TWI292840B

TWI292840B - Liquid crystal display device

Info

Publication number: TWI292840B
Application number: TW095104066A
Authority: TW
Inventors: Katsufumi Ohmuro
Original assignee: Sharp Kk
Priority date: 2003-03-28
Filing date: 2004-03-17
Publication date: 2008-01-21
Also published as: TW200424687A; KR100847978B1; TWI288270B; KR20040085008A; TW200622395A; JP4364536B2; US7372529B2; US20060077332A1; TW200622396A; US20040189925A1; JP2004301900A; US7312844B2; TWI284232B; US20070182907A1; US7570324B2

Description

1292840 九、發明說明： t發明所屬之技術領域3 發明領域本發明係有關於一種液晶顯示裝置。本發明更尤係關 5 於一種反射式液晶顯示裝置及一種反射-穿透式電容型式之液晶顯示裝置。【先前技術3 發明背景

最近幾年，在使用一動態矩陣之液晶顯示裝置中，一 10 種可解析光線、薄且低耗能之反射式液晶顯示裝置係引起大家關注。反射式之液晶顯示裝置之特徵係在於其薄、亮及低耗能且能解析一顯示如同紙般，此乃由於該顯示係藉利用周圍光線而達成的。目前，一單一極化板系統係被推行至實際使用，如一反射式液晶顯示器。使用此系統之一 15 反射式液晶顯示裝置係可具有一高對比且可得一相對明亮的顯示系統，此係僅因一極化板的使用。第1圖係為顯示上述使用單一極化板系統之反射式液晶顯示（LCD)裝置之面板結構圖。於此面板結構，如第1圖所示，一 TN型液晶9係夾合於一透明基材3及一基材6之 20間，於該透明基材3之一表面上，一相差板2及一極化板1係形成，且一透明電極4係形成於該透明基材3之另一表面上，而一基材6係於一擴散反射電極5所形成之表面上。〜 TN型液晶9係平行配向於該電極4及5之間的邊界表面，於厚度方向上扭曲。於此事例中，一黑暗狀態係被顯示於 1292840 一電壓被施用之狀態下’但是於此時，由於銷狀效應，於該邊界表面之分子係未變形，因此，於此部分發生延遲現象，且獲得非常高對比是困難的。美國專利第4701028號係揭示一使用VA型液晶1〇之顯 5示裝置，其中，一1/4波長板7係使用來取代該相差板2，且該邊界表面係垂直配向，如第2圖所示。此係可了解於該無電壓被施用（於一無配向變形存在之狀態）之期間之一黑暗狀態。於此事例中，因無剩餘延遲現象存在於一黑暗狀維，故一非常高的對比係可被達成。 10 另一方面，為了實現一明亮的顯示，該反射電極之最

佳化係變得非常重要。例如，於該反射電極之表面上，用於製造隨機及非常稠密之不平整之一技術係被建議。該技術之目的係藉由防止由於藉由增加該不平整之不可測性之程度的不平整反覆圖案所造成的干射光線，而防止該反射 15 的光線被彩色化，並且藉由增加該不平整密度而減少的平整面積，以減少規律反射的光線之組成。另外，一用於得到一明亮顯示之技術係被建議，其中，為了壓縮該散射之光線於一特定範圍之面積内，該不平整之平均傾斜角度係被限制。再者，日本專利第3187369號係建議一反射的電 20 極，其中，當傾斜角度增加時，於一特定範圍内之傾斜角存在之可能性係增加，藉此，於一有效觀察角度内，一反射式液晶顯示元件可得一均勻的亮度係可被實現的。上述於該電極的表面上之不平整係藉由一光微影製程的使用所形成，但是該加工係為複雜的，且有一問題：製 6 1292840 造加工之範圍係為狹窄的，此乃因為，當由於曝光狀況而造成外形改變之時，該反射特質改變相當大。為了減少成本，本案申請人，藉由採用日本公開專利 (公開）第2002-221716號之一VA型液晶，而發展一技術，其 5係用於形成一擴散反射電極，其係具有皺折般的不平整(微皺折）’無需使用光微影製程技術，並且提出一具有高反射比及高對比之反射式液晶顯示裝置。再者，於曰本公開專利（公開）第2〇〇2_296585號，本案申睛人係揭示一種技術，其係藉由提供一用於在該擴散反 10射電極(皺折般不平整層）5之下，產生一高度不同結構8，用於控制該皺折般不平整之位向，該擴散反射電極係具有皺折般不平整，如第3圖所示。該皺折般不平整層之表面係相當於下述結構之高度不同的表面。該結構之各式外形係為可能，且一實施例係為一線性結構，如第4圖所示，該線性 15結構係平行於-長方形像素電極之短侧。如第4圖所示，由鄰近閘極電極線12及鄰近源極電極線13所界定之區域係為像素區域，而-像素電極_備置於該像素區域中。於該閘極電極線12及該源極電極線13之交叉點係設置二 TFT14 ’且該TFT14之閘極係連接至該閘極電極線以、源極係連接至該源極電極線13，及汲極係經由一接觸孔^而連接至該像素電極1卜一辅助電容16係設置於該像素電極n 之下，且該像素電極1丨係經由該接觸孔15而連接至其中一個輔助電容16之電極。 ' 另方面，於反射型之液晶顯示裝置的事例中，清淅 7 1292840 度係被光源環境嚴重影響。因此，於一黑暗環境下，有一問題產生：該清淅度係非常差。於一穿透式之液晶顯示裝置之事例中’當一背光被使用時，雖然能源耗量是高的，但疋對比也疋而的，而在一黑暗環境中的清淅度是高的。 5然而，於一明亮光源環境中，該清淅度係嚴重降低，且顯示品質變得不如一反射式之液晶顯示裝置。

