TWI247946B - Electro-optical device, projecting-type display apparatus, and method for manufacturing the electro-optical device - Google Patents

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1247946 A7 B7 五、發明説明（1 ) 【技術範圍】 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關主動矩陣驅動方式之光電裝置，具備此 之投射型顯示裝置及製造此之製造方法之技術範圍。更詳 細而言，有關將畫素開關用之薄膜電晶體（Thin Film Transistor以下適切地稱TFT)，具備於基板上之堆積構造之 形式之光電裝置、具備此做爲光閥之投射型顯示裝置及製 造此光電裝置之製造方法之技術範圍。 【背景技術】 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 TFT主動矩陣驅動方式之光電裝置中，於設於各畫素 之畫素開關用TFT之通道範圍，照射入射光時，由於光所 造成之激勵，產生泄放電流，變化TFT之特性。尤其，於 投影機之光閥用之光電裝置時，爲提高入射光之強度，進 行對於TFT之通道範圍或該周邊範圍的入射光之遮光爲重 要的。在此以往係經由規定設於對向基板之各畫素之開水 範圍之遮光膜，或於TFT陣列基板上，通過TFT之上的同 時，經由A1(鋁）等之金屬膜所成資料線，遮光有關通道範 圍或該周邊範圍地加以構成。更且，於對向於TFT陣列基 板上之TFT之下側之位置，例如設置高融點金屬所成遮光 膜。如此，於TFT之下側設置遮光膜，將自TFT陣列基板 側之背面反射光或複數之光電裝置，藉由稜鏡等加以組合 ，構成一個之光學系統時，自其他之光電裝置穿過稜鏡等 之投射光等之回復光，則防範入射至該光電裝置之TFT於 未然。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） -4- 1247946 A7 B7 五、發明説明g ) 如此光電裝置係爲了提高遮光性能，做爲入射較強力 投射光的例如投射型顯示裝置之光閥加以使用。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 【發明之揭示】 但是，根據上述各種遮光技術，有以下之問題點。 即，首先根據於對向基板上或TFT陣列基板上形成遮 光膜之技術，遮光膜和通道範圍間，由3次元視之，例如 藉由液晶層、電極、層間絕緣膜等，變得相當遠離，對於 向兩者間入射成斜角之光的遮光則並不充分。尤其做爲投 影機之光閥使用之小型之光電裝置中，入射光係將來自光 源之光，爲以透鏡加以收縮之光束，包含到達無法忽視入 射至斜角的程度（例如，於基板，將來自垂直方向10度至 15度程度傾斜成分成爲10%)之故，對於如此傾斜之入射光 的遮光並不充分之故，會有實踐上問題。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 更且，自無遮光膜之範圍侵入至光電裝置內之光，則 於基板之上面或形成於基板之上面之遮光膜之上面或資料 線之下面、即於面向於通道範圍側之內面反射之後，有關 反射光或於此等更於基板之上面或遮光膜或資料線之內面 反射的多重反射光，最終地到達TFT之通道範圍的情形。 尤其，依近年來之顯示畫像之高品位化的一般性期望 ，伴隨達成光電裝置之高精細化或畫素間隔之微細化，更 顯原明亮之畫像地，伴隨提高入射光之光強度，根據上述 以往之各種遮光技術，有施以充分遮光會變得困難，經由 TFT之電晶體特性之變化，產生閃爍等，使顯示畫像之品 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5- 1247946 A7 B7 五、發明説明p ) 質下降的問題。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 然而，爲提高如此耐光性，可以考慮不擴展遮光膜之 形成範圍，但是擴展遮光膜之形成範圍時’爲了提升顯示 畫像之亮度，會產生提高各畫素之數値口徑的根本上困難 的問題。更且，如上所述，經由TFT之下側之遮光膜或資 料線等所成TFT之上側的遮光膜等之存在，有鑑於起因於 傾斜光之內面反射或多重反射光的產生，過於將遮光膜之 形成範圍擴散之時，會有招致如此內面反射光或多重反射 光增大的難以解決的問題。 本發明係有鑑於上述之問題點，提供在於耐光性上爲 優異，可明亮高品質畫像顯示之光電裝置，具備此之投射 型顯示裝置，及製造此光電裝置之製造方法爲課題者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之第1光電裝置係爲解決上述課題，具備第1 之基板，和配置於該第1之基板的畫素電極，和配置於前 述第1之基板上，且連接於前述畫素之薄膜電晶體，和於 前述薄膜電晶體之通道範圍之上層側，於該通道範圍，配 置於藉由閘極絕緣膜加以對向的前述薄膜電晶體之閘極電 極的上層側之第1之遮光膜；前述第1之遮光膜係做爲遮 光用側壁，將前述通道範圍形成至於側方包圍的位置者。 根據本發明之第1光電裝置時，經由形成於TFT通道 範圍之上層側的第1遮光膜，自第1之基板之上層側入射 之光則可防止入射至通道範圍。又，第1之遮光膜係做爲 遮光用側壁，將通道範圍於側方，至包圍位置加以形成之 故，對於通道範圍，可防止光自斜方向或橫方向入射者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6- 1247946 A7 B7 五、發明説明$ ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此，根據本發明時，可確實防止自第1基板之上層側入 射的光，入射至TFT之通道範圍之故，可確實防止起因於 如此之光的TFT之誤動作或可靠性之下降。 本發明之第1光電裝置之一形態中，更且備有對向配 置於第1之基板的第2之基板，和挾持於前述第1及第2 之基板間的光電物質。 根據此形態，構築在於耐光性上爲優異，於一對之基 板間，挾持液晶等之光電物質之液晶裝置等之光電裝置。 本發明之第1光電裝置之另一形態中，於前述第1之 基板上，前述畫素電極及前述薄膜電晶體配置呈矩陣狀者 〇 根據此形態，構築在於耐光性上爲優異之主動矩陣驅 動方式之液晶裝置等之光電裝置。 本發明之第1光電裝置之另一形態中，前述遮光用側 壁係在於形成位於前述第1之遮光膜之下層的至少一層之 絕緣膜的側壁形成用溝內，形成該第1之遮光膜者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此構成之第1光電裝置係以下述之方法加以製造。 即，製造具備第1之基板，和配置於該第1之基板上之畫 素電極，和配置於前述第1之基板上，且連接於前述畫素 電極的TFT之光電裝置之光電裝置之製造方法中，於通道 範圍之上層側，藉由閘極絕緣膜，將對向閘極電極之前述 TFT形成於前述第1之基板之表面側後，形成被覆該TFT 之至少一層的層間絕緣膜，接著，對於該層間絕緣膜，形 成通過前述TFT之通道範圍之側方之側壁形成溝’因此之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2l〇x297公釐） 1247946 A7 B7 五、發明説明$ ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 後’形成被覆至少前述TFT之通道範圍之第1之遮光膜的 胃時’將該第1之遮光膜做爲遮光用側壁，於前述側壁形 成溝內亦形成。 本發明之第1光電裝置之另一形態中，於前述薄膜電 晶體之汲極範圍，形成於該汲極範圍之上層側之汲極電極 被電氣性連接，於該汲極電極中，形成於該汲極電極之上 層側的前述畫素電極則被電氣性連接，前述汲極電極係由 具有令前述通道範圍，於上層側被覆加以形成之遮光性的 導電膜所形成者。 根據此時，加上第1之遮光膜，經由遮光性之汲極電 極亦可加以遮光之故，對於通道範圍，可確定防止光之入 射。 於此形態，前述汲極電極和前述第1之遮光膜係將形 成於前述汲極電極和前述第1之遮光膜間的絕緣膜，做爲 介電質膜，形成蓄積容量爲佳。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此構成時，汲極電極及第1之遮光膜係皆形成於被 覆通道範圍之寬廣面積之故，將形成於此等間之絕緣膜， 做爲介電質膜加利用時，可構成蓄積容量。因此，對於各 畫素，無需別外通過容量線之故，可提升畫素數値口徑。 本發明之第1光電裝置之另一形態中，於前述TFT之 源極範圍中，電氣連接形成於該源極範圍之上層側之資料 線，該資料線係將該通道範圍於上層側加以被覆形成之遮 光性之導電膜所形成。 根據此形態時，除了第1之遮光膜，經由遮光性之資 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8- 1247946 A7 B7 五、發明説明ο ) 料線亦可遮光之故，對於通道範圍可確實防止光的入射。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於此形態中，前述TFT之有源層係於前述資料線之下 層側，由形成於該資料線之形成範圍之內側的半導體膜爲 佳。 如此之構成時，可將構成TFT之半導體膜整體，經由 遮光性之資料線加以遮光，且於資料線之形成範圍內形成 TFT之故，可提高畫素數値口徑。 此時，例如前述資料線係藉由相等之寬度的尺寸，直 線性地加以延伸設置。 本發明之第1光電裝置之其他之形態中，於前述通道 範圍之下層側，形成重疊於該通道範圍之第2之遮光膜。 根據此形態，第1之基板，或於該外側反射之光，再 由第1之基板之背面側入射之時，如此之光係遮光第2之 遮光膜。因此，如此之反射光起因對於通道範圍之入射， 可防止TFT之誤動作或可靠性之下降。 於此形態中，前述第1之遮光膜係經由前述側壁形成 用溝，電氣連接前述第2之遮光膜爲佳。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此之構成時，將TFT之通道範圍經由第1之遮光膜 、遮光用側壁、及前述第2之遮光膜，可包圍周圍整體之 故，可確實遮光各方向之光。又，電氣性連接第1之遮光 膜和第2之遮光膜之故，例如，固定第2之遮光膜之電位 時，可固定第1之遮光膜之電位。因此，可將第1之遮光 膜做爲蓄積容量之回定電位側容量電極容易地加以利用。 此時，前述第1之遮光膜係直接、連接於前述第2之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1247946 A7 B7 五、發明説明t ) 遮光膜亦可，於前述第2之遮光膜藉由其他之遮光性之導 電膜加以連接。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此，將第1之遮光膜，於第2之遮光膜藉由其他之 遮光膜加以連接亦可。 在此，將第1之遮光膜於第2之遮光膜，藉由其他之 遮光性之導電膜加以連接時，例如於前述側壁形成用溝內 ，於底部側形成構成與前述閘極電極之導電膜同一材料所 成導電膜，於該導電膜上，形成前述遮光用側壁亦可。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於製造如此之第1光電裝置，於前述第1之基板之表 面側，形成前述TFT之前，首先，於前述第1之基板之表 面側，形成第2之遮光膜、基材絕緣膜、前述薄膜電晶體 之半導體膜，及形成前述薄膜電晶體之閘極絕緣膜。接著 ，對於前述閘極絕緣膜及前述基材絕緣膜，透過前述薄膜 電晶體之通道範圍之側方，形成到達前述第2之遮光膜之 連接溝後，形成前述閘極電極時，將形成該閘極電極之導 電膜，於前述連接溝內加以形成。之後，於前述閘極電極 之上層側，形成前述層間絕緣膜後，形成前述側壁形成溝 時，連通於前述連接溝，形成與該連接溝一體之前述側壁 形成用溝，之後，形成前述第1之遮光膜的同時，形成該 第1之遮光膜時，將該第1之遮光膜形成於前述側壁形成 溝內，於前述側壁形成溝內，形成連接於前述導電膜之前 述遮光用側壁。 