TWI261716B - Liquid crystal display apparatus and fabrication thereof - Google Patents

Liquid crystal display apparatus and fabrication thereof Download PDF

Info

Publication number
TWI261716B
TWI261716B TW093113442A TW93113442A TWI261716B TW I261716 B TWI261716 B TW I261716B TW 093113442 A TW093113442 A TW 093113442A TW 93113442 A TW93113442 A TW 93113442A TW I261716 B TWI261716 B TW I261716B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
liquid crystal
substrate
conductor layer
transparent conductor
Prior art date
Application number
TW093113442A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200537219A (en
Inventor
Yung-Chi Chang
Original Assignee
Quanta Display Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Quanta Display Inc filed Critical Quanta Display Inc
Priority to TW093113442A priority Critical patent/TWI261716B/zh
Priority to US10/923,627 priority patent/US7113234B2/en
Priority to JP2005141428A priority patent/JP4275649B2/ja
Publication of TW200537219A publication Critical patent/TW200537219A/zh
Priority to US11/379,580 priority patent/US7430023B2/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI261716B publication Critical patent/TWI261716B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode

Description

1261716 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種液曰 ― ，丄從日日顯不裝置及其製造方法，拉 別有關於一種不具有線條型裒k方法特 capacitance electrode ^ f # ^ / ^ ^ ^(storage 置及其製造方法。 nes’ Cs-hne)的液晶顯示裝 【先前技術】 液晶顯示裝置（LCD)包合古 ,Α ^ Λ 匕3有一上基底與一下基底，以 及失於上下基底之間的一液曰爲 Λπ. ^ … /從日日層。一般來說，上基底具有 ^衫率光片（color fl lte〇以及一共同電極（common electrode)。而下基底具有橫向延伸之閘極線（以^ lines)縱向延伸之源極線（s o u r c e 1 i n e s，或稱資料 線）、位於閘極線與源極線交叉處附近之當作是開關元件 之薄膜電晶體（TFT)，以及由閘極線和源極線所定義之區 域中的晝素電極。每一薄膜電晶體具有一閘極、一源極與 一汲極。閘極係從閘極線延伸出來，而源極係從源極線延 伸出來。汲極通常是藉由一接觸孔（c〇ntact h〇le)而電性 連接畫素電極。其中畫素電極、共通電極與夾於其間之液 晶層係構成一液晶電容（cLC)。 然而為了要改善顯示品質，通常在每一畫素中更形成 有儲存電谷（storage capacitance，Cs)。請參閱第1A圖 與第1B圖，用以說明習知^!)的陣列基底。第1A圖係顯示 習知LCD陣列基底的部分平面圖，而第1B圖係沿著第1A圖 的1 B- 1 B線段之剖面圖，用以說明習知1(：1)陣列基底之製
第5頁 〇690-A50109-TWf(4.5) ； 92066 ； .ptd 1261716
首先’在一玻璃基底1 ο 〇上形 與儲存電容電極線120(以下稱之\=延：：開極線110 no包含有用以當作是閘極 舜楚針加甘—，^ , 曰0大出部。形成閘極絕緣層 =0復盍正個基底100。形成一半導體層14〇於部分該閘極 絕緣層130上。形成縱向延伸之源極線15〇與一分離 (discrete)的金屬層155於部分該閘極絕緣層13〇上，該源 極線150包含有一源極152延伸至部分半導體層14〇上/同' 時亦形成一汲極154於部分半導體層上並延伸至部分閘極 絕緣層1 3 0上。
接著，形成一絕緣層1 6 0覆蓋整個基底丨〇 〇。形成一第 一開口172與一第二開口 174穿越該絕緣層16〇，該第一開 口 172係露出該沒極154，而該第二開口 174係露出該金屬 層1 5 5。然後，形成一畫素電極1 8 0於部分該絕緣層1 6 0上 ，並填入該等開口 1 7 2、1 7 4中而電性連接該汲極1 5 4與該 金屬層155。 經由此，該金屬層155、該Cs線120以及夾於 其間之閘極絕緣層130係構成了一儲存電容（Cs) 199。
然而，上述習知LCD有許多的缺點。例如，當Cs線120 發生斷線1 9 0時，會造成橫條亮線或淡線而影響顯示品質 ，而需要將面板報廢。還有，由於橫向延伸之Cs線120是 不透明的，所以會降低畫素的開口率。還有，C s線1 2 0與 源極線1 5 0的交叉處比較會有串擾（c r 〇 s s t a 1 k)的情形發 生，而影響顯示品質。
0690-A50109-TWf(4.5) ； 92066 ； .ptd 第6頁 1261716 五、發明說明（3) 【發明内容 有鑑於此，*代〇 之CS線的具有儲存二《目的係提供-種不需要横向延 為達上述：晶？示裝置及其製造方法 有複數個畫素區，每一查:二月-種液晶顯示裝置，具 二基底’其間夹有11 相對向之第-與第 第-‘該儲存電容結構係由-第-導^ 第二導體層為分二層：^::;；：所構成：該等第-與 方且重疊部分該第一導一—曰位於5亥第一導體層上 該儲存電容結構；一 ί ρθ 口：：緣層覆蓋該第-基底與 露出該第-導體層“ ：第一ί明導體層形成於部分該':緣：n 真入δ亥第-開口而電性連接該第：層上’並 體層形成於部分該絕緣層上，並^，—第二透明導 ;該第二導體層；-絕緣間隔層形成電性連 表面上，並延伸於該液晶層中土&的内側 ;以及當作是共通電極之-第三透日^=液；層的厚度 該第二基底與該絕緣間隔層上，而* θ順應地形成於 體層或該第二透明導體層。 性連接該第一透明導 為達上述之目的，本發明揾仳 具有複數個區，#一晝_包含u晶，示裝置， 該畫素區包括··互相對向之第一與第二其子電容結構，而 液晶層；一分離的導體層形成 ς底，其間失有一 玄第—基底上；-絕緣層
0690-A50109-TWf(4.5) ； 92066 ； .ptd
第7頁
1261716 ~--- --- ' 五、發明說明（4) ' " 一 ---- 乂 第一基底與該導體層；一第一透明導體層形成於部 =μ絕緣層上，並重疊該導體層的第一部分；一第二透明 ^導體層形^於部分該絕緣層上，並重疊該導體層的第二部 插基穿越該絕緣層，其中該導體層藉由該插塞而電 展連接該第一透明導體層或第二透明導體層；一絕緣間隔 二形成於該第二基底的内側表面上，並延伸於該液晶層中 一用以保持該液晶層的厚度；以及當作是共通電極之一第 透明導體層順應地形成於該第二基底與該絕緣間隔層 ^ ★而電性連接該第二透明導體層；其中，當該插塞連接 該第，透明導體層時，該儲存電容結構係由該第一導體 層、邊絕緣層與該第一透明導體層所構成；其中，當該插 塞連接該第一透明導體層時，該儲存電容結構係由該第一 導體層、該絕緣層與該第二透明導體層所構成。 & 為達上述之目的，本發明提供一種液晶顯示裝置的製 造方法’其步驟至少包括：形成橫向延伸之一閘極線與分 離的二第一金屬層於一第一基底上，該閘極線具有一閘 極；形成一介電層覆蓋該閘極線、該第一金屬層與該第一 基底’形成一半導體層於位在該閘極上方的該介電層上； 形成縱向延伸之一源極線於該介電層上，該源極線包含一 =極延伸至部分該半導體層上，並且同時形成一汲極於部 分該半導體層上以及形成分離的一第二金屬層於該介電層 其中該第一金屬層、一第二金屬層以及夾於其間之該 "電層係構成一儲存電容結構，該第二金屬層重疊部分該 第一金屬層；全面性形成一絕緣層覆蓋該第一基底；形成
Ϊ261716 Τ'—-^ 五、發明說明（5) 絕緣層與該介電層 口穿越該絕緣層而 體層於部分該絕緣 第一金屬層；形成 並填入該第二開口 基底，對向於該第 與該第二基底之間 側表面上，並延伸 度；以及順應地形 於該第二基底與該 導體層或該第二透 的，本發明提供另 至少包括：形成橫 一第一基底上，該 該閘極線、該金屬 在該閘極上方的該 該介電層上，該源 上，並且同時地形 畫素電極於部分該 畫素電極重疊該金 的一透明導體層形 第二部分；形成一 中該金屬層藉由該 體層；提供一第二 :第—開口穿越該 二':成—第二開 >成一第_透明導 ，口而電性連接該 邙分該絕緣層上， 屬層；提供一第二 層失於該第一基底 於该第二基底的内 保持該液晶層的厚 —第三透明導體層 眭連接該第一透明 為達上述之目 製造方法，其步驟 分離的一金屬層於 形成一絕緣層覆蓋 成一半導體層於位 延伸之一源極線於 至部分該半導體層 導體層上；形成一 接該汲極，其中該 且同時地形成分離 且重豐該金屬層的 連接該金屬層，其 素電極或該透明導 而露出該第一金屬 露出該第二金屬層； 層上，並填入該第一 一第二透明導體層於 而電性連接該第二金 一基底；形成一液晶 ;形成一絕緣間隔層 於该液晶層中而用以 成當作是共通電極之 絕緣間隔層上，而電 明導體層。 一種液晶顯示裝置的 向延伸之一閘極線與 閘極線具有一閘極； 層與該第一基底；形 絕緣層上；形成縱向 極線包含一源極延伸 成一汲極於部分該半 絕緣層上方而電性連 屬層的第一部分，並 成於部分該絕緣層上 插塞穿越該絕緣層而 插塞而電性連接該晝 基底’對向於該第—
1261716
五、發明說明（6) ί:二：i晶層夾於該第-基底與該第二基底之間； 該液日爲Γ a隔層於該第二基底的内側表面上，並延伸於 」丘』i 4而用以保持該液晶層的厚度；以及順應地形成 該i明導ί:該第二基底與該絕緣間隔層上，而電性連接 本發明’不需要製作習知般的橫向延伸之Cs線就 :匕蚩丄成儲存電容於畫素中，因而能夠提高產品良率，增 ϋ旦素的開口率與解決習知問題。 為讓本發明之目的、特徵和優點能夠明顯易懂，下文 特舉較佳實施例，並配合所附圖示，做詳細說明如下： 【實施方式】 第一實施例 第2圖係顯示根據本發明第一實施例之液晶顯示裝置 的部分平面圖，而第3圖係沿著第2圖中的3 — 3線段之剖面 圖，用以說明第一實施例之製程。這裡要特別說明的是， 下列圖不雖僅顯不一畫素區，實際上本發明之液晶顯示裝 置可以包含有很多畫素區。 請參閱第2與3圖，首先提供例如是玻璃或石英的一絕 緣基底200 (以下稱之為下基底）。形成橫向延伸之一閘極 線210與分離（(^%1'以〇狀的一第一金屬層22()於下基底 20 0上，該閘極線具有一閘極215。其中，該閘極線21〇與 第一金屬層2 2 0可以是由同一沉積步驟所形成，其材質例 如是A1、Cr、Μο或其合金等導體材料。
1261716 五、發明說明（7) 之後，形成一介電層23 0覆蓋該閘極線210、該第一金 屬層220與該下基底200，其中該介電層230例如是經由 CVD(化學氣相沉積法）所形成之Si3N4或3丨02層。形成當作是 通道層（channel layer)的一半導體層240於位在該閘極 215上方的該介電層230上，其中該半導體層240例如是CVD 所形成之矽層。 然後，形成縱向延伸之一源極線2 5 0於該介電層2 3 0上 ，該源極線2 5 0包含一源極2 52延伸至部分該半導體層240 上，並且同時形成一汲極25 4於部分該半導體層240與該介 電層230上，以及形成分離的一第二金屬層255於該介電層 230上，其中該第一金屬層220、一第二金屬層255以及夾 於其間之該介電層230係構成一儲存電容結構29 9，該第二 金屬層255重疊部分該第一金屬層220，亦即該第二金屬層 2 5 5的面積小於該第一金屬層2 2 0。其中，該源極線2 5 0、 該源極252、該汲極254與該第二金屬層255可以是由同一 沉積步驟所形成，其材質例如是A 1、Cr、Mo或其合金等導 體材料。 接著，全面性形成一鈍化層2 6 0覆蓋整個下基底2 0 0， 該鈍化層2 6 0例如是經由c VD所形成之順應的S i3 N4層。接 著’為了要得到平坦的表面，可以再形成一有機平坦層 2 6 5於該鈍化層2 6 0上，該有機平坦層2 6 5的例如是經由塗 佈法所形成之有機樹脂層。這裡要特別說明的是，可以不 必形成該有機平坦層2 65。為了說明方便，在此將該鈍化 層2 6 0與該有機平坦層2 6 5合併稱之為絕緣層2 6 8。
1261716 五、發明說明（8) 然後，經由微影蝕刻程序形成 口 274與第三開口 2 76 ，1中 開Z"弟一開 -與該介電層⑽而露出=穿；=層 開口 276穿越该絕緣層268而露出該汲極託4。 -- 上一第一透明導體層2 80於部分該絕緣層268 上’並填入該第一開口 2 72而電性連接該第一金 2 形成當作是畫素電極之一第—透@ 1 ' 。 从、 弟一透明導體層282於部分該絕 、♦、曰6 8气’ 一並填入該第二開口 2 7 4與該第三開口 2 7 6而電 性連接該第二金屬層255與該汲極254。該等透明導體層 280、2 82可以是由同一沉積步驟所形成之IT〇4iz〇層。 裡要注意的是，該等透明導體層28〇、282係互相絕緣隔 離。接著，形成一配向層290於該第二透明導體層282上。 仍請參閱第3圖，提供例如是玻璃的一上基底3〇〇，发 對向於该下基底2 0 0。在該上基底3 〇 〇的内側表面上，可二 成一彩色濾光片3 1 0，該彩色濾光片3 1 〇中可更包含有—化 光層315。接著，形成一絕緣間隔層（spacer)32〇 =該彩^ 濾光片31 0上，該絕緣間隔層320係延伸於下什々二邑 1地i狀日日場 350中而用以保持液晶層350的厚度（即保持液晶胞厚度， cel 1 gap)，其中該絕緣間隔層3 20的材質例如是光敏&感 津斗（photo-sensitive material)。另夕卜，吨八兮、1 口丨刀琢遮光層 3 1 5的位置係對應於該絕緣間隔層3 2 0。 然後，順應地形成當作是共通電極之一第三透明導體 層330於該上基底3 0 0與該絕緣間隔層320上，而電性連接
0690-A50109-TWf(4.5) ； 92066 ； .ptd 第 12 頁 1261716 五、發明說明（9) 該第一透明導體層280，其中該第三透明導體層330例如是 ITO 或 IZO 層。 接著’形成一配向層340於該第三透明導體層330上。 這裡要注意的是，該配向膜3 4 〇並不形成於該絕緣間隔層 3 2 0上。最後，將液晶材料注入上下基底3 〇 〇與2 〇 〇之間， 而形成一液晶層3 5 0。 根據上述製程，本發明亦提供了 一種液晶顯示裝置結 構。請參閱第3圖，本發明的液晶顯示裝置具有複數個畫 素區，每一畫素區至少包括：互相對向之第一基底2〇〇與 第二基底3 0 0，其間夾有一液晶層3 5 〇 ;至少一儲存電容結 構299位於該第一基底2〇〇上，其中該儲存電容結構299係 由一第一導體層220、一第二導體層255以及夾於其間之 介電層230所構成，該等第一與第二導體層220、255為分 離層，該第二導體層255位於該第一導體層220上方且重燊 部分該第一導體層220 (即該第二導體層255的面積小於該 第一導體層2 20 ); —絕緣層268覆蓋該第一基底200與該儲 存電容結構2 9 9 ; —第一開口 2 7 2穿越該絕緣層2 6 8與該介 電層230而露出該第一導體層220 ; —第二開口 274穿越該 絕緣層268而露出該第二導體層255 ; —第一透明導體層 2 8 0形成於部分該絕緣層2 6 8上，並填入該第一開口 2 7 2而 電性連接該第一導體層220 ; —第二透明導體層282形成於 部分該絕緣層2 6 8上，並填入該第二開口 2 7 4而電性連接該 第二導體層255 ; —絕緣間隔層320形成於該第二基底3〇〇 的内側表面上，並延伸於該液晶層3 5 0中而用以保持該液
〇690-A50109-TWf(4.5) ； 92066 ； .ptd 第13頁
1261716 五、發明說明（10) 晶層350的厚度；以及當作是共通電極之一第三透明導體 層3 3 0順應地形成於該第二基底3 〇 〇與該絕緣間隔層3 2 〇上 方，而電性連接該第一透明導體層2 8 〇。 請參閱第6 A圖，其顯示根據本發明第一實施例（對應 第3圖）的每一晝素區之等效電路圖。符號GL代表閘極線〜， 符號SL代表源極線，符號TFT代表薄膜電晶體。 第一實施例的變化例一 第4圖係顯示根據第一實施例的變化例一之液晶顯示 裝置的剖面圖。這裡要特別說明的是，第4圖中與第3圖中 的相同元件將以相同圖式符號來表示，並省略其材質說 明。第4圖與第3圖的區別在於：晝素電極電性連接第一金 屬層220，而共通電極電性連接第二金屬層255。 請參閱第4圖，形成一閘極215與一第一金屬層220於 下基底200上。形成一介電層230覆蓋該閘極215、該第一 金屬層220與該下基底220。形成當作是通道層的一半導體 層240於位在該閘極215上方的該介電層230上。 然後，形成一源極2 5 2延伸至部分該半導體層2 4 0上， 並且同時形成一汲極254於部分該半導體層240與該介電層 230上’以及形成一第二金屬層255於該介電層230上，其 中該第一金屬層220、一第二金屬層255以及夾於其間之該 介電層230係構成一儲存電容結構299，該第二金屬層255 重疊部分該第一金屬層220，亦即該第二金屬層255的面積 小於該第一金屬層2 2 0。
0690-Λ50109™，)； 92066 ,ptd 第 u 頁 1261716
接著，全面性形成一鈍化層260覆蓋整個下基 還有，為了要得到平坦的表面，可以再形成一有機_ 265於該鈍化層2 60上，然而該有機平坦層265可以不^層 要。為了說明方便，在此將該鈍化層26〇與該有機= 2 6 5合併稱之為絕緣層2 6 8。 —增 热傻，形成第—叩，示一岡口 4，『4與第三開t 6，其中该第一開口 4 7 2穿越該絕緣層2 6 8而露出兮一 金屬層255，該第二開口 274穿越該絕緣層268與該 230而露出該第一金屬層220 ,而該第三開口276|#二曰 緣層268而露出該汲極254。 2了6穿越該絕
之後，形成一第一透明導體層2 80於部分該絕緣層268 上，並填入該第一開口 4 72而電性連接該第二金屬層f55。 ϊ ί〇!作是晝素電極之一第二透明導體層282於部&該絕 、味層268上，並填入該第二開口 4 74與該第三開口 27 6而 性連接該第一金屬層220與該汲極25 4。這裡要注魚的是， 該等透明導體層28 0、28 2係互相絕緣隔離。接著了形=二 配向層290於該第二透明導體層282上。 乂 仍請參閱第4圖，提供例如是玻璃的一 #^ … —— 上基底3 0 0， 子向於該下基底200。在該上基底3〇〇的内側表面上，可
成> 彩色濾光片3 1 〇，該彩色濾光片3 1 0中可更包含有一 光層3 1 5。接著，形成一絕緣間隔層3 2 〇於該 310上，該絕緣間隔層32〇係延伸於下述之液晶層中j 立以保持液晶層35 0的厚度（即保持液晶胞厚度）。另外 邻分该遮光層3 1 5的位置係對應於該絕緣間隔層3 2 〇。
1261716 五、發明說明（12) 然後，順應地形成當作是共通電極之一第三透明導體 層3 3 0於該上基底3 0 0與該絕緣間隔層3 2 0上，而電性連接 該第一透明導體層280。 接著，形成一配向層340於該第三透明導體層330上。 這裡要注意的是，該配向膜3 4 0並不形成於該絕緣間隔層 3 2 0上。最後，將液晶材料注入上下基底3 〇 〇與2 0 0之間， 而形成一液晶層350。 根據上述製程，本發明亦提供了另一種液晶顯示裝置 結構。請參閱第4圖，本發明的液晶顯示裝置具有複數個 畫素區，每一晝素區至少包括··互相對向之第一基底2〇() 與第二基底3 0 0，其間夾有一液晶層3 5 〇 ;至少一儲存電容 結構29 9位於該第一基底2〇〇上，其中該儲存電容結構2 99
係由一第一導體層220、一第二導體層255以及夾於其間^ 一介電層230所構成，該等第一與第二導體層22〇、255為 分離層，該第二導體層255位於該第一導體層220上方且i 疊部分該第一導體層22〇(即該第二導體層255的面積小於 該第一導體層22 0 ); 一絕緣層268覆蓋該第一基底2〇〇與^ 儲存電容結構29 9 ; 一第一開口 472穿越該絕緣層268而露
出：第二導體層25 5 ; 一第二開口 474穿越該絕緣層268與 忒"電層230而露出該第一導體層22〇 第一透明、 280形成於部分該絕緣層268上’並填入該第一開口4而 電性連接該第二導體層2 5 5 ; 一第二透明導體層2 而 Π絕緣層268 ±，並填人該第二開口 474而電性連^ 第導體層2 20 絕緣間隔層32〇形成於該第二基底州
1261716
五、發明說明（13) 的内側表面上，並延伸於該液晶層3 5 0中而用以保持該液 晶層3 5 0的厚度；以及當作是共通電極之一第三透明導體 層330順應地形成於該第二基底3 00與該絕緣間隔層320上 方，而電性連接該第一透明導體層2 8 0。 請參閱第6 B圖，其顯示根據上述變化例（對應第4圖） 的每一畫素區之等效電路圖。符號GL代表閘極線，符號SL 代表源極線，符號TFT代表薄膜電晶體。 第一實施例的變化例二 <1 第5圖係顯示根據第一實施例的變化例二之液晶顯示 裝置的部分平面圖。這裡要特別說明的是，第5圖中與第1 圖中的相同元件將以相同圖式符號來表示，並省略其材質 與製私說明。第5圖與第1圖的區別在於：第一金屬層Mo 與第二金屬層25 5可以設計在晝素區的部分周圍，立S不但 數個儲存電容於每一畫素區中，而且該等金屬 與255可作為防止漏光之遮光層’而縮小上基底3〇〇 =色率光片31"的遮光層315面積，因而更提高開口 也就是說，應用者可根據設計上的 二μ 士路明 的該等金屬層220與255設計在畫素區$要’而將本發月 丁的任何位置。 第二實施例 第7圖係顯示根據本發明第二實旆 的部分平面圖，而第8圖係沿著第7圖’ 1晶顯示裝置 r的8 - 8線段之剖面
1261716 五 '發明說明（14) 圖，用以說明第二實施例之製程。這裡要特別說明的曰 下列圖不雖僅顯示一晝素區，實際上本發明 ； 置可以包含有很多畫素區。 文曰曰J不裝 請參閱第7與8圖，首先提供例如是玻璃或石英的— 緣基底70 0 (以下稱之為下基底）。形成橫向延伸之一、、、巴 線710與分離狀的一金屬層72〇於下基底7〇〇上，哕二° 具有-閘極7 15。其中，該閘極線71〇與該金屬層二可以 是由同一沉積步驟所形成，其材質例如是A1、^ 合金等導體材料。 或具 之後，形成一介電層73 0覆蓋該閘極線71〇、該金 720與該下基底700，其中該介電層73〇例如是經由cvd所二 成之sisΝ4或si〇2層。形成當作是通道層的一半導體層74〇 ς 位在該閘極7 15上方的該介電層7 30上，其中該半導^層、 7 4 0例如是C V D所形成之；ε夕層。 然後，形成縱向延伸之一源極線75〇於該介電層73() 上，該源極線75 0包含一源極752延伸至部分該半導θ體層 740上，並且同時形成一汲極754於部分該半導體層74〇與 該介電層730上。其中，該源極線75〇、該源極7 52與該汲 極7 54是由同一沉積步驟所形成，其材質例如是A1、cr、
Mo或其合金等導體材料。 > 接著’全面性形成一鈍化層760覆蓋整個下基底700， 邊純化層7 6 0例如是經由C VD所形成之順應的s i3 N4層。 然後，經由微影蝕刻程序形成第一開口 772與第二開 口 776，其中该弟一開口 772穿越該鈍化層760與該介電層
〇690-A50109-TWf(4.5) ； 92066 ； .ptd 第18頁 1261716 五、發明說明（15) 730而露出該金屬層wo，該第二開口 776穿越該鈍化芦7 而露出該汲極7 5 4。 曰 之後，形成一第一透明導體層7 8 0於部分該鈍化層76〇 上，並填入該第一開口 7 72而形成插塞而電性連接該二 層720，該第一透明導體層78〇並重疊該金屬層72〇的第一 部分。形成當作是畫素電極之一第二透明導體層78 2於部 分該鈍化層m上，並填入該第二開口 776而電性連接該汲 極754，該第二透明導體層782並重疊該金屬層72〇的第二 部分。該等透明導體層780、782可以是由同—沉積步驟一所 形成之ITO或IZO層。這裡要注意的是，該等透明導體層 780、782係互相絕緣隔離。接著，形成一配向層79〇於曰該 第二透明導體層78 2上。 、w 仍请參閱第3圖，提供例如是玻璃的一上基底8 〇 〇，其 對向於該下基底70 0。在該上基底80 0的内側表面上，可形 成一彩色濾光片810，該彩色濾光片81〇中可更包含有一遮 光層81 5。接著，形成一絕緣間隔層82〇於該彩色濾光片 810上，該絕緣間隔層82〇係延伸於下述之液晶層85〇中而 用以保持液晶層85 0的厚度（即保持液晶胞厚度），其中該 絕緣間隔層8 20的材質例如是光敏感材料。另外，;分^ 遮光層815的位置係對應於該絕緣間隔層82〇。 °刀μ 然後，順應地形成當作是共通電極之一第三透明導體 層8 3 0於该上基底8 0 〇與該絕緣間隔層8 2 〇上，而電性連接 該第-透明導體層780 ’其中該第三透明導體層83〇例如是 ιτο或ιζο層。因此，該第二透明導體層782、該金屬層72〇
1261716 五、發明說明（16) 以及夾於其間之介電層7 3 0與鈍化層760係構成一儲存電容 結構79 9。 接著，形成一配向層84 0於該第三透明導體層8 30上。 這裡要注意的是，該配向膜8 4 0並不形成於該絕緣間隔層 8 2 0上。最後，將液晶材料注入上下基底8 〇 〇與7 〇 〇之間， 而形成一液晶層8 5 0。 隔層82 0上方 根據上述製程，本發明亦提供了 一種液晶顯示裝置結 構。請參閱第8圖，本發明的液晶顯示裝置具有複數個畫 素區，每一畫素區包含一儲存電容結構799，而該畫素區 至少包括：互相對向之第一基底7〇〇與第二基底8〇〇，其間 夾有一液晶層850 ;分離的一導體層72〇形成於該第一基底 700上；一絕緣層7 68 (即介電層73〇與鈍化層760的合稱）覆 蓋該第一基底700與該導體層72〇 ; —開口772穿越該絕緣 層768而露出該導體層720 ; —第一透明導體層780形成於 部分戎絕緣層7 6 8上’且填入該開口 7 7 2而電性連接該導體 層720 ; —第二透明導體層7 82形成於部分該絕緣層768 ^，並重疊部分該導體層72 〇 ; 一絕緣間隔層82 〇形成於該 第一基底8 0 0的内側表面上，並延伸於該液晶層8 5 〇中而用 以保持該液晶層85 0的厚度；以及當作是共通電極之一第 二透明導體層83 0順應地形成於該第二基底8〇〇與該絕緣間 透明導體層78 0 ;其中 该儲存電容結構79 9係由該導體層72〇、該絕緣層76 8與該 第二透明導體層78 2所構成。 請參閱第1 0 A圖’其顯示根據本發明第二實施例（對應
第20頁 1261716
五、發明說明（17) 弟8圖）的备,一 ♦尹广 符fML π Γ素之等效電路圖。符號GL代表閘極缘， 付虎SL代表源極線，符號TFT代表薄膜電晶體。線 第一貫施例的變化例 置的^1 9面圖FI係顯不根據第二實施例的變化例之液晶顯示F 。這裡要特別說明的是，第9圖中與第的 二:第=同圖式符號來表示，並省略其材質說明。 第圖與弟8圖的區別在於：畫素電極電性連接金屬層 ，而共通電極並不電性連接金屬層720。 第】圖，…閑極715與分離的一金屬層72〇 ' 〇 之後，形成一介電層730覆蓋該閘極線 一主/金屬層72G與該Τ基底7GG。形成當作是通道層的 一半導體層740於位在該閘極715上方的該介電層73〇上。 然彳=7开if—源極7 52於該半導體層740上，並且同時 形成一汲極754於部分該半導體層74 〇與該介電層73 〇上。 接者，全面性形成一鈍化層76〇覆蓋整個下基底7〇〇。 然後，經由微影蝕刻程序形成第一開口 972盥 口776，其中該第一開口 972穿越該鈍化層76〇與該介^ 730而露出該金屬層720，該第二開口 776穿越該鈍化曰 而露出該汲極7 5 4。 之後，形成一分離的第一透明導體層78〇於部分該鈍 化層76 0上，該第一透明導體層78〇並重疊該金屬層72〇的 第一部分。形成當作是畫素電極之一第二透明導體層782 於部分該鈍化層76 0上，並填入該第一開口 972與該^二開
1261716 五、發明說明（18) 口 7?6而形成插塞而電性連接該金屬層72 0以及該汲極7 54 ’該第二透明導體層782並重疊該金屬層72〇的第二部分。 这裡要注意的是，該等透明導體層7 8 0、7 8 2係互相絕緣隔 離。接著，形成一配向層790於該第二透明導體層782上。 仍請參閱第9圖，提供一上基底800，其對向於該下基 底7 〇 〇。在該上基底8 0 0的内側表面上，可形成一彩色濾光 片810，該彩色濾光片81〇中可更包含有一遮光層815。接 著，形成一絕緣間隔層8 2 0於該彩色濾光片8 1 0上，該絕緣 間隔層820係延伸於下述之液晶層85 0中而用以保持液晶層 850的厚度（即保持液晶胞厚度）。另外，部分該遮光層815 的位置係對應於該絕緣間隔層8 2 0。 然後，順應地形成當作是共通電極之一第三透明導體 層8 3 0於該上基底8 〇 〇與該絕緣間隔層8 2 0上，而電性連接 該第一透明導體層780。因此，該第一透明導體層780、該 金屬層720以及夾於其間之介電層73 0與鈍化層7 60係構成 一儲存電容結構99 9。 接著，形成一配向層840於該第三透明導體層830上。 這裡要注意的是，該配向膜840並不形成於該絕緣間隔層 8 2 0上。最後，將液晶材料注入上下基底8 〇 〇與7 〇 〇之間， 而形成一液晶層850。 根據上述製程，本發明亦提供了 一種液晶顯示裝置結 構。請參閱第8圖，本發明的液晶顯示裝置具有複數個晝 素區，每一畫素區包含一儲存電容結構999，而該畫素區 至少包括：互相對向之第一基底700與第二基底800，其間
0690-A50109-TWf(4.5) ； 92066 ； .ptd 第22頁 1261716 五、發明說明（19) 夾有一液晶層850 ;分離的一導體層720形成於該第一基底 700上；一絕緣層768(即介電層730與鈍化層760的合稱）覆 蓋該第一基底70 0與該導體層720 ; —開口 972穿越該絕緣 層768而露出該導體層720 ; —第一透明導體層780形成於
部分該絕緣層7 6 8上，並重疊部分該導體層7 2 0 ; —第二透 明導體層7 8 2形成於部分該絕緣層7 6 8上，並填入該開口 972而電性連接該導體層720 ; —絕緣間隔層820形成於該 第二基底800的内側表面上，並延伸於該液晶層85〇中而用 以保持該液晶層8 5 0的厚度；以及當作是共通電極之一第 三透明導體層83 0順應地形成於該第二基底80 0與該絕緣間 隔層82 0上方，而電性連接該第一透明導體層78〇 ;其中， 該儲存電谷結構9 9 9係由該導體層7 2 0、該絕緣層7 6 8與該 第一透明導體層780所構成。 ” 請參閱第1 0 B圖，其顯示根據本發明第二實施例之變 化例（對應第9圖）的每一畫素區之等效電路圖。符號GL代 表閘極線，符號SL代表源極線，符號TFT代表薄膜電晶 體。 、 【本發明之特徵與優點】 本發明之特徵在於：形成 底上，該電容結構係由一第一 夾於其間之一介電層所構成， 層’第二金屬層電性連接畫素 上方而重疊部分第一金屬層 至少一儲存電容結構於下基 金屬層、一第二金屬層以及 第一與第二金屬層為分離 電極，並且位於第一金屬層 :、、、後’在上基底内側表面上
1261716 五、發明說明（20) 形成一絕緣間隔層，並延伸於液晶層+ 的厚度。接著，順應地形成共通電極於=以保持液晶層 層上，而電性連接第一金屬層。 土底與絕緣間隔 根據本發明，不需要製作習知般 能夠形成儲存電容於晝素中，因而能夠=伸之Cs線就 加畫素的開口率與解決習知問題。 知呵產品良率，增 雖然本發明已以較佳實施 限定本發明，任何熟習此技藝揭，如上，然其並非用以 和範圍内，當可作些許之更^ 在不脫離本發明之精神 範圍當視後附之申請專利範飾，因此本發明之保護 ^界定者為準。 0690-A50109-TWf(4.5) ； 92066 ； .ptd 第24頁 1261716 圖式簡單說明 第1 A圖係顯示習知液晶顯示裝置的部分平面圖； 第1 B圖係沿著第1 A圖中的1 B - 1 B線段之剖面圖； 第2圖係顯示根據本發明第一實施例之液晶顯示裝置 的部分平面圖； 第3圖係沿著第2圖中的3 - 3線段之剖面圖； 第4圖係顯示根據第一實施例的變化例一之液晶顯示 裝置的剖面圖； 第5圖係顯示根據第一實施例的變化例二之液晶顯示 裝置的部分平面圖； 第6 A圖係顯示根據第3圖的等效電路圖； 第6B圖係顯示根據第4圖的等效電路圖； 第7圖係顯示根據本發明第二實施例之液晶顯示裝置 的部分平面圖； 第8圖係沿著第7圖中的8-8線段之剖面圖； 第9圖係顯示根據第二實施例的變化例之液晶顯示裝 置的剖面圖； 第1 Ο A圖係顯示根據第8圖的等效電路圖；以及 第1 0B圖係顯示根據第9圖的等效電路圖。
0690-A50109-TWf(4.5) ； 92066 ； .ptd 第25頁 1261716 圖式簡單說明 1 2 0〜C s線； 1 3 0〜閘極絕緣層； 140〜半導體層； 1 5 0〜源極線； 1 5 2〜源極； 1 5 4〜没極； 1 5 5〜金屬層； 1 6 0〜絕緣層； 1 7 2、1 7 4 〜開口； 1 8 0〜畫素電極； 1 9 0〜C s斷線。 本案部分（第2〜1 0圖） 2 0 0、70 0〜下基底； 2 1 0、7 1 0〜閘極線； 2 1 5、7 1 5〜閘極； 22 0、25 5、72 0〜金屬層； 23 0、73 0〜介電層； 24 0、74 0〜半導體層； 2 5 0、7 5 0〜源極線； 2 5 2、7 5 2〜源極； 254、754〜没極； 260、760〜鈍化層； 2 6 8、7 6 8〜絕緣層；
0690-A50109-TWf(4.5); 92066 ; .ptd 第 26 頁 1261716 圖式簡單說明 272 、 274 、 276 、 474 、 772 、776 、972〜開 σ ; 280、780〜第一透明導體層； 282、782〜第二透明導體層； 290、340、790、840 〜配向膜； 3 0 0、8 0 0〜上基底； 3 1 0、8 1 ◦〜彩色濾光片； 315、815〜遮光層； 330、830〜第三透明導體層； 3 2 0、8 2 0〜絕緣間隔層； 3 5 0、8 5 0〜液晶層； 2 9 9、7 9 9、9 9 9〜儲存電容結構。
0690-A50109-TWf(4.5) ； 92066 ； .ptd 第 27 頁

Claims (1)

1261716 六、申請專利範圍 1. 一種液晶顯示裝置，具有複數個畫素區，每一晝素 區包括： 互相對向之第一與第二基底，其間夾有一液晶層； 至少一儲存電容結構位於該第一基底上，其中該儲存 電容結構係由一第一導體層、一第二導體層以及夾於其間 之一介電層所構成，該等第一與第二導體層為分離 (discrete)層，該第二導體層位於該第一導體層上方且重 疊部分該第一導體層； 一絕緣層覆蓋該第一基底與該儲存電容結構； 一第一開口穿越該絕緣層與該介電層而露出該第一導 體層； 一第二開口穿越該絕緣層而露出該第二導體層； 一第一透明導體層形成於部分該絕緣層上，並填入該 第一開口而電性連接該第一導體層； 一第二透明導體層形成於部分該絕緣層上，並填入該 第二開口而電性連接該第二導體層； 一絕緣間隔層形成於該第二基底的内側表面上，並延 伸於該液晶層中而用以保持該液晶層的厚度；以及 當作是共通電極之一第三透明導體層順應地形成於該 第二基底與該絕緣間隔層上，而電性連接該第一透明導體 層或該第二透明導體層。 2. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中 當該第三透明導體層電性連接該第一透明導體層時，該第 二透明導體層係當作是一晝素電極。
0690-A50109-TWf(4.5) ； 92066 ； .ptd 第28頁 1261716 六、申請專利範圍 3. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中 當該第三透明導體層電性連接該第二透明導體層時，該第 一透明導體層係當作是一晝素電極。 4. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中 該第一基底係包含有一薄膜電晶體的一玻璃基底。 5. 如申請專利範圍第4項所述之液晶顯示裝置，其中 該薄膜電晶體的閘極與該第一導體層係同時形成。 6. 如申請專利範圍第5項所述之液晶顯示裝置，其中 該薄膜電晶體的源/汲極與該第二導體層係同時形成。 7. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中 該絕緣層包括一純化層與一有機平坦層。 8. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中 該第二基底係包含有一彩色濾光片的一玻璃基底。 9. 如申請專利範圍第8項所述之液晶顯示裝置，其中 該彩色濾光片具有一遮光層，該遮光層對應於該絕緣間隔 層。 1 0.如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中 該等第一與第二導體層係位於該畫素區的部分周圍。 11. 一種液晶顯示裝置，具有複數個畫素區，每一畫 素區包含一儲存電容結構，而該晝素區包括： 互相對向之第一與第二基底，其間夾有一液晶層； 一分離的導體層形成於該第一基底上； 一絕緣層覆蓋該第一基底與該導體層； 一第一透明導體層形成於部分該絕緣層上，並重疊該
0690-A50109-TWf(4.5) ； 92066 ； .ptd 第29頁 χ 六 導 導 申請專利範圍 的第一部分； 第二透明導體層形成 的第二部分； ；°卩分該絕緣層上，並重疊該 插Sr办丄、、… 體：的第二部分， -.…一 二插塞穿越該絕緣層 連接該第1明導 ^中該導體層藉由該插塞而電 伸；絕緣間隔層形成於；ί二=導體層； 伸於該液晶層中而用以保二基底的内側表面上，並延 I當作是共通電極之二：液晶：的厚度；以及 第二基底與該维终門隐庶~透明導體層順應地形成於該 層； 、、4 a 9上，而電性連接該第二透明導體 其中， 各結構係由 成； 馬該插塞連接該第二透明導體層時，該儲存電 該導體層、該絕緣層與該第一透明導體層所構
其中， 谷結構係由 成0 當該插塞連接該第一透明導體層時，該儲存電 該導體層、該絕緣層與該第二透明導體層所構 1 2 ·如申請專利範圍第丨丨項所述之液晶顯示裝置，其 中該第一基底係包含有一薄膜電晶體的一玻璃基底。 1 3 ·如申請專利範圍第丨2項所述之液晶顯示裝置，其 中該第一透明導體層係當作是一畫素電極，並且電性連接 該薄膜電晶體。 田 1 4 ·如申請專利範圍第丨丨項所述之液晶顯示裝置，其 中該薄膜電晶體的閘極與該導體層係同時形成。 1 5 ·如申請專利範圍第1 1項戶斤述之液晶顯示裝置，其
0690-A50109-TWf(4.5) ； 92066 ； .ptd 第30頁 1261716 六、申請專利範圍 中該第二基底係包含有一彩色濾光片的一玻璃基底。 1 6.如申請專利範圍第1 5項所述之液晶顯示裝置，其 中該彩色濾光片具有一遮光層，該遮光層對應於該絕緣間 隔層。 1 7. —種液晶顯示裝置的製造方法，其步驟包括： 形成橫向延伸之一閘極線與分離的一第一金屬層於一 第一基底上，該閘極線具有一閘極； 形成一介電層覆蓋該閘極線、該第一金屬層與該第一 基底； 形成一半導體層於位在該閘極上方的該介電層上； 形成縱向延伸之一源極線於該介電層上，該源極線包 含一源極延伸至部分該半導體層上，並且同時形成一汲極 於部分該半導體層上以及形成分離的一第二金屬層於該介 電層上，其中該第一金屬層、一第二金屬層以及夾於其間 之該介電層係構成一儲存電容結構，該第二金屬層重疊部 分該第一金屬層； 全面性形成一絕緣層覆蓋該第一基底； 形成一第一開口穿越該絕緣層與該介電層而露出該第 一金屬層； 形成一第二開口穿越該絕緣層而露出該第二金屬層； 形成一第一透明導體層於部分該絕緣層上，並填入該 第一開口而電性連接該第一金屬層； 形成一第二透明導體層於部分該絕緣層上，並填入該 第二開口而電性連接該第二金屬層；
0690-A50109-TWf(4.5) ； 92066 ； .ptd 第 31 頁 1261716 六、申請專利範圍 心:供一第一基底，對向於該第 基底； 形成一液晶層夾於該第一基底與該第二基底之間； 形成一絕緣間隔層於該第二蟇底的内側表面上，並延 伸於該液晶層中而用以保持該液晶層的厚度；以及 順應地形成當作是共通電極之一第三透明導體層於該 弟一基底與该絕緣間隔層上，而電性連接該第一^透明導體 層或該第二透明導體層。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項戶斤述之液晶顯示裝置的製 造方法，其中當該第三透明導體層電性連接該第一透明導
0690-A50109-TWf(4.5) ； 92066 ； .ptd 第32頁 1261716 六、申請專利範圍 形成-畫素電極於部分該絕緣層上方 極，其中該畫素電極重疊該金屬層的第一部分，2該汲 地形成分離：-透明導體層形成於部分該絕緣層上:， 該金屬層的第二部分； 且重® 形成-插塞穿越該絕緣層而連接該金屬層， 麗層藉由該插塞而電性遠技#金I r ^ ± :征一签-莫：f 畫素電極或該透明導體層； 扼仏 第一基底，對向於該第一基底； 形成一液晶層夾於該第一基底與該第二基底之間； 形成一絕緣間隔層於該第二基底的内侧表面上，s並延 伸於該液晶層_而用以保持該液晶層的厚度；以及 順應地形成一共通電極於該第二基底與該絕緣間隔層 上，而電性連接該透明導體層。 2 1 ·如申請專利範圍第2 〇項所述之液晶顯示裝置的製 造方法，其中當該插塞連接該透明導體層時，一儲存電容 結構係由該金屬層、該絕緣層與該畫素電極所構成。 2 2 ·如申睛專利範圍第2 〇項所述之液晶顯示裝置的製 造方法，其中當該插塞連接該畫素電極時，一儲存電容結 構係由該金屬層、該絕緣層與該透明導體層所構成。 «
0690-A50109-TWf(4.5) ； 92066 ； .ptd 第33頁
TW093113442A 2004-05-13 2004-05-13 Liquid crystal display apparatus and fabrication thereof TWI261716B (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW093113442A TWI261716B (en) 2004-05-13 2004-05-13 Liquid crystal display apparatus and fabrication thereof
US10/923,627 US7113234B2 (en) 2004-05-13 2004-08-20 Liquid crystal display without storage capacitance electrode lines
JP2005141428A JP4275649B2 (ja) 2004-05-13 2005-05-13 保持容量電極ラインを有しない液晶表示装置
US11/379,580 US7430023B2 (en) 2004-05-13 2006-04-21 Liquid crystal display without storage capacitance electrode lines

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW093113442A TWI261716B (en) 2004-05-13 2004-05-13 Liquid crystal display apparatus and fabrication thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200537219A TW200537219A (en) 2005-11-16
TWI261716B true TWI261716B (en) 2006-09-11

Family

ID=35309059

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW093113442A TWI261716B (en) 2004-05-13 2004-05-13 Liquid crystal display apparatus and fabrication thereof

Country Status (3)

Country Link
US (2) US7113234B2 (zh)
JP (1) JP4275649B2 (zh)
TW (1) TWI261716B (zh)

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8228308B2 (en) 2008-07-04 2012-07-24 Tsinghua University Method for making liquid crystal display adopting touch panel
US8237673B2 (en) 2007-12-14 2012-08-07 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8237674B2 (en) 2007-12-12 2012-08-07 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8237670B2 (en) 2007-12-12 2012-08-07 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8237672B2 (en) 2007-12-14 2012-08-07 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8237671B2 (en) 2007-12-12 2012-08-07 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8237675B2 (en) 2007-12-27 2012-08-07 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8237668B2 (en) 2007-12-27 2012-08-07 Tsinghua University Touch control device
US8237669B2 (en) 2007-12-27 2012-08-07 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8243030B2 (en) 2007-12-21 2012-08-14 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8243029B2 (en) 2007-12-14 2012-08-14 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8248379B2 (en) 2007-12-14 2012-08-21 Tsinghua University Touch panel, method for making the same, and display device adopting the same
US8248377B2 (en) 2007-10-23 2012-08-21 Tsinghua University Touch panel
US8248380B2 (en) 2007-12-14 2012-08-21 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8248381B2 (en) 2007-12-12 2012-08-21 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8248378B2 (en) 2007-12-21 2012-08-21 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8253701B2 (en) 2007-12-14 2012-08-28 Tsinghua University Touch panel, method for making the same, and display device adopting the same
US8253700B2 (en) 2007-12-14 2012-08-28 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8260378B2 (en) 2008-08-22 2012-09-04 Tsinghua University Mobile phone
US8325145B2 (en) 2007-12-27 2012-12-04 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8325146B2 (en) 2007-12-21 2012-12-04 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8325585B2 (en) 2007-12-12 2012-12-04 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8346316B2 (en) 2008-08-22 2013-01-01 Tsinghua University Personal digital assistant
US8363017B2 (en) 2007-12-12 2013-01-29 Beijing Funate Innovation Technology Co., Ltd. Touch panel and display device using the same
US8390580B2 (en) 2008-07-09 2013-03-05 Tsinghua University Touch panel, liquid crystal display screen using the same, and methods for making the touch panel and the liquid crystal display screen
US8411044B2 (en) 2007-12-14 2013-04-02 Tsinghua University Touch panel, method for making the same, and display device adopting the same
US8502786B2 (en) 2007-10-23 2013-08-06 Tsinghua University Touch panel
US8542212B2 (en) 2007-12-12 2013-09-24 Tsinghua University Touch panel, method for making the same, and display device adopting the same
US8574393B2 (en) 2007-12-21 2013-11-05 Tsinghua University Method for making touch panel
US8585855B2 (en) 2007-12-21 2013-11-19 Tsinghua University Method for making touch panel
US9040159B2 (en) 2007-12-12 2015-05-26 Tsinghua University Electronic element having carbon nanotubes
US9077793B2 (en) 2009-06-12 2015-07-07 Tsinghua University Carbon nanotube based flexible mobile phone

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI301554B (en) * 2005-11-16 2008-10-01 Prime View Int Co Ltd Electronic ink display device
KR20070074891A (ko) * 2006-01-11 2007-07-18 삼성전자주식회사 컬러 필터 기판 및 이를 포함한 액정 표시 패널
US7554644B2 (en) * 2006-01-27 2009-06-30 Tpo Displays Corp. LCD panel having capacitor disposed over or below photo spacer with active device also disposed between the photo spacer and a substrate, all disposed over opaque region of display
JP5116324B2 (ja) * 2006-03-15 2013-01-09 三星電子株式会社 表示装置とその製造方法
CN103698944B (zh) * 2006-09-29 2016-12-28 株式会社半导体能源研究所 半导体设备
KR101299646B1 (ko) * 2006-10-12 2013-08-26 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이의 제조방법
TWI356260B (en) * 2007-04-02 2012-01-11 Chimei Innolux Corp Liquid crystal panel
CN101676832B (zh) * 2008-09-19 2012-03-28 清华大学 台式电脑
CN101620454A (zh) * 2008-07-04 2010-01-06 清华大学 便携式电脑
US9341896B2 (en) 2008-01-21 2016-05-17 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
KR101443856B1 (ko) 2008-01-21 2014-09-25 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그에 포함되는 액정 조성물
TWI372899B (en) * 2008-08-01 2012-09-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Connecting structure between display panel and flexible printed circuit board
JP4945551B2 (ja) * 2008-12-26 2012-06-06 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
TWI418903B (zh) * 2009-09-30 2013-12-11 Au Optronics Corp 陣列基板及其製造方法
TWI408449B (zh) * 2009-11-03 2013-09-11 Wintek Corp 液晶顯示面板
CN102346340B (zh) * 2010-08-03 2014-06-18 胜华科技股份有限公司 液晶显示面板
CN102681276B (zh) * 2012-02-28 2014-07-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法以及包括该阵列基板的显示装置
CN103325732B (zh) * 2013-06-28 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 一种coa基板及其制造方法、显示装置
JP6133173B2 (ja) * 2013-08-29 2017-05-24 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US9766517B2 (en) * 2014-09-05 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and display module
CN110112145B (zh) * 2015-01-21 2023-08-29 群创光电股份有限公司 显示装置
CN105866995B (zh) * 2016-05-27 2019-07-19 厦门天马微电子有限公司 一种压力触控显示面板、显示装置及制备方法
CN106898577A (zh) * 2017-03-23 2017-06-27 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN109952532B (zh) * 2017-08-08 2022-04-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置和制造阵列基板的方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3014291B2 (ja) * 1995-03-10 2000-02-28 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液晶表示パネル、液晶表示装置及び液晶表示パネルの製造方法
US6888608B2 (en) * 1995-09-06 2005-05-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display device
JPH10268356A (ja) 1997-03-28 1998-10-09 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP3401589B2 (ja) * 1998-10-21 2003-04-28 株式会社アドバンスト・ディスプレイ Ｔｆｔアレイ基板および液晶表示装置
JP3285011B2 (ja) * 1999-07-14 2002-05-27 日本電気株式会社 液晶表示装置
JP2001075074A (ja) * 1999-08-18 2001-03-23 Internatl Business Mach Corp <Ibm> タッチセンサ一体型液晶表示素子
TW573190B (en) * 2000-08-14 2004-01-21 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display and fabricating method thereof
US7286204B2 (en) * 2003-03-28 2007-10-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Spacers for display devices
JP4876470B2 (ja) * 2005-07-29 2012-02-15 三菱電機株式会社 表示素子

Cited By (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8248377B2 (en) 2007-10-23 2012-08-21 Tsinghua University Touch panel
US8502786B2 (en) 2007-10-23 2013-08-06 Tsinghua University Touch panel
US9040159B2 (en) 2007-12-12 2015-05-26 Tsinghua University Electronic element having carbon nanotubes
US8363017B2 (en) 2007-12-12 2013-01-29 Beijing Funate Innovation Technology Co., Ltd. Touch panel and display device using the same
US8237674B2 (en) 2007-12-12 2012-08-07 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8237670B2 (en) 2007-12-12 2012-08-07 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8248381B2 (en) 2007-12-12 2012-08-21 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8237671B2 (en) 2007-12-12 2012-08-07 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8542212B2 (en) 2007-12-12 2013-09-24 Tsinghua University Touch panel, method for making the same, and display device adopting the same
US8325585B2 (en) 2007-12-12 2012-12-04 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8237672B2 (en) 2007-12-14 2012-08-07 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8243029B2 (en) 2007-12-14 2012-08-14 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8248379B2 (en) 2007-12-14 2012-08-21 Tsinghua University Touch panel, method for making the same, and display device adopting the same
US8248380B2 (en) 2007-12-14 2012-08-21 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8237673B2 (en) 2007-12-14 2012-08-07 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8253701B2 (en) 2007-12-14 2012-08-28 Tsinghua University Touch panel, method for making the same, and display device adopting the same
US8253700B2 (en) 2007-12-14 2012-08-28 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8411044B2 (en) 2007-12-14 2013-04-02 Tsinghua University Touch panel, method for making the same, and display device adopting the same
US8243030B2 (en) 2007-12-21 2012-08-14 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8574393B2 (en) 2007-12-21 2013-11-05 Tsinghua University Method for making touch panel
US8325146B2 (en) 2007-12-21 2012-12-04 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8248378B2 (en) 2007-12-21 2012-08-21 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8585855B2 (en) 2007-12-21 2013-11-19 Tsinghua University Method for making touch panel
US8237668B2 (en) 2007-12-27 2012-08-07 Tsinghua University Touch control device
US8237669B2 (en) 2007-12-27 2012-08-07 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8325145B2 (en) 2007-12-27 2012-12-04 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8237675B2 (en) 2007-12-27 2012-08-07 Tsinghua University Touch panel and display device using the same
US8237679B2 (en) 2008-07-04 2012-08-07 Tsinghua University Liquid crystal display screen
US8237680B2 (en) 2008-07-04 2012-08-07 Tsinghua University Touch panel
US8237677B2 (en) 2008-07-04 2012-08-07 Tsinghua University Liquid crystal display screen
US8228308B2 (en) 2008-07-04 2012-07-24 Tsinghua University Method for making liquid crystal display adopting touch panel
US8390580B2 (en) 2008-07-09 2013-03-05 Tsinghua University Touch panel, liquid crystal display screen using the same, and methods for making the touch panel and the liquid crystal display screen
US8411051B2 (en) 2008-07-09 2013-04-02 Tsinghua University Liquid crystal display screen
US8411052B2 (en) 2008-07-09 2013-04-02 Tsinghua University Touch panel, liquid crystal display screen using the same, and methods for making the touch panel and the liquid crystal display screen
US8260378B2 (en) 2008-08-22 2012-09-04 Tsinghua University Mobile phone
US8346316B2 (en) 2008-08-22 2013-01-01 Tsinghua University Personal digital assistant
US9077793B2 (en) 2009-06-12 2015-07-07 Tsinghua University Carbon nanotube based flexible mobile phone

Also Published As

Publication number Publication date
US20050253991A1 (en) 2005-11-17
JP4275649B2 (ja) 2009-06-10
US7430023B2 (en) 2008-09-30
JP2005338818A (ja) 2005-12-08
US7113234B2 (en) 2006-09-26
TW200537219A (en) 2005-11-16
US20060187369A1 (en) 2006-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI261716B (en) Liquid crystal display apparatus and fabrication thereof
US9280026B2 (en) Pixel structure and display panel
US6893908B2 (en) Thin film transfer array substrate for liquid crystal display and method for fabricating same
US20100044708A1 (en) Thin film transistor, pixel structure and fabrication methods thereof
US7435629B2 (en) Thin film transistor array panel and a manufacturing method thereof
US7741641B2 (en) TFT substrate and display device having the same
KR100913819B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조방법
US20160111446A1 (en) Pixel structure and manufacturing method thereof
US8187929B2 (en) Mask level reduction for MOSFET
TW200426483A (en) TFT LCD and manufacturing method thereof
US8405082B2 (en) Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof
WO2018209761A1 (zh) 阵列基板及其制造方法、液晶显示面板
KR101525883B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
US20070262347A1 (en) Display substrate, method for manufacturing the same and display apparatus having the same
JP2015145908A (ja) 表示装置
JP2007065150A (ja) 液晶表示装置
US8288212B2 (en) Pixel structure of a thin film transistor liquid crystal display and fabricating method thereof
US7923312B2 (en) Fabricating method of thin film transistor
US9153603B2 (en) Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same
US20180335676A1 (en) An array substrate and a method for fabricating the same, a liquid crystal display panel
TWI445176B (zh) 薄膜電晶體陣列面板及其製造方法
JPH11326941A (ja) アクティブマトリクス表示装置
CN109937484B (zh) 薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制造薄膜晶体管的方法
KR20060102172A (ko) 박막 트랜지스터 표시판
US20040201808A1 (en) Liquid crystal display and method of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees