 增大(式9)所示之/5値。 β = a gd+ α lc(A Vcc/Δ Vgon) …（式 9) (式中，△VgonsVgon—Vgoff，Δνπ=[Δν〇(+) + Δ Vc(-)]/2 ···(式 10)) 這種情形，在前述θ之畫面內，離供電端近之部分之 値設爲/3(0)，在前述/5之畫面內，離供電端遠之部分之値 設爲/3 (Ε)，把相當於這些距離中間部分之値設爲々（Μ)時 ，較佳係前述/3(Μ)比[/3(0)+ 々（Ε)]/2大。 25 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------訂------I — *^1 - 1293132 B7
五、發明說明（D 又，較佳係AVcc爲負値。 在第4顯示裝置中，當選擇某掃描電極時，前述掃描 電極之電位成爲第1電位位準Vgon，在未選擇前述掃描電 極之保持期間中，前述掃描電極之電位大致成爲第2電位 位準Vgoff ; 在透過複數像素(屬於前述掃描電極）之像素電極與顯 示介質而形成對向之共通電極中， 前述第1共通電極之電位係在選擇前述掃描電極時’ 當影像信號(施加於對應前述第1共通電極之影像信號電_ )極性爲正時，成爲第1電位位準Vc(+)，當前述影像信號 極性爲負時，成爲第2電位位準Vc(-）； 前述第2共通電極電位係在選擇前述掃描電極時’當 影像信號(施加於對應前述第2共通電極之影像信號電極) 極性爲正時，成爲第1電位位準Vc(+)，當前述影像信號 極性爲負時，成爲第2電位位準Vc(-）； 當用Δνα+)來表示前述共通電極之第1電位位準Vc( + )以後之保持期間之電位差，用AVc(-）來表示前述共通 電極之第2電位位準Vc(-）以後之保持期間之電位差時， 較佳係在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分 減小(式7)所示之^値。 T = a lcVcp/2 ···(式 7) (式中，Vcp= △ Vc(+) — △ Vc(—） ···（式 8)) 且，較佳係在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端 近的部分增大(式9)所示之/3値。 26 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-------訂---------I A7 1293132 _B7_ 五、發明說明（^) V/’ β = a gd+ α lc(A Vcc/Δ Vgon) …（式 9) (式中，Δν^οη^^λ^οη—Vgoff，Δνίχ=[Δν(：(+) + Δ Yc(-)]/2 ···(式 10)) 在第1及第2顯示裝置中，前述顯示介質爲液晶。 這種情形，前述像素電極與前述對向電極係挾著液晶 層，形成平行平板電容之構造。 在第3及第4顯示裝置中，前述顯示介質爲液晶。 這種情形，前述共通電極係形成於與前述像素電極同 一基板上，藉由與前述基板平行之電場，使前述液晶動作 〇 從第1顯示裝置到第4顯示裝置中，較佳係構成前述 Ctot電容中之至少一種電容具有藉由2個導電層或半導體 層挾入絕緣層而形成之電容，在畫面內，離供電端近的部 分與離供電端遠的部分，使前述2個導電層或半導體層之 重疊面積不同，藉此離供電端近的部分與離供電端遠的部 分，將a st或a lc、及a gd設定在不同之値。 爲了達成前述目的，有關本發明之顯示裝置之第1驅 動方法，係驅動第1或第2顯示裝置之方法，其特徵在於 在前述像素電極，透過前述開關元件，將電位寫入後 ，將透過前述Cst且在畫面內，在離供電端近的部分與離 供電端遠的部分具有不同値之電壓予以重疊。 在第1驅動方法中，較佳係當選擇某掃描電極時，連 接於複數像素(屬於前述掃描電極）之像素電極之儲存電容 27 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --- - I I I 訂---------I ' A7 1293132 _B7__ 五、發明說明（>i) 另一側連接端之共通電極，當影像信號極性爲正時，施加 第1電位位準Vc(+)，當影像信號極性爲負時，施加第2 電位位準Vc( —)。 爲了達成前述目的，有關本發明之顯示裝置之第2驅 動方法，係驅動第3或第4顯示裝置之方法，其特徵在於 在前述像素電極，透過前述開關元件，將電位寫入後 ，將透過前述Clc且在畫面內，在離供電端近的部分與離 供電端遠的部分具有不同値之電壓予以重疊。 在第2驅動方法中，較佳係當選擇某掃描電極時，在 透過複數像素（屬於前述掃描電極）之像素電極與顯示介質 而形成對向之共通電極中，當影像信號極性爲正時，施加 第1電位位準Vc( + )，當影像信號極性爲負時，施加第2 電位位準Vc(-）。 爲了達成前述目的，有關本發明之第5顯示裝置係藉 由像素電極之電位，來控制施加於顯示介質之電壓，且將 正負兩極性之電壓施加於前述顯示介質，藉此來進行顯示 者，其特徵在於： 從前述像素電極以外之電極，將電容耦合電壓重疊於 前述像素電極，在將正極性電壓施加於前述顯示介質之情 形與將負極性電壓施加於前述顯示介質之情形，使前述電 容耦合電壓在顯示領域內之分布不同。 在第5顯示裝置中，前述像素電極以外之電極爲共通 電極。 28 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 雄· ---1 — 1 訂---------L. A7 1293132 _B7__ 五、發明說明（/]) 爲了達成前述目的，有關本發明之第6顯示裝置係具 有：配置成陣列狀之複數像素電極、連接於複數像素電極 之開關元件、掃描電極、影像信號電極、共通電極、對向 電極、***於前述像素電極與前述對向電極間之顯示介質 、及形成於前述像素電極與前述共通電極間之儲存電容， 其特徵在於： 將來自前述掃描電極之電容耦合電壓與來自前述共通 電極之電容耦合電壓，在畫面內具有分布，藉此同時補正 閃爍及亮度不均。 爲了達成前述目的，有關本發明之第7顯示裝置係具 有：配置成陣列狀之複數像素電極、連接於複數像素電極 之開關元件、掃描電極、影像信號電極、共通電極、*** 於前述像素電極與前述共通電極間之顯示介質、及儲存電 容(透過前述顯示介質，形成於前述共通電極(與前述像素 電極對向)及該段前述掃描電極以外之電極與前述像素電極 間），其特徵在於： 將來自前述掃描電極之電容耦合電壓與來自前述共通 電極之電容耦合電壓，在畫面內具有分布，藉此同時補正 閃爍及亮度不均。 爲了達成前述目的，有關本發明之第8顯示裝置係具 有：配置成陣列狀之複數像素電極、連接於複數像素電極 之開關元件、掃描電極、影像信號電極、共通電極、對向 電極、***於前述像素電極與前述對向電極間之顯示介質 、及形成於前述像素電極中之任一前述共通電極間之儲存 29 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) «· --I----訂---------」 1293132 A7 __B7______ 五、發明說明（#) 電容，其特徵在於： 連接於複數像素(屬於某一前述掃描電極）之前述像素 電極之前述儲存電容另一側連接端之前述共通電極具有複 數個。 爲了達成前述目的，有關本發明之第9顯示裝置係具 有：配置成陣列狀之複數像素電極、連接於複數像素電極 之開關元件、掃描電極、影像信號電極、共通電極、*** 於前述像素電極與前述共通電極間之顯示介質，其特徵在 於： 透過複數像素（屬於某一前述掃描電極）之前述像素電 極與前述顯示介質而形成對向之前述共通電極具有複數個 〇 爲了達成前述目的，有關本發明之第1顯示元件係具 有：配置成陣列狀之複數像素電極、連接於複數像素電極 之開關元件、掃描電極、影像信號電極、共通電極、對向 電極、***於前述像素電極與前述對向電極間之顯示介質 、及形成於前述像素電極與前述共通電極間之儲存電容’ 其特徵在於·’ 當用Cgd來表示前述像素電極與前述掃描電極間之掃 描電極-像素電極間電容，用Cst來表示前述像素電極與前 述共通電極間之共通電極-像素電極間電容，用Ctot來表示 電氣連接於前述像素電極之全部電容之總和時，在畫面內 ，離供電端近的部分與離供電端遠的部分，係將(式1)所示 之a gd及a st同時設定爲不同之値。 30 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ! !丨訂--------- 1293132 A7 _ _B7__ 五、發明說明（4) 〇t gd= Cgd/Ctot 5 a st= Cst/Ctot ···(式 1) 爲了達成前述目的，有關本發明之第2顯示元件係具 有：配置成陣列狀之複數像素電極、連接於複數像素電極 之開關元件、掃描電極、影像信號電極、共通電極、對向 電極、***於前述像素電極與前述對向電極間之顯示介質 、及形成於前述像素電極與任一前述共通電極間之儲存電 容；連接於複數像素(屬於某一前述掃描電極）之前述像素 電極之則述儲存電谷另一^側連接端之前述共通電極具有複 數個，其特徵在於： 當用Cgd來表示前述像素電極與前述掃描電極間之掃 描電極-像素電極間電容，用Cst來表示前述像素電極與前 述共通電極間之共通電極像素電極間電容，用Ctot來表示 電氣連接於前述像素電極之全部電容之總和時，在畫面內 ，離供電端近的部分與離供電端遠的部分，將(式υ所示之 a gd及a st同時設定爲不同之値。 a gd= Cgd/Ctot j a st = Cst/Ctot ···(式 1) 爲了達成前述目的，有關本發明之第3顯示元件係具 有：配置成陣列狀之複數像素電極、連接於複數像素電極 之開關元件、掃描電極、影像信號電極、共通電極、*** 於前述像素電極與前述共通電極間之顯示介質、及儲存電 容(透過前述顯示介質，形成於前述共通電極（與前述像素 電極對向)及該段前述掃描電極以外之電極與前述像素電極 間），其特徵在於： 當用Cgd來表示前述像素電極與前述掃插電極間之掃 31 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " - <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — — — — — II ·11111111 — I1IIIIIIIII1 — — — — — — — — . A7 1293132 ___B7____ 五、發明說明（ye) 描電極-像素電極間電容’用cic來表示前述像素電極與前 述共通電極間之共通電極-像素電極間電容，用Ctot來表示 電氣連接於前述像素電極之全部電容之總和時’在畫面內 ，離供電端近的部分與離供電端遠的部分’將(式6)所示之 agd及ale同時設定於不同之値。 a gd= Cg(i/Ctot j a st= Clc/Ctot ···(式 6) 爲了達成前述目的’有關本發明之第4顯示元件係具 有：配置成陣列狀之複數像素電極、連接於複數像素電極 之開關元件、掃描電極、影像信號電極、共通電極、*** 於前述像素電極與前述共通電極間之顯示介質、及儲存電 容(透過前述顯示介質，形成於前述共通電極(與前述像素 電極對向)及該段前述掃描電極以外之電極與前述像素電極 間）；透過複數像素(屬於某一前述掃描電極)之前述像素電 極與前述顯示介質而形成對向之前述共通電極具有複數個 ，其特徵在於： 當用Cgd來表示前述像素電極與前述掃描電極間之掃 描電極-像素電極間電容，用Clc來表示前述像素電極與前 述共通電極間之共通電極-像素電極間電容，用Ctot來表示 電氣連接於前述像素電極之全部電容之總和時，在畫面內 ，離供電端近的部分與離供電端遠的部分，係將(式6)所示 之agd及ale同時設定於不同之値。 a gd= Cgd/Ctot 5 a lc= Clc/Ctot ···(式 6) 爲了達成前述目的，有關本發明之第10顯示裝置係具 有··配置成陣列狀之複數像素電極、連接於複數像素電極 32 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — — — — — — — «II — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — III — — — — . A7 1293132 __B7__ 五、發明說明（々ί) 之開關元件、掃描電極、影像信號電極、共通電極、對向 電極、***於前述像素電極與前述對向電極間之顯示介質 、及形成於前述像素電極與前述共通電極間之儲存電容， 其特徵在於： 前述掃描電極係只從顯示領域之單側來供電，前述共 通電極至少係在前述顯示領域，在與供電前述掃描電極之 相反側邊固定電位； 當用Cgd來表示前述像素電極與前述掃描電極間之掃 描電極-像素電極間電容，用Cst來表示前述像素電極與前 述共通電極間之共通電極-像素電極間電容，用Ctot來表示 電氣連接於前述像素電極之全部電容之總和時，當(式101) 所示之agd在顯示領域內，離前述掃描電極之供電端最遠 部分之値設爲agd(F)時，在顯示領域內，離前述掃描電極 之供電端最遠的部分與離供電端最近的部分之間，存在α gd値比a gd(F)値大的位置。 a gd=Cgd/Ctot ···(式 101) 爲了達成前述目的，有關本發明之第11顯示裝置係具 有：配置成陣列狀之複數像素電極、連接於複數像素電極 之開關元件、掃描電極、影像信號電極、共通電極、插Λ 於前述像素電極與前述共通電極間之顯示介質、及儲存電 容(透過前述顯不介質，形成於前述共通電極(與前述像素 電極對向)及該段前述掃描電極以外之電極與前述像素電極 間），其特徵在於： 前述掃描電極係只從顯示領域之單側來供電，前述共 33 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)Α4規格（210 X 297公釐）~ " ' ----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
mMMt I I n n 1i in ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ I I ϋ 1 n ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ n I ·ϋ ϋ n ϋ II ϋ n I A7 1293132 ___B7 _ 五、發明說明（jV) 通電極至少係在前述顯示領域’在與供電前述掃描電極之 相反側邊固定電位； 當用Cgd來表示前述像素電極與前述掃描電極間之掃 描電極-像素電極間電容’用Clc來表示前述像素電極與前 述共通電極間之共通電極-像素電極間電容，用Ctot來表TfC 電氣連接於前述像素電極之全部電容之總和時，當(式101) 所示之agd在顯示領域內’離前述掃描電極之供電端最遠 部分之値設爲^gd(F)時’在顯示領域內，離供電端最遠的 部分與離供電端最近的部分之間’存在agd値比agd(F)大 的位置。 a gd= Cgd/Ctot ···(式 101) 在第1顯示裝置〜第4顯示裝置中，較佳係在將正極 性之影像信號充電於前述像素電極後之保持期間、與將負 極性之前述影像信號充電於前述像素電極後之保持期間， 共通電極電位不同。 又，在第1顯示裝置〜第4顯示裝置中，較佳係前述 掃描信號驅動電路在複數行同時進行寫入。 這種情形，前述顯示介質爲0CB模式之液晶。 又，在第1顯示裝置〜第4顯示裝置中，較佳係前述 掃描信號驅動電路與前述共通電極電位控制電路皆組裝於 與前述開關元件相同之基板內。 又，在第1顯示裝置〜第4顯示裝置中，較佳係前述 顯示介質係由藉由電流來控制光學狀態之介質與輔助開關 元件所構成。 34 $^尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱)~-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線！ 1293132 A7 ___B7__ 五、發明說明（^) 這種情形，藉由電流來控制光學狀態之前述介質爲電 致發光介質。 若依上述構成的話，在主動陣列型之液晶顯示裝置中 ，就能大福減低閃爍或亮度不均。又，亦可採用點反轉/列 反轉型之像素構成，可抑制水平串訊。 因此，因可減低大型高解像度之液晶顯示裝置之驅動 電壓/消耗電力，及大幅提高均勻性，故產業上之價値極大 0 【發明之較佳實施形態】 (習知例之問題點分析） 在敘述本發明之實施形態具體例之前，如習知技術所 述，就詳細解析第1問題點(隨著畫面尺寸變大，閃爍與亮 度不均變明顯)發生原因之結果加以敘述。 又，以下，只要沒有特別說明，則假定掃描信號(施加 於掃描電極之驅動信號)及共通電極控制信號係從畫面兩側 供電之情形。因此，在畫面內，離掃描電極(及共通電極) 供電端近的部分，即，如文字所述，稱畫面兩端部分爲「 離供電端近的部分」，稱畫面中央爲「離供電端遠的部分 j ° 第一、就考察該問題時所必須考察之再充電現象加以 說明。 現在，例如，在圖15中，著眼於在選擇掃描電極後， 當電位從Vgon移行到Vgoff時。在離供電端近的部分，這 種電壓變化迅速產生，但在離供電端遠的部分，因掃描電 35 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