另一方面，於將第1之遮光膜直接、連接於第2之遮 光膜之構成時，例如於前述側壁形成溝內，至底部形成前 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -10- 1247946 A7 B7 五、發明説明$ ) 述第1之遮光膜亦可。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 製造如此之構成之第1光電裝置時’於前述第1之基 板之表面側，形成前述薄膜電晶體之前，首先，於前述第1 之基板之表面側，第2之遮光膜、基材絕緣膜、形成前述 薄膜電晶體之半導體膜，該前述薄膜電晶體之閘極絕緣膜 ，形成該前述薄膜電晶體之閘極電極，之後，於前述閘極 電極之上層側，形成前述層間絕緣膜。接著，形成前述側 壁形成溝時，對於前述層間絕緣膜、前述閘極絕緣膜、前 述基材絕緣膜，透過前述薄膜電晶體之通道範圍之側方， 形成到達前述第2之遮光膜之前述側壁形成溝，之後’形 成前述第1之遮光膜的同時，形成該第1之遮光膜時，將 該第1之遮光膜於前述側壁形成溝內亦形成，於該側壁用 形成溝內，形成連接於前述第2之遮光膜之前述遮光用側 壁。 本發明之第2光電裝置係爲解決上述課題，於基板上 ，具備畫素電極，和連接於該畫素電極之薄膜電晶體，和 連接於該薄膜電晶體之配線，和立體被覆前述薄帶電晶體 及前述配線的遮光構件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據本發明之第2光電裝置，將畫素電極經由連接此 之薄膜電晶體，經由開關控制，進行主動矩陣驅動方式所 成驅動。然後，遮光構件係立體被覆薄膜電晶體。因此，對 於基板面，自上方向垂直或傾斜進行之入射光及，對於基 板面，自上方向垂直或傾斜進行之回復光，以及根據此等 ，內面反射光及多重反射光等，將入射至薄膜電晶體之通 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 1247946 A7 ____ B7 五、發明説明P ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 道範圍及通道鄰接範圍，可經由遮光構件加以阻止。更且 ’經由遮光構件，將各畫素之非開口圍有精度地規定成爲 格子狀。 結果’根據本發明之第2光電裝置時，可提高耐光性 ’於入射強力之入射光或回復光的過度條件下，經由光泄 放電流之減低之薄膜電晶體，可將畫素電極良好地以開關 控制，最後經由本發明，可顯示明亮高對比之畫像。 然而，有鑑於此技術效果，於本發明中「薄膜電晶體 及立體被覆配線之遮光構件」，係狹義而言，意味將薄膜 電晶體及配線，於內部規定3次元封閉之空間的遮光構件 ，更廣義而言，將自3次元各不同的方向到來之光，多少 遮光（反射或吸收）中，將薄膜電晶體及配線，於內部意味具 有若干中斷，或連續地規定3次元封閉之空間的遮光構件 〇 本發明之第2光電裝置之一形態中，前述遮光構件係 包含於前述基板上被掘出，且前述薄膜電晶體及前述配線 ，收容於內部之溝之底面及形成於側壁之一遮光膜，和將 前述溝自上側覆蓋之其他之遮光膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據此形態，溝則於基板掘出，於此溝之底面及側壁 ，形成一之遮光膜。然後，於此溝內部，薄膜電晶體及配 線則例如於層間極性絕緣膜等，自相互或一之遮光膜進行 層間絕緣地，加以收容。然後，於其他之遮光膜，此溝係 自上側覆蓋。因此，採用較簡單之構成及製造步驟，確實 地將薄膜電晶體及配線立體性地遮光。 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12- 1247946 A7 B7 五、發明説明（j〇 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 或本發明之第2光電裝置之其他之形態中，前述遮光 構件係包含形成於前述基板上之下側遮光膜，和形成於該 下側遮光膜之前述薄膜電晶體及形成於前述配線上之上側 遮光膜，和由平面視之於前述薄膜電晶體及前述配線之外 側中，塡充於自前述上側遮光膜至前述下側遮光膜被挖掘 的凹坑內的側壁遮光膜者。 根據此形態時，於下側遮光膜和上側遮光膜間，薄膜 電晶體及配線則例如於層間極性絕緣膜等，自相互或下側 及上側之遮光膜進行層間絕緣地，加以配置。然後，於薄 膜電晶體及配線之外側，例如於層間絕緣膜，掘出自上側 遮光膜至下側遮光膜的凹坑，於該凹坑內，塡充側壁遮1 光膜。因此，採用較單純之構成及製造步驟，確實地立體 遮光薄膜電晶體及配線。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 或本發明之第2光電裝置之其他之形態中，前述遮光 構件係於一平面範圍中，包含控掘於前述基板上，且形成 前述薄膜電晶體及前述配線收容於內部之溝及側壁之一遮 光膜，和將前述溝自上側加蓋之其他之遮光膜，於其他之 平面範圍，包含形成於前述基板上之下側遮光膜，和形成 於該下側遮光膜之前述薄膜電晶體及形成於前述配線上之 上側遮光膜，和由平面視之於前述薄膜電晶體及前述配線 之外側中，塡充於自前述上側遮光膜至前述下側遮光膜被 挖掘的凹坑內的側壁遮光膜者。 於此形態中。於一平面範圍中，較寬廣之溝於基板被 掘出，於此溝之底面及側壁，形成一之遮光膜。然後，於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13- 1247946 A7 B7 五、發明説明（>1 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 此溝內部，薄膜電晶體及配線，例如於層間極性絕緣膜等 ’自相互或一之遮光膜進行層間絕緣地，加以收容。然後 ，於其他之遮光膜，此溝係自上側覆蓋。另一方，於其他 之範圍中，於下側遮光膜和上側遮光膜間，薄膜電晶體及 配線，則例如於層間極性絕緣膜等，自相互或下側及上側 之遮光膜進行層間絕緣地，加以配置。然後，於薄膜電晶 體及配線之外側，例如於層間絕輳膜，掘出自上側遮光膜 至下側遮光膜的凹坑，於該凹坑內，塡充側壁遮光膜。因 此，採用較單純之構成及製造步驟，確實地立體遮光薄膜 電晶體及配線。尤其，依範圍，經由改變遮光構件之構成 ，提高裝置設計之自由度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之第3光電裝置係爲解決上述課題，於一對之 第1及第2基板間挾持光電物質所成，於前述第1基板上 具備包含於第1周期爲了反轉驅動之第1之畫素電極群及 於與第1周期互補之第2周期爲了反轉驅動之第2之畫素 電極群之平面排列之複數峙畫素電極，和連接於該畫素電 極之薄膜電晶體，和連接於該薄膜電晶體之配線，和由平 面視之，成爲相鄰接之畫素電極之間隙的範圍中，立體被 覆前述對薄膜電晶體及前述配線的同時，成爲該間隙之範 圍中，將位於含於不同畫素電極群相鄰接的畫素電極之相 互間的範圍部分，呈凸狀***的遮光構件；於前述第2基 板上，具備對向於前述複數之畫素電極的對向電極者。 根據本發明之第3光電裝置，經由將畫素電極連接於 此之薄膜電晶體，經由開關控制，進行主動矩陣驅動方式 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14- 1247946 A7 B7__ 五、發明説明彳2 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 所成驅動。尤其將第1之畫素電極群以第1之周期反轉驅 動，將第2之畫素電極群以第1之周期和互補之第2之周 期，經由反轉驅動，將各畫素之驅動電壓之極性，例如反 轉於每掃瞄線之掃瞄線反轉驅動方式或反轉於每掃瞄線之 資料線反轉驅動方式等之所謂線反轉驅動驅動方式之驅動 ，或以畫素單位加以反轉之點反轉驅動方式加以進行。如 此地，採用線反轉驅動方式等，於直流電壓施加所造成之 光電物質之劣化防止有所幫助，更且於顯示畫像之串訊或 閃爍之防止亦有所幫助。然後，遮光構件係平面視之，於 相鄰之畫素電極之間隙所成範圍，立體被覆薄膜電晶體及 配線。因此，對於基板面自上方向垂直或傾斜進行之入射 光及對於基板面自下方向垂直或傾斜進入射的回復光，以 及根據此等，內面反射光及多重反射光等，將入射至薄膜 電晶體之通道範圍及通道鄰接範圍，可經由遮光材料阻止 ，更且，經由遮光構件，將各畫素之非開口範圍可具精度 地規定呈格子狀。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 更且，遮光構件係將位於包含於不同之畫素電極群之 相鄰接的畫素電極相互間的範圍部分，成爲凸狀地加以隆 起。因此，於進行上述之線反轉驅動時，將驅動電位極性 不同之鄰接畫素間所產生之橫電場，可相對地使之變弱。 即，假定經由一般於各畫素電極和對向電極間所產生之縱 電場所驅動之光電裝置中，於鄰接之畫素電極間產生橫電 場時，例如如液晶之配向不良，產生光電物質之動作異常 。因此，如本發明，於有關產生橫電場之範圍，經由遮光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) -15- 1247946 A7 B7 五、發明説明衫） 構件，經由窄化畫素電極和對向電極間之距離，可強化此 範圍之縱電場，可於同範圍減弱相對之橫電場的不良影響 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 此等之結果，根據本發明之第3光電裝置時，可提高 耐光性，於入射強力之入射光或回復光之嚴苛條件下，經 由光泄放電流之減低之薄膜電晶體，可將畫素電極良好地 開關控制，而且採用對於光電物質之壽命增大或閃爍等之 減低有幫助之線反轉驅動方式，最終經由本發明，可明亮 高對比地顯示畫像。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之第3光電裝置之一形態中，前述遮光構件， 係位於含於同一之畫素電極群之相鄰接的畫素電極之相互 間的範圍部分中，包含挖掘於前述基板上，且形成前述薄 膜電晶體及前述配線收容於內部之溝及側壁之一遮光膜， 和將前述溝自上側加以加蓋的其他遮光膜，位於含於不同 之畫素電極群之相鄰接的畫素電極之相互間的範圍部分， 包含形成於前述基板上之下側遮光膜，和形成於該下側遮 光膜之前述薄膜電晶體及形成於前述配線上之上側遮光膜 ，和由平面視之於前述薄膜電晶體及前述配線之外側中， 塡充於自前述上側遮光膜至前述下側遮光膜被挖掘的凹坑 內的側壁遮光膜者。 於此形態，於不產生橫電場之各畫素間之間隙範圍中 ，較寬廣之溝被掘出於第1基板，於此溝之底面及側壁， 形成一遮光膜。然後，於此溝內部，薄膜電晶體及配線例 如以層間絕緣膜等，自相互或一之遮光膜成爲層間絕緣， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16- 1247946 A7 B7 五、發明説明Η ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 加以收容。然後，於其他之遮光膜，此溝自上側覆蓋。另 一方，於產生橫電場之各畫素間之間隙範圍，於下側遮光 膜和上側遮光膜間，薄膜電晶體及配線則例如於層間絕緣 膜等，相互或自下側及上側遮光膜成爲層間絕緣，加以配 置。然後，於薄膜電晶體及配線之外側，例如於層間絕緣 膜，自上側遮光膜至下側遮光膜較寬度爲窄之凹坑被掘出 ，於該凹坑內，塡充側壁遮光膜。因此，於產生橫電場之 間隙範圍，經由遮光構件之存在，可局部地成爲凸狀*** 。可減低橫電場之不良影響。同時，於不產生橫電場之間 隙範圍中，經由遮光構件之存在，不會有凸狀***，根據 連接於光電裝置之第1基板上之畫素電極之基材表面的階 差，可減低液晶之配向不良等之光電物質之動作不良。 於此形態中，位於包含於前1述同一之畫素電極群之 相束接的畫素電極相互間之部分，對於前述畫素電極之基 材，施以平坦化處理之構成亦可。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據此等之構成，於橫電場不產生之間範圍，存在遮 光構件者，對於畫素電極之基材，施以平坦化處理。例如 經由CMP(化學機械硏磨）處理、旋轉塗佈處理等，或經由調 節收容薄膜電晶體及配線之溝之深度，施以平坦化處理。 此結果，於不產生橫電場之間隙範圍，根據連接於光電物 質之畫素電極之基材表面的階差，可減低液晶之配向不良 等之光電物質之動作不良。 本發明之第2或第3光電裝置之遮光構件包含側壁遮 光膜之形態中，前述上側遮光膜和前述側壁遮光膜係成爲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17- 1247946 A7 ____B7 五、發明説明（I5 ) 一體加以構成亦可。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據如此構成時，使用較簡單之構成及製造步驟，可 構築可靠性高之遮光構件。例如，相前後薄膜電晶體或配 線’於堆積形成層間絕緣膜，掘出凹坑之後，於其上埋入 上側遮光膜地加以形成亦可。 本發明之第2或第3光電裝置之其他形態中，前述畫 素電極和前述薄膜電晶體係藉由遮光性之導電膜加以連接 者。 根據此形態時，例如開孔連接孔，對於以遮光構件包 圍之內部空間，可確實防止自外部易於產生光漏之畫素電 極和薄膜電晶體之連接處的光漏。 本發明之第2或第3光電裝置之其他形態中，前述畫 素電極和前述薄膜電晶體之連接處，係由平面視之位於相 鄰接之薄膜電晶體之中央者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據此形態，對於以遮光構件包圍之內部空間，畫素 電極和薄膜電晶體之連接處，例如藉由連接孔，產生自外 部之光洩漏時，該光洩漏處係沿各薄膜電晶體和基板面加 以隔離之故，極力減低洩漏光中之薄膜電晶體之通道範圍 及至該鄰接範圍者。 本發明之第2或第3光電裝置之其他形態中，對向於 前述基板的同時，具有對向於前述畫素電極和前述薄膜電 晶體之連接處加以形成之遮光膜。 根據此形態時，例如開孔連接孔，對於以遮光構件包 圍之內部空間，可確實防止自外部易於產生光漏之畫素電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -18- 1247946 A7 B7 五、發明説明（te ) 極和薄膜電晶體之連接處的光漏。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之第2或第3光電裝置之其他形態中，前述遮 光構件係含高融點金屬之膜所成。 根據此形態，遮光構件係例如包含Ti(鈦）、Cr(鉻）、W( 鎢）、Ta(鉅）、Mo(鉬）、Pb(鉛）等之高融點金屬中之至少一個 金屬單體、合金、金屬矽化物、多晶矽化物、堆積此等者 等之高融點金屬膜所成。因此，藉由遮光構件，得良好之 高遮光性能。 本發明之第2或第3光電裝置之其他形態中，前述配 線係包含相交叉之掃瞄線及資料線，前述遮光構件係由平 面視之，形成呈格子狀者。 根據此形態時，於畫像顯示範圍，掃瞄線及資料線相 交叉配置呈格子狀，此等係經由形成成格子狀之遮光構件 ’立體性地加以被覆。爲此，藉由掃瞄線及資料線附近， 於連接於此等之薄膜電晶體，可減低光之洩漏。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之第2或第3光電裝置之其他形態中，於前述 第1基板上，經由前述遮光構件，配置於立體被覆之空間 內，更具備連接於前述畫素電極之蓄積容量。 根據此形態，經由遮光構件，於立體被覆之空間內構 築蓄積容量之故，經由蓄積容量之存在，可防止遮光性能 之下降，對於畫素電極，經由附加蓄積容量，可顯著提高 電位保持特性。 本發明之投射型顯示裝置係爲解決上述課題，具備上 述本發明之第1、第2或第3光電裝置（惟包含該各種形態） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19- 1247946 A7 B7 五、發明説明07 ) 所成光閥，和向該燈管照射投射光的光源，和投射自前述 燈管射出之投射光的光學系統者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據本發明之投射型顯示裝置，自光源投射光照射至 光閥，自光閥射出之投射光係經由光學系系，投射至螢幕 等。此時，該光閥係由上述本發明之第1、第2或第3光電 裝置所成之故，提高投射光強度時，經由如前述之優異遮 光性能，經由光泄放電流之減低的薄膜電晶體’可將畫素 電極良好地開關控制。結果，最終而言，可顯示明亮高對 比之畫像。 本發明之如此作用及其他之增益係自下個說明之實施 例可明白。 【圖面之簡單說明】 圖1係於本發明之第1實施例之光電裝置中，形成於 配置成爲矩陣狀之複數之畫素的各種元件、配線等之等價 電路圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖2係示於圖1之光電裝置中，形成資料線、掃瞄線 、畫素電極、遮光膜等之TFT陣列基板之相鄰接之複數之 畫素群之平面圖。 圖3係顯示示於圖2之TFT陣列基板之畫素電極的形 成範圍的擴大圖。 圖4係顯示示於圖2之TFT陣列基板之掃瞄線及資料 線的形成範圍的擴大圖。 圖5係顯示示於圖2之TFT陣列基板之TFT形成用之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20- 1247946 A7 B7 五、發明説明彳8 ) 半導體膜的形成範圍的擴大圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖6係相當於圖2之A-Af圖、B-Bf圖及C-CT線之位置 的截面圖。 圖7係顯示示於圖2之TFT陣列基板之汲極電極的形 成範圍的擴大圖。 圖8係顯示示於圖2之TFT陣列基板之第1之遮光膜 及側壁形成用的形成範圍的擴大圖。 圖9係顯示示於圖2之TFT陣列基板之第1之遮光膜 及側壁形成用的形成範圍的擴大圖。 圖10係顯示示於圖2之TFT陣列之製造方法的工程截 面圖。 圖1 1係於示於圖2之TFT陣列之製造方法中，連續示 於圖1 0之工程加以進行之各工程之工程截面圖。 圖1 2係於示於圖2之TFT陣列之製造方法中，連續示 於圖1 1之工程加以進行之各工程之工程截面圖。 圖1 3係於示於圖2之TFT陣列之製造方法中，連續示 於圖1 2之工程加以進行之各工程之工程截面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 4係於示於圖2之TFT陣列之製造方法中，連續示 於圖1 3之工程加以進行之各工程之工程截面圖。 圖1 5係於示於圖2之TFT陣列之製造方法中，連續示 於圖14之工程加以進行之各工程之工程截面圖。 圖1 6係於示於圖2之TFT陣列之製造方法中，連續示 於圖15之工程加以進行之各工程之工程截面圖。 圖17係本發明之第2實施例之光電裝置之截面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -21 - 1247946 A7 B7 五、發明説明彳9 ) 圖1 8係形成本發明之第3實施例之光電裝置之資料線 '掃瞄線、畫素電極等之TFT陣列基板之相鄰接之複數之 畫素群之平面圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖19係圖18之D-D /截面圖。 圖20係圖18之E-E /截面圖。 圖21係對應本發明之第4實施例之圖18之E-E>處之 截面圖。 圖22係對應本發明之第5實施例之圖18之E-E>處之 截面圖。 圖23係顯示本發明之第6實施例之光電裝置之掃瞄線 反轉驅動時之各畫素電極的驅動電壓之極性和橫電場之產 生範圍的關係之複數畫素電極之圖式平面圖。 圖24係將光電裝置自對向基板側視之的平面圖。 圖25係圖24之H-H >截面圖。 圖26係顯示將有關本發明之光電裝置，做爲顯示裝置 使用之電子機器之一例的投射型顯示裝置之電路構成的方 塊圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 圖27係顯示做爲使用有關本發明之光電裝置之電子機 器之一例的投射型光電裝置之光學系之構成截面圖。 【符號說明】 1 多晶矽膜 la 半導體膜 ^通道範圍 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -22- 1247946 A7 B7 五、發明説明纠） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 la” 非 晶 質 矽 膜 1; lb LDD 範 圍 1 c 低 濃 度 汲 極 範 圍 Id 高 濃 度 源 極 範 圍 1 e 局 濃 度 汲 極 範 圍 2 閘 極 絕 緣 膜 3 多 晶 矽 層 3 a 掃 瞄 線 4 第 1 層 間 絕 緣 層 5 連 接 孔 6 資 料 線 6a 資 料 線 7a 第 2 層 間 絕 緣 膜 7b 層 間 絕 緣 膜 9 畫 素 電 極 9a 畫 素 電 極 10 TFT 陣 列 基 板 1 0c\ ^溝 11 汲 極 電 極 12 薄 絕 緣 膜 13 第 1 之 遮 光 膜 14 第 2 之 遮 光 膜 15 基 材 絕 緣 膜 16 側 壁 形成 用 溝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -23- 1247946 A7 B7 五、發明説明θ ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 19 配 向 膜 20 對 向 基 板 21 對 向 電 極 22 配 向 膜 23 對 向 基 板 側 遮 光 膜 30 畫 素 開 關 用 TFT 40 基 材 絕 緣 膜 41 第 1 之 層 間 絕 緣 膜 41， 第 1 之 層 間 絕 緣 膜 42 第 2 之 層 間 絕 緣 膜 42, 第 2 之 層 間 絕 緣 膜 43 第 3 層 間 絕 緣 膜 43, 第 3 層 間 絕 緣 膜 44 第 4 層 間 絕 緣 膜 44F 第 4 層 間 絕 緣 膜 50 液 晶 52 密 封材 53 遮 光 膜 70 蓄 積 容 量 71 中 繼 層 72 中 繼 層 75 介 電 質 膜 81 連 接 孔 82 連 接 孔 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -24- 1247946 Α7 Β7 五、發明説明铃） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 83 連接孔 85 連接孔 100光電裝置 10(Τ光電裝置 100R、100G 及 100Β 光閥 1 0 1資料線驅動電路 102外部電路連接端子 104掃瞄線驅動電路 I 0 5 絕緣層 106上下導通材 II 〇多晶矽層 130鎢矽化物膜 1 3 1遮光用側壁 1 6 1連接溝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 162導電膜 1 8 1連接孔 182連接孔 201熱氧化矽膜 202高溫氧化矽膜 300容量線 400下側遮光膜 40(Τ下側遮光膜 400”下側遮光膜 401上側遮光膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -25- 1247946 A7 B7 五、發明説明㈡） 40Γ上側遮光膜 401”上側遮光膜 402側壁遮光膜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 403遮光膜 1000顯示資訊輸出 1002顯示資訊處理電路 1004驅動電路 1008時脈產生電路 1010電源電路 1100液晶投影機1100 1102燈單元 1106 鏡 1108分色鏡 111 2分色稜鏡 1114投射透鏡 1120螢幕 11 2 1中繼鏡系 1122入射鏡 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1123中繼鏡 1124射出鏡 爲實施發明之最佳形態 以下，對於實施本發明之最佳形態，於每實施例依順 序根據圖面加以說明。以下之各實施例係將本發明之光電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -26- 1247946 A7 B7 五、發明説明) 裝置適用於液晶裝置者。 (第1實施例） 首先，對於第1實施例之光電裝置，參照圖1至圖16 加以說明。 對應於適用本發明之光電裝置之構成及動作，參照圖1 至圖9加以說明。圖1係形成呈構成光電裝置之畫像顯示 範圍之矩陣狀的複數畫素之各種元件、配線等之等價電路 圖。圖2係形成資料線、掃瞄線、畫素電極、遮光膜等之 TFT陣列基板之相鄰接之複數之畫素群之平面圖。圖3係 顯示此TFT陣列基板之畫素電極的形成範圍的擴大圖。 圖4係顯示此TFT陣列基板之掃瞄線及資料線的形成範圍 的擴大圖。圖5係顯示此TFT陣列基板之TFT形成用之半 導體膜的形成範圍的擴大圖。圖6係相當於圖2之A-A'圖 、B-B'圖及C-C線之位置的截面圖。圖7係顯示此TFT陣 列基板之汲極電極的形成範圍的擴大圖。圖8係顯示此 TFT陣列基板之第1之遮光膜及側壁形成用的形成範圍的 擴大圖。圖9係顯示此TFT陣列基板之第1之遮光膜及側 壁形成用的形成範圍的擴大圖。於此等圖中，將各層或各 構件於圖面上爲成可認識程度之大小，於各層或各構件， 使比例尺有所不同。 於圖1中，於光電裝置之畫面顯示範圍中，各形成成 爲矩陣狀之複數畫素中，形成爲控制畫素電極9a之畫素開 關用之TFT30，供給畫像信號之資料線6a則電氣連接於該 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） —-------衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -27- 1247946 A7 ___B7_ 五、發明説明如） TFT30之源極。寫入資料線6a之畫素信號SI、S2.....Sn (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 係依此順序線順序地加以供給亦無妨，對於相鄰接之複數 之資料線6a間，供予每群亦可。又，於TFT30之閘極，電 氣連接掃瞄線3a，所定之時間，於掃瞄線3a，脈衝性地將 掃瞄信號Gl、G2.....Gm，依此順序以線順序加以施加構 成。畫素電極9a係電氣連接於TFT30之汲極，將開關元件 之TFT30，經由畫素信號SI、S2.....Sn僅呈一定時間之 開啓狀態，將自資料線6a供給之畫素信號S 1、S2.....Sn ，於各畫素以所定之時間加以寫入。如此地，藉由畫素電 極9a，寫入至光電物質之所定準位之畫素信號SI、S2、… 、Sn係於形成於後述之對向基板之對向電極間，保持一定 期間。光電物質係經由施加之電壓準位，經由變化分子集 合之配向或秩序，調製光，可進行灰階顯示。爲正常白模 式，對應於施加之電壓，減少對於入射光之透過率，爲正 常黑模式時，對應於施加之電壓，增加對於入射光之透過 率，就整體而言，射出具有自光電裝置對應於畫素信號之 對比光。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此，保持之畫素信號爲防止泄放，與形成於畫素電 極9a和對向電極間之液晶容量並排，附加蓄積容量70。例 如，畫素電極9a之電壓係僅較施加源極電壓之時間長千倍 長時間，經由蓄積容量70所保持。由此，電荷之保持特性 被改善，可實現對比比率高之光電裝置1〇〇。 於圖2中，於光電裝置之TFT陣列基板上，成爲矩陣 狀複數之透明畫素電極9a於各畫素加以形成。此畫素電極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） -28- 1247946 A7 B7 五、發明説明如） 9 a之形成範圍，係於示於圖3之擴大圖之附上右上之斜線 的矩形範圍。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又’沿畫素電極9a之縱橫之臨界範圍，形成資料線6a 及掃瞄線3a，與傳統之光電裝置不同，無形成專用之容量 線。 資料線6a之形成範圍係有於示於圖4之擴大圖中，附 上右下斜線範圍，資料線6a之兩端速8分係與畫素電極9a 之端部重疊。資料線6a之兩端部分係與畫素電極9a之端部 重疊。掃瞄線3a之形成範圍係於示於圖4之擴大圖中，附 上右上之斜線的範圍，掃瞄線3a之兩端部分亦與畫素電極 9a之端部重疊。 於本實施例中，資料線6a係藉由連接孔5，電氣連接 於多晶矽膜所成之半導體層1 a中後述之源極範圍，畫素電 極9a係藉由連接孔81及82，電氣連接於半導體層la中後 述之汲極範圍。又，半導體層la中，對向於後述之通道形 成用範圍地，透過掃瞄線3a(閘極電極）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此半導體層1 a之形成範圍係於示於圖5之擴大圖中之 附上右上斜線的範圍。 於本實施例中，資料線6a係具有以相等之寬度尺寸， 直線性延伸設置之鋁等之金屬膜或金屬矽化物等之合金膜 等之遮光性的導電膜所成，半導體膜la係於此資料線6a之 下層側，形成於資料線6a之形成範圍之內側。即，半導體 膜1 a係利用各畫素電極9a之縱橫之邊界範圍加以形成。 如圖6所示，光電裝置100係具備TFT陣列基板1〇(第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " " -29- 1247946 A7 ____B7 _ __ 五、發明説明妗） ；—----------— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1之基板），和於此對向配置之對向基板20(第2之基板）。 TFT陣列基板1〇係例如由石英基板所成，對向基板20係例 如由玻璃基板或石英基板所成。於TFT陣列基板1 0中，設 置畫素電極9a，於該上側，形成施以硏磨處理等之所定之 配向處理的配向膜（未圖示）。畫素電極9a係例如由ITO膜 等之透明導電性薄膜所成。又，配向膜係例如聚醯亞胺薄 膜等之有機薄帶所成。 於TFT陣列基板10中，於資料線6a之正下位置，將 各畫素電極9a形成開關控制之畫素開關用之TFT30。此 TFT30係具備具有LDD構造，經由掃瞄線3a(閘極電極）、 自掃瞄線3 a供給之掃瞄信號之電場，形成通道之半導體膜 1 a之通道範圍1 a /、絕緣掃瞄線3a和半導體膜1 a之2層 構造之閘極絕緣膜2、資料線6a(源極電極）、半導體膜ia 之低濃度源極範圍（源極側LDD範圍）lb以及低濃度汲極範 圍（汲極側LDD範圍）lc，及半導體膜la之高濃度源極範圍 1 d以及筒濃度汲極範圍1 e。於高濃度汲極範圍1 ^，電氣連 接複數之畫素電極9a內之對應一個。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 源極範圍lb以及Id，及汲極範圍lc以及le係如後所 述，於半導體膜la中，對應形成n型通道，或形成p型之 通道，所定濃度之η型用或p型用之摻雜物經由摻離加以 形成。η型通道用之TFT係動作速度高速時之優點，做爲 畫素開關用之TFT加以使用者爲多。 在此，TFT30係較佳具有如上述之LDD構造，但具有 於相當於低濃度源極範圍lb及低濃度汲極範圍lc之範圍 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） — -30- 1247946 A7 B7 五、發明説明如） (請先閱讀背面之注意事項存填寫本頁) 進行不純物之植入的偏移構造亦可。又，TFT30係將掃瞄線 3a做爲掩罩，以高濃度植入不純物離子，形成自我整合地 高濃度源極及汲極範圍之自我調整型之TFT亦可。然而， 本實施例中，將TFT30之閘極電極（掃瞄線3a)，於低濃度 源極範圍lb及le間，成爲僅1個配置之單閘極構造，於 此間，配置2個以上之閘極電極亦可。此時，於各閘極電 極中，施加同一之信號。如此，以雙閘極或三閘極以上， 可防止構成TFT時，可防止通道和源極-汲極範圍接合部之 泄放電流，可減低關閉時之電流。將此等之閘極電極之至 少一個，成爲LDD構造或偏移構造，更且可減低關閉電流 ’可得安定之開關元件。 於本實施例中，資料線6a(源極電極）係自鋁等之金屬 膜或金屬矽化物等之合金膜等所構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，於掃瞄線3a(閘極電極）及閘極絕緣膜2之上層側 ’形成透過至高濃度源極範圍Id之連接孔5、及透過至高 濃度汲極範圍le之連接孔81被各別形成之第1層間絕緣 層4 °於第1層間絕緣層4上，形成第2層間絕緣膜7a，於 此第2層間絕緣膜7a上，形成第3層間絕緣膜7b。資料線 6a係形成於第2層間絕緣膜7a上，藉由向源極範圍Id之 連接？L 5 ’資料線6a(源極電極）係電氣連接於高濃度源極範 圍1 d。 畫素電極9a係形成於層間絕緣膜7b上。在此，本實 施例中’將畫素電極9a連接於TFT30之高濃度汲極範圍le ’於第1層間絕緣層4之表面形成汲極電極11，將此汲極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -31 - 1247946 A7 B7 五、發明説明έ9 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 電極1 1藉由第1層間絕緣層4之連接孔8 1，電氣連接於 TFT30之高濃度汲極範圍le的同時，於第2層間絕緣膜7a 及層間絕緣膜7b形成連接孔82。藉由此連接孔82，將畫 素電極9a電氣連接於汲極電極11。因此，畫素電極9a係 藉由汲極電極11，電氣連接於TFT30之高濃度汲極範圍le 〇 於本實施例中，汲極電極11係自高濃度汲極範圍1 e 之上層側，將通道範圍1 a於上層側完全被覆地形成之滲雜 矽膜（多晶矽中繼電極）等之遮光性之導電膜所成（參照圖2) ，亥汲極電極1 1之形成範圍係於圖7顯示右上之斜線範圍 ，於各畫素電極9a之縱橫之邊界範圍，自資料線6a和掃瞄 線3a之交點，沿資料線6a和掃瞄線3a，呈十字形狀地形 成於各畫素。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 更且，於圖6中，本實施例中，於汲極電極11之表面 ，形成薄絕緣膜1 2，於此薄絕緣膜1 2和第2層間絕緣膜7a 之層間，被覆TFT30之通道範圍la /地，形成第1之遮光 膜13。於本實施例中，第1之遮光膜13係自具有鈦、鉻、 鎢、鉬、鉬、鈀、鋁、此等金屬之合金、此等之金屬之矽 化物膜、又滲離矽等之遮光性之導電膜所構成。此第1之 遮光膜1 3之形成範圍係於圖8顯示右下斜線範圍，第1之 遮光膜1 3係沿各畫素電極9a之縱橫之邊界範圍形成成爲 格子狀，於各畫素間保持於共通之電位。 在此，於第1之遮光膜13之下層側，形成汲極電極11 ，此等第1之遮光膜1 3和汲極電極11係藉由薄絕緣膜1 2 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) -32- 1247946 A7 B7 五、發明説明) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ’透過寬廣範圍加以對向。在此，於本實施例，將此薄絕 緣膜12做爲介電質膜，構成將第1之遮光膜13和汲極電 極11成爲電極的蓄積容量70。 更且，本實施例中，如圖6所示，於TFT陣列基板10 中，於該基體之表面，將TFT30之通道範圍la> ，自下層 側加以被覆地，形成第2之遮光膜14。於此第2之遮光膜 14之表面，形成基材絕緣膜15。此第2之第2之遮光膜14 之形成範圍係於圖9，以右下斜線範圍加以顯示。 更且，於本實施例中，將TFT30之通道範圍la >於側 方加以包圍，形成貫通薄絕緣膜1 2及第1層間絕緣層4之 側壁形成用溝16係如圖8所示，於第1之遮光膜13之形 成範圍之內側，沿該外周緣加以形成，對於側壁形成用溝 16之形成範圍，於圖8中，第1之遮光膜13之形成範圍之 內側中，較附上第1之遮光膜1 3之斜線，形成於附上間隔 更窄之右下斜線之範圍。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於本實施例中，側壁形成用溝16係連通貫通閘極絕緣 膜2及基材絕緣膜15之連接溝161。此連接溝161係被與 掃瞄線3a(閘極電極）同時形成之遮光性之導電膜162，側壁 形成用溝1 6係與第1之遮光膜1 3同時形成之遮光性之導 電膜所成之遮光用側壁1 3 1所埋入。 因此，TFT30之通道範圍la >係該上方以掃瞄線3a、 汲極電極1 1、第1之遮光膜1 3及資料線6a加以遮光，下 方以第2之遮光膜1 4加以遮光，側方係以側壁形成用溝1 6 內之遮光用側壁1 3 1和連接溝1 6 1內之導電膜1 62加以遮光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -33- 1247946 A7 _B7_ 五、發明説明（31 ) 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 再於圖6中，一方面，於對向基板20，於該整面設置 對向電極（共通電極）2 1，於該下側，形成施以硏磨處理等之 所定配向之處理的配向膜（未圖示）。透明電極2 1亦例如由 IT〇膜等之透明導電性薄膜所成。又，對向基板20之配向 膜亦由聚醯亞胺等之有機薄膜所成。於對向基板20中，於 各畫素之開口範圍以外之範圍，對向基板側遮光膜23有形 成成爲矩陣的情形。。 爲此，自對向基板20之側之入射光L1則不會到達 TFT3 0之半導體膜la之通道範圍la>或LDD範圍lb、lc 。更且，對向基板側遮光膜23係具有對比之提升、色材之 混色防止等之機能。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此構成之TFT陣列基板1 0和對向基板20係使畫素 電極9a和對向電極2 1對面加以配置，且於此等基板間， 於經由包圍後述之封閉材所包圍之空間內，封入、挾持做 爲光電物質之液晶50。液晶50係於自畫素電極9a之電場 未被施加之狀態下，經由配向膜得所定之配向狀態。液晶 50係混合例如一種或數種之向列光電物質者等所成。然而 ，密封材係將TFT陣列基板1 0和對向基板20，於此等之周 邊被加以貼合之光硬化樹脂或熱硬化樹脂等所成黏著劑， 配合兩基板間之距離得所定値之玻璃纖維或玻璃球等之間 隔物，間隔材。 參照以上圖1至圖9之說明，本實施例中，於TFT30 之通道範圍1 a /及LDD範圍1 b、1 c之上層側，形成掃瞄 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " -34- 1247946 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（32 ) 線3a、汲極電極11、第1之遮光膜13及資料線6a之故， 自對向基板20側入射之強光則不會直接入射至通道範圍1 a 。又，於TFT30之通道範圍la>及LDD範圍lb、lc之下 層側，以第2之遮光膜1 4加以遮光之故，TFT陣列基板1 0 之反射光，或自配置於該外部之光學零件之反射光等由 TFT陣列基板1〇之背面側入射時，此炭亦不會入射至通道 範圍1 a。 更且，本實施例中，自對向基板20之側入射的強光向 通道範圍la及LDD範圍lb、lc，自斜方向或橫方向入射 時，TFT30之通道範圍la /及LDD範圍lb、lc之側方係於 側壁形成用溝16內之遮光用側壁131和連接溝161內之導 電膜162被加以遮光之故，如此之光六無入射至通道範圍 1 a的情形。 因此，本實施例之光電裝置係如後述之投射型顯示裝 置，強光自對向基板20之側入射之時，完全防止起因於光 入射至la >的TFT30的誤動作或可靠性之下降。 又。於本實施例中，於每畫素，電氣連接於畫素電極 9a之汲極電極11，和於各畫素間共通之第1之遮光膜1 3係 藉由薄絕緣膜12，以寬廣面積加以對向。而且，第1之遮 光膜13和第2之遮光膜14係藉由側壁形成用溝16內之遮 光用側壁1 3 1和連接溝1 61內之導電膜1 62電氣加以連接之 故，固定第2之遮光膜14之電位時，可固定第1之遮光膜 1 3之電位。因此，於本實施例中，將汲極電極11和第1之 遮光膜13成爲容量電極，且將薄絕緣膜12做爲介電質膜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 衣. 訂 k 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -35- 1247946 A7 B7 五、發明説明（33 ) 加以利用，構成蓄積容量70。因此，對於各畫素，無需通 過專用之容量線之故，提升畫素開口率。 (光電裝置之製造方法） 接著’對於具有如以上之構成之第1實施例之光電裝 置100之製造方法，參照圖10至圖16加以說明。 首先’對於TFT陣列基板10之製造方法加以說明。 圖10至圖16係顯示本實施例之TFT陣列基板1 0之製造方 法的工程截面圖。然而，於圖1〇至圖16中，顯示相當於 圖2之A-A >線之位置的截面、相當於B_B /線之位置的截 面、相當於C-C >線之位置的截面。 首先，如圖10(A)所示，準備石英基板、硬玻璃等之 TFT陣列基板10。對於TFT陣列基板10，以N2(氮氣）等之 不活性氣體，且以約900°C〜約1 300°C之高溫，進行退火處 理，後來於實施之高溫程序，將彎曲爲少之前處理加以放 置爲佳。即，配合製造程序之最高溫度，預先將TFT陣列 基板10以同樣溫度或其以上加以熱處理。 接著，將欲形成第2之遮光膜14之鎢矽化物膜140， 例如形成於200nm之膜厚後，將此鎢矽化物膜140，如圖 10(B)所示加以圖案化，形成第2之遮光膜14。 接著，於TFT陣列基板10上，例如經由常壓或減壓 CVD法等，使用TEOS氣體、TEB氣體、TMOP氣體等，形 成NSG、PSG、BSG、BPSG等之矽酸鹽玻璃膜、氮化矽膜 或氧化矽膜所成之基材絕緣膜1 5。此基材絕緣膜1 5之層厚 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 訂 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 -36- 1247946 A7 B7 五、發明説明（34 ) 例如成爲約500nm〜約2000nm。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，如圖10(C)所示，於基材絕緣膜15上，約450°C 〜約550°C，較佳於50CTC之較低溫環境中，經由使用流量 約40〇cc/min〜約600cc/min之單矽烷氣體，二矽烷氣體等之 減壓CVD(例如壓力約20〜40Pa之CVD)，形成非晶質矽膜 。之後，於氮氣氣氛中，於約600°C〜約70(TC，約1小 時〜約1 0小時，較佳經由施以約4小時〜約6小時之退火處 理，令多晶矽膜固相成長約50nm〜約200nm之厚度，較佳 爲固相成長100nm之厚度。 此時，將畫素開關用之TFT30成爲P通道型之時，於 該通道形成用範圍，將Sb(銻）、As(砷）、P(磷）等之V族元 素之摻雜物，僅經由離子植入等加以摻離亦可。又，將畫 素開關用TFT30，成爲N通道型之時，將B(硼）、Ga(鎵）、

In(銦）等之III族元素之摻雜物，僅經由離子植入等加以摻 離亦可。然而，不經由非晶質多晶矽膜，經由減壓CVD法 ，直接形成多晶矽膜1亦可。或於經由減壓CVD法堆積之 多晶矽層，植入矽離子，暫時非晶質化，之後經由退火處 理等，加以再結晶，形成多晶矽膜1亦可。 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 接著，如圖10(D)所示，經由光蝕刻工程、蝕刻工程等 ，形成圖2及圖5所示圖案之半導體膜la。 接著，如圖11(A)所示，將構成TFT30之半導體膜la 經由約900°C〜約1 300t之溫度，較佳經由1000°C之溫度， 經由熱氧化，形成約30nm之較薄熱氧化矽膜201，更且經 由減壓CVD法等，將高溫氧化矽膜202(HT〇膜）或氮化矽膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -37- 1247946 A7 B7 五、發明説明（35 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ’堆積呈約50nm之較薄厚度，形成具有多層構造之閘極絕 緣膜2。唯，僅以熱氧化，形成具有單一層構造之閘極絕緣 膜2亦可。然而，形成閘極絕緣膜2後，進行上述離子植 入工程亦可。 接著，如圖11(B)所示，對於閘極絕緣膜2及多晶矽層 3 ’形成到達第2之遮光膜14之連接溝161。 接著，如圖11(C)所示，經由減壓CVD等，堆積多晶 矽層3後，熱擴散磷（P)，導電化多晶矽層3。又，使用將P 離子與多晶矽層3之成膜同時導入之滲雜矽膜亦可。 接著，如圖11(D)所示，使用光阻罩經由微縮術工程、 蝕刻工程，形成圖2及圖4所示之圖案之掃瞄線3a(閘極電 極）。此掃瞄線3a之層厚係例如約35Onm。又，連接溝1 6 1 係以與掃瞄線3a同一材料之導電膜1 62加以埋入。 經濟部智慈財產局S工消費合作社印製 接著，如圖12(A)所示，將圖6所示之TFT30，具有 LDD構造，成爲η通道型之TFT時，於半導體膜la，首先 爲形成低濃度源極範圍lb及低濃度汲極範圍lc，將掃瞄線 3a(閘極電極）做爲擴散罩幕，將P等之V族元素之摻雜物 200以低濃度加以摻雜（例如將P雜子以lxl013/cm2〜3x 1013/cm2之摻雜量）。由此，掃瞄線3a(閘極電極）下之半導體 膜1 a係成爲通道範圍1 a >。經由此不純物之滲入，掃瞄線 3a亦低阻抗化。 接著，如圖12(B)所示，爲形成TFT30之高濃度源極範 圍Id及高濃度汲極範圍le，以較掃瞄線3a(閘極電極）寬度 爲廣之罩幕，將光阻罩幕2 0 3形成於掃猫線3 a (鬧極電極）後 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（X297公釐） ' — -38- 1247946 A7 B7 五、發明説明（36 ) ，同樣將P等之V族元素之滲離物201以高濃度（例如將P 離子於1〜3xl015/cm2之滲雜量）加以滲雜。又，上述η通道 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 型之TFT係不植入低濃度之不純物地，做爲偏移構造亦可 〇 然而，將TFT30成爲p通道型時，於半導體膜la，爲 形成低濃度源極範圍lb及低濃度汲極範圍lc以及高濃度 源極範圍Id及高濃度汲極範圍le，使用B等III族元素之 摻雜物加以摻雜。然而，不進行低濃度之摻雜，做爲偏移 構造之TFT亦可，將掃瞄線3a(閘極電極）做爲罩幕，經由 使用P離子、B離子等之離子植入技術，做爲自我校準型 之TFT亦可。經由此不純物之摻雜，掃瞄線3a係更爲低阻 抗化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 與此等之工程同時並行，將具有η通道型TFT及p通 道型TFT所構成之互補型構造之資料驅動電路及掃瞄線驅 動電路等之周邊電路，形成於TFT陣列基板1 0上之周邊部 。如此地，於本實施例中，畫素開關用TFT30係多晶矽 TFT之故，於畫素開關用TFT30之形成時，以幾近同一工 程，可形成資料線驅動電路及掃脑線驅動電路，在製造上 爲有利的。 接著，如圖12(C)所示，被覆TFT30之掃瞄線3a(閘極 電極）地，例如使用常壓或減壓CVD法或TEOS氣體等，形 成NSG、PSG、BSG、BPSG等之矽酸鹽玻璃膜、氮化矽膜 或氧化矽膜等所成之第1層間絕緣膜4。第1層間絕緣層4 之層厚係約500nm〜約1 500nm爲佳。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -39- 1247946 A7 B7 五、發明説明（37 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，如圖12(D)所示，將爲連接TFT30之高濃度汲極 範圍1 e和汲極電極11之連接孔8 1，經由反應性蝕刻、反 應性離子束蝕刻等之乾鈾刻，或經由濕鈾刻加以形成。 接著，如圖13(A)所示，經由減壓CVD法等，於第1 層間絕緣層4之表面，堆積爲形成汲極電極11之多晶矽層 U〇後，熱擴散多晶矽（P)，導電化多晶矽層11〇。又，使用 將P離子與多晶矽層110之成膜同時導入之摻雜矽膜2亦 可。 接著，如圖13(B)所示，經由使用光阻罩幕之微縮術工 程、蝕刻工程，形成圖2及圖7所示圖案之汲極電極11。 接著，如圖13(C)所示，於汲極電極11之表面，形成 薄絕緣膜1 2。 接著，如圖13(D)所示，對於薄絕緣膜12及第1層間 絕緣層4，將爲形成使用第1之遮光膜1 3之遮光用侧壁 1 3 1之側壁形成用溝1 6，經由反應性蝕刻、反應性離子束 蝕刻等之乾蝕刻，連通連接溝1 6 1地加以形成，包含此連 接溝1 6 1，形成一體之側壁形成用溝1 6。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 接著，如圖14(A)所示，於絕緣膜12之表面，將爲形 成第1之遮光膜13之鎢矽化物膜130，例如形成於200nm 之膜厚後，將鎢矽化物膜130如圖14(B)所示加以圖案化， 形成第1之遮光膜13。又，於側壁形成用溝16內，與第1 之遮光膜13同時形成，於此側壁形成用溝16內，遮光用 側壁131係電氣連接底部之導電膜162。 接著，如圖14(C)所示，使用常壓或減壓CVD法或 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -40- 1247946 A7 B7 五、發明説明（38 ) TE〇S氣體等，形成NSG、PSG、BSG、BPSG等之矽酸鹽玻 璃膜、氮化矽膜或氧化矽膜等所成之第2層間絕緣膜7a。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第2靥間絕緣層7a之層厚係約500nm〜約1500nm爲佳。 接著，如圖15(A)所示，將對於掃瞄線3a(源極電極）之 連接孔5，經由反應性鈾刻、反應性離子束蝕刻等之乾蝕刻 ’或經由濕蝕刻加以形成。 接著，如圖15(B)所示，於第2層間絕緣膜7a上，經 由濺射處理等，將A1等之低阻抗金屬或金屬矽化物等之金 屬膜6，堆積約lOOnm〜約500nm之厚度，較佳係堆積於 300nm 〇 接著，如圖15(C)所示，經由使用微縮術工程、蝕刻工 程等，形成資料線6a(源極電極）。 接著，如圖16(A)所示，被覆資料線6a(源極電極）上， 例如使用常壓或減壓CVD法或TEOS氣體等，形成NSG、 PSG、BSG、BPSG等之矽酸鹽玻璃膜、氮化矽膜或氧化矽 膜等所成之第3層間絕緣膜7b。第3層間絕緣層7b之層厚 係約5 0 0 n m〜約1 5 0 0 n m爲佳。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，如圖16(B)所示，將爲連接畫素電極9a和汲極 電極11之連接孔82，經由反應性鈾刻、反應性離子束蝕刻 等之乾蝕刻加以形成。 接著，如圖16(C)所示，於第3層間絕緣膜7b上，經 由濺射等，將ITO膜等之透明導電性薄膜9，堆積於約 50nm〜約200nm之厚度。 經由以上，完成光電裝置100之中TFT陣列基板10側 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董1 •41 - 1247946 A7 B7 五、發明説明（39 ) 之構成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 另一方，對於如圖6所示之對向基板20，玻璃基板等 被首先準備，爲區分對向基板側遮光膜23，及顯示範圍和 非顯示範圍的邊框的遮光膜53(參照圖24及圖25)，例如濺 射金屬鉻後，經由微縮術工程，飩刻工程加以形成。然而 ，做爲對向基板側遮光膜23及顯示畫面之邊框的遮光膜53 ，係將Cr、Ni、A1等之金屬材料之外、碳或Ti，分散於光 阻劑之樹脂黑等之材料所成。 接著，於對向基板20之整面，經由濺射處理，將ITO 等之透明導電性薄膜，經由堆積於約50nm〜約200nm之厚 度，形成對向電極21。更且，於對向電極21之全面，塗佈 聚醯亞胺系之配向膜之塗佈液後，具有所定預傾角地，且 於所定方向經由施以硏磨處理等，形成配向膜。 經由以上，完成光電裝置100中之對向基板20側之構 成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此製造之TFT陣列基板1 0和對向基板20係由圖6 可知，配向膜成對面地，經由密封材（未圖示）加以貼合，經 由真空吸引等，於兩基板間之空間，例如吸引混合複數種 類之向列光電物質所成光學物質，形成所定層厚之液晶50 之層。 經由以上，完成參照圖1至圖9所說明之第1實施例 之光電裝置100。 (第2實施例） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -42- 1247946 A7 B7 五、發明説明（40 ) 接著，對於本發明之第2實施例，參照圖1 7加以說明 。圖17係第2實施例之光電裝置100>之截面圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第2實施例之光電裝置1〇〇 >，係於上述之第1實施例 之光電裝置100之製造方法中，省略參照圖11(B)說明之連 接溝161之形成工程的同時，於參照圖13(D)說明之側壁形 成用溝1 6之形成工程中，如圖1 7所示，經由將此側壁形 成用溝16到達第2之遮光膜14地加以形成製造。對於其 他之製造工程，與第1實施例之時相同。 如圖17所示，依此製造時，形成第1之遮光膜1 3時 ，經由與第1之遮光膜1 3同一材料所成遮光用側壁1 3 1， 埋設側壁形成用溝16，於此側壁形成用溝16之底部，遮光 用側壁1 3 1係直接連接於第2之遮光膜1 4。因此，第2實 施例之光電裝置100>係圖6所示之第1實施例之光電裝置 100之TFT陣列基板10的其他構成例，其他之構成係參照 圖6所說明之故，於對應之部分，附上同一之符號，省略 此等之說明。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (第3實施例） 接著，對於本發明之第3實施例之光電裝置之畫素部 的構成，參照圖1及圖1 8至圖20加以說明。圖1 8係第3 實施例之資料線、掃瞄線、畫素電極等被形成之TFT陣列 基板之相鄰接之複數之畫素群的平面圖。圖19係圖18之 D-Df截面圖，圖20係有關形成於TFT陣列基板10上之堆 積體部分之圖18之E-E'截面圖。然而，於圖19及圖20中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -43- 1247946 A7 B7 五、發明説明（41 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ’將各層或各構成，於圖面上可成爲認識可能程度之大小 之故’於各層或各構件，使比例尺加以不同化。又，有關 於第3實施例之圖18至圖20中，與圖1至圖9所示之第1 實施例相同，附上同樣之參照符號，使該說明適切地加以 省略。 第3實施例之光電裝置係具有與圖1所示之第1實施 例之光電裝置同樣的基本之電路構成。惟，於第1實施例 中’具有第2之遮光膜14將蓄積容量70之固定電位側容 量電極，做爲下降至固定電位之容量線之機能，本第3實 施例中，重疊於掃瞄線3a之上側，且沿掃瞄線3a設置容量 線。 即，如圖18及圖19所示，於第3實施例中，設置包 含固定電位側容量電極之容量線300。更具體而言，容量線 300係平面性視之，沿掃瞄線3a延伸成爲條紋狀，重疊於 TFT30處則突出於圖18中上下。由此，利用掃瞄線3a上之 範圍及資料線6a下之範圍，增大蓄積容量70之形成範圍 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如圖18至圖20所示，於第3實施例中，蓄積容量7〇 係做爲連接於TFT30之高濃度汲極範圍le及畫素電極9a 的畫素電位側容量電極之中繼層7 1，和做爲固定電位側容 量電極之容量線300之一部分，藉由介電質膜75，經由對 向配置加以形成。 容量線300係可例如做含金屬或包含合金之導電膜所 成固定電位側容量電極加以工作。容量線300係例如包含 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -44 - 1247946 A7 _____B7 _ 五、發明説明（42 )

Ti、Cr、W、Ta、Mo、Pb等之高融點金屬中之至少一個， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 金屬單體、合金、金屬矽化物、多晶矽化物，堆積此等者 等所成。惟，容量線300係具有例如堆積包含導電性之多 晶矽膜等所成第i膜和高融點金屬之金屬矽化物膜等所成 第2膜之多層構造亦可。 中繼層7 1係例如做爲導電性之多晶矽膜所成畫素電位 側容量電極加以工作。中繼層7 1係做爲畫素電位側容量電 極之機能外，具有中繼連接畫素電極9a和TFT30之高濃度 汲極範圍1 e的機能。惟，中繼層7 1亦與容量線300同樣， 包含金屬或合金之單一層膜或多層膜所成構成亦可。 如圖18至圖20所示，於圖18中，在以右下之粗斜線 範圍所示之格子狀之範圍，於TFT陣列基板1 0掘出溝 l〇cv，更且，於此溝i〇cv內，更且，於此溝i〇cv內，下側 遮光膜400設置呈格子狀。下側遮光膜400係與容量線300 同樣，例如包含Ti、Cr、W、Ta、Mo、Pb等之高融點金屬 中之至少一個，金屬單體、合金、金屬矽化物、多晶矽化 物，堆積此等者等所成。 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 於圖1 8中右下粗斜線範圍所示之格子狀範圍，上側遮 光膜401與下側遮光膜400相同，例如包含Ti、Cr、W、Ta 、Mo、Pb等之高融點金屬中之至少一個，金屬單體、合金 、金屬矽化物、多晶矽化物，堆積此等者等所成。更且， 寬度狹窄之凹坑，沿上側遮光膜401之輪廓，且以埋入自 上側遮光膜40 1貫通第4層間絕緣膜44、第3層間絕緣膜 43、介電質膜75、第2之層間絕緣膜42、第1之層間絕緣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ： :45- 1247946 A7 _________ B7 五、發明説明（43 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 膜41及基材絕緣膜40，到達下側遮光膜400之凹坑的形式 ’形成側壁遮光膜402。側壁遮光膜402係例如包含Ti、Cr 、W、Ta、Mo、Pb等之高融點金屬中之至少一個，金屬單 體、合金、金屬矽化物、多晶矽化物等者等所形成。惟， 此等之下側遮光膜400、上側遮光膜401及側壁遮光膜402 係可自同一之遮光膜加以形成亦可，但亦可由不同之遮光 膜加以形成。 尤其，如圖19及圖20所示，第3實施例中，形成於 TFT30、掃瞄線3a、資料線6a、容量線300、蓄積容量70 等之畫像顯示範圍之TFT陣列基板1 0上的配線或元件係經 由下側遮光膜400、上側遮光膜401及側壁遮光膜402立體 性地加以遮光。更且，如圖19所示，連接畫素電極9a和 中繼層71之連接孔85中，配置導電性之遮光膜403，經由 下側遮光膜400、上側遮光膜401及側壁遮光膜402，於規 定之空間內，自連接孔85之附近，光不被進入地，進行遮 光。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖19及圖20中，配置於做爲容量電極之中繼層71和 容量線300之間的介電質膜75係例如膜厚5〜200nm程度之 較薄HTO膜、LTO膜等之氧化矽膜、或氮化矽膜等所構成 。由增大蓄積容量70之觀點來看，在膜的可靠性可充分獲 得的狀況下，介電質膜75愈薄愈好。 容量線300係自配置畫素電極9a之畫像顯示範圍’延 伸設置於該周圍，與定電位源電氣連接，成爲固定電位。 做爲有關定電位源，爲供予控制將爲將驅動TFT30之掃瞄 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公釐） -46 - 1247946 A7 B7 五、發明説明（44 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) fg號供予掃猫線3 a之後述之掃瞄線驅動電路或畫像信號， 供予資料線6a之取樣電路的後述資料線驅動電路的正電源 或負電源之定電位源亦可，或可爲供予對向基板20之對向 電極21的定電位亦可。 更且，對於下側遮光膜400、上側遮光膜401及側壁遮 光膜402，爲避免該電位變動對於產生TFT30之不良影響， 與容量線300同樣地，自畫素顯示範圍，延伸設置於該周 圍，連接於定電位源。 畫素電極9a係經由中繼中繼層71，藉由連接孔83及 85，電氣連接於半導體膜la中之高濃度汲極範圍le，即， 本實施例中，中繼層71係加上做爲蓄積容量70之畫素電 位側容量電極之功能，達成將畫素電極9a向TFT30中繼連 接的功能。如此利用中繼層7 1時，層間距離例如成爲 2000nm程度之長度時，迴避兩者間以一個之連接孔加以連 接的技術困難性地，以較小口徑之二個以上之直列之連接 孔，將兩者良好地連接，可提高畫素數値口徑，對於防止 連接孔開孔時之蝕刻穿孔亦有功效。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由同樣之視點視之，資料線6a係經由中繼與中繼層7 1 同一導電膜所形成之中繼層72,藉由連接孔181及182,連 接於半導體膜la中之高濃度源極範圍Id。 如圖19所示，於TFT陣列基板10中，設有畫素電極 9a，於該上側，設置施以硏磨處理等之所定配向處理的配 向膜19。畫素電極9a係例如ITO膜等之透明導電性膜所成 。又，配向膜19係例如聚醯亞胺膜等之有機膜所成。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -47- 1247946 A7 B7 五、發明説明（45 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 另外，於對向基板20中，於該整面，設置對向電極21 ，於該下側，設置施以硏磨處理等之所定配向處理之配向 膜22。對向電極2 1係例如ITO膜等之透明導電性膜所成。 又，配向膜22係由聚醯亞胺膜等之有機膜所成。 更且，於畫素開關用TFT30之下’設置基材絕緣膜40 。基材絕緣膜40係除自下側遮光膜400將TFT30層間絕緣 之機能外，具有經由形成於TFT陣列基板1 0之整面’防止 以TFT陣列基板1 0之表面之硏磨時的粗糙或洗淨後所留下 之污濁等，畫素開關用TFT30之特性之劣化的機能。 於掃瞄線3a上，透過高濃度源極範圍Id之連接孔182 及透過高濃度汲極範圍le之連接孔83，則形成各開孔之第 1之層間絕緣膜4 1。 於第1之層間絕緣膜41，形成中繼層71、中繼層72 及容量線300，於此等上，向中繼層72及中繼層7 1各別通 過之連接孔1 8 1及連接孔85，則則形成各開孔之第2之層 間絕緣膜42。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於第2之層間絕緣膜42上，形成資料線6a，於此等上 ，形成成爲通過中繼層7 1之連接孔85之第3層間絕緣膜 43。於第3層間絕緣膜43上，形成上側遮光膜401。於上 側遮光膜40 1上，形成成爲連接孔85之第4層間絕緣膜44 ，畫素電極9a係設於如此構成之第4層間絕緣膜44之上 面。 如以上所說明，第3實施例中，形成於TFT30、掃瞄線 3a、資料線6a、容量線300、蓄積容量70等之畫素顯示範 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -48- 1247946 A7 B7 五、發明説明扣 ） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圍之TFT陣列基板1 0上之配線或元件，係經由下側遮光膜 400、上側遮光膜401及側壁遮光膜402立體性地遮光。爲 此，對於基板面，自上方向垂直或斜向進行之入射光及， 對於基板面，自下方向垂直或斜向進行之回復光，以及根 據此等之內面反射光及多重反射光等，則入射至TFT30之 通道範圍la#、低濃度源極範圍lb及低濃度汲極範圍lc 者，可經由下側遮光膜400、上側遮光膜401及側壁遮光膜 402加以阻止。更且，如圖1 8所示，經由此等之遮光膜， 可將各畫素之非開口範圍精度佳地規定呈格子狀。 更且，於第3實施例中，於連接孔85中，形成遮光膜 403之故，可確實阻止自外部易於產生光漏之連接孔85之 光漏。更且，連接孔85係如圖1 8所示，位於橫方向相鄰 接之tft3 0之中央之故，藉由連接孔85，產生若干之光漏時 ，該光漏之處係自各TFT30，較爲間隔之故，光漏則幾乎不 會到達TFT30。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此等之結果，根據第3實施例時，可提高耐光性，於 入射強力入射光或回復光之過度條件下，經由光泄訓電流 之減懺的TFT30，可將畫素電極9a良好地開關控制，最終 而言，可顯示明亮高對比之畫像。 尤其根據第3實施例時，於掘於基板10之溝l〇cv之底 面，形成下側遮光膜400，於收容於此溝10cv之TFT30等 之上側，配置上側遮光膜401。然後，於TFT30等之外側， 於自上側遮光膜401至下側遮光膜400的凹坑內，塡充側 壁遮光膜402。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' -49- 1247946 A7 B7 五、發明説明妗） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此，採用與上述第1實施例之製造方法同樣之蝕刻 處理、成膜處理等之較爲單純之製造程序及構成，可確實 地將TFT30立體性地遮光。然而，於實施例3中，與上述 第1或第2實施例之時同樣地，上側遮光膜401和側壁遮 光膜402可一體地加以形成。例如，掘出凹坑後，於其上 以上側遮光膜40 1堆積埋入即可。 又，第3實施例中，於對向基板20中，在對向於連接 孔85之位置設置遮光膜亦可，根據此構成時，可更爲減低 自連接孔85附近之光的進入。 更且，構成第3實施例之畫素開關用TFT30的半導體 膜1 a係非單結晶層或單結晶層皆可。對於單結晶層之形成 ，可使用貼合法等之公知方法等。將半導體膜la成爲單結 晶層，尤其可達周邊電路之高性能化。 (第4實施例） 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 接著，對於本發明之第4實施例之光電裝置，參照圖 2 1加以說明。在此，圖2 1係對應第4實施例之光電裝置之 圖18E-E'截面處的截面圖。 如圖21所示，第4實施例中，掘入TFT陣列基板10 之溝10cV之深度爲更深，下側遮光膜400f則沿溝10cvf之 底部及附有推拔之側壁加以形成，且上側遮光膜40 Γ係呈 蓋上此大的溝10cV地加以形成之處，以及無側壁光膜之處 ，與第2實施例不同，對於其他之構成，大約與第3實施 例相同。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） •50- 1247946 A7 B7 五、發明説明48 ) 因此，根據第4實施例時，可採用較單純之構成及製 造程序，可確實立體遮光TFT30及各種配線。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 更且，經由調節溝10cV之深度，可達成形成TFT30或 各種配線之平面範圍之畫素電極9a之基材，即第4層間絕 緣膜4V之表面之平坦化。由此，可減低起因於表面之階差 之液晶之配向不良。 (第5實施例） 接著，對於本發明之第5實施例之光電裝置，參照圖 22加以說明。在此，圖22係對應第5實施例之光電裝置之 圖18E-E1截面處之截面圖。 如圖22所示，第5實施例中，對於在TFT陣列基板10 未掘入溝之部分，以及於因此而加深掘入之凹坑內，形成 側壁遮光膜402"之部分與第3實施例不同。更且，對應於 沒有溝之部分。下側遮光膜400”爲平坦，伴隨自基材絕緣 膜40至上側遮光膜401"，對應資料線6a之存在而***， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 最終而言，第4層間絕緣膜44之表面則沿資料線6a，呈突 狀***的部分與第3實施例不同，對於其他構成，大槪與 第3實施例相同。然而，雖未示於圖22，於此時，第4層 間絕緣膜44’’係沿掃瞄線3a時，亦會呈河堤狀地***。 因此，根據第5實施例時，可採用較爲單純之構成及 製造程序地，可確實地立體遮光TFT30及各種配線。 (第6實施例） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） -51 - 1247946 A7 B7 五、發明説明49 ) 接著，對於本發明之第6實施例之光學裝置，參照圖 23加以說明。在此，圖23係顯示掃瞄線反轉驅動方式所驅 動時之各畫素電極之驅動電壓的極性和橫電場之產生範圍 之關係的複數畫素電極的圖式平面圖。 首先，如圖23(a)所示，顯示第η(惟η爲自然數）之場或 圖框之畫像信號期間中，於每畫素電極9a，不反轉+或·所 示液晶驅動電壓之極性，於每行以同一極性驅動畫素電極 9a。之後如圖23(b)所示，顯示第n+1之場或1圖框之畫像 信號的期間中，各畫素電極9a之液晶驅動電壓之電壓極性 被反轉，於顯示此第n+1之場或1圖框之畫像信號的5期 間中’於每畫素電極9 a，+或-所示液晶驅動電壓之極性則 不會反轉，於每行，以同一極性驅動畫素電極9a。然後， 圖23 (a)及圖23(b)所示狀態，以1場或1圖框之同期被重覆 ’進行本實施例之掃瞄線反轉驅動方式之驅動。結果，根 據本實施例時，迴避直流電壓施加所造成液晶之劣化，可 進行減低串訊或閃爍之畫像顯示。然而，根據掃瞄線反轉 驅動方式中，較資料線反轉驅動方式，有利於在縱方向之 串訊幾乎不存在之部分上。 自圖23(a)及圖23(b)可知，於掃瞄線反轉驅動方式中， 橫電場之產生範圍C 1係成爲經常，相鄰於縱方向（γ方向） 之畫素電極9a間間隙附近。 在此，於第6實施例中，沿掃瞄線3a之各畫素間之間 隙範圍之橫電場之產生範圍C 1中，如第5實施例，於TFT 陣列基板10採用不掘溝之構成，對應於此，沿掃瞄線3a， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I--------衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 -52- 1247946 A7 B7 五、發明説明έο ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於畫素電極9a之基材形成凸部。另一方面，不產生沿資料 線6a之各畫素間之間隙範圍之橫電場範圍中’對應於此’ 沿資料線6a平坦化畫素電極9a之基材。 因此，根據第6實施例時，經由採用掃瞄線反轉驅動 方式，可防止光電物質之劣化，更且，可防止顯示畫像之 串訊或閃爍的同時，於橫電場之產生範圍C 1，將畫素電極 9a之基材，成爲凸狀加以***地，經由增加縱電場，可將 橫電場相對變弱。即，可減低橫電場所產生液晶之配向不 良。 而且，於不產生橫電場之間隙範圍中，於深溝之形成 經由平坦化畫素電極9a之基材，根據畫素電極9a之基材之 階差，可減低由於液晶畫素電極9a之基材之階差的液晶配 向不良。 此等之結果，可確實減低液晶等之光電物質之橫電場 所造成之動作不良，以高對比進行明亮之高品質之畫像顯 示。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然而，代替掃瞄線反轉驅動方式，採用資料線反轉驅 動方式之時’沿資料線6a之各畫素間之間隙範圍之橫電場 的產生範圍，爲增加縱電場，於沿資料線6a之範圍，將畫 素電極之基材***成爲凸狀，於沿掃瞄線3 a之範圍，平坦 化畫素電極9a之基材即可。另一方面，採用點反轉驅動方 式時’於各沿掃瞄線3 a及資料線6 a之各畫素間之間隙範圍 的橫電場之產生範圍中，增強縱電場地，於各沿掃瞄線3 a 及資料線6a之範圍，將畫素電極之基材***成爲凸狀即可 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -53- 1247946 A7 ___B7__ 五、發明説明έι ) 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 更且，本發明之掃瞄線反轉驅動方式中，將驅動電壓 之極性，於每一行加以反轉亦可，於每相鄰之2行或於每 複數行加以反轉亦可。同樣杜，本發明之資料線反轉驅動 方式中，將驅動電壓之極性，於每一列加以反轉亦可，於 每相鄰之2列或於每複數列加以反轉亦可，於點反轉驅動 方式之時，於每複數之畫素電極所成之區塊，反轉驅動電 壓之極性亦可。 (光電裝置之整體構成） 將如以上所構成之光電裝置之各實施例之整體構成， 參照圖24及圖25加以說明。然而，圖24係與將光電裝置 100形成於其上之各構成要素一同，自對向基板20之側所 看到的平面圖，圖25係包含對向基板20加以顯示之圖24 之Η_ΙΤ截面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於圖24中，於TFT陣列基板10上，密封材52沿其緣 加以設置，於該內側範圍，形成做爲遮光性材料所成邊框 之遮光膜53。於密封材52之外側範圍，資料線驅動電路 101及安裝端子102則沿TFT陣列基板10之一邊加以諼置 ，掃瞄線驅動電路1 04則鄰接於此一邊的2邊加以形成。 供予掃猫線之掃猫信號之延遲沒有問題的話，掃猫線驅動 電路104當然可爲單側。例如奇數列之資料線係自沿畫像 顯示範圍之一方之邊配設之資料線驅動電路，供給畫像信 號，奇數列之資料線係自沿畫像顯示範圍之相反側之邊配 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " ~ -54- 1247946 A7 B7 五、發明説明缸） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 設之資料線驅動電路，供給畫像信號亦可。如此地，將資 料線驅動呈梳齒狀時，可擴充資料線驅動電路1 01之形成 面積之故，可構成複雜的電路。更且，於TFT陣列基板10 所留之一邊，設置連接設於畫像顯示範圍之兩側的掃瞄線 驅動電路104間的複數配線105。又，於對向基板20之角 落部之至少一處中，於TFT陣列基板10和對向基板20間 ，形成取得電氣導通之上下導通材106。然後，如圖25所 示，具有與圖24所示之密封材52幾近同樣輪廓的對向基 板20，經由該密封材52，固著於TFT陣列基板10。 於TFT陣列基板10上，加上此等資料線驅動電路101 、掃瞄線驅動電路104，於複數之資料線6a，將畫像信號 以所定之時間施加之取樣電路、形成在於複數之資料線6a ，將所定電壓準位之預充電信號先行於畫像信號各別加以 供給之預充電電路，爲檢查製造中途或出貨時之該光電裝 置之品質、缺陷等之檢查電路亦可。更且，如此取樣電路 、預充電電路、檢查電路等係利用遮光膜53下之範圍加以 設置亦可。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以上說明之各實施例中，代替將資料線驅動電路101 及掃瞄線驅動電路1 04設於TFT陣列基板1 0，例如安裝置 於TAB基板上之驅動用LSI，藉由設於TFT陣列基板10之 周邊部之向異性導電薄膜，電氣性及機械性地連接亦可。 又，於對向基板20及TFT陣列基板10之光入射側之面或 光射出側中，對應於所使用之液晶50之種類，即例如TN 模式、VA模式、PDLC模式等之動作模式，或正常白/正常 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -55- 1247946 A7 B7 五、發明説明（53 ) 黑，偏光薄膜、相位差薄膜、偏光板等則以所定方向加以 配置。 又，如此形成之光電裝置係例如使用於投射型顯示裝 置（液晶投影機）。此時’ 3枚之光電裝置100則做爲RGB用 之光閥各別加以使用，於各光電裝置1〇〇中，藉由RGB色 分解用之分色鏡’分解的各色光則做爲投射光各別加以入 射。因此，於前述各實施例之光電裝置100中，未形成彩 色濾色片。但是，於對向於畫素電極9 a之所定範圍，將 rgb之彩色濾光片，與其保護膜’形成於對向基板20上亦 可。如此之時，對於投影機以外之直視型或反射型之彩色 光電裝置，可適用各實施例之光電裝置。又，於對向基板 20上，1畫素對應1個地，形成微透鏡亦可。或，於對向 於TFT陣列基板10上之RGB的畫素電極9a下，可以彩色 光阻劑等形成彩色濾光層。如此之時，經由提升入射光之 聚光效率，可實現明亮的光電裝置。更且，於對向基板20 上，經由堆積好幾層之抑射訊不同之干涉層，利用光之干 涉，形成作出RGB色之分色濾色片亦可。根據附有此分色 濾色片之對向基板時，可實現更爲明亮之彩色光電裝置。 又，做爲形成於各畫素之畫素開關用TFT，雖然使用 正交錯型或共面型之多晶矽TFT爲例加以說明，但亦可將 逆交錯型或非晶質矽TFT等之其他形式之TFT使用於畫素 開關用。 (投射型顯示裝置） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) C·

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -56- 1247946 A7 B7 _ 五、發明説明（54 ) 接著，對於將於以上詳細所說明之光電裝置做爲光閥 使用之電子機器之一例的投射型彩色顯示裝置之實施例， 參照圖26及圖27加以說明。 首先，對於本實施例之投射型彩色顯示裝置之電路柿 仍，參照圖26之區塊圖加以說明。然而，圖26係顯示有 關投射型彩色顯示裝置之3枚光閥中之1枚的電路構成。 此等3枚之光閥係基本上任何一者皆具有同樣之構成之故 ，在此，對於有關於1枚之電路構成之部分，再加以說明 。惟嚴密而言，於3枚之光閥中，有關於G用之光閥的電 路構成中，較R用及B用時，反轉畫像顯示地，在於將畫 像信號之順序以各圖場或圖框內加以反轉，或反轉水平或 垂直掃瞄方向之處有所不同。 於圖26中，投射型彩色顯示裝置你具備顯示輸出源 1000、顯示處理電路1002、驅動電路1004、液晶裝置100 、時脈產生電路1008及電源電路1010加以構成。顯示輸出 源1000係包含同步ROM、RAM、光碟裝置等之記憶體、畫 像信號輸出之同步電路等，根據自時脈產生電路1008之時 脈信號，將所定格式之畫像信號等之顯示資訊，輸出至顯 示處理電路1002。顯示處理電路1002係包含增幅·極性反 轉電路、相展開電路、旋轉電路、r修正電路、箝位電路 等之周知之各種處理電路加以構成，自根據時脈信號輸入 之顯示資訊順序生成數位信號，與時脈信號CLK 一同輸出至驅動電路1004。驅動電路1004係驅動液晶裝置 100。電源電路1010係於上述各電路，供給所定電源。然 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一裝· 訂 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 -57- 1247946 A7 B7 五、發明説明P ) 而’於構成液晶裝置100之TFT陣列基板上，搭載驅動電 路1004即可，在上此點，搭載顯示資訊處理電路亦可 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，參照圖27，對於本實施例之投射型彩色顯示裝 置之整體構成（尤其之光學上之構成）加以說明。在此圖27 係投射型彩色顯示裝置之圖式截面圖。 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 圖27中，本實施例之投射型彩色顯示裝置之一例的液 晶投影機1100係上述驅動電路1004則準備3個包含搭載於 TFT陣列基板上之液晶裝置1〇〇之液晶模組，各做爲RGB 用之光閥100R、100G及100B加以使用之投影機加以構成 。於液晶投影機1 1 00中，自金屬鹵素燈泡等之白色光源之 燈單元1102，發出投射光時，經由3枚之鏡1106及2枚之 分色鏡1108，分爲對應於RGB 3原色之光成分R、G、B， 各別引導至對應各色之光閥100R、100G及100B。此時， 尤其是B光，爲防止長光路所產生之光損失，藉由自入射 鏡1122、中繼鏡1123及射出鏡1124所成中繼鏡系1121被 加以引導。然後，經由光閥100R、100G及100B，對應於 各調製之3原色的光成分，經由分色棱鏡1112再度合成後 ，藉由投射透鏡1114，於螢幕1120，做爲彩色影像被加以 投射。 本發明係非限於上述各實施例者，不違反由申請專利 範圍及說明書所能判讀之發明之要點或思想的範圍下，可 適切地加以變更，伴隨如此之變更所製造之光電裝置、投 射型顯示裝置及光電裝置之製造方法亦包含於本發明之技 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -58- 1247946 A7 __ B7 五、發明説明鉍） 術範圍。 有關本發明之光電裝置係於耐光性優異，可做爲明亮 高品質之顯示之各種顯示裝置加以利用，更可利用於構成 除投射型顯示裝置外、液晶電視、觀景型或監視直視型之 攝錄放影機、汽車導航裝置、電子筆記本、計算機、文字 處理器、工作站、攜帶型電話、電視電話、終端、觸 控面板等之各種之電子機器之顯示部的顯示裝置。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -59-

Claims (1)

1. 六、申請專利範圍1 1、 一種光電裝置，其特徵係具備 第1之基板， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 和配置於該第1之基板的畫素電極， 和配置於前述第1之基板上，且連接於前述畫素之薄 膜電晶體， 和於前述薄膜電晶體之通道範圍之上層側，於該通道 範圍，配置於藉由閘極絕緣膜加以對向的前述薄膜電晶體 之閘極電極的上層側，做爲遮光用側壁，將前述通道範圍 包圍至側方之位置所形成之第1之遮光膜； 於前述薄膜電晶體之汲極範圍，具備電性連接，形成 於該汲極範圍之上層側之汲極電極； 於該汲極電極中，形成於該汲極電極之上層側的前述 畫素電極則被電氣性連接， 前述汲極電極係由具有令前述通道範圍，於上層側被 覆加以形成之遮光性的導電膜所形成者。 2、 如申請專利範圍第1項所記載之光電裝置，其中 ，將做爲形成於前述汲極電極和前述第1之遮光膜間的絕 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 緣膜，做爲介電膜形成蓄積容量者。 3、 一種光電裝置，其特徵係具備 第1之基板， 和配置於該第1之基板的畫素電極， 和配置於前述第1之基板上，且連接於前述畫素之薄 膜電晶體， 和於前述薄膜電晶體之通道範圍之上層側，於該通道 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -60- 1247946 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 範圍，配置於藉由閘極絕緣膜加以對向的前述薄膜電晶體 之閘極電極的上層側，.做爲遮光用側壁，將前述通道範圍 包圍至側方之位置所形成之第1之遮光膜； 於前述薄膜電晶體之源極範圔，具備電性連接形成於 該源極範圍之上層側的資料線； 該資料線乃由將前述通道範圍在上層側被覆地加以形 成之遮光性之導電膜所形成。 3 第 圍 範 利 專 請 中自者 其，成 ， 側形 置層以 裝下加 電之膜 光線體 之料導 載資半 記述的 所前側 項於內 係之 層圍 源範 有成 之形 體之 晶線 申電料 Π 膜資 :薄該 述於 前成 ’ 形 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5、 如申請專利範圍第3項所記載之光