作為一解決上述問題之系統，一結合此種反射式液晶及一前光(FL)或結合一半穿透反射薄膜之反射面板的系統係揭示於日本公開專利（公開）第7_333598號。 10 然而’於該前光系統之事例中，如當前光點亮時，色彩係被調整，於一反射顯示之事例中，該白度（白平衡；white balance)係因黃化等等原因而被降低。此係因為一螢光之色溫為4200K至5500K，而於一般光源環境下之光源的色溫為等於或低於6000K，6000K係為日光之色溫，換言之，因為 15 一光源環境下之色溫係為低的。關於該半穿透系統，於曰本公開專利（公開）第 2000_267081號係揭示一系統，其係於該反射區域及該穿透區域之間，色彩純度係製為不同的，但是，於此技術中，該差別係僅在於一前光被一背光(BL)所取代，且當背光點 20 亮時，色彩係為調整，因此，在一反射顯示之事例中，白度（白平衡；white balance)係因黃化等等之故而被降低。於上述系統中，該反射光線之色彩調整為困難之理由係為：一光源之色溫係為低的，且依據一低溫光源之彩色濾光片（CF)之穿透光譜的調整為困難的。 8 1292840 第5圖係為使用三個一般RGB主要彩色遽光片㈣之一TFT液晶面板之像素結構圖。如第5圖所示，三個次像素，即，一R像素、一G像素及一B像素，組成一顯示像素。於先刚技術中，該CF圖案係形成來覆蓋該次像素(像素電極區 5域)之整個顯示區域，且有二個事例，即，如顯示於第涓之存在於各CF之間的-間距之事例，以及形成於該間距内之一黑色矩陣(BM)之另一事例。第6A圖至第6D圖係為用於解釋調整色度的方法，且第 6A圖及第6B圖係顯示穿透式之事例，而第圖及第圖係 1〇顯示反射式之事例，且於兩事例中皆備置該黑色陣列 (BM)。如第6A圖及第6B圖所示，於一反射式之面板中，三個彩色濾光片（CF)24R、24G及24B係備置於該CF基材3之上，一BM25係備置於其間，及一透明相對電極以係備置於其上。該相對電極21係相當於第丨圖中之該透明電極4。一 15像素電極22係備置於該TFT基材6之上。該液晶層9及1〇係備置於β亥荨基材之間’且一背光(Bl)源26係備置於該τρτ基材 6之後。於-穿透式之事例中，該色度係藉由控制各彩色遽光片（CF)24R、24G及24B之穿透特性而調整。於一般顏料散佈的CF(其上散佈有顏料之感光性樹脂係藉由一光微影 2〇製程而係形成為圖案)之事例中，該CF之厚度係相同，如第 6A圖中所示，且該色度特性係藉由控制顏料被散佈的量而調整，或者，顏料被散佈的量等同於第6B圖所示，且該色度特性係藉由改變薄膜的厚度而控制之。再者，除了該CF 之色度，藉由控制一BL光源之色度，以控制該色彩平衡係 9 1292840 為可能的。如第6C圖及第6D圖所示，於一反射式之面板中，該三個彩色濾光片（CF)24R、24G及24B係備置於該CF基材3之上ABM25係備置於其間，且該透明相對電極η係備置於 5其上。該TFT基材6係備置有一反射的像素電極23，其係相當於第1圖所示之反射電極5。該液晶層9及1〇係備置於該等基材之間。又於一反射式面板中，該色度係藉由控制各彩色濾光片（CF)24R、24G及24B之穿透特性而調整，且該CF 之厚度係相等，且該色度特性係藉由控制顏料被散佈的量 10 (如第6C圖所示）而調整，或者該顏料被散佈量係相同，且該色度特性係藉由改變薄膜厚度(如第6D圖示）而控制。再者，於一反射式之事例中，該色彩平衡係依據該外部光線之色溫（色度）而改變。特別於一穿透式之事例中，使用色溫近於D65標準光源 15之光源溫係為平常的，但是，於一般光源環境下，一較D65 標準光源之溫度為低之光線係佔優勢。有鑑於此，於一反射式事例中，色彩純度係降低。當該顏料散佈ScF材料之薄膜厚度係改變之時(該事例中，被散佈的顏料量的改變係為相同的），第7A圖及第7B圖係顯示於該D65光源之事例 20中，該色彩再造面積係標繪有R、G及B，且第7A圖係顯示一牙透式之事例，而第7B圖係顯示一反射式之事例。由第 7A圖及第7B圖，發現到於一反射式事例中，於〇區域中，该色彩純度之飽合傾向係強於一穿透式之事例。於—反射式之事例中，若所設計的光源係為該D65環境光源，將不备 1292^40

廣生释何問題，但是，於一真實環境下，於大部份的事例中，等於或小於D55之光源係被使用，且因此，該色彩再造濟積#朝向低溫(X及y係增加且黃化發生）方向位移。於一反射式之事例中，上述所提及之飽合傾向係強於一穿透式之事挪，此乃由於為了避免上述現象，而防止該y值被增加。为外’此乃由於該穿透特性係於一反射式之事例中，被優先牝厶故。因此，防止色彩再造面積（該RGB三角面積的比例）之擴張係為困難的，且於一習知的反射式之事制中’防止一低溫光源之白度(whiteness deSree)的黃化係為第8圖係顯示於一反射式面板中，當該薄膜厚度改變之晴，白度之改變。據發現，於該標準反射的CF(薄膜厚度為〇 75μιη)結構中，當光源由D65改變至D55時，該白度係藉由黃彳b(x及y皆增加）而被嚴重影響。為防止此現象，該β次像素之色彩純度一般係為增加的。然而，僅有y值係為減少的，且X值係顯示一增加的傾向。相反的，當RG之薄膜厚度為降低時，X及y皆發現顯示一減少的傾向。然而，據發現，當RG之薄膜厚度係降低時，該色彩再造面積係降低如第9圖所示。此外，在顯示品質出色的一反射式面板係被實現，但疋由於最近行動裝置快速發展等，一反射式之顯示係增加其戶外用途。於此方面引起了耐震動性質的問題。一般而 s ~顯示表面或類似表面係不太可能被強大外力所壓追’或使用於時常震動的狀況下，但是籌備於一嚴厲震動 11 1292840 環境下，可用於行動裝置用途或戶外環境之顯示裝置是需要的。於一具有皺折般不平整的VA反射式之液晶顯示裝置中’其係實現一高反射比及一高對比，且於一震動環境下，當嘗試顯示一移動游標時，一殘留影像出現且顯示品質係降低。第10A圖至第10C圖係為顯示液晶（斷面圖）之配向狀態圖’其係於一使用N型液晶（其介電常數異向性為負）之VA 型的TFT驅動液晶顯示裝置中，其中所顯示為不傾斜列之出 10現及改變的位置。如顯示於第l〇A圖中，當配向控制（該液晶之傾斜位向的控制）未實施時，介於一相對電極31及一像素電極32之間的液晶分子1〇之傾斜位向係藉由在該像素電極32之邊緣產生的傾斜的電場所控制，且一不傾斜列别顯示不良部份)係發生於該液晶分子傾斜位向相遇的區域。該 15不傾斜列係變成不穩定，此乃由於外部的干擾，諸如在電和表面的不平整’或是於像素關上的驅動線(數據匯流排1極線)之橫向電場，且該不傾斜列33之位置改變，如顯示於第1_及第⑽圖，將造成在顯示品質上的降低。 20第解題的方法之實施例係為—如顯示於相對電極川上^1胃4係形成於該電極(於此事例中為該或是—狹縫35係備置於如第仙圖中由控制闕距中之得較性可藉 __形成於突_之部份或該=:::傾 12 1292840 當此方法使用之時，當該不傾斜列係形成於有效顯示面、中之時，會引起一問題：反射或穿透特性會降低。貝