—I I ϋ n n ϋ n』δν 0 ϋ i^i ·_1 11 I I I ϋ n n I n i n I an aaai aemmmw n n_i Bn 1 I- n ϋ ϋ n I 1293132 B7 五、發明說明〇7吟） 極本身所具有之CR時間常數而使波形產生失真，電位之 推移變成穩定(但，Vc係在從Vc(±)變化到Vcoff前，掃描 電極電位之推移大致完成）。若在離供電端近的部分與離供 電端遠的部分，描繪掃描電極電位波形之樣子的話，則如 圖17之Vg所示。像素電極電位Vd係在充電完成之時點 ，大致等於影像信號電壓Vsig(+)或Vsig(-）(圖17中係表 示Vsig( + )正之情形），因藉由圖14電路之Cgd來進行電 容耦合，故隨著Vg之變化而變動。當Vg從Vgon變化到 Vgoff時，隨著耦合電容Vd之變化部分AVa係不管離供電 端之距離，能用以下之(式15)來表示。 Δ Va= - (Cgd/Ctot)(Vgon — Vgoff) (式中 ’ Ctot = Cgd+Clc + Cst) ···(式 15) 這種電壓變化部分△ Va稱爲饋通(feed through)。 這種電壓値係不管影像信號之極性，爲大致相同的値 〇 又，當掃描電極電位下降時，TFT並不是馬上變成 OFF之狀態，而是當通過切換臨限値(僅比影像信號電極電 位高臨限値電壓部分之電位)時，最初變成〇FF(但，TFT之 影像信號電極電位係在最遲向下一掃描期間電壓最初移行 前，成爲OFF狀態）。因此，在從掃描電極電位開始下降到 通過切換臨限値前之有限時間（圖Π中，To或Te所示之期 間），把饋通所產生之影像信號電極-像素電極間(TFT之源 極-汲極間)之電位差當作補償，在TFT流著電流。因此， 像素電極電位實際變化部分之絕對値係比I AVa |小。若 36 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ~ " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) %_ ----— II 訂 -----II 線 — · A7 1293132 ___B7__ _ 五、發明說明（Ά 用AVb來表示TFT所流之電流所產生之電位差的話，則像 素電極電位之變化部分爲Δνα+Δν!)。圖17係合倂表示 此時之像素電極電位Vd變化之樣子。離掃描信號驅動電 路之供電端越遠，Vg之波形越平穩，因TFT變成OFF前 之時間變長，故一般係AVb離供電端越遠變越大。又，此 時，TFT所流之電流稱爲再充電電流，藉由這種再充電電 流所產生之電壓差Δνΐ)稱爲再充電電壓。 又，以上所述之切換臨限値係在偶數圖框(充電正極性 之影像信號時)與奇數圖框(充電負極性之影像信號時），成 爲不同之値。當掃描電極電位從Vgon移行到Vgoff時，若 就分別之正極性、負極性，來描繪切換臨限値位準的話， 則如圖18所示。以圖18爲基準，若分別就離供電端近的 部分與離供電端遠的部分，就正負各極性來表示TFT變成 OFF前之時間，即，產生再充電之期間（相當於上述之To 或Te)的話，則成爲下側之條形圖。條形圖之長度與再充 電電流，即，與再充電電壓的大小大致對應，故將離供電 端近的部分之正極性及負極性時之再充電電壓分別設爲△ Vb(0，+ )及Δνΐ)(0)，離供電端遠的部分之正極性及負極性 時之再充電電壓分別設爲△Vb(E，+ )及Δνΐ3(Ε)，則可知有 以下之(式16)之關係。 △ Vb(〇，+ )< △ Vb(E，+ ) △ Vb(〇)< △ Vb(E) △ Vb(〇，+ ) — △ Vb(〇)> △ Vb(E，+ ) — △ Vb(E) …(式16) 37 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公t ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---!|1 訂 ---------丨· A7 1293132 ____B7___ 五、發明說明 又，若把上述當做參考的話，在此，爲了簡化，在偶 數圖框與奇數圖框中，雖掃描電極電位之下降波形係相同 ，但有時可能亦未必相同。特別是，若考慮TFT通道電容 之非線性(比TFT ON時之閘極-源極電容，或TFT OFF時之 閘極-汲極間電容大）的話，則在外表上，負極性影像信號 之電容變大，因此，掃描電極電位下降之CR時間常數變 大，掃描電極電位下降也變慢。但是，在這種情形下，（式 16)之關係亦可以成立。 第二，就閃爍及亮度不均與再充電電壓之關係，用數 學式加以說明。現在，離供電端近的部分與離供電端遠的 部分之像素電極保持電位之値Vdo(0，+ )、Vdo(O)、及 Vdo(E，+ )、Vdo(E)係將上述再充電之效果施加於(式12)， 如(式17)所示。
Vdo(0, + ) = Ysig(+ )— a stA Vc( + )— a gd △ Vgon+ △ Vb(〇，+ )
Vdo(0) = Vsig(— )— a st A Vc( — )— a gd △ Vgon+ △ Vb(〇）
Vdo(E? + ) = Vsig(+ ) — astAVc(+) — agd △ Vgon+ △ Vb(E，+ )
Vdo(E) = Vsig( — )— a stA Vc( — )— a gd Δ Vgon+ Δ Vb(E) …(式17) 在(式17)中，若計算離供電端近的部分與離供電端遠 的部分之像素電極電位之DC平均位準Vdc(O)、Vdc(E) ' 38 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) % I ϋ emmmm n n n n-^.^· n ϋ ·ϋ l n ϋ k—9 I 線」 .ϋ ϋ n I n I n ϋ n ϋ ϋ n l 1 ϋ ϋ I n ϋ ϋ n _ 1293132 B7 五、發明說明（Yb 分，這種電位降低變小，但離共通電極供電端遠的部分， 這種電位降低變大。若共通電極電位降低的話，因電極電 位之拉伸，使像素電極電位進一步降低。這樣的話’與假 定共通電極電位完全不變化時比較起來，大的再充電電流 係流向像素電極。因此，離供電端遠的部分之像素電極保 持電位比離供電端近的部分格外變大，亮度不均與閃爍等 問題進一步變明顯。 (本發明之原理說明1 :減低亮度不均及閃爍之原理） 在進行以上之分析時，找到了用來消除亮度不均及閃 爍之手段。這種手段係本發明之內容。在a st及agd之値 中，係在畫面內，具有不均之値。以下、就其原理加以說 明。 現在，設a st及a gd在畫面內不一定(即，至少cgd、 Cst、及Clc中之任一個不一定）。而且，將離供電端近的部 分之a st及a gd分別設爲a st(0) ' a： gd(〇)，將離供電端遠 的部分之a st及a gd分別設爲a： st(E)、a gd(E)，式中， ”〇”係表示離供電端近的部分，”E”係表示離供電端遠的部 分。 分別就離供電端近的部分與離供電端遠的部分充電成 正及負之情形’右應用（式17)的旨舌’則可得到(式22)之4 個式。
Vdo(〇，+ ) = Vsig(+) — a st(〇）A Vc(+) -a gd(0)A Vgon+ Λ Vb(0, + )
Vdo(〇，-)=Vsig( — ) — a st(〇）A Vc( —) 41 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 勢_ 訂---------線丨一 A7
五、發明說明（1^) - a gd(〇)△ Vgon + △ Vb(〇，-） Vdo(E，+ )二 Vsig( + ) — a st(E) △ Vc( + ) 一 a gd(E) △ Vgon + △ Vb(E，+ ) 1293132
Vdo(E，—)— ast(E)AVc(一） 一 a gd(E) △ Vgon + △ Vb(E，一） …（式22) 又，此處，例如，所謂Vd〇(j，±)G = 〇或E)之表示係 有關位置= 離供電端近的部分，j = E—離供電端遠 的部分）之正充電時（+ )或負充電時（一）之里之思。關方<
Vsig(土）、△VbCiA)亦同樣。 習知技術之情形，△Vb之値因離供電端近的部分與離 供電端遠的部分而不同，因此’ Vd0亦同樣地不同’會產 生閃爍及亮度不均。至於本發明，係使ast及agd各兩個 値獨立變化，藉此變化來補正値之不同。首先’如( 式17)與（式18)所示，係與計算DC平均位準Vdc(O)、 Vdc(E)及施加液晶電壓有效値Veff(O)、Veff(E)時相同’若 根據(式22)來計算這些値的話，則可得到以下之(式23)。 Vdc(〇）=[Vdo(〇，+ ) + Vdo(〇，一）]/2 =[Vsig( + ) + Vsig(- )]/2— a st(0)A Vcc —a gd(0)A Vgon+ [Δ Vb(0, + ) + △ Vb(〇，一）]/2
Veff(O) = [Vdo(0, + ) — Vdo(0, 一 )]/2 =[Vsig(+ )- Vsig(- )]/2- a st(0)
Vcp/2 + [ △ Vb(〇，+ ) - △ Vb(〇，-)]/2 42 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） " " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------_________ A7 1293132 ___B7 ___ 五、發明說明（1^)
Vdc(E) = [Vdo(E, + ) + Vdo(E, —）]/2 =[Vsig(+) +Vsig(-)]/2- a st(E)A Vcc -a gd(E) Δ Vgon + [ Δ Vb(E, + ) + △ Vb(E, —）]/2
Veff(E) = [Vdo(E，+ ) - Vdo(E，一）]/2 =[Vsig(+ ) — Vsig(— )]/2— cl st(E)
Vcp/2 + [ △ Vb(E，+ ) — △ Vb(E，一）]/2 …(式23) 若根據(式23)，來計算離供電端近的部分與離供電端 遠的部分之施加液晶電壓有效値之g^Veff的話’則成爲( 式 24)。 Δ Veff= Veff(E)-Veff(O) =- [a st(E)- a st(0)]Vcp/2 + [Δ Vb(E, + ) —△ Vb(E，—）△ Vb(〇，+ ) + △ Vb(〇，—）]/2 =-[T (E)- r (0)]+[Δ Vb(E? + )- Δ Vb(E,-) —△ Vb(〇，+ )+ △ Vb(〇，一 )]/2 …(式24) 式中，r (〇)及r (e)係用以下之(式25)來表示。 7 (〇)=a st(〇)Vcp/2 7 (E)= a st(E)Vcp/2 …(式25) 又，同樣地，若計算DC平均位準之差AVcic的話， 則成爲以下之(式26)。 △ Vdc= Vdc(E) - Vdc(〇） 43 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I --------訂---------線 — 一 A7 1293132 _B7_ 五、發明說明 dh =—[a st(E) — a st(0)] Δ Vcc — [ a gd(E) -a gd(0)]A Vgon+ [Δ Vb(E, + ) + △ Vb(E，一 ) - △ Vb(〇，+ ) — △ Vb(〇，一）]/2 = -[β(Ε)- β (0)] Δ Vgon + [Δ Vb(E, + ) + △ Vb(E，一 ) - △ Vb(〇，+ ) — △ Vb(〇，一）]/2 …（式26) 式中，沒（〇)及/5(E)係用以下之(式27)來表示。 β (0)= a gd(0)+ a st(0)(A Vcc/Δ Vgon) /3 (E)= a gd(E)+ a st(E)(A Vcc/Δ Vgon) …(式27) 爲了完全消除亮度不均，在(式24)中，最佳係AVeff =0，選擇T(〇)與Τ(Ε)之關係，來滿足以下之(式28)。 7(E)- r (〇) =[Δ Vb(E, + )- Δ Vb(E?-)- AVb(0? + )+ AVb (〇，-)]/2 …（式28) 若根據(式16)之第3式的話，則(式28)之右邊爲負， 故較佳係r (◦)與r (E)之關係爲(式29)。 r (〇)> r (E) ··.(式 29) 其次，爲了完全消除閃爍，在(式26)中，較佳係AVdc 二0，選擇θ(0)與A(E)之關係，來滿足以下之(式30)。 [/3(E)- /?(〇)]△ Vgon =[△ Vb(E，+ )+ △ Vb(E，一）一 △ Vb(〇，+ )— △ Vb (〇，一 )]/2 44 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) %
—I ·ϋ n n n 1 n ov I ϋ IV ϋ n ϋ i^i I ϋ 11 n n ϋ n·* ϋ n n I— I Bn. I n In 1 Bn I i ϋ BB1 n n I 1293132 A7 ___B7 ____ 五、發明說明（M^) …(式30) 若根據(式16)之第1式、第2式的話，則(式28)之右 邊爲正，且Δν2οη亦爲正，故較佳係θ(〇)與3(E)之關係 爲以下之(式31)。 冷（〇)< /3(E) ···(式 31) 如以上所述，較佳係選擇r及/5，藉此能消除閃爍及 亮度不均。 若歸納以上所述，則用圖14的構造之陣列構成，用來 消除亮度不均及閃爍之條件係如以下所述。 [1] 用來消除亮度不均之必要條件 7之値係離供電端遠的部分必須比離供電端近的部分 小。 [2] 用來消除閃爍之必要條件 冷之値係離供電端遠的部分必須比離供電端近的部分 大。 又，在以上之條件中，係用省略附加字0及E之形態 來表不。 又，當然只要滿足必要條件[1]，不滿足[2]之構成即可 。只不過這種構成之情形，雖亮度不均變沒有，但閃爍仍 存在。在這種條件下，就強制消除閃爍之方法而言，雖考 慮對影像信號驅動電路所產生之影像信號，事先加以補正 ，但這種情形含有附加多餘之信號處理電路之意，使得成 本變高。 相反的，當然亦可只滿足必要條件[2]，不滿足[1]之構 45 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------訂------- ——線」 ^ ϋ I n I n I n l ϋ ·ϋ 1 n n n mmet meat ϋ I ϋ -ϋ < 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 1293132 A7 _____B7 __ 五、發明說明 成。只不過這種構成之情形，雖閃爍變沒有，但亮度不均 仍存在。在這種條件下，就強制消除亮度不均之方法而言 ’同樣地’雖考慮對影像信號驅動電路所產生之影像信號 ’事先加以補正，但這種情形仍含有附加多餘之信號處理 電路之意，使得成本變高。 相對地，最佳係同時滿足必要條件[1]及[2]之情形。這 樣的話’不需要用來事先補正影像信號之多餘的信號處理 電路，能得到無閃爍及亮度不均之高畫質影像，可使低成 本與高畫質並存。 又，當在離供電端近的部分與離供電端遠的部分，將 冷及7 (或a st及agd)設定在不同値時，這些値必須獨立變 化。因此，較佳係在離供電端近的部分與離供電端遠的部 分，將至少有賦予a st及a gd之電容値(換言之，構成Ctot 之電容値)Cst、Cgd、或Clc中之2種電容値設定在不同之 値，藉此使a st及a gd變化。 實際上，例如，設Cgd與Clc爲一定，在離供電端近 的部分(將此處之Cst値當作Cst(O))與離供電端遠的部分( 將此處之Cst之値當作Cst(E))，僅將Cst設定在不同之値 ，當Cst(〇)<Cst(E)時，若根據(式14)的話，則agd(〇）> a gd(E)，a st(〇)< a st(E) 〇 這樣的話，當 Vcp< 0，△ Vcc <〇(這種較佳條件容後補充說明）時，根據(式25)，成爲r (〇)> r (E)，根據(式27)，成爲/3(〇)> /3(E)。這樣的話， 雖能滿足(式29)，但不能滿足(式31)。因此，雖得到削減 亮度不均之效果，但得不到削減閃爍之效果。 46 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
I κ ϋ I I n I · H ϋ ϋ I I I I I I I I n 1 I n ϋ ^ I -I n ϋ n n I n n ϋ n I n I I A7 1293132 _____B7___一一 五、發明說明 (^) 相反的，當 Cst(〇)>Cst(E)時，則 r (〇)< r (E) ’ /5(0) <冷（E)，雖能滿足(式31)，但不能滿足(式29)。因此’雖 得到削減閃爍之效果，但得不到削減亮度不均之效果° % ，例如，設Cst與Clc爲一定，僅使Cgd變化時，也能導 入同樣的情形。設Cst與Cgd爲一定，使Clc變化之部分 沒問題。 稍詳細說明以上之情形。現在，當△ ^gd= agd(E)-a gd(〇）、及△ a st= a st(E)- a st(〇)時，若表示能同時滿 足(式29)及(式31)之△ agd及△ a st之範圍的話，則成爲 圖32之陰影線部(假定Vcp<0，AVccCO之情形）。相對 的，設Cgd與Clc爲一定，當在離供電端遠的部分與近的 部分只變更Cst時(Cst(0)#Cst(E))，則△ agd及△ ast能 用(式46)來表示。 Δ a gd= a gd(E)— a gd(0) =Cgd/(Cgd + Clc + Cst(E)) - Cgd /(Cgd+Clc + Cst(〇)） =-Cgd[Cst(E)-Cst(0)] /[(Cgd+ Clc+ Cst(E))(Cgd+ Clc + Cst(0))] Δ a st= a st(E)— a st(0) =Cst(E)/(Cgd + Clc + Cst(E)) - Cst(0) /(Cgd+Clc+Cst(0)) =(Cgd+ Clc)[Cst(E)- Cst(0)] /[(Cgd+ Clc + Cst(E))(Cgd+ Clc 47 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) %
ϋ -ϋ n n ϋ n^OJ· n n ai ϋ I n I I I I 1293132 A7 B7 五、發明說明（*) + Cst(〇))] ···(式 46) 由此可知，在Δα gd與△ 〇: st中，有(式47)之關係。 Δ α gd/Δ a st= - Cgd/(Cgd+ Clc) …（式47) 又，設Cst與Clc爲一定，當在離供電端遠的部分與 近的部分只變化Cgd時(Cgd(0)#Cgd(E))，若同樣考慮的話 ，則能得到(式48)之關係式。 △ α gd/Δ a st= — Cst/(Cst+ Clc) …（式48) 現在，因(式47)、（式48)之右邊爲負値，故若將這些 關係式附加於圖32的話，則全都通過原點，能用負之直線 來表示傾斜(原點除外）。因此，（式47)之直線全都沒在陰影 線部之領域與共通部分。即，當只變化Cst時與只變化
Cgd時，表示不能使削減閃爍效果與削減亮度不均效果並 存。 (本發明之原理2: /3及r之最佳分布） 又，以上所述係以離供電端近的部分與離供電端遠的 部分來處理，但就畫面內各位置之r及Θ變化之圖案而言 ’考慮了各種的方式。圖19係表示關於/3之若干例，圖 2〇係表示關於r之若干例。各圖形係在橫軸取畫面上之水 平位置，在縱軸表示/5或r之値。又，橫軸之〇、E、及Μ 係分別表示離供電端近的部分、離供電端遠的部分、及在 這些距離之中間部分。最容易考慮的係如圖19Α或圖20Α 48 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --I---—訂---I--— II I 一 -ϋ 1 n n i I I n 1 ϋ n ·ϋ I I ·1 ϋ I ϋ 1 A7 1293132 ____ B7_____ 一 五、發明說明（少1) 所示，係非線性變化之圖案。又，如圖19]B或圖20B所示 ，亦考慮非線性變化之方式，或如圖19C：或圖20C：所示， 亦可得到階段性地變化。或如圖19D或圖20D所示，亦可 考慮將一定之部分與具有某傾斜之部分混在一起。離供電 端近的部分與離供電端遠的部分之Θ及^之値在滿足（式 31)與(式29)之點全都共通。不管在甚麼情況下’都能得到 本發明之效果。 其中，如圖19B、圖19D、與圖20B、圖20D所示， 較佳係在離供電端近的部分與離供電端遠的部分之間，/5 係表示上凸之傾向情形，r係表示下凸之傾向情形。將其 理由表示如下。 現在，掃描電極能看作是具有RC分布電路常數之配 線。因此，將離供電端近的部分與離供電端遠的部分間整 個電容設爲C，將電阻設爲R，用圖21所示的5段之RC 電路，來等效表示掃描電極。較佳係將離掃描電極之供電 端近的部分與離供電端遠的部分間之部分成5等分，用圖 22所示之單位RC電路來分別表示，考慮串聯之電路。設 離掃描電極之供電端近的部分與離供電端遠的部分間之長 度爲L，則圖中之各接點電位VgO、Vgl、Vg2、Vg3、Vg4 ' Vg5、及VgE係分別相當於離供電端之距離爲0(離供電 端近的部分）、L/10、3L/10、L/2、7L/10、9L/10、及 L(離供 電端遠的部分)位置之電位。在離供電端近的端部係藉由掃 描信號驅動電路來供應電壓。在該圖21中，VgO係掃描信 號驅動電路之供應電壓，Rg係掃描信號驅動電路之內部阻 49 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） "" (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) !—訂·！------線」 A7 1293132 __ B7____ 五、發明說明（啦Γ) 抗。 又，圖19與圖20係假想從兩側供電情形之圖。因這 些圖係左右對稱，故僅左半部或右半部受注目來考慮的話 ，就足夠了。圖21之電路模型係相當於僅圖19與圖20之 左半部受到注目者。 在該電路中，當掃描電極電位下降時，即當Vg〇從 〇N位準Vgon逐步變化到OFF位準Vgoff時，各接點電位 之時間變化能以電路方程式來解。圖23係表示實際上進行 數値計算之結果。又，在此，在時間t=0之瞬間，設掃描 電極電位Vg〇移行Vgon—Vgoff，例如，當Rg=R/9， Vgon=25V，Vgoff=0V時，進行計算。橫軸係用CR來進 行規格化。 其次，如習知例所述，Cgd、Cst、及Clc等之電容爲 一定(不受位置影響），考察^Vb與位置如何同時變化。在 各點，像素構造係藉由圖14之電路來表示，較佳係就 Vg(n)而言，當施加VgO、Vg卜Vg2、…時，較佳係追蹤像 素電極電位Vd之時間變化。在該電路中，若假定Vc(n)、 Vf、及Vs爲一定電位，貝丨J Vd之時間變化能由(式32)來表 示。
Ids + Ctot · dVd/dt—Cgd · dVg(n)/dt=0 …（式32) 又，式中，Ctot=Cgd+Cgs+Clc。又，Ids 爲 TFT 之 源極•汲極間電流，假定是理想M0S之特性的話，則能用 (式33)來表示。 50 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ------訂--------·線 — 一 1293132 A7 _ B7_____ 五、發明說明（4)
Ids = k[{Vg(n)-Vs-Vt}2- {Vg(n)-Vd-Vt}2] (又，Vg(n) — VsgVt，Vg(n) —Vd—Vt)
Ids = k{Vg(n) — Vs — Vt}2 (又，Vg(n)-Vs^Vt，Vg(n) —Vd< Vt)
Ids= — k{Vg(n) —Vd—Vt}2 (又，Vg(n) —Vs<Vt，Vg(n) —Vd—Vt)
Ids= 0 (又，Vg(n) —Vs<Vt，Vg(n) —Vd<Vt) …(式33) 式中，k係表示TFT之充電能力，Vt係TFT之臨限値 。（式32)之初期條件係在t=0中，Vd=Vs，Vg(n)二Vgon 。又，經過充分時間後(t= 〇〇)，成爲Vg(n) = Vgoff，TFT 成爲OFF狀態，Ids = 0((式33)之第4式之情形），因此，Vd 變成一定値(根據(式32)，t=〇〇，導出dVd/dt=0)。藉由數 値計算來求出該Vd之最終穩定値Vdo，取未再充電時之最 終穩定値Vdo之値，即，在(式32)中，取設經常lds=0時 之 Vdo 之値，即，Vdo=Vs—(Cgd/Ctot)(Vgon — Vgoff)之差 値係相當於再充電電壓△ Vb。實際上，例如，設Vt=2V， Vs=6V，Cgd/Ctot=0.05，k=6><10—9A/V2，則圖 24 係表示 在各位置計算Δνΐ)値之結果。在該圖中，橫軸係設離供電 端近的部分爲”0”，離供電端遠的部分爲”1”，來進行規格 化的値。又，縱軸亦將離供電端遠的部分之爲AVb規格化 爲”1”。由該圖可知，再充電電壓之分布成爲上凸之形狀。 若產生這種再充電電壓之分布的話，這種分布所產生 51 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — II----訂------I I · I · -H 1 n 1· ϋ n n n n ϋ n I n ϋ ϋ ϋ ϋ I ϋ n _ A7 1293132 _B7_ 五、發明說明（P) 之像素電極之DC平均位準與施加液晶電壓有效値之分布 仍成爲圖24那樣之形狀(但，根據(式21)之右邊爲負亦能 推測施加液晶電壓有效値，使圖24上下逆轉而成者。DC 平均位準因(式20)之右邊爲正，故上下不反轉）。因此，用 來補正這些所產生之閃爍(因DC平均位準之分布而產生)與 亮度不均(施加液晶電壓有效値之分布而產生）之/3與r分 布圖亦趨近圖24之形狀，即，較佳係/5如圖19B所示，r 如圖20B所示(當然也可以如圖19D與圖20D所示）。 稍注視位於離供電端近的部分與遠的部分正好中間距 離之位置(以下，簡稱爲中間位置），試考慮以上之情形看 看。將離供電端近的部分之Θ及r値設/3 (〇)及r (〇)，將 離供電端遠的部分之/5及r値設0(E)及r(E)，將中間位置 之/3及r値設/5(M)及r (M)，則如圖19A與圖20A所示， 當附有線性傾斜時之中間位置之Θ及r値’係分別用Θ(μ) =[冷（〇）+ /5 (ε)]/2，及 r (M) = [r (〇）+ r (ε)]/2 來表示。 由此比較可知，當有效得到削減閃爍及亮度不均效果時， 即，在圖19Β、圖20Β與圖19D、圖20D之情形，係能滿 足以下之(式34)之關係時。 /5(Μ)> [冷（〇)+ θ(Ε)]/2 r (M)<[r (〇)+ r (ε)]/2 …(式34) 又，（式34)之第1式係有關閃爍之條件式，第2式係 有關亮度不均之條件式。 若在滿足(式29)與(式31)之條件下’又能滿足(式34) 52 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) % — II---- 訂.-----I--線 — 一 1293132 A7 _ B7__ 五、發明說明（约） 的話’就能充分得到削減上述之閃爍及亮度不均之效果。 例如，/3之情形，係如圖25Α，圖25所示，關於離供電端 之距離，有時未必單調增加，而且在極端之情形，如圖 25Α所示，/3 (Μ)可能超出θ (Ε)。但是，在這些情形下，亦 可得到削減閃爍及亮度不均之效果。關於7之情形，也能 得到上述同樣得效果。 (有關原理之補充事項1 : Vcp與Δνα) 又，就(式19)之Vcp加以補充。在有關(式18)與(式 23)之Veff式中，若有關第3項之再充電項係微小能加以忽 視的話，只要a stVcp爲負，則施加於液晶之電壓有效値成 爲比影像偏號振幅[Vsig(+) —Vsig(—)]/2大之値。這亦如 背景技術中所述，相當於使用低耐壓之影像信號驅動用IC( 例如，〜5V)，能得到將該耐壓以上之電壓（例如，10〜 15V)施加於液晶之優點。因此，較佳係a stVcp爲負。因A st爲電容比，經常爲正，故較佳係Vcp爲負。 又，就(式19)之AVcc加以補充。在有關(式18)與(式 23)之Vdc式中，若同樣地，有關第3項之再充電項係微小 能加以忽視的話，則能滿足以下之(式35) ’藉此能使影像 信號之DC平均位準[Vsig(+) + Vsig(—)]/2與像素電極之 DC平均位準Vdc(O)或Vdc(E)—致。 Δ Vcc = — (a gd/ a st) Δ Vgon …（式35) 這樣的話，在影像信號電極與像素電極之間，不施加 直流電壓成分，能抑制液晶與絕緣膜中產生無用離子，能 53 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---I---訂---------線」 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1293132 A7 __B7_ 五、發明說明（,tl) 改善長期的穩定性。因△ Vgon、a gd、及a st爲正，故較 佳係AVcc爲負。又，若即使未必滿足(式35)，至少AVcc 爲負的話，就能縮小影像信號之DC平均位準[Vsig(+) + Vsig(—)]/2與像素電極之DC平均位準Vdc(O)或Vdc(E)之 電壓差，相對的能得到上述之效果。 (有關原理之補充事項2:掃描電極與共通電極之供電 方法） 其次，就掃描電極與共通電極之供電方式加以補充。 在（習知例之問題點之分析)處，已敘述了因共通電極之電 位變動而增加再充電電流，即，增加再充電電壓之情形。 而且，亦敘述了其影響係在離共通電極近的部分變小，離 共通電極遠的部分變大。因此，再充電電壓的畫面內之分 布不僅依存掃描電極之供電方式，而且亦若干依存共通電 極之供電方式。現在，就掃描電極與共通電極之供電方式 之組合而言，例如，有以下5種。 (A) 掃描電極、共通電極係同時兩側供電(以上係假定 這種情形來進行說明） (B) 掃描電極係兩側供電，共通電極係單側供電 (C) 掃描電極係單側供電，共通電極係兩側供電 (D) 掃描電極、共通電極係同時單側供電(從相同側） (E) 掃描電極、共通電極係同時單側供電(從不同側） (又，除上述供電方式外，例如，亦有每隔1行，交互 從兩側供電之情形，畫面之上半部係從左供電，畫面之下 半部係從右供電之情形，但這種情形，若注視某行的話’ 54 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) % ϋ ·ϋ ϋ I n n n^-OJ· ϋ ϋ ϋ ϋ I n ϋ I 線—働---------------------- A7 1293132 五、發明說明（π) 皆適用上述(Α)〜(Ε)中之任一種方式）。 關於以上之(A)〜(E)，圖26A〜圖26E係表示預測再充 電電壓Δνΐ)之產生方式之畫面內分布(水平方向分布)而所 示之圖。在這些圖中，G係表示掃描電極，C係表示共通 電極。而且，附四角符號（□)處係表示供電端。又，虛線 所示之曲線係表示未考慮共通電極電位變動時之再充電電 壓，粗實線所示之曲線係表示考慮共通電極電位變動時之 再充電電壓。當未考慮共通電極電位變動時，掃描電極爲 兩側供電時((A)、（Β))係成爲圓弧狀，單側供電時((C)、（D) 、（Ε))則成爲半圓弧狀。若考慮共通電極電位變動的話， 則僅上載所產生的量Δνΐ)。此時之上載部分係在離共通電 極供電端近的部分變小，離共通電極供電端遠的部分變大 。又，（Ε)之情形，係藉由僅因掃描電極所產生之△ Vb分 布與共通電極電位變動效果，根據上載部分的大小，如圖 26E所示，掃描電極供電端之AVb比共通電極供電端小之 情形，與如圖26E’所示，掃描電極供電端之AVb比共通電 極供電端大之情形。 爲了更有效得到本發明之削減亮度不均及削減閃爍之 效果，根據圖26A〜圖26E之AVb形狀(即，爲了正好補正 因AVb而產生之亮度不均與閃爍），更較佳係/3與r (更正 確係I r I )具有分布，但未必需要全面嚴密配合。 以下，就(A)〜（E)之各場所，說明本發明之表現與關 係。首先，在(A)〜（E)中，進行至少掃描電極與共通電極 中之一方供電之畫面端部稱爲「離供電端近的部分」。即 55 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公ΐ ) 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) % I I-----訂---------線 — 一 1293132 A7 Γ_______Β7_ __ 五、發明說明（代） ’除了(D)之外的所有情形，畫面兩端成爲「離供電端近的 部分」（在圖26中，用記號，，〇，，來表示）。僅(D)係只單側的 端部爲「離供電端近的部分」，又，（D)以外之情形’畫面 之中央附近稱爲「離供電端遠的部分」（在圖26中’用記 號’Έ’，來表示）。（D)之情形，未供電之端部係「離供電端 遠的部分」。又，圖中之”Μ”記號所表示之位置係位於「 離供電端近的部分」與「離供電端遠的部分」之中間距離 〇 又，（D)以外之情形，有2處「離供電端近的部分」’ 某値Ugd、ast等)係「在離供電端近的部分與離供電端遠 的部分中，具有不同之値」的情形，含有至少在具有複數 「離供電端遠的部分」中之1種値與「離供電端遠的部分 」之値不同之意。又，當某値（/3、r等)在「離供電端遠 的部分比離供電端近的部分大(小）」之情形，含有「離供 電端遠的部分」之値比至少在具有複數「離供電端近的部 分」中之1種値大(小)之意。 若如以上解釋的話，可知，根據圖26〜圖26E’，（式 16)之關係式任何情形皆成立，因此，全都能適用於(本發 明之原理說明1 ··減低亮度不均及閃爍之原理)所述之事項 〇 又，關於(式16)的第1式與第2式，若原封不動把 Vb(〇，+ )、Vb(〇，一）、及 vb(E，+ )、Vb(E，—）置換爲圖 26A 〜圖26E’中之Vb的話，就能容易理解。關於第3式，由 圖18可知’若考慮負充電的情形比正充電之情形，再充電 56 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -%------ 丨訂---------線I ----------------------- 1293132 A7 B7 __^ 五、發明說明（jrt) 電壓相當大的話，則Vb(〇，+ ) — Vb(〇，一）與Vb(E，+ ) 一 Vb(E，一）之大小關係能看作與一 Vb(0,—）和一 Vb(E，一）的大 小關係相同，因第2式成立，故第3式亦成立。 又，圖26A〜圖26E’之AVb曲線皆係上凸之形狀，故 全都適用於(本發明之原理2: A及7之最佳分布)所述之事 項。 (有關原理之補充事項3 :其他之電路構成） 在以上所述中，各像素係以圖14之構造爲前提來加以 說明。但是，各像素之儲存電容有時亦連接於共通電極以 外之配線。例如，如圖27所示，有時連接於該段以外之掃 描電極(在圖27中，係前段之例）。這種情形，設前段掃描 電極之電位爲Vg(n- 1)，設連接前段掃描電極之儲存電容 爲Cst2,則相當於(式11)之電荷不滅法則之式係用(式36) 來表示。
Cgd(Vsig( - ) - Vgon) + Cst(Vsig( - ) - Vc(-)) + Clc(Vsig( - ) - Vf) + Cst2(Vsig( - ) - Vgoff) =Cgd(Vdo( - ) - Vgoff) + Cst(Vdo( - ) - Vcoff) + Clc(Vdo( - ) - Vf) + Cst2(Vdo( - ) - Vgoff)
Cgd(Vsig( + ) - Vgon) + Cst(Vsig( + ) — Vc( + )) + Clc(Vsig( + ) - Vf) + Cst2(Vsig( + ) - Vgoff) -Cgd(Vdo( + ) - Vgoff) + Cst(Vdo( + ) - Vcoff) + Clc(Vdo( + ) - Vf) + Cst2(Vdo( + ) - Vgoff) …(式36) 在此，當選擇掃描電極Vg(n)時，因業已結束Vg(n — 57 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） C請先閲讀背面之注意事項存填寫本頁) 餐 ^1 ^1 ϋ 1 ϋ n n^^I n ϋ a— n ϋ Μϋ I I ϋ n I n ϋ n ϋ —9 ϋ ϋ ϋ ·ϋ «ϋ ·ϋ ϋ ϋ ϋ ^1 ϋ ϋ ϋ ϋ _ A7 1293132 _B7 · _ --
五、發明說明（jrG 1)之選擇，故電位爲Vgoff。若將(式36)變形的話，就能得 到(式37)。
Vdo(-) = Vsig(-)- a stA Vc(~) - a gdA Vgon
Vdo(+) = Vsig(+)- a stA Vc(+) - a gdA Vgon …(式37) 式中，△ Vgon、△ Vc(+)、△ Vc(—)係用(式13)來表示 ，a gd、a st係用以下之(式38)來表示。 a gd= Cgd/Ctot a st= Cst/Ctot
Ctot= Cgd+ Clc+ Cst+ Cst2 …(式38) 將其結果與圖14的電路之式(式12)〜(式14)比較時， 不同的是在Ctot之表式中，僅在附加Cst2之點。因此，只 要注意Ctot之不同點，則以上所述之本發明之原理及補充 事項全部能適用。
Cst2之値亦因離供電端近的部分與離供電端遠的部分 之情況而不同，藉此使a st與a gd之値不同，能得到本發 明之效果。 又，Cst2之連接端係即使是在後段之掃描電極與2個 前、3個前等之掃描電極，2個後、3個後等之掃描電極亦 同樣。 又，包含圖14與圖27之進一步一般化，若考慮Ctot 爲「電氣連接於像素電極之全部電容之總和」的話，則有 關本發明之原理之說明及補充事項全都能適用。 58 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) %
n m n ϋ n n 一OJI n I n ϋ 1 I I 1_ B^i n n ·ϋ n ϋ n ϋ ϋ ϋ ϋ n 1 ϋ I ϋ ϋ I n fmmm n I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1293132 A7 B7 五、發明說明) 以下，使用以上之原理，參照圖面，就具體構成之顯 示裝置加以說明。 (第1實施形態） 圖1係表示本發明第1實施形態之顯示裝置之像素佈 局俯視圖。圖2係沿著圖1之A— A’線之截面圖。 在圖1及圖2中，11與12係由玻璃等所構成之基板 ’ 11係薄膜電晶體3(也叫做TFT或開關元件)與連接於薄 膜電晶體形成電極之陣列基板、12係與陣列基板對向之對 向基板。在2片基板間、挾持當作顯示介質之液晶13，液 晶兩端係用密封膠17加以密封。14與15係用來進行偏光 顯不之偏光板，19係用來進行彩色顯示之濾色片。濾色片 19係形成於對向基板12側，但形成於陣列基板11側亦無 妨。 在陣列基板11上，藉由第1導電層，來形成掃描電極 1與共通電極4，並將其上覆蓋絕緣膜18。藉由位於絕緣 膜18上之第2導電層來形成像素電極5。如圖2所示，部 分像素電極5係與共通電極4重疊。與共通電極4重疊之 部分係構成儲存電容7(即，共通電極_像素電極間電容Cst) 。又，像素電極5與掃描電極1之重疊部分係構成掃描電 極-像素電極間電容Cgd。 如圖2所示，透明電極20係形成於對向基板12上。 這種透明電極20與像素電極5係透過做爲顯示介質之液晶 13來形成對向，藉此形成液晶電容ac。此處，液晶是 TN(扭轉向列)液晶。 59 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Γ 请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·%------ 丨訂---------線I ----------------------- 1293132 A7 _B7_ 五、發明說明 薄膜電晶體3係由半導體部分9與3個電極所構成， 閘極電極係連接於掃描電極1，源極電極係連接於影像信 號電極2，汲極電極係連接於像素電極5。 圖3係本發明第1實施形態之顯示裝置之電路構成圖 。對應圖1與圖2，在1像素內，有共通電極-像素電極間 電容Cst、掃描電極-像素電極間電容Cgd、及液晶電容Clc 等，若單獨來看1像素的話，則係與圖14相同之電路構造 。這種像素係配置成陣列狀，藉此構成顯示裝置。又，在 本顯示裝置中，影像信號電極2係連接於影像信號驅動電 路22，掃描電極1係連接於掃描信號驅動電路21，又，共 通電極4係連接於共通電極電位控制電路26。又，23係表 示除了驅動電路以外之顯示元件。 在圖3中，係描繪離供電端近的部分與離供電端遠的 部分，圖1係表示在各自部分之像素佈局圖。就本實施形 態之顯示裝置之特徵而言，在離供電端近的部分與離供電 端遠的部分，Cst與Cgd全都成爲不同之形狀，電容値本 身亦變成不同（電容之面積不同）。因此，如(本發明之原理 說明1 :減低亮度不均及閃爍之原理)所述，能實現減低亮 度不均與閃爍。 又，當具備以下3個條件時，則能最明顯的得到本發 明之效果。 (1)影像信號驅動電路係對應顯示週期，能將2種不同 極性之影像信號(即，以對向電極電位爲基準，爲正與負之 影像信號，相當於圖15之Vsig(+)與Vsig(-）)施加於影像 60 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
ϋ ϋ n n I ϋ ·ϋ ϋ ϋ ϋ— 1^1 I ϋ ϋ ϋ 1 11 n i I ϋ n m -ϋ i l ϋ I— in n ϋ n I A7 1293132 ____B7_____ 五、發明說明（jrj) 信號電極； (2) 掃描信號驅動電路至少能施加2値之輸出電位位準（ 圖 15 之 Vgon 與 Vgoff); (3) 共通電極電位控制電路至少能施加2値之輸出電位 位準(圖15之Vc(+)與Vc(—)。 又，在（圖 1)中，Cgd(〇）<Cgd(E)，Cst(〇）<Cst(E)(由 重疊部之面積大小，可知這種關係），例如，設Cgd(〇) = 0.020pF，Cst(〇）=O.lOOpF，Clc(〇）=O.lOOpF，Cgd(E)= 0.030pF，Cst(E) = 0.130pF，Clc(E) = 0.100pF，則適合這種 條件(又，這些電容亦可根據面積、膜厚、及介電常數來計 算，亦可藉由實測來求出）。 這種情形，若根據(式14)來計算a gd(0)、a st(0)、及 a gd(E)、a st(E)的話，則 a gd(〇）=0.091、a st(〇）=0.455 、agd(E) = 0.115、ast(E) = 0.500。現在，設驅動條件爲△ Vgon=20V、Δν(χ= — 3V、Vcp= — 10V，則根據(式 25)與 (式27)，能求出r (〇)、r (E)、及/3 (0)、/3 (E)，分別得到 r (〇）=一 2.275V、r (E) = - 2.5V、及 /3 (〇）=0.023、冷（E) = 0.040。即可知，滿足(式29)及(式31)，能得到減低亮度 不均及閃爍之效果。 又，不僅適用於(本發明之原理說明1 :減低亮度不均 及閃爍之原理），而且適用於(本發明之原理2 : /3及r之最 佳分布）、（有關原理之補充事項1 : Vcp與AVcc)、（有關原 理之補充事項2 :掃描電極與共通電極之供電方法）、及(有 關原理之補充事項3 :其他之電路構成）中所述之所有事項 61 中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) • _ -------訂---------線！ ^1 — — — —— — — — — — — — — — — 1293132 A7 A7 _____B7__ 五、發明說明（Ο) Ο 在此作爲參考，在本實施形態中，圖33Α〜圖33D係 表示在電容等參數中，補償具體之數値，進行模擬之結果 。這是甩電路模擬器來構成整個顯示領域之等效電路，計 算此時顯示領域內各位置之DC平均位準(Vdc)及施加液晶 電壓有效値(Veff)者。就驅動電壓條件而言，係設Vgon = 10V，Vgoff = — 15V，△ Vc( + ) = — 7.5V，△ Vc( — ) = 2.5V ，Vsig( + ) = 2.5V，Vsig( —）= 一 2.5V(因此，滿足 Vcp< 0， △ Vcc<0)，掃描信號驅動電路及共通電極電位控制電路係 全都只從顯示領域左側供電。 首先，就Cst、Cgd、或Clc中，完全不表示顯示領域 內之分布時所計算之圖形係各圖中之「無電容傾斜」所示 之曲線。此處，因涉及整個顯示領域，故Cst=0.7pF、Cgd = 0.07pF、Clc=0.75pF。圖33A係表示Cst分布之樣子， 圖33B係表示Cgd分布之樣子(橫軸之「規格化水平位置」 係用顯示領域範圍將離顯示領域左端之距離規格化之値， 左端係對應”0”，右端係對應”Γ)。圖33C及圖33D係分別 表示DC平均位準與施加液晶電壓有效値之結果。DC平均 位準係離供電端遠的部分(規格化水平位置=1)比離供電端 近的部分(規格化水平位置=0)小。這是分別如(式20)及(式 21)所示之結果。又，其形狀亦與圖24類似。 其次，在Cst及Cgd中，表示最佳之顯示領域內分布 (Clc事先設爲一定），在畫面內，當使DC平均位準與施加 液晶電壓有效値成爲均勻時，在各圖中，係以「有電容傾 62 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
· I n ϋ ϋ ϋ ·ϋ ^1 I 1 I n ϋ I n ·ϋ ι ^1 ϋ a^i I n ϋ n ·ϋ a^i — ϋ n ϋ I n I A7 1293132 _ B7_ 五、發明說明 (M) 斜」來表示。此處’ Cst及Cgd係選擇在左端(規格化水平 位置=0)，以使與「無電容不均」情形之値一致。如圖 33A所示，若使Cst之値傾斜0.7pF(左端）〜0.745pF(右端) ，則如圖33B所示，若使Cgd之値傾斜0.070pF(左端)〜 0.082pF(右端)的話，則如圖33C或圖33D所示，可知DC 平均位準及施加液晶有效値大致成爲平坦(分布範圍全都在 10mV以內）。 又，此時，若使用（式25)、（式27)等的話，則能計算 冷（〇）=0 < /3 (E) = 0.0048，r (〇）=—2.303V > r (E)=— 2.363V，確實能滿足(式29)與(式31)之條件。又，離供電 端近的部分與離供電端遠的部分之中間(規格化水平位置= 0.5)中之電容値，係從圖33A及圖33B中，分別讀取Cst = 0.732pF，Cgd= 0.0785pF，若根據此數據來求出（本發明之 原理2 : /3及τ之最佳分布)所說明之θ (M)及r (M)的話， 則可知成爲冷（M)= 0.0034、r (M)= — 2.345V，亦滿足（式 34)之條件。 (第2實施形態） 本發明之第2實施形態，係參照圖4及圖5，就使削 減水平串訊與影像信號驅動電路1C之低電壓化並存之構成 加以說明。 圖4係表示有關本發明第2實施形態之顯示裝置之像 素佈局俯視圖。基本上，圖4之構成係根據圖1之像素佈 局圖，其特徵在於，係每1列上下反轉之佈局。這種佈局 ，爲了保持上下方向之對稱性，共通電極4係位於2個掃 63 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1 ϋ n n ϋ n 一tfJe n I ϋ I n an I 1 I n ^1« n I ϋ 1 n n in n ϋ II ί ϋ -ϋ ϋ I A7 1293132 ___Β7 _ 五、發明說明（u〇 描電極1之正中間。而且，在像素電極5與共通電極4之 間，挾持絕緣膜18(未圖示），形成儲存電容7(Cst)。 圖5係有關本發明第2實施形態之顯示裝置之電路構 成圖。基本上圖5係與圖3相同，係對應圖4之佈局，在 每1列上下反轉。此處要注意的是連接於屬於某1掃描電 極(例如G1)之像素(藉由掃描電極G1來控制ΟΝ/OFF之像 素)之複數像素電極之儲存電容另一側連接端之共通電極有 2個(C0與C1)。又，屬於某1掃描電極(例如G1)之像素， 其特徵在於，亦係位於偶數列與奇數列之不同段(註，這未 必是本發明所需要的構成）。 若使用這種構造的話，則不僅能採用行反轉驅動，而 且能採用點反轉驅動與列反轉驅動(又，至於第1實施形態 ，只能採用行反轉或場反轉驅動）。首先，舉點反轉爲例， 使用圖5、圖6A及圖6B，來說明上述構成。 圖6A及圖6B係用來說明有關本發明第2實施形態之 顯示裝置之點反轉驅動之驅動方法之奇數圖框及偶數圖框 之波形圖。如圖6A所示，在奇數圖框中，係考慮將不同 極性之信號施加於影像信號電極S1(及S3、S5.....Sn、 …）與S2(及S4、S6.....Sn+ 1、…）。現在，例如，在選 擇掃描電極G1之水平期間（1H期間），在圖5之S1中，施 加正極性之信號Vsig(+)，在S2中，施加負極性之信號 Vsig(-）。此時，屬於S1之列(正確係屬於包含S1，施加正 極性影像信號之影像信號電極之列），G1上側之像素(稱爲 像素P)，屬於S2之列(正確係屬於包含S2，施加負極性之 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — Ι1ΙΙΙ1 訂 - -------I 一' 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 1293132 五、發明說明（P]) 影像信號之影像信號電極之列）’ G1下側之像素(稱爲像素 Q)，成爲ON狀態。 此處，像素P與像素Q之儲存電容連接端之共通電極 係分別爲C0與C1(以G1爲基準，將C0與C1分別稱爲第 1共通電極及第2共通電極），因C0與C1係另外之電極， 故C0(第1共通電極)係(對應像素P被充電成正極性)Vc(+) ，C2(第2共通電極)係(對應像素P被充電成負極性)Vc(-) ，能設定於不同之電位。若分別單獨來看像素P與像素Q 的話，則影像信號電極、掃描電極、及共通電極之電位關 係是與圖15之情形完全相同，係表示能得到習知技術處之 圖14與圖15所說明之像素電極電位之振幅增大效果。此 處，係就選擇G1時加以敘述，但若亦就選擇GO與G2等 之情形而加以同樣考慮的話，則可知各共通電極之電位波 形，其結果，只要設定如圖6A所示即可。又，關於圖6B 所示之偶數圖框，只影像信號電極與共通電極之信號極性 相反而已，其他則相同。 又，列反轉之情形亦完全一樣。若圖6A及圖6B之情 形亦同樣考慮的話，則將共通電極之電位波形設定爲圖7A 及圖7B ’藉此能得到習知技術處之圖η與圖15所說明之 像素電極電位之振幅增大效果。 如以上所述，在本實施形態中，對水平串訊，採用有 利之驅動方法-點反轉或列反轉驅動，而且，能得到像素 電極保持電位之振幅增大效果。因此，能使削減水平串訊 與影像信號驅動電路1C之低電壓化並存。即，在先前所述 65 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
^OJ n ϋ an I ϋ i-i n n 1· ·ϋ n ϋ —i -1 ϋ n ϋ 1 ϋ ϋ ϋ n I n n I 1293132 A7 ___B7___ 五、發明說明44) 之兩個目的中，能達成第2個目的。 又，事先備註，這種效果(使削減水平串訊與影像信號 驅動電路1C之低電壓化並存)係能與(本發明之原理說明1 ••減低亮度不均及閃爍之原理)所述之a st與a gd之畫面分 布無關係地得到。 (第3實施形態） 若依上述第2實施形態的話’則在圖4及圖5之構成 中，係用點反轉驅動或列反轉驅動，如特開平5-143021公 報所記載，能得到像素電極保持電位之振幅增大效果。若 進一步進行的話，則仍能採用（本發明之原理說明1 :減低 亮度不均及閃爍之原理）、（本發明之原理說明2 : Θ及r之 最佳分布）、（有關原理之補充事項1 : Vcp與△ Vcc)、（有關 原理之補充事項2:掃描電極與共通電極之供電方法）、及( 有關原理之補充事項3 :其他之電路構成)所述事項，能得 到減低閃爍及亮度不均等既定之效果。 實際上，圖4之佈局係描述Cst(O) < Cst(E)、及 Cgd(〇)<Cgd(E)之情形。 又，若進行若干補充的話，則較佳係影像信號驅動電 路對應點反轉或列反轉。即，能將2種不同極性之影像信 號同時施加於複數之影像信號電極，且較佳係對應顯示週 期(對應奇數圖框或偶數圖框），將2種不同極性之影像信 號施加於各個影像信號電極。 又，關於共通電極，當以某掃描電極爲基準時，連接 於屬於該掃描電極之像素電極之儲存電容另一側連接端之 66 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線丨一 A7 1293132
五、發明說明“jD 共通電極有2個(先前所說明之第1及第2共通電極），未 必需要2個，亦可3個以上。但是’若事先對應影像信號 之極性，共通設定2條的話，則較佳係用圖6Α及圖6Β、 或圖7Α及圖7Β之時序，能最有效進行驅動。 又，在圖4中，至於偶數列之像素與奇數列之像素， 雖當做完全對稱，但考慮光罩配合偏離之影響與有關掃描 方向之非對稱性，即使將這些像素之電容値(Cgd、Cst等) 在偶數列與奇數列設定不同之値亦無妨。 又，當把2個極性之信號同時施加於複數掃描電極時 ，點反轉與列反轉，一般係在每1列(即，分成偶數列與奇 數列)施加逆極性的信號，但亦可未必如此，例如’隔2列 配列或隨意配列各極性亦無妨。 又，在圖4與圖5中，對應2個極性之像素係分別成 爲上下反轉之配置，但本發明未必限定於此。即’有作成 如圖1與圖3所示之構造，對應影像信號電極之極性，只 變化儲存電容連接端之共通電極之方法。但是’這種情形 ，不太希望除了發生構造爲非對稱之問題外’用來連接儲 存電容之配線，在佈局上，跨越其他之掃描電極等，產生 多餘的電容，發生造成串訊原因之問題。 (第4實施形態） 就本發明之第4實施形態而言，係參照圖9及圖10， 就使用平面切換(IPS ·· In Plane Switching)模式之液晶顯示裝 置加以說明。 圖9係表示有關本發明第4實施形態之顯示裝置之像 67 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------訂--------- 線—镳----------------------- 1293132 A7 ______Β7_ 五、發明說明（ίΛ) 素佈局俯視圖。10係沿著圖9之A-A’線之截面圖。 在圖9及圖10中，11與12係由玻璃等所構成之基板 ’ 11係薄膜電晶體與形成連接於薄膜電晶體電極之陣列基 板，12係與陣列基板對向之對向基板。在2片基板之間， 挾持液晶13，液晶兩端係用密封膠17來加以密封。14與 15係用來進行偏光顯示之偏光板，19係用來進行彩色顯示 之濾色片。濾色片19係形成於對向基板12側，但形成於 陣列基板11側亦無妨。 在陣列基板11上，藉由第1導電層來形成掃描電極1 與共通電極4，並將其上覆蓋絕緣膜18。藉由位於絕緣膜 18上之第2導電層來形成像素電極5。如圖10所示，像素 電極5係與前段之掃描電極1重疊。前段之掃描電極1與 重疊部分係構成儲存電容7(Cst)。又，像素電極5與該極 之掃描電極1之重疊部分係構成掃描電極-像素電極間電容 Cgd ° 如圖9所示，在共通電極4上，形成分岐部分4A。分 岐部分4A係與像素電極5平行對峙，係以將電場施加於 液晶層之對向電極而動作。像素電極5與共通電極4間之 電容雖構成共通電極-像素電極間電容Clc，但此處，具有 透過液晶層之電容與兩電極幾何學重疊所形成之電容兩者 。透過液晶層之電容不易使用公式等來進行計算，但亦可 用實測來求出，亦可藉由模擬來求出。 薄膜電晶體3係由半導體部分9與3個電極所構成， 閘極電極係連接於掃描電極1，源極電極係連接於影像信 68 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297 ϋ) ' 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) β _1 n BB1 ϋ «·ϋ ϋ i^i I ϋ n n I— n ·ϋ Hi n ·ϋ tmt 11 n «ϋ ·ϋ ϋ ·ϋ· ·ϋ ί ϋ. ι · A7 1293132 ___B7____ 五、發明說明（έΙ)
Vdo(—) = Vsig( —)— alcAVc(—)— agdAVgon Vdo(+ ) = Vsig(+ )— a IcA Vc( + )— a gd A Vgon …(式40) 式中，AVgon、Δν(：(+)、AVc(—）係與(式 13)相同， a gd、ale係用以下之(式41)來表示。 a gd= Cgd/Ctot a lc = Clc/Ctot Ctot = Cgd + Clc + Cst …(式41) 當把以上之結果與圖3電路情形之((式12)〜（式14))比 較時，不同的是在附加字”st”與”lc”係相反之點。這在習知 技術、（習知例之問題點分析）、（本發明之原理說明1 :減 低亮度不均及閃爍之原理）、（本發明之原理說明2 : /3及r 之最佳分布）、（有關原理之補充事項1 : Vcp與△ Vcc)、（有 關原理之補充事項2 :掃描電極與共通電極之供電方法）、 及(有關原理之補充事項3 :其他之電路構成)所述事項中， 若置換爲Cst(儲存電容)->Clc、Clc->Cst，ast—ale的話 ，則亦仍可適用本構成之情形(圖11)。即，可知與圖3電 路之情形一樣，能得到減低閃爍及亮度不均等既定之效果 〇 又，若把相當於圖3(及圖14)之對向電極(Vf)之電容考 慮替換爲Cst與Clc的話，則可知在圖11(及圖8)中，係前 段之掃描電極。當前段之掃描電極選擇該段之掃描電極時 ，因業已成爲未選擇狀態之電位Vgoff，故能看做是與圖3 70 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
I ϋ n n n n n^OJ* I ϋ I I ϋ ϋ I I n ϋ n n n n n n .1 ϋ n ϋ n n I ϋ ϋ ϋ n ϋ ϋ n I 1293132 A7 「 _B7___ 五、發明說明（0) 之對向電極相同。相反的，在選擇該段之掃描電極時與保 持期間，若具有相同電位之電極的話，則能用來做爲Cst 之連接端。這係當以像素電極爲基準時，透過顯示介質(液 晶：電容Clc)，較佳係除了共通電極(與該像素電極對向) 及該段掃描電極中之任一電極。其中，更較佳係除了該段 之掃描電極(亦可後段）、或透過Clc形成對向之共通電極以 外之共通電極。 (第5實施形態） 圖12係表示有關本發明第5實施形態之顯示裝置之像 素佈局俯視圖。該圖係有關第4實施形態之IPS模式之液 晶，與第2實施形態(使削減水平串訊與影像信號驅動電路 1C之低電壓化並存之構成)同樣，係在每1列，使佈局上下 反轉。 圖13係有關本發明第5實施形態之顯示裝置之電路構 成圖。圖13係使用TN液晶時，即，對應圖5(表示第2實 施形態之電路構成）。 當比較這些時，仍可看作只替換附加字”st”與”lc”。因 此，與第2實施形態所述同樣，可得到使點反轉驅動或列 反轉驅動與影像信號之低電壓化並存之效果。 (第6實施形態） 若依上述第5實施形態的話，則係用IPS型之構成， 用點反轉驅動或列反轉驅動，如特開平5-143021號公報所 記載，能得到像素電極保持電位之振幅增大效果。若進一 步進行的話，則仍能採用（本發明之原理說明1 :減低亮度 71 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁).
