TWI277827B - Method of optical proximity correction design for contact hole mask - Google Patents

Description

1277827 明的微影裝置之更多資訊，可以從美國專利申請案第 6’046,792號中收集，該案係以引用的方式併人本文中。 在使用微衫投景》設備的一製程中，一將遮罩圖案成像 至至p刀由—層輻射敏感材料（光阻）所覆蓋的一基板 上。在此影像步驟之前，基板可經受各種程序，例如打 底光阻塗佈及軟烘。曝光之後，該基板可受到其他程 序例如曝光後烘乾（post-exposure bake ; PEB)、顯影、 硬烘及成像特徵之量測/檢查。此程序陣列係用作圖案化 裝置如1C之一個別層的基礎。此圖案化層然後可經受各 種處理，例如飿刻、離子植入（摻雜）、金屬化、氧化、化 子機械拋光等’希望所有處理能完成一個別層。如果需要 數層，則將必須為各新層重複整個程序或其—變化。最 ^ ’在基板（晶圓）上將呈現—裝置陣歹^。然、後該等裝置係 藉^技術（例如切割或鋸開）來彼此分離，接著可以將個 別2置2裝在一載體上，連接至接針等。關於此類處理的 進一步資訊可以從（例如）書籍「微晶片製造··半導體製程 的實用指南」，第三版，由Peter van Zant、MeGraw酬出 版a司於1997年出版，書號為18簡〇_〇7_〇6725〇_4，其係 以引用的方式併入本文中。 為了簡早之目的，投影系統此後可以稱為「透鏡」；此 術語：廣義上解釋為包括各類型的投影系、统，例如包括折 身、、，干系、’先反射光學系統及反折射系統。輻射系統亦可 ^ 、據σ亥等"又5十類型之任一者操作的組件，用以引導、 成形或控制輻射之投影光束，而且此類組件以下也可以統 90716.doc 1277827 稱或單獨稱為一「透鏡」。此外，微影設備可以為具有二 ，多個基板台(及/或二或多個遮罩台)之—類型。：此： 夕級二裝置中，可以並列使用額外台面，或在—或多個 台面上霄行準備步驟，而一或多個其他台面則用於曝光。 雙級微影設備係說明在（例如）美國專利申請案第仍 ，1號及W〇 98/4G791中，其係以引用的方式併入本 文中。 十 上面所指的微影蝕刻遮罩包括對應於整合在—矽晶圓上 =組件之幾何圖案。用以建立此類遮革的圖案係利用 U腦輔助設計）程式產生，此處理通常稱為EDA(電子 ::二動化)。大多數CAD程式遵循一組預定設計規則以 —&遮罩。該等規則係藉由處理及設計限制而加以設 J如11又什規則定義電路裝置（例如閘極、電容器 =間的空間容差或互連線路，以便確保電路裝置或線路彼 乂不合需要的方法互動。設計規則限制-般稱為 「關鍵尺寸」（critlVd γ · 轉馬 斗π、… 1 dlmenS1〇nS; CD)。一電路的關鍵尺 之問=義為一一線路或孔之最小寬度，或者二線路或二孔 、取]、間^。因此，CD決定設計電路的總尺寸及密 度。 以「輔助特徵」可用以改善投影至光阻上的影像 2心的裝置。辅助特徵為以下特徵··其並不希望 射先阻中顯影的圖案中，而係提供在遮罩中，來利 、二9應以便顯影影像更接近類似於所需要的電路圖 案。辅助特徵一补炎「7 a 、又為子解析度」或「深子解析度」，此 90716.doc 1277827 意謂著該等特徵至少在一尺 以分辨的、遮罩中的、杜 …將在曰曰圓上得 皁中的取小特徵。辅助特徵可以具有定#為 關鍵尺寸之小部分 /、百疋義為 丨刀的尺寸。