為了解決此問題，一方法係為合適的，如顯示於第12八圖及第12B圖中，一不傾斜控制結構（突出物34或狹縫％)係 5 形成於該像素電極32之邊緣。藉由此方法的使用，於 ^ 域36中，藉由該突出物34及該像素電極32之邊緣，而用於配向控制的力量係為強大的，且該不傾斜列33係穩定形成的。於一區域37中，藉由該像素電極32之邊緣，而用於配向控制的力量係為強大的。在區域36及37中，由於用於配 10向控制的力量之故，該不傾斜列33—般係穩定形成的，如顯示於第12A圖及第12B圖，且沒有不傾斜列係形成於其他部份。因此，據發現，由於該不傾斜所造成的反射比及穿透比之降低係可被防止。然而，當震動被施用於上述結構中的面板表面之時， 15 據發現，該配向係為失常的，許多的不傾斜列38出現，且介於該區域36及37之間的區域的顯示品質係降低，此時，用於配向控制的力量係為微弱的，如第12C圖所示。【發明内容3 發明概要 20 如上述’使用該反射CF之先前技術中，防止該色彩再造面積(RGB三角面積之NTSC比例）之擴張及因低溫光源所造成的白度之黃化係為困難的。本發明之第一目的係為實現一具有高反射比（高穿透比）及高色彩純度而同時維持白平衡之液晶顯示裝置。 13 1292840 順道一言，於該反射電極上之皺折般不平整之較佳特定圖案係未被揭示於日本公開專利（公開）第2002-296585號中。為了解決上述問題，且實現在反射比及對比出色之一 5 低價的反射式液晶顯示裝置，本發明之第二目的係為實現在該反射電極上之皺折般不平整的較佳特定圖案。

本發明之第三目的係為實現一具有實現如高反射比及高對比顯示之能力，且具有一耐震而不會造成不良顯示（諸如即使於一震動環境下之一殘留影像）之出色性質的液晶 10 顯示裝置。本發明之第一觀點係為可得該第一目的之裝置，為了防止由於低溫光源所造成的顯示的黃化，其中，白平衡係可藉由改變占據面積（而非改變該CF之穿透特性）而調整。第13圖係為一圖，其係顯示，當rgb色彩純度為固定 15 (固定的薄膜厚度），且次像素之比例面積係改變之時，在色度的改變。由第13圖可見，該白度係可藉由減少次像素R 及次像素R及G之面積，而朝向高溫(x&y降低)側移動，無需降低色彩純度。於這些狀況下之反射特性係顯示於第14 ' 圖。由第14圖可發現，反射比幾乎沒有降低。、 20 根據本發明之第一觀點，用於一穿透式及一半穿透式，相同的效果係可得，而不限於一反射式，只要包括有該CF層，而至於該液晶層的形式，對任何形式而言，此效果係可得，如—TN型、VA型、HAN型或IPS。根據本發明之第_觀點，得到_具有高反射比（高穿透 1292840 比）及高白色純度而同時維持在一適當白度（白平衡)之液晶顯示裝置係為可能的，其中，維持一適當白度在先前技術是困難的。換言之，根據本發明之第一觀點之液晶顯示裝置，其 5特徵係在於··一像素係由多個次像素所組成，該次像素係可被彼此獨立地控制，且該多個次像素之至少其一的有效顯示區域面積係不同於其他次像素之有效顯示區域面積。该有效顯不區域係猎由’例如，一波長選擇層（RGB彩色濾光片）之區域，或至少一穿透區域，及一像素電極的反 10射區域所定義之。該波長選擇層係藉由含顏料或染料之透明樹脂所形成之彩色濾光片而實現。除了該有效顯示區域面積之外，製造一至少一個次像素之波長選擇層之薄膜厚度，其係不同於其他次像素之波 15長選擇層之薄膜厚度是為可能的。 -像素係由至少三或更多RGB或YMC次像素所構成。為了增加該反射比，令人響往的是，備置—反射區域，其中，不平整係形成於該像素電極表面之部份之中。令人響往的是，該液晶顯示裝置之色彩配向之設定係 2〇實行於假設上，該似為1源之色溫斜於或小於^μ 之色溫。 Λ 本發明之第二觀點係為得到第二目的，且裝置(其係、使用—具有敞折h平整在於反叫二= 射板)之特徵係在於：至少部份的皺折般不平整係包含：一 15 1292840 一線性部份，其係延伸於第一方向；一第二線性部份，其係自第一方向之頂端延伸至預定側邊，而該第二線性部伤係延伸於與該第一方向相差特定角度的一第二方向；及第二線性部份，其係自第二方向之頂端延伸至預定側邊’該第三線性部份係延伸於與該第二方向相差特定角度的一方向。換言之，各皺折之侧邊皆相對於中心部份朝相同側變曲。

根據本發明之第二觀點，於此事例中的具有皺折般不平整的該反射電極，實行在反射比及對比出色之一低價反 10射式液晶顯示裝置係為可能的。令人響往的是，該皺折般不平整主要延伸的方向係為於该液晶顯示裝置之顯示表面上的一垂直的或橫向方向，於該皺折般不平整的鄰近頂點或溝槽之間的距離係等於或小於15μηι，且於該皺折般不平整的鄰近頂點或溝槽之間的 15 距離係隨機地，且彼此不相同，或是該距離係針對各個RGB 像素而不同。兩側邊皆為彎曲的，例如，相對於該中心部份達45 ° 或少於45°。令人響往的是，該皺折般不平整的平均傾斜角度係， 20 例如，介於5°與15°之間。如揭示於日本公開專利（公開）第2002-296585號中，該皺折般不平整係可藉由於該反射板之下，備置一具有不平整之結構，並沿著該結構而形成皺折般不平整而實現。若該結構係形成於一 TFT基材之訊號線、閘極線及儲存電容器 16 !29284〇於、的相同層中’或是’至少-部份的結構係形成叙命FT基材之訊號線及閘極線的至少其-之相同層中，則或少付加的製造程序。若該結構之寬度係為，例如，等於於1〇μηι，且該距離(該皺折般不平整_近頂點或溝槽