^•OJI ϋ ϋ ϋ I 1 ϋ n n n n ϋ ϋ I ϋ ϋ I ϋ ·ϋ n ϋ ϋ n ϋ ι I I A7 1293132 B7 五、發明說明（p) 不均及閃爍之原理）、（本發明之原理說明2: $及7之最佳 分布）、（有關原理之補充事項1 : Vcp與△▽(：(：)、（有關原理 之補充事項2 ··掃描電極與共通電極之供電方法）、及(有關 原理之補充事項3 :其他之電路構成)所述事項，可知能得 到減低閃爍及亮度不均等之既定效果(在此，較佳係考慮成 爲 Cst(儲存電容)—Clc、Clc->Cst，a st-> a lc)。又，若第 3實施形態所提及之重寫亦同樣進行重讀的話，則全部成 立。 以下，就本發明之其他實施形態加以說明。 (未進行共通電極電位控制時之構成例） 試考慮看看未進行共通電極電位之控制，經常供應一 定電位之情形。這種情形，不需要共通電極電位控制電路 。這在本發明中，相當於Vc(+) = Vc(—) = Vcoff之情形。 若依(式19)的話，則△ Vcc=0，及△ Vcp=0。這種情形， 根據(式25)，因r (〇)= r(E) = 0，故不能滿足(式29)，不 能得到亮度不均之改善效果。但是，根據(式27)，因/3(0) =a gd(〇），/5 (E)= a gd(E)，故能滿足（式31)、即滿足α gd(0)< agd(E)，能控制閃爍。 特別係考慮看看從單側供電掃描電極，在兩側固定共 通電極電位(即，供應一定電壓）之情形。這種情形，產生 再充電電壓之方式係如圖26C所示。因此，表示隨著離掃 描電極供電側之距離變遠，不增加再充電電壓，在某位置 ，具有極大値，其後便減少之傾向。這樣的話，較佳係^ gd之補正方法亦依照上述方式。即，例如，當設離掃描電 72 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i I II I I 訂----I I I I I I · A7 1293132 五、發明說明（7 h 極供電端最遠之部分之agd爲agd(F)時，較佳係在離掃描 電極之供電端最遠之部分與離掃描電極之供電端最近部分 間，存在具有比a gd(F)大的a gd之値的位置。這係如圖 26E所示，掃描電極係單側供電，共通電極係在與掃描電 極之相反側，固定電位之情形亦一樣。 (有關其他驅動波形之驅動方法例） 在先前之圖6A及圖6B、圖7A及圖7B、或圖15中， 表示了本發明驅動方法之電壓波形例’除了這些例之外’ 例如，亦可使用圖28A、圖28B與圖29A、圖29B之驅動 波形。 圖28A及圖28B係驅動圖3或圖11之構成電路時之 驅動波形。在圖15中，雖保持期間之共通電極電位只不過 是Vcoff之1種値，但在圖28A及圖28B之驅動波形中’ 其待徵係，保持期間之共通電極電位未必爲1種，成爲 Vc( + )及Vc(—)之2種値。 現在，若考慮圖3電路構成之情形的話’例如’當選 擇掃描電極G1，將負極性之信號充電於像素電極時(圖28A 之奇數圖框之情形），透過儲存電容而連接之共通電極C1 之電位爲Vc(-），在以後之保持期間，成爲Vc(+)。又’ 當選擇掃描電極G1，將正極性之信號充電於像素電極時( 圖28B之偶數圖框之情形），共通電極C1之電位爲Vc(+) ，在以後之保持期間，成爲Vc(-）。其他之掃描電極，例 如，關於GO、G2等亦同樣。 這種情形，若與有關習知技術之(式11)所述內容同樣 73 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
I ϋ I I I f ϋ ϋ I I I ϋ n ϋ n n ϋ ϋ 1· n 1 ϋ n ϋ ϋ n —.1 ϋ I I I I I A7 1293132 五、發明說明々厶） 考慮電荷不滅法則的話，則成爲(式42)。
Cgd(Vsig(-）一 V§on) + Cst(Vsig(—) -Vc(-))+Clc(Vsig(-)-Vf) =Cgd(Vdo( -）一 Vg〇ff) + Cst(vdo( —) -Vc(+)) + Clc(Vdo(-)-Vf)
Cgd(Vsig( + ) - Vgon) + Cst(Vsig( + ) -Vc(+)) + Clc(Vsig(+)-Vf) =Cgd(Vdo( + ) - Vgoff) + Cst(Vdo( + ) -Vc(-)) + Clc(Vdo(+)-Vf) …（式42) 這不外乎係在(式11)之2式中，只將右邊第2項(包含 Cst項)之Vcoff置換爲Vc(-)或Vc(+)。這樣的話’若將( 式13)置換爲以下之(式43)的話，則仍可用（式12)之形式來 成立。 Δ Vgon= Vgon— Vgoff △ Vc(+) = Vc(+)-Vc(-) △ Vc(-) = Vc(-)-Vc(+) …(式43) 即，若如(式43)所示重讀Δν〇(+)及AVc(-）的話’則 全部能適用以後之議論((習知例之問題點之分析）、（本發明 之原理說明1 :減低亮度不均及閃爍之原理）、（本發明之原 理說明2 : Θ及r之最佳分布）、（有關原理之補充事項1 : Vcp與AVcc)、（有關原理之補充事項2 :掃描電極與共通 電極之供電方法）、及(有關原理之補充事項3 ··其他之電路 74 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^1 ϋ ί I I n n 一一OJfl ϋ 1 ·ϋ I ϋ ϋ Βϋ I 線 1·---------------------- A7 1293132 ___Β7___ 五、發明說明（^) 構成)等所述之原理)中所述之原理。 又，（式43)之表式雖與(式13)不同，但△Vc(+)S^ Vc(-）係連接儲存電容端之共通電極之像素，一定是以被 充電瞬間之電位(這種情形爲Vc( + )或Vc(-）)保持狀態之 電位(這種情形爲Vcoff)爲基準來看時之値。 又，當使用圖11時，若置換爲Cst(儲存電容)-Clc ’ Clc—Cst ’ a st— a lc的話，則可說是完全同樣的結果。 圖29A及圖29B係驅動圖5或圖13之構成電路時之 驅動波形。該圖係比較圖6A及圖6B者，但這種情形’其 特徵係，保持期間之共通電極電位仍未必爲1種’成胃 Vc(+)及Vc(—)之2種値。 現在，考慮在圖5電路構成中，例如，當選擇掃描電： 極G1，將正極性之信號充電於屬於影像信號電極S1之像 素電極時，將負極性之信號充電於屬於影像信號電極S2 & 像素電極時(圖29Α之奇數圖框之情形）。此時’透過儲存 電容所連接之共通電極C0及C1之電位係分別爲Vc(+)& Vc(-），但在保持期間，則分別成爲Vc(-）及Vc( + )。又 ，當選擇掃描電極G1，將負極性之信號充電於屬於影像信 號電極S1之像素電極時，將正極性之信號充電於屬於影像 信號電極S2之像素電極時(圖29B之偶數圖框之情形）’相 反的，此時，共通電極C0及C1之電位係分別爲Vc(一）& Vc(+)，但在保持期間，則分別成爲Vc(+)及Vc() ’、 他之掃描電極，例如，關於GO、G2等亦同樣。 即，關於哪個像素電極，當充電正極性之信號時’儲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0' ΜΒϋ 11 n n ϋ ϋ n 一^· w MM w WI 眶 ϋ ·ϋ ϋβ ϋ 1 an I n tmmMm I i^i 1_1 in n -1 II ϋ n ϋ n ϋ n n 1 75 _ ___ 1293132 ΚΙ ____Β7___ 五、發明說明 (η) 存電容連接端之共通電極電位一定是Vc(+)，在保持期間 ，成爲Vc(-）。又，當充電負極性之信號時，儲存電容連 接端之共通電極電位一定是Vc(-），在保持期間，成爲 Vc(+)。與(式42)同樣之電荷不滅法則之式仍然成立，只 要如（式43)所示重讀Δν(：(+)及AVc(-），則全部適用（習 知例之問題點之分析）、（本發明之原理說明1 :減低亮度不 均及閃爍之原理）、（本發明之原理說明2: ^及r之最佳分 布）、（有關原理之補充事項1 : Vcp與Δν^)、（有關原理之 補充事項2 :掃描電極與共通電極之供電方法）、及(有關原 理之補充事項3 :其他的電路構成)所述之原理。 又，當使用圖6Α及圖6Β、圖7Α及圖7Β、或圖15之 驅動方法時，共通電極電位控制電路之電位位準雖必須爲 3個，但本實施形態之情形，電位位準只要2個即可。因 此，共通電極電位控制電路之構成能比圖6Α及圖6Β、圖 7Α及圖7Β、或圖15之驅動方法簡單，有能削減成本之效 果。 (用Ρ通道型TFT所構成之情形） 現在，就開關元件而言，假定爲η通道型(閘極電位比 臨限値電壓大時爲〇Ν，比臨限値電壓小時爲OFF)之薄膜 電晶體來加以說明。但是，ρ通道型之TFT(閘極電位比臨 限値電壓大時，爲OFF，比臨限値電壓小時爲〇N)之薄膜 電晶體之情形亦能完全同樣來加以考慮，則全部適用（習知 例之問題點之分析）、（本發明之原理說明1 :減低亮度不均 及閃爍之原理）、（本發明之原理說明2 : Θ及r之最佳分布 76 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線！ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 1293132 ___B7_______ 五、發明說明（K) )、（有關原理之補充事項1 : VcP與Δν(Χ：)、（有關原理之補 充事項2 :掃描電極與共通電極之供電方法）、及(有關原理 之補充事項3 ··其他之電路構成)所述之原理。其原因係成 爲基本之(式11)(或式(42))之電荷不滅關係式爲η通道型與 ρ通道型皆成立之關係。 但是，必須要注意的是ρ型薄膜電晶體之情形，一般 能置換爲Vgon與Vgoff的上下關係。因此，若描繪對應圖 18之再充電電壓之大小關係圖的話，則如圖所示，因 此，對應(式16)之再充電電壓之大小關係是如(式44)所示 〇 | A Vb(〇，+ ) I < I △ Vb(E，+) | I AVb(0, —) I < I AVb(E? —) | I Δ Vb(〇, + ) I - I AVb(0,-) | < I AVb(E, + ) I — I AVb(E, —) | …（式44) 又，p通道型之薄膜電晶體之情形，饋通電壓爲正， 因此，再充電電壓爲負，故附加絕對値符號。若除去絕對 値符號的話’則成爲(式45)所示。 △ Vb(〇，+ ) > △ Vb(E，+ ) △ Vb(〇，—）> △ Vb(E，—） △ Vb(〇，+ ) - △ Vb(〇，—） > △ Vb(E，+)— △ Vb(E，一） …（式45) 若比較(式45)與(式16)的話，第3式之關係式雖相同 77 1本紙張尺度適家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
I — — — — ——— ^ · I I I--— II I A7 1293132 五、發明說明 ，但在第1式與第2式中，不等號之方向變成相反。這樣 的話，雖(式21)仍然成立，但(式20)情形，其不等號方向 變成相反。 就消除這種情形之亮度不均及閃爍之條件加以考慮。 首先，就用來消除亮度不均之條件而言，係根據(式28)與( 式45)之第3式，導出與(式29)完全相同之關係式。又，就 用來消除閃爍之條件而言，（式30)之右邊係根據(式45)之 第1式、第2式而變成負，因Δν2〇η亦爲負，故仍然能得 到與(式31)完全相同之關係式。即，薄膜電晶體與η通道 或Ρ通道無關，用來消除亮度不均及閃爍之條件成爲完全 相同之表式，能全部適用本發明之構成。 (複數行同時進行掃描之構成情形） 當驅動液晶時，在1個像素中，在1圖框(顯示期間) 內，有時進行2次以上之充電。例如，在1圖框內，進行 影像信號之寫入後，進行用來黑顯示之影像信號之寫入， 有時對動畫改善模糊(一般，係在寫入影像信號後，經過1 圖框之50〜99%之時間後，往往寫入用來黑顯示之影像信 號）。或係特別使用OCB(〇ptically Compensated Bend)模式之 液晶（亦叫做彎曲向列LCD)時等，爲了防止逆轉移，有時 同樣寫入用來黑顯示之影像信號。或在進行像素充電之1H 〜2H(1H係水平週期)前，爲了進行預備充電，有時亦寫入 影像信號。 這些情形，會發生將影像信號同時寫入於複數行之情 形(S卩，將複數行之掃描電極電位同時設定在Vgon)之情形 78 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^OJ· ϋ ·ϋ ϋ I ϋ ϋ ϋ I 1 1 n n ϋ n n ϋ ϋ ·1 I I n n ·ϋ ϋ ϋ I n ϋ ϋ ϋ ί ι A7 1293132 ^_B7 _ 五、發明說明（I) 。例如，當進行黑顯示時，係同時將黑信號寫入於複數行 ，或與其他像素之本充電同時進行預備充電之情形。 以上之情形亦同時對應設定於Vgon之各自掃描電極 ，若對應所寫入之影像信號之極性，使透過儲存電容所連 接端之共通電極(例如，在圖3中，對應G1爲C1，對應 G2爲C2)之電位變動的話，則對分別之寫入(充電），能得 到增大信號振幅之效果，能進行無矛盾之驅動。 (有關驅動電路成本之補充） 又，本發明之情形，必須備有掃描信號驅動電路與共 通電極電位控制電路(事先把共通電極電位保持一定之一般 驅動方法之情形，不需要共通電極電位控制電路），故擔心 成本是否變高。但是，在設計光罩佈局階段，若把這些驅 動電路與像素開關元件事先設計在相同佈局的話，實際上 ，在製造階段，並不是增加別段多餘之製程，不會提高成 本。又，這樣的話，爲了將掃描電極驅動電路與共通電極 電位控制電路組裝於和開關元件相同之基板內，較佳係使 用多結晶矽、單結晶矽、或S〇I(Silicon On Insulator)型之薄 膜電晶體(或MOSFET)。其原因係當使用這些半導體基板時 ，即使係P通道型與η通道型薄膜電晶體中之任一型’亦 能加以製造，故設計驅動電路之自由度變高之關係。 (電流驅動型元件之情形） 又，相對於藉由施加電壓於液晶，來控制光學狀態(電 壓驅動），自發光型之二極體、雷射、電致發光材料等，一 般係藉由電流來控制光學狀態(電流驅動）。但是’例如’ 79 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) % -------訂 --------I · 1293132 A7 ___B7____ 五、發明說明（7^) 如圖31所示，用像素TFT來控制其他的輔助TFT25(亦稱 爲輔助開關元件等)之閘極電位，若藉此來做成控制流入有 機電致發光元件24之電流之像素構成的話，就能驅動主動 陣列型。 這種情形，若把虛線所圍住之部分歸納在一起的話， 則能看做宛如用電壓控制來控制光學狀態之顯示介質那樣 。因此，能適用本發明之構成。又，這種情形，較佳係把 輔助TFT25之閘極-源極間電容與閘極-汲極間電容之和看 做 Clc。 又，這種元件之情形，未必需要施加正負兩極性之電 壓於輔助TFT25之閘極(即，交流驅動）。但是，假如是直 流驅動，當閘極電位(圖31之Vg(n)所示之部分電位)下降 時，會因再充電電壓之顯示領域內分布，在電位Vd產生 顯示領域內分布，產生亮度不均。例如，這係因爲在（式 17)之4個式中，例如，當比較第1式與第3式(或亦可第2 式與第4式)時，在Δνΐ)(〇，+ )與Δνΐ)(Ε，+ )中，會產生差 ，因該差而使Vdo(0，+ )與Vdo(E，+ )之値不同之關係。因 此，爲了縮小Vdo(0，+ )與Vdo(E，+ )之差，若在《st或α gd中，在顯示領域內，進行分布的話，就能解除亮度不均 〇 如以上所述，在顯示領域內，若r = a stVcp/2是一定 値的話，就不能得到改善亮度不均效果。反之’在顯示領 域內，若T之値不一定的話，則最初能得到改善亮度不均 效果。所謂r之値，由（式14)之說明亦可知，從共通電極 80 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I ϋ ·1 I 1 1 n nI ϋ n ϋ 1 I ϋ n l I tMmm n n —.1 ϋ ϋ -ϋ 1_1 n β-—i n ϋ ϋ -ϋ n -ϋ n 1293132 A7 ____B7____ 五、發明說明八°|)
V 重疊於像素電極之電容耦合電壓之影像信號之極性係正之 情形與負之情形之差(換言之，當施加正極性電壓於顯示介 質與當施加負極性電壓於顯示介質時之差）。即，當施加正 極性電壓於顯示介質時與當施加負極性電壓於顯示介質時 ，電容耦合電壓之顯示領域內之分布不同，藉此亦可得到 改善亮度不均效果。 又，重疊於像素電極之電容耦合電壓未必係從共通電 極供應。但是，爲了與掃描電極同步，自由調整電位，最 佳係使用共通電極。 又，在本發明中，在畫面內使値變化之方法，基本上 ，意圖做成這種佈局（即，意圖做成這種設計光罩圖面）， 藉此能加以實現。如習知例所述(即，在像素P與像素Q之 佈局，無差異，且畫面內均勻），即使作成設計光罩圖面， 例如，意圖偏離製造時之光罩配合，藉此亦能得到本發明 之效果。 又，當使電容値變化時，2個導電層(或半導體層)挾入 絕緣層所形成之電容中，最容易的係藉由變化2個導電層 之重疊面積來進行。但是，2個導電層(或半導體層)雖不平 面重疊，但當然亦能利用接近所產生之電容，變化佈局上 之2個導電層間之間隙，來變化電容之方法。而且，變化 絕緣層之厚度，因情況而定，並不是不能藉由變化介電常 數，來變化電容。 又，以上所述，係以補正再充電電壓之畫面內分布之 主旨來加以說明，但因製程上之誤差(對準、衝壓、殘料等 81 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) %· ^OJ0 H ϋ ϋ ϋ I I l I 1 n n -ϋ 1 I n -ϋ I n n I i-i n 1 ϋ ϋ -ϋ _ 1293132 A7 _B7___ 五、發明說明θ) 尺寸之偏差與不均勻性)所產生之閃爍與亮度不均，當然也 能用與本發明相同之方法來加以補正。 又，從掃描信號驅動電路到畫面端部配線部之距離係 因各行不同所產生之各行再充電電壓之不均，或特別係圖 2構成之情形等，爲了補正電位固定在對向電極之上端與 下端所產生之中央部與上下之再充電電壓差等，亦可變化 各行之a st與a gd。 又，雖掃描信號驅動電路係從上來進行供電，但另外 從下進行供電亦無妨，從上下兩側供電亦無妨。又，當然 隔1列交互從上下供電亦無妨。 又，以上係以掃描信號從左(或右)供電，影像信號係 從上(或下)供電來進行說明，另外，本發明亦能採用掃描 信號從上(或下)供電，影像信號從左(或右)供電之顯示裝置 〇 又，上述實施形態，雖就顯示裝置加以敘述，但這係 指具有整個掃描信號驅動電路及影像信號驅動電路。相對 的，不包含驅動電路，由最低限度包含陣列基板、對向基 板、及液晶之構成所組成之部分稱爲「顯示元件」。對任 一顯示裝置及顯示元件也都能得到本發明之效果。 又，就液晶而言，亦可使用上述之TN液晶與IPS液 晶以外之液晶。亦可使用能得到響應速度較快，且高對比 之VA(垂直配向)液晶，亦可是MVA(多重區域範圍VA)液 晶，亦可是其他之液晶。例如，能使用TN(扭轉向列)液晶 、STN(超扭轉向列)液晶、VA液晶(垂直配向液晶、或等向 82 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -%------ 丨訂---------線丨----------------------- 1293132 A7 _____B7___ 五、發明說明（l ) 性液晶)與包含配向液晶等之ECB(電場控制複折射)型液晶 、彎曲液晶、IPS(面向切換）、GH(客-主)液晶、高分子分散 型液晶、強導電性液晶、反強導電性液晶、OCB液晶、圓 盤狀液晶、及其他各種模式之液晶，就液晶而言，亦可使 用正常白型（隨所施加電壓之增加，透射率變小）與正常黑 型（隨所施加電壓之增加，透射率變大）。又，除了液晶以 外，若是藉由施加電壓來變化光學的特性之材料的話，就 能加以使用。例如，有BS〇(Bismuth Silicon Oxide)等之電 氣光學結晶。而且，亦可是電致發色材料、自發光型二極 體、雷射、電致發光材料等。或亦可是DMD(Deformable Mirror Device)。但，因液晶最便宜，故較佳係使用液晶。 又，上述之實施形態，係以直視型之液晶顯示面板爲 中心來加以敘述，但當然也能應用在液晶投影機等所使用 之液晶元件(亦包含多結晶矽型、單結晶矽型、或SOI型等 )等中。 又，第1〜第3實施形態，係就TN型構造(更一般化 ，像素電極與對向電極係挾持液晶層，形成平行平板電容 之構造)之顯示裝置加以說明，第4〜第6實施形態，係就 IPS型構造(更一般化，共通電極形成於與像素電極同一基 板上，藉由與基板平行之電場，使液晶動作之構造)之顯示 裝置加以說明。 但是，第1〜第3實施形態，即，亦可用IPS型之構 成來實施圖14之單位像素電路之構成。例如，較佳係在基 板上，分別作成共通電極(電位Vc(n))與對向電極(電位Vf)( 83 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -%------ 丨訂---------線| -4^----------------------- 1293132 A7 ___B7____ 五、發明說明（fl) 對向電極亦可每行或每列加以分離）。 又，相反的，第4〜第6實施形態，即，亦可用TN型 之構成來實施圖8之單位像素電路之構成。這種情形，形 成於對向側基板之對向電極能達到共通電極之效果。一般 ，因對向電極涉及整個顯示領域，係共通之1片電極，故 在掃描整個畫面間，必需經常取Vc(+)或Vc(-）之任一個 電位，但一定能得到本發明之效果。這種情形，較佳係 Vcoff考慮這些之平均値，即[Vc(+) + Vc(-）]/2(但，這種 情形，若依(式19)的話，因Δν(χ=0，故不能期待改善(有 關原理之補充事項1 : Vcc=0)所述之長期穩定性之效果）。 當然，若用TN型之構成，在每1行絕緣分離對向電 極的話，就能個別設定各行之對向電極電位，仍能全部實 現第4〜第6實施形態。 又，就本發明所採納之驅動方法之變形而言，例如’ 在圖8與圖14之單位像素電路構成中，有將共通電極或對 向電極全部保持在相同電位變動之驅動方法（同步閘極驅動 方法）。例如，在圖14中，當從影像信號電極供應之影像 信號爲正極性時，係把對向電極電位Vf及共通電極電位 Vc(n)全部當作某第1電位，當從影像信號電極供應之影像 信號爲負極性時，係把對向電極電位Vf及共通電極電位 Vc(n)全部當作其他某第2電位。這種情形，圖14之Cst與 Clc之連接端(即，Vc(n)及Vf)係結果相同之電位，故Cst與 Clc能單獨看作並聯電容，Cst+Clc能看作與圖8之Clc等 效(圖8之Cst爲0)。 84 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
Bn ϋ I -ϋ n ·1 一一tfJI ϋ ϋ I H ϋ ϋ I I I n n n ϋ n ·ϋ I ·ϋ n n n an i_i n ϋ I I n ϋ ϋ I A7 1293132 ---- --—_ 五、發明說明（β) 又，將上述第1電位看作Vc(+)，將第2電位看作 Vc(-），則較佳係Vcoff可考慮是這些的平均値，即[vc( + ) + Vc(—)]/2(但，這種情形，若依(式19)的話，因 ，故不能期待(有關原理之補充事項1 : Vcc=〇)所述之改善 長期穩定性之效果）。 【圖式之簡單說明】 圖1係表示有關本發明第1實施形態之顯示裝置之像 素佈局俯視圖。 圖2係沿著圖1之A — A’線之截面圖。 圖3係有關本發明第1實施形態之顯示裝置之電路構 成圖。 圖4係表示有關本發明第2實施形態之顯示裝置之像 素佈局俯視圖。 圖5係有關本發明第2實施形態之顯示裝置之電路構 成圖。 圖6A係用來說明有關本發明第2實施形態之顯示裝 置之點反轉驅動之驅動方法之奇數圖框波形圖。 圖6B係用來說明有關本發明第2實施形態之顯示裝 置之點反轉驅動之驅動方法之偶數圖框波形圖。 圖7A係用來說明有關本發明第2實施形態之顯示裝 置之列反轉驅動之驅動方法之奇數圖框波形圖。 圖7B係用來說明有關本發明第2實施形態之顯示裝 置之列反轉驅動之驅動方法之偶數圖框波形圖。 圖8係有關本發明第4實施形態之顯示裝置之丨像素 85 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) %
^1 ϋ -ϋ n n ϋ n I n I n ϋ ϋ I a^i I ft— ·ϋ n n n an n n ϋ I n n ϋ n I ϋ I ϋ ·ϋ I A7 1293132 _B7__ 五、發明說明（S^f) 份電路圖。 圖9係表示有關本發明第4實施形態之顯示裝置之像 素佈局俯視圖。 圖10係沿著圖9之A — A ’線之截面圖。 圖11係有關本發明第4實施形態之顯示裝置之電路構 成圖。 圖12係表示有關本發明第5實施形態之顯示裝置之像 素佈局俯視圖。 圖13係有關本發明第5實施形態之顯示裝置之電路構 成圖。 圖14係有關習知及本發明第1實施形態之顯示裝置之 1像素份電路圖。 圖15係用來說明有關習知及本發明第1實施形態之顯 示裝置之驅動方法之波形圖。 圖16A係表示場反轉方式中之像素極性圖案與掃描信 號波形圖。 圖16B係表示行反轉方式中之像素極性圖案與掃描信 號波形圖。 圖16C係表示列反轉方式中之像素極性圖案與掃描信 號波形圖。 圖16D係表示點反轉方式中之像素極性圖案與掃描信 號波形圖。 圖17係用來說明離供電端近的部分與遠的部分，再充 電電壓不同之波形圖。 86 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------訂--------- 線—籲----------------------- 1293132 A7 —_____Β7__ 五、發明說明（汐） 圖18係用來說明再充電電壓大小關係之圖。 圖19Α係表示/3畫面內之分布方式一例之圖。 圖19Β係表示沒畫面內之分布方式一例之圖。 圖19C係表示Θ畫面內之分布方式一例之圖。 圖19D係表示Θ畫面內之分布方式一例之圖。 圖20Α係表示γ畫面內之分布方式一例之圖。 圖20Β係表示γ畫面內之分布方式一例之圖。 圖20C係表示7畫面內之分布方式一例之圖。 圖20D係表示τ畫面內之分布方式一例之圖。 圖21係用來考察最佳0及r分布之模式電路圖。 圖22係圖21模式電路之構成單位電路圖。 圖23係表示圖21模式電路中各節點之電壓時間變化 圖。 圖24係表示藉由模式計算所導出之再充電電壓之畫面 內分布圖。 圖25A係表示Θ畫面內之分布方式之另一例之圖。 圖25B係表示Θ畫面內之分布方式之另一例之圖。 圖26A係表示掃描電極與共通電極之供電方法之一例 與再充電電壓間之關係圖。 圖26B係表示掃描電極與共通電極之供電方法之一例 與再充電電壓間之關係圖。 圖26C係表示掃描電極與共通電極之供電方法之一例 與再充電電壓間之關係圖。 圖26D係表示掃描電極與共通電極之供電方法之一例 87 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I «ϋ ϋ ϋ ϋ I n 一-ον ϋ 1 I I I H I ϋ ^1 I n n n an n ϋ n I n I I 1 I I n ϋ n ϋ . 1293132 A7 Γ____Β7__ 五、發明說明（κ) 與再充電電壓間之關係圖。 圖26Ε係表示掃描電極與共通電極之供電方法之一例 與再充電電壓間之關係圖。 圖26Ε’係表示掃描電極與共通電極之供電方法之一例 與再充電電壓間之關係圖。 圖27係本發明顯示裝置之另一例之1像素份電路圖。 圖28Α係用來說明有關其他實施形態之顯示裝置之驅 動方法之奇數圖框波形圖。 圖28Β係用來說明有關其他實施形態之顯示裝置之驅 動方法之偶數圖框波形圖。 圖29Α係用來說明有關其他實施形態之顯示裝置之另 一驅動方法之奇數圖框波形圖。 圖29Β係用來說明有關其他實施形態之顯示裝置之另 一驅動方法之偶數圖框波形圖。 圖30係在ρ通道型之TFT中，說明再充電電壓之大 小關係圖。 圖31係本發明應用於使用有機電致發光元件之顯示裝 置之像素構成圖。 圖 32 係表示設△ a gd= a gd(E) — a gd(〇），及△ α st =ast(E)— ast(O)時，可同時削減亮度不均及閃爍的△ α gd與△ a st之範圍。 圖33A係藉由模擬來求出顯示領域內之Cst與Cgd之 最佳分布圖。 圖33B係藉由模擬來求出顯示領域內之Cst與Cgd之 88 尺度適用> 國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297 ~' ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) H ·ϋ n n ϋ n 一一^· n ϋ ϋ ·1 ϋ ϋ ι I ^1 n ϋ *ϋ n I ·ϋ ϋ I I I n n n 1 ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ·ϋ ϋ · 1293132 A7 _B7_ 五、發明說明（巧） 最佳分布圖。 圖33C係藉由模擬來求出顯示領域內之Cst與Cgd之 最佳分布圖。 圖33D係藉由模擬來求出顯示領域內之Cst與Cgd之 最佳分布圖。 【符號說明】 1 掃描電極 2 影像信號電極 3 薄膜電晶體 4 共通電極 5 像素電極 7 儲存電容 9 半導體部分 11 陣列基板 12 對向基板 13 液晶 14、15 偏光板 17 密封膠 18 絕緣膜 19 濾色片 20 對向電極 21 掃描信號驅動電路 22 影像信號驅動電路 23 顯示元件 89 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) % 訂---------線！ -ϋ ϋ n n ·1 ϋ I I ϋ ϋ ϋ n n ϋ ! ϋ ϋ I ϋ H I _ 1293132 A7 _B7五、發明說明 24 有機電致發光元件 25 輔助丁FT 26 共通電極電位控制電路 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I I I ϋ 1 I I I > n I ϋ I ϋ ϋ I I I I n n I n n ϋ n n ϋ ϋ ϋ n ϋ I n n — — — — — _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. ^3132 δδ· 7. 26 日修(/)正替換頁 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 專利申請案第90114014號申請專利範圍修正本2〇〇7年7月 1、 一種顯示裝置，其係具有：配置成陣列狀之複數像 素電極、連接於複數像素電極之開關元件、掃描電極、影 像信號電極、共通電極、對向電極、***於前述像素電極 與前述對向電極間之顯示介質、及形成於前述像素電極與 前述共通電極間之儲存電容，其特徵在於： 當用Cgd來表示前述像素電極與前述掃描電極間之掃 描電極-像素電極間電容，用Cst來表示前述像素電極與前 述共通電極間之共通電極-像素電極間電容，用Ctot來表示 電氣連接於前述像素電極之全部電容之總和時， agd=Cgd/Ctot，ast=Cst/Ctot···(式 1) 使掃描電極與像素電極之重疊部的面積、以及共通電 極與像素電極之重疊部的面積，形成離供電端側最遠的畫 面中央部分較離供電端側最近的畫面端部分爲大，以在畫 面內，使(式1)所示之agd及a st皆在離供電端側最遠的畫 面中央部分較離供電端側最近的畫面端部分爲大。 2、 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中，前述顯 示裝置係具有影像信號驅動電路，對應顯示週期，將2種 不同極性之影像信號施加於影像信號電極。 3、 如申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中，前述顯 示裝置係具有：共通電極電位控制電路，將電壓信號施加 於複數共通電極；及掃描信號驅動電路，將電壓信號施加 於複數掃描電極；前述共通電極電位控制電路至少具有2 1 ^纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐〉 " ........................0^.…… {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂：
    六、申請專利範圍 値之輸出電位位準，前述掃描信號驅動電路至少具有2値 之輸出電位位準。 4、 如申請專利範圍弟3項之頒不裝置’其中’當選擇 某掃描電極時，前述掃描電極之電位成爲第1電位位準 Vgon，在未選擇前述掃描電極之保持期間中，前述掃描電 極之電位大致成爲第2電位位準Vgoff ; 連接於複數像素（屬於前述掃描電極）之像素電極之儲 存電容另一側連接端之共通電極電位’係在選擇前述掃描 電極時，當影像信號之極性爲正時，成爲第1電位位準 Vc(+)，當前述影像信號之極性爲負時，成爲第2電位位 準 Vc(_); 當用△ Vc(+)來表不即述共通電極之第1電位位準Vc( + )以後之保持期間之電位差，用^Vc(-）來表示前述共通 電極之第2電位位準Vc(-）以後之保持期間之電位差時， γ = a stVcp/2 ···(式 2) (式中 ’ Vcp= △ Vc( +)— △ Vc(—） ···（式 3)) 在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分減 小(式2)所示之r値。 5、 如申請專利範圍第4項之顯示裝置，其中’在前述 r之畫面內，離供電端近之部分之値設爲r (◦)，在前述r 之畫面內，離供電端遠之部分之値設爲τ (E) ’把相當於追 些距離中間部分之値設爲r (M)時，前述r (M)比[r (〇）+ r (E)]/2 小。 6、 如申請專利範圍第4項之顯示裝置’其中’前述 2 ----------------------..............訂................ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
