TWI260402B - Shearing interferometer with dynamic pupil fill - Google Patents
Shearing interferometer with dynamic pupil fill Download PDFInfo
- Publication number
- TWI260402B TWI260402B TW094115639A TW94115639A TWI260402B TW I260402 B TWI260402 B TW I260402B TW 094115639 A TW094115639 A TW 094115639A TW 94115639 A TW94115639 A TW 94115639A TW I260402 B TWI260402 B TW I260402B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- diffraction pattern
- pupil
- scanning
- plane
- optical system
- Prior art date
Links
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 title claims abstract description 44
- 238000010008 shearing Methods 0.000 title abstract description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 60
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims abstract description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 101100065715 Lytechinus variegatus ETS-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000002660 anti-spreading effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000010076 replication Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
- G01J9/02—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods
- G01J9/0215—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods by shearing interferometric methods
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
1260402 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關微影系統,特別有關測量微影系統中的 波前參數。 【先前技術】 光刻爲被使用來產生外貌特徵於基板之表面上的程序 Φ ,這樣的基板能夠包含那些在平板顯示器、電路板、各種 積體電路等等之製造上所使用的基板,這樣的應用所常常 使用的基板爲半導體基板,習於相關技術者將會察覺到在 . 此的敘述也將可應用到其他類型的基板。 在光刻期間,晶圓,其係置於晶圓台(WS )上,係 藉由位於光刻系統內之曝光系統而曝光於投射在晶圓之表 面上的影像,此曝光系統包含用以投射影像於晶圓上的光 罩(也被稱爲遮罩)。 • 光罩經常被安裝於光罩台(RS )上,且通常係位在晶 圓與光源之間。在微影中,光罩被用作,舉例來說,用來 印刷電路於晶圓上的光遮罩。光刻光照射經過遮罩’而後 通過一序列使影像縮小的光學透鏡’此小的影像然後被投 射在晶圓上。此程序係類似於照相機如何使光彎曲而形成 影像於膜上,光在光刻程序中扮演積分的角色’舉例來說 ,在微處理器(也被稱爲電腦晶片)的製造方面’產生更 強而有力之微處理器的關鍵爲光之波長的大小’波長愈短 ,電晶體愈能夠被形成在晶圓上。具有許多電晶體之晶圓 (2) 1260402 導致更強而有力、更快速的微處理器。 隨著晶片製造商已經能夠使用較短波長的光, 經遭遇到較短波長的光變成被打算來使光聚焦之玻 收的問題。由於較短波長之光的吸收,光未能到達 。結果,沒有任何電路圖案被產生在矽晶圓上。企 此問題,晶片製造商發展出被稱爲爲超紫外光 EUVL )的光刻程序,在此程序中,能夠以鏡來代 φ 透鏡。 測量波前之不想要的擾動(常常被稱爲波前像 問題對於光刻應用來說爲永續的問題,這些波前像 因於各種物理致因,例如,由於機械位移或變形的 發生光學元件(透鏡或鏡子)之折射或反射特性上 ,或者由於加熱所導致之光學元件之光學特性上的 或光。特別是,想要測量在晶圓生產及曝光期間微 中的波前品質,而不是必須,其增加所有權的成本 # 產量或引進一些其他類型的無效率。 【發明內容】 本發明係有關具有動態光瞳塡充之剪切干涉儀 施上防止習知技術之一或多個問題和缺點。 本發明之貫施例包含波前測量系統,其包含電 源。照明系統將電磁輻射輸送至物平面,物體產生 案,且係位於物平面上。投影光學系統將物體之影 在影像平面上’偵測器接收來自影像平面之條紋圖 他們已 璃所吸 石夕晶圓 圖克服 光刻( 替玻璃 差)的 差係起 結果而 的改變 改變, 影工具 ,減少 ,其實 磁輻射 繞射圖 像投射 案,繞 -6- (3) 1260402 射圖案被掃描越過於投影光學系統的光瞳上。 本發明之另一實施例包含一具有輸送在物平面處之電 磁輻射之照明系統的波前測量系統,電磁輻射束源係在物 平面上。投影光學系統將射束投射在影像平面上,偵測器 接收來自影像平面之條紋圖案,繞射圖案被掃描越過於投 影光學系統的光瞳上。 本發明之另一實施例包含一測量光學系統之波前的方 • 法,其包含產生電磁輻射於源處;將電磁輻射輸送至光學 系統之物平面;產生繞射圖案於物平面上;掃描繞射圖案 越過於投影光學系統的光瞳上;接收源之影像而同時掃描 繞射圖案;以及決定來自影像之波前參數。 本發明之其他特徵及優點將被提出於下面的說明中, 且一部分將可從說明中變得明顯,或者可以藉由本發明的 實施來予以學習,本發明之優點將藉由該結構來予以實現 及取得,並且特別被指出於書寫的說明及其申請專利範圍 Φ 以及附加之圖形中。 將會了解到前面的一般說明和下面的詳細說明兩者係 代表性及說明性的,且意欲提供如同所主張之本發明的進 一步解釋。 【實施方式】 現在將對本發明之實施例做出詳細的說明,且其實例 被例舉於伴隨的圖形中。 藉由發射自物平面上之相對應場點之球面波波前的像 (4) 1260402 差來特徵化投影光學裝置(PO )的場依賴像差係便利的, 各種干涉度量技術能夠被用來測量此球面波的像差,根據 和剪切光柵匹配之物體-平面光栅重疊之物平面中之擴展 非相干源的剪切干涉度量法被敘述於I. Braat及Α.】·Ε.Μ. Janssen,Improved Ronchi test with Extended Source,J. Opt. Soc. Am. A,Vol· 16,No. 1,pp.131-140, January, 1 999,其在此並倂入當作參考資料。又,由Nanlleau等人 籲 所提出之論文,Static Microfield Printing at ALS with the ETS-2 Set Optic,Proc. SPIE 4688,64-7 1 ( 2002 ) ( http://goldberg.lbl.gov/papers/Naulleau_SPIE_4688 ( 2 0 0 2 ).pdf ),其在此並倂入當作參考資料,敘述爲了在以照 明係相干之同步加速光源印刷期間控制局部相干所實施之 用於EUV的動態光瞳塡充照明系統。 