換言之，因為庐I 採用小於1(例如"…/ς、 α為遮罩圖案-般係 上的辅助特徵可以且古士 幻。革而技衫，所以遮罩 寸。 /、有大於晶圓上最小特徵的一實體尺 °、使用—^型的辅助特徵。散射條為具有一子解 析度見度料路，該㈣路係放置於—隔 = 側上，以模型在—圖宰之穷隹抖驻厂士山命奴之或兩 案之*木封裝區中出現的近似效應-。 m為各種形狀之額外區域，該等區域係放置於導體線路 =另角及端部或矩形特徵之拐角，以根據需要而使線路之 柒部或拐角更接近正方形或圓形(注意在此背景中，普遍 稱為「錘頭」的辅助特徵係視為對線之—形式）。關= 射條及對線之使料進—步資訊可以在（例如）美國專利申 請案第5,242,770號及第5,7〇7,765號中找到，其係以引用的 方式併入本文中。 當然，積體電路製造中的目標之一係（經由遮罩）如實地 重製晶圓上的原始電路設計’該設計係採㈣助特徵而加 以改善。該等輔助特徵之放置一般遵循一組預定義規則。 遵循此方法，設計者可決定（例如）如何偏離一線路，而輔 助特徵之放置係依據一組預定規則而決定。當建立該組規 則時，曝光測試遮罩至不同照明設定及NA設定，並且重 複該曝光。根據該組測試遮罩，為辅助特徵放置建立一名 規則。圖11解說一遮罩110， 該遮罩包括要在一基板上形 90716.doc -9- 1277827 表示要在基板上形成的可分解特徵之圖案，及至少一干涉 區域。此干涉區域係與至少二軸形成角度，該等轴具有對 應於要形成的圖案之中心的一原點，並且係與干涉映射之 對應軸平仃。根據此映射，辅助特徵可以放置在對應於干 涉區域的一遮罩區域中。 【實施方式】 在此說明的為—種用於子波長接觸孔遮罩㈣學近似修 正（Optical Pr〇ximity c〇rrecti〇n ; 〇pc)設計方法該遮罩 採用一新賴模型方法來預測辅助特徵（Assist Features ; AF) 之放置。用於-有限照明源的-空間影像可用以決定輔助 特徵之最仏疋位。此影像可以表示要建立的特徵，例如一 接觸孔及干涉區域。在一遮罩中對應於該等干涉區域策略 ^放置輔助特徵，有利於將光強度集中在對應於要建立的 特徵之基板表面上。應注意本發明之方法並不限於形成接 觸孔圖案。 有兩種主要方法可用來計算用於一有限照明源的空間影 像，而且該等方法係揭示在美國專利申請公告案第 20咖152452 A1號中，其係以引用的方式併入此文中。在 此兄月的彳法為霍普金斯⑽奸⑷公式。但是，兩方法 皆需要廣泛的計算。 一 隹曰金斯公式使用一四維透射交又係數（TCC)以 ^ 丁〜像強度。更特定言之，TCC在數學上係由等式1表 不，該等式為照明瞳孔（Js(a，p))乘以投影瞳孔（κ(α，ρ))之 自相關。依撼笠斗、 艨專式1及如圖1所解說，最左邊的圓圈1〇表示 90716.doc • 11 - 1277827 照明瞳孔照明（Js(a，p));中間圓圈12表示處於（_m/PxNA， -n/PyNA)中心的投影瞳孔（Κ(α，β));而最右邊的圓圈14表 示處於（p/PxNA，q/PyNA)中心的投影瞳孔（κ(α，β))。TCC係 由圓圈10、12、14重疊處的區域16所表示。 TCC(m,n,p,q):

Ji ν«：+/?2<σ 等式1 在等式1中’ m、η、ρ及q對應於離散繞射級，即TCC為 一四維函數。X方向上的繞射順序係由m&p所表示，而7方 向上的繞射級係由η及q所表示。 · 依據所揭示的新穎概念，藉由採用已知為單值分解 (Singular vaiue Decomp〇siti〇n ; SVD)(其牽涉到使一 4維矩 陣對角化）的一熟知數學運算，可以將等式丨分解為一組二 個一維函數。根據TCC，特徵向量（(DD(m，n)、〇(p，q)之一 矩陣乘以標量，則形成特徵值、。因此，各特徵值^，係 與一對應的所謂右特徵向量φ(ιη，η)，及一左特徵向量 〇(P，q)成對，如等式2所示。 TCC(m，n，p，q、= i；ibc^m,ny^b 等式 2 圖2解說特徵值、之―矩陣的—緣製圖，該等數值對應 於似星體形、環形及傳統照明。因為與具有—無限小的半 徑極之-理想照明器相&，照明器具有一有限半徑，所以 導Γ個以上的特徵值。但是，圖2之緣製圖亦解說各照 明^之特徵值係如何以_快速速率而衰落。為了減小等式 、-雜!生及後來的汁异，第一特徵值可以替代π。之 90716.doc -12- 1277827 -良好的近似值。但是，可以使用一個以上的特徵值以獲 得較大的精確度。當考慮多個特徵值^時，相干總和之總 和(Sum of Coherent Sums ; S〇rs、；害笞-r m、 sues)運异可用以計算空間影 像，並且係由圖3之流程加以解說。 圖4(a)至4(d)分別示意性解說似星體形、CqUad、環形及 傳統照明之TCC的繪製圖，該解說僅考慮第一特徵值 採用傳統照明（圖4(d))，在接觸孔41〇之外側具有重要的干 涉。但是，與圖4(a)至4(c)相比，光係主要集中在接觸孔 410上，而清楚干涉區域412則出現在接觸孔4丨〇之外側.。 取決於所使用的照明器，該等干涉區域（亦稱為「旁波 瓣」）針對接觸孔41 0而採取不同形狀及位置。該等干涉區 域對應於所謂的一黑暗場遮罩之可能的破壞性干涉區域， 即其正面干涉表示要建立的特徵之光強度。在圖4(a)中， 旁波瓣412係針對接觸孔41〇而水平及垂直形成。在圖4(b) 中，旁波瓣41 2係針對接觸孔410而以對角線形式形成。在 圖4(0中，旁波瓣412形成圍繞接觸孔410的一圓環圖形 狀。為了增加干涉旁波瓣的正面影響，輔助特徵應對應於 各旁波瓣而放置在一遮罩中，以便將光強度集中在接觸孔 410 上。 為了產生要在一基板上形成的一可分解特徵之一空間影 像’例如一接觸孔，等式2必須與接觸孔及對應的照明器 關聯。一脈衝δ函數可用以表示接觸孔，該接觸孔亦係由 等式3所表示並且由圖5所解說。 907! 6 doc -13 - /v1277827 xa>y~ya) 等式3 為了決定採用（例如）圖4(a)至4(d)之任一照明而由一接觸 孔圖案所引起的干涉，特徵向量φ(%η)之倒轉傅利葉變 換，可與表示接觸孔圖案的脈衝δ函數捲積，如等式4所代 表0 等式4 g(x, y) = FT'7 {Φ(ιη,η)}(2) o(x, y) 但疋，簡化等式4之計算可以藉由首先將脈衝δ函數〇(x,y) 轉換為頻域，該轉換係藉由實行—傅利葉變換，如等心 所表示。K6表示頻域上所得到的表達式。 -im^· -in^3- 0(m?n) = ^e Pxe Py a=/ 等式5 等式6 為了決定一空間影像，必須 換，如望f 4式6採取倒轉傅利葉變 換，如寺式7所示。等式7表 等戎6m -立二間衫像，該影像亦係由 寺式6所不意性解說。 等式7 g(x5y) = FT- {G(m,n)} = ±Σ^η)^^ m=/ η=/ 不同類型的空間影像可用 採取由等式8所表示的等式6之;=徵放置。例如’ 示的倒轉傅利葉變換，可 以及由等式9所表 強度位準之變化& —空間影像，該影像解說 之一二的权度(即斜率)，例如圖8所示。解^ 輪度的一空間影像有助於辅助特徵放置。"化 907l6.doc -14- 1277827

F(m, η) = (m，n) fmV 、〔 \ η PyJ 等式8 等式9 一無鉻相位微影（Chromeless Phase Lithography; CPL) 接觸遮罩、高百分比透射衰減相位偏移遮罩（phase Shift Mask ; PSM)及其他類型的PSM具有三種可能的透射狀況 Aa:0(沒有光透射穿過初縮掩膜板）、+1〇〇〇%透射，無相位 偏移）及-1(100%透射，180度相位偏移），當產生一空間影 像時應考慮該等狀況。為了說明特徵透射位準，可藉由添 加反映透射狀況之變數Aa而修改等式3。 等式10 〇CPL (X，y) = D Aa5(X 一 Xa，y 一 ya ) 、因此，決定由等式11所表示的空間影像，係藉由採用等 式10之脈衝函數0CPL(x，y)而捲積特徵向量φ(ιη，n)之倒轉 傅利葉變換。 g(x?y) = Fry{〇(m)n)}(g)〇cpL(x?y) 寺式11 有利的係’藉由最大化脈衝函數位i(xa，ya)處的最小峰 值強度’可以決定各接觸孔處的透射狀況Aa，如等式 示。 max[min{g(Xa，ya)}j應注意以下論述提出採用一 範例’但是應注意在此論述的 類1圖7為一範例性流程圖 等式12 黑暗場遮罩類型的本明之一 新穎概念可用於清晰場遮罩 ，其解說依據一干涉映射之 90716.doc -15- 1277827 產生而應用光學近似修正技術於一遮罩圖案中之方法。還 應注意可以採用許多方法而產生干涉映射，（例如）採用一 傳統空間影像模擬器（例如由MaskT〇〇is有限公司提供的

Lith〇cruiser或遮罩織物模型產品），如共同待審的申請案 (序列號待幻所揭示；或藉由將區域影像在數學上模型為 本申請案。 所揭示的概念可以由—連串的步驟所表示，如圖7之流 程圖所解說。在步驟710中，建立包括至少-接觸孔的-遮罩模型。而且選擇照明器之類型及對應的參數。在步驟 川中，建立-脈衝函數（例如等式3、等式1〇)，因此依據 遮罩類型（例如相位偏移遮罩、常規遮罩）藉由-脈衝δ函數 而表不遮罩之各接觸孔。與此同日夺，在步驟川中，根據 照明，投影透鏡模型來產生取（等式ι); *在步驟716 中，错由對角化採用SVD的函數來簡化複雜的丁cc函數， 從而導致特徵向量及特徵值之1數（等式2)。在步驟718 中，藉由採用步驟712中所建立的§函數來替代一特徵向量 而修改簡化的TCC函數（等式4至6)。在步驟72〇中，選擇至 V特徵值以近似TCC。若在步驟722中選擇一個以上的 數值則為各選擇的特徵值計算倒轉傅利葉變換（等式9)， 依據SOC(參見圖3)加總計算結果，如步驟724所述。另一 方面’若在步驟726中僅選擇—個特徵值，則為所選擇的 數值計算倒轉傅利葉變換（等式9)。步驟724或726之任-個 的結果表示一空間影像或對應於基板上的照明之干涉映 射。在步驟728中，干涉區域係根據干涉映射來加以識 907l6.doc -16- 1277827 而最佳 別；而在步驟730中，在一遮罩中對應於干涉區域 地定位辅助特徵。 範例 新穎模型方法精確而簡單地預測干涉圖案，以決定策略 性輔助特徵放置。假定七接觸孔之一遮罩、具有O K的數 值孔徑NA之一Cquad照明器、以及具有193 nm的一波長入 之一光源。首先，接觸孔係採用脈衝s函數而取代，如等 式2所表示及圖5所示意性解說。 當與用於Cquad照明的特徵向量φ(Ιη，η)捲積時，便導致 圖6之空間影像。在此顯示旁波瓣干涉之多重區域的。因 此’可以在—遮罩中對應於該等干涉區域而定位辅助特 徵’以便限制旁波瓣印刷。 圖9解說依據新穎影像方法及在此說明的範例而建立的 一遮罩。遮罩90包括可分解特徵92(例如接觸孔92)，以及 對應於由圖6之空間影像所解說的干涉區域6〇而定位之複 數個輔助特徵94。 圖1〇解說採用一似星體形照明器的七接觸孔圖案之一空 間影像。與圖6及圖_匕’將預期Cquacm明與似星體形 照明之間的干涉區域不同。而且與似星體形照明相比， Cquad照明產生—較高光強度。因此，採用所假定的參 數，Cquad照明之使用可產生較好結果。 以上說明的模型方法之優點為，無需為一遮罩設計而永 久地測試並且分析複數個輔助特徵放置。模型方法可預測 將依據-特定照明器而出現的干涉或旁波瓣之類型。因 90716 doc -17- 1277827 此’可以最佳而策略性放置輔助特徵。 圖u示意性描述適用於借助於本發明所設計的一遮罩之 —微影投影設備。該設備包括： 幸田射系統Ex、IL，用以供應一輻射投影光束pB。在 斗寸疋清况下，輕射糸統亦包括一輻射源l a ; 一第一物件台（遮罩台）MT，其具有一遮罩支架用以支 撐一遮罩MA(例如一初縮掩膜板），並且與第一定位構件連 接以針對項目PL而精確地定位遮罩； 一第二物件台（基板台）WT，其具有一基板支架用以-支 撐一基板W(例如一光阻塗佈矽晶圓），並且與第二定位構 件連接以針對項目PL而精確地定位基板； '一投影系統（「透鏡」）PL(例如一折射、反射或反折射 光子；r、、洗），其係用以將遮罩MA之一照射部分影像至基板 W之一目標部分C(例如包括一或多個晶粒）。 如在此所為述，5玄5又備為一透射類型（即具有一透射遮 罩）。但是一般而言，該設備亦可為（例如具有一反射遮罩 的）反射類型。或者，該設備可以使用另一種圖案化構 件來代用-遮罩，其範例包括—可程式化鏡陣列或lcd矩 陣。 輻射源LA(例如一水銀燈或一同核複合分子雷射）產生一 輻射光束。此光束係直接或在穿過調節構件之後供入一照 明系統（照明器）IL，（例如）一光束擴展器Εχ。照明器虬可 以包括調整構件ΑΜ 1以設定光束t的強度分配之外側 及/或内側光線範圍（通常分別稱為σ外側光線及〇内側光 907l6.doc -18- 1277827 線）。此外，該照明器一般將包括各種其他組件，例如一 積分器IN及一聚光器C〇。採用此方法，撞擊在遮罩％八上 的光束PB在其斷面上具有一所需均勻度及強度分配。 應注意在圖11中，輻射源LA可以在微影投影設備之外殼 内（當輻射源LA為（例如）一水銀燈時，此為常見情況），但 是該源亦可以遠離微影投影設備，其產生的輻射光束係導 入設備中（例如借助於合適的引導鏡）；當輻射源乙八為一同 核複合分子雷射時（例如基於KrF、八斤或匕發射雷射），此 後者情形為常見情況。本發明包括該等情形之至少兩個。 光束PB後來截取一遮罩台MT上所支撐的遮罩“八。已穿 過光罩MA之後，光束PB穿過透鏡PL ,該透鏡將光束？6聚 焦在基板W之一目標部分c上。借助於第二定位構件（及干 涉量測構件IF)，可以精確地移動基板台WT，（例如）以便 將不同目標部分C定位在光束pb之路徑中。同樣，第一定 位構件可用以針對光束PB之路徑而精確地定位遮罩MA， 例如在從一遮罩庫機械地取回遮罩MA之後或在一掃描期 間。一般而言，將借助於一長衝程模組（粗略定位）及一短 衝程模組（精確定位）來實現物件台MT、WT之移動，該等 ，組並未在圖llf明確地加以描述。但是，在_晶圓步進 器（與一步進及掃描工具相對立）之情況下，遮罩台“丁可僅 與一短衝程驅動器連接，或者可以固定。 所描述的工具可用於二不同模式： -在步進模式中，遮罩台MT實質上係保持固定，而一 整個遮罩影像係在_次操作（即—單_「快閃」）中投影至 907l6.doc -19- 1277827 =標部分c上。然後基板台WT係在x及/或y方向偏移， 稭由光束PB可以照射一不同目標部分c ; -在掃描模式中，實質上施加相同的情形，_ — 部分C並未在-單-「快閃」中曝光之情況則二目:: 反’遮罩台MT可在-給定方向（所謂的「掃財向」，例 如y方向）上以一速度v移動，以便引起投影光束在—遮 罩影像上掃描’·同時，基板台wt係在相同或相反方向上 2 —速度同時移動，其中M為透鏡pL之放大倍率（通 常’从=1/4或1/5)。採用此方式，可以曝光—相對較大^ 標部分C，而不必影響解析度。 在此所揭示的概念可以模型或在數學上模型任一 一般性 影像系統，以影像子波長特徵，而且尤其可用於顯現=產 生一愈小尺寸的波長之影像技術。已使用的顯現技術包括 EUV(遠紫外線）微影，該微影能採用一 ArF雷射而產生一 193 nm的波長，並甚至採用一氟雷射而產生一 157的波 長。此外，藉由採用一同步加速器或藉由採用高能量電子 來撞擊一材料（固體材料或一電漿），EUV微影能產生具有 2〇 nm至5 nm的一範圍之波長，以便在此範圍内產生光 子。因為大多數材料在此範圍内具有吸收性，所以藉由具 有钥及矽的一多重堆疊之反射鏡可以產生照明。多重堆疊 鏡具有钥及;5夕之一 40層對，其中各層之厚度為一四分之一 波長。採用X射線微影，可以產生更小的波長。通常一同 步加速器係用以產生一 X射線波長。因為大多數材料在X射 線波長下具有吸收性，一薄塊吸收材料定義何處將印刷 90716.doc -20- 1277827 (正光阻）或不印刷（負光阻）特徵。 雖然在此揭示的概冬旦 心了用以衫像於一基板（例如一矽晶 圓）上，但是應瞭解所描- 旦 不的概心可用於任一類型的微影 衫像系統中，例如田 衫像於基板上而非矽晶圓上的微影 影像系統。 包括可執行代碼的一 ^ 一 ％細不統之軟體功能性包括程式

、可用以貝施以上說明的影像模型。軟體代碼可以藉由 通用電腦而執行。力^品从I / 木乍中，代碼及可能的相關資料記錄 儲存在—通用電腦平台内。但是在另外場合，軟體可.以 :存在其他位置處及/或傳輸以載人適當的通用電腦系統 /因此’以上論述的具體實施例包括㈣-或多個代碼 拉，形式之-或多個軟體產品，該等代碼模組係由至少— 機益可讀取媒體承載。藉由電腦系統之-處理H而執行此 ^馬;使平台能實施目錄及/或軟體下載功能，該實施實 質上係採用在此論述並解說的具體實施例中所實行的方 式0 如在此所使用，例如電腦或機器「可讀取媒體」之術語 係指參與提供指令至—處理器以執行指令的任—媒體。此 媒η可以採取許多形式’包括（但不限於）非揮發性媒體， 揮發性媒體及透射媒體。非揮發性媒體包括（例如）光碟或 磁碟’例如作為上述㈣器平台之-操作的任何電腦中之 任何儲存裝置。揮發性媒體包括動態記憶體，例如此電腦 平台之主要記憶體。實體透射媒體包括同軸電纜，銅線路 及光纖，包括含有一電腦系統内的一匯流排之線路。载波 9〇716.doc -21 - 1277827 透射媒體可以採取以下形式：電信號或電磁信號，或者聲 干或光波（例如在射頻（radio freqUency ; RF)期間產生的光 波）以及紅外線（infrared ; IR)資料通信。電腦可讀取媒體 之通用形式因此包括，例如：一軟碟、—柔性碟、硬碟、 磁帶、任一其他磁性媒體、一 CD_R〇M、DVD、任一其他 光學媒體、次通㈣體（例如打卡機）、紙帶、具有孔圖案 的任其他貫體媒體、一 RAM、一 PROM及EPORM，一快 門EPROM、任-其他§己憶體晶片或盒、—載波傳輸資料或 指令、傳輸此載波的電纜或連結，或一電腦可以從中貧取 可耘式化代碼及/或貢料的任一其他媒體。許多該等形式 的電腦可讀取媒體可以包括承載_或多個序列的—或多個 指令至一處理器以執行指令。 雖然已詳細說明並解說本發明，但是應清楚地瞭解本發 明係僅藉由解說及範例而非限制，本發明之範疇係僅藉由 所附的申請專利範圍之條款而限制。 參考附圖，從本發明之以上詳細說明，將更加瞭解本發 明之上述及其他特徵、方面及優點。 【圖式簡單說明】 圖1為用於一通用影像系統的一範例性透射交又係數 (TCC)函數之一圖式。 圖2為採用不同類型的照明所用的單—數值分解而對角 化TCC後的特徵值之一緣製圖。 圖3為相干總和之總和的一表示。 圖（a)至4(d)分別為似星體形、c㈣d、環形及傳統照明 90716.doc -22- 1277827 器之第一 TCC特徵函數的照明 ^ 不忍性表示。 圖5為等式}之一示意性表示，其中要建 觸孔係採用脈衝δ函數而取代。 ㈢杗之接 圖6為對應於由圖4(b)及圖5 -„ ω + ^胛况者之捲積之等式5的一 不思性表示。 圖7解說在此揭示的新穎模型方法之一流程圖。 圖8解說對應於干涉函數之第二導數的一照明。 圖9解5兒對應於圖6之照明的辅助特徵之最佳放置。 圖10採用圖4(a)之似星體形照明器而解說等式5及對應-的 照明強度之一示意性表示。 圖11示意性描述適用於借助於本發明所設計的一遮罩之 一微影投影設備。 圖12解說依據一預定組的規則之輔助特徵放置。 【圖式代表符號說明】 12 圓圈 14 圓圈 16 區域 20 第一特徵值 60 干涉區域 90 遮罩 92 接觸孔 94 辅助特徵 110 遮罩 112 可分解特徵 907 丨 6 doc -23 - 1277827 114 輔助特徵 410 接觸孔 412 干涉區域/旁波瓣 AM 調整構件 C 目標部分 CO 聚光器 Ex 光束擴展器 IF 干涉量測構件 IL 照明器 IN 積分器 LA 輻射來源 MA 遮罩 MT 遮罩台 PB 投影光束 PL 透鏡/項目 W 基板 WT 基板台 907l6.doc -24

Claims (1)

1277^31〇〇9〇3號專利申請案 申請專利範圍替換本(95年11月） · 拾、申請專利範園： • 種用以在一基板之一表面上所形成的一圖案最佳化 一照明輪廓之方法，該方法包括以下步驟： 定義一透射交又係數（TCC)函數，該函數係依據一照 明瞳孔及對應於一照明器的一投影瞳孔而決定； 精由至少一脈衝函數，表示要在該基板上印刷的一 遮罩之至少一可分解特徵；以及 根據該至少一脈衝函數及該TCC函數，建立一預定 順序的'干涉映射，其中該干涉映射表示要在該基板 上印刷的該至少一可分解特徵及破壞性干涉之區域。 2·如申請專利範圍第W之最佳化一照明輪廓之方法，在 該遮罩中對應於破壞性干涉映射之該等區域放置一輔 助特徵。 3·如申請專利範圍第2項之最佳化一照 中該辅助特徵為非可分解性。 4. 如申請專利範圍第i項之最佳化一照明輪廊之方法， 中该干涉映射模型入射在該基板上的光強度。 5. 如申請專利範圍第4項之最佳化—照明輪廓又之方法， 進括在該遮草之對應於該干涉映射上-區域 壞性干、牛之二至少—輔助特徵，該映射具有對應於. 二生干涉之該等區域的一預定位準之_。 6·如申請專利範圍第$ 中該預定位準對；s / J⑽ < 方法’： T應於一可分解光強度。 申月專利视圍第!項之最佳化一照明輪廓之方法，」: 90716-951117.doc 1277827 中该干涉映射表示入射在該基板上的光強度上的變 化0 8. 種用以在一基板之一表面上所形成的可分解特徵之 一圖案最佳化一照明輪廓之方法，該方法包括以下步 驟： 建立具有至少二軸的一笛卡兒座標干涉映射，該建 立係依據表示要在該基板上形成的可分解特徵之該圖 案的一脈衝函數及-透射交又係數函數，該干涉映射 表示要形成的可分解特徵之該圖案以及至少一干涉區 域’其中該至少-干涉區域係與在要形成的該圖案之 中心處具有其原點的至少二軸成角冑，並且與該干涉 映射之該等至少二軸平行； 根據該映射’在該遮罩之對應於該至少一干涉區域 的一區域中放置一辅助特徵。 9. 如申請專利範圍第2項之最佳化一照明輪廓之方法，其 中該輔助特徵為非可分解性。 10· -種程式產品，其包括可藉由至少—機器可讀取媒體 而傳輸的可執行代碼，其中藉由至少一可程式化電腦 而執行該代碼引起該至少一可程式化電腦實行一序列 V驟以最佳化要在一基板之一表面上形成的一圖案 之一照明輪廓，該等步驟包括： 定義一透射交叉係數（TCC)函數，該函數係依據一照 明瞳孔及對應於一照明器的一投影瞳孔而決定； 藉由至少一脈衝函數，表示要在該基板上印刷的一 90716-951117.doc 1277827 遮罩之至少一可分解特徵；以及 11 12 13. 14. 15. 16. 根據該至少一脈衝函數及該TCC函數，產生一預定 順序的-干涉映射，其中該干涉映射表示要在該基板 上印刷的該至少一可分解特徵及破壞性干涉之區域。 如申請專利範圍第10項之程式產品，其在該遮罩中對 應於由該干涉映射所表示的破壞性干涉之該等區域定 義辅助特徵放置。 一種影像子波長接觸孔之方法，該方法包括以下步 驟： 定義一透射交又係數（TCC)函數，該函數係依據一照 明瞳孔及對應於一照明器的一投影瞳孔而決定； 藉由至少一脈衝函數，表示要在一基板上印刷的一 遮罩之至少一接觸孔；以及 根據該至少一脈衝函數及該TCC函數，建立一預定 順序m映射’丨中該干涉映射表示要在該基板 上印刷的該至少一接觸孔及破壞性干涉之區域。 如申請專利範圍第12項之方法，在該遮罩中對應於破 壞性干涉映射之該等區域放置一輔助特徵。 如申請專利範圍第13項之方法，其中該辅助特徵為非 可分解性。 如申請專利範圍第12項之方法，其中該干涉映射模型 入射在該基板上的光強度。 如申請專利範圍第15項之方法’其進一步包括在該遮 罩之對應於該干涉映射上一區域的一區域上放置至少 90716-951117.doc 1277827 於破壞性干涉之該等區 ，其中該預定位準對應 ’其中該干涉映射代表 17. 18. 一辅助特徵，該映射具有對應 域的一預定位準之一光強度f 如申請專利範圍第15項之方法 於一可分解光強度。 如申請專利範圍第I2項之方法 入射在該基板上的光強度上的變化。 90716-951117.doc 1277827 第093100903號專利申請案 中文圖式替換頁(95年11月） 特徵値 οοορρρρρρ I Γ _.κ·… m· Μ骧 0-^-*00ω ίο M iK^st^/cquad « 00 翼1¾隱_ 90716-951117 2- 1277827 第093100903號專利申請案 中文圖式替換頁(95年11月）

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