二的距離)係、等於或少於15_，則該皺折般不平整之結構糸可被恰當的控制。方工對於軸號線、間極線讀存電舞，彎曲成相似的式(如結構)係為可能的，且對於該像素電極之侧邊，彎曲如该結構係為可能的。肴置光牙透區域於该反射板上係為可能的，以使得穿透式及一反射式之顯示係可達成。若根據本發明之第二觀點的液晶顯示裝置，用於該液晶層者係屬一種使用η型液晶之垂直配向式，則一高對比係可實現。 15 本發明之第三觀點係為達成該第三目的，且至少一電極之配向係作用於該垂直配向液晶顯示裝置，以使得當一電場施用與該區域最小化時，該液晶分子係幾乎傾斜於相同的方向，且該區域係被最小化，在該區域中，因該像素周圍的傾斜電場所造成的液晶分子傾斜位向與在該像素内 20之液晶分子的配向位向係交叉大於90。。為改善耐震性質，增加用於配向控制之力量於整個配向的薄膜表面上係為必要的。因此，用於配向控制之力量係藉由在該配向薄膜表面上實行任何一種研磨加工、UVl 向加工、離子束配向加工及UV可固化樹脂配向加工或其等 17 1292840 之組合，而增加該顯示面積内之整體表面。事實上，於— 形像素之垂直配向式之反射板中，該研磨力，；二—化著在該相對基材上的該像素之短側(透明電極側）而實行，使得該液晶於此方向上傾斜。在此事例中，當該不 5傾斜的發生係被查覺時，可觀察到一相較於習知更加優良的耐震性質。然而，耐震性質係非為充份的可接受標準。因此，該研磨加工係沿著該像素的長側而實行，且财震性質因而更加改良。 1〇因此，令人響往的是，在該像素為條狀的情況下，於此事例中，當—電壓被施用時，該配向加工係以液晶分子傾斜至該像素電極之縱向之方式來實施，而在該像素為長方形的情況下，於此事例中，當一電壓被施用時，該配向加工係以液晶分子傾斜至該像素電極之長側所延伸之方向 15 的方式來實施。藉由備置一具有一表面之反射區域，而操作該液晶顯示裝置如同一反射式或一半穿透式係為可能的，其中，在至少一部伤的像素，該表面之不平整之高度差係等於或小於 1·5μηι。 20 據發現，若有一部份，該晶胞厚度大於該周圍面積，或更尤其是，若在該像素電極中，有一降低位置，諸如一接觸孔，則該不傾斜係困於其中，且變得穩定。因此，為了使该不傾斜以較不具影響的方式發生，令人響往的是，一降低位置係備置於該像素電極的縱向上之端部份中，以 25使得液晶層的厚度增加。一降低位置係可藉一接觸孔之使 18 1292840 用而實現。至於該配向加工，可使用下列至少其中一者：該研磨配向加工、離子束配向加工、配向薄膜UV配向加工及UV 可固化樹脂配向加工。 5 當該液晶顯示裝置為一種使用T F T之動態矩陣的液晶顯示裝置之時，本發明之功效係可藉由僅於該相對電極（共同電極)側，實行該配向控制而獲得。於本發明之第三觀點中，該液晶係可為η型向列型液晶或ρ型向列型液晶，η型向列型液晶之介電常異向性係為負 10 值，而ρ型向列型液晶之介電常數異向性係為正值。根據該第三觀點，實行一具有執行一高反射比及高對比之液晶顯示面板係為可能的，且該液晶顯示面板同時具有出色的耐震性質，且即使當使用於震動環境也不會造成錯誤顯示，諸如一殘留影像。 15 圖式簡單說明本發明之特徵及優點係將可根據隨後之發明内容及伴隨之圖式而達到最佳了解，其中：第1圖係為顯示一使用ΤΝ型之液晶之反射式液晶顯示裝置之面板結構圖。 20 第2圖係為顯示一使用VA型之液晶之反射式液晶顯示裝置之面板結構圖。第3圖係為顯示一使用VA型之液晶且具有一散射反射電極之反射式液晶顯不裝置之面板結構圖。第4圖係為顯示一習知形式示例之結構圖，用於實行如 19 1292840 顯示於第3圖之該皺折般散射反射電極之不平整。第5圖係為顯示一液晶顯示(LCD)裝置之像素結構圖。第6A圖至第6D圖係為用於解釋彩色濾光片之習知示例之圖。 5 第7A圖及第7B圖係為顯示彩色濾光片（CF)之色度依賴性之圖。第8圖係為一顯示於白度(whiteness degree)中之變化之

圖。第9圖係為顯示該色彩再造面積及反射比之圖。 10 第10A圖至第10C圖係為顯示一不傾斜列之發生及於其位置中之改變之圖。第11A圖及第11B圖係為用於解釋該不傾斜之控制之圖。第12A圖至第12C圖係為用於解釋該不傾斜之控制之 15 圖。第13圖係為顯示依據一反射CF之次像素面積，在色度之改變之圖。第14圖係為當該次像素面積比例改變之時，顯示該反射比之圖，。 20 第15A圖至第15D圖係顯示於本發明之一第一實施例中，一液晶顯示裝置之結構圖。第16A圖至第16D圖係顯示於該第一實施例中，該液晶顯示裝置之面板結構之變型實施例之圖。第17A圖至第17D圖係顯示於該第一實施例中，該液晶 20 1292840 顯示器之面板結構之變型實施例之圖。第18圖係為顯示本發明之一第二實施例中，一液晶顯示裝置之一像素結構之形式之圖。第19A圖至第19G圖係為顯示於該第二實施例中，該像 5 素結構之形式之變型實施例之圖。第20A圖及第20B圖係用於解釋於該第二實施例中，該像素結構之變曲形式的定義之圖。

m 第21A圖及第21B圖係為顯示於該第二實施例中，該像素結構之形式的變型實施例之圖。 10 第22圖係為顯示於該第二實施例中，該像素結構之變型實施例之圖。第23圖係顯示於本發明之一第三實施例中，一液晶顯示裝置之面板結構圖。第24A圖及第24B圖係顯示於該第三實施例中，於該液 15 晶顯示裝置中，該不傾斜之圖。第25A圖及第25B圖係為顯示於該第三實施例中，於該液晶顯示裝置中，該配向方向之影響之圖式。第26A圖至第26D圖係為顯示於該第三實施例中，於該液晶顯示裝置中，該配向方向之影響之圖式。 20 第27A圖及第27B圖係為顯示於該第三實施例中，於該液晶顯示裝置中，該面板結構之變型實施例之圖式。第28A圖及第28B圖係為顯示於該第三實施例中，於該液晶顯示裝置之變型實施例之圖式。第29圖係為顯示於本發明第四實施例中，一液晶顯示 21 1292840 裝置之像素外形之圖式。 t實施方式3 較佳實施例之詳細說明

第15A圖至第15D圖係為顯示於本發明之第一實施例 5之一反射式液晶顯示裝置之面板結構之圖式。顯示於第15A 圖之該結構中，三彩色濾光片（CF)之面積係以下列方式來設置：R之一CF24R的面積為最小，G之一CF24G的面積係大於該CF24R的面積，以及B之一cf24B的面積是最大，且該三彩色濾光片（CF)之寬度為相同的，且沒有形成黑色陣 10列（BM)。對於各個三色而言，該反射像素電極23之面積係為相同，且各色之有效顯示面積係藉由改變各CF之面積而使之改變。其他方法，當各CF之面積係不同於另一CF之時，該色度之所欲的設定係可能的，且一所欲的色度係可藉由調整散佈於各CF之顏料的量而得之。 15 顯示於第15A圖之結構係藉由揭示於揭示於日本公開專利（公開）第2002-221716號或日本公開專利（公開）第 2002-296585號而製造，其中，於不平整所形成之表面，且以銘(A1)濺鍍之表面上，具有相同面積之該反射電極係形成於3TFT基材上之像素區域之表面上。於該相對的cp基材3 20 之上，部份形成該CF之24R、24G及24B(其等之顏料散佈量彼此不同），該透明相對電極(IT〇)21係形成於其上，且垂直配向的薄膜係形成於該CF基材3之上，且該研磨加工係僅對該CF基材3實施。之後，該TFT基材6及該CF基材3係經由一 3μπι分隔件而結合在一起而形成一零位晶胞，且藉由注入^ 22 1292840 型向列型液晶而製造之一面板。用於製造其他部份之方法係與前者相同。基於此，一具有高反射比之反射式TFT驅動液晶顯示裝置係可實現。第15B圖係為顯示於第一實施例中，該面板結構之一變 5 型實施例之圖式。於此變型實施例中，該三CF之24R、24G 及24B之面積係製造成彼此不相同。之後，一所欲的色度係可藉由調整該三個CF之24R、24G及24B之厚度而得之，雖然維持散佈至各個CF之顏料量為相同的。

第15C圖及第15D圖係為顯示於第一實施例中，該面板 10 結構之變型實施例，該實施例係不同於第15A圖及第15B圖之面板結構，因為該黑色陣列（BM)25係分別備置於各CF之間。因此，一具有一高色彩純度、一高對比及一高反射比之反射式TFT驅動液晶顯不裝置係可實現。當具有此結構之面板施用於一具有前光(FL)之反射式 15液晶顯示面板之時，該1^光源之色溫係設定於低溫（如， D55)，以使得一所欲的色彩可獲得。因此，一具有傑出顯示品質之具有前光之反射式液晶顯示裝置係可實現，其中，在前光開啟(FL-lit)狀態及僅有反射之狀態下，色彩之改變係為微小的。 20 第MA圖至弟16D圖係為顯示於第一實施例中，該面板結構之變型實施例之圖式。於第16A圖及第16B圖之面板結構係不同於第15C圖及第15D圖之面板結構，因為各色彩之反射電極23之外形係依據各CF之外形而製造成不同的外形。相同的結果亦可由這些結構所獲得。 23 1292840 於第16C圖及第16D圖之該面板結構係不同於第16A圖及第16B圖之該面板結面構，因為由〆反射電極部份26及一透明電極27所製成之一複合電極係備置來取代該反射電極 23。因此，一可應用至一半穿透式之一液晶顯示裝置之面 5 板結構係可實現。於此應用之事例中，改變該反射電極區

域比例，且/或使該穿透區域之開口比例可改變係為可能的。若該背光（BL)光源之色彩純度係設計具有低溫（約 D55)，白度於穿透狀態或於反射狀態之改變係可被相當量地減少，因此，於穿透狀態下與反射狀態下具有幾乎相同 10 的顯示效果之一液晶顯示裝置係可實現。第17A圖至第17D圖係為顯示於第一實施例中之該面板結構之變形實施例之圖式。於第17A圖及第17B圖之該面板結構係不同於第16A圖及第16C圖之該面板結構，因為各 CF係毗鄰形成，且該BM係被排除。相同的結果亦可由這此 15 結構所獲得。苐17C圖及苐17D圖係顯示應用至一穿透式之液晶顯示裝置之該面板結構，該面板結構係不同於第16a圖及第 16C圖之面板結構，因為該透明像素電極22係備置來取代兮反射像素電極。本發明係可應用至一穿透式之液晶顯示穿 20 置，且相同的結果亦可由此面板結構所獲得。第18圖係為顯示於本發明之第二實施例中，_像素社構之外形之圖式。於第二實施例中，該液晶顯示裝置係為於第3圖及第4圖所說明之一反射式之液晶顯示裝置，其; 該反射電極5係具有與該結構8之不平整外形一致的不平敕 24 1292840 外形的一皺折般擴散反射電極。如顯示於第18圖，於第二實施例中，該結構8係由多個突出物所製成，該突出物係於如第4圖所示之習知結構之長方形像素電極之短側方向而延伸，且各突出物之兩端係朝相同側彎曲。以下，此一突 5 出物係指一彎曲突出物。

於該第二實施例中之一反射式之該式液晶顯示裝置係以下列方式製造。顯示於第18圖中之由該彎曲突出物所製造之結構係形成於一 TFT基材之上（與閘極電極線相同層），而一正型光阻係以3μπι厚度施用於該TFT基材之上。 10 接著，於溫度90。(：於烘箱中預烘烤20分鐘之後，於溫度 135°C於烘箱中後烘烤(p〇st_baked)40分鐘。於後烘烤之後，以2600mJ/cm2之紫外光照射之，且照射紫外光之後，於溫度215°C下，烘烤60分鐘。以此方法，沿著該結構8之外形之該皺折般不平整係被形成。該反射電極係藉由蒸發2〇〇nm 15 厚之鋁於其上而形成。具有此反射電極之TFT結構（其他部份係如前所製造）及具有〇.7nlm厚而含透明電極(ITO)之該 CF基材（其他部份係如前所製造)係經由一分隔件而結合在一起；η型液晶（△❻⑴”係嵌入於其間；一極化板G1220DU 係黏附於該CF基材之上；且因此，一反射式液晶顯示裝置 20 係被製造。以上述方式所製造之一反射式液晶顯示裝置，以及於該TFT基材上’如第*圖所顯示之備置有該線性結構之一反射式的傳統液晶顯示裝置，係藉由視覺的觀察而比較之。結果是’於第二實施例之一反射式液晶顯示裝置係被發現 25 1292840 可實現一較明亮的顯示。於此觀察中，很可能觀察一無電壓被施用的明亮狀態，此乃因為該1/4波長板係未備置於該極化板及玻璃電極之間。若考慮到這些改進之理由，將可發現於一正常環境下 • 5存在有多組光源，且光線的輻射係由各個方向進入該液晶顯示裝置，因此，該線性結構係可僅使用垂直於該液晶顯；示裝置之光源。相形之下，於第二實施例之彎曲結構之事 ^ 射，角度之範圍係變寬4因此，人射光線之輕射的使 , 肖效率係增加。因此，相較於該線性結構之不平整，藉由 10該彎曲結構之不平整，可能可獲得—較明亮之顯示器。第19A圖至第19G圖係為顯示於該第二實施例之變形例不。第19A圖係顯示一結構，於其中，如前之該相同的線性突出物係備置於該長方形像素電極之上側之上方，且該下部伤係具有如第二實施例之相同之彎曲結構。第19B圖係 15顯示一結構，其中，與第19A圖相反地，該上部份係具有該 • 曲結構域下部份係具有該線性突出物之結構。第撕圖係顯示-結構，其係如顯示於第18圖之第二實施例之相同的弓曲結構，除此之外，該彎曲結構亦設置於該上部份之上的狹窄箱。第19D®係顯示-結構，其係與第19C圖

，2〇巾之結構相同，除此之外，該閘極電極線亦彎曲。第19E 圖係顯示—結構，其中該突出物係被製成具有一沿著含亥矩 $像素電極之仙之外形，且因此，結構係為_彎曲結構。苐19F圖係題+ λ * ”、員不—結構’其係與第19E圖之結構相同，除此之外-亥源極電極線亦為弯曲的。第i9G圖係顯示一結構， 26 1292840 其中該矩型像素電極之上部份及下部份之間的該突出物之雙伸的方向被製成有90。的不同。如第19D圖及第19F圖所示，同樣以藉由彎曲該閘極電 $ $線及該源極電極線’而加強該皺折般不平整之控制的性此係為可能的。於此時，改變該像素電極之一般長方形外形成為沿著該彎曲圖案者係為可能的。第19A圖至第19G圖係僅顯示該變型圖案例示之部份，且可以為多種變型例示。例如，於一事例中，介於該上部份及該下部份之該圖案係不同，切換於該上部份及該 1〇下部份之間的圖案或結合其他圖案係為可能的。藉由結合彼此相對之彎曲方向的圖案，而設計隨機彎曲結構亦為可能的。藉由設置該彎曲結構於相對應的橫向或縱向的方向中’以有效使用來自橫向或縱向方向之光線係為可能的。 15特別是，於一實際的環境下，如使用反射式顯示裝置之辦公室，一明亮的顯示係可得到。第20A圖及第20B圖係為用於解釋該彎曲形狀之定義的圖，且第20A圖係顯示構成該結構之該突出物之寬度與間距之定義，而第20B圖係顯示彎曲角度之定義。當該等突出 2〇物之寬度L與介於該等突出物之間的該間距S被定義如第 20A圖所示之時，所形成的該皺折般不平整之控制效果係依 L及S而被改變，且因此，L及S被調整至恰當值係令人滿意的。特別是，為了形成沿著該結構之皺折般不平整，設定L 至等於或小於ΙΟμιη之值及設定S至等於或少於15μιη之值係 27 1292840 為需要的。若超過此範圍，則不配合該結構的區域將出現於該皺折般不平整，且該反射比將降低，此乃因為反射光線之控制效能的降低。

當該彎曲結構之彎曲角度θ係定義如第20B圖所示之 5時，以Θ等於或小於45。為較佳，以θ介於20至30。為特佳。藉由選擇這些角度，定向性之恰當寬度係可被實現，且〆高反射比亦可被實現。於此圖中，介於右側及左側之間的該彎曲角度係為相同的，但此係非必然需要的，但依據一反射式之顯示裝置之目的，使介於右側及左側之間的該彎 10 曲角度彼此不同係為可能的。當該寬度L及該間距s係保持固定之時，由於具有相同外形之皺折般不平整很可能會形成，因干涉所造成的著色問題可能會發生於反射光線中。為防止此情形，如第21Α 圖所示，隨機改變該像素之寬度L或間距S是有效的，或如 15第21Β圖所示，對各個像素改變該寬度L及該間距S係為有效的。然而，於此事例中，該寬度L及該間距S亦需要符合上述範圍（L係等於或小於ΙΟμιη，S係等於或少於15μχη)。藉由設定該皺折般不平整之平均傾斜角度係5至15。，光線係非被隔絕於一反射式液晶顯示裝置之内，因此，一 20 高反射比係可達成。再者，一穿透式液晶顯示裝置係可藉由在反射電極上備置光穿透用之孔41而實現，如第22圖所示。於此事例中，該相同效應（如反射）亦如該第二實施例而可被得到。第23圖係用於解釋本發明第三實施例中之液晶顯示裝 28 1292840 置之面板結構。強化耐震性質，内之整體表面上向薄膜在其中_ 施：研磨加工、樹脂配向加工，於研磨方向上，侧延伸之方向。於第三實施例之該液晶顯示裝置中，為了用於配向控制之力係增加於該顯示區域之，此係於該配向薄膜表面上（此處，僅有配個電極(相對電極)上)藉由下列任一者來實 UV配向加工、離子束配向加工及固化或上述加工之組合。該極化板之穿透軸係即，該方向係為於該長方形像素電極之短

第24A圖及第24B圖係為顯示不傾斜之出現之圖，在延伸於。亥長方形像素電極之短側方向上實施研磨加工的垂直配向的液晶顯示裝置中，該不傾斜只發生在該相對CF基材之相對電極31上之垂置配向薄膜上，且第24A圖係顯示當強烈震動被施用時，黑與白被切換之一事例，而第24B圖係顯不於無震動的情況下，一正常黑與白顯示之事例。於此事 15例中’相較於習知之事例，一耐震之更出色的性質係為觀察到’但是非足夠令人滿意。檢視此現象之原因，發現到 4不傾斜被形成之狀態在下面兩個事例中可能不同：在切換黑與白且同時施以強震動之事例，以及在液晶交會之區域中一般黑與白顯示之事例，其中在此事例中，可辨視到 20 一殘留影像。有鑑於此，藉由揭示於2002-221716之技術，一反射電極係藉由鋁(A1)濺鍍其表面而形成不平整於該表面上，垂直配向薄膜係形成於一玻璃基材之上，於該玻璃基材上，一透明相對電極係被形成，且只於該相對基材上實施研磨加 29 1292840 工之後，兩者係經由3μηι分隔件而連結在—起，以形成— 空著的晶胞，且-面板最後係藉由注入η型向列型液晶而試驗製造。同時，如顯示於25Α圖之-面板(於該長方形像: 電極之短側延伸的方向上實施研磨加工之面板)及如顯示 5於25Β圖之另-面板(於長側所延伸的方向上實施研磨加^ 之另-面板)係被製造及分析。該結果係為如顯示於第2从至第26D所發生之不傾斜。第26Α圖係顯示於短側延伸的方向上實施研磨加工之-面板上，無震動之一般黑白顯< 事例，第2 6 Β係顯示於長側延伸的方向上實施研磨加工之— ίο面板上，無震動之-般黑白顯示之事例，第26C圖係顯示於短側延伸的方向上實施研磨加工之一面板上，當強震被施用¥，切換黑與白之事例，以及第勘圖係顯示於長側延伸的方向上實施研磨加工之一面板上，當強震被施用時，切換黑與白之事例。 15 I發現，該不傾斜為不穩定之區域係為-位於該像素圓周上之區域，且其中該液晶位向係不同於液晶之傾斜位向，由於該像素外緣的橫向電場，且該傾斜係小於9〇。。結果發現，為了改良耐震性質，該像素内之液晶係需要被配向成使該區域縮到最小，如第加圖所示，冑由使該不穩定 20之不傾斜區域於靠近該像素之短侧，可實現一於耐震性質更出色之液晶顯示面板。因此，於一反射式液晶顯示裝置中，若當該像素具一條狀之外形，而該配向加工係被實行於该像素延伸之方向時，則高品質、出色的耐震性質且具有鬲對比及高反射（穿透)之液晶顯示係可能實現。 30 1292840 再者，進一步考量之後，發現到，如第27A圖及第27b 圖所^當在反射電極32高度上的不同料於或小於15 μιη之日才，更加出色之财震性質係可被觀察到。 • 力上述考量之該财震性質中，更發現到若於該像素電 " 降低位置(如—接觸孔)係備置來增加於該不傾斜不歡區域之晶胞厚度(歸晶層的厚度)之時，該不傾斜穩定 ’ #在且錢變。因此，如顯示於第2_，藉由使該不穩定不傾斜區域靠近該像素之短側，且如顯示於第28A11，備置口亥接觸孔15或-p条低位置6卜或兩者於此部份，固定該不 1〇傾斜列至該像素之短側係為可能的。第細圖係為一包括該接觸孔15之部份圖。垂直配向薄㈣係形成於該相對電極4 與該反射像素電極5之上，且—樹脂層72及—絕緣層73係形成於該反射像素電極5之下。該Tm4係由一半導體層％、連接至錢極電極線13之光源74、該沒極Μ及該間極電極 15 12所製造而成。該接觸孔15係備置於該汲㈣之上的樹脂 _ 層72内’且该反射像素電極5係連接至此(接觸孔）。該接觸孔15之射刀係形成一降低位置。此降低位置係固定該不傾斜該降低位置61係形成於用於形成接觸孔15之加工中， • I該降低位置係具有與汲極相同外形，除了該較低部分係 20未連接至該汲極。於第-實^例中，該配向加工係藉由研磨加工來實 :’右n玄配向加工係改由該uv配向（該液晶是以而光 …射配向膜之表面來進行配向）來實施，而使用與第三實施例相同之面板時，可得到與第三實施例相同的結果。 31 1292840 再者’當该等基材結合在一起之後，與uv可固化樹脂單體(硬脂、月桂丙烯酸酯、UV可固化液晶單體等）混合之n 型向列型液晶被注入之時，該配向加工係藉由照射極化UV 或傾斜UV來實行，如第三實施例所得相同結果。 5 更再者，當於第三實施例中之結構被施用至一反射-穿透式或一牙透式之液晶顯示裝置時，一於耐震性質出色之液晶顯示裝置亦可被獲得。於苐二實^例之結構係非限制為垂直配向，其亦可施用至水平配向（TN ’同質的）及混成配向（HAN)，且該配向 10 之穩定性係被強化。無論如何，最小化該像素外表面之橫向電場的影響係為重要的。第29圖係顯示本發明第四實施例中的像素之外形。於第四實施例中，一反射式液晶顯示裝置係為一平面切換 (in-plane switching (IPS))型之裝置，且如第29圖所示，於不 15平整所形成之表面上之一IPS型電極82及83係藉由揭示於曰本公開專利（公開）第2002-221716號之技術的使用而形成。該電極82係經由該TFT14而連接至該源極電極線13，且該電極83係連接至共同線81。該垂直配向薄膜係形成於此基材及該透明相對的玻璃基材之上，且在該研磨加工被實 20行於該像素長侧方向之後，兩者係經由一 3μηι分隔件而結合在一起來形成一空晶胞，ρ型向列型液晶係被注入，且因此’試驗製造了一面板。該面板係亦出色於耐震性質，且具有一高對比及高反射比。【国式簡單説明】 32 1292840 第1圖係為顯示一使用TN型之液晶之反射式液晶顯示裝置之面板結構圖。第2圖係為顯示一使用VA型之液晶之反射式液晶顯示裝置之面板結構圖。 5 第3圖係為顯示一使用VA型之液晶且具有一散射反射電極之反射式液晶顯不裝置之面板結構圖。第4圖係為顯示一習知形式示例之結構圖，用於實行如顯示於第3圖之該皺折般散射反射電極之不平整。第5圖係為顯示一液晶顯示(LCD)裝置之像素結構圖。 10 第6A圖至第6D圖係為用於解釋彩色濾光片之習知示例之圖。第7A圖及第7B圖係為顯示彩色濾光片（CF)之色度依賴性之圖。第8圖係為一顯示於白度(whiteness degree)中之變化之 15 圖。第9圖係為顯示該色彩再造面積及反射比之圖。第10A圖至第10C圖係為顯示一不傾斜列之發生及於其位置中之改變之圖。第11A圖及第11B圖係為用於解釋該不傾斜之控制之 20 圖。第12A圖至第12C圖係為用於解釋該不傾斜之控制之圖。第13圖係為顯示依據一反射CF之次像素面積，在色度之改變之圖。 33 1292840 第14圖係為當該次像素面積比例改變之時，顯示該反射比之圖，。第15A圖至第15D圖係顯示於本發明之一第一實施例中，一液晶顯示裝置之結構圖。 5 第16A圖至第16D圖係顯示於該第一實施例中，該液晶顯示裝置之面板結構之變型實施例之圖。第17A圖至第17D圖係顯示於該第一實施例中，該液晶顯示器之面板結構之變型實施例之圖。

第18圖係為顯示本發明之一第二實施例中，一液晶顯 10 示裝置之一像素結構之形式之圖。第19A圖至第19G圖係為顯示於該第二實施例中，該像素結構之形式之變型實施例之圖。第20A圖及第20B圖係用於解釋於該第二實施例中，該像素結構之變曲形式的定義之圖。 15 第21A圖及第21B圖係為顯示於該第二實施例中，該像

素結構之形式的變型實施例之圖。第22圖係為顯示於該第二實施例中，該像素結構之變型實施例之圖。第23圖係顯示於本發明之一第三實施例中，一液晶顯 20 示裝置之面板結構圖。第24A圖及第24B圖係顯示於該第三實施例中，於該液晶顯示裝置中，該不傾斜之圖。第25A圖及第25B圖係為顯示於該第三實施例中，於該液晶顯示裝置中，該配向方向之影響之圖式。 34 1292840 第26A圖至第26D圖係為顯示於該第三實施例中，於該液晶顯示裝置中，該配向方向之影響之圖式。第27A圖及第27B圖係為顯示於該第三實施例中，於該液晶顯示裝置中，該面板結構之變型實施例之圖式。 5 第28A圖及第28B圖係為顯示於該第三實施例中，於該液晶顯示裝置之變型實施例之圖式。第29圖係為顯示於本發明第四實施例中，一液晶顯示裝置之像素外形之圖式。【主要元件符號說明】 1 極化板 14 TFT 2 相差板 15 接觸孔、汲極 3 透明基材、CF基材 16 輔助電容 4 透明電極、相對電極 21 相對電極、透明相對電極 5 擴散反射電極、反射電 23 像素電極、反射像素電極極、反射像素電極 24R 彩色濾光片 6 基材、TFT基材 24G 彩色濾光片 7 1/4波長板 24B 彩色濾光片 8 結構 25 黑色陣列(BM) 9 TN型液晶、液晶層 26 背光(BL)源（第6A、6B 10 VA型液晶、液晶層、液晶圖）分子 26 反射電極部份（第16C、 11 像素電極 16D 圖） 12 閘極電極線、閘極電極 27 透明電極 13 源極電極線 31 相對電極 35 1292840

32 像素電極、反射電極 71 垂直配向薄膜 33 不傾斜列(顯示不良部份） 72 樹脂層 34 電介質、突出物 73 絕緣層 35 狹縫 74 光源 36 區域 76 半導體層 37 區域 81 共同線 38 不傾斜列 82 IPS型電極 39 不傾斜列 83 ffS型電極 41 子L 61 降低位置 36

Claims

；1292840 P---, 第95104066號發明專利申請案申請專利範圍修j£赢1雛3.〇2聲換頁十、申請專利範圍： 1 · 一種液晶顯示裝置，其包含：二基材’其係排列為彼此相對； _ 平行平面電極，其係形成於該二基材之表面上，且至少 5 其中一者係為一透明電極；液曰曰層，其係具有液晶，夾合於該等平行平面電極之 • 間；且其中該液晶分子係被配向，以使得當無電壓被施用 • I該等平行平面電極之間時，即，於期間内無電壓被施用 • 時，該液晶分子之主軸方向係成為大體上垂直於至少一電 10 極表面，其中一配向加工係實施於該等平行平面電極之至少其中一者之上，以使得當一電壓被施用於該等平行平面電極之間時，即，於一電壓被施用期間内，該液晶分子係幾乎朝向相同方向傾斜，且一像素外表面上的該傾斜電場中之 IS 液晶分子的傾斜位向與該配向位向以超過90。的角度相合的區域可被縮至最小；以及

20 其中該像素電極係具有一條狀之外形，且一配向加工係實施於其上，以使得於一電壓被施用期間内，該液晶分子係於該像素電極之縱向方向上傾斜。 2·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該極係為長方形，且該配向加工係實施於其上，以使得於一電壓被施用期間内，該液晶分子係於該像素電極之長側方向上傾斜。 3·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該像素之至少部份係包含一反射區域，該反射區域係具有—表面 37 .1292840 該表面在高度上的不平整之差異係等於或少於15μπι，且如一反射式或一半穿透式之操作係為可能的。 4. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該像素電極之縱向方向中之該端部係備置一降低位置，該降低位置係用於增加該液晶層之厚度。 5. 如申請專利範圍第4項之液晶顯示裝置，其中該降低位置係包括用於該像素電極之接觸孔。

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6. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該配向加工係使用研磨加工、離子束配向加工、配向薄膜UV配向加工及UV可固化樹脂配向加工中至少任一者。 7. 如申請專利範圍第6項之液晶顯示裝置，其中該液晶顯示裝置係為一使用TFT之動態矩陣型式的液晶顯示裝置，及一配向控制係僅作用於該相對電極（共同電極)側上。 8. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該液晶係為一η型向列型液晶，該η型向列型液晶之介電常數異向性係為負值。 9. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該液晶係為 ρ型向列型液晶，該ρ型向列型液晶之介電常數異向性係為正值。 38 1292840 七、指定代表圖： (一）本案指定代表圖為：第（15A)圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 3 透明基材、CF基材 6 基材、TFT基材 9 TN型液晶、液晶層 10 VA型液晶、液晶層、液晶分子 21相對電極、透明相對電極

23像素電極、反射像素電極 24R彩色濾光片 24G彩色濾光片 24B彩色濾光片八、本案若有化學式時，請揭示最能顢示發明特徵的化學式：