    六、申請專利範圍 Vcp係取負値。 7、 如申請專利範圍第3項之顯示裝置，其中，當選擇 某掃描電極時，前述掃描電極之電位成爲第1電位位準 Vgon，在未選擇前述掃描電極之保持期間中，前述掃描電 極之電位大致成爲第2電位位準Vgoff ; 連接於複數像素(屬於前述掃描電極）之像素電極之儲 存電容另一側連接端之共通電極電位，係在選擇前述掃描 電極時，當影像信號之極性爲正時，成爲第1電位位準 Vc( + )，當影像信號之極性爲負時，成爲第2電位位準Vc( 一）； 當用Δνα + )來表示前述共通電極之第1電位位準Vc( + )以後之保持期間之電位差，用AVc(-）來表示前述共通 電極之第2電位位準Vc(-）以後之保持期間之電位差時’ /3 = a gd+ a st(A Vcc/Δ Vgon) ···(式 4) (式中，Δλ^οι^νδοη—Vgoff， AVcc=[AVc( + )+ AVc( — )]/2 ···(式 5)) 在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分增 大(式4)所示之/3値。 8、 如申請專利範圍第7項之顯示裝置，其中，在前述 /3之畫面內，離供電端近之部分之値設爲β(〇），在前述冷 之畫面內，離供電端遠之部分之値設爲/5(E)，把相當於這 些距離中間部分之値設爲/3 (Μ)時，前述泠（Μ)比[/3 (〇）+ /3 _2 大。 9、 如申請專利範圍第7項之顯示裝置，其中，前述△ 3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） .....................................訂................ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    六、申請專利範圍 • Vcc爲負値。 10、 如申請專利範圍第3項之顯示裝置，其中，當選 擇某掃描電極時，前述掃描電極之電位成爲第1電位位準 Vgon，在未選擇前述掃描電極之保持期間中，前述掃描電 極之電位大致成爲第2電位位準Vgoff ; 連接於複數像素(屬於前述掃描電極)之像素電極之儲 存電容另一側連接端之共通電極電位，係在選擇前述掃描 電極時，當影像信號之極性爲正時，成爲第1電位位準 Vc( + )，當影像信號之極性爲負時，成爲第2電位位準Vc( 一）； 當用Δνα+)來表示前述共通電極之第1電位位準Vc( + )以後之保持期間之電位差，用AVc(-）來表示前述共通 電極之第2電位位準Vc(-）以後之保持期間之電位差時， γ = a stVcp/2 …（式 2) (式中，Vcp= △ Vc(+)— △ Vc(—） ···（式 3)) 在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分減 小(式2)所示之r値； β = a gd+ a st(A Vcc/Δ Vgon) …（式 4) (式中’ △Vgon=Vgon —Vgoff， Δ Vcc= [Δ Vc(+)+ Δ Vc(-)]/2 ···(式 5)) 且，在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部 分增大(式4)所示之/5値。 11、 一種顯示裝置，其係具有：配置成陣列狀之複數 像素電極、連接於複數像素電極之開關元件、掃描電極、 4 ^紙張尺度適用_國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) ' .....................................訂................ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Ι29βΤ3^~~~f-~-η 9f 7月26日修正替換頁 | ^ 1 _ ' "_，*****^··η^^_______ __ - —— - 六、申請專利範圍 影像信號電極、共通電極、對向電極、***於前述像素電 極與前述對向電極間之顯示介質、及形成於前述像素電極 與任一個前述共通電極間之儲存電容；連接於複數像素(屬 於某1前述掃描電極)之前述像素電極之儲存電容另一側連 接端之共通電極係具有複數個，其特徵在於： 當用Cgd來表示前述像素電極與前述掃描電極間之掃 描電極-像素電極間電容，用Cst來表示前述像素電極與前 述共通電極間之共通電極-像素電極間電容，用Ctot來表示 電氣連接於前述像素電極之全部電容之總和時， ^ gd= Cgd/Ctot ? a st= Cst/Ctot •••(Si) 在畫面內，離供電端近的部分與離供電端遠的部分， 係將(式1)所示之agd及a st同時設定在不同之値。 12、 如申請專利範圍第11項之顯示裝置，其中，前述 顯示裝置係具有影像信號驅動電路，將2種不同極性之影 像信號同時施加於複數影像信號電極，且對應顯示週期， 將2種不同極性之影像信號同時施加於各個前述影像信號 電極。 13、 如申請專利範圍第12項之顯示裝置，其中，前述 顯示裝置係在屬於某1個掃描電極之複數像素中，具有第 1共通電極與第2共通電極；第1共通電極係連接於像素 電極(屬於施加第1極性之影像信號之影像信號電極之像素 )之儲存電容另一側連接端；第2共通電極係與前述第1共 通電極不同，連接於前述像素電極(屬於施加第2極性之影 像信號之影像信號電極之像素)之前述儲存電容另一側連接 5 度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) .....................................訂................^9. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1293132 修正替換負 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 丄山 贿。 14、 如申請專利範圍第13項之顯示裝置，其中，前述 顯示裝置具有：共通電極電位控制電路，將電壓信號施加 於複數共通電極；及掃描信號驅動電路，將電壓信號施加 於複數掃描電極；前述共通電極電位控制電路至少具有2 値之輸出電位位準，前述掃描信號驅動電路至少具有2値 之輸出電位位準。 15、 如申請專利範圍第14項之顯示裝置，其中，當選 擇某掃描電極時，前述掃描電極之電位成爲第1電位位準 Vgon，在未選擇前述掃描電極之保持期間中，前述掃描電 極之電位大致成爲第2電位位準Vgoff ; 在連接於複數像素之像素電極（屬於前述掃描電極）之 儲存電容另一側連接端之共通電極中， 前述第1共通電極電位係在選擇前述掃描電極時，當 影像信號(施加於對應前述第1共通電極之影像信號電極) 之極性爲正時，成爲第1電位位準Vc( + )，當前述影像信 號之極性爲負時，成爲第2電位位準Vc(—）； 前述第2共通電極電位係在選擇前述掃描電極時’當 影像信號(施加於對應前述第2共通電極之影像信號電極) 之極性爲正時，成爲第1電位位準Vc( + )，當前述影像^ 號之極性爲負時，成爲第2電位位準Vc(—）； 當用Δνν + )來表示前述共通電極之第1電位位準Vc( + )以後之保持期間之電位差，用^Vc(-）來表示前述共通 電極之第2電位位準Vc(-）以後之保持期間之電位差時’ 6 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 §. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4规格(210 X 297公爱) I 年
    換 替
    A8B8C8D8 六、申請專利範圍 7 = a lcVcp/2 …（式 2) (式中，Vcp= △ Vc(+)— △ Vc( —) ···(式 3)) 在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分減 小(式2)所示之r値。 16、 如申請專利範圍第15項之顯示裝置，其中，在前 述T之畫面內，離供電端近之部分之値設爲T (〇)，在前述 r之畫面內，離供電端遠之部分之値設爲r (E)，把相當於 這些距離中間部分之値設爲r (M)時，則前述r (M)比[r (〇)+ Τ (E)]/2 小。 17、 如申請專利範圍第15項之顯示裝置，其中，前述 Vcp爲負値。 18、 如申請專利範圍第14項之顯示裝置，其中，當選 擇某掃描電極時，前述掃描電極之電位成爲第1電位位準 Vgon，在未選擇前述掃描電極之保持期間中，前述掃描電 極之電位大致成爲第2電位位準Vgoff ; 在連接於複數像素（屬於前述掃描電極）之像素電極之 儲存電容另一側之連接端之共通電極中， 前述第1共通電極電位係在選擇前述掃描電極時’當 影像信號(施加於對應前述第1共通電極之影像信號電極) 之極性爲正時，成爲第1電位位準Vc(+)，當前述影像信 號之極性爲負時，成爲第2電位位準Vc(-）； 前述第2共通電極電位係在選擇前述掃描電極時’當 前述影像信號(施加於對應前述第2共通電極之前述影像信 號電極)之極性爲正時，成爲第1電位位準Vc( + )，當前述 7 —..................—..........訂................^9— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 頁 換 替 正 \Α/ί 131 3 9一 2 ,T4 96. A8B8C8D8 7T、申請專利範圍 影像信號之極性爲負時，成爲第2電位位準Vc(—Γ， 當用△ Vc(+)來表示前述共通電極之第1電位位準Vc( + )以後之保持期間之電位差，用AVc(-）來表示前述共通 電極之第2電位位準Vc(-）以後之保持期間之電位差時’ β = a gd+ a st(A Vcc/Δ Vgon) …（式 4) .(式中，△Vgon^Vgon—Vgoff， △ Vcc=[A Vc( + )+△ Vc( —)]/2 …（式 5)) 在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分增 大(式4)所示之/3値。 19、 如申請專利範圍第18項之顯示裝置，其中，在前 述/3之畫面內，離供電端近之部分之値設爲3(〇)，在前述 /5之畫面內，離供電端遠之部分之値設爲3(E)，把相當於 這些距離中間部分之値設爲/5 (M)時，前述/5 (M)係比[冷 (〇)+ 冷（E)]/2 大。 20、 如申請專利範圍第18項之顯示裝置，其中，△ Vcc爲負値。 21、 如申請專利範圍第14項之顯示裝置，其中，當選 擇某掃描電極時，前述掃描電極之電位成爲第1電位位準 Vgon，在未選擇前述掃描電極之保持期間中，前述掃描電 極之電位大致成爲第2電位位準Vgoff ; 在連接於複數像素(屬於前述掃描電極）之像素電極之 儲存電容另一側連接端之共通電極中， 前述第1共通電極電位係在選擇前述掃描電極時，當 影像信號(施加於對應前述第1共通電極之影像信號電極) 8 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) B8 C8 D8 jl孕修命正替換頁 、申請專利範圍 之極性爲正時，成爲第1電位位準Vc(+)，當前述影像信 號之極性爲負時，成爲第2電位位準Vc(—）； 前述第2共通電極電位係在選擇前述掃描電極時’當 影像信號(施加於對應前述第2共通電極之影像信號電極) 之極性爲正時，成爲第1電位位準Vc(+) ’當前述影像信 號之極性爲負時，成爲第2電位位準Vc( —）； 當用ΔνΜ + )來表示前述共通電極之第1電位位準Vc( + )以後之保持期間之電位差，用^Vc(-）來表示前述共通 電極之第2電位位準Vc(-）以後之保持期間之電位差時’ γ = a stVcp/2 (式中，Vcp= △ Vc( + )— △ Vc(—) ···(式 3)) 在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分減 小(式2)所示之r値， /3 = a gd+ a st(A Vcc/Δ Vgon) (式中，Δλ^οη^^νδοη — Vgoff， △ Vcc = [△ Vc(+) + △ Vc(—)]/2 且在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分 增大(式4)所示之/5値。 22、一種顯示裝置，其係具有：配置成陣列狀之複數 像素電極、連接於複數像素電極之開關元件、掃描電極、 影像信號電極、共通電極、***於前述像素電極與前述共 通電極間之顯示介質、及透過前述顯示介質而形成於前述 共通電極(與前述像素電極對向）及該段前述掃描電極以外 之電極與前述像素電極間之儲存電容，其特徵在於： 本紙張尺度適用_國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) .......................…… (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) (式2) (式4) (式 5)) 訂：
    六、申請專利範圍 當用Cgd來表示前述像素電極與前述掃描電極間之掃 描電極-像素電極間電容，用Clc來表示前述像素電極與前 述共通電極間之共通電極-像素電極間電容，用Ctot來表示 電氣連接於前述像素電極之全部電容之總和時， CC gd= Cgd/Ctot 5 a lc= Clc/Ctot ···(式 6) 在畫面內，離供電端近的部分與離供電端遠的部分， 係將(式6)所示之a gd及a lc同時設定在不同之値。 23、 如申請專利範圍第22項之顯示裝置，其中，前述 絲頁不裝置係具有影像丨目號驅動電路’封應頌不週期，將2 種不同極性之影像信號施加於影像信號電極。 24、 如申請專利範圍第23項之顯示裝置，其中，前述 顯示裝置具有：共通電極電位控制電路，將電壓信號施加 於複數共逋電極；及掃描信號驅動電路，將電壓信號施加 於複數掃描電極；前述共通電極電位控制電路至少具有2 値之輸出電位位準，前述掃描信號驅動電路至少具有2値 之輸出電位位準。 25、 如申請專利範圍第24項之顯示裝置，其中，當選 擇某掃描電極時，前述掃描電極之電位成爲第1電位位準 Vgon，在未選擇前述掃描電極之保持期間中，前述掃描電 極之電位大致成爲第2電位位準Vgoff ; 複數像素（屬於前述掃描電極）之像素電極與透過顯示 介質而形成對向之共通電極之電位，係在選擇前述掃描電 極時，當影像信號之極性爲正時，成爲第1電位位準Vc( + )，當前述影像信號之極性爲負時，成爲第2電位位準 10 本紙張又度適用f國國家標準(CNS)A4規格(210 X297公釐) ' .....................................訂............... KW (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    A8B8C8D8 六、申請專利範圍 Vc(-)； 當用Δν(：(+)來表示前述共通電極之第1電位位準Vc( + )以後之保持期間之電位差，用AVc(-）來表示前述共通 電極之第2電位位準Vc(-）以後之保持期間之電位差時’ r = a lcVcp/2 ···(式 7) (式中，Vcp= △ Vc( +)— △ Vc(—) ···(式 8)) 在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分減 小(式7)所示之r値。 26、 如申請專利範圍第25項之顯示裝置，其中’在前 述r之畫面內，離供電端近之部分之値設爲T (◦)，在前述 r之畫面內，離供電端遠之部分之値設爲r (E)，把相當於 這些距離中間部分之値設爲r (M)時，前述τ (M)係比[r (〇）+ r (e)]/2 小。 27、 如申請專利範圍第25項之顯示裝置，其中，前述 Vcp爲負値。 28、 如申請專利範圍第24項之顯示裝置，其中，當選 擇某掃描電極時，前述掃描電極之電位成爲第1電位位準 Vgon，在未選擇前述掃描電極之保持期間中，前述掃描電 極之電位大致成爲第2電位位準Vgoff ; 複數像素（屬於前述掃描電極）之像素電極與透過顯示 介質而形成之共通電極之電位，係在選擇前述掃描電極時 ，當影像信號之極性爲正時，成爲第1電位位準Vc(+)， 當前述影像信號之極性爲負時，成爲第2電位位準Vc(—) 11 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11
    六、申請專利範圍 .......................------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 當用△ Vc( + )來表示前述共通電極之第1電位位準Vc( + )以後之保持期間之電位差，用A Vc(一）來表示前述共通 電極之第2電位位準Vc(-）以後之保持期間之電位差時’ β = a gd+ a lc(A Vcc/Δ Vgon) ···(式 9) (式中，△Vgon=Vgon — Vgoff， Δ Vcc= [ Δ Vc( + )+ Δ Vc( — )]/2 ··.(式 10)) 在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分增 大(式9)所示之/3値。 29、 如申請專利範圍第28項之顯示裝置，其中，在前 述冷之畫面內，離供電端近之部分之値設爲/5(0)，在前述 畫面內離供電端遠之部分之値設爲/5(E)，把相當於這些距 離中間部分之値設爲/5 (M)時，前述沒（M)係比[/5(0)+冷 (E)]/2 大。 30、 如申請專利範圍第28項之顯示裝置，其中，△ AW. Vcc爲負値。 31、 如申請專利範圍第24項之顯示裝置，其中，當選 擇某掃描電極時，前述掃描電極之電位成爲第1電位位準 Vgon，在未選擇前述掃描電極之保持期間中，前述掃描電 極之電位大致成爲第2電位位準Vgoff ; 複數像素（屬於前述掃描電極）之像素電極與透過顯示 介質而形成之共通電極之電位，係在選擇前述掃描電極時 ，當影像信號之極性爲正時，成爲第1電位位準Vc(+)， 當前述影像信號之極性爲負時，成爲第2電位位準Vc(-） 9 12 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A8B8C8D8 1293132 六、申請專利範圍 當用Δνα+)來表示前述共通電極之第1電位位準Vc( + )以後之保持期間之電位差，用AVc(-）來表示前述共通 電極之第2電位位準Vc(-）以後之保持期間之電位差時’ T = a lcVcp/2 ···(式 7) (式中，Vcp = △ Vc( + )~ △ Vc( —) ···(式 8)) 在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分減 小(式7)所示之r値， = a gd+ α lc(A Vcc/Δ Vgon) ···(式 9) (式中，Δν2〇η = ν2〇η—ν2〇ί£， Δ Vcc = [Δ Vc( + ) + Δ Vc(- )]/2 ···(式 10)) 且在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分 增大(式9)所示之/3値。 32、一種顯示裝置，其係具有：配置成陣列狀之複數 像素電極、連接於複數像素電極之開關元件、掃描電極、 影像信號電極、共通電極、***於前述像素電極與前述共 通電極間之顯示介質、及透過前述顯示介質而形成於前述 共通電極（與前述像素電極對向）及該段前述掃描電極以外 之電極與前述像素電極間之儲存電容；複數像素(屬於某1 個前述掃描電極)之前述像素電極與透過前述顯示介質而形 成對向之前述共通電極具有複數個，其特徵在於： 當用Cgd來表示前述像素電極與前述掃描電極間之掃 描電極-像素電極間電容，用Clc來表示前述像素電極與前 述共逋電極間之共通電極-像素電極間電容，用Ctot來表示 電氣連接於前述像素電極之全部電容之總和時， 13 尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) .....................................訂................^9 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A8B8C8D8 1293132 !. %.l. si 六、申請專利範圍 « gd= Cgd/Ctot j a lc= Cst/Ctot ·_.(式 6) 在畫面內，離供電端近的部分與離供電端遠的部分’ 係將(式6)所示之a gd及a lc同時設定在不同之値。 33、 如申請專利範圍第32項之顯示裝置，其中，前述 顯示裝置具有影像信號驅動電路，將2種不同極性之影像 信號同時施加於複數影像信號電極，且對應顯示週期，將 2種不同極性之影像信號施加於各個前述影像信號電極。 34、 如申請專利範圍第33項之顯示裝置，其中，前述 顯示裝置係在屬於某1個掃描電極之複數像素中，具有第 1共通電極與第2共通電極；第1共通電極係透過像素電 極(屬於施加第1極性之影像信號之影像信號電極之像素) 與顯示介質而形成對向，第2共通電極係與前述第1共通 電極不同，透過像素電極(屬於施加第2極性之影像信號之 影像信號電極之像素)與顯示介質而形成對向。 35、 如申請專利範圍第34項之顯示裝置，其中，前述 顯示裝置具有：共通電極電位控制電路，將電壓信號施加 於複數共通電極；及掃描信號驅動電路，將電壓信號施加 於複數掃描電極；前述共通電極電位控制電路至少具有2 値之輸出電位位準，前述掃描信號驅動電路至少具有2値 之輸出電位位準。 36、 如申請專利範圍第35項之顯示裝置，其中，當選 擇某掃描電極時，前述掃描電極之電位成爲第1電位位準 Vgon，在未選擇前述掃描電極之保持期間中，前述掃描電 極之電位大致成爲第2電位位準Vgoff ; 14 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） .................................訂................ (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁)
    頁 換 替 正 \—/ ? A8SC8D8 六、申請專利範圍 在複數像素（屬於前述掃描電極）之像素電極與透過顯 示介質而形成對向之共通電極中， 前述第1共通電極電位係在選擇前述掃描電極時’當 影像信號(施加於對應前述第1共通電極之影像信號電極) 之極性爲正時，成爲第1電位位準Vc( + )，當前述影像信 號之極性爲負時，成爲第2電位位準Vc( —）； 前述第2共通電極電位係在選擇前述掃描電極時’當 影像信號(施加於對應前述第2共通電極之影像信號電極) 之極性爲正時，成爲第1電位位準Vc( + )，當前述影像信 號之極性爲負時，成爲第2電位位準Vc(—）； 當用Δνα+)來表示前述共通電極之第1電位位準Vc( + )以後之保持期間之電位差，用AVc(-）來表示前述共通 電極之第2電位位準Vc(-）以後之保持期間之電位差時， y = a lcVcp/2 …(式 7) (式中，Vc：p= △ Vc(+) — △ Vc(—) ···(式 8)) 在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分減 小(式7)所示之r値。 37、 如申請專利範圍第36項之顯示裝置，其中，在前 述r之畫面內，離供電端近之部分之値設爲r (〇)，在前述 r之畫面內，離供電端遠之部分之値設爲r (E)，把相當於 這些距離中間部分之値設爲r (M)時，前述r (M)係比[τ (〇)+ τ (E)]/2 小。 38、 如申請專利範圍第36項之顯示裝置，其中，前述 Vcp爲負値。 15 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公f) .....................................訂................Aw (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A8SS 1293132=1 96.7.2 6 V 六、申請專利範圍 39、如申請專利範圍第35項之顯示裝置，其中，當選 擇某掃描電極時，前述掃描電極之電位成爲第1電位位準 Vgon，在未選擇前述掃描電極之保持期間中，前述掃描電 極之電位大致成爲第2電位位準Vgoff ; 在複數像素（屬於前述掃描電極）之像素電極與透過顯 示介質而形成對向之共通電極中， 前述第1共通電極電位係在選擇前述掃描電極時’當 影像信號(施加於對應前述第1共通電極之影像信號電極) 之極性爲正時，成爲第1電位位準Vc( + )，當前述影像信 號之極性爲負時，成爲第2電位位準Vc(-）； 前述第2共通電極電位係在選擇前述掃描電極時’當 影像信號(施加於對應前述第2共通電極之影像信號電極) 之極性爲芷時，成爲第1電位位準Vc( + )，當前述影像信 號之極性爲負時，成爲第2電位位準Vc； 當用△ Vc(+)來表示前述共通電極之第1電位位準Vc( + )以後之保持期間之電位差，用AVc(-）來表示前述共通 電極之第2電位位準Vc(-）以後之保持期間之電位差時’ ^ = a gd+ α lc(A Vcc/Δ Vgon) ···(式 9) (式中，Δν2〇η = ν2〇η —Vgoff， △ Vcc= [△ Vc(+)+△ Vc(—)]/2 ···(式 10)) 在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分增 大(式9)所示之/3値。 4〇、如申請專利範圍第39項之顯示裝置，其中，在前 述/3之畫面內，離供電端近之部分之値設爲β(0)，在前述 16 1 — — — — — — — 1 — -I— II· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1 13.:: i 9:1 1.04'?」
    j換 漆ί i8D8 六、申請專利範圍 /3之畫面內離供電端遠之部分之値設爲/3(E)，把相當於這 些距離中間部分之値設爲冷（M)時，前述/3 (M)係比[点（〇) + 召（E)]/2 大。 41、 如申請專利範圍第39項之顯示裝置，其中，△ Vcc爲負値。 42、 如申請專利範圍第35項之顯示裝置，其中，當選 擇某掃描電極時，前述掃描電極之電位成爲第1電位位準 Vgon，在未選擇前述掃描電極之保持期間中，前述掃描電 極之電位大致成爲第2電位位準Vgoff ; 在複數像素（屬於前述掃描電極）之像素電極與透過顯 示介質而形成對向之共通電極中， 前述第1共通電極電位係在選擇前述掃描電極時’當 影像信號(施加於對應前述第1共通電極之影像信號電極) 之極性爲正時，成爲第1電位位準Vc(+)，當前述影像信 號之極性爲負時，成爲第2電位位準Vc( — 前述第2共通電極電位係在選擇前述掃描電極時’當 影像信號(施加於對應前述第2共通電極之影像信號電極) 之極性爲正時，成爲第1電位位準Vc(+) ’當前述影像信 號之極性爲負時，成爲第2電位位準Vc(—）； 當用Δνα+)來表示前述共通電極之第1電位位準Vc( + )以後之保持期間之電位差，用AVc(-）來表示前述共通 電極之第2電位位準Vc(-）以後之保持期間之電位差時’ r = a lcVcp/2 ···(式 7) (式中，Vcp= △ Vc( +)— △ Vc(—) ···(式 8)) 17 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公愛） ...............................................訂............. (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 12 12 A8B8C8D8 容修(4)正替換頁 六、申請專利範圍 在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分減 小(式7)所示之r値’ β = a gd+ a lc(A Vcc/Δ Vgon) ···(式 9) (式中，△ Vgon= Vgon—Vgoff， △ Vcc = [△ Vc( + ) + △ Vc( — )]/2 ···(式 10)) 且在畫面內，離供電端遠的部分比離供電端近的部分 增大(式9)所示之/3値。 43、 如申請專利範圍第1或11項之顯示裝置，其中， 前述顯示介質爲液晶。 44、 如申請專利範圍第43項之顯示裝置，其中，前述 像素電極與前述對向電極係挾著液晶層’形成平行平板電 容之構成。 45、 如申請專利範圍第22或32項之顯示裝置’其中 ，前述顯示介質爲液晶。 46、 如申請專利範圍第45項之顯示裝置，其中，前述 共通電極係形成於與前述像素電極同一基板上’藉由與前 述基板平行之電場，使前述液晶動作。 47、 如申請專利範圍第1、11、22或32項之顯示裝置 ，其中，構成前述Ctot的電容中之至少一個電容包含：藉 由將2個導電層或半導體層挾入絕緣層而形成之電容’在 畫面內，在離供電端近的部分與離供電端遠的部分，使前 述2個導電層或半導體層之重疊面積不同’藉此在離供電 端近的部分與離供電端遠的部分’將α st或α lc、及α gd 設定在不同的値。 18 b氏張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297ϋΤ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 Α8 Β8 C8 D8 1293132 96. 7·2β 、申請專利範圍 48、 一種顯示裝置之驅動方法，係驅動申請專利範圍 第1或11項之顯示裝置之方法，其特徵在於：在前述像素 電極，透過前述開關元件，將電位寫入後，將透過前述Cst 且在畫面內，在離供電端近的部分與離供電端遠的部分具 有不同値之電壓予以重疊。 49、 如申請專利範圍第48項之顯示裝置之驅動方法， 其中，當選擇某掃描電極時，在連接於(屬於前述掃描電極 )複數像素之像素電極之儲存電容另一連接端之共通電極中 ，當影像信號之極性爲正時，施加第1電位位準Vc(+)， 當影像信號之極性爲負時，施加第2電位位準Vc( + )。 50、 一種顯示裝置之驅動方法，係驅動申請專利範圍 第22或32項之顯示裝置之方法，其特徵在於：在前述像 素電極，透過前述開關元件，將電位寫入後，將透過前述 Clc且在畫面內，在離供電端近的部分與離供電端遠的部 分具有不同値之電壓予以重疊。 51、 如申請專利範圍第50項之顯示裝置之驅動方法， 其中，當選擇某掃描電極時，在連接於複數像素(屬於前述 掃描電極)之像素電極之儲存電容另一連接端之共通電極中 ，當影像信號之極性爲正時，施加第1電位位準Vc( + )， 當影像信號之極性爲負時，施加第2電位位準Vc(+)。 52、 一種顯示元件，其係具有：配置成陣列狀之複數 像素電極、連接於複數像素電極之開關元件、掃描電極、 影像信號電極、共通電極、對向電極、***於前述像素電 極與前述對向電極間之顯示介質、及形成於前述像素電極 19 (請先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁) 訂： 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) I293I32T β6. :正替換頁ί Α8 Β8 C8 D8 、申請專利範圍 與前述共通電極間之儲存電容，其特徵在於·· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 當用Cgd來表示前述像素電極與前述掃描電極間之掃 描電極-像素電極間電容，用Cst來表示前述像素電極與前 述共通電極間之共通電極-像素電極間電容，用Ctot來表示 電氣連接於前述像素電極之全部電容之總和時， agd=Cgd/Ctot，ast=Cst/Ctot···(式 1) 在畫面內，離供電端近的部分與離供電端遠的部分， 係將(式1)所示之agd及a st同時設定在不同之値。 .53、一種顯示元件，其係具有：配置成陣列狀之複數 像素電極、連接於複數像素電極之開關元件、掃描電極、 影像信號電極、共通電極、對向電極、***於前述像素電 極與前述對向電極間之顯示介質、及形成於前述像素電極 與任一個前述共通電極間之儲存電容，其特徵在於： 連接於複數像素(屬於某1個前述掃描電極)之像素電 極之前述儲存電容另一連接端之前述共通電極具有複數個 當用Cgd來表示前述像素電極與前述掃描電極間之掃 描電極·像素電極間電容，用Cst來表示前述像素電極與前 述共通電極間之共通電極-像素電極間電容，用Ctot來表示 電氣連接於前述像素電極之全部電容之總和時， agd=Cgd/Ctot，ast=Cst/Ctot···(式 1) 在畫面內，離供電端近的部分與離供電端遠的部分， 係將(式1)所示之a gd及a st同時設定在不同之値。 54、一種顯示元件，其係具有：配置成陣列狀之複數 20 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
    A8B8C8D8 六、申請專利範圍 像素電極、連接於複數像素電極之開關元件、掃描電極、 影像信號電極、共通電極、***於前述像素電極與前述共 通電極間之顯示介質、及儲存電容(透過前述顯示介質，形 成於前述共通電極（與前述像素電極對向）及該段之前述掃 描電極以外之電極與前述像素電極間），其特徵在於： 當用Cgd來表示前述像素電極與前述掃描電極間之掃 描電極-像素電極間電容，用Clc來表示前述像素電極與前 述共通電極間之共通電極-像素電極間電容，用Ctot來表示 電氣連接於前述像素電極之全部電容之總和時， Jgd=Cgd/Ctot，alc=Clc/Ctot…（式 6) 在畫面內，離供電端近的部分與離供電端遠的部分， 係將(式6)所示之a gd及a lc同時設定在不同之値。 55、一種顯示元件，其係具有：配置成陣列狀之複數 像素電極、連接於複數像素電極之開關元件、掃描電極、 影像信號電極、共通電極、***於前述像素電極與前述共 通電極間之顯示介質、及儲存電容(透過前述顯示介質，形 成於前述共通電極（與前述像素電極對向）及該段之前述掃 描電極以外之電極與前述像素電極間），其特徵在於： 複數像素之前述像素電極(屬於某1個前述掃描電極) 與透過前述顯示介質而形成對向之前述共通電極具有複數 個； 當用Cgd來表示前述像素電極與前述掃描電極間之掃 描電極-像素電極間電容’用Clc來表不前述像素電極與前 述共通電極間之共通電極-像素電極間雩容，用Ctot來表示 21 .......................!.........-丨訂................^9. (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公變）
    六、申請專利範圍 電氣連接於前述像素電極之全部電容之總和時， agd= Cgd/Ctot，alc = Clc/Ctot···(式 6) 在畫面內，離供電端近的部分與離供電端遠的部分， 係將(式6)所示之agd及ale同時設定在不同之値。 56、 一種顯示裝置，其係具有：配置成陣列狀之複數 像素電極、連接於複數像素電極之開關元件、掃描電極、 影像信號電極、共通電極、對向電極、***於前述像素電 極與前述對向電極間之顯示介質、及形成於前述像素電極 與前述共通電極間之儲存電容；前述掃描電極係僅從顯示 領域之單側來供電，前述共通電極至少在前述顯示領域， 在與供電前述掃描電極之相反側邊固定電位，其特徵在於 當用Cgd來表示前述像素電極與前述掃描電極間之掃 描電極-像素電極間電容，用Cst來表示前述像素電極與前 述共通電極間之共通電極-像素電極間電容，用Ctot來表示 電氣連接於前述像素電極之全部電容之總和時， ^ gd= Cgd/Ctot ···(式 101) 當在(式101)所示之agd顯示領域內，離前述掃描電 極供電端最遠部分之値設爲a gd(F)時，在顯不領域內’離 前述掃描電極供電端最遠的部分與離供電端最近的部分之 間，存在著a gd値比a gd(F)大的位置。 57、 一種顯示裝置，其係具有：配置成陣列狀之複數 像素電極、連接於複數像素電極之開關元件、掃描電極、 影像信號電極、井通電極、***於前述像素電極與前述共 22 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） .....................................訂................^9. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    六、申請專利範圍 通電極間之顯示介質、及儲存電容(透過前述顯示介質，形 成於前述共通電極（與前述像素電極對向）及該段前述掃描 電極以外之電極與前述像素電極間）；前述掃描電極係僅從 顯示領域之單側來供電，前述共通電極至少在前述顯示領 域，在與供電前述掃描電極之相反側邊固定電位，其特徵 在於： 當用Cgd來表示前述像素電極與前述掃描電極間之掃 描電極-像素電極間電容，用Cst來表示前述像素電極與前 述共通電極間之共通電極-像素電極間電容，用Ctot來表示 電氣連接於前述像素電極之全部電容之總和時， a gd = Cgd/Ctot ···(式 101) 當在(式101)所示之agd顯示領域內，離前述掃描電 極之供電端最遠部分之値設爲a gd(F)時，在顯不領域內’ 離前述掃描電極之供電端最遠的部分與離供電端最近的部 分之間，agd値存在比a gd(F)大的位置。 58、 如申請專利範圍第4、7、10、15、18、21、25、 28、31、36、39或42項之顯示裝置，其中，在前述像素電 極被充電成正極性之影像信號後之保持期間、及前述像素 電極被充電成負極性之影像信號後之保持期間’共通電極 電位不同。 59、 如申請專利範圍第3、14、24或35項之顯示裝置 ，其中，前述掃描信號驅動電路係在複數行同時進行寫入 〇 60、 如申請專利範圍第59項之顯示裝置’其中，前 23 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) .....................................訂................^9. (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 12 12
    日修人良)止督祆貝 B8 C8 D8 、申請專利範圍 述顯示介質爲OCB模式之液晶。 61、 如申請專利範圍第3、14、24或35項之顯示裝置 ，其中，前述掃描信號驅動電路與前述共通電極電位控制 電路皆係組裝於與前述開關元件相同之基板內。 62、 如申請專利範圍第1、11、22或32項之顯示裝置 ，其中，前述顯示介質係由：藉由電流來控制光學狀態之 介質與輔助開關元件所構成。 63、 如申請專利範圍第62項之顯示裝置，其中，藉 由電流來控制光學狀態之前述介質爲有機電致發光介質。 24 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） .....................................訂...............^9. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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