圖1例舉依據本發明之微影系統100,系統100包含 照明源105、聚光透鏡102、擴展物體103 (位於物平面上 # )、具有光瞳105之投影光學裝置104、影像平面剪切光 柵106、偵測器透鏡107、及CCD偵測器108,配置如圖 形中所示,這些元件將被進一步說明於下。 光柵1 06包含透射和不透明區域兩者,不透明區域能 夠是由吸引輻射之材料所形成的(舉例來說,在EUV光 刻的情況中用於1 3 . 5 nm曝光波長,或者在使用更長之波 長的情況中的光學輻射),例如,鎳、鉻、或其他金屬。 也將可領會到,雖然本發明係可應用於使用折射光學 元件(例如,投影光學裝置1 〇4、及成像光學裝置)的光 -8- (5) 1260402 刻系統,但是本發明亦可應用於使用其他波長的系統,且 視需要而使用適當的透射/折射組件來代替反射組件。 光柵106也能夠包含反射(或不透明)區域。這些反 射區域能夠是由吸引輻射之材料所形成的(舉例來說,用 於1 3 · 5 n m曝光波長),例如,鎳、鉻、或其他金屬。 光柵1 〇 6的間距被選擇來提供適當的剪切比,其中, C CD偵測器1 08係在條紋平面中(亦即,在系統之焦點或 • 影像平面的下方),且”看見”條紋的圖案(干涉圖)或者 許多重疊的圓圈,如同將在下面做進一步討論的。剪切比 爲兩個圓圈之重疊的測量,其中,零的剪切比表示完美的 重疊。也注意到,希望CCD偵測器108僅”看見”第0階 與第+ 1及-1階的繞射影像,並且消除第+2及-2階的繞射 影像。此外,擴展物體1 03被建構來幫助消除不想要的階 ,但是,不管透射和反射區域的任何一個圖案被使用,它 是規則的圖案係重要的。 # 源模組光柵203的間距也最好被選擇來匹配剪切光柵 的間距,以便將光瞳中的光重新分配於那些將由於剪切而 互相重疊的位置。 圖2及圖3例舉基準波前和橫向剪切干涉儀2 1 0中的 剪切。橫向剪切干涉儀210和其本身干涉波前,或者另一 種說法,其和其本身干涉波前的偏移複製。如圖2及圖3 所示,位於影像平面中之光柵1 06用作剪切干涉儀,並產 生具有波前21 1 A的透射波204,及具有波前21 1B的繞射 基準波205。因此,橫向剪切干涉儀210產生一或多個表 (6) 1260402 觀源,它們的波前2 1 1 A , 2 1 1 B干涉而產生條紋2 1 2。 圖4例舉如同由CCD偵測器1 08所看見之波前條紋 (圖2中之212A,2KB )。如圖4所示,在右上方的照片 中,顯示出單一物體空間狹縫的剪切條紋,其中,狹縫係 位於非相干、散射源的前面,而非相干、散射源塡充最大 的數値孔徑且使任何的不均勻性平滑。右下方的圖形顯示 具有第〇階圖案402和第1階繞射圖案403的條紋可見度 0 函數401,光柵106的5 0°/。工作周期使得所有偶數階的繞 射圖案不可見。在圖4的左下方,顯示出影像空間剪切光 柵106,具有0.5的剪切比。 實際上,用”擴展物體1 0 3 ”來代替源點(1 〇 1 ),以增 加光通過量,藉由被使用來測量干涉圖之偵測器裝置的可 用照明功率及靈敏度來控制擴展物體1 03的最小尺寸。根 據投影光學裝置104之物體側數値孔徑(NA)和光通過 量要求,常常是來自擴展物體103之繞射圖案的角寬度相 # 較於Ρ〇 1 04之物體側ΝΑ係小的情況。在此情況中,大 部分來自此物體的光結果被集中在Ρ Ο 1 0 4光瞳1 0 5的小 面積之內。甚至對於投影光學裝置104的最高光瞳塡充來 說,光瞳1 0 5仍未被完全塡充,如同對於完全像差測量來 說係較佳的。在此情形下,波前測量方法對發生在光瞳 1 05之相對小的照明區之外的ΡΟ 1 04像差將會具有非常少 的靈敏度。因此,或多或少均勻地塡充Ρ Ο 1 04的光瞳1 0 5 係較佳的。 因此,測量波前像差的問題必須平衡兩個競爭之利害 -10- (7) 1260402 關係:塡充整個光瞳1 〇5 (但是以非常低強度的成本), 或者具有足夠的強度,但是僅對小部分的光瞳1 05。 下面的方法能夠被用來確保在剪切干涉度量法中所想 要的光瞳塡充: (1 ) 引導透射圖案進匹配剪切光柵(例如,倫奇( Ronchi)光柵)的擴展物體103內,且提供擴展物體103 的完全非相干照明[見Baselmans,supra];以及 # ( 2 ) 將擴展之非相干源放進物平面內(藉由使用物 平面中的臨界照明或擴散器),且將其和匹配剪切光柵之 倫奇(Ronchi)光柵重置[見Baselmans等人,supra]。 這些方法會有幾個問題。 (1 ) 由於有效光源之剩餘相干性(此應用於方法1 及2 )或者由於物平面擴散器元件的有限大小尺寸(此應 用於方法2 )而發生所測量之干涉圖的斑點擾動,此斑點 擾動對所測量之干涉圖增添高頻強度變動,導致波前測量 # 誤差; (2 ) 在測量期間之切換至特殊照明模式(此應用於 方法1及2)的需要使波前測量程序複雜;以及 (3 ) 顯著部分的光係繞射自離開光瞳1 〇 5之擴展物 體103,且並不參與剪切之干涉圖的形成。 本發明因此應用於當需要確保所需之光通過量之擴展 物體1 03的大小尺寸係使得繞射圖案的特性寬度爲遠小於 PO 104之物體側NA時,亦即,λ /擴展物體大小尺寸 <<ΝΑ物體。 -11 - (8) 1260402 由擴展物體1 〇 3的光塡充能夠被動態地達成。在干 涉圖的測量期間,擴展物體1 03能夠被動態地修改,使得 來自此物體之繞射圖案掃描越過於整個入射光瞳1 〇 5上。 測量經剪切之干涉圖的C C D偵測器1 〇 8積分(或加總) 發生在測量之程序中的瞬時干涉圖。 藉由使用反射元件,例如,傾斜鏡,或者藉由使用具 有變動斜率及/或抵著孔徑而移動之其他特性(例如,拋 φ 物面透鏡或球面透鏡)的折射物體,能夠實施擴展物體 1 〇 3的動態修改。 ^ 上述反射及透射之擴展物體使用在擴展物體103內或 越過擴展物體1 03上,藉由線性地變動複合反射率/透射 率所感應之光的動態相位變化。但是,任意的(非線性) 相位變化效應也能夠被使用來動態地塡充光瞳丨05。許多 對習於此技藝者眾所周知的實際配置有可能用來實現如此 之任意的非線性相位變化,舉例來說,它們能夠藉由使用 0 擴展之移動物體來予以達成,且其結構改變於其內或者越 過於其上’及/或動態地變形,及/或動態地修改(例如, 使用空間光調變器)。動態引導之相位變化的其他可能實 現能夠包含形成於透射或反射性可撓基板上的擴散器圖案 ’而透射或反射性可撓基板能夠被實際地變形,包含塑膠 '壓電材料、及其應力係藉由致動器來予以感應之應力-雙折射材料、等等。 @非使用非常小的剪切,否則在上面方法的任一方法 中’擴展物體丨03必須具有透射比圖案(匹配剪切光柵之 -12- 1260402 Ο) 物平面倫奇(Ronchi )光柵)疊置於其上,以便在光瞳 1 〇5中提供額外的光之重新分配,如同在上面所引述之 Bratt等人和Baselmans中所述的。 動態修改被實施而使得在擴展物體內的透射比函數具 有相位之時間相依的線性變化,其確保來自擴展物體的繞 射圖案係偏移於光瞳1 05之內,在測量的動作期間動態地 掃掠光瞳1 〇 5。 藉由記錄橫越於CCD偵測器108平面上之能量分布 的CCD偵測器108來實施干涉圖的測量,CCD偵測器108 能夠積分時變強度於偵測器1 08平面中的每一點處,以 便在測量的動作期間收集足夠數目的光子。在現今的波前 感測器(像是CCD偵測器108 )中所使用之CCD陣列滿 足此要求。 如同上面所注意到的,擴展物體1 0 3的動態修改能夠 藉由任何數目的機構來予以達成,舉例來說,可以使用反 # 射之擴展物體103,這種反射之擴展物體103的例子包含 (1 ) 傾斜平鏡能夠和一孔徑結合使用,或者僅具有 爲反射性之大傾斜物體的小扁平部分。相對大的傾斜鏡相 較於微鏡較容易控制(例如,傾斜或旋轉),在此情況中 之擴展物體1 03和傾斜平鏡重疊,如圖9所示。 (2 ) 傾斜微鏡(例如,距離空間光調變器(SLM ) 陣列的鏡)能夠被用作整個擴展物體1 〇3 (見圖9 )。爲 了掃掠光瞳1 〇 5,微鏡必須傾斜於物平面上的兩個軸中, -13- (10) 1260402 如果微鏡僅能夠傾斜於一個軸中,則其能夠繞著垂直於物 平面之軸旋轉,因此致使2D光瞳105的錐形掃掠。實際 上,這樣的情況很少見。 (3 ) 具有反射面之變動斜率的反射物體,例如,拋 物面或球面透鏡,其係線性移動在小的孔徑之後,能夠被 用作整個擴展物體1 0 3。 注意’在反射元件被用來掃描繞射圖案越過於光瞳 φ 1 〇 5上的情況中,它們不需要一直位於物平面處,舉例來 說,平傾斜鏡能夠位在物平面與Ρ Ο 1 0 4的光瞳1 0 5之間 (也作用來折疊系統的光軸)。 擴展物體1 03也能夠係透射的,在該情況中,動態的 光瞳塡充能夠藉由移動折射元件(具有其其中一表面(例 如,球面或拋物面透鏡)之變動斜率抵著小的孔徑)來予 以達成’如圖8所示。透射光柵也能夠被使用,使得光柵 上的不同區域具有不同的光柵間距,且光柵係線性地移動 # 於其平面(亦即,垂直於電磁輻射之傳遞的方向)上,以 便改變射束的方向(亦即,掃描其越過於光瞳1 0 5上)。 了解到根據所使用之特別類型之擴展物體1 〇 3、光瞳1 0 5 的大小尺寸及掃描方式,當繞射圖案係正被掃描越過於光 瞳1 05上時,維持適當的焦點於影像平面中可能會變成問 題。然而’目前相信雖然較佳維持焦點,但是,一點散焦 係可接受的。 除非使用非常小的剪切,否則在上面實施的任一實施 中’擴展物體1 03必須具有透射比圖案(匹配剪切光柵之 -14- (11) 1260402 物平面倫奇(Ronchi )光柵)疊置於其上,以便在光瞳 1〇5中提供額外的光之重新分配,如同在上面所引述之 Bratt等人和Baselmans中所述的。除此之外,上面物體 的任何一者最好係可平移於兩個橫向維中,以較佳在剪切 干涉儀測量中完成條紋的相位偏移讀出。 藉由CCD偵測器108所測量之最終的剪切干涉圖係 起因於大部分集中在光瞳105之小部分內的光之瞬時剪切 φ 干涉圖之時間上的積分的結果,瞬時剪切干涉圖可以僅在 由干涉折射階所形成之偵測器平面中之光瞳影像的相對小 部分內具有高對比干涉條紋,藉由CCD偵測器108所測 量之它們的時間積分在越過整個光瞳105上具有定義良好 的干涉條紋,其能夠被使用(典型上結合相位-步進( phase-stepping))來計算波前像差。 這是由於上述動態的光瞳塡充係等同於對應於和動態 移動一起摺積分之真正源(源掃描)的恆定源的使用。因 # 此,不管來自真正源之照明的相干程度,有效源提供充分 相干的照明。 圖5例舉本發明之理論基礎,其係以有點風格化、示 意的方式顯示光學曝光系統。此圖形係有關使用物平面中 的針孔,以便產生塡充光瞳1 0 5之球面波,且其像差係藉 由剪切干涉儀來予以測量。如圖5所示,從此圖形的頂部 走到底部,來自光源之光走經過聚光透鏡1 02,而後經過 具有針孔的物平面,在投影光學裝置104之光瞳105處之 場的數値大小係以圖A來予以顯示,其中,以”f”表示光 -15- (12) 1260402 瞳105座標。光然後被聚焦於影像平面605上,然後通過 選項的偵測器投影光學裝置1 ,且被偵測器1 所偵測 於偵測器平面上。圖B顯示由剪切光柵所形成之第-1及 +1繞射階的數値大小,其係位於影像平面605上。圖C 顯示起因於從剪切光柵算起之繞射階的干涉圖。注意,可 見的影像變動係由於出現在最終干涉圖中之像差(相位變 動)。 圖6顯示在干涉圖中繞射的數値大小如何排序及改變 ,當擴展物體1 03係置於僅塡充光瞳1 05之一小部分的物 平面上,導致在對應於擴展物體1 03的剪切繞射圖案之非 重疊波峰內,在偵測器平面中所觀察到之非常小(可忽略 )對比的干涉圖條紋。如同在圖5中,圖6中之圖A顯不 在投影光學裝置104之光瞳105處之場的數値大小,具有 光瞳座標”f”。圖B顯示當擴展物體103出現於影像平面 上時,由剪切光柵106所形成之第0、-1及+1繞射階的數 • 値大小。圖C顯示起因於從剪切光柵算起之繞射階的干涉 圖。因爲繞射階重疊地不夠充分,所以合成的干涉圖僅軟 弱地依賴於波前像差。 圖7例舉藉由倫奇(Ronchi)光柵來調變擴展物體 103的效應,其將光瞳105中之光重新分配到那些將由於 剪切的結果而互相重疊的位置。如同圖5及圖6的情形一 樣,圖A顯示在投影光學裝置104之光瞳105中之場的數 値大小,圖B顯示由剪切光柵106所形成之第0、+1及-1 繞射階的數値大小,及圖C顯示來自從剪切光栅和匹配之 -16- (13) 1260402 倫奇(Ronchi )光柵算起之繞射階的合成干涉圖。由於第 〇、+ 1及-1繞射階間之重疊的結果,在重疊區域中(波峰 內)之干涉圖強烈地依賴於波前像差。 圖8係可以被使用於本發明中之光學元件配置的另一 舉例說明,亦即,使用移動折射物體之動態的光瞳塡充。 圖8之例舉主要可應用於透射之擴展物體1 〇3,舉例來說 ,如圖8所示,能夠使用透射倫奇(R0nchi )光柵,且折 # 射物體具有係抵著物平面而移動的變動斜率。圖8之右下 方的圖表例舉合成有此配置之干涉圖,注意,折射物體, 如同上面所注意到的,舉例來說,可以是正抵著小孔徑而 # 移動的球面或拋物面透鏡。 圖9係使用傾斜反射倫奇(RonChi )光柵901之動態 光瞳塡充的另一舉例說明,且未顯示出射束圖案。如圖9 所示’也可能需要射束***器902,反射之擴展物體103 (在此情況中爲倫奇(Ronchi)光柵901)係置於傾斜鏡 # 上。右下方的圖形例舉合成的干涉圖圖案,大的傾斜鏡能 夠和一孔徑結合使用,或者能夠僅具有小且扁平的部分, 或者能夠是被做成反射性之大傾斜物體的小扁平部分。相 對大的鏡子,或較大的物體,相較於微鏡係較爲容易處理 (換g之’傾斜或旋轉)。在此情況中之擴展物體1 0 3將 會和大的傾斜鏡重疊,如圖9所示。 又’傾斜微鏡(例如,使用空間光調變器陣列中的鏡 子)可以被用作整個擴展物體1〇3。 本發明具有優於習知系統的許多優點,舉例來說,動 -17- (14) 1260402 態的光瞳塡充去除了對物平面中之擴散器的需要(例如, 在EUV波前感測器中),因此,導致去除或減少斑點-感 應之波前測量誤差。 動態的光瞳塡充也去除了在波前測量期間之切換至特 殊照明模式的需要,在曝光期間所使用之相同的照明模式 能夠被用來實施波前測量。(但是,其中一者仍須適當地 定位光罩台,且其上具有傾斜鏡。) φ 動態的光瞳塡充也致使”緊密地,,塡充PO光瞳105, 因此’顯著減少隨著其他方法而發生之光的損失。如果需 要或想要的話,則動態的光瞳塡充僅致使取樣感興趣之 . P 0光瞳的部分。 習於此技藝者將會了解,各種形式上的改變及詳細內 容可以被做成於其中,而沒有違離本發明之精神及範疇, 如同在附加之申請專利範圍中所界定的。因此,本發明之 闊度及範疇不應該被上述代表性實施例的任何一個所限定 # ’而是應該僅依據下面的申請專利範圍和它們等同之物來 予以界定。 【圖式簡單說明】 伴隨之圖形,其被包含來例舉本發明之代表性實施例 ,且被倂入及構成此說明書的一部分,例舉本發明之實施 例,並且和說明一起用來解釋本發明之原理。在圖形中: 圖1顯示本發明的一部分代表性微影系統。 圖2及圖3例舉使用干涉儀來產生剪切波前。 -18- (15) 1260402 圖4例舉利用本發明之干涉條紋(當它們出現在焦點 平面上時)的例子。 圖5例舉本發明之理論基礎,其係以風格化、示意的 方式顯示光學曝光系統。 圖6顯示在干涉圖中繞射的數値大小如何排序及改變 ,且擴展物體係在物平面上。 圖7例舉藉由倫奇(Ronchi)光柵來調變擴展物體的 _ 效應。 圖8係可以被使用於本發明中之光學元件配置的另一 ‘舉例說明。 .圖9例舉使用傾斜反射倫奇(Ronchi)光柵之動態光 瞳塡充。 【主要元件符號說明】 100 聚光透鏡 101 源點 102 聚光透鏡 103 擴展物體 104 投影光學裝置(PO) 105 光瞳 106 剪切光柵 107 偵測器透鏡 108 CCD偵測器 203 源模組光柵 -19- (16) 1260402 204 透射波 20 5 繞射基準波 2 10 橫向剪切干涉儀 2 1 1 A,2 1 1 B 波 2 1 1 A,2 11 B 波前條紋 212 條紋 40 1 條紋可見度函數
402 第〇階圖案 403 第1階繞射圖案 605 影像平面 901 倫奇光柵 902 射束***器
-20-
Claims (1)
- (1) 1260402 十、申請專利範圍 1. 一種波前測量系統,包括: 電磁輻射源; 照明系統,將該電磁輻射引導至物平面; 物平面上的物體,產生繞射圖案; 投影光學系統,將該物體之影像投射在影像平面上; 以及 偵測器,接收來自該影像平面之條紋圖案, 其中,越過該投影光學系統的光瞳上掃描繞射圖案。 2. 如申請專利範圍第1項之系統,其中,物體包含用 來越過光瞳上掃描繞射圖案的傾斜鏡。 3 ·如申請專利範圍第1項之系統,其中,物體包含具 有可變間距之用來越過光瞳上掃描繞射圖案的繞射光柵。 4·如申請專利範圍第1項之系統,其中,物體包含具 有變動楔之用來越過光瞳上掃描繞射圖案的折射稜鏡。 5 ·如申請專利範圍第1項之系統,其中,物體包含用 來越過光瞳上掃描繞射圖案的空間光調變器。 6·如申請專利範圍第1項之系統,其中,物體產生非 線性相位變化,以越過光瞳上掃描繞射圖案。 7.如申請專利範圍第1項之系統,其中,物體包括應 力-雙折射材料,以越過光瞳上掃描繞射圖案。 8 ·如申請專利範圍第1項之系統,另包括用來越過光 瞳上掃描繞射圖案的折射光學裝置。 9 ·如申請專利範圍第1項之系統,另包括用來越過光 -21 - (2) 1260402 瞳上掃描繞射圖案的繞射光學裝置。 I 〇 ·如申請專利範圍第1項之系統,其中,物體包含 具有可變表面斜率之用來越過光瞳上掃描繞射圖案的移動 鏡。 II ·如申請專利範圍第1項之系統,其中,越過該投 影光學系統的光瞳上動態地掃描繞射圖案。 1 2 .如申請專利範圍第1項之系統,其中,偵測器係 φ 位於和光瞳光學性地共軛之平面中。 1 3 .如申請專利範圍第1項之系統,另包括一光柵在 影像平面中以產生條紋圖案。 .】4.一種波前測量系統,包括: 照明系統,將電磁輻射輸送至物平面; 物平面中的物體,產生電磁輻射的射束; 投影光學系統,將射束投射在影像平面上;以及 偵測器,接收來自影像平面之射束的條紋圖案, # 其中,越過投影光學系統的光瞳上掃描射束。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之系統,其中,物體包含 用來越過光瞳上掃描射束的傾斜鏡。 1 6 .如申請專利範圍第1 4項之系統,其中,物體包含 具有可變間距之用來越過光瞳上掃描射束的繞射光柵。 1 7 .如申請專利範圍第1 4項之系統,其中,物體包含 具有變動楔之用來越過光瞳上掃描射束的折射稜鏡。 1 8 .如申請專利範圍第1 4項之系統,其中,物體包含 用來越過光瞳上掃描射束的空間光調變器。 -22- (3) 1260402 1 9 .如申請專利範圍第1 4項之系統,其中,繞射圖案 源產生非線性相位變化,以越過光瞳上掃描繞射圖案。 2 0 ·如申請專利範圍第1 4項之系統,其中,繞射圖案 源包含應力-雙折射材料,用以越過光瞳上掃描射束。 2 1 ·如申請專利範圍第1 4項之系統,另包括用來越過 光瞳上掃描射束的折射光學裝置。 22 ·如申請專利範圍第1 4項之系統,另包括用來越過 φ 光瞳上掃描射束的繞射光學裝置。 2 3 ·如申請專利範圍第1 4項之系統,其中,物體包含 具有可變表面斜率之用來越過光瞳上掃描射束的移動鏡。 24 ·如申請專利範圍第1 4項之系統,其中,偵測器係 位於和光瞳光學性地共軛之平面中。 2 5.如申請專利範圍第14項之系統,另包括一光柵在 影像平面中以產生條紋圖案。 •2 6 · —種測量光學系統之波前的方法,包括: Φ 產生電磁輻射於源處; 將該電磁輻射輸送至該光學系統之物平面; 產生繞射圖案於該物平面上; 越過於該光學系統之光瞳上掃描繞射圖案; 接收該源之影像而同時掃描繞射圖案;以及 決定來自該影像之波前參數。 27·如申請專利範圍第26項之方法,其中,掃描步驟 包含使鏡傾斜以引導繞射圖案越過於光瞳上。 2 8.如申請專利範圍第26項之方法,其中,掃描步驟 -23- (4) 1260402 包含移動具有可變間距之折射光柵以引導繞射圖案越過於 光瞳上。 2 9 .如申請專利範圍第2 6項之方法,其中,掃描步驟 包含調整具有變動楔之折射稜鏡以引導繞射圖案越過於光 瞳上。 3 〇。如申請專利範圍第2 6項之方法,其中,掃描步驟 包含調整空間光調變器以引導繞射圖案越過於光瞳上。 3 1 ·如申請專利範圍第2 6項之方法,其中,掃描步驟 使用折射光學裝置以掃描繞射圖案越過於光瞳上。 32.如申請專利範圍第26項之方法,其中,掃描步驟 使用繞射光學裝置以掃描繞射圖案越過於光瞳上。 3 3 . —種測量投影光學系統之波前的方法,包括: (1 ) 輸送在投影光學系統之物平面處的電磁輻射, 以便產生引導在投影光學系統處的射束; (2 ) 將偵測器定位於投影光學系統之影像平面下方 (3 ) 接收在偵測器處之射束的條紋圖案,而同時越 過光學系統之光瞳上掃描射束;以及 (4) 從條紋圖案計算波前像差。 3 4 . —種波前測量系統,包括: 用來產生電磁輻射的機構; 用來將該電磁輻射輸送至該光學系統之物平面的機構 用來產生繞射圖案於物平面上的機構; -24- (5) 1260402 投影光學系統,將該繞射圖案之影像投射在影像平面 上;以及 用來從該影像平面中偵測條紋圖案的機構; 用來越過該影像光學系統之光瞳上掃描繞射圖案的機-25-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/848,179 US20050259269A1 (en) | 2004-05-19 | 2004-05-19 | Shearing interferometer with dynamic pupil fill |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200540398A TW200540398A (en) | 2005-12-16 |
TWI260402B true TWI260402B (en) | 2006-08-21 |
Family
ID=34981512
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW094115639A TWI260402B (en) | 2004-05-19 | 2005-05-13 | Shearing interferometer with dynamic pupil fill |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20050259269A1 (zh) |
EP (1) | EP1598648A3 (zh) |
JP (1) | JP4482487B2 (zh) |
KR (1) | KR100617406B1 (zh) |
CN (1) | CN1700099A (zh) |
SG (1) | SG117580A1 (zh) |
TW (1) | TWI260402B (zh) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4083751B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2008-04-30 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | 空間光変調器アレイを較正するシステムおよび空間光変調器アレイを較正する方法 |
US20050259269A1 (en) | 2004-05-19 | 2005-11-24 | Asml Holding N.V. | Shearing interferometer with dynamic pupil fill |
US20060001890A1 (en) * | 2004-07-02 | 2006-01-05 | Asml Holding N.V. | Spatial light modulator as source module for DUV wavefront sensor |
WO2007006134A1 (en) * | 2005-07-11 | 2007-01-18 | Simon Fraser University | Method and apparatus for venipuncture site location |
JP5281258B2 (ja) * | 2006-10-10 | 2013-09-04 | 株式会社堀場製作所 | 応力測定方法 |
US8189172B2 (en) * | 2007-06-14 | 2012-05-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
US8692974B2 (en) * | 2007-06-14 | 2014-04-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using pupil filling by telecentricity control |
FR2919052B1 (fr) * | 2007-07-19 | 2009-11-06 | Onera (Off Nat Aerospatiale) | Procede d'estimation d'au moins une deformation du front d'onde d'un systeme optique ou d'un objet observe par le systeme optique et dispositif associe |
DE102008029970A1 (de) | 2008-06-26 | 2009-12-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie sowie Verfahren zum Überwachen einer lateralen Abbildungsstabilität |
US8004688B2 (en) | 2008-11-26 | 2011-08-23 | Zygo Corporation | Scan error correction in low coherence scanning interferometry |
DE102008060689B3 (de) * | 2008-12-08 | 2010-04-08 | Bremer Institut für angewandte Strahltechnik GmbH | Verfahren und Vorrichtung zur Messung von optischen Wellenfeldern |
CN102073217B (zh) * | 2009-11-20 | 2012-06-20 | 上海微电子装备有限公司 | 一种波像差实时测量装置和方法 |
JP5725018B2 (ja) * | 2010-04-05 | 2015-05-27 | 株式会社ニコン | 波面収差測定装置 |
CN102768471B (zh) * | 2011-05-05 | 2014-11-12 | 上海微电子装备有限公司 | 测量投影物镜波像差的装置及方法 |
CN102243137B (zh) * | 2011-06-21 | 2013-04-10 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 光束整形元件光学性能的检测装置和检测方法 |
US9046791B2 (en) | 2011-11-30 | 2015-06-02 | Changchun Institute Of Optics, Fine Mechanics And Physics, Chinese Academy Of Sciences | Apparatuses and methods for detecting wave front abberation of projection objective system in photolithography machine |
CN102519610A (zh) * | 2011-12-26 | 2012-06-27 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种高精度横向剪切干涉仪相移装置 |
CN103323107A (zh) * | 2013-06-17 | 2013-09-25 | 中国人民解放军军械工程学院 | 激光信息快速测量***和测量方法 |
CN103884436B (zh) * | 2014-03-07 | 2017-04-05 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 光束相位在线测量装置和测量方法 |
CN104655291B (zh) * | 2015-03-16 | 2017-12-26 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种实现可编程多波横向剪切干涉仪的方法 |
US10267625B2 (en) * | 2016-06-29 | 2019-04-23 | Nikon Corporation | Determination of operability of a digital scanner with shearing interferometry |
DE102016212477A1 (de) * | 2016-07-08 | 2018-01-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Messverfahren und Messsystem zur interferometrischen Vermessung der Abbildungsqualität eines optischen Abbildungssystems |
DE102017200428B3 (de) | 2017-01-12 | 2018-06-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zum Vermessen eines Abbildungsfehlers |
US10582172B2 (en) | 2017-05-22 | 2020-03-03 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Optical system steering via Bragg grating shear |
DE102017217251A1 (de) | 2017-09-27 | 2019-03-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Anordnung zur Analyse der Wellenfrontwirkung eines optischen Systems |
Family Cites Families (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4413909A (en) * | 1981-06-01 | 1983-11-08 | Lockheed Missiles & Space Co., Inc. | Wavefront tilt measuring apparatus |
US5523193A (en) * | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
US4953981A (en) * | 1989-08-03 | 1990-09-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Lateral-shearing electro-optic field sensor |
US5062705A (en) * | 1989-09-13 | 1991-11-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for evaluating a lens |
EP0449582B1 (en) * | 1990-03-27 | 2009-10-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Measuring method and apparatus |
ATE123885T1 (de) * | 1990-05-02 | 1995-06-15 | Fraunhofer Ges Forschung | Belichtungsvorrichtung. |
US5042950A (en) * | 1990-05-22 | 1991-08-27 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Apparatus and method for laser beam diagnosis |
US5168128A (en) * | 1991-04-25 | 1992-12-01 | Thomsen Alan R | Anti-tangle spaced stiffeners for elongated flexible members |
US5424552A (en) | 1991-07-09 | 1995-06-13 | Nikon Corporation | Projection exposing apparatus |
US5229872A (en) * | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
US6219015B1 (en) * | 1992-04-28 | 2001-04-17 | The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images |
JP3224041B2 (ja) * | 1992-07-29 | 2001-10-29 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
US5729331A (en) * | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
JP3339149B2 (ja) * | 1993-12-08 | 2002-10-28 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置ならびに露光方法 |
US5677703A (en) * | 1995-01-06 | 1997-10-14 | Texas Instruments Incorporated | Data loading circuit for digital micro-mirror device |
US5615029A (en) * | 1995-03-08 | 1997-03-25 | Electronics & Space Corp. | Electro-optic wedge structure for beam steering and method of manufacture |
US5530482A (en) * | 1995-03-21 | 1996-06-25 | Texas Instruments Incorporated | Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels |
EP0734183B1 (en) * | 1995-03-23 | 2001-01-17 | International Business Machines Corporation | Efficient optical system for a high resolution projection display employing reflection light valves |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JP2001500628A (ja) * | 1996-02-28 | 2001-01-16 | ケニス シー ジョンソン | マイクロリトグラフィ用マイクロレンズスキャナ及び広フィールド共焦顕微鏡 |
JP3612903B2 (ja) * | 1996-12-06 | 2005-01-26 | 株式会社ニコン | 収差測定方法及び収差測定装置並びにそれを備えた露光装置及びデバイス製造方法 |
EP0956516B1 (en) | 1997-01-29 | 2002-04-10 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate |
US6057913A (en) * | 1997-02-05 | 2000-05-02 | Mems Optical Inc. | Compact shearing wavefront sensor and method |
US6177980B1 (en) * | 1997-02-20 | 2001-01-23 | Kenneth C. Johnson | High-throughput, maskless lithography system |
SE509062C2 (sv) | 1997-02-28 | 1998-11-30 | Micronic Laser Systems Ab | Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster |
US5982553A (en) * | 1997-03-20 | 1999-11-09 | Silicon Light Machines | Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array |
US5920380A (en) | 1997-12-19 | 1999-07-06 | Sandia Corporation | Apparatus and method for generating partially coherent illumination for photolithography |
SE9800665D0 (sv) * | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Micronic Laser Systems Ab | Improved method for projection printing using a micromirror SLM |
JP4032501B2 (ja) * | 1998-04-22 | 2008-01-16 | 株式会社ニコン | 投影光学系の結像特性計測方法及び投影露光装置 |
US6312373B1 (en) | 1998-09-22 | 2001-11-06 | Nikon Corporation | Method of manufacturing an optical system |
US6498685B1 (en) | 1999-01-11 | 2002-12-24 | Kenneth C. Johnson | Maskless, microlens EUV lithography system |
US6118535A (en) * | 1999-06-02 | 2000-09-12 | Goldberg; Kenneth Alan | In Situ alignment system for phase-shifting point-diffraction interferometry |
US6360012B1 (en) * | 1999-06-25 | 2002-03-19 | Svg Lithography Systems, Inc. | In situ projection optic metrology method and apparatus |
US6373553B1 (en) * | 1999-09-20 | 2002-04-16 | Intel Corp. | Photo-lithographic method to print a line-space pattern with a pitch equal to half the pitch of the mask |
US6266147B1 (en) | 1999-10-14 | 2001-07-24 | The Regents Of The University Of California | Phase-shifting point diffraction interferometer phase grating designs |
TW550377B (en) | 2000-02-23 | 2003-09-01 | Zeiss Stiftung | Apparatus for wave-front detection |
US6811953B2 (en) * | 2000-05-22 | 2004-11-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for manufacturing therof, method for exposing and method for manufacturing microdevice |
US6573997B1 (en) * | 2000-07-17 | 2003-06-03 | The Regents Of California | Hybrid shearing and phase-shifting point diffraction interferometer |
JP2002206990A (ja) | 2001-01-09 | 2002-07-26 | Canon Inc | 波面収差測定方法及び投影露光装置 |
EP1231514A1 (en) * | 2001-02-13 | 2002-08-14 | Asm Lithography B.V. | Measurement of wavefront aberrations in a lithographic projection apparatus |
JP2002367900A (ja) | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Yaskawa Electric Corp | 露光装置および露光方法 |
US6816247B1 (en) * | 2001-08-14 | 2004-11-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Moiré method and a system for measuring the distortion of an optical imaging system |
US6819490B2 (en) * | 2001-09-10 | 2004-11-16 | Micronic Laser Systems Ab | Homogenization of a spatially coherent radiation beam and printing and inspection, respectively, of a pattern on a workpiece |
DE10154125A1 (de) * | 2001-10-25 | 2003-05-22 | Zeiss Carl Semiconductor Mfg | Messverfahren und Messsystem zur Vermessung der Abbildungsqualität eines optischen Abbildunsgssystems |
JP3563384B2 (ja) * | 2001-11-08 | 2004-09-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 画像記録装置 |
US6674519B2 (en) * | 2001-12-21 | 2004-01-06 | Northrop Grumman Corporation | Optical phase front measurement unit |
JP3854231B2 (ja) * | 2002-02-12 | 2006-12-06 | 株式会社東芝 | 投影光学系の収差測定方法 |
AU2003212309A1 (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Moire method and measuring system for measuring the distortion of an optical imaging system |
EP1495369A2 (de) * | 2002-04-15 | 2005-01-12 | Carl Zeiss SMT AG | Interferometrische messvorrichtung und projektionsbelichtungsanlage mit derartiger messvorrichtung |
EP1372036A1 (en) * | 2002-06-12 | 2003-12-17 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6870554B2 (en) * | 2003-01-07 | 2005-03-22 | Anvik Corporation | Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators |
US7268891B2 (en) | 2003-01-15 | 2007-09-11 | Asml Holding N.V. | Transmission shear grating in checkerboard configuration for EUV wavefront sensor |
US7002747B2 (en) * | 2003-01-15 | 2006-02-21 | Asml Holding N.V. | Diffuser plate and method of making same |
US6867846B2 (en) * | 2003-01-15 | 2005-03-15 | Asml Holding Nv | Tailored reflecting diffractor for EUV lithographic system aberration measurement |
US7119911B2 (en) * | 2003-03-07 | 2006-10-10 | Lsa, Inc. | Moiré deflectometer including non-mechanical, transparent, spatial light modulators for demonstrating two-axis rulings |
EP1482373A1 (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7113255B2 (en) * | 2003-12-19 | 2006-09-26 | Asml Holding N.V. | Grating patch arrangement, lithographic apparatus, method of testing, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP4083751B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2008-04-30 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | 空間光変調器アレイを較正するシステムおよび空間光変調器アレイを較正する方法 |
US6847461B1 (en) * | 2004-01-29 | 2005-01-25 | Asml Holding N.V. | System and method for calibrating a spatial light modulator array using shearing interferometry |
US20050259269A1 (en) * | 2004-05-19 | 2005-11-24 | Asml Holding N.V. | Shearing interferometer with dynamic pupil fill |
US20060001890A1 (en) * | 2004-07-02 | 2006-01-05 | Asml Holding N.V. | Spatial light modulator as source module for DUV wavefront sensor |
US8692974B2 (en) * | 2007-06-14 | 2014-04-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using pupil filling by telecentricity control |
US8189172B2 (en) * | 2007-06-14 | 2012-05-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
-
2004
- 2004-05-19 US US10/848,179 patent/US20050259269A1/en active Granted
-
2005
- 2005-05-12 EP EP05010342A patent/EP1598648A3/en not_active Withdrawn
- 2005-05-13 TW TW094115639A patent/TWI260402B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-05-17 KR KR1020050041040A patent/KR100617406B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-05-18 SG SG200503134A patent/SG117580A1/en unknown
- 2005-05-19 CN CNA2005100727746A patent/CN1700099A/zh active Pending
- 2005-05-19 JP JP2005147251A patent/JP4482487B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-07-23 US US12/178,524 patent/US7768653B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100617406B1 (ko) | 2006-08-31 |
TW200540398A (en) | 2005-12-16 |
US20050259269A1 (en) | 2005-11-24 |
KR20060046071A (ko) | 2006-05-17 |
JP4482487B2 (ja) | 2010-06-16 |
SG117580A1 (en) | 2005-12-29 |
CN1700099A (zh) | 2005-11-23 |
US20090021748A1 (en) | 2009-01-22 |
EP1598648A2 (en) | 2005-11-23 |
JP2005333141A (ja) | 2005-12-02 |
US7768653B2 (en) | 2010-08-03 |
EP1598648A3 (en) | 2008-07-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI260402B (en) | Shearing interferometer with dynamic pupil fill | |
TWI264614B (en) | A lithographic projection apparatus, a grating module, a sensor module, a method of measuring wave front aberrations | |
JP5725681B1 (ja) | 干渉計及び位相シフト量測定装置 | |
TWI298824B (en) | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby | |
JP3950858B2 (ja) | 波面測定システム、euvフォトリソグラフィシステム、及び光学系の波面を測定する方法 | |
JP5101419B2 (ja) | 反射型回折格子 | |
TWI636280B (zh) | 物鏡系統 | |
JP6783801B2 (ja) | 結像光学系の測定方法及び測定配列 | |
JP5871601B2 (ja) | 被検光学系の収差を算出する装置、方法およびトールボット干渉計 | |
JPS631031A (ja) | 倍率誤差検出装置及びこの倍率誤差検出装置を用いる結像装置 | |
JP2021513096A (ja) | 2次元回折格子 | |
CN106415191B (zh) | 具有双边测量能力的掠入射干涉仪 | |
US11029259B2 (en) | Detection device for detecting a structure on an area portion of a lithography mask, and apparatus comprising a detection device of this type | |
Adhikary et al. | Illumination spot profile correction in digital holographic microscopy for overlay metrology | |
Sugisaki et al. | Present status of the ASET at-wavelength phase-shifting point diffraction interferometer | |
Fuetterer et al. | Lateral shearing interferometer for phase-shift mask measurement at 193 nm | |
Gödecke et al. | Optical sensor design for fast and process-robust position measurements on small diffraction gratings | |
Visser et al. | Extended-source interferometry for at-wavelength testing of EUV optics | |
Miyakawa et al. | High-NA metrology and sensing on Berkeley MET5 | |
JP4789970B2 (ja) | スペックル低減方法およびeuv干渉法のためのシステム | |
JP2004061186A (ja) | 軟x線干渉計 | |
Miyakawa et al. | Achieving diffraction-limited performance on the Berkeley MET5 | |
JP2024518603A (ja) | Euv露光装置における測定のための回折格子 | |
JP3581690B2 (ja) | 位相測定方法及び位相測定装置 | |
Stuerwald et al. | Investigation of diffraction-based measurement errors in optical testing of aspheric optics with digital micromirror devices |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |