TWI272676B - Semiconductor and manufacturing method thereof - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 168
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 153
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 67
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 63
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims abstract description 38
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- BCZWPKDRLPGFFZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynecerium Chemical compound [Ce]#N BCZWPKDRLPGFFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 claims 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000006902 nitrogenation reaction Methods 0.000 claims 1
- 210000000496 pancreas Anatomy 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 abstract description 13
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 33
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 18
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 16
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 13
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 12
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PLZVEHJLHYMBBY-UHFFFAOYSA-N Tetradecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCN PLZVEHJLHYMBBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- -1 tantalum ruthenium hydride Chemical compound 0.000 description 1
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- GIRKRMUMWJFNRI-UHFFFAOYSA-N tris(dimethylamino)silicon Chemical compound CN(C)[Si](N(C)C)N(C)C GIRKRMUMWJFNRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02321—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer
- H01L21/02329—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer introduction of nitrogen
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/02181—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing hafnium, e.g. HfO2
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1272676 九、發明說明: 相關申請案之交又參考 本申請案係依據35 USC 119下2004年11月1曰申請之曰 本專利特許申請案第2004-317773號且主張其優先權者, 可芩照上述日本專利特許申請之所有内容納編入本申請中 (其全部内容以引用的方式併入本文中)。 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種半導體裝置及其製造方法。 Φ 【先前技術】 近幾年來,因伴隨MOSFET(metal 〇xide semiconductor FET,金氧半場效電晶體)之微細化,閘極絕緣膜之膜厚變 薄,故而產生有閘極洩漏電流增大之問題。因此,為抑制 閘極洩漏電流,業者提出使用相對介電常數高於二氧化矽 ,(Si〇2)膜之高介電常數膜作為閘極絕緣膜。至於該高介電 常數膜,可列舉例如氮氧矽铪(HfSi〇N)膜等。 该氮氧矽給(HfSiON)膜係於例如半導體基板上形成矽酸 春銓(HfSl〇x)膜之後,藉由導入氮(N)至該矽酸铪(HfSi〇x)膜 實行氮化而得以形成。 然而,氮氧矽銓(HfSiONx)膜因各原子間之結合力較 弱,故而倘若導入氮(N),則用以結合各原子之結合鍵會 被切斷,因此會形成有多個裂口(小孔)。 • 倘若使氮氧矽铪(HfSi0N)膜暴露於氧化性氣體氣氛或大 氣中’則藉由將給(Hf)作為觸媒,使空氣中之氧(〇2)等活 性化,從而生成氧自由基,並且該氧自由基容易侵入氮氧 99952.doc 1272676 矽铪(HfSiON)膜或半導體基板。 其結果是,於氮氧矽铪(HGi0N)膜與半導體基板之間, 形成低介電常數之界面絕緣膜,藉此會產生閘極絕緣膜之 實效介電常數降低或者膜厚增加之情形。 進而,由於氮氧矽铪(HfSiON)膜中之氮(N)置換為氧 (〇),因此氮(N)自該氮氧矽铪(HfSiON)膜脫離。 藉此,因氮氧矽銓(HfSiON)膜被分離為二氧化矽(si〇2) 以及二氧化铪(Hf〇2)之同時,由於此等產生結晶化,故而 财熱性會降低。又,作為摻雜劑之硼,此時容易自閘電極 穿透氮氧矽铪(HfSiON)膜並且擴散至半導體基板。進而, 較易產生絕緣破壞,因此閘極絕緣膜之壽命會縮短。 此等會導致產生閘極臨界值電壓之變動或電晶體特性變 動之問題。 以下’揭示有關於形成高介電常數之閘極絕緣膜之方法 的文獻名。 曰本專利特開2004-71696號公報 【發明内容】 本發明之一種態樣之半導體裝置的製造方法,其含有 自搬送室搬送半導體基板至成膜室之步驟, 於上述成膜室中,於上述半導體基板之表面上,形成至 少含有金屬與氧之第一絕緣膜之步驟, 自上述成膜室經由上述搬送室搬送上述半導體基板至氮 化處理室之步驟, 於上述氮化處理室中,導入氮至上述第一絕緣膜實行氮 99952.doc 1272676 化處理,藉此形成至少含有金屬、氧以及氮之第二絕緣膜 之步驟, 自上述氮化處理室經由上述搬送室搬送上述半導體基板 至熱處理室之步驟, 於上述熱處理室中,對上述第二絕緣膜實行特定熱處理 之步驟,以及 自上述熱處理室搬送上述半導體基板至上述搬送室之步 驟’並且 /至少於實行自上述氮化處理室經由上述搬送室搬送上述 半‘體基板至上述熱處理室之步驟時,設定上述搬送室為 大、、、勺10 Ton*之減壓氣氛、或惰性氣體之氣氛氣體、或氮 氣氣氛。 又,本發明之一種態樣之半導體裝置的製造方法,直 含有 使收、内有半‘體基板之搬送盒移至成膜室並且加以連结 之步驟, 、 自上述搬送盒搬送上述半導體基板至上 驟, y 於上述成膜室中,於上述半導體基板之表面上,形成至 少含有金屬與氧之第一絕緣膜之步驟, 《冑至搬送上述半導體基板纟上述搬送盒之步 驟, 、,使收納有上述半導體基板之上述搬送盒移至氮化處理室 亚且加以連結之步驟, 99952.doc 1272676 述搬送1搬送上述半導體基板至上述氮化處理室 步驟, 於上述氮化處理室中,導人氮至上述卜絕緣膜實行氮 把里#此形成至少含有金屬、氧以及氮之第二絕緣膜 之步驟, 、 自上述氮化處ί里室搬送上述半導體基板至上述搬送 步驟, 使收納有上述半導體基板之上述搬送盒移至熱處理室並 且加以連結之步驟, 自上述搬送盒搬送上述半導體基板至上述熱處理室之步 驟, 於上述熱處理室中,對上述第二絕緣膜實行特定之熱處 理之步驟,以及 自上述熱處理室搬送上述半導體基板至上述搬送盒之步 驟’並且 至少於實打自上述氮化處理室搬送上述半導體基板至上 述搬送盒之步‘驟、使收納有上述半導體基板之上述搬送移 至上述熱處理室並且加以連結之步驟及自ί述搬送盒搬送 上述半導體基板至上述熱處理室之步驟時,使上述搬送盒 成為大約ΙΟ.3 Ton:之減壓氣氛、惰性氣體氣氛氣體、或氮 氣氣氛。 又,本發明之一種態樣之半導體裝置,其含有: 選擇性地形成於半導體基板之特定區域上之閘極絕緣 膜; 99952.doc 1272676 形成於上述閘極絕緣膜上之閘電極,·及 於上述半導體基板之表面部分,分別形成於位於上述閘 電極下方之通道區域兩側的源極區域以及汲極區域; 於上述閘極絕緣膜之與上述閘電極相接觸之界面部分的 石反濃度為5 X 1 〇22 atoms/cm3以下。 【實施方式】 以下’參照圖式就本發明之實施例加以說明。 (1)第一實施例 於圖1中表示本發明之第一實施例之閘極絕緣膜/閘電極 形成裝置10的構造。於此閘極絕緣膜/閘電極形成裝置i 〇 之中間部附近,配置有形成大致八角形形狀的搬送室2〇, 於該搬送室20之周圍,配置有搬入室3〇、搬出室4〇、成膜 室50、氮化處理室60、熱處理室70以及閘極絕緣膜/閘電 極形成室80。 搬入室30係用以將半導體基板自外部搬入至閘極絕緣膜 /閘電極形成裝置10之搬送室20者,搬出室4〇係用以將半 導體基板自閘極絕緣膜/閘電極形成裝置1〇之搬送室2〇搬 出至外部者。 於搬送至20之中央附近,配置有例如包含臂之搬送機 構90,該搬送機構90進行各室3〇至8〇間之半導體基板之搬 送。又,於搬送室20中,設置有未圖示之排氣機構,可將 搬送室默内部調整為所需之屢力,進而於搬送室⑼連接 有未圖示之氣體供給源,其可提供所需之氣體。 因此,藉由使搬送室2G成為例如大約1().3 τ⑽之減壓氣 99952.doc -10· 1272676 氛、氬等惰性氣體氣氛或氮氣氣氛,無需暴露於氧化性氣 風或大氣中,便可將半導體基板搬送至所需之室3〇至80。 成膜室50係用以於半導體基板上形成石夕酸銓⑽⑽ο膜 ^。氮化處理室60藉由導入l(N)至石夕酸給(Hfsi〇x)膜實行 氮化’從而形成氮化矽酸銓(HfSi〇N)膜。 —熱處理室70制以對於何體基板上所形成之膜實行特 疋之熱處理(退火)者。閘極絕緣膜/閘電極形成室8〇係於半 &體基板上所形成之氮化矽酸铪(HfSi〇N)膜上沉積閘電極 材料並且成膜。 再者,於各室30至80中,與搬送室2〇同樣地,分別設置 有未圖不之排氣機構以及氣體供給源,藉此,閘極絕緣膜 /閘電極形成裝置1〇之各室20至30,可分別形成獨立之氣 氛。 此處,於圖2至圖6中表示使用本實施例之閘極絕緣膜/ 閘電極形成裝置1 〇形成閘極絕緣膜以及閘電極之方法。首 先,如圖2所示,於半導體基板1〇〇上形成元件分離絕緣膜 110A以及110B之後,使用稀氫氟酸加以洗淨,藉此去除 於半導體基板100上所形成之自然氧化膜。 並且’倘若將上述去除自然氧化膜後之半導體基板1〇〇 放置於閘極絕緣膜/閘電極形成裝置1〇之搬入室3〇,則搬 送室20之搬送機構90自搬入室3〇取出半導體基板1〇〇。此 時’藉由未圖示之排氣機構,使搬送室20成為例如大約 10 Torr之減壓氣氣。再者,於此情形時,亦可藉由自未 圖示之氣體供給源供給氬等惰性氣體或氮至搬送室2〇,使 99952.doc -11 - 1272676 該搬运室20成為惰性氣體氣氛或氮氣氣氛。 繼而’搬送機構90將此半導體基板100搬入至成膜室 50 °如圖3所示,藉由導入例如四二乙基胺铪(Tdeah)、 四二甲基胺石夕(TDMAS)以及氧至上述成膜室50中,使用 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,金屬 有機化學氣相沉積)法,成膜室5〇於半導體基板l〇〇之基板 表面上’形成膜厚約為5 nm之矽酸铪120。再 者’於此情形時,亦可採用濺鍍法、ALD(Atomic Layer Deposition ’原子層沉積)法等代替mocvd法,形成矽酸 铪(HfSiOx)膜 120。 繼而,搬送機構90自成膜室50取出半導體基板1〇〇之 後,將該半導體基板100搬入至熱處理室70。熱處理室7〇 於例如600〜800 c之氧化性氣體氣氛下,對矽酸铪(Hfsi〇x) 膜120貫行熱處理,藉此提昇該矽酸铪(Hfsi〇x)膜12〇之膜 質。另,亦可不實行上述熱處理。 繼而,搬送機構90自熱處理室70取出半導體基板1〇〇之 後,將該半導體基板1〇〇搬入至氮化處理室6〇。氮化處理 室60使用含氮之電漿,導入1〇〜25以%之氮至矽酸铪 (HfSiOx)膜120實行氮化,藉此形成氮氧矽铪(Hfsi〇N)膜 120。另,at%表示原子組成比。 再者,雖然於此情形時使用含有氮之電漿而導入氮,但 是亦可藉由使用含有氮之氣體實行熱處理,導入氮至矽酸 铪(HfSiOx)膜 120。 繼而,搬送機構90自氮化處理室6〇取出半導體基板1〇〇 99952.doc -12- 1272676 之後,將該半導體基板100搬入至熱處理室70。 然而,矽酸铪(HfSiOx)膜120各原子間之結合力較弱,倘 若導入氮(N),則用以結合各原子之結合鍵被切斷,因此 會形成多個裂口。 因此’熱處理室70對半導體基板100於例如800〜l〇〇〇°c 之氮氣氣氛中實行熱處理,藉此修復於氮氧矽铪(Hfsi0N) 膜120所形成之多個裂口。 再者,倘若使形成有多個裂口之氮氧矽銓(HfSiON)膜 120暴露於氧化性氣體氣氛或大氣中,以铪作為觸媒 產生活性化之氧自由基會侵入氮氧>5夕給(HfSiON)膜或半導 體基板’因此會引起電晶體特性之劣化。 然而’如本實施例所示,倘若將搬送室2〇設定為大約 10 Torr之減壓氣氛、或者惰性氣體氣氛、或者氮氣氣 氛’則可防止當搬送室20之搬送機構9〇自氮化處理室6〇搬 送半導體基板100至熱處理室70之時,將半導體基板1〇〇暴 露於氧化性氣體氣氛或大氣中。 藉此,可抑制電晶體特性之劣化或變動,從而可提高良 率〇 再者,為抑制電晶體特性之劣化,亦可至少至自氮化處 理室60搬送半導體基板100至熱處理室7〇為止,將搬送室 20設定為大約1()·3 了㈣之減壓氣氛、或者惰性氣體氣氛、 或者氮氣氣氛。 繼而,搬送機構9〇自熱處理室7〇取出半導體基板1〇〇之 後將β亥半^體基板1 〇 〇搬入至閘極絕緣膜/閘電極形成室 99952.doc •13- 1272676 80。如圖4所示,閘極絕緣膜/閘電極形成室8〇加熱半導體 基板100至700°c左右,使用單矽烷(SiH4)氣體,於氮氧矽 給(HfSiON)膜120上形成膜厚約為150 nm之多晶矽膜13〇。 再者’作為閘電極材,並非僅限定於多晶石夕,亦可使用例 如非晶矽、矽鍺以及金屬等。 繼而’倘若搬送機構90自閘極絕緣膜/閘電極形成室8〇 取出半導體基板100,並且將其放置於搬出室4〇,則半導 體裝置100被取出至閘極絕緣膜/閘電極形成裝置1 〇之外 部,實行圖案化。 如圖5所示’藉由實行光微影製程、RIE(Reactive
Etching ’反應性離子蝕刻)製程等,形成含有氮氧矽铪 (HfSiON)膜之閘極絕緣膜14〇以及含有多晶矽膜之閘電極 150 〇 如圖6所示,於閘電極15〇以及半導體基板1〇〇表面實行 摻雜劑之離子注入之後,實行熱處理,藉此形成源極區域 160A以及汲極區域ΜΟΒ。 藉由以上方法所製造iM〇SF]ET2〇〇如圖6所示,於半導 體基板100之表面部分形成有用以實行元件分離之元件分 離絶緣膜110 A以及11 〇B,於藉由該元件分離絕緣膜丨丨〇 a 以及110B分離之疋件區域之中央部分附近,經由包含於半 導體基板100表面上所形成之氮氧矽铪旧巧⑴…膜之閘極 絕緣膜140,形成有含有多晶矽膜之閘電極15〇。 再者,於此情形時,於閘極絕緣膜14〇之與閘電極15〇相 接觸之界面部分的碳濃度為5χ1〇22 at〇ms/cm3以下。 99952.doc -14- 1272676 如此,於自氮化處理室60搬送半導體基板1〇〇至熱處理 室:0時二搬送室2〇設定為約1〇.3 T〇rr之減壓氣氛、或惰 性氣體氣氛、或氮氣氣氛之情形時,與將半導體基板1〇〇 暴露於大氣中之情形相比較,可抑制自潔淨室内之物質所 排出之浮游有機物的附著,從而可抑制於閘極絕緣膜14〇 之與閘電極150相接觸之界面部分的碳濃度。 藉此,可抑制閘極絕緣膜140實行絕緣破壞,從而可提 昇該閘極絕緣膜14〇之可靠性。 特別是,於65 nm世代以後之裝置中,因由界面部分之 碳所導致的絕緣破壞等不良影響較大,故而藉由應用本實 施例’可進一步提昇裝置之可靠性。 又,位於閘電極150之下方並且於半導體基板1〇〇之表面 附近’形成有通道區域丨7〇。 於此通道區域170與元件分離絕緣膜u〇A之間,形成有 源極區域160A,並且於通道區域17〇與元件分離絕緣膜 110B之間,形成有汲極區域16〇b。 此處,圖7表示將半導體基板1〇〇自氮化處理室6〇搬送至 熱處理室70時,於未將半導體基板100暴露於氧化性氣體 氣氛或大氣中之本實施例之情形,與將半導體基板100暴 路於氧化性氣體氣氛或大氣中之比較例之情形時,藉由切 取該半導體基板100,所製造之各MOSFET之閘極臨界值 電壓的分佈。 如圖7所示,將半導體基板1〇〇自氮化處理室⑽搬送至熱 處理室70時,於將半導體基板1〇〇暴露於氧化性氣體氣氛 99952.doc -15- 1272676 或大氣中之比較例之情形時,由該半導體基板100所製造 之各MOSFET之閘極臨界值電壓於_0·62 V〜_〇·54 V左右之 範圍内,變動相當大,故而良率較低。 相對於此’將半導體基板1〇〇自氮化處理室6〇搬送至熱 處理室70時,於未將半導體基板1〇〇暴露於氧化性氣體氣 氛或大氣中之本實施例之情形時,與比較例之情形相比可 大幅抑制臨界值電壓之變動,從而可大幅提高良率。 又’圖8表示將半導體基板100自氮化處理室60搬送至熱 處理室70時,於未將半導體基板ι〇〇暴露於氧化性氣體氣 氛或大氣中之本實施例之情形,以及將半導體基板1〇〇暴 路於氧化性氣體氣氛或大氣中之比較例之情形時,藉由自 該半導體基板100被切取所製造之各m〇sfet之經時絕緣 破壞(TDDB)特性。 於此情形時,自半導體基板1〇〇向閘極絕緣膜14〇注入電 子,對閘極絕緣膜140施加12 MV/cm之應力電場後,測定 各MOSFET實行絕緣破壞之時間。再者,橫軸表示各 MOSFET實行絕緣破壞之絕緣破壞時間,縱軸表示威布爾 函數(即絕緣破壞概率)。 如圖8所示,將半導體基板1〇〇自氮化處理室6〇搬送至熱 處理室70時,於將半導體基板i〇〇暴露於氧化性氣體氣氛 或大氣中之比較例之情形時,自該半導體基板1〇〇所製造 之各MOSFET之中,絕緣破壞時間較短者較多,故而閘極 絕緣膜140之壽命較短。又,於絕緣破壞時間變動較大, 電晶體之可靠性較低。 99952.doc -16- 1272676 相對於此’將半導體基板100自氮化處理室6〇搬送至熱 處理室70時,於未將半導體基板100暴露於氧化性氣體氣 氛或大氣中之本實施例之情形時,與比較例之情形相比, 絕緣破壞時間較長者較多,故而閘極絕緣膜140之壽命較 長。又,因與比較例之情形相比,絕緣破壞時間之變動較 小’故而可提昇電晶體之可靠性。 (2)第二實施例 圖9表示本發明之第二實施例之閘極絕緣膜/閘電極形成 裝置300的構造。於該閘極絕緣膜/閘電極形成裝置3〇〇 中,成膜室310、氮化處理室320、熱處理室33〇以及閘極 絕緣膜/閘電極形成室34〇分別配置於特定位置,並且於各 室310至340分別連接有搬送室350至3 80。 於各搬送室350至380中,分別設置有例如包含臂狀物之 搬送機構390至420,搬送機構390至420於各室31〇至34〇之 間進行半導體基板100之交接。 又,於各搬送室350至380中分別設置有未圖示之排氣機 構,可將各搬送室35〇至38〇之内部調整為所需之壓力,進 而各搬送室350至380連接有未圖示之氣體供給源,可提供 所需之氣體。 因此’藉由將各搬送室350至380設定為例如約1〇-3 T〇rr 之減壓氣氛、或氬等惰性氣體氣氛、或氮氣氣氛,可以未 暴露於氧化性氣體氣氛或大氣中之方式,於各室31〇至34〇 之間’交接半導體基板100。 搬送盒430為用以將半導體基板1〇〇搬送至搬送室35〇至 99952.doc -17- 1272676 380中所需之搬送室者。於該搬送盒43〇中,與搬送室35〇 同樣地β又置有未圖示之排氣機構,可將搬送盒〇之 内°卩凋正為所需之壓力,進而於搬送盒43〇連接有未圖示 之氣體供給源,其提供所需之氣體。 因此藉由將搬送盒430設定為例如約T〇rr之減麼氣 氛、或氬等惰性氣體氣氛、或氮氣氣氛,可以未將半導體 基板100暴露於氧化性氣體氣氛或大氣中之方式,搬送至 所需之搬送室350至380。 於此,使用本實施例之閘極絕緣膜/閘電極形成裝置 3〇〇,芩照於說明第一實施例時所使用之圖2至圖6,就形 成閘極絕緣膜以及閘電極之方法加以說明。再者,於各室 310至340所實行之處理,與於第一實施例之閘極絕緣膜/ 間電極形成裝置10之中,相對應之各室5〇至8〇所實行之處 理相同。 首先,形成元件分離絕緣膜ll〇A以及11〇B,將去除自 然氧化膜後之半導體基板100收納於搬送盒43〇之後,將該 搬送盒430移至搬送室350並且加以連結。 搬送室350之搬送機構390,自搬送盒430中取出半導體 基板100 ’並且將該半導體基板1〇〇搬入成膜室31〇。如圖3 所示,成膜室310使用例如MOCVD法,於半導體基板1〇〇 之基板表面上形成石夕酸铪(HfSiOx)膜120。 搬送機構390自成膜室310取出半導體基板ι〇〇之後,將 該半導體基板100收納於搬送盒430。繼而,使搬送盒43〇 移至搬送室370並且加以連結。 99952.doc •18- 1272676 搬送室370之搬送機構410,自搬送盒430取出半導體基 板100,並且將該半導體基板100搬入熱處理室330。熱處 理室330,對矽酸铪(HfSiOx)膜120實行熱處理,藉此提昇 該矽酸铪(HfSiOx)膜120之膜質。另,亦可不實行上述熱處 理。 搬送機構410自熱處理室330取出半導體基板1〇〇之後, 將該半導體基板100收納於搬送盒430。繼而,使搬送盒 430移至搬送室360並且加以連結。 • 搬送室360之搬送機構400自搬送盒430取出半導體基板 100’並且將該半導體基板1〇〇搬入氮化處理室320。氮化 處理室320導入氮至矽酸铪(HfSiOx)膜120並且實行氮化, 藉此形成氮氧矽姶(HfSiON)膜120。 搬送機構400自氮化處理室320取出半導體基板100之 後’將該半導體基板100收納於搬送盒43 〇。繼而,使搬送 盒430移至搬送室370並且加以連結。搬送室37〇之搬送機 構410自搬送盒430取出半導體基板10〇,並且將該半導體 ®基板1GG搬人熱處理室330。 於此情形時’倘若如本實施例所示,設定搬送盒43 〇、 搬送室360以及370為約i〇_3 Torr之減壓氣氛、或惰性氣體 氣氛、或氮氣氣氛’則可防止自氮化處理室320搬送半導 — 體基板1〇0至熱處理室330時,將半導體基板100暴露於氧 . 化性氣體氣氛或大氣中。 藉此,可抑制電晶體特性之劣化或變動,從而可提高良 率 0 99952.doc -19- 1272676 再者,為抑制電晶體特性之劣化,較好的是至少於自氮 化處理室320搬送半導體基板1〇〇至熱處理室330時,設定 搬送室360、搬送盒430以及搬送室370為約1〇·3 Torr之減壓 氣氛、惰性氣體氣氛、或者氮氣氣氛。 藉由熱處理室330於氮氣氣氛中對半導體基板1〇〇實行熱 處理,修復於氮氧矽铪(HfSiON)膜120所形成之多個裂 σ ° 搬送機構410自熱處理室330取出半導體基板1〇〇之後, 將該半導體基板100收納於搬送盒430。並且,使搬送盒 430移至搬送室380並且加以連結。 搬送室380之搬送機構420自搬送盒430取出半導體基板 100 ’繼而將該半導體基板1 〇〇搬入至閘極絕緣膜/閘電極 形成室340。如圖4所示,閘極絕緣膜/閘電極形成室34〇於 氧矽铪(HfSiON)膜120上形成多晶石夕膜13〇。 並且,倘若搬送機構420自閘極絕緣膜/閘電極形成室 340取出半導體基板100,繼而將該半導體基板1〇〇收納於 搬送盒430,則半導體基板100被取出至閘極絕緣膜/閘電 極形成裝置300之外部。 繼而,如圖5所示,對於多晶矽膜13〇以及氮氧矽铪 (HfSiON)膜120實行圖案化,藉此形成閘極絕緣膜14〇以及 閘電極150之後,如圖6所示,形成源極區域16〇A以及汲極 區域160B,藉此製造MOSFET200。 藉由以上方法所製造之MOSFET200,與第一實施例同 樣地,,又疋於上述閘極絕緣膜14〇之與上述閘電極相接 99952.doc -20- 1272676 觸之界面部分的碳濃声主 22 辰度為5xl〇 atoms/cm3以下。藉此獲 得與第一實施例相同之效果。 根據上述實施例之半導體裝置及其製造方法,可抑制電 晶體特性之變動,從而可使良率得以提高。 再者上述實施例為其中一例,本發明並非限定於此 者。例如亦可使用例如錘(Zr)等其他金屬代替铪(Hf)。 即’亦可於半導體基板上形成至少含有金屬以及氧之絕緣 膜後,氮化該絕緣膜,藉此形成至少含有金屬、氧以及氮 之絕緣膜。 又,雖然此處表示成膜室50以及31〇,與氮化處理室6〇 以及320,為各自分開之反應室之例,但是亦可以該等為 一個反應室之方式而構成。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之第一實施例之閘極絕緣膜/閘電極形 成裝置的構造之方塊圖。 圖2係表示於本發明之實施例2M〇SFet的製造方法中 之各步驟元件之剖面構造的縱向剖面圖。 圖3係表示同M0SFET之製造方法中之各步驟元件的剖 面構造之縱向剖面圖。 圖4係表示同M0SFET之製造方法中之各步驟元件的剖 面構造之縱向剖面圖。 圖5係表示同MOSFET之製造方法中之各步驟元件的剖 面構造之縱向剖面圖。 圖6係表示同MOSFET之製造方法中之各步驟元件的剖 99952.doc -21 - 1272676 面構造之縱向剖面圖。 圖7係表示於未使半導體基板暴露於氧化性氣體氣氛或 大氣中之本實施例之情形,以及於使半導體基板暴露於氧 化丨生氣體軋氣或大氣中之比較例之情形時,MQSFET之閘 極臨界值電壓之分佈的說明圖。 圖8係表不於未使半導體基板暴露於氧化性氣體氣氛或 大氣中之本實施例之情形,以及於使半導體基板暴露於氧 化性氣體氣氛或大氣中之比較例之情形時,m〇SFet之經 時絕緣破壞(TDDB)特性之說明圖。 圖9係表示本發明之第二實施例之閘極絕緣膜/閘電極形 成裝置的構成之方塊圖。 【主要元件符號說明】 閘極絕緣膜/閘電極形成裝置 搬送室 室 搬出室 成膜室 氮化處理室 熱處理室 搬送機構 閘極絕緣膜/閘電極形成室 半導體基板 元件分離絕緣膜 膜 10, 300 20, 350, 360, 370, 380 30 40 50, 310 60, 320 70, 330 90, 390, 400, 410, 420 80, 340 100 110A, 110B 120 99952.doc -22- 1272676 130 多晶碎膜 140 閘極絕緣膜 150 閘電極 160A 源極區域 160B 汲極區域 170 通道區域 200 MOSFET 430 搬送盒
99952.doc -23 -
Claims (1)
12728?矜107358號專利*請案 ¥又¥請專利範園替換本(95年9月) ' 十、申請專利範圍: 種半導體裝置之製造方法,其含有·· 自搬送㈣送半㈣基板至成膜室之步驟;
轉(心 1. 於上述成膜室中,於上述半導體 小入古八厘也— 土攸 < 表面上形成至 J含有金屬與氧之第一絕緣膜的步驟; 自上述成膜室經由上述搬 .. 、至搬迗上述半導體基板至 虱化處理室之步驟; i ϋ 於上述氮化處理室中,導入f .^ ^ V入虱至上述第一絕緣膜實行 虱化,猎此形成至少含有金屬、 步驟; ^ m:絕緣膜之 自上述氮化處理室經由上 迗室搬送上述半導體基 板至熱處理室之步驟; 熱處 於上述熱處理室中,對上述第二絕緣膜實行特定 理之步驟;及 至上述搬送室之 自上述熱處理室搬送上述半導體基板 步驟; 至經由上述搬送室搬送上 之步驟時,使上述搬送室 惰性氣體氣氛或氮氣氣 至少於實行自上述氮化處理 述半導體基板至上述熱處理室 成為約10·3 Torr之減壓氣氛、 氛。 2. 如請求則之半導體襄置之製造方法,其中進而含有: /上述減理室搬送上料導體基板至上述搬送室之 後’自上錢送室搬送上料導體基板至閘極絕緣膜/閑 電極形成室之步驟;及 99952-950915.doc 1272676 於Ji述閘極絕緣膜/ p ^ φ 豕胰/間電極形成室中,於上述第二 膜上沉積閘電極材料實 ' 何杆Μ仃成膜,藉此形成膜之步驟。 3·如請求項1之半導體裝置 衣方法,其中進而含有: ;自^述成膜至㈣上述搬送室搬送上述半導體基板 老上述I化處理室之前,搬送上述半導體基板至上述熱 处里至亚且於對上述第一絕緣膜實行特定之熱處理之 後,搬送上述半導體基板至上述氮化處理室之步驟。 4·如請求項1之半導體裝置之製造方法,其中 於形成上述第一絕緣膜之步驟中, 於上述成膜室中,於上述半導體基板之表面上形成含 有金屬、氧以及矽之上述第一絕緣膜。 5·如請求項1之半導體裝置之製造方法,其中 於形成上述第一絕緣膜之步驟中, 於上述成膜室中,於上述半導體基板之表面上形成矽 酸铪膜; 於形成上述第二絕緣膜之步驟中, 於上述氮化處理室中,導入氮至上述矽酸銓膜實行氮 化’藉此形成氮化矽酸铪膜。 6.如請求項1之半導體裝置之製造方法,其中 於形成上述第二絕緣膜之步驟中, 使用含有氮之電漿,導入氮至上述第一絕緣膜實行氮 化’藉此形成上述第二絕緣膜。 7·如請求項1之半導體裝置之製造方法,其中 於形成上述第二絕緣膜之步驟中, 99952-950915.doc 〇 1272676 形成介電f數高於二氧切膜之上述第二絕緣膜。 8· 一種半導體裝置之製造方法,其含有·· 使收納有半導體基板之搬送盒移至成膜室並且加以連 結之步驟; 驟; 自上述搬送盒搬送上料導體基板至上述成膜室之步 於上述成臈室中,於上述半導體基板之表面上形成至 少含有金屬與氧之第一絕緣膜的步驟; 驟, 自上述成膜室搬送上述半導體基板至上述搬送盒之步 使收納有上述半導體基板之上述搬送盒移至氮化處理 室並且加以連結之步驟; 自上述搬搬述半導體基板至上述氮化處理室 之步驟; 於上述氮化處理室中,莫 至甲 v入虱至上述弟一絕緣膜實行 氮化,藉此形成至少含有全屬、 、 / 3啕至屬、巩、虱之第二絕緣 步驟; 自上述氮化處理室搬送上述半導體基板至上述搬送各 之步驟; 1 使收納有上述半導體基板 並且加以連結之步驟; 之上述搬送盒移至熱處理室 自上述搬送盒搬送上述半導體基板至上述 步驟; . 於上述熱處理室中,斟 > i5.doc T 對上述弟二絕緣膜實行特定之 99952-950915.doc 之 熱 1272676 處理之步驟;及 自上述熱處理室输 丰 〜 、上述半導體基板至上述搬送盒之 步驟; ^仃自上述氮化處理室搬送上述半導體基板至 上述搬送盒之步驟、 、、,人 ”、 使收、、内有上述半導體基板之上述搬 运盒移至上述埶虛理a# 、、,人μ… …处至並且加以連結之步驟及自上述搬 达盈搬送上述半導辦 f 土板至上述熱處理室之步驟時,使 上述搬送盒成為約1 0-3 τ ..° Torr之減壓氣氛、惰性氣體氣氛 或亂氣氣氛。 9.如=求項8之半導體裝置之製造方法,其中進而含有: $述熱處理室搬送上述半導體基板至上述搬送盒之 後’使收納有上述半導 1千¥體基板之上述搬送盒移至閘極絕 、’:甲電極形成室並且加以連結之步驟;及 :上述閉極絕緣膜/問電極形成室中,於上述第二絕緣 = 實行成膜’藉此形成膜之步驟。 .〜’項8之半導體裝置之製造方法,其進而含有: 於使收納有上述半導 ^ <干¥體基板之上述搬送盒移至上述氮 化處理室之前,佶 „ ^ , 使收納有上述半導體基板之上述搬送盒 移至上述熱處理室之步驟; :上述搬送盒搬送上述半導體基板至上述熱處理室之 於上述熱處理室中 T 對上述弟二絕緣膜實行特定之熱 處理之步驟; 99952-9蕭5.細\處理至搬送上述半導體基板至上述搬送盒之 -4 - 1272676 J
步驟;及 將收、、内有上述半導體基板之上述搬送盒搬送至上述氮 化處理室之-步驟。 如請求項8之半導體裝置之製造方法,其中 於形成上述第一絕緣膜之步驟中, 於上述成Μ中,於±述半導體基板之表面上形成含 有金屬、氧以及矽之上述第一絕緣膜。 12·如明求項8之半導體裝置之製造方法,其中 於形成上述第一絕緣膜之步驟中, 於上述成膜t中,力上述半導體基板之表面上形成石夕 酸給膜; 於形成上述第二絕緣膜之步驟中, 於上述虱化處理室中,導入氮至上述矽酸铪膜實行氮 化’藉此形成氮化石夕酸铪膜。 13·如請求項8之半導體裝置之製造方法,其中 於形成上述第二絕緣膜之步驟中, 使用έ有氮之私漿,導入氮至上述第一絕緣膜實行氮 化’藉此形成上述第二絕緣膜。 14. 如請求項8之半導體裝置之製造方法,其中 於形成上述第二絕緣膜之步驟中,形成介電常數高於 二氧化矽膜之上述第二絕緣膜。 15. —種半導體裝置,其含有: 選擇性地形成於半導體基板之特定區域上之閉極絕緣 膜; 99952-950915.doc -5- 1272676 形成於上述閘極絕緣膜上之閘電極;及 於上述半導體基板之表面部分,分別形成於位於上述 閘電極下方—之通道區域兩側之源極區域以及汲極區域; 於上述閘極絕緣膜之與上述閘電極相接觸之界面部分 的碳濃度為5 X 1 022 atoms/cm3以下。 16. 如請求項15之半導體裝置,其中上述閘極絕緣膜為至少 含有金屬、氧以及氮之絕緣膜。
17. 如請求項15之半導體裝置,其中上述閘極絕緣膜含有氣 化矽酸銓膜,並且相對介電常數高於二氧化矽。
99952-950915.doc 6 -
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004317773A JP2006128547A (ja) | 2004-11-01 | 2004-11-01 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200616084A TW200616084A (en) | 2006-05-16 |
TWI272676B true TWI272676B (en) | 2007-02-01 |
Family
ID=36262607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW094107358A TWI272676B (en) | 2004-11-01 | 2005-03-10 | Semiconductor and manufacturing method thereof |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7220681B2 (zh) |
JP (1) | JP2006128547A (zh) |
TW (1) | TWI272676B (zh) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7789738B2 (en) | 2006-07-03 | 2010-09-07 | San Fang Chemical Industry Co., Ltd. | Sheet for mounting polishing workpiece and method for making the same |
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US9484746B2 (en) | 2012-01-17 | 2016-11-01 | Infineon Technologies Austria Ag | Power converter circuit with AC output |
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US9461474B2 (en) | 2012-01-17 | 2016-10-04 | Infineon Technologies Austria Ag | Power converter circuit with AC output |
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TW202326907A (zh) * | 2021-11-03 | 2023-07-01 | 美商蘭姆研究公司 | 具有水蒸氣及氧分壓之快速與選擇性控制的基板處理工具 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09312267A (ja) | 1996-05-23 | 1997-12-02 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製法およびその製造装置 |
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JP3893868B2 (ja) | 2000-10-11 | 2007-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 電界効果トランジスタの製造方法、並びに、半導体デバイスの製造方法及びその装置 |
JP4104834B2 (ja) * | 2001-04-13 | 2008-06-18 | 株式会社東芝 | Mis型電界効果トランジスタの製造方法 |
JP3746968B2 (ja) | 2001-08-29 | 2006-02-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 絶縁膜の形成方法および形成システム |
JP2004071696A (ja) | 2002-08-02 | 2004-03-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2004186567A (ja) | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP3805750B2 (ja) * | 2003-01-21 | 2006-08-09 | 株式会社東芝 | 相補型電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
US6921703B2 (en) * | 2003-05-13 | 2005-07-26 | Texas Instruments Incorporated | System and method for mitigating oxide growth in a gate dielectric |
US7135361B2 (en) * | 2003-12-11 | 2006-11-14 | Texas Instruments Incorporated | Method for fabricating transistor gate structures and gate dielectrics thereof |
JP2005217309A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US20050252449A1 (en) * | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Nguyen Son T | Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system |
-
2004
- 2004-11-01 JP JP2004317773A patent/JP2006128547A/ja active Pending
-
2005
- 2005-02-04 US US11/049,671 patent/US7220681B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-10 TW TW094107358A patent/TWI272676B/zh active
-
2007
- 2007-04-19 US US11/785,606 patent/US20070197048A1/en not_active Abandoned
-
2009
- 2009-09-11 US US12/585,334 patent/US20100003813A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070197048A1 (en) | 2007-08-23 |
US20060094255A1 (en) | 2006-05-04 |
JP2006128547A (ja) | 2006-05-18 |
TW200616084A (en) | 2006-05-16 |
US7220681B2 (en) | 2007-05-22 |
US20100003813A1 (en) | 2010-01-07 |
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