TWI259803B - Method of manufacturing color filter substrate, method of manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus - Google Patents

Method of manufacturing color filter substrate, method of manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus Download PDF

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TWI259803B
TWI259803B TW094116166A TW94116166A TWI259803B TW I259803 B TWI259803 B TW I259803B TW 094116166 A TW094116166 A TW 094116166A TW 94116166 A TW94116166 A TW 94116166A TW I259803 B TWI259803 B TW I259803B
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Hideyuki Kimura
Shunichi Seki
Naoki Yamamoto
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Seiko Epson Corp
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Description

1259803 ^ (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於彩色濾光片基板之 之製造方法、光電裝置及電子機器。 【先前技術】 近年來，採用藉由油墨化有機螢 I ’並將該油墨（組成物）噴出在基材上 機能材料之圖案製作的方法，持續開 由該機能材料所構成之機能層之構成 用有機發光材料作爲機能材料之有機 以上述機能材料之圖案製作法而 形成在基材上之ITO等所構成之畫素 隔牆部，並且接著將畫素電極及鄰接 隔牆部之一部分處理成親液性，將隔 Φ成防液性，接著將含有機能層之構成 而予以乾燥，而在畫素電極上形成機 言’所知的有依據使用具有沿著副掃 嘴之噴嘴列的液滴噴出頭，將該液滴 描方向上予以掃描，並自上述噴嘴噴 上形成機能層之方法。如此之方法因 置在畫素區域，故當考慮材料之利用 塗層法有效。 但是’畫素區域中所構成之顯示 製造方法、光電裝置 光材料等之機能材料 之液滴噴出法，執行 發在一對電極間挾持 的光電裝置，尤其使 EL(電激發光）裝置。 言，是採用藉由在由 電極之周圍上，形成 於該畫素電極之上述 牆部之殘留部分處理 材料噴出至畫素電極 能層之方法。具體而 描方向而配列多數噴 噴出頭對基板在主掃 出油墨’在畫素電極 可將微指令之液滴配 效率時，則比起旋轉 區域中的周邊部，有 - 5- (2) !259803 自基體蒸發之溶媒分子之分壓比該顯示區域之中央部少之 情形。當產生如此之現象時，在周邊部，溶媒之蒸發速度 極端變快，其結果，所製造出之光電裝置中，有產生機能 層之膜厚不均勻的問題。產生如此膜厚不均勻之光電裝置 ’該光電裝置特性下降，於將此當作顯示裝置時，則也產 顯示不均之情形。爲了解決該問題，揭示有例如專利文獻 1般之技術。 麄 【專利文獻1】日本特開2〇02-252〇83號公報 【發明內容】 【發明所欲解決之課題】 上述專利文獻1所揭示之技術是在周邊部還外側上形 成不助於顯示之虛設區域，藉由對該虛設區域也塗布與機 能層相同之油墨，防止或抑制在顯示區域之中央和周邊部 產生機能層之膜厚不均勻。但是，僅形成虛設區域，對此 φ與顯示區域同樣塗布油墨，則有無法充分解除膜厚不均之 情形。即是，即使對虛設區域塗布油墨’在顯示區域之周 邊部亦有溶媒乾燥比中央部快之情形’亦有藉此無法充分 迴避發生膜厚不均之情形。 本發明是鑒於上述事情而所創造出者’其目的爲提供 一種可在基板面內形成均勻膜厚之著色圖案的彩色濾光片 基板之製造方法，和可形成均勻膜厚之畫素圖案的光電裝 置之製造方法。 再者，本發明目的是提供使用如此之製造方法而所製 -6- (3) 1259803 作出之光電裝置，和具備此之電子機器。 【用以解決課題之手段】 爲了達成上述目的，本發明之彩色濾光片基板之製造 方法，是具有包含多數之著色層，選擇性透過特定之色光 ，並當作彩色濾光片發揮機能的機能區域，和該機能區域 以外之非機能區域的彩色濾光片基板之製造方法，其特徵 爲：包含有利用液滴噴出法，將構成上述著色層之著色材 料溶解或分散於溶媒中之液狀體，噴在基板上的噴出步驟 ，在該噴出步驟中，是設爲對上述機能區域噴出上述液狀 體，對上述非機能區域噴出上述液狀體或是上述溶媒，並 使被噴出至上述非機能區域之每單位面積的溶媒量，比被 噴出至上述機能區域之每單位面積的溶媒量還多。 當依據如此之彩色減光片基板之製造方法時，因使被 噴出至非機能區域之每單位面積之溶媒量，比配噴出至機 能區域之該容量還多，故於執行噴出後，在執行溶媒乾燥 時，機能區域中之蒸發溶媒分子之分壓，不會比非機能區 域中之蒸發溶媒分子之分壓過度變大，可以使非機能區域 中之溶媒蒸發速度接近於機能區域中之溶媒蒸發速度。因 此，機能區域中之周邊部的溶媒蒸發速度，接近於中央部 之蒸發速度，在該周邊部和中央部中可以更形成均勻且相 等膜厚之著色層。然後，此時則可以提供在機能區域全區 域中，尤其不論在中央部或是周邊部，顏色不均少之信賴 性優良的彩色濾光片基板。 (4) 1259803 接著，爲了解決上述課題，本發明之光電裝置之製造 方法，是具有在每畫素上光電元件發揮機能的機能區域， 和被形成在該機能區域之周邊的非機能區域的光電裝置之 製造方法，其特徵爲：包含有利用液滴噴出法，將構成 上述上述光電元件之機能材料溶解或分散於溶媒中之液狀 體，噴在基板上的噴出步驟，在該噴出步驟中，是設爲對 上述機能區域噴出上述液狀體，對上述非機能區域噴出上 I 述液狀體或是上述溶媒，並使被噴出至上述非機能區域之 每單位面積的溶媒量，比被噴出至上述機能區域之每單位 面積的溶媒量還多。 當依據如此之彩色濾光片基板之製造方法時，因使被 噴出至非機能區域之每單位面積之溶媒量，比配噴出至機 能區域之該容量還多，故於執行噴出後，在執行溶媒乾燥 時，機能區域中之蒸發溶媒分子之分壓，不會比非機能區 域中之蒸發溶媒分子之分壓過度變大，可以使非機能區域 φ 中之溶媒蒸發速度接近於機能區域中之溶媒蒸發速度。因 此，機能區域中之周邊部的溶媒蒸發速度，接近於中央部 之蒸發速度，在該周邊部和中央部中可以更形成均勻且相 等膜厚之著色層。然後，此時則可以提供在機能區域全區 域中，尤其不論在中央部或是周邊部，顏色不均少之信賴 性優良的彩色濾光片基板。 上述光電裝置之製造方法，可以包含有先行於上述上 述噴出步驟之前，以相同之圖案，各對上述基板上之上述 機能區域及上述非機能區域，形成液狀體及/或溶媒被噴 -8- (5) 1259803 出的液體收容區域（即是以相等間隔在各區域形成相同形 狀、相同面積）的步驟，在上述噴出步驟中，是使對上述 非機能區域之液體收容區域所噴出之溶媒量，比對上述機 能區域之液體收容區域所噴出之溶媒量還多爲佳。依此’ 可以使非機能區域中之每單位面積之溶媒的吐出容量’比 機能區域中每單位面積之溶媒的吐出容量還多，故可以適 合地實現本發明之效果。 另外，可以包含有先行於上述上述噴出步驟之前，對 上述基板上之上述機能區域及上述非機能區域，形成液狀 體及/或溶媒被噴出的液體收容區域的步驟，此時，在該 液體收容區域之形成步驟中，是使上述機能區域中之液體 收容區域之面積，形成比上述非機能區域中之液體收容區 域之面積還大爲佳。藉由如此增大非機能區域中之液體收 容區域之面積，則可以使被噴出至該非機能區域之每單位 之溶媒量，適合地比機能區域中者還多。 或是，包含有先行於上述上述噴出步驟之前，對上述 基板上之上述機能區域及上述非機能區域，形成液狀體及 /或溶媒被噴出的液體收容區域的步驟，而且，上述機能 區域平面視爲長方形狀，在該機能區域之長邊方向及短邊 方向，上述非機能區域中之上述液體收容區域之密度是被 設爲不同，可以使對上述非機能區域中之液體收容區域之 密度大者’所噴出之每單位面積的溶媒量，比對上述非機 能區域中之液體收容區域之密度小者，所噴出之每單位面 積的溶媒量還多。當液體收容區域之密度大時，因所鄰接 -9 - (6) 1259803 之液體收容區域彼此容易干擾’故對於該密度爲大者，增 大所噴出之溶媒量爲佳。 再者，上述機能區域於平面視爲長方形狀時，關於沿 著該機能區域之短邊方向所形成之第1非機能區域，和沿 著機能區域之長邊方向而所形成之第2非機能區域，在上 述噴出步驟中，可以使被噴出至上述第1非機能區域之每 單位面積的溶媒量，比被噴出至上述第2非機能區域之每 單位面積之溶媒量還多。即是’藉由使第1非機能區域和 第2非機能區域中，自機能區域之中心部較遠之第1機能 區域中，相對性使溶媒之量增多，因該機能區域之中心部 之溶媒蒸發速度，和非機能區域之溶媒蒸發速度可以更接 近，故對於均勻化被形成平面視長方向之機能區域中之光 電元件層之膜厚爲佳。 再者，包含有先行於上述上述噴出步驟之前，對上述 基板上之上述機能區域及上述非機能區域’形成液狀體及 /或溶媒被噴出的液體收容區域的步驟’在該液體收容區 域之形成步驟中’沿著上述機能區域帶狀地形成上述非機 能區域之液體收容區域爲佳。若如此沿著機能區域帶狀形 成非機能區域之液體收容區域，噴出溶媒至該液體收容區 域時，則可以以高效率增加非機能區域中之溶媒量（每單 位面積之溶媒量）。 接著，本發明之光電裝置是藉由上述方法所製造出。 如此之光電裝置因以均勻之畫素圖案構成光電元件層之膜 厚，故成爲信賴性高者，尤其將此當作顯示裝置使用時’ -10- (7) 1259803 則成爲顯示不均少視認性優之顯示裝置。再者，本 電子機器是具備上述光電裝置，可以使此當作顯示 時’該電子機器信賴性爲高，爲具備有視認性優良 部。 並且，就本發明之光電裝置而言，適合地可以 機電激發光裝置（以下，也將電激發光稱爲EL)。如 機EL裝置中，可以將有助於顯示之區域當作機能 φ 將無助於顯示之區域當作非機能區域。然後，以 EL裝置之製造方法而言，可以包含有例如形成用 板上之機能區域及非機能區域上形成液體收容區域 部的工程’和對以該隔牆部所包圍之液體收容區域 有機EL元件（光電元件）形成用組成物所構成之液 程。 並且，以有機E L元件形成用組成物而言，可 例如將發光層或是電孔注入/輸送層等之機能層形 φ ，詳細而言可以使用將機能層形成有機材料分散或 規定溶媒者。再者，液狀體之噴出是可以由具備有 滴噴出頭之液滴噴出裝置來執行。 【實施方式】 (第1實施形態） 以下，針對本發明之光電裝置之第1實施形態 EL裝置及有機EL裝置之製造方法予以說明。 第1圖是表不本貫施形知之有機EL顯示裝置 發明之 部。此 之顯示 例示有 此之有 區域， 該有機 以在基 之隔牆 噴出遊 體的工 以使用 成材料 溶解於 例如液 之有機 之配線 -11 - (8) 1259803 構造的說明圖，第2圖是本實施形態之有機E L顯示裝置 之平面模式圖（a)及剖面模式圖（b)。 如第1圖所示般，本實施形態之有機EL顯示裝置i 是具有各配線多數掃描線1 0 1，和延伸於對掃描線1 〇 ；!交 差之方向上的多數訊號線1 〇 2，和並聯延伸於訊號線1 〇 2 之多數電源線1 〇 3的構成，並且在掃描線1 0 1及訊號線 102之各交點附近上，設置有畫素區域A。 | 訊號線102是連接有具備移位暫存器、位準移動器、 視頻線及類比開關之資料側驅動電路1 〇4。再者，於掃描 線1 0 1上連接有具備移位暫存器及位準移動器之掃描線側 驅電路1 0 5。 並且，各個畫素區域A上是設置有經由掃描線1 〇 1而 掃描訊號被供給至閘極電極上之開關用之薄膜電晶體1 1 2 ，經由該開關用之薄膜電晶體1 1 2而保持自訊號1 02被供 給之畫素訊號的保持電容c ap，和依據該保持電容C ap而 φ 被保持畫素訊號被供給至閘極電極之驅動用之薄膜電晶體 1 1 3，和經由該驅動用薄膜電晶體1 1 3而電性連接於電源 線1 03上時自該電源線1 03流入驅動電流之畫素電極（電 極）1 1 1，和被挾持於該畫素電極1 1 1和陰極（對向電極（電 極））12之間的機能層1 10。並且，藉由電極11 1和對向電 極1 2和機能層1 1 0，構成發光元件。 若依據該構成，當驅動掃描線1 〇 1開關用之薄膜電晶 體1 1 2呈接通時，此時之訊號線1 02之電位則被保持於保 持電容cap，因應該保持電容cap狀態，決定驅動用之薄 - 12- (9) 1259803 膜電晶體1 1 3之接通、關閉狀態。然後，經由驅動用之薄 膜電晶體1 1 3之通道，自電源線1 〇 3流入電流至畫素電極 I 1 1，並且經由機能層1 1 〇流入電流至陰極1 2。機能層 II 〇是因應流入此之電流量而發光。 接著，如第2圖（a)及第2圖（b)所示般，本實施形態 之顯示裝置1是具備有玻璃等所構成之透明基體2，和被 配置成矩陣狀之發光元件，和封閉蓋基板6 0 4。被形成在 | 基體2上之發光元件是藉由畫素電極111和機能層110和 陰極1 2所形成。 基體2爲例如玻璃等之透明基板，區隔成位於基體2 之中央位置的顯示區域2a，和位於基體2之邊緣被配置在 顯示區域2a之外側的非顯示區域2b。 顯示區域2a是藉由被配置成矩陣狀之發光元件而所 形成之區域，也可稱有效顯示區域或是機能區域。再者， 非顯示區域2b是鄰接於顯示區域2a而被形成，構成無助 φ 於顯示之虛設區域（非機能區域）。 再者，如第2圖（b)所示般，在基體2之厚度方向中， 在由發光元件及隔牆部所構成之發光元件部1 1和基體2 之間，具備有電路元件部1 4，在該電路元件部1 4上具備 有上述之掃描線、訊號線、保持電容、開關用之薄膜電晶 體、驅動用之薄膜電晶體1 1 3等。 再者，陰極1 2是連接於該一端被形成在基體2上之 陰極線（省略圖式），該配線之一端部1 2a是被連接於撓性 基板5上之配線5 a上。再者，配線5 a是被連接於撓性基 -13- (10) 1259803 板5上所具有之驅動IC6(驅動電路）上。 再者，如第2圖（a)及第2圖（b)所示般，在電路元件 部14之非顯示區域2b上配線有上述電源線1 0 3 ( 1 0 3 R、 1 03G、1 03B)。 再者，在第2圖（a)所示之顯示區域2a之圖式兩橫向 側上，配置有上述掃描側驅動電路1 〇5、1 05。該掃描側驅 動電路1 〇 5、1 0 5是被設置在虛設區域2b下側之電路元件 部1 4內。並且，在電路元件部1 4內設置有連接於掃描側
I 驅動電路1 〇 5、1 0 5之驅動電路用控制訊號配線1 〇 5 a和驅 動電路用電源配線l〇5b。 並且，在第2圖（a)所示之顯示區域2a之圖式上側配 置有檢查電路。藉由該檢查電路106可以執行製造途中或 出貨時之顯示裝置之品質、缺陷檢查。 再者，如第2圖（b)所示般，在發光元件部1 1上具備 有密封部3。該密封部3是由被塗布在基體2上之密封樹 馨脂ό 0 3 ’和封閉蓋基板6 0 4所構成。密封樹脂6 0 3是由熱 硬化樹脂或是紫外線硬化樹脂等所構成，尤其，以屬於熱 硬化樹脂之1種的環氧樹脂所構成爲佳。 該密封樹脂6 0 3是在基體2之周圍被環狀塗布，例如 ，藉由微分配器而被塗布。該密封樹脂603是接合基體2 和封閉蓋基板604，防止水或氧從基體2和封閉蓋基板 ό 0 4之間入侵至封閉蓋基板6 〇 4之內部，並防止陰極！ 2或 是形成在發光兀件11內之發光層的氧化。 封閉蓋基板604是由玻璃或是金屬所構成者，經由密 -14- (11) 1259803 封樹脂6 0 3而接合於基體2，在該內側設置有收容顯示元 件10之凹部604a。再者，在凹部6〇4a貼有吸收氧氣等之 吸氣劑605，使可以吸收侵入於封閉蓋基板604之內部的 水或氧氣。並且，即使省略吸氣劑6 0 5亦可。 接者’弟3圖是表不放大顯不裝置中之顯示區域之剖 面構造圖。該第3圖是表示3個畫素區域。該顯示裝置1 是在基體2上順序疊層形成有TFT等之電路等之電路元件 1 4，和形成有機能層1 1 〇之發光元件部1 1。 在顯示裝置1中，自機能層110發出至基體2側之光 是透過電路元件1 4及基體2而被射出至基體2之下側（觀 測者側），並且自機能層1 1 〇發出至基體2之相反側之光 是被陰極12反射，而透過電路元件14及基體2而被射出 至基體2之下側（觀測者側）。 並且，就陰極12而言，可以藉由使用透明材料射出 自陰極側所發出之光。作爲透明材料可以使用ITO、Pt、 Ir、Ni或是Pd。膜厚是以75nm左右之厚度爲佳，比該膜 厚更薄者爲更佳。 電路元件部1 4是在基體2上形成有由矽氧化膜所構 成之基底保護膜2c’在該基底保護膜2c上形成有由多晶 矽所構成之島狀半導體膜1 4 1。並且，半導體膜1 4 1上藉 由高濃度P離子注入形成有源極區域1 4 1 a及汲極區域 141b，無被導入P之部分則成爲通道區域141c。並且，電 路元件部1 4上形成有覆蓋基底保護膜2c及半導體膜1 4 1 之透明閘極絕緣膜1 4 2，在閘極絕緣膜1 4 2上形成有A 1、 -15- (12) 1259803
Mo、Ta、Ti、W等所構成之閘極電極143(掃描線101)， 在閘極電極1 4 3及閘極絕緣膜1 42上形成有透明之第1層 間絕緣膜144a和第2層間絕緣膜144b。閘極電極143是 被設置在對應於半導體膜1 4 1之通道區域1 4 1 c的位置上 〇 再者，形成有貫通第1、第2層間絕緣膜144a、144b ，而各被連接於半導體1 4 1之源極、汲極區域1 4 1 a、 1441b之接觸孔145、146。然後，第2層間絕緣膜144b 上是被圖案製作成規定形狀而形成由ITO等所構成之透明 畫素電極111，一方之接觸孔146連接於電源線103。如 此一來，電路元件1 4是形成有連接於各畫素電極1 1 1之 驅動用薄膜電晶體1 1 3。並且，電路元件部1 4雖然也形成 上述保持電容cap及開關用之薄膜電晶體1 1 2，但在第3 圖中省略該些圖式。 接著，如第3圖所示般，發光元件部1 1是以被疊層 在多數畫素電極Π 1之各個上的機能層1 1 0，和具備在各 畫素電極111及機能層11 〇之間而區隔各機能層11 1之隔 牆部1 22，和被形成在機能層1 1 〇上之陰極1 2爲主體而所 構成。藉由該些畫素電極（第1電極）n1、機能層110及陰 極12(對向電極）而構成發光元件。在此’畫素電極1 1 1是 藉由例如ITO而所形成，被圖案製作成平面視略矩形而形 成之。該畫素電極111之厚度在50〜200nm之範圍爲佳， 尤其1 50nm左右爲佳。在該各畫素電極1 1 1…之間具備有 隔牆部1 1 2。 -16- (13) 1259803 隔牆部1 22是如第3圖所示般，疊層位於基體2側之 無機物隔牆層（第1隔牆層）1 1 2a，和位於離開基體2之有 機物隔牆層（第2隔牆層）11 2b而所構成。 無機物隔牆層、有機物隔牆層（1 1 2 a、1 1 2b)是被形成 可置放在畫素電極1 1 1之周邊部上。以平面觀之，則成爲 畫素電極1 1之周圍和無機物隔牆層U 2 a平面性重疊之構 造。再者，有機物隔牆層H2b也相同，被配置成與畫素 電極111之一部分平面性重疊。再者，無機物隔牆層112a 又被形成於比有機物隔牆層1 1 2b還靠畫素電極1 1 1之中 央側。如此一來，藉由在畫素電極η 1之內側上形成無機 物隔牆層112a之各第1疊層部112e，則設置對應於畫素 電極1 1 1之形成位置的下部開口部1 1 2c。 再者，在有機物隔牆層112b上形成有上部開口 112d 。該上部開口部1 1 2d是被設置成對應畫素電極1 1 1之形 成位置及下部開口部n 2c。上部開口部1 1 2d是如第3圖 所示般，形成比下部開口部1 1 2c寬，比畫素電極1 1 1窄 。再者，也有被形成上部開口部11 2d之上部位置，和畫 素電極1 1 1之端部幾乎成爲相同位置之情形。此時，是如 第3圖所示般，有機物隔牆層1 1 2b之上部開口部1 1 2d之 斷面成爲傾斜形狀。 然後，隔牆部122是藉由下部開口部1 12c及上部開 口部1 12d連通，而形成貫通無機物隔牆層1 12a及有機物 隔牆層1 1 2 b之開口部1 1 2 g。 再者，無機物隔牆層112a是例如由Si02、Ti02等之 -17- (14) 1259803 無機材料所構成爲佳。該無機物隔牆層1 1 2a之膜厚是在 50nm〜200nm之範圍爲佳，尤其，以150nm爲佳。膜厚未 滿5 2nm因有無機物隔牆層112a比後述電洞注入/輸送層 薄，而無法確保電洞注入/輸入層之平坦性的情形。再者 ，當膜厚超過200nm時，則有下部開口 1 1 2c所引起之階 差變大，無法確保疊層於電洞注入/輸送層上之後述的發 光層之平坦性的情形，故爲不理想。 並且，有機物隔牆層1 1 2b是由丙烯酸樹脂、聚醯亞 胺樹脂等之具有耐熱性、耐溶媒性之材料所形成。該有機 物隔牆層112b之厚度是在〇.l//m〜3.5//m之範圍爲佳， 尤其以2//m左右爲最佳。厚度未滿時有機隔牆層 1 12b是比電洞注入/輸送層及發光層之合計厚度薄’因具 有發光層自上部開口部1 1 2d溢出之可能性，故爲不理想 。再者，當厚度超過3.5 // m時，因上部開口部1 12d所引 起之階差變大，有無法確保形成在有機物隔牆層1 1 2b上 之陰極1 2的步驟有效區域之情形，故爲不理想。再者’ 若將有機物隔牆層112b之厚度設爲2//m以上時，因有可 以提高驅動用之薄膜電晶體1 1 3之絕緣的點，故爲佳。 再者，在隔牆部1 22上形成有表示親液性之區域，和 表示防液性之區域。表示親液性之區域爲無機物隔牆層 1 12a之第1疊層部1 12a之第1疊層部1 12e之第1疊層部 1 12e及畫素電極1 1 1之電極面1 1 la。該些區域是依據將 氧設爲處理氣體之電漿處理而將表面處理成防液性。再者 ，表示防液性之區域爲上部開口部1 1 2d之壁面及有機物 -18- (15) 1259803 隔牆層112b之上面ll2f，該些區域是藉由將氟化甲烷、 四氟甲烷或是四氟化碳當作處理氣體之電漿處理而氟化處 理（處理成防液性）表面。並且，有機物隔牆層即使藉由含 有氟聚合物之材料而形成亦可。 接著，如第3圖所示般，機能層110是由被疊層在畫 素電極 1 1 1上之電洞注入/輸入層1 1 0 a，和鄰接於電洞注 入/輸送層ll〇a上而所形成之發光層U〇b所構成。並且 ，電洞注入/輸送層1 10a是具有將電洞注入至發光層1 l〇b 之機能，並且具有將電洞在電洞注入/輸送層1 l〇a之內部 輸送之機能。藉由將如此之電洞注入/輸送層1 1 〇a設置在 畫素電極111和發光層ll〇b之間，提昇發光層ll〇b之發 光效率、壽命等之元件特性。再者，發光層1 1 Ob是在發 光層再結合自電洞注入/輸送層1 1 〇a所注入之電洞，和自 陰極1 2被注入之電子，而取得發光。 電洞注入/輸送層1 10a是由位於下部開口 U2c而被形 成在畫素電極面11 1 a上之平坦部1 1 0a 1，和位於上部開口 部1 12d內而被形成在無機物隔牆層之第1疊層部H2e上 之周邊部1 l〇a2所構成。再者，電洞注入/輸送層1 l〇a依 構造不同有僅被形成在畫素電極11 1上，且無機物隔牆層 ll〇al之間（下部開口部110c)上之形態（也有僅形成在上述 記載之平坦部上之形態）。該平坦部1 1 Oal該厚度是一定 被形成在例如50〜7 0 nm範圍。 在形成周邊部1 l〇a2時，周邊部1 10a2是位於第1疊 層部1 12al，並且密著於上部開口部1 12d之壁面，即是有 -19- (16) 1259803 機物隔牆層1 1 2b。再者，周邊部n 〇 a2之厚度在接近於電 極面1 1 1 a之側爲薄，沿著自電極面u丨a離開之方向增大 ，在接近下部開口部1 1 2 d之壁面附近爲最厚。周邊部 I 1 0a2表示上述般之形狀的理由，是電洞注入/輸入層丨丨〇a 是將含有電洞注入/輸送層形成材料及極性溶媒之第1組 成物吐出至開口部1 1 2內後，除去極性溶媒而所形成，極 性溶媒之揮發主要是發生在無機物隔牆層之第1疊層部 II 2e上’因電洞注入/輸送層形成材料被集中性濃縮、沉 積在該第1疊層部112e上之故。 再者’發光層110b是被形成在整個電洞注入/輸送層 110a之平坦部llOal及周邊部il〇a2，平坦部112al上之 厚度設爲50nm〜80nm之範圍。發光層1 l〇b具有發光紅色 (R)之紅色發光層 1 10bl、發光綠色（G)之綠色發光層 110b2及發光藍色（B)之藍色發光層110b3之3種類，各發 光層1 10bl〜1 10B3被條紋配置。 如上述般，電洞注入/輸送層1 1 0 a2因密著於上部開 口部U2d之壁面（有機物隔牆層112b)，故發光層U〇b不 直接接觸於有機物隔牆層1 1 2b。因此，可以藉由周邊部 1 10a2阻止有機物隔牆層1 12b含有作爲雜質之水移行至發 光層UOb側，可以防止因水氧化發光層1 l〇b。再者，因 在無機物隔牆層之第1疊層部112e上形成不均勻厚度之 周邊部1 10a2，故藉由第1疊層部1 12e周邊部1 10a2成爲 自畫素電極1 1 1被絕緣之狀態，不自周邊部1 1 〇a2注入電 洞至發光層11 〇b。依此，來自畫素電極1 1 1之電流僅流入 -20- (17) 1259803 平坦部1 1 2 a 1，可以電洞從平坦部1 1 2 a 1均勻地輸送至發 光層1 10b，並可以使發光層110b之中央部分予以發光， 同時使發光層ll〇b之發光量成爲一定。再者，無機物隔 部曾112a也比有機隔牆層U2b還延長伸出於畫素電極 1 1 1之中央側，故可以依據該無機隔牆層1 1 2 a修飾畫素電 極1 1 1和平坦部1 1 Oal之接合部分之形狀，可以抑制各發 光層11 Ob間之發光強度的參差不齊。 並且，因畫素電極1 1 1之電極面1 1 1 a及無機物隔牆 層之第1疊層部1 1 2 e表示親液性，故機能層1 1 〇均勻密 著於畫素電極1 1 1及無機物隔牆層1 1 2 a，不會在無機物隔 牆1 1 2 a上極端薄化機能層1 1 0，可以防止畫素電極1丨丨和 陰極1 1 2之短路。再者，因有機物隔牆層1丨2 b之上面 1 1 2 f及上部開口部1 1 2 d壁面表示防液性，故機能層1 i 〇 和有機物隔牆層1 1 2b之密著性變低，機能層不會從開口 部n 2g溢出而形成。 並且，作爲電洞注入/輸送層形成材料，是可以使用 例如聚二氧乙基塞吩（PEDOT)等之聚塞吩衍生物和聚苯乙 烯磺酸（PSS)等之混合物。再者，作爲發光層n 〇b之材料 ，是可以使用聚芴衍生物、聚苯衍生物、聚乙烯基昨哗、 聚塞吩衍生物，或是該些之局分子材料中摻雜！（perilene) 色素、香丑素（Coumarin)色素、右丹明（Rhodamine)色素， 例如紅螢燦（R u b r e n e ) 、！、9，1 〇 -二苯基蒽、四苯基 丁三嫌、尼羅紅（Nile red)、香豆素 6、喹卩丫酮（ Quinacridone )等 〇 -21 - (18) 1259803 接著，陰極12是形成在發光元件部11之全面上，與 畫素電極Π1成對而發揮將電流流入於機能層1 1 0之任務 。該陰極1 2是疊層鈣層和鋁層而所構成。此時’是在接 近於發光層之側的陰極上設置功函數低者爲佳’尤其於該 形態中，發揮直接連接於發光層1 1 Ob而將電子注入至發 光層110b之任務。再者，氟化鋰爲了藉由發光層之材料 效率佳予以發光，也有於在發光層1 1 〇和陰極1 2之間’ 形成LiF之情形。並且，紅色及綠色之發光層1 l〇b 1、 1 1 0 b 2並不限於氟化鋰，即使使用其他材料亦可。因此， 此時，即使僅在藍色（B)發光層1 10b3上形成由氟化鋰所 形成之層，在其他紅色及綠色之發光層ll〇bl、110b2上 疊層氟化鋰以外者亦可。再者，不在紅色及綠色之發光層 1 10bl、1 10b2上形成氟化鋰，而形成鈣亦可。 並且，氟化鋰之厚度是在例如2〜5 nm之範圍爲佳，尤 其，2nm左右爲佳。再者，鈣之厚度是在例如2〜50nm之 範圍爲佳，尤其以20nm左右爲佳。再者，形成陰極12之 鋁是將自發光層1 1 〇b所發出之光反射至基體2側，除了 A1膜之外，又以Ag膜、A1和Ag之疊層膜等所構成爲佳 。再者，該厚度是在例如100〜lOOOnm之範圍爲佳，尤其 以200nm左右爲佳，並且，即使在鋁上設置由SiO、Si02 、SiN等所構成之防止氧化用之保護層亦可。並且，在形 成如此之發光元件上配置封閉蓋604。如第2圖（b)所示般 ，藉由密封樹脂603黏著封閉蓋604，形成顯示裝置1。 接著，參照圖面說明本實施形態之顯示裝置之製造方 -22- (19) 1259803 法。 本實施形態之顯示裝置是包含有在基板上形成隔牆部 之隔牆部形成工程、處理隔牆之表面的電漿處理工程、在 隔牆部之內側形成機能層之機能層形成工程，還有對向電 極形成工程及密封工程。並且，本發明之製造方法並不限 定於此，也有因應所需除去一些工程之情形，或追加一些 工程之情形。 (1)隔牆部形成工程 隔牆部形成工程是在基體2上形成隔牆部1 1 2之工程 。隔牆部1 1 1 2是形成無機物隔牆層1 1 2a而作第1隔牆餍 ，形成有機物隔牆層1 1 2b當作第2隔牆層之構造。以下 針對各層之形成方法予以說明。 -23- 1 -1無機物隔牆層之形成 2 首先’如第4圖所示般，在形成有層間絕緣膜144a、 144b等之基體2之規定位置上，形成特定圖案之無機物_ 牆層1 12a。形成無機物隔牆層i i2a之位置是第2層間麵 緣膜144b上及電極（在此，畫素電極）i u上。在此，雖然 在顯示區域2a上形成薄膜電晶體11 3，但是在虛設區_ 2b上不一定需要形成薄膜電晶體丨13。 無機物隔牆層1 12a之材料是可以例如Si02、Ti02 _ 之無機物膜。該些材料是藉由例如CVD法、塗層法、_ 鍍法、蒸鍍法等所形成。 (20) 1259803 而且，無機物隔牆層112a之膜厚是在50nm〜200nm 之範圍爲佳，尤其以150nm爲佳。 無機物隔牆層1 1 2 a是在層間絕緣層1 1 4及畫素電極 1 1 1之全面上形成無機物膜，之後藉由光鈾刻法等圖案製 作無機物膜，形成具有開口部之無機物隔牆層1 1 2 a。開口 部是對應於畫素電極1 1 1之電極面1 1 1 a之形成位置者， 如第4圖所示般當作下部開口部被設置。 | 此時，無機物隔牆層1 1 2a是被形成與畫素電極1 1 1 之邊緣部（一部分）重疊。如第4圖所示般，藉由畫素電極 1 1 1之一部分和無機物隔牆層1 1 2a重疊而形成無機物隔牆 層11 2a，則可以控制發光層1 1 0之發光區域。 (1)-2有機物隔牆層112b之形成 接著，形成當作第2隔牆層之有機物隔牆層1 1 2b。 如第5圖所示般，在形成於顯示區域2a及虛設區域 鲁 2b之無機物隔牆層1 12a上形成有機物隔牆層1 12b。作爲 有機物隔牆層1 1 2b之材料是使用丙烯酸樹脂、聚醯亞胺 樹脂等之具有耐熱性、耐溶媒性之材料。使用該些材料， 藉由光蝕刻技術等圖案製作而形成有機物隔牆層1 1 2 b。並 且，於圖案製作時，在有機物隔牆層1 1 2b上形成上部開 口部1 1 2d。上部開口部1 1 2d是被設置在對應於電極面 1 1 1 a及下部開口部1 1 2 c之位置上。 上部開口部1 1 2d是如第5圖所示般，以形成比被形 成在無機物隔牆物112a之下部開口部112c還寬之事態爲 -24- (21) 1259803 佳。並且，有機物隔牆層n 2b爲具有錐形之形狀爲佳， 使有機物隔牆層112b之開口部比畫素電極1 1 1之電極面 Ilia之寬度還窄，並且在有機物隔牆層U2b之最上面成 爲予畫素電極1U之寬度幾乎相同之寬度，來加以形成有 機隔牆層1 1 2b之事態爲佳。依此，包含無機物隔牆層 1 12a之下部開口部1 12c之第1疊層部1 12e是成爲比有機 物隔牆層112b還延伸至畫素電極111之中央部。 如此一來，藉由貫通被形成在有機物隔牆層11 2b之 上部開口部112d、被形成在無機隔牆層112a之下部開口 部112c，而形成貫通無機物隔牆層112a及有機物隔牆層 1 12b之開口部1 12g，對顯示區域2a及虛設區域2b各形 成隔牆部122。 並且，有機物隔牆層1 12b之厚度是在0.1 // m〜3.5 //m之範圍爲佳，尤其以2//m左右爲最佳。以設爲如此 範圍之理由是如同下述。 即是，厚度未滿〇 . 1 // m時有機隔牆層11 2b是比電洞 注入/輸送層及發光層之合計厚度薄，因具有發光層自上 部開口部1 1 2d溢出之可能性，故爲不理想。再者’當厚 度超過3.5//m時，因上部開口部U2d所引起之階差變大 ，有無法確保形成在有機物隔牆層1 1 2b上之陰極1 2的步 驟有效區域之情形，故爲不理想。再者，若將有機物隔牆 層1 1 2b之厚度設爲2 // m以上時，因有可以提高驅動用之 薄膜電晶體1 1 3之絕緣的點，故爲佳。 -25- (22) 1259803 (2)電漿處理工程 接著，電晶處理工程是以活性化畫素電極Π 1之表面 ，並且表面處理隔牆部1 2 2之表面爲目的而所執行。尤其 ，活性化工程主要是以執行畫素電極1 1 l(ITO)上之洗淨， 還有功函數之調整爲目的。並且，執行畫素電極111之表 面的親液化處理（親液化工程）、隔壁部1 22表面之防液化 處理（防液化工程）。 | 該電漿處理工程是大致區別成例如（2)-1預備加熱工 程，（2)-2活性化處理工程（親液化工程），（2)-3防液化處 理工程（親液化工程）及（2)-4冷卻工程。並且，並不限於如 此之工程，可因應所需刪減工程，並追加工程。 首先’第6圖是表示在電漿處理工程中所使用之電漿 處理裝置。 第6圖所示之電漿處理裝置5 0是由預備加熱處理室 5 1、第1電漿處理室5 2、第2電漿處理室5 3、冷卻處理 • 室54、將基體2搬運至該些處理室51〜54之搬運裝置55 所構成。各處理室51〜54是以搬運裝置55爲中心被配置 成放射狀。 首先，說明使用該些裝置之槪略工程。預備加熱工程 是在第6圖所示之預備加熱處理室5 1中執行。然後藉由 該處理室5 1。將由隔壁部形成工程所搬運來之基體2加熱 至規定溫度。於預備加熱工程後，執行親液化工程及防液 化處理工程。即是，基體2是依次被搬運至第1、第2電 漿處理室5 2、5 3，在各個處理室5 2、5 3中，對隔牆部 -26- (23) 1259803 1 22執行電漿處理使成親液化。於該親液化處理後執行防 液化處理。於防液化處理之後將基體搬運至冷卻處理室， 在冷卻處理室54中將基體冷卻至室溫爲止。該冷卻工程 後，藉由搬運裝置將基體搬運至爲下一工程之電洞注入/ 輸入層形成工程。 以下，針對各個工程予以詳細說明。 | (2)-1預備加熱工程 預備加熱工程是藉由預備加熱處理室5 1所執行。在 該處理室5 1中，將包含有隔牆部122之基體2加熱至規 定溫度。 基體2之加熱方法是採用例如在處理室5 1內載置基 體2之工作台上安裝加熱器，以該加熱器連該工作台和基 體2 —起加熱的方法。並且，也可採用以外之方法。 在預備加熱處理室5 1中，將基體2加熱至例如7 0 °C φ〜8 0 °C之範圍。該溫度爲下一個工程之電漿處理中之處理 溫度’配合下一個工程事先加熱基體2，以解除基體2之 溫度參差不齊爲目的。 在此，假設若無施行預備加熱工程，基體2則由室溫 被加熱至上述般之溫度，自工程開始到工程完成之電漿處 理工程中，則一面經常變動溫度，一面予以處理。如此基 板溫度變化中，執行電漿處理是有機EL元件之特性有成 爲不均勻之可能性。因此，爲了將處理條件保持一定，取 得均勻之特性，而執行預備加熱。 -27- (24) 1259803 在電漿處理工程中，在將基體2載置在第1、第 漿處理裝置5 2、5 3內之試樣台上的狀態下，執行親 工程或是防液化工程時，使預備加熱溫度幾乎與連續 親液化工程或是防液化工程之試樣台5 6之溫度一致 。例如，藉由事先將基板母材預備加熱至第1、第2 處理裝置52、53內之試樣台上昇之溫度，例如7(TC〜 爲止，即使於對多數基板連續性執行電漿處理之時， | 以使處理開始之後和處理完成之前的電漿處理條件幾 一定。依此，使基體2之表面處理條件成爲相同，可 勻化隔牆部1 22之對於組成物的濕潤性，並且可以製 具有一定品質之顯示裝置。再者，藉由事先預備加熱 2，則可以短縮之後電漿處理之處理時間。 (2 )-2活性化處理（親液化工程） 接著，第1電漿處理室5 2是執行活性化處理。 φ 化處理是包含有畫素電極1 1 1之功函數之調整、控制 素電極表面之洗淨、畫素電極表面之親液化工程。 親液化工程是在大氣環境中執行將氧當作處理氣 電漿處理（〇2電漿處理）。第7圖是用以說明第1電漿 之態樣之模式圖。如第7圖所示般，包含隔牆部！ 22 體2是被載置在加熱器內藏之試樣台56上，在基體 上側，以隔著間隔〇 · 5 m m〜2 m m左右之距離，對向著 2配置電漿放電電極5 7。基體2是藉由被試樣台加熱 且試樣台56朝圖式箭號方向以規定之搬運速度被搬 2電 液化 執行 爲佳 電漿 8 0°C 亦可 乎爲 以均 、、出山 tu 基體 活性 、畫 體之 處理 之基 2之 基體 ，並 運， -28- (25) 1259803 於此期間，對基體2照射電漿狀態之氧。 〇2電漿處理之條件是以例如電漿功率100kW〜8 00kW ，氧氣體流量 50ml/min〜100ml/min，板搬運速度 0.5mm/sec〜l〇mm/sec，基體溫度 70°C〜90°C之條件下進行 。並且，藉由試樣台5 6之加熱，主要是爲了保溫被預備 加熱之基體2而所執行。 藉由該〇2電漿處理，如第8圖所示般，親液處理畫 素電極11 1之電極面1 1 1 a、無機物隔牆層1 1 2a之第1疊 層部112e及有機物隔牆層112b之上部開口部112d之壁 面及上面11 2f。藉由該親液處理，在該些各面被導入水酸 基而賦予親液性。第8圖中，以中心線表示被親液處理之 部分。並且，該〇2電漿處理不僅賦予親液性，如上述般 也兼做屬於畫素電極之ITO上之洗淨和功函數之調整。 (2 )-3防液處理工程（防液化工程） 接著，第2電漿處理5 3是以防液化處理工程在大氣 環境中執行將四氟甲烷當作處理氣體的電漿處理（CF4電漿 處理）。第2電漿處理53之內部構造是與第7圖所示之第 1電漿處理室52之內部構造相同。即是，基體2是一面被 試樣台加熱，一面以規定搬運速度連同試樣台一起被搬運 ，於該期間照射電漿狀態之四氟甲院（四氟化碳）。 CF4電漿處理之條件是以例如電漿功率i 00kw〜 8 00k W ，四氟化甲院氣體流量50ml/min〜100ml/min，基體搬運速 度0.5mm/sec〜1 020mm/sec，基體溫度70°C〜90°C之條件下 -29- (26) 1259803 進行。並且，藉由試樣台5 6之加熱，是與第1電漿處理 室52相同’主要是爲了保溫被預備加熱之基體2而所執 行。再者，處理氣體不限於四氟甲烷（四氟化碳），亦可以 使用其他之碳氟化合物之氣體。 藉由CF4電漿處理，則如第9圖所示般，上部開口部 1 1 2d之壁面及有機物隔牆層之上面1 I2f被防液處理。藉 由該防液處理，該些各面被導入氟基而賦予防液性。第9 圖是以中心線表不表不防液性之區域。構成有機物隔牆層 1 1 2b之丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂等之有機物是可以藉由 照射電漿狀態之碳氟化合物而容易防液化。再者，藉由 〇2電漿處理，則有前處理過者則容易被氟化之特徵，本實 施形態尤其有效。並且，畫素電極1 1 1之電極面1 1 1 a及 無機物隔牆層112a之第1疊層部112e雖然多少也受該 CF4電漿處理之影響，但是影響濕潤性之事態則較少。第 9圖是以中心線表示顯示親液性之區域。 (2)-4冷卻工程 接著，冷卻工程是使用冷卻處理室54，將爲了電漿處 理被加熱之基體2冷卻至管理溫度爲止。該是爲了冷卻至 以後工程之液滴吐出工程（機能層形成工程）之管理溫度爲 止而所執行之工程。 該冷卻處理室54是具有用以配置基體2之平板’該 平板是可冷卻基體2而內藏有水冷裝置之構造。 再者，藉由將電漿處理後之基體2冷卻至室溫或是規 -30- (27) 1259803 定溫度（例如，執行液滴吐出工程之管理溫度）爲止， 一個機能層形成工程中，基板母材之溫度成爲一定， 在基體2之溫度變化無均勻之溫度下執行下一個工程 此，藉由施予如此之冷卻工程，則可以均勻形成藉由 噴出法等之噴出手段所噴出之材料。例如，於吐出幫 用以形成當作機能層之電洞注入/輸送層之材料的第 成物時，則可以以一定容積連續吐出第1組成物，並 均勻形成該電洞/輸送層。 上述電漿處理工程是對材質不同之有機物隔牆層 及無機物隔牆層1 1 2a，藉由依序處理〇2電漿處理和 電漿處理，則可以在隔牆部1 22上容易設置親液性之 和防液性之區域。 並且，在電漿處理工程中所使用之電漿處理裝置 不限於第6圖所示者，即使使用例如第1 〇圖所示般 漿處理裝置60亦可。 第10圖所示之電漿處理裝置60是由預備加熱處 61、第1電漿處理室62、第2電漿處理室63、冷卻 室64和將基體2搬運至該些各處理室61〜64之搬運 65所構成，各處理室61〜6 4是被配置在搬運裝置65 送方向兩側（圖中箭號方向兩側）。 該電獎處理裝置60是與第6圖所示之電槳處理 5 〇相同，將從隔牆部形成工程所搬運出之基體2，依 運至預備加熱處理室6 1、第1、第2電漿處理室6 2、 冷卻處理室6 4，在各處理室執行與上述相同之處理後 在下 可以 。因 液滴 含有 1組 可以 1 12b CF4 區域 ，並 之電 理室 處理 裝置 之搬 裝置 次搬 63、 ，將 -31 - (28) 1259803 基體2搬運至下一個電洞注入/輸入層形成工程（機能層形 成工程）。 再者，上述電漿裝置即使不是大氣壓之裝置，使用真 空下之電漿裝置亦可。 (3)電洞注入/輸送層形成工程（機能層形成工程） 電洞注入/輸送層形成工程是藉由使用噴墨裝置（液滴 φ 吐出裝置）之噴墨法（液滴吐出法），將包含有電洞注入/輸 送層形成材料之第1組成物（液狀體）吐出至電極面1〗i a上 ，之後執行乾燥處理及熱處理，在畫素電極1 1 1上及無機 物隔牆層1 1 2 a上形成電洞注入/輸送層〗丨〇 a。並且，將形 成有電洞注入/輸送層1 10a之無機物隔牆層1 12a在此稱爲 第1疊層部112e。包含該電洞注入/輸送層形成工程之後 之工程，以設爲無水、氧之環境爲佳。例如，在氮環境、 氬環境等之惰性氣體環境下執行爲佳。並且，電洞注入/ 鲁輸送層1 1 0 a也有不形成於第1疊層部1 1 2 e上之情形。即 是’也有僅在畫素電極1 1 1上形成電洞注入/輸送層之形 態。依據液滴噴出法之製造方法則如下述。 以適合使用於本實施形態之顯示裝置之製造方法的液 _吐出頭之一例而㈣’可以例不第1 1圖安之曈頭Η。該 噴頭Η是如第1 1圖所示般’主要以多數液滴吐出頭η 1， 和支撐該些液滴吐出頭HI之支撐基板Η7所構成。並且 ’關於基體和上述噴頭Η之配置則以如第ι2圖般配置爲 佳。在第1 2圖所不之液滴噴出裝置中，符號1丨丨$爲載置 -32- (29) 1259803 基體2之工作台，符號1116是將工作台ni5引導至圖中 X軸方向（主掃描方向）之導軌。再者噴頭Η是可以經由支 撐構件1 1 1 1由導軌1 1 1 3移動至圖中y軸方向（副掃描方 向），並且，噴頭Η是可旋轉於圖中0軸方向，可以使液 滴吐出頭Η1對主掃描方向傾斜成規定角度。 第12圖所不之基體2是成爲在主機板上配置多數晶 片之構造。即是，1晶片之區域相當於1個顯示裝置。該 | 雖然是形成3個顯示區域（顯示用畫素形成區域）2a，但並 不限定於此。例如，對基體2上之左側顯示區域2a塗布 組成物之時，經由導軌1 1 1 3將噴頭Η移動至圖中左側， 並且經由導軌U 1 6將基體2移動至圖中上側，一面掃描 基體2 —面執行塗布。接著，使噴頭Η移動至圖中右側而 對基體之中央顯示區域2a塗布組成物。對右端之顯示區 域2a也與上述相同。並且，第11圖所示之噴頭Η及第 1 2圖所示之液滴吐出裝置不僅是電洞注入/輸送層形成工 φ 程而已，即使使用發光層形成工程亦可。 第1 3圖是自油墨吐出面側觀看液滴吐出頭Η1之斜視 圖。如第1 3圖所示般，在液滴噴出頭Η1之油墨吐出面（ 與基體2相向面）上，沿著噴頭之長度方向列狀，且在噴 頭之寬度方向隔著間隔以兩列多數設置噴嘴η。如此一來 ，藉由將多數噴嘴η配列成列狀，構成兩個噴嘴列Ν、Ν 。1個噴嘴列Ν所包含之噴嘴η之數量例如爲1 8 0個，在 1個液滴噴出頭Η1形成有3 6 0個噴嘴η。再者，噴嘴η之 孔徑例如2 8 // m，噴嘴η間之間距例如爲1 4 1 // m ° -33- (30) 1259803 液滴吐出頭HI具有例如第14圖（a)及第14圖（b)所示 之內部構造。具體而言’液滴噴出頭Η 1是具有例如鋼製 之噴嘴板229、與此相向之震動板23 1、互相接合該些之 隔開構件2 3 2。在噴嘴板2 2 9和震動板2 3 1之間，藉由隔 開構件2 3 2而形成有多數之組成物室2 3 3和液體儲存室 2 3 4。多數組成物室2 3 3和液體儲存室2 3 4是藉由通路2 3 8 而互相連通。 Β 在震動板2 3 1之適當處形成組成物供給孔2 3 6 ’該組 成物供給孔23 6連接有組成物供給裝置23 7。組成物供給 裝置23 7是將包含有電洞注入/輸送層形成材料之第1組 成物（液狀體）供給製組成物供給孔23 6。被供給之第1組 成物是塡滿於液體儲存室234，並且通過通路23 8而塡滿 於組成物室2 3 3。 噴嘴板229上設置有用以將第1組成物自組成物室 23 3噴射狀地噴射之噴嘴η。再者，在形成震動板23 1之 φ 組成物室23 3之面的背面，對應於組成物2 3 3安裝有組成 物加壓體23 9。該組成物加壓體23 9是如第14圖（b)所示 般，具有壓電元件241以及挾持此之一對電極242a及 242b。壓電元件241是藉由對電極242a、242b通電而彎 曲變形成突出至箭號C所示之外側，依此，組成物室23 3 之容積增大。如此一來，相當於增大的容積份之第1組成 物自液體儲存室2 3 4通過通路2 3 8而流入至組成物室2 3 3 〇 接著，當對壓電元件241解除通電時’壓電元件241 -34- (31) 1259803 和震動板2 3 1則返回原來之形狀。依此，組成物室2 3因 也返回原來之容積，在組成物室2 3 3之內部的第1組成物 之壓力則上升，自噴嘴η朝向基體2第1組成物成爲液滴 1 10c而噴出。 第1 5圖是表示使液滴噴出頭Η1對基體2予以掃描之 狀態。如第1 5圖所示般，液滴吐出頭Η1是一面相對性移 動在沿著圖中X方向之方向上，一面吐出第1組成物（液 狀體），但是此時噴列Ν之配列方向Ζ是成爲對主掃描方 向（沿著X方向之方向）傾斜之狀態。 第1 6圖是表示自液滴吐出頭Η 1側觀看第1 5圖之重 要部位的放大圖。第1 6圖是表示沿著圖中Υ方向（副掃描 方向）而所配置之3個畫素區域Α1〜A3。然後，圖示有以 被設置在液滴吐出頭Η 1之一部分上的符號η 1 a〜η 3 b所表 示之6個噴嘴。6個噴嘴中之噴嘴1113、112 3、1133之3個 是被配置成於液滴吐出頭Η 1移動於圖示X方向時可各位 於各畫素區域Α1〜A3上，所剩的3個噴嘴nib、n2b、n3b 是被配置成液滴吐出頭Η 1移動於圖示X方向時，可位於 鄰接畫素區域Α1〜A3之間。並且，該些6個噴嘴nl a〜n3b 中任何一個皆被包含於1個的噴嘴列N。該液滴噴出頭 Η1藉由圖示省略之驅動手段，成爲可移動在圖示Υ方向 及圖示Υ方向之相反方向上。如此一來，藉由將液滴噴出 頭Η 1之噴嘴列Ν對主掃描方向傾斜配置，則可以將噴嘴 間距對應於畫素區域Α之間距。再者，藉由調整傾斜角度 ，即使對任何畫素區域A之間距亦可以對應。 -35- (32) 1259803 接著，針對掃描液滴吐出頭Η 1，在規定區域形成電 洞注入/輸送層1 l〇a之工程，予以說明。該工程雖然可以 使用（1)以1次執行液滴吐出頭H1之掃描，（2)多數次執行 液滴吐出頭Η 1之掃描，且在各掃描中使用多數噴嘴之方 法，（3)多數次執行液滴吐出頭Η1之掃描，且每掃描使用 另外的噴嘴之方法中之任一方法，但是本實施形態中採用 (1 )之方法。 | 第1 7圖是表示以液滴吐出頭Η 1之1次掃描在各畫素 區域Α1〜A3形成電洞注入/輸送層1 10a時之工程的工程圖 。第17圖（a)是表示液滴吐出頭H1自第16圖之位置沿著 圖示X方向而掃描之後的狀態，第1 7圖（b)是表示液滴吐 出頭H1自第17圖（a)所示之狀態僅掃描在圖示X方向， 並且表示在圖示Y方向之相反方向上移動的狀態，第17 圖（c)是表示液滴吐出頭H1自第17圖（b)之狀態僅在圖示 X方向掃描，並在圖示Y方向上移動之狀態。再者，第 φ 1 8圖是表示被隔牆部1 22所包圍之被吐出區域之剖面構成 〇 第17圖（a)是自形成液滴吐出頭H1之各噴嘴中，3個 噴嘴n la〜n3a將包含電洞注入/輸送層形成材料之第1組 成物（液狀體）吐出至畫素區域 A1〜A3。並且，本實施形態 中雖然藉由掃描液滴出頭Η1，吐出第1組成物，但是亦 可藉由掃描基體2。並且，藉由使液滴出頭Η1和基體2 相對性移動亦可以吐出第1組成物。並且，之後使用液滴 吐出頭而執行的工程是與上述點相同。 -36- (33) 1259803 藉由液滴吐出頭Η 1之吐出是如下述般。即是，如第 1 7圖（a)及第1 8圖所不般，將形成於液滴吐出頭Η1而所 構成之nla〜n3a與電極面111a對向而予以配置，自噴嘴 nla〜n3a吐出至最初之第1組成物之液滴llOcl。畫素區 域A 1〜A3是由區隔畫素電極1 1 1和該畫素電極1 1 1之周 圍的隔牆部122所形成，對於該些畫素區域A1〜A3，自噴 嘴η 1 a〜n3 a吐出控制每1滴之液量的最初第1組成物之液 ，滴 1 1 0 C 1 ° 接著，如第17圖（b)所示般，僅使液滴吐出頭H1在 圖示X方向予以掃描，並藉由使移動至圖示Y方向之相 反方向上，使噴嘴nib〜n3b位於各畫素區域A1〜A3。然後 ，將第1組成物之第2滴的液滴1 10c2自各噴嘴nib〜n3b 朝向畫素區域A1〜A3吐出。 並且，如第17圖（c)所示般，依據僅使液滴吐出頭H1 在圖示X方向上掃描，並且在圖示Y方向上移動，再次 φ 使噴嘴nla〜n3a位於各畫素區域A1〜A3。然後，將第1組 成物之第3滴的液滴l〇c3自各噴嘴nla〜n3a朝向畫素區 域A 1〜A 3吐出。 如此一來，依據沿著圖示X方向使液滴吐出頭Η1予 以掃描’僅沿著圖示方向予以移動，對一個畫素區域A 1 等自兩個噴嘴依順吐出第1組成物之液滴。對一個畫素區 域A 1吐出之液滴的數量，雖然可以例如設爲6〜20滴之範 圍，但該範圍依畫素面積而有所改變，即使比該範圍多或 少亦可。吐出至各畫素區域（電極面111a上0之第1組成 -37- (34) (34)
1259803 物之全量，是依據下部、上部開口部1 12c、1 12d 、欲形成電洞注入/輸送層之厚度，和第1組成物 洞注入/輸送層形成材料之濃度等所決定。 如此，以1次掃描形成電洞注入/輸送層之時 吐出第1組成，執行噴嘴之切換，並自各畫素區域 對各畫素區域A1〜A3吐出第1組成物，比起以往 個噴左對1個畫素區域A1等多數次吐出之時，因 之吐出量之參差不齊被相抵，故各畫素電極1 1 1… 1組成物之吐出量之參差不齊變小，可以以相同之 成電洞注入/輸送層。依此，可以將美化素之發光 一定，可以製造顯示品質優良之顯示裝置。 接著，針對實際之吐出程序予以說明。本實施 首先如第1 8圖所不般，僅在虛設區域2 b吐出第1 之液滴n 〇c，之後如第1 9圖所示般，對顯示區域 第1組成物之液滴1 10c。 在此，本實施形態是將吐出條件設定成尤其以 區域2 b之面積除去被吐出至虛設區域2 b之第1組 總體積之値，可比以該顯示區域2a之面積除去被 顯示區域2 a之第1組成物之總體積之値還大。並 設區域2b之面積及顯示區域2a之面積是指藉由屬 區域之隔牆部1 2 2所包圍之區域的總面積，依據如 條件之採用於執行吐出後執行乾燥時，可以不會使 域2a中之蒸發溶媒分子之分壓比虛設區域2b中之 媒分子之分壓過大，並可以使虛設區域2b中之溶 之大小 中之電 ，因每 A1 〜A3 ，以 1 噴嘴間 中之第 膜厚形 量保持 形態是 組成物 2a吐出 該虛設 成物之 吐出至 .且，虛 於各個 I此吐出 .顯不區 .蒸發溶 :媒之蒸 - 38- (35) 1259803 發速度接近於顯不區域2 a中之溶媒蒸發速度。 並且’在此所使用之第1組成物是可以使用將聚二氧 乙基塞吩（PEDOT)等之聚塞吩衍生物和聚對苯乙烯磺酸 (PSS)等之混合物’溶解於極性溶媒中之組成物。 作爲極性溶媒是可以舉出異丙醇（〗P A)、正丁醇、γ _ 丁內酯、Ν-甲基吡咯烷酮、i，3_二甲基-2-咪唑啉酮（dmi) 及該衍生物、乙酸二甘醇酯、乙酸丁基二甘醇酯之乙二醇 | 醚類等。 並且，電洞注入/輸送層形成材料是即使對紅（R)、綠 (G)、藍（B)之各發光層i10bl〜11〇b3使用相同材料亦可， 即使每發光層使用不同材料亦可。 接著，執行乾燥工程。藉由執行乾燥工程，蒸發第i 組成物所包含之極性溶媒，形成第2〇圖所示之電洞注入/ 書従1 1 〇 a。虽執行乾燥處理時，第1組成物之液滴1 1 〇 c 所包含之極性溶媒之蒸發，主要是在接近無機物隔牆層 隹1 12a及有機物隔牆層1 12b之位置所引起，隨著極性溶媒 之蒸發’濃縮並沉積電洞注入/輸送層形成材料。依此如 第20圖所示般，在第丨疊層部n2e上形成由電洞注入/ 輸送層形成材料所構成之周邊部i 10a2。該周邊部n〇a2 是密著於上部開口部112d之壁面（有機物隔壁層112b)， 該厚度在接近於電極面1 1 1 a之側爲薄，在離開電極面 1 1 1 a之側’即是接近有機物隔牆層n 2 b之側變厚。 再者’與此同時，依據乾燥處理即使在電極面ii a 也引起極性溶媒之蒸發，依此在電極面1 1 1 a上形成有由 -39- (36) 1259803 電洞注入/輸送層形成材料所構成之平坦部1 1 〇 a 1。因在電 極面1 1 1 a上及性溶媒之蒸發速度幾乎均勻，故電洞注入/ 輸送層之形成材料在電極面1 1 1 a上均勻被濃縮，依此， 形成均勻厚度的平坦部1 1 〇 a。如此一來，形成周邊部 1 1 0a2及平坦部1 1 〇al所構成之電洞注入/輸送層1 1 〇a。並 且，雖然即使爲不形成在周邊部1 1 〇 a2，僅在電極面1 1 1 a 上形成電洞注入/輸送層形態亦可，但是實際上該虛設區 φ 域2b之電洞注入/輸送層1 l〇a不被驅動，即是無實現注 入/輸送電洞之任務。 在此，本實施形態是如上述般，在虛設區域2b和顯 示區域2a中，使吐出之溶媒之每單位面積之容量不同。 因此，在該乾燥工程中，顯示區域2a中之蒸發溶媒分子 之分壓沒有比虛設區域2b中之蒸發溶媒分子之分壓過大 ，可以使虛設區域2b中之溶媒之蒸發速度接近於顯示區 域2a中之溶媒的蒸發速度。然後，由於如此吐出條件之 φ 導入，使得顯示區域2a中之周邊部之溶媒的蒸發速度， 接近於中央部之蒸發速度，可在該周邊部和中央部形成均 勻膜厚之電洞注入/輸送層ll〇a。 並且，乾燥處理是在氮氣環境下，以室溫將壓力設爲 例如133.3 Pa〜13.3 Pa(l Tor r〜0.1 Tor〇左右之狀況下進行。 在此，當急速使壓力下降時，因第1組成物之液滴1 1 〇c 沖撞，故不爲理想。再者，當溫度成爲高溫時，極性溶媒 之蒸發速度變商’無法形成平坦之肖吴。因此’以30C〜80 °C之範圍爲佳。 -40- (37) 1259803 乾燥處理後，在氮氣中最好是在真空 1 〇分鐘左右加熱的熱處理，除去殘留於1 1 1 0 a內之極性溶媒或水爲佳。 (4)發光層形成工程 接著，發光層形成工程是由表面改質 成材料吐出工程及乾燥工程所構成。 首先，爲了改質電洞注入/輸送層11( 面改質工程。接著，與上述電洞注入/輸 同，藉由液滴吐出法將包含發光層形成材 吐出至電洞注入/輸送層1 l〇a上。之後， 組成物予以乾燥處理（及熱處理），在電 1 l〇a上形成發光層1 10b(乾燥工程）。並且 形成材料吐出工程中，也與吐出第1組成 對虛設區域2b，吐出相對性比顯示區域2 位面積之容量）的溶媒。 於吐出包含有發光層形成材料之第2 如第21圖所示般，使吐出噴嘴H6對向於 開口部112c、112d內之電洞注入/輸送層 移動液滴吐出頭Η 5和基體2，一面吐出^ 。此時，與電洞注入/輸送層形成工程相 噴嘴對一個畫素區域執行吐出第2組成物 作爲形成發光層ll〇b之材料是可以 物、聚苯衍生物、.聚乙烯基咔唑、聚塞吩 中以 2 0 0 °C執行 I洞注入/輸送層 工程、發光層形 )a之表面執行表 送層形成工程相 料之第2組成物 使吐出後之第2 洞注入/輸送層 ，即使在發光層 物之情形相同， a多之容量（每單 組成物之時，則 位於下部、上部 1 1 0 a，一面相對 事2組成物1 l〇e 同，藉由多數之 1 1 0e ° 使用是聚芴衍生 衍生物，或是該 -41 - (38) (38)1259803 些之局分子材料中ί参雜花（Perilene)色素、香豆素 (Coumarin)色素、若丹明（Rhodamine)色素，例如紅螢烯（ Rub r en e )、茈、9，10-二苯基蒽、四苯基丁三烯、尼羅 紅（Nile red)、香豆素 6、喹吖酮（Quinacridone)等。 再者’作爲使發光層形成材料溶解或分散之溶媒，爲 對電洞注入/輸送層1 1 〇a不溶者爲佳，例如，可以使用環 己基苯、苯炔、三甲基苯、四甲苯等。藉由使用如此之溶 媒（非極性溶媒），可以不用再溶解電洞注入/輸送層1 1 0a ，吐出第2組成物。 被吐出之第2組成物ll〇e是擴散在電洞注入/輸送層 ll〇a上而塡滿於下部、上部開口部112c、112d內。另外 ’在被防液處理之上面1 1 2f，即使被吐出之液滴偏離規定 之吐出位置，而被吐出在上面112f上，該上面112f也不 會被該液滴濕潤，該液滴則掉入至下部、上部開口部1 1 2 c 、11 2d 內。 接著’於結束將第2組成物吐出至規定位置後，藉由 乾燥處理吐出後之第2組成物1 l〇e，形成發光層1 i〇b3。 即是，藉由乾燥蒸發第2組成物所包含之非極性溶媒，形 成第22圖所示般之藍色（B)發光層110b3。並且，在第22 圖中，雖然僅圖示一個發光成藍色之發光層，但是由第1 圖或其他圖式可明白，原本發光元件是被形成矩陣狀，在 無圖示之畫素區域上形成有多數發光層（對應於藍色）。 並且，如同上述般，即使在發光層形成工程中，也使 於虛設區域2b和顯示區域2a中，所吐出之溶媒的每單位 -42- (39) 1259803 面積之容量有所不同。因此，在乾燥工程中，顯示區域2 a 中之蒸發溶媒分子之分壓不會比虛設區域2b中之蒸發溶 媒分子之分壓過大，可以使虛設區域2b中之溶媒的蒸發 速度接近於顯示區域2 a中之溶媒之蒸發速度。然後，藉 由導入如此之吐出條件，顯示區域2 a中之周邊部之溶媒 蒸發速度，成爲接近中央部之蒸發速度，成爲可以在該周 邊部和中央部形成均勻膜厚之發光層1 1 〇b 3。 | 接著，如第23圖所示般，藉由與上述藍色（B)發光層 1 l〇b2之情形相同的工程，形成紅色（R)發光層1 10b41， 最後形成綠色（G)發光層1 10b2。並且，發光層1 10b之形 成順序並不限定於上述之順序，即使以任何順序形成亦可 。例如，亦可因應發光層形成材料而決定形成之順序。 再者，發光層之第2組成物之乾燥條件爲藍1 1 Ob 3之 時，是設成例如，在氮氣環境中，以室溫設定壓力爲 133.3Pa〜13.3Pa(lT〇rr〜O.lTorr)左右執行5分鐘至10分鐘 φ 之條件。當壓力過低時，因第2組成物沖撞，故不爲理想 。再者’溫度成爲高溫時，則有非極性溶媒之蒸發速度變 高，發光層形成材料多附著於上部開口部11 2d壁面之情 形。並且，最佳爲30°C〜80°C之範圍爲佳。 再者，於綠色發光層110b2及紅色發光層ll〇bl之時 ’因發光層形成材料之成份數多，故敏捷地乾燥較爲理想 ’例如以5分鐘〜1 〇分鐘執行4 〇 °C吹送氮氣之條件爲佳。 以其他之乾燥手段而言，可以例示遠紅外線罩設法、高溫 氮氣吹送法等。如此一來，在畫素第1 1 1上形成電洞注入 -43- (40) 1259803 /輸送層110a及發光層ll〇b。 (5)對向電極（陰極）形成工程 接著，在對向電極形成工程中，如第24圖所示般， 在發光層ll〇b及有機物隔牆層112b之全面上形成陰極（ 對向電極）1 2。並且，即使陰極1 2疊層多數材料而所形成 亦可。例如，以在接近於發光層側上形成功函數小之材料 爲佳，例如，可使用例如Ca、Ba等，再者，依據材料不 同也有在下層薄化形成氟化鋰爲佳之情形。再者，在上部 側（密封側）上亦可以使用功函數高之材料，例如亦可以使 用A1。 陰極1 2是以例如蒸鍍法、濺鍍法、CVD法等所形成 爲佳，尤其，以蒸鍍法形成時，因可以防止熱所引起之發 光層1 1 Ob之損傷故爲佳。再者，氟化鋰即使僅形成在發 光層1 l〇b上亦可，並且，可以對應於規定顏色而所形成 。例如，即使僅形成在發光層1 1 0b3上亦可。此時，其他 之紅色（R)發光層及綠色（G)發光層llObl、1102b2上接連 著由鈣所構成之上部陰極層。 再者，陰極12之上部是使用由CVD法所形成之A1 膜、Ag膜等爲佳。再者，該厚度是在例如100nm〜lOOOnm 之範圍爲佳，尤其在200nm〜5 00nm左右爲佳。再者，在 陰極12上，爲了防止氧化防止，即使設定Si02、SiN等 之保護層亦可。 • 44- (41) 1259803 (6 )密封工程 最後密封工程是藉由密封樹脂603密封形成有包含機 能層1 10之發光元件的基體2，和密封基板6〇4(參照第2 圖）的工程。例如，將由熱硬化樹脂或是紫外線硬化樹脂 所構成之密封樹脂6 0 3塗布在基體2之全面，在密封樹脂 603上疊層密封基板604。藉由該工程在基體2上形成密 封部3。 | 密封工程是在氮、氬、氨等之惰性氣體環境下執行爲 佳。當在大氣中執行時，因在陰極1 2產生小孔等之缺陷 時，則有由該缺陷部分水或氧氣等侵入至陰極1 2而氧化 陰極1 2之可能性，故爲不理想。 並且，將陰極12連接於第2圖例示之基板5之配線 5a，並且於驅動IC6連接電路元件14之配線，取得本實 施形態之顯示裝置1。 以上，雖然例示本實施形態之顯示裝置1之製造方法 φ ，但是於本實施形態中，在形成發光元件中之機能層110 之工程中，採用液滴吐出法，針對所吐出之溶媒之體積（ 每單位面積之體積），設爲虛設區域2b相對性比顯示區域 2a吐出較多之溶媒。具體而言，如第25圖所示般，將滴 落於虛設區域2b之第1組成物（第2組成物）9b之每單位 面積之容量，設爲比滴落於顯示區域2a之第1組成物（第 2組成物）9 a之每單位面積之容量還多，其結果溶媒量在 虛設區域相對性變多（第25圖（a)、（b))。 依此，如第25圖（c)所示般，虛設區域2b之蒸發溶媒 - 45- (42) 1259803 分子之蒸氣壓是比顯示區域2a之蒸發溶媒分子之蒸氣壓 大’近一步而言顯示區域2a中之周邊部之溶媒蒸發速度 接近於中央部之蒸發速度。其結果，在周邊部和中央部上 可以形成均勻相等膜厚之電洞注入/輸送層1 1 Ob或是發光 層1 l〇c(機能層110)。然後，此時，可以提供在顯示區域 2a全區域中，尤其不管中央部或是周邊部，元件特性（顯 不特性）不均勻較少的信賴性優之有機E L裝置。 以下，針對形成上述電洞注入/輸送層1 l〇b或是發光 層1 l〇c(機能層1 10)時之液滴吐出態樣，說明該變形例。 並且，在以下單稱吐出量，是指每單位面積之吐出量。 首先，如第26圖所示般，藉由將虛設區域2b中之吐 出區域之面積（即是，以隔牆部2 2所包圍之開口部面積 )構成比顯示區域2中之吐出區域之面積大，則可以使吐 出量在虛設區域2b相對變多。尤其，在位於被形成矩形 之顯示區域2a之角部上的虛設區域2c中，比其他虛設區 域2b增多吐出量爲佳。 再者，如第27圖所示般，可以設爲大約橫跨整個虛 設區域2 b，吐出第1組成物（第2組成物）9 b、9 c者。此時 ，可以確實地使虛設區域2b中之吐出量比顯示區域2a中 之吐出量多。尤其，顯示區域2a爲長方形狀之時，使短 邊方向之虛設區域A之吐出量比長邊方向之虛設區域B還 多爲佳，依此，可以使蒸發溶媒分子之蒸氣壓在基體面上 更均勻。並且，即使不是將液滴吐出在整個虛設區域2b 之全區域上之時，而如第2 8圖所示般，僅將液滴吐出在 -46- (43) 1259803 以隔牆部（省略圖示）所包圍之區域上之時，顯示區域2a爲 長方形之時，亦使短邊方向之虛設區域A之吐出量，比長 邊方向之虛設區域B還多爲佳。 再者，如第2 9圖所示般，顯示區域2 a爲長方形之時 ，在長邊方向配列同一色（例如，R(紅）或是G(綠）、B(藍）） 之發光層110c之時，使短邊方向之虛設區域A之吐出量 比長邊方向之虛設區域B還多爲佳。依此，例如在對各色 乾燥溶媒時，可以使蒸發溶媒分子之蒸氣壓在基體面內更 均句。 並且，如第3 1圖所示般，亦可以將虛設區域2b中之 吐出區域之面積（即是，隔牆部122所包圍之開口部之面 積）構成比顯示區域2a中之吐出區域之面積。於此時，藉 由使虛設區域2b中之吐出量相對性比顯示區域2a中之吐 出量多，則也可以提高該虛設區域2b中蒸發溶媒分子之 蒸氣壓，進而可以在面內均勻化顯示區域2a中之蒸發溶 媒分子之蒸氣壓。 再者，如第3 2圖所示般，亦可將虛設區域2b中之吐 出區域之面積（即是隔牆部1 22所包圍之開口部之面積）， 構成比顯示區域2a中之吐出區域之面積小，並密閉配置 該虛設區域2b之吐出區域。此時，亦藉由使虛設區域2b 中之吐出量相W性比顯不區域2 a中之吐出量多，則可以 提高該虛設區域2b中之蒸發溶媒分子之蒸氣壓，進而可 以在面內均勻化顯示區域2a中之蒸發溶媒分子之蒸氣壓 -47- (44) 1259803 並且，如第3 3圖所示般，在將虛設區域2b中之吐出 區域之面積（即是以隔牆部122所包圍之開口部之面積）構 成比顯示區域2 a中之吐出區域之面積小，並密閉配置該 虛設區域2 b之吐出區域時，可以將該虛設區域2 b之吐出 區域形成與顯示區域2a之吐出區域相同列及/或相同行。 於此時，也藉由使虛設區域2b中之吐出量相對性比顯示 區域2a中之吐出量多，則可以提高該虛設區域2b中之蒸 | 發溶媒分子之蒸氣壓，進而可以在面內均勻化顯示區域2a 中之蒸發溶媒分子之蒸氣壓。然後，因若對同一列及/或 同一行執行吐出即可，故比起第3 2圖之例，吐出工程則 爲非常簡便。 以上，本實施形態中，於形成機能層1 1 〇之時雖然採 用本發明所涉及之方法，但是即使對於液晶裝置等所使用 之彩色濾光片基板，亦可以採用本發明。具體而言，在具 有選擇性透過規定之色光並當作彩色濾光片而發揮機能之 φ機能區域（相當於上述實施形態中之顯示區域2b)，和該機 能區域以外之非機能區域（相當於上述實施形態中之顯示 區域2a)之彩色濾光片基板之製造工程，是可以爲藉由液 滴吐出法將構成著色層之著色材料溶解或分散於溶媒中之 組成物（液狀體）予以吐出之工程。然後，在該吐出工程中 ，與上述機能層1 1 〇之形成工程相同，若將被吐出至非機 能區域之每單位面積之溶媒量比被吐出至機能區域之每單 位面積之溶媒量多時，則可以發現與上述實施形態相同之 效果，可以製造出在機能區域內均勻膜厚之彩色濾光片基 -48 - (45) 1259803 板。 (第2實施形態） 接著，針對具備有第1實施形態之顯示裝置 器之具體例予以說明。第3 0圖是表示行動電話 斜視圖。於第30圖中，符號600是表示行動電 符號6 0 1是表示使用顯示裝置1之顯示部。如此 器是具備使用第1實施形態之顯示裝置1之顯示 有先前第1實施形態之顯示裝置1之特徵，故成 示不均少之顯示品質優良之效果的電子機器。 【圖式簡單說明】 第1圖是表示本發明之第1實施形態之顯示 線構造之平面模式圖。 第2圖是表示第1圖之顯示裝置之平面模式 模式圖。 第3圖是表示第1圖之顯示裝置之重要部位 圖。 第4圖是表示第1圖之顯示裝置之製造方法 〇 第5圖是說明接著第4圖之製造方法的工程 第6圖是表示電漿處理裝置之一例的平面模 第7圖是表示電漿處理裝置之第1電漿處理 構造的模式圖。 之電子機 之一例的 話本體， 之電子機 部，因具 爲具有顯 裝置之配 圖及剖面 剖面模式 的工程圖 圖。 式圖。 .室之內部 -49- (46) (46)1259803 弟8圖是I兌明接者弟5圖之製造方法的工程圖。 弟9圖是g兌明接者第8圖之製造方法的工程圖。 第1 〇圖是表示電漿處理裝置之另外例的平面模式圖 〇 第1 1圖是表示液滴吐出頭之一例的平面圖。 第1 2圖是表示液滴吐出裝置之一例的平面圖。 第1 3圖是表示液滴吐出頭之一例的斜視圖。 第1 4圖是表示第1 3圖所示之液滴吐出頭之內部構造 的斜視圖及剖面圖。 第1 5圖是表示液滴吐出頭對基體之配置狀態的平面 圖。 第16圖是表示第15圖之重要部分之放大圖。 第1 7圖是表示以液滴吐出頭之1次掃描形成電洞注 入/輸送層時之工程的工程圖。 第1 8圖是說明接著第9圖之製造方法的工程圖。 第1 9圖是說明接著第1 8圖之製造方法的工程圖。 第20圖是說明接著第19圖之製造方法的工程圖。 第21圖是說明接著第20圖之製造方法的工程圖。 第22圖是說明接著第21圖之製造方法的工程圖。 第23圖是說明接著第22圖之製造方法的工程圖。 第24圖是說明接著第23圖之製造方法的工程圖。 第2 5圖是表示針對液滴吐出態樣所示之平面圖及剖 面圖和蒸氣壓値之曲線圖。 第26圖是表示針對液滴吐出態樣而所示一變形例的 -50- (47) 1259803 平面圖及剖面圖和蒸氣壓値之曲線圖。 第27圖是表示針對液滴吐出態樣而所示一變形例的 平面圖及剖面圖和蒸氣壓値之曲線圖。 第2 8圖是表示針對液滴吐出態樣而所示一變形例的 平面圖及剖面圖和蒸氣壓値之曲線圖。 第29圖是表示針對液滴吐出態樣而所示一變形例白勺 平面圖及剖面圖和蒸氣壓値之曲線圖。 | 第30圖是表示本發明之第2實施形態之電子機器的 斜視圖。 第3 1圖是表示針對液滴吐出態樣而所示一變形例的 平面圖及剖面圖和蒸氣壓値之曲線圖。 第3 2圖是表示針對液滴吐出態樣而所示一變形例的 平面圖及剖面圖和蒸氣壓値之曲線圖。 第3 3圖是表示針對液滴吐出態樣而所示一變形例的 平面圖及剖面圖和蒸氣壓値之曲線圖。 【主要元件符號說明】 1 顯示裝置（有機EL裝置，光電裝置） 2a 顯示區域（機能區域） 2 b 虛設區域（非機能區域） 2 基體（基板） -51 -

Claims (1)

  1. (1) 1259803 十、申請專利範圍 1. 一種彩色濾光片基板之製造方法，具有包含多數之 著色層，選擇性透過特定之色光，並當作彩色濾光片發揮 機能的機能區域，和該機能區域以外之非機能區域的彩色 濾光片基板之製造方法，其特徵爲： 包含有利用液滴噴ά法，將構成上述著色層之著色材 料溶解或分散於溶媒中之液狀體，噴在基板上的噴出步驟 在該噴出步驟中，是設爲對上述機能區域噴出上述液 狀體，對上述非機能區域噴出上述液狀體或是上述溶媒， 並使被噴出至上述非機能區域之每單位面積的溶媒量，比 被噴出至上述機能區域之每單位面積的溶媒量還多。 2. —種光電裝置之製造方法，具有在每畫素上光電元 件發揮機能的機能區域，和被形成在該機能區域之周邊的 非機能區域的光電裝置之製造方法，其特徵爲： 包含有利用液滴噴出法，將構成上述上述光電元件之 機能材料溶解或分散於溶媒中之液狀體，噴在基板上的噴 出步驟， 在該噴出步驟中，是設爲對上述機能區域噴出上述液 狀體，對上述非機能區域噴出上述液狀體或是上述溶媒， 並使被噴出至上述非機能區域之每單位面積的溶媒量，比 被噴出至上述機能區域之每單位面積的溶媒量還多。 3 .如申請專利範圍第2項所記載之光電裝置之製造方 法，其中，包含有先行於上述上述噴出步驟之前，以相同 -52- (2) 1259803 之圖案，各對上述基板上之上述機能區域及上述非機能區 域，形成液狀體及/或溶媒被噴出的液體收容區域的步驟 ， 在上述噴出步驟中，是使對上述非機能區域之液體收 容區域所噴出之溶媒量，比對上述機能區域之液體收容區 域所噴出之溶媒量還多。 4 .如申請專利範圍第2項所記載之光電裝置之製造方 | 法，其中，包含有先行於上述上述噴出步驟之前，對上述 基板上之上述機能區域及上述非機能區域，形成液狀體及 /或溶媒被噴出的液體收容區域的步驟， 在該液體收容區域之形成步驟中，是使上述機能區域 中之液體收容區域之面積，形成比上述非機能區域中之液 體收容區域之面積還大。 5.如申請專利範圍第2項所記載之光電裝置之製造方 法，其中，包含有先行於上述上述噴出步驟之前，對上述 φ 基板上之上述機能區域及上述非機能區域，形成液狀體及 /或溶媒被噴出的液體收容區域的步驟， 上述機能區域平面視爲長方形狀，在該機能區域之長 邊方向及短邊方向，上述非機能區域中之上述液體收容區 域之密度是被設爲不同， 使對上述非機能區域中之液體收容區域之密度大者， 所噴出之每單位面積的溶媒量，比對上述非機能區域中之 液體收容區域之密度小者，所噴出之每單位面積的溶媒量 還多。 -53- (3) (3)1259803 6 .如申請專利範圍第2項所記載之光電裝置之製造方 法，其中，上述機能區域於平面視爲長方形狀時，關於沿 著該機能區域之短邊方向所形成之第1非機能區域，和沿 著機能區域之長邊方向而所形成之第2非機能區域，在上 述噴出步驟中，使被噴出至上述第1非機能區域之每單位 面積的溶媒量，比被噴出至上述第2非機能區域之每單位 面積之溶媒量還多。 7 .如申請專利範圍第2項所記載之光電裝置之製造方 法，其中，包含有先行於上述上述噴出步驟之前，對上述 基板上之上述機能區域及上述非機能區域，形成液狀體及 /或溶媒被噴出的液體收容區域的步驟， 在該液體收容區域之形成步驟中，沿著上述機能區域 帶狀地形成上述非機能區域之液體收容區域。 8 . —種光電裝置，其特徵爲：使用申請專利範圍第2 項至第7項所記載之製造方法而製造出。 9.一種電子機器，其特徵爲：具備有申請專利範圍第 8項所記載之光電裝置。 -54-
TW094116166A 2004-05-19 2005-05-18 Method of manufacturing color filter substrate, method of manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus TWI259803B (en)

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Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4852257B2 (ja) * 2005-04-08 2012-01-11 芝浦メカトロニクス株式会社 溶液の塗布装置及び塗布方法
JP2007103349A (ja) * 2005-09-08 2007-04-19 Seiko Epson Corp 膜パターンの形成方法、有機ｅｌ装置の製造方法、カラーフィルタ基板の製造方法、液晶表示装置の製造方法
US7928537B2 (en) * 2006-03-31 2011-04-19 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent device
JP4935171B2 (ja) * 2006-04-24 2012-05-23 セイコーエプソン株式会社 膜形成方法、電気光学基板の製造方法、及び電気光学装置の製造方法、並びに機能膜、電気光学基板、電気光学装置、及び電子機器
CN102514383B (zh) 2006-08-28 2015-03-25 佳能株式会社 图像数据生成设备、图像打印设备和图像数据生成方法
JP4797930B2 (ja) * 2006-10-30 2011-10-19 セイコーエプソン株式会社 表示装置の製造方法
JP5017584B2 (ja) * 2007-08-02 2012-09-05 株式会社ジャパンディスプレイイースト 有機ｅｌ表示装置
JP4957477B2 (ja) * 2007-09-18 2012-06-20 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造方法
JP2009081097A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
JP5338266B2 (ja) * 2007-11-20 2013-11-13 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP4978438B2 (ja) * 2007-11-21 2012-07-18 セイコーエプソン株式会社 成膜方法
TW200936391A (en) * 2007-12-10 2009-09-01 Du Pont Multicolor electronic devices and processes of forming the same by printing
JP2009178627A (ja) * 2008-01-29 2009-08-13 Seiko Epson Corp 薄膜形成方法、カラーフィルタの製造方法
JP5256841B2 (ja) * 2008-05-01 2013-08-07 セイコーエプソン株式会社 機能液滴吐出ヘッドの吐出検査方法および機能液滴吐出ヘッドの吐出検査装置
TW201005813A (en) 2008-05-15 2010-02-01 Du Pont Process for forming an electroactive layer
CN102171852B (zh) * 2008-10-21 2013-11-06 E.I.内穆尔杜邦公司 多色电子器件及通过印刷形成该器件的工艺
TW201039382A (en) 2009-03-06 2010-11-01 Du Pont Process for forming an electroactive layer
EP2406814A4 (en) 2009-03-09 2012-07-25 Du Pont METHOD FOR FORMING AN ELECTROACTIVE LAYER
CN102349132B (zh) 2009-03-09 2014-09-17 E.I.内穆尔杜邦公司 形成电活性层的方法
TW201103766A (en) * 2009-06-04 2011-02-01 Du Pont Multicolor electronic devices and processes of forming the same by printing
WO2010143360A1 (ja) * 2009-06-11 2010-12-16 パナソニック株式会社 有機ｅｌディスプレイ
WO2011001614A1 (ja) 2009-06-29 2011-01-06 パナソニック株式会社 有機ｅｌディスプレイパネル
JP5326999B2 (ja) * 2009-11-04 2013-10-30 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、電子機器
JP4920115B2 (ja) * 2011-04-04 2012-04-18 芝浦メカトロニクス株式会社 溶液の塗布装置及び塗布方法
CN103918351A (zh) 2011-11-09 2014-07-09 昭和电工株式会社 发光装置和发光装置的制造方法
JP5974601B2 (ja) * 2012-04-13 2016-08-23 株式会社Ｊｏｌｅｄ デバイスの製造方法
WO2014108931A1 (ja) * 2013-01-08 2014-07-17 ナカンテクノ株式会社 低粘度薄膜印刷における乾燥ムラ軽減方法と該方法が適用される印刷パターン
JP2015103427A (ja) * 2013-11-26 2015-06-04 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法
KR102269134B1 (ko) * 2014-09-29 2021-06-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 유기 발광 표시 장치용 증착 마스크
JP2016147223A (ja) * 2015-02-12 2016-08-18 東レエンジニアリング株式会社 インクジェット塗布方法およびインクジェット塗布装置
JP6484487B2 (ja) * 2015-04-06 2019-03-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法及び表示装置
CN105489632A (zh) * 2016-01-15 2016-04-13 京东方科技集团股份有限公司 Oled阵列基板及其制造方法、oled显示面板和oled显示装置
CN107123751B (zh) * 2017-04-28 2019-04-16 武汉华星光电技术有限公司 一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法
JP2019008962A (ja) * 2017-06-23 2019-01-17 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法
WO2019021370A1 (ja) * 2017-07-25 2019-01-31 シャープ株式会社 塗布装置、ｅｌデバイス製造装置およびｅｌデバイス
KR102491393B1 (ko) * 2017-12-07 2023-01-20 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
CN109080266B (zh) * 2018-08-21 2019-11-19 京东方科技集团股份有限公司 一种打印机台
CN111370439A (zh) * 2018-12-07 2020-07-03 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN110611053B (zh) 2019-08-20 2020-11-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板的制备方法及其功能层的制备方法
KR20210074060A (ko) * 2019-12-11 2021-06-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06214110A (ja) * 1993-01-18 1994-08-05 Toshiba Corp カラ−フィルタ及びカラ−液晶表示装置
JP3879144B2 (ja) * 1996-06-05 2007-02-07 凸版印刷株式会社 カラーフィルター
KR100660384B1 (ko) 1998-03-17 2006-12-21 세이코 엡슨 가부시키가이샤 표시장치의 제조방법
US6312971B1 (en) * 1999-08-31 2001-11-06 E Ink Corporation Solvent annealing process for forming a thin semiconductor film with advantageous properties
JP5073141B2 (ja) * 1999-12-21 2012-11-14 プラスティック ロジック リミテッド 内部接続の形成方法
JP3988067B2 (ja) 1999-12-27 2007-10-10 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置部品の製造方法
GB2360489A (en) * 2000-03-23 2001-09-26 Seiko Epson Corp Deposition of soluble materials
JP3628997B2 (ja) 2000-11-27 2005-03-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP4042692B2 (ja) 2000-11-27 2008-02-06 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP4042409B2 (ja) 2000-11-27 2008-02-06 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置
JP4042691B2 (ja) 2000-11-27 2008-02-06 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
US6884294B2 (en) * 2001-04-16 2005-04-26 Tokyo Electron Limited Coating film forming method and apparatus
JP2002318307A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタの製造装置およびカラーフィルタ基板
WO2004070810A1 (ja) * 2003-02-05 2004-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 表示装置の製造方法
US20050100690A1 (en) * 2003-11-06 2005-05-12 Optical Coating Laboratory Inc., A Jds Uniphase Company Dyed polymer coating for display panel

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Publication number Publication date
KR100691707B1 (ko) 2007-03-09
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