JP2979194B2 - 真空吸着装置 - Google Patents
真空吸着装置Info
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- JP2979194B2 JP2979194B2 JP14336490A JP14336490A JP2979194B2 JP 2979194 B2 JP2979194 B2 JP 2979194B2 JP 14336490 A JP14336490 A JP 14336490A JP 14336490 A JP14336490 A JP 14336490A JP 2979194 B2 JP2979194 B2 JP 2979194B2
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
- B28D5/0094—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work the supporting or holding device being of the vacuum type
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23D—PLANING; SLOTTING; SHEARING; BROACHING; SAWING; FILING; SCRAPING; LIKE OPERATIONS FOR WORKING METAL BY REMOVING MATERIAL, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23D59/00—Accessories specially designed for sawing machines or sawing devices
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウエハやガラス基板などを吸着して
固定するための真空吸着装置に関するものである。
固定するための真空吸着装置に関するものである。
従来より、例えば半導体装置の製造工程において、半
導体ウエハを吸着固定し、研磨や切断を行うために真空
吸着装置が用いられている。
導体ウエハを吸着固定し、研磨や切断を行うために真空
吸着装置が用いられている。
このような真空吸着装置としては、吸着面に開口した
複数の貫通孔を有するものがあったが、貫通孔部分のみ
で吸着するため、吸着が不均一となり、被吸着物にソリ
が生じやすいなどの問題点があった。そこで、より均一
な吸着を行うために、吸着面を多孔質体で形成した真空
吸着装置が用いられていた。
複数の貫通孔を有するものがあったが、貫通孔部分のみ
で吸着するため、吸着が不均一となり、被吸着物にソリ
が生じやすいなどの問題点があった。そこで、より均一
な吸着を行うために、吸着面を多孔質体で形成した真空
吸着装置が用いられていた。
例えば、第３図に示すように、基体13に多孔質板12を
固着して吸着面12aを形成し、吸引孔13aより真空吸引す
ることによって、上記吸着面12aに半導体ウエハＷを吸
着固定するようになっていた。
固着して吸着面12aを形成し、吸引孔13aより真空吸引す
ることによって、上記吸着面12aに半導体ウエハＷを吸
着固定するようになっていた。
また、上記多孔質板12として、金属焼結体からなるも
のは、バリ、カエリ、サビが発生しやすく耐摩耗性が小
さいことから寿命が短く、優れた平坦度を維持できな
い、などの欠点があった。そこで、上記多孔質板12とし
て、多孔質セラミックスを用いることが行われていた
（特開昭59−124536号、62−53774号、63−169243号公
報参照）。
のは、バリ、カエリ、サビが発生しやすく耐摩耗性が小
さいことから寿命が短く、優れた平坦度を維持できな
い、などの欠点があった。そこで、上記多孔質板12とし
て、多孔質セラミックスを用いることが行われていた
（特開昭59−124536号、62−53774号、63−169243号公
報参照）。
〔従来技術の課題〕 ところが、このような多孔質板12として多孔質セラミ
ックスを用いた真空吸着装置11は、吸着面12aが絶縁性
のセラミックスからなり、導電性がないため加工中に半
導体ウエハＷに発生した静電気が逃げずにたまりやす
く、この静電気が発散する際に半導体ウエハＷ上の回路
を破壊してしまうという問題点があった。
ックスを用いた真空吸着装置11は、吸着面12aが絶縁性
のセラミックスからなり、導電性がないため加工中に半
導体ウエハＷに発生した静電気が逃げずにたまりやす
く、この静電気が発散する際に半導体ウエハＷ上の回路
を破壊してしまうという問題点があった。
また、上記真空吸着装置11上に半導体ウエハＷを載置
して切断を行う際に、カッターが切断完了して吸着面12
aに接触することを検知できず、吸着面12aを切り込んで
しまうという不都合があった。
して切断を行う際に、カッターが切断完了して吸着面12
aに接触することを検知できず、吸着面12aを切り込んで
しまうという不都合があった。
そこで、本発明は上記課題に鑑み、真空吸着装置の吸
着面を含む部位を多孔質セラミックスにより形成し、該
多孔質セラミックスの表面に導電膜を付着させて導電性
を付与したものである。
着面を含む部位を多孔質セラミックスにより形成し、該
多孔質セラミックスの表面に導電膜を付着させて導電性
を付与したものである。
本発明によれば、吸着面を含む部位が導電性を有する
ことから、半導体ウエハに発生した静電気を逃がすこと
ができる。
ことから、半導体ウエハに発生した静電気を逃がすこと
ができる。
また、吸着固定した半導体ウエハを切断する際に、カ
ッターと吸着面との電気的導通を検知することによっ
て、切断完了に伴うカッターと吸着面の接触を容易に検
出することができる。
ッターと吸着面との電気的導通を検知することによっ
て、切断完了に伴うカッターと吸着面の接触を容易に検
出することができる。
さらに、吸着面を含む部位がセラミックスからなるた
め、優れた平坦性、耐摩耗性、耐蝕性を有している。
め、優れた平坦性、耐摩耗性、耐蝕性を有している。
以下、本発明の実施例を図をもって説明する。
第１図、第２図に示す真空吸着装置１は、基体３に多
孔質板２を固着して吸着面2aを形成し、吸引孔3aより真
空吸引することによって、上記吸着面2aに半導体ウエハ
Ｗなどの被吸着物を吸着固定するようになっている。
孔質板２を固着して吸着面2aを形成し、吸引孔3aより真
空吸引することによって、上記吸着面2aに半導体ウエハ
Ｗなどの被吸着物を吸着固定するようになっている。
また、上記多孔質板２は、表面に金属メッキなどを施
して導電膜とした多孔質セラミックスからなっている。
その為、吸着面2aは導電性を有し、第１図に示すよう
に、上記多孔質板２をアース４に接続しておけば、半導
体ウエハＷに発生する静電気を逃がすことができる。ま
た、第２図に示すように真空吸着装置１上に吸着した半
導体ウエハＷを切断する際に、カッター６と多孔質板２
との電気的導通を検知器５で検出するようにしておけ
ば、切断完了して、カッター６が吸着面2aに接触したこ
とを容易に検知でき、吸着面2aへのカッター６の切り込
みを防止できる。
して導電膜とした多孔質セラミックスからなっている。
その為、吸着面2aは導電性を有し、第１図に示すよう
に、上記多孔質板２をアース４に接続しておけば、半導
体ウエハＷに発生する静電気を逃がすことができる。ま
た、第２図に示すように真空吸着装置１上に吸着した半
導体ウエハＷを切断する際に、カッター６と多孔質板２
との電気的導通を検知器５で検出するようにしておけ
ば、切断完了して、カッター６が吸着面2aに接触したこ
とを容易に検知でき、吸着面2aへのカッター６の切り込
みを防止できる。
なお、上記基体３は、金属又は緻密質セラミックスか
らなり、この基体３と多孔質板２はガラス、接着剤など
によって固着してある。
らなり、この基体３と多孔質板２はガラス、接着剤など
によって固着してある。
次に、上記多孔質板２として、表面に金属メッキを施
して導電膜とした多孔質セラミックスからなるものにつ
いて説明する。
して導電膜とした多孔質セラミックスからなるものにつ
いて説明する。
まず、アルミナ、ジルコニア等のセラミック原料に所
定の焼結助剤などを添加し、バインダーや焼結条件を調
整したり、あるいは焼成時に焼失する物質を混入してお
くことによって、気孔率30〜40％、平均細孔径５〜500
μｍ程度の多孔質セラミックス板を製造する。この多孔
質セラミックス板の全表面に無電解メッキを施して、N
i、Cuなどの金属メッキ層を形成するが、該金属メッキ
層は多孔質セラミックス板の全ての開気孔中にも形成さ
れる。また、上記Ni、Cuなどの金属メッキ層は体積固有
抵抗値が10-5〜10-6Ω・cmと極めて低く、従ってこの多
孔質セラミックス板の表面は優れた導電性をもつことに
なる。
定の焼結助剤などを添加し、バインダーや焼結条件を調
整したり、あるいは焼成時に焼失する物質を混入してお
くことによって、気孔率30〜40％、平均細孔径５〜500
μｍ程度の多孔質セラミックス板を製造する。この多孔
質セラミックス板の全表面に無電解メッキを施して、N
i、Cuなどの金属メッキ層を形成するが、該金属メッキ
層は多孔質セラミックス板の全ての開気孔中にも形成さ
れる。また、上記Ni、Cuなどの金属メッキ層は体積固有
抵抗値が10-5〜10-6Ω・cmと極めて低く、従ってこの多
孔質セラミックス板の表面は優れた導電性をもつことに
なる。
この後、上記多孔質セラミックス板の上面を研摩し
て、平坦度の優れた吸着面2aを形成する。この時、吸着
面2aにはセラミックスが露出するため、被吸着物をセラ
ミックス部分で支持することから、優れた平坦性、耐摩
耗性を有する。
て、平坦度の優れた吸着面2aを形成する。この時、吸着
面2aにはセラミックスが露出するため、被吸着物をセラ
ミックス部分で支持することから、優れた平坦性、耐摩
耗性を有する。
また、吸着面2aの開気孔部分では金属メッキ層が露出
することから、この金属メッキ層によって、吸着面2aは
導電性を有することになる。
することから、この金属メッキ層によって、吸着面2aは
導電性を有することになる。
なお、上記金属メッキ層となる金属の種類はNi、Cuな
どを用いるが、耐蝕性、密着強度などの点からNiが最も
優れていた。また、金属メッキ層の厚みは、0.5μｍ以
上であれば吸着面2aに導電性を持たせることができる。
ただし、金属メッキ層の厚みが大きいと、多孔質板２の
細孔径を小さくしてしまうため、厚みは１μｍ程度のも
のが最も優れていた。
どを用いるが、耐蝕性、密着強度などの点からNiが最も
優れていた。また、金属メッキ層の厚みは、0.5μｍ以
上であれば吸着面2aに導電性を持たせることができる。
ただし、金属メッキ層の厚みが大きいと、多孔質板２の
細孔径を小さくしてしまうため、厚みは１μｍ程度のも
のが最も優れていた。
また、上記実施例では導電膜として金属メッキを施し
たもののみを示したが、この他に、CVD法などによりTi
C、TiNなどの導電性薄膜を形成したものでもよい。
たもののみを示したが、この他に、CVD法などによりTi
C、TiNなどの導電性薄膜を形成したものでもよい。
さらに、上記多孔質セラミックス板の気孔率が30％よ
り低いと吸着力が弱くなり、逆に気孔率が40％より高い
と、吸着面の平坦性が悪くなってしまうため、真空吸着
装置として用いるためには、気孔率30〜40％のものが優
れていた。
り低いと吸着力が弱くなり、逆に気孔率が40％より高い
と、吸着面の平坦性が悪くなってしまうため、真空吸着
装置として用いるためには、気孔率30〜40％のものが優
れていた。
そこで、第１表に示すさまざまな多孔質セラミックス
を用いて多孔質板２を形成した。いずれも多孔質板２の
大きさは、直径150mm、厚さ10mmとし、吸着面の中央部
と端面間の電気抵抗値を測定した。
を用いて多孔質板２を形成した。いずれも多孔質板２の
大きさは、直径150mm、厚さ10mmとし、吸着面の中央部
と端面間の電気抵抗値を測定した。
この結果、第１表に示すように本発明実施例のもの
は、いずれも電気抵抗値が低く、優れた導電性を有して
いることが判る。
は、いずれも電気抵抗値が低く、優れた導電性を有して
いることが判る。
〔発明の効果〕 以上のように、本発明によれば、真空吸着装置の吸着
面を含む部位を多孔質セラミックスにより形成し、該多
孔質セラミックスの表面に導電膜を付着させて導電性を
付与したことによって、吸着面が導電性を有するため、
被吸着物の静電気を逃がすことができ、また、吸着面上
で切断を行う際にカッターと吸着面の接触を容易に検出
できることから、カッターによる吸着面への切り込みを
防止できる。さらに、吸着面がセラミックスからなるた
め、耐蝕性、耐摩耗性、平坦性に優れているなど、さま
ざまな特長をもった真空吸着装置を提供できる。
面を含む部位を多孔質セラミックスにより形成し、該多
孔質セラミックスの表面に導電膜を付着させて導電性を
付与したことによって、吸着面が導電性を有するため、
被吸着物の静電気を逃がすことができ、また、吸着面上
で切断を行う際にカッターと吸着面の接触を容易に検出
できることから、カッターによる吸着面への切り込みを
防止できる。さらに、吸着面がセラミックスからなるた
め、耐蝕性、耐摩耗性、平坦性に優れているなど、さま
ざまな特長をもった真空吸着装置を提供できる。
第１図、第２図はそれぞれ本発明実施例に係る真空吸着
装置を示す断面図である。 第３図は従来の真空吸着装置を示す断面図である。 1:真空吸着装置 2:多孔質板、2a:吸着面 3:基体、3a:吸引孔
装置を示す断面図である。 第３図は従来の真空吸着装置を示す断面図である。 1:真空吸着装置 2:多孔質板、2a:吸着面 3:基体、3a:吸引孔
Claims (1)
- 【請求項１】吸着面を含む部位が多孔質セラミックスよ
りなり、該多孔質セラミックスの表面に導電膜を付着さ
せて導電性を付与してなる真空吸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14336490A JP2979194B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 真空吸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14336490A JP2979194B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 真空吸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0435827A JPH0435827A (ja) | 1992-02-06 |
| JP2979194B2 true JP2979194B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=15337070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14336490A Expired - Lifetime JP2979194B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 真空吸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2979194B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006086389A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Taiheiyo Cement Corp | 真空吸着用治具 |
| JP2014090105A (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工装置 |
| JP2015018974A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | 東京応化工業株式会社 | 支持体分離装置 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0521584A (ja) * | 1991-07-16 | 1993-01-29 | Nikon Corp | 保持装置 |
| JP3073640B2 (ja) * | 1993-11-17 | 2000-08-07 | シーケーディ株式会社 | 真空チャックの吸着板 |
| US6089801A (en) * | 1998-07-01 | 2000-07-18 | Thermwood Corporation | Machine tool with improved workpiece holddown system |
| JP2003086667A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-20 | Takatori Corp | 薄厚ウェーハ用カセット及び吸着ハンド |
| AU2002360823A1 (en) * | 2001-12-03 | 2003-06-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transfer member with electric conductivity and its manufacturing method |
| JP2004306191A (ja) | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Seiko Epson Corp | テーブル装置、成膜装置、光学素子、半導体素子及び電子機器 |
| JP2008198709A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | 洗浄装置及び保持テーブル |
| JP5145857B2 (ja) * | 2007-10-18 | 2013-02-20 | 株式会社デンソー | ウェハの製造方法 |
| JP2011014783A (ja) * | 2009-07-03 | 2011-01-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置のチャックテーブル |
| JP5888051B2 (ja) | 2012-03-27 | 2016-03-16 | 三菱電機株式会社 | ウエハ吸着方法、ウエハ吸着ステージ、ウエハ吸着システム |
| CN105382079B (zh) * | 2015-12-10 | 2017-04-12 | 成都柔电云科科技有限公司 | 一种带状金属层薄膜冲切装置及其方法 |
| JP2018029152A (ja) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | 株式会社ディスコ | 保持テーブル |
-
1990
- 1990-05-31 JP JP14336490A patent/JP2979194B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006086389A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Taiheiyo Cement Corp | 真空吸着用治具 |
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| JP2015018974A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | 東京応化工業株式会社 | 支持体分離装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0435827A (ja) | 1992-02-06 |
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Legal Events
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