TWI276194B - Transfer member with electric conductivity and its manufacturing method - Google Patents

Description

(i) ^276194 玖、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) 本申請案主張2001年12月3曰申請之美國臨時專利申喑 案第60/334,587號之權利。 叫 技術領域 本發明係關於轉移構件及其製造方法。更特定言之， 發明係關於一種轉移構件’其適合於轉移精密設備材料本 例如液晶顯示器裝置之玻璃基板及半導體之矽晶 關於其製造方法。 及 先前技術

下列揭示内容可能與本發明的各種特點有關，其可 如下： $ U 在精密機器例如液晶顯示裝置和半導體的製造方法 I’使用用以轉移此等組件之轉移構件。可將此類轉移構 -裝在-種纟置例如工業機器人中以便移動轉移構 。將各組件放置或支持在轉移構件上並移動至 位置。 叩y人 轉移構件通常係由—種金屬例如鋁所造成。然而，隨著 W加須要轉移大規模液晶顯示裝置組件或秒晶圓，需要由 具有鬲堅挺性、小偏轉、和高耐 " 门町鸿性炙重1輕、碳纖維強 塑膠（CFRP)所造成之轉移構件 π切4再开先則技藝中，日本特許 :開未審查專利第u_3546()7號中揭示—_的轉移構件包 :碳纖維和聚合物所形成之—層及一層金屬之卿 …本特許公開未審查專利第11-354608號中揭示一串的 轉移構件包括預浸潰體層（其中將碳纖維單向排列）之層 1276194 (2)

壓：製品’而曰本特許公開未審查專利Νο· 2000-343476中揭 示包括CFRP(碳纖維強化塑膠）的表面層和芯層之三層構 造之轉移構件。 然而，於精密機器例如液晶顯示裝置和半導體之製造方 法中’減少（或消除）積聚在組件上之靜電亦重要。積體電 路和液晶裝置組件上之靜電經由產生細粒子在工作環境 中或造成破壞性放電而使表面褪色，以致產物有缺陷和甚 大之生產產率損失。由於電子組件必須具有高程度的整合 和小型化之取近要求（與習用之電子組件相比較），與習用 之技術相比較’需要：在用以加工此等組件之製造程序期 間將靜電產生抑制至較大程度。日本特許公開未審查專利 第2000-216215號中揭示由纖維強化之碳複合物材料所造 成之轉移構件，將半導體晶圓或液晶基板放置在其上並將 該轉移構件表面用金屬塗覆以防止粒子例如碳粉末散射。 就大體而論，移除靜電有兩種普通方法：丨）經由接地而 使靜電放電（即：接地方法）及2)經由產生離子在大氣中而 中和靜電（即：離子中和方法）。先前技藝揭示使用絕緣物 質其排除使用接地之方法。舉例而言，日本特許公開未經 審查專利No 9-36207號中揭示使用含有聚醯亞胺聚合物之 碳以形成一種指狀物（將基板放置在其上）之技術。另外實 例包括，日本公告之第10-509747號其中揭示抗磨蝕之複合 物材料的載體包括選自聚晞烴和聚醯胺之基本聚合物及 具有特別平均纖維直徑之研磨碳纖維填料。此外，日本特 許公開未經審查之專利案第11-106665號中揭示由具有預 1276194 (3)

疋之表面電阻率之熱塑性聚合物和具有預定之體積電阻 率之纖維狀導電填料所形成之轉移構件。 在經由一種絕緣體例如塑膠和陶瓷的轉移構件所支持 並轉移之組件中，不能使用接地方法。因此，移除妳由轉 移構件例如CFRP所轉移之組件的靜電’只可應用=子中 和万法。然而’離子中和方法亦可能有問題。電磁噪立 細粒子和臭氧有時自使用以產生用於中和之離子心置 而產生’創造成該項可能性：此等所產生之要素對於= 序可能具有負面影響。又，在離予中和之方法中，有 =由陽離子和-陰離子之數量所組成之偏壓，且亦有—種 『此性即：另外之靜電可能產生。 需要除去離子中和方法以外之方法，以 紐士仏 〜知敬用以移除 、二由一種絕緣體例如CFRP的轉移 “ 產生之電荷之方法。 牛所…組件中所 發明内容 間&並依照本發明之一個特點 一種物件之轉移構件包括且古Λ ^徒供用以轉移至少 、 包括具有碳纖維強化乏奶人& <本體及經配置在該本體上之一個 物材料 電之取八仏 導笔聚合物部份，兮道 书〜合物組件具有適合物件之 a邊導 少—個物件期間與該i少—個 $份以便在轉移至 物組件兩、象3、s + 件接觸，將該導電之聚人 、件連接至本體中碳纖維強化夕子私 < 氷合 邵份之碳纖維上。 複合物材料的至少 依據本發明之另外特點，提供 轉移構件的製造方法，該構件包括且者移至少—種物件之 午匕括具有碳纖維強化之複入 -10-

1276194 (4) 物材料之本體及經配置在該本體上之導電之聚合物組 件，該方法包括： a) 製備含有碳纖維強化之複合物材料之本體； b) 顯露該本體的碳纖維強化之複合物材料的至少部份 之碳纖維，及 c) 配置導電之聚合物組件至該本體上以致使將被顯露 之至少部份的碳纖維電連接至導電之聚合物組件。

雖然本發明將與其較佳具體實施例相關而敘述，但是應 了解：並無意欲限制本發明為該具體實施例。反之，意欲 包括所有替代、療正和同義語如可能包括在經由附隨申請 專利範圍所界定之本發明要旨和範圍以内者。 實施方式 定義 提供下列定義作為依照如何使用此等定義在本說明書 的上下文中及在附隨之申請專利範圍中的參考。

1 · 本體-係指一種轉移構件其具有支持被轉移之物件的 一個部份。 2. 預浸潰體-係指使用一種樹脂溶液溼潤之乾織物以致 使樹脂浸潰該乾織物。 3. Μ 6-係指6 mm螺絲攻孔的米制標稱直徑。 本發明的主要元件是獨特以瀝青為基底之碳纖維。經由 將該獨特以瀝青為基底之碳纖維與選擇之環氧聚合物聯 合，本發明提供各種模數（例如100 GPa至250 GPa以上）和溫 度能力（例如100°C至230°C以上）及高純度密封劑選擇權。 -11 - (5) 1276194 本發明揭子目士· a 量轉移構件，、：改=挺性、耐熱性和耐化學品性之輕重 經由本發明之轉二t轉移構件之可轉移性。舉例而言， 玻璃美板 、夕冓件所移動之半導體之矽晶圓和液晶 之損二 #制經由轉移環境所造成之對於被轉移物件 八I及使用接地方法有效移除被轉移物件的靜電。與僅 使用離子巾和万法《先前技藝方法成對比，本發 用接地之方法。 +便 本發明具有用以轉移物件之轉移構件，即··具有含有碳 纖維強化之複合物材料之轉移構件本體和安裝在該本體 上 < 導電聚合物。該轉移構件本體和碳纖維強化之複合物 材料包括至少一層的單向預浸潰體其中將碳纖維排列基 本上與本體之縱方向平行。本體的碳纖維強化之複合物材 料包括至少一層的含碳纖維之織物預浸潰體，連同將至少 部分的預浸潰體與導電之聚合物組件電連接。 轉移構件的碳纖維強化之複合物材料包括：碳纖維強化 塑膠（CFRP)和碳纖維強化之碳複合物材料（c/c複合物材 料）。以CFRP較佳。碳纖維強化之複合物材料的基體材料 包括：熱固性聚合物、熱塑性聚合物、碳、陶瓷、金屬及 其混合物。本發明中，最好將熱固性聚合物、碳或其混 合物作為基體。熱固性聚合物包括：環氧、芳族聚醯胺、 雙馬來酿亞胺、酸、吱喃、尿素、不飽和之.聚酯、環氧丙 晞酸酯、酞酸二烯丙酯、乙晞基酯、熱固性聚醯亞胺、三 聚氰胺及其他此類物質。 本發明之熱塑性聚合物基體材料包括：聚醯亞胺樹脂 -12-

1276194 (6) 尼龍、液體芳族聚醯胺、聚酯、液體芳族聚酯、聚丙烯、 聚醚颯聚合物、聚苯硫醚、聚醚醚酮、PEK、PEKK、LCP、 聚颯、聚氯乙烯、聚乙晞醇縮醛、芳族聚醯胺、含氟聚合 物及其他此類物質。本發明之陶瓷基體材料包括：礬土、 矽石、碳化鈦、碳化矽、氮化硼、氮化矽及其他此類物質。 本發明之金屬基體材料包括：欽、銘、錫、石夕、銅、鐵、 鎂、絡、鎳、錮、鶴及含有一或數種此等金屬之合金。

經包括在上述之碳纖維強化之複合物材料中之碳纖維 包括：石油瀝青型碳纖維、煤瀝青型碳纖維、聚丙婦腈 (PAN)碳纖維及真他此類纖維。此等碳纖維的電阻率通常 是自1-30 μΩ.ιη而較佳是1-20 Ω.μπι。碳纖維強化之複合物 材料可包括僅一種碳纖維但亦可包括兩或數種此等碳纖 維的混合構造。

使用於碳纖維強化之複合物材料中碳纖維的形式包括 单向強化、二向強化、三維強化、隨機強化，而相似形式 係依照轉移構件的所需要目的予以適當選擇和採用。舉例 而言，視須要，碳纖維可能呈短纖維、織造織物、非織造 織物、單向材料、二向織造織物及三維織造織物等形式。 更明確言之，可使用碳纖維在具有毯、墊、編織物（即： 非織造織物其中包括以平行十字形所排列之碳纖維或具 有熱熔性聚合物之三角形形式）、單向材料、假各向同性 材料、平紋織物、锻、斜紋織物、假薄織物、纏結織物等， 予以層壓並可安裝在上述之碳纖維強化之複合物材料中。 將導電之聚合物組件電連接至本體中至少部份的緩纖 -13 -

1276194 ⑺ 維上。當轉移物件時使該本體與物件接觸。一部份的導電 之聚合物組件與經放置在其上之被轉移物件呈接觸。將物 件與本體間之接觸點經由碳纖維電連接至導電之聚合物 組件。本發明另外提供至接地之導電的接觸點。

導電之聚合物組件包括聚醯亞胺聚合物。本發明中，該 聚合物物質具有導電性。舉例而言，一種聚合物材料其中 將導電之填料加至熱固性或熱塑性聚合物。作為上述聚合 物材料之其他材料包括··含氟聚合物、PEEK、ΡΕΚΚ、PEK、 聚乙酸酯、尼龍聚合物、芳族聚醯亞胺、聚醚颯、聚醯亞 胺、聚醚醯亞胺 '聚醯胺醯亞胺、聚酯、液晶聚合物、聚 苯并咪吐、聚（對伸苯基苯並bisaxazole)(PBO)、聚苯硫醚、 聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚縮醛或其兩或數種的混合物。 供使用於本發明中之其他導電填料包括：金屬粉末、碳 黑、碳纖維、氧化鋅、氧化鈦、鈦酸鉀。本發明中，最好： 該聚合物材料含有具有優良耐磨性、抗靜電性質和耐化學 品性之聚醯亞胺；具有尺寸穩定性和機械加工性能以便製 造轉移構件；且當與被轉移物件接觸時，不會損壞物件例 如玻璃基板或晶圓；且不容易產生粒子。 本發明中，導電之聚合物組件的體積電阻率通常其範圍 自 101 至 1012 Q.cm，較佳自 104 至 105 D.cm。 另外，本發明提供轉移構件之製造方法，此方法包括： 製備含有碳纖維強化之複合物材料之轉移構件本體。該程 序顯露一部份的複合物材料中碳纖維，並將導電之聚合物 組件安裝在轉移構件本體上以致使可將其電連接至顯露 -14- 1276194

之碳纖維上。該導電之聚合物組件係由使用導電之黏合劑 將轉移構件本體與導電之聚合物組件連合而安裝。安裝導 電之聚合物組件之製造方法包括將導電之聚合物組件嵌 入一個孔或凹形部份中。該孔和凹形部份係以一種方式而 形成以便顯露出複合物材料的内部碳纖維。 本發明的另外特點是製造具有導電性之轉移構件之方 法。可使用該技藝中所熟知之用以製造碳纖維強化之複合 物材料例如CFRP或C/C複合物材料之方法。舉例而言， CFRP可經由使用一種熱固性聚合物浸潰強化之碳纖維而 形成一種預浸潰體，然後將其層壓和固化予以製備。然 而，最妤經由層壓單向強化之碳纖維的預浸潰體而獲得具 有規定之彈性模數之CFRP，即：單向之預浸潰體以便纖 維的方向相對於轉移構件之縱方向是0 °和9 0 °、0 °、±4 5。、 和 90〇 或 0〇、±60° 和 90° ° 在將強化之碳纖維浸潰入熱固性聚合物中時，較佳應用 一種熱熔方法，其通常加熱聚合物至6 0 - 9 0 °C及浸潰它在 強化纖維上。預浸潰體製造時熱固性聚合物之含量，相對 於強化纖維之總重量，通常是2 0 - 5 0重量％，較佳是2 5 - 4 5 重量％。 如果必須，可將填料加至構成預浸潰體之聚合物。填料 物質包括：雲母、礬土、滑石、細粉末狀矽石、矽灰石、 海泡石、鹼性硫酸鎂、碳酸鈣、聚四氟乙晞粉末、鋅粉末、 銘粉末及有機細粒子例如細丙婦酸系粒子、細環氧聚合物 粒子、細聚酿胺粒子、細聚胺甲酸醋粒子及其他此類物 -15-

1276194 (9) 質。將預浸潰體層壓成適當形狀在轉移構件上並在熱壓器 中或經由壓機在110。-150 °C下加熱並固化歷30分鐘至3小 時，以便可獲得CFRP。使用此方法，可獲得具有穩定品 質和甚少空隙之CFRP。

C/C複合物材料亦可經由所熟知方法而製造。舉例而 言，碳纖維係以相似於使用於上述CFRP製造之碳纖維之 形式而使用。預製坯（即：在該程序之中間階段所形成之 形狀）經由浸潰預製坯入基體聚合物例如熱塑性聚合物和 熱固性聚合物中，然後經由熱等壓程序（即HIP)處理或相 似方法予以碳化"而形成以便可將碳化之基體形成在碳纖 維上。碳化可經由在500°C (較佳在300°C )下，在一種惰性 大氣中加熱如上述之該預製埋而進行。

C / C複合物包括瀝青物質例如使用煤瀝青、石油瀝青、 合成瀝青、各向同性瀝青和介相瀝青作為原料者。又，一 種熱塑性聚合物其可包括：聚醯亞胺樹脂、酚聚合物、環 氧聚合物、吱喃聚合物和尿素聚合物而熱固性聚合物包括 酉分聚合物、環氧聚合物、吱喃聚合物、尿素聚合物及其他 此類物質。 亦可將瀝青、熱固性聚合物或熱塑性聚合物與一種填料 混合並提供至該程序以便形成基體。填料物質的實例包 括：碳粉末、石墨粉末、SiC粉末、矽石粉末、碳纖維鬚 晶、破短纖維和梦碳短纖維。 用以製造C/C複合物材料之方法的另外實例是：經由使 用化學蒸氣沉積法（CVD)、化學蒸氣滲濾法（CVI)將熱可分 -16- 1276194

解之碳附著至碳纖維上而形成一種基體或可製造造成該 C / C複合物材料之此類似方法。可使以此方式所獲得之 C/C複合物材料另外歷經小型化處理。尤其、複合物材料 之密度可經由重複該形成基體之程序予以改良。

可將本發明的轉移構件之本體僅自碳纖維強化之複合 物材料或自碳纖維強化之複合物纖維和其他材料（例如玻 璃纖維強化塑膠（GFRP)的組合而形成。其他物質包括各種 構造例如蜂窩形、多孔本體或波形板。

該本體可使含有使用上述方法所獲得之碳纖維強化之 複合物材料之模'製本體歷經一種程序例如切割本體成為 所需要形狀予以製備。使用此項處理，可獲得具有所需要 形式之本體而具有精確加工精密。再者、可容易獲得碳纖 維與導電聚合物組件的電連接如隨後將予敘述。又，若須 要，該本體可具有經施加之塗層劑以防止自工作表面產生 粒子。可使用熱固性聚合物例如環氧聚合物和聚矽氧蠟作 為塗層劑。 本發明的轉移構件本體的一個實例是一種橢圓板形狀 之構造具有經定位在板的兩表面上之表面層及經定位在 表面層間之一個芯層。此等表面層具有含有碳纖維之第一 碳纖維強化之複合物材料層，其係以相對於轉移構件之縱 方向負20。至正20。之角而定向並具有500至1，000 GPa之抗 拉彈性模數。第二層是含有碳纖維之碳纖維強化之複合物 材料層，將其以相對於轉移構件之縱方向+ 7 5。至+ 9 0。及/ 或負75°至負90。之角定向並具有200至400 GPa之抗拉彈性 -17- 1276194

才旲數。表面層具有第三碳纖維強化之複合物纖維，將其以 相對於轉移構件之縱方向+30。至+60。及/或負30。至負6〇。 之角疋向並具有500至1，〇〇〇 GPa之抗拉彈性模數。三表面 層厚度·表面層和芯層之總厚度的比是2 〇至8 〇 %，較佳6 〇 至8 0%。可將接觸點經由表面層之碳纖維電連接至聚合物 寸兒、、且件。又’除去（或代替）碳纖維強化之複合物材料的 上述第三表面層以外，該芯層可包括具有一種構造例如蜂 尚形、夕孔本體之另外材料層，及/或亦可使用波形板

、、、7二嗯。可將由纖維狀物質例如碳纖維所造成之織 層配置在本-L 、、 a Jj取外表面上，較如果該織物層不存在時較 易處理轉移構件。又，如果此等織物層係由碳纖維所造 成則接觸點與導電聚合物組件間之電子連接變得較易。 本發明的轉移構件包括一個本體其具有被電連接至該 本體中至少却/八α & 一、〆。卩岛的碳纖維上之導電性聚合物組件及具有 、 知以便與被轉移之物件（經由放置此物件在本體上）

接觸轉&構件與物件形成接觸之區域可能是該轉移構件 的遠側端之表面，及導電之聚合物組件。 t發明的轉移構件中，導電之聚合物組件與至少部份 :把中奴纖維《電連接可經由下列操作而ι現:製備含 蚊纖維強仆> %人 、⑴ 複$物材料之本體，顯露部份的複合物材 中d織維並安裝在導電之聚合物組件在本體上以便 將其與顯露之碳纖維形成電連接。碳纖維的顯露可經由 成轉移構件太两渔 … 眼成為含有碳纖維強化之複合物材料之 製體並經由切判龙、 再一邵份而形成一個孔或凹形部份。丨 -18-

1276194 (12) 如，通常，當製造含有碳纖維強化之複合物材料之模製體 時，將其表面用一種基體塗覆而碳纖維並未顯露，因此如 果切去一部份的本體，則顯露碳纖維）。

經顯露之碳纖維與導電之聚合物組件之電連接可經由 使用導電之黏合劑連合該本體與導電之聚合物組件在導 電之聚合物組件的不同部份上，然後使該部份與含有切割 表面之本體表面上之被轉移物件接觸或經由將導電之聚 合物組件嵌入該方法中所形成之孔或凹形部份中（以便顯 露本體的碳纖維）而產生電連接。然而，將本體與導電之 聚合物組件連合i方法並不重要，可使用任何方法其中可 將導電之聚合物組件與至少部份的形成本體之碳纖維及 另外部份（其中可將被轉移之物件放置與此部份呈接觸） 予以電連接。

本發明之轉移構件可能具有僅一個導電之聚合物組件 或具有數個導電之聚合物組件。當使用數個導電之聚合物 組件時，可將其中之一或數個該組件電連接至碳纖維上。 本發明的轉移構件可另外具有至接地導體之一個接觸 點。上述接觸點係由至少部份的碳纖維與導電之聚合物組 件電連接以致可將與導電之聚合物組件形成接觸之物件 的靜電經由接地方法而移除。上述之接觸點可能簡單是經 由切割本體所形成之碳纖維的顯露表面者或其亦可能是 一個所需要之金屬電極。 如上所述，本發明的轉移構件之形狀可能是橢圓形，然 而，亦可能採用各種形式包括板形、棒形、叉形、蜂窩形、 -19- 1276194 (13) 空心桿形 用於本發 端與被轉 在其近侧 導電之聚 種形狀其 物件接觸 之裝置例 之物件放 現在參 實例參照 狀供使 其遠側 項接觸 中僅使 或係一 轉移之 移構件 被轉移 構件之 、T形、1形、彎曲之表面形狀或組合之形 明中。一般，本發明 锝耖構件可具有在 私 < 物件接觸之一彳 山 個區域或可能具有該 ^。本發明的轉移構 傅件可具有一種形狀其 &物組件與被轉移之物件接觸並支持它， 中使導電《聚合物組件及本體兩者與被 並支持它。將近钏糾m ^ 1、J %固疋至用以移動該轉 如工業用機ϋ人。操作該裝置以致使可將 置或支持在遠側端而能轉移該物件。 照各圖式以便詳述本發明。本發明的轉移 圖式予以解釋如下。 圖1顯示本發明的轉移構件的一個實例。圖丨是截面圖， 其中轉移構件經由垂直截面予以切割，包括其縱方向。本 心11具有個橢圓板形狀而係由碳纖維強化之複合物材 料所形成並具有一個凹形部份15在其遠側端的上表面 上。孩凹形部份丨5係由形成由碳纖維強化之複合物材料所 組成 < 模製體並切割它成為所示之形狀而產生。導電之聚 合物組件1 2具有經配合入凹形部份i 5中之一個凸形部份 且係經由導電之黏合劑而安裝在本體丨丨中或經由壓按其 進入凹形部份1 5中。在本體丨丨之近側端上，安裝至接地導 體1 4之一個接觸點丨6並連接至該接地之導體1 4。於實際使 用時，可將接觸點1 6直接連接至接地導體丨4或亦可經由— 種裝置例如用以移動轉移構件之工業用機器人而接地。該 接觸點1 6亦可具有適合至每一接地形狀之構造。該本體j j -20- 1276194 (14)

係由層壓單向預浸潰體薄片而形成。本體1 1中，將部份或 全部的碳纖維排列與本體11之縱方向大體上平行，即：在 遠側位置至近侧位置方向。因此，將導電之聚合物組件1 2 和接觸點1 6經由本體1 1之碳纖維予以電連接，在轉移物件 時，使該物件與導電之聚合物組件1 2接觸以便電流以箭頭 1 3方向流動，藉以移出電流。

現在述及圖2，其顯示本發明轉移構件的另外實例之垂 直截面圖。在轉移構件本體21中，形成以厚度方向穿透入 本體2 1中之一個孔2 5，並安裝具有配合入該孔2 5之形狀的 導電聚合物組件2 2。將接地之導體2 4以與圖1中所述之相 似方式連接至接觸點26。將該導電之聚合物組件22經由與 本體2 1的縱方向大體上平行所排列之碳纖維電連接至接 觸點2 6，即：在本體2 1中遠側位置至近側位置方向。因此， 在轉移物件時，使該物件與導電之聚合物組件2 2造成接 觸，以便電流以箭頭2 3之方向流動，藉以移除電流（即： 將靜電放電）。 現在述及圖3，其顯示本發明轉移構件的一實例之頂視 圖。本體3 1具有叉形構造，並將導電之聚合物組件3 2安裝 在其支終端之每一者中。該本體3 1係由層壓織物預浸潰體 薄片予以形成。本體3 1中，將織物預浸潰體中之碳纖維交 叉並以縱方向和轉移構件本體3 1的寬度方向而延伸。因 此，將導電之聚合物組件3 2經由碳纖維予以電連接至接觸 點3 6，而在轉移物件時，使該物件與導電之聚合物組件3 2 造成接觸以便電流以箭頭方向3 3而流動，藉以移出電流 -21 - 1276194

(15) (即：將靜電放電）。將接地之導體34以如圖1中所述之相 似方式連接至接觸點3 6。 現在述及圖4，其顯示本發明轉移構件的另外實例之頂 視圖。該本體41具有叉形構造。本體41中、將部份或全部 的^纖維排列基本上與縱方向平行，即··本體4丨之遠側位 置土近側位置方向。將導電之聚合物組件42安裝在圖4中 所示之一位置上以便將它經由碳纖維電連接至接觸點 46。將接地之導體44以如圖1中所述之相似方式連接至接 觸點46。因此，在轉移物件時，使物件與導電之聚合物組 件42造成接觸’以致電流以箭頭方向43流動，藉以移出電 流（即：將靜電放電）。 每 、本發明的轉移構件包括一個本體其包括碳纖維強化之 複2物材料及經電連接至該本體中至少部份的碳纖維上 义導電之聚合物組件並具有一個部份以便與被放置在其 上 < 轉移物件接觸，可經由轉移構件來改良被轉移物件例 如半導體之矽晶圓和液晶玻璃基板之可轉移性，抑制（對 t )經由轉移環境所造成之被轉移物件之損壞且容易製 造，且由於含有纖維強化之複合物材料之本體及與本體相 關 < 導％聚合物組件而具有重量輕、高堅挺性及高耐熱 f生另外，可能經由接地方法而有效移除物件之靜電。因 此，可將需要精密操作之各組件例如大規模破璃基板和晶 圓有利地轉移而T、會降低其品質和產率。因此，該轉移構 件万…又備例如精密設備的製造程序中係非常有用。又，在 製、本毛日月轉移構件之方法中’上述之轉移構件可以簡單 -22- 1276194 (16)

方 實 明 實 轉 模 纖 單 方 經 度 青 製 之 片 述 便 面 織 表 式製造。 例 提供下列應用實例和比較性實例來更進一步解釋本發 但並無意欲限制本發明為所述之實例。 例1 製造併合導電之聚合物組件和由CFRP所造成之本體的 移構件。首先’—表面層使用具有800 GPa之抗拉彈性 數之歷青碳纖維避青型碳纖維予以製造（將此瀝青型碳 維單向拉伸、對準並用一種環氧聚合物浸潰，以便製成 向預& >貝體薄片）。將數個預浸潰體層壓以便碳纖維之 向’相對於轉移構件之縱方向是0。（即：相同方向）。將 層壓（薄片在熱壓器中處理以便製造具有約1.3 mm厚 之表面層。 其次’製造芯層’將具有6〇〇 GPa之抗拉彈性模數之瀝 型碳纖維單向拉伸、對準並用一種環氧聚合物浸潰以便 成單向預浸潰體薄片。將數個預浸潰體層壓以便碳纖維 方向’相對於轉移構件之縱方向是9 〇。。將經層壓之薄 在熱壓器中處理以便製造具有約1·5 mm厚度之芯層。 其次’將該本體自CFRP製成，將上述之芯層配置在上 之兩薄片的表面層間並使導電之熱固性黏合劑黏合以 獲得一種層壓製品具有表面層在其中間之芯層的上表 和下表面上。將具有230 GPa抗拉彈性模數之碳纖維的 造織物預浸潰體（锻，厚度約0·1 mm)黏附在兩表面層之 面上而形成一個織物層，然後在壓力下加熱，藉以獲得 -23- 1276194 (17)

CFRP板。為了安裝，將一個M6螺絲攻孔形成在CFRP板中， 以便形成具有600 mm長度、240 mm寬度和4.3 mm厚度之本 體。 其次，製造轉移構件。將具有以厚度方向穿透之3 mm 内直徑之三個孔形成在CFRP本體（如上述所製造）上表面 的遠側端上。將由具有104 D.cm體積電阻率之導電聚合物 所造成之三個墊片（其具有配合至此等孔中之凹形部份且 其包括聚S&亞胺聚合物（由杜邦公司市售之Vespel® SP_ 102))經由壓按餵供彼等入此等孔的每一者中，予以安裝 以便創造轉移構件。 實例2 將實例1的最先三個步驟施加至本實例。其次，然後製 造轉移構件的另外具體實施例。將具有3 mm内直徑和1 mm深度之三個孔形成在實例1中所形成之本體上表面的 遠側端上。將由具有ΙΟ4 Ω.cm體積電阻率之導電聚合物所 造成之三個墊片（其具有配合此等孔中之凹形部份且其包 括聚醯亞胺聚合物（由杜邦公司市售之Vespel® SP-102))經 由壓按餵供彼等入此等孔的每一者中予以安裝以便創造 轉移構件。 實例3 靜電的去除帶電試驗 將實例1和2中所獲得之轉移構件各自安裝在轉移裝置 中，然後將各轉移構件接地。其次，將欲被轉移之物件： 具有約300 mm直徑之秒晶圓使用電源在約2 kV時充電以 -24-

1276194 (18) 便強制充電。其次，放置該經過充電之矽晶圓以便其可能 與轉移構件的三個聚合物墊片造成接觸，然後維持歷約3 秒時間以便電壓電荷可能散逸通過導電之轉移構件。然後 將晶圓之帶電電昼經由靜電電壓計（係由Shis hi do Electrostatics有限公司市售，STATIRON DZ3型）量測來證實 導電之轉移構件的功能。與轉移構件接觸歷三（3)秒鐘後 被散逸至小於200伏特數值之晶圓的電壓電荷證實：有效 進行了靜電的移除。 比較性實例 此比較性實例中，轉移構件係由陶瓷所造成。將一個 Μ 6螺絲攻孔形成在具有6 0 0 mm厚度、2 4 0 mm寬度和4.3 mm 厚度的鋁板中，以便造成一個本體。相似於上述實例1和 2，將由導電聚合物所造成之三個墊片（其包括聚醯亞胺聚 合物並具有ΙΟ4 Ω.cm體積電阻率）安裝在本體中，以便形成 轉移構件。相似於上述實例3，使此等轉移構件歷經試驗 來測定：是否將靜電移除。與實例3成對比，經證實：_試 驗前和後，矽晶圓的帶電電壓甚少改變且在三（3)秒鐘測 量後，不能移除靜電，依然在大於1600伏特之數值（電壓 係使用Shishido靜電有限公司市售，STATIRON DZ3型靜電電 壓計所量測）。 因此，顯然可見：依照本發明，提供具有導電率之轉移 構件及其製造方法，其完全達到上文中所特舉出之目標和 優點。雖然本發明係連同其特定具體實施例予以敘述，但 是顯然可見··熟諳此藝者顯然可知許多替代、修正和變 -25- 1276194 (19)

更。因此，意欲包括所有此等替代、修正和變更屬於所附 隨之申請專利範圍的要旨和廣泛範圍以内。 圖式簡單說明 本發明自關於附隨之圖式所產生之下列詳述將會更完 全了解，其中： 圖1垂直截面圖顯示：本發明的轉移構件之一個實例。 圖2是垂直截面圖顯示：本發明的轉移構件之另外實例。 圖3是頂視圖顯示：本發明的轉移構件之另外實例。 圖4是頂視圖顯示：本發明的轉移構件之另外實例。 圖式代表符號説明 31，21，11，41 本體 15 凹形部份 32,22,12,42 導電之聚合物組件 34,24,14,44 接地之導體 3 6,26，16,46 接觸點 33,23，13,43 箭頭 25 孔 -26-

Claims (1)

1276194 拾、申請專利範圍 1. 一種用以轉移至少一個物件之轉移構件，包括·· 具有碳纖維強化複合物材料之本體；及 經配置在該本體上之導電聚合物組件，該導電聚合 物組件具有一個部份，供轉移至少一個物件期間與該 至少一個物件接觸，該導電聚合物組件電連接至本體 中碳纖維強化複合物材料之至少部份碳纖維上。 2 .如申請專利範圍第1項之轉移構件，其中碳纖維強化之 複合物材料包_括少於15 ppm水及具有在每分鐘1 0 °C之 猛升速率下自25 °C至250 °C的溫度條件下在1(T5 Pa之真 空時所放出少於1 ppm氫氣的純度。 3 ·如申請專利範圍第1項之轉移構件，其中該本體具有一 個近側端，其上提供接至接地導體之一個接地接觸 點，該接觸點經由至少部份碳纖維予以電連接至導電 聚合物組件。 4.如申請專利範圍第2項之轉移構件，其中該本體具有一 個近側端，其上提供接至接地導體之一個接地接觸 點，該接觸點經由至少部份碳纖維予以電連接至導電 聚合物組件。 5 ·如申請專利範圍第1項之轉移構件，其中該本體的碳纖 維強化之複合物材料包括至少一層的單向預浸潰體， 其具有與該本體的縱方向大體上平行排列之碳纖維， 及至少部份該單向預浸潰體及電連接之導電聚合物之 竣碳纖維。 1276194

6. 如申請專利範圍第1項之轉移構件，其中該本體的碳纖 維強化之複合物材料包括至少一層含有碳纖維之織物 預浸漬體，及至少部份該預浸潰體及電連接之導電聚 合物組件之碳纖維。 7. 如申請專利範圍第3項之轉移構件，其中該本體的碳纖 維強化之複合物材料包括至少一層的單向預浸潰體， 其具有與該本體的縱方向大體上平行排列之碳纖維， 及至少部份該單向預浸潰體及電連接之導電聚合物之 碳碳纖維。 8 .如申請專利範圍第3項之轉移構件，其中該本體的碳纖 維強化之複合物材料包括至少一層的含有碳纖維之織 物預浸潰體，及至少部份該預浸潰體及電連接之導電 聚合物組件之竣纖維。 9 .如申請專利範圍第4項之轉移構件，其中該本體的碳纖 維強化之複合物材料包括至少一層的單向預浸潰體， 其具有與該本體的縱方向大體上平行排列之碳纖維， 及至少部份該單向預浸潰體及電連接之導電聚合物之 碳^碳纖維。 1〇·如申請專利範圍第4項之轉移構件，其中該本體的碳纖 維強化之複合物材料包括至少一層的含有竣纖維之織 物預浸潰體，及至少部份該預浸潰體及電連接之導電 聚合物組件之竣纖維。 11.如申請專利範圍第1項之轉移構件，其中該導電之聚合 物組件包括一或數種的下列化合物：聚醯亞胺、環氧、

1276194 芳族聚St胺、雙馬來St亞胺、s》、吱喃、尿素、不飽 和之聚酿、環氧丙婦酸醋、g太酸二晞丙醋、乙晞基酿、 三聚氰胺、尼龍聚合物、液體芳族聚醯胺聚合物、聚 酯聚合物、液體芳族聚酯聚合物、聚丙晞聚合物、聚 醚颯聚合物、聚苯硫醚聚合物、聚醚醚酮聚合物、聚 醚酮聚合物、聚醚酮聚合物、聚砜聚合物、聚氯乙烯 聚合物、聚乙婦醇縮醛聚合物、芳族聚醯胺聚合物、 液晶聚合物、聚（對伸苯基苯並雙axa唑）或含氟聚合物。 12. 如申請專利範圍第2項之轉移構件，其中該導電之聚合 物組件包括一或數種的下列化合物：聚醯亞胺、環氧、 芳族聚醯胺、雙馬來醯亞胺、酚、呋喃、尿素、不飽 和之聚酯、環氧丙婦酸酯、g太酸二錦r丙酯、乙婦基酯、 三聚氰胺、尼龍聚合物、液體芳族聚醯胺聚合物、聚 酉旨聚合物、液體芳族聚酯聚合物、聚丙婦聚合物、聚 醚颯聚合物、聚苯硫醚聚合物、聚醚醚酮聚合物、聚 醚酮聚合物、聚醚酮聚合物、聚颯聚合物、聚氯乙烯 聚合物、聚乙綿醇縮酸聚合物、芳族聚酿胺聚合物、 液晶聚合物、聚（對伸苯基苯並雙axa唑）或含氟聚合物。 13. 如申請專利範圍第3項之轉移構件，其中該導電之聚合 物組件包括一或數種的下列化合物：聚酿亞胺、環氧、 芳族聚醯胺、雙馬來酿亞胺、齡、块喃、尿素、不飽 和之聚酯、環氧丙婦酸酯、酞酸二婦丙酯、乙婦基酯、 三聚氰胺、尼龍聚合物、液體芳族聚醯胺聚合物、聚 醋聚合物、液體芳族聚醋聚合物、聚丙婦聚合物、聚

1276194 醚碱聚合物、聚苯硫酸聚合物、聚醚酸酮聚合物、聚 醚酮聚合物、聚醚酮聚合物、聚砜聚合物、聚氯乙婦 聚合物、聚乙婦醇縮醛聚合物、芳族聚醯胺聚合物、 液晶聚合物、聚（對伸苯基苯並雙axa唑）或含氟聚合物。 14. 如申請專利範圍第4項之轉移構件，其中該導電之聚合 物組件包括一或數種的下列化合物：聚酸亞胺、環氧、 芳族聚酿胺、雙馬來酿亞胺、齡、吱喃、尿素、不飽 和之聚酯、環氧丙婦酸酯、酞酸二婦丙酯、乙晞基酯、 三聚氰胺、尼龍聚合物、液體芳族聚醯胺聚合物、聚 酯聚合物、液體芳族聚酯聚合物、聚丙婦聚合物、聚 醚颯聚合物、聚苯硫醚聚合物、聚醚醚酮聚合物、聚 醚酮聚合物、聚醚酮聚合物、聚颯聚合物、聚氯乙埽 聚合物、聚乙烯醇縮醛聚合物、芳族聚醯胺聚合物、 液晶聚合物、聚（對伸苯基苯並雙axa唑）或含氟聚合物。 15. 如申請專利範圍第5項之轉移構件，其中該導電之聚合 物組件包括一或數種的下列化合物：聚醯亞胺、環氧、 芳族聚醯胺、雙馬來醯亞胺、酚、呋喃、尿素、不飽 和之聚酯、環氧丙婦酸酯、酞酸二錦r丙酯、乙晞基酯、 三聚氰胺、尼龍聚合物、液體芳族聚醯胺聚合物、聚 酯聚合物、液體芳族聚酯聚合物、聚丙婦聚合物、聚 醚颯聚合物、聚苯硫醚聚合物、聚醚醚酮聚合物、聚 醚酮聚合物、聚醚酮聚合物、聚颯聚合物、聚氯乙烯 聚合物、聚乙締醇縮酸聚合物、芳族聚酿胺聚合物、 液晶聚合物、聚（對伸苯基苯並雙axa唑）或含氟聚合物。 1276194

16. 如申請專利範圍第6項之轉移構件，其中該導電之聚合 物組件包括一或數種的下列化合物：聚醯亞胺、環氧、 芳族聚酸胺、雙馬來61亞胺、紛、p夫喃、尿素、不飽 和之聚酯、環氧丙烯酸酯、酞酸二晞丙酯、乙晞基酯、 三聚氰胺、尼龍聚合物、液體芳族聚醯胺聚合物、聚 酯聚合物、液體芳族聚酯聚合物、聚丙晞聚合物、聚 醚颯聚合物、聚苯硫醚聚合物、聚醚醚酮聚合物、聚 醚酮聚合物、聚醚酮聚合物、聚砜聚合物、聚氯乙婦 聚合物、聚乙烯醇縮醛聚合物、芳族聚醯胺聚合物、 液晶聚合物―、聚（對伸苯基苯並雙axa唑）或含氟聚合物。 17. 如申請專利範圍第7項之轉移構件，其中該導電之聚合 物組件包括一或數種的下列化合物：聚酸亞胺、環氧、 芳族聚醯胺、雙馬來醯亞胺、酚、呋喃、尿素、不飽 和之聚S旨、環氧丙晞酸S旨、自太酸二晞丙醋、乙晞基酯、 三聚氰胺、尼龍聚合物、液體芳族聚醯胺聚合物、聚 酯聚合物、液體芳族聚酯聚合物、聚丙烯聚合物、聚 醚颯聚合物、聚苯硫醚聚合物、聚醚醚酮聚合物、聚 醚酮聚合物·、聚醚酮聚合物、聚颯聚合物、聚氯乙晞 聚合物、聚乙婦醇縮醛聚合物、芳族聚醯胺聚合物、 液晶聚合物、聚（對伸苯基苯並雙axa唑）或含氟聚合物。 18. 如申請專利範圍第8項之轉移構件，其中該導電之聚合 物組件包括一或數種的下列化合物：聚醯亞胺、環氧、 芳族聚醯胺、雙馬來醯亞胺、酚、呋喃、尿素、不飽 和之聚酯、環氧丙婦酸酯、酞酸二晞丙酯、乙婦基酯、

1276194 三聚氰胺、尼龍聚合物、液體芳族聚醯胺聚合物、聚 酯聚合物、液體芳族聚酯聚合物、聚丙埽聚合物、聚 醚颯聚合物、聚苯硫醚聚合物、聚醚醚酮聚合物、聚 醚酮聚合物、聚醚酮聚合物、聚颯聚合物、聚氯乙埽 聚合物、聚乙婦醇縮醛聚合物、芳族聚醯胺聚合物、 液晶聚合物、聚（對伸苯基苯並雙axa唑）或含氟聚合物。 19. 如申請專利範圍第9項之轉移構件，其中該導電之聚合 物組件包括一或數種的下列化合物：聚醯亞胺、環氧、 芳族聚醯胺、雙馬來醯亞胺、酚、呋喃、尿素、不飽 和之聚酯、環氧丙婦酸酯、S太酸二烯丙酯、乙婦基酯、 三聚氰胺、尼龍聚合物、液體芳族聚醯胺聚合物、聚 酯聚合物、液體芳族聚酯聚合物、聚丙晞聚合物、聚 醚砜聚合物、聚苯硫醚聚合物、聚醚醚酮聚合物、聚 醚酮聚合物、聚醚酮聚合物、聚颯聚合物、聚氯乙晞 聚合物、聚乙晞醇縮醛聚合物、芳族聚醯胺聚合物、 液晶聚合物、聚（對伸苯基苯並雙axa唑）或含氟聚合物。 20. 如申請專利範圍第1 0項之轉移構件，其中該導電之聚 合物組件包括一或數種的下列化合物：聚si亞胺、環 氧、芳族聚酿胺、雙馬來si亞胺、紛、吱喃、尿素、 不飽和之聚酯、環氧丙晞酸酯、酞酸二婦丙酯、乙烯 基酯、三聚氰胺、尼龍聚合物、液體芳族聚醯胺聚合 物、聚酯聚合物、液體芳族聚酯聚合物、聚丙婦聚合 物、聚醚颯聚合物、聚苯硫醚聚合物、聚醚醚酮聚合 物、聚醚酮聚合物、聚醚酮聚合物、聚颯聚合物、聚

1276194 氯乙晞聚合物、聚乙烯醇縮醛聚合物、芳族聚醯胺聚 合物、液晶聚合物、聚（對伸苯基苯並雙axa唑）或含氟 聚合物。 21. —種如申請專利範圍第1-20項任一項中之轉移構件之 製造方法，包括： a) 製備含有碳纖維強化之複合物材料之本體； b) 顯露該本體的碳纖維強化之複合物材料的至少 部份之碳纖維，及 c) 配置一導電之聚合物組件至該本體上以致將被 顯露之至少部份的碳纖維電連接至導電之聚合物組 件。 22. 如申請專利範圍第2 1項之製造方法，其中使用一種導 電之黏合劑將導電之聚合物組件配置在該本體上。 23. 如申請專利範圍第2 1項之製造方法，其中該配置步驟 包括：將導電之聚合物組件嵌入一個界定之孔徑中或 所形成之凹形部份中以便顯現至少部份的碳纖維。