TWI254036B - Cleaning method for electronic component - Google Patents

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TWI254036B
TWI254036B TW090125017A TW90125017A TWI254036B TW I254036 B TWI254036 B TW I254036B TW 090125017 A TW090125017 A TW 090125017A TW 90125017 A TW90125017 A TW 90125017A TW I254036 B TWI254036 B TW I254036B
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TW
Taiwan
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cleaning
acid
agent
electronic component
weight
Prior art date
Application number
TW090125017A
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English (en)
Inventor
Hideto Goto
Hiroyuki Mori
Takayuki Niuya
Hiroshi Matsunaga
Fukusaburo Ishihara
Original Assignee
Mitsubishi Gas Chemical Co
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Publication date
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Description

1254036 五 '發明説明（1 ) 發明背景 本發明係關於用於去除被處理材料表面之沈積物的淸 潔方法，特別是用於去除牢牢附著於被處理材料表面上 的沈積物，而不會破壞被處理材料的淸潔方法。 相關技藝 當以淸潔劑來淸潔被處理材料的表面時，在某些情況 下會因爲太強的潔淨力而對被處理材料的表面造成一些 傷害，例如腐蝕。 近年來，微影光刻（lithography)已成爲高度整合半導 體元件製程的一項不可或缺的重要技術。當使用微影光 刻來製造半導體元件時，先在如矽晶圓之類的基板上形 成金屬膜的導電性薄膜（其係導電性線材）和做爲線路間 絕緣用的內層隔離薄膜，如氧化矽薄膜；接著，均勻的 在其上施用一層光阻而形成一層感光層；將此感光層予 以選擇性曝光並且加以顯影處理而形成所需的光阻圖案 。接著以光阻圖案做爲光罩，進行底層上之氧化矽薄膜 的選擇性蝕刻處理，因而在上述薄膜上形成所需的圖案 。接著，再完全去除上述的光阻圖案，以完成一系列的 步驟。 近年來，半導體元件的超高度整合不斷的進步，對於 形成四分之一微米或更小圖案的需求愈來愈大。由於此 類加工對尺寸的要求日益朝向超微細，乾蝕刻法已成爲 選擇性蝕刻處理的主流，並且以氧氣電漿來進行灰化處 理亦被用來去除光阻圖案。這種灰化處理係指藉由在電 1254036 五、發明説明（2) 漿中新產生的氧氣電漿，使得含有（例如）有機聚合物的 光阻經由燃燒反應而形成CO和co2，而得以去除。已 知當進行乾蝕刻處理時，在所形成圖案的週邊產生的是 乾鈾刻氣體、光阻和加工薄膜以及來自乾蝕刻裝置中之 加工室構件的殘渣（以下稱爲蝕刻殘渣）。如果此種蝕刻 殘渣殘留於特別是導孔（Via hole)的內側和其週邊部分 時，將造成半導體元件電阻的增加或是電路短路，因此 這種狀況最好不要發生。 此外，近年來，當使用銅這樣的簡單物質做爲線材時 ，大馬士革方法常被用來做爲高度整合半導體元件的製 程。現今所施用的基本大馬士革方法將在下文中做詳細 的解釋。如第4圖中所示，（a)以CVD法使用來使線路 間絕緣的氧化矽薄膜2在矽晶圓1之上形成；將光阻3 均勻地施用在其表面上，以形成一層感光層；將此感光 層予以選擇性曝光並且加以顯影處理而形成所需的光阻 圖案。（b )以此光阻圖案做爲光罩，使得底層中之氧化石夕 薄膜進行乾蝕刻處理，因而形成所需的圖案4a。在這個 情形下，蝕刻殘渣1 8仍停留在圖案4a上。（c)將光阻3 和蝕刻殘渣18完全去除。（d)爲了阻止銅擴散，以PVD 法在氧化矽膜2之上的圖案4a內側均勻的形成一層 TaN(氮化鉅）層5，接著以PVD法或是電鍍處理方式， 在其上形成一層銅薄膜層6，其爲一種導電性線材。（e) 不要的多餘銅膜和TaN膜將以CMP法來去除，並且使 銅薄膜層6和氧化矽薄膜2 —起硏磨，以達到平坦化， -4- 1254036 ......... —rtr. ，丨 μ丨-nr..................
五、發明説明（） 因而形成了初始的線路層A。（f)爲了防止銅在之後於上 層所形成之線路層和上述的初始線路層A之間擴散，以 電漿CVD法形成一層氮化矽薄膜7。接著，（g)藉著重 覆步驟〇)到（f)的方式，在初始線路層a之上進一步形 成線路層A2，因而形成所要的線路層。 含有烷醇胺和有機溶劑混合物的以有機胺爲基的剝離 溶液被揭露爲一種用於半導體元件製程中去除蝕刻殘渣 、硬化之光阻層和光阻的淸潔劑，例如，日本專利申請 公告第493 5 5/1 987號和日本專利申請公告第42653/ 1 989號。然而，當在去除蝕刻殘渣、光阻等物質之後， 用水來沖洗時，包含在這些淸潔溶液中的胺被所吸收的 濕氣所解離，而顯現出鹼性，所以金屬膜被腐蝕，因此 其所隱含的問題就是需要使用如醇之類的有機溶劑來做 爲沖洗溶液。 此外，含有氟化合物、有機溶劑和腐蝕抑制劑之以氟 爲基的水性溶液被揭露成爲一種淸潔溶液，其具有比曰 本專利申請公告第20 1 794/1 995號和日本專利申請公告 第67632/1 999號中所提以有機胺爲基之剝離溶液還要 高的去除蝕刻殘渣、硬化的光阻層和光阻層能力。 然而，近年來，在半導體元件製程中的乾蝕條件變得 愈來愈嚴苛，並且光阻表層的性質變化更大，因而形成 了硬化的光阻層，使得不可能用以有機胺爲基之剝離溶 液和上述正式公報所刊載以氟爲基之水溶液來完全使之 去除。此外，未被去除而留下的殘渣也會帶來電性的困 1254036 4 五、發明説明（) 擾’如電阻的增加、線路斷裂和短路或是不正常的電流 ，因此’非常需要一種能完全去除蝕刻殘渣、硬化的光 阻層和用來做爲光罩的光阻之淸潔溶液，上述物質都是 在乾蝕刻處理之後不必要的殘留物。同樣的，用來去除 光阻圖案之以氧化電漿進行的灰化處理也就變得多餘了 。這種灰化處理係指藉由在電漿中新產生的氧氣電漿， 使得含有（例如）有機聚合物的光阻經由燃燒反應而形成 CO和C〇2，而得以去除。然而，在這種灰化處理，也 就是以氧化法來去除光阻的方法中，銅被明顯的氧化， 因而破壞了它低電阻的優點。因此，要以蝕刻的方式來 去除已改變性質之光阻劑，同時又不會破壞銅線材料就 變得非常重要了。 本發明之揭露 本發明係爲了解決上述問題而提出，其目的係提供一 種淸潔方法，使得牢牢附著於被處理材料表面上的沈積 物可以輕易的被去除，而不會破壞被處理的材料。 本發明提供了 一種淸潔方法，其特徵在於使含有一種 氧化劑、螯合劑和氟化合物的淸潔劑以高速流過被處理 材料的表面，因而去除無機基板上之被處理材料表面上 的殘渣，達到淸潔上述表面的功效。 圖式的簡單描述 第1圖係顯示以高速流來淸潔半導體元件之單層浸漬 型淸潔裝置圖。 第2圖係顯示用於淸潔半導體元件之浸漬批式淸潔裝 -6- 1254036 五'發明説明（5) 置圖。 第3圖係顯不實例和比較實例中所使用之半導體元件 的製造步驟圖和經淸潔之後的半導體元件。 第4圖係顯示以大馬士革製程來製造半導體元件的步 驟。 本發明之實施例 在本發明的淸潔方法中，可以用來淸潔之物品包括各 種被處理的材料，例如，各種零件，包括電子零件，如 半導體元件，液晶顯示器元件，光碟，印刷基板，電漿 顯不器和場發射顯示器。 依照本發明的淸潔方法，在去除經過乾蝕刻之後或是 經過乾蝕刻及之後進行的灰化處理之後成爲多餘的形成 光罩的光阻劑、硬化的光阻層和蝕刻殘渣時，係使用一 種含有氧化劑、螯合劑、氟化合物以及（如有需要）有機 溶劑的淸潔劑，以高速流進行淸潔操作，因此它們可以 在短時間之內輕易地被剝離，而完全不會使線材和隔離 膜腐蝕。此外，也不須使用如醇之類的有機溶劑來做爲 沖洗溶液，並且可以只用水來進行沖洗。 本發明中所使用之氧化劑包括，例如，無機氧化劑， 如過氧化氫、臭氧、次氯酸，其中以過氧化氫爲特佳。 在本發明中所使用氧化劑的含量通常爲0.0001到60重 量％之間，又以0.0005到30重量％之間爲較佳，其係以 淸潔劑的總重量爲基準。如果氧化劑的含量低於0.0 0 0 1 重量％，則去除光阻劑、硬化的光阻層和蝕刻殘渣的速 1254036 五、發明説明（6) 度會降低。另一方面，如果超過60重量％，則會加速線 材和隔離層的腐蝕。 本發明中所使用的整合劑包括，例如，胺基聚羧酸，
如乙二胺四醋酸（EDTA)、羧乙基乙二胺四醋酸（DHEDDA) 、：1,3-丙二胺四醋酸（1，3-PDTA)、二乙三胺五醋酸（DTDA) 、三乙四胺六醋酸（TTNA)、氮川三醋酸（NTA)和羥乙基 亞胺基醋酸（HIMDA)或其銨鹽、金屬鹽和有機鹼鹽；以 膦酸爲基之整合劑，其在一個分子中具有至少一個膦酸 基團，如甲基二膦酸、胺基三甲撐膦酸、乙叉二膦酸、
1-羥基乙叉二膦酸、1-徑基丙叉-1，1-二膦酸、乙胺 基雙甲撐膦酸、十二胺基雙甲撐膦酸、氮川三甲撐隣 酸、乙二胺雙甲撐膦酸、乙二胺四甲撐膦酸、己二胺四 甲撐膦酸、二乙三胺五甲撐膦酸和1,2-丙二胺丁撐膦酸 或其銨鹽、有機胺鹽和鹼金屬鹽類和氧化物’其中化合 物的一個分子中具有一個氮原子，這些以膦酸爲基的螯 合劑被氧化成氮氧化物；以及縮合的膦酸’如偏膦酸、 四偏膦酸、六偏膦酸和三多膦酸或其銨鹽、金屬鹽和有 機胺鹽類；二羧酸，如乙二酸、丙二酸、丁二酸、二锍 基丁二酸、戊二酸、順丁烯二酸、酞酸、反丁烯二酸； 多羧酸，如三羧酸、丙烷-1，1,2,3-四羧酸、丁烷―1，2,3， 4-四羧酸、苯均四酸；羥基羧酸，如羥基醋酸、石-羥基 丙酸、檸檬酸、羥基丁二酸、酒石酸、丙銅酸、二乙二 醇酸、水楊酸、掊酸；多酷，如兒茶醋、連苯二酚；磷 酸，如焦磷酸、多磷酸；雜環化合物’如8 -羥基喹啉； 1254036 五、發明説明（7 ) 雙酮，如α , α ’ -二吡啶基乙醯丙酮。 在這些螯合劑之中，包括二羧酸和一個分子中具有兩 或多個膦酸基團爲佳的化合物，又以具有2到6個膦酸 基團爲佳。較偏好者爲乙二酸、1，2-丙二胺丁撐膦酸、 二乙胺戊撐膦酸和乙二胺四甲撐膦酸，其中又以己二酸 和1，2-丙二胺丁撐膦酸爲特佳。上述的螯合劑可以單獨 使用或是有兩或多種混合使用。 螯合劑的含量通常爲〇.〇1到10重量％之間，又以 0.0 5到5重量°/〇之間爲佳，尤以0.1到3重量％之間爲 更佳，其係以淸潔劑的總重量爲基準。如果螯合劑的含 量低於〇.〇1重量％，則很難觀察到避免金屬雜質再附著 的效果。另一方面，即使超過1 0重量％，其添加效果也 不會提升。 本發明中所使用之氟化合物包括，例如，有機胺氟化 物，如氟化銨、酸性的氟化銨、氟化一乙醇胺、氫氟化 甲胺、氫氟化乙胺和氫氟化丙胺，氟化四甲銨和氟化四 乙銨。其中以氟化銨和氟化四甲銨爲較佳。這些氟化合 物的含量通常爲0.001到20重量％之間，又以0.005到 1 〇重量％之間爲較佳，其係以淸潔劑的總重量爲基準。 如果氟化合物的含量低於〇. 〇 〇 1重量％，則去除光阻劑 、硬化的光阻層和飽刻殘澄的速度會降低。另一方面， 如果超過2 0重量％，則會加速線材和隔離層的腐蝕。 本發明中所使用之淸潔劑可含有（如有需要）一種有機 溶劑，其包括，例如，以醚爲基之溶劑，如乙二醇一乙 -9- 1254036 五、發明説明（8) 醚、乙二醇一丁醚、二乙二醇一甲醚、二乙二醇一*** 、二乙二醇一丁醚、丙二醇一甲醚、丙二醇一***、丙 二醇一丁醚、二丙二醇一甲醚、二丙二醇一***、二丙 二醇一丁醚、二乙二醇二甲醚和二丙二醇二甲醚；以醯 胺爲基之溶劑，如甲醯胺、一甲基甲醯胺、二甲基甲醯 胺、一乙基甲醯胺、二乙基甲醯胺、乙醯胺、一甲基乙 醯胺、N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、n，N-二甲基 甲醯胺和Ν,Ν-二甲基乙醯胺；以硫化合物爲基之溶劑， 如二甲基亞碾、二甲基楓、二乙基珮、雙（2-羥基楓）和 丁撐®。 其中，以二甲基亞楓、Ν,Ν-二甲基甲醯胺、Ν，Ν-二甲 基乙醯胺和Ν_甲基吡咯烷酮、二乙二醇一甲醚、二乙二 醇一丁醚、二丙二醇一甲醚和二兩二醇一丁醚爲佳。上 述的有機溶劑可單獨使用，或者是兩或多種溶劑混合使 用。上述有機溶劑的含量通常爲1到7 0重量％之間，其 係以淸潔劑的總重量爲基準，並且有機溶劑的使用和含 量可以依照乾蝕刻和/或灰化的條件來決定。 如有需要，本發明中所使用的淸潔劑可與添加劑摻合 ’其爲目前爲止可用於光阻剝離溶液中之添加劑，只要 不會破壞本發明目的即可。 此外’爲了提高淸潔溶液的濕潤性質，可以加入界面 活性劑，可使用任何一種陽離子、非離子和陰離子界面 活性劑。 這種淸潔溶液的pH値並沒有特別的限制，所使用的 -10- 1254036 五、發明説明（9 ) 車E SI通吊係介於p Η 3到1 2之間。其可依照触刻的條件 和半導體基板的種類來選擇。當其以鹼性來使用時，可 加入氨、胺和氰氧化四級銨鹽，如氫氧化四甲銨；如果 是在酸性條件下使用，則可加入有機酸和無機酸。 執行本發明之淸潔方法的溫度以介於室溫到8 0。(：之 間的範圍內爲佳’並且可以依照蝕刻的條件和所使用的 半導體基板來加以適當的選擇。 只要是在使用本發明淸潔劑的情況下，可在儘量窄的 封閉空間中獲得良好的效果，例如，體積小於1升的空 間可以確保淸潔效果，又以體積小於2 0 0毫升的空間爲 佳，並且液體流量爲1升/秒或更高，又以1 5升/秒或更 高爲佳，其可以確保淸潔的效果。 也就是說，在本發明的淸潔方法中，在無機基板上被 處理材料表面上的殘渣係被高速流所去除，其流速以3 到1 000公分/秒爲佳，又以5到100公分/秒爲特佳，尤 以5到10公分/秒爲最佳。 如上所述，這種具有不是非常強之潔淨力的淸潔劑被 用於本發明中，以進行高速流淸潔，使得光阻、硬化的 光阻層和蝕刻殘渣得以在短時間內輕易地剝離，而完全 不會腐鈾線材和隔離層。 例如，第1圖中所顯示的單層浸漬型淸潔裝置被用來 做爲淸潔裝置時，就可進行此種高速流的淸潔操作。在 此淸潔裝置中，其中置放了一個半導體元件2 1被淸潔 之材料）的管子被限制在一個封閉式的加工浴20中，而 -11- 1254036 五、發明説明（1G) 淸潔溶液2 2的流速則是藉由泵8來加速循環，用以淸 潔被淸潔的材料。 可用於本發明之淸潔方法中的半導體基板包括，例 如，有機材料，如聚亞醯胺和丙烯酸樹脂；半導體線 材，如矽、非晶矽、多晶矽、氧化矽薄膜、氮化矽薄 膜、銅、鈦、鈦-鎢、氮化鈦、鎢、鉅、鉅化合物、鉻 、氧化鉻和鉻合金以及化合物半導體，如鎵-砷、鎵-磷 和銦-磷。 藉由本發明的淸潔方法，不須在去除光阻劑、硬化的 光阻層和半導體基板上的蝕刻殘渣之後使用如醇之類的 有機溶劑來沖洗，只要用水來進行沖洗就足夠了。 此外’如果在進行本發明的淸潔方法之前的前-淸潔 或是之後的後淸潔時，有機基板之被處理材料的表面上 的殘渣係藉由含有界面活性劑和有機溶劑的淸潔劑以高 速流的方式來加以淸潔時，淸潔的效果將會更爲提昇。 在這個例子中，高速淸潔流的流速以3到1 000公分/ 秒爲佳，又以5到1 〇〇公分/秒爲特佳，尤以5到1 0公 分/秒爲最佳。如第1圖中所示之單層浸漬型淸潔裝置 可用來做爲進行這種淸潔操作的淸潔裝置。 在預-淸潔或後-淸潔中所用的淸潔劑以含有〇.〇1到 2 0重量％的界面活性劑和8 0到9 9 · 9重量％的有機溶劑 爲佳。如果界面活性劑含量低於0.0 1重量％，則此淸潔 劑將缺少潔淨力，而無法在短時間內去除殘留的光阻劑 ，並且得到淸潔的效果。另一方面，如果含量超過20 -12- 1254036 π 五、發明説明（） 重量°/〇，則線材和隔離膜之類的材料很可能會被腐蝕。 在預-淸潔或後·淸潔中用於淸潔劑之界面活性劑包括 以陽離子、非離子、陰離子和氟爲基的界面活性劑，其 中以下列化學式所代表之以陰離子磷酸酯爲基的界面活 性劑爲特佳：
Ri〇(CH2CH20)mPO(〇R2)(OH) 其中R1代表一個院基或是一個院芳基；r2代表Η或是 一個R30(CH2CH20)n基團；R3代表一個烷基或是一個 院芳基’並且R1和R3可以相同或相異；m和η則是代 表整數。巾售商品包括，例如，PlysurfeA207H和 A217C(商品名稱，由DaiichiKogyoSeiyaku有限公司 所製造）。 這些界面活性劑可單獨使用或是兩種或多種混合使 用，並且可以是一種陰離子界面活性劑或是陰離子界面 活性劑和非離子界面活性劑的混合物。 在預-淸潔或後-淸潔中用於淸潔劑之有機溶劑包括， 例如，以醚爲基之溶劑，如乙二醇一***、乙二醇一丁 醚、二乙二醇一甲醚、二乙二醇一***、二乙二醇一丁 醚、丙二醇一甲醚、丙二醇一***、丙二醇一丁酸、二 丙二醇一甲醚、二丙二醇一***、二丙二醇一丁醚、二 乙二醇二甲醚和二丙二醇二甲醚；以醯胺爲基之溶劑， 如甲醯胺、一甲基甲醯胺、二甲基甲醯胺、一乙基甲醯 胺、二乙基甲醯胺、乙醯胺、一甲基己醯胺、N-甲基吡 咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N，N-二甲基甲醯胺和N，N-二甲基乙醯胺；以硫化合物爲基之溶劑’如二甲基亞 -13- 1254036 五、發明説明（12 ) 諷、二甲基《、二乙基®、雙（2-羥基楓）和丁撐楓；以 及以醇爲基之溶劑，如甲醇、乙醇、1-丙醇、2_丙醇、 1 -己醇、1 -壬醇、環己醇和苄醇。 其中，以二甲基亞楓、Ν5Ν·二甲基甲醯胺、N，N-二甲 基乙醯胺和N -甲基吡咯烷酮、二乙二醇一甲醚、二乙二 醇一丁醚、甲醇和苄醇爲佳。又以二甲基亞楓和N，N-二 甲基甲醯胺爲更佳。上述的有機溶劑可單獨使用。或者 是兩或多種溶劑混合使用，並且可依照乾蝕刻和/或灰 化中的條件來選擇。 執行預-淸潔或後-淸潔時的溫度並沒有特殊的限制， 通常係介於室溫到90°C的溫度範圍內。它可以依照蝕刻 的條件和新使用的無機基板來加以適當的選擇。 如同之前所詳述，以本發明的淸潔方法來淸潔被處理 材料時，可以不再需要使用如醇之類的有機溶劑做爲沖 洗溶液，可以只用水來沖洗，並且那些牢牢附著在被處 理表面的沈積物可以輕易地去除，而不會傷害被處理的 材料。 以下將參考幾個實例和比較實例，對本發明做更詳細 的闡釋，但不表示本發明將受到這些實例的限制。 實例1到1 8和比較實例1到1 8 依照下列方式來製造半導體元件樣品。如第3圖中所 示，（A)在矽基板11上依續是以PVD法沈積的TiN層 1 9和銅薄膜層1 6，和以CVD法沈積的氮化矽薄膜1 7 和氧化矽薄膜1 2，並且接著（B)以傳統的光技術將光阻 層13塗佈於其上，因而形成所要的光罩圖案。（C)使用 -14- 1254036 五、.發明説明（13) 乾蝕刻技術來處理氧化矽薄膜1 2和氮化矽薄膜1 7，使 其通過所要的光罩圖案進行乾蝕刻。蝕刻殘渣1 8殘留 在氧化矽薄膜1 2和氮化矽薄膜1 7的側壁上。此外，光 阻層1 3的表層停留在它以乾蝕刻加以硬化的狀態下。 在表1和表2中所示的淸潔條件下，使用具有如表1 和表2中所示之組成的淸潔劑來淸潔上述的半導體元 件，其中在實例1到6和比較實例1到6中使用具有相 當慢流速的浸漬批式淸潔裝置（請參考第2圖），而在實 例7到1 8和比較實例7到1 8中則使用具有高流速的單 層浸漬型淸潔裝置（請參考第1圖）。 在淸潔之後，以超純水來沖洗半導體元件，並且予以 乾燥。接著，在光學顯微鏡和掃瞄式電子顯微鏡（SEM) 下觀察其表面狀態，並依照下述判斷標準來評估光阻和 鈾刻殘留物的剝離狀態以及銅線的腐蝕狀態。其結果別 於表1和2中。 剝離狀態： ◎:完全去除 〇：幾乎完全去除 △:部分殘留 X :大部分殘留 ^ 腐蝕狀態= ◎:完全未觀察到腐蝕 〇：很少觀察到腐蝕 △:觀察到坑狀或凹穴狀的腐鈾 X ··銅層的整個表面變粗糙，並且觀察到銅層被腐鈾 -15- 1254036 五、發明説明（！♦)
PDTP EDTP DTPP 1|-0-^涔卜瑢7-滿無肆l·sωl0s^β TAF : iJCTTi#i$ AF : lut^ DMA :卜 f^n鵾漭 DMF : hf^fpg? I 實例 h—* 5： u, [ο 二 5 Ό OO -0 σ\ to 一 ^0 X X D： 1種類1 氧化劑 清潔劑之組成 *<1 ^0 LA L/1 -^3 Ua L/t 含量(重量％) PDTP PDTP PDTP DTPP EDTP PDTP | PDTP PDTP j PDTP DTPP EDTP PDTP PDTP | PDTP 1 PDTP DTPP EDTP | PDTP 種類 螫合劑 ！ 〇 〇 io ο io O io 〇 io ο ίο 〇 io 〇 io ο k> 〇 Ιό o k> 〇 i〇 〇 to o io 〇 io 〇 io ο io ο io 〇4> 1»φ Hm TAF TAF > TAF TAF TAF TAF TAF > TAF | | TAF TAF TAF ! i TAF ! > TAF TAF TAF 種類 氟化合物 L/i o io -0 •-j 〇 io <1 -j U\ o ro -j _ ~S 1φ DMF DMA • 1 I DMF DMA 1 1 1 1 DMF | DMA | 1 儀 1 1 種類_ 有機溶劑 1 1 1 1 1 1 1 1 ί； 1 1 1 1 0^)> _ 14 .g 1剩餘平衡量1 剩餘平衡量 剩餘平衡量 剩餘平衡量： 剩餘平衡量 剩餘平衡量 剩餘平衡量 剩餘平衡量 剩餘平衡量 剩餘平衡量 1剩餘平衡量 1剩餘平衡量 剩餘平衡量 1剩餘平衡量1 剩餘平衡量i 剩餘平衡量1 剩餘平衡量1 剩餘平衡量1 含量(重量％) 1^1 t 16- 1254036 五、發明説明（π 〇\ ^1 Λ i®〇+ stal $3 ~~^1 ~~SI~~ ~~Γδ~ ~~Γ5~~ ~~^~~ ~~a~~ ~~a~ ~~rs~~ ~~ίδ~~ ~~β~~ ~~Γδ~~ ~~Γδ~ ~~S~ ~~^~ —^~ ~~Β~ ~~^~ Id~~ S Τϋ~ Ίϋ~ Τδ~ Τδ~ Μ b,b, b, ΙΟΙh, IPb, lol p b— «Ρh,◎N◎d.叫叫 坌鞣荠添 ΛΝΝΝΝ ΙΟΙb, b, ΙΟΙh,h,b, 卜b,◎◎ [> ◎◎◎Ν◎Νb, IP b,N◎ ◎◎ ¾¾¾欺萍磷 -17 1254036 五、發明説明（士） 1254036 五、發明説明（q) 比較實例 〇〇 5； Ul UJ to 二 S oo G\ UJ to 一 溫度 cc) S »~1 〇 5 5 s 5 5 »—· o s s H—* 5 一。 5 時間 (分鐘） 一。 S 一。 U\ U\ Ui to (〇 ΙΌ IO to 溶液流速 (公分/秒） ◎ X t> 〇 X X 〇 X X D> X X t> X X X X X 光阻 剝離狀態 X ◎ X X t> X X 〇 X X X X X D> X X X X 蝕刻殘渣 > 〇 ◎ 〇 〇 ◎ X ◎ 〇 X ◎ X ◎ 〇 t> 〇 ◎ 銅的厲钱狀態 1254036 五、發明説明（18 ) 如表1中所示，在實例1到1 8中係施用本發明之方 法’銅完全未被腐餓，並且其剝離狀態優良。如第3圖 (D)中所示’光阻層和包括硬化表層的蝕刻殘渣都可完 全去除，特別是在以高速流進行淸潔的實例1 3到1 8 中。 實例1 9 在製造半導體元件樣品的步驟中，在步驟（C)之後將 以氧氣電漿進一步進行灰化，以去除光阻。進行乾蝕刻 時在所得半導體元件上產生的蝕刻殘渣將以實例7中所 示相同組成的淸潔劑來加以淸潔，其淸潔溫度爲70， 淸潔時間爲10分鐘，並且溶液流速爲10公分/秒，並 以超純水加以沖洗，然後予以乾燥。 接著，以如實例1的相同方式來評估蝕刻殘渣的剝離 狀態及銅線的腐蝕狀態。結果發現，飩刻殘渣完全被去 除，同時亦完全未觀察到銅線被腐蝕。 符號之說明 1……矽晶圓 2……氧化矽薄膜 3……光阻 4......光阻圖案 5……氮化鉬層 6……銅薄膜層 7……氮化矽層 8……泵 -20- 1254036 五、發明説明（19) 11.. ...矽基板 12.. ...氧化矽薄膜 13 .....光阻層 16.. ...銅薄膜層 17.. ...氮化矽薄膜 18.. ...蝕刻殘渣 19.....氮化鈦層
A......初始的線路層 A2.....線路層
-21- 1254036 申(隻J期 ^ 0 . ( ^ ^ 案 號 90125017 類 別 (以上各欄由本局填註） 專利說明書 年8· 4 _歩正：> 中 文 電子零件之淸潔方法 發明 新型 名稱 英 文
CLEANING METHOD FOR ELECTRONIC COMPONENT 姓 名 1. 後藤日出人 2. 丹生谷貴行 3. 森宏幸 4. 松永裕嗣 5. 石原福三郎 6. 木村善哉 7. 外赤隆二 8. 後藤拓也 9. 青山哲男 10. 安部幸次郎 國 籍 發明 創作 人 住、居所 1〜10皆屬日本 1. 茨城縣◦< ίΐ市梅園2-21-6-102 2. 東京都港區赤坂5-3-6東京工卜夕卜口 V株式會社內 3. 山梨縣韮崎市穗坂町三ッ沢650東京工卜口 ^九州株式 会社內 4. 〜8.茨城縣〇<忒市和台22 三菱瓦斯化學株式會社総合硏究所內 9.〜10.新潟縣新潟市太夫浜字新割182番地同上所 三菱瓦斯化學株式會社新潟硏究所內 姓 名 (名稱） 三菱瓦斯化學股份有限公司 (三菱瓦斯化学株式会社） 國 籍 曰本 申請人 住、居所 (事務所） 代表人 姓 名 東京都千代田區九〇內二丁目5番2號 小高英紀

Claims (1)

1254036 申請專利範圍 第9〇125〇17號「電子零件之淸潔方/法.」_專利案
Λ申請專利範圍： 1 . 一種電子零件（2 1 )淸潔方法，包括： (a )於洗淨槽（1 00 )調製含有氧化劑、螫合劑和氟化合 物的淸潔劑（2 2 ) ; ( b )具備有由第1 ( 1 〇 1 )和第2部分 (102) 所構成之洗淨管（104)、該第2部分（102)與該 第1部分（101)近接且具有較第1部分（101)之寬度還 窄的部位（103); (c)將該管（104)浸漬在含有該淸潔 劑的該洗淨槽（1 00 )內，使該洗淨劑（22 )由該洗淨槽 (100)流經該第1部分（101)，然後通過窄部位（103) ;(d)在該狹窄的部位（103)配置該待淸潔之電子零件 (21) ; (e)使該洗淨劑（22)由該洗淨槽（1〇〇)通過該洗 淨管（104)循環；以及（f)使該洗淨劑（22)以流速爲3 到1 000公分/秒流過洗淨管（104)，再通過窄部位 (103) 以淸潔電子零件（21)的表面， 其中電子淸潔劑（22)含有0.000 1到60重量％的氧化 劑、0.0 1到1 0重量％的螯合劑和〇 · 0 1到2 0重量％的 氟化合物。 2 .如申請專利範圍第1項之電子零件之淸潔方法，其中 電子零件（2 1 )爲半導體元件或是液晶顯示器元件。 3 .如申請專利範圍第1項之電子零件之淸潔方法，其中 淸潔劑（22 )又含有1到70重量％的有機溶劑。 1254036 六、申請專利範圍 4 .如申請專利範圍第1項之電子零件之淸潔方法，其中 淸潔劑（22 )又含有一種界面活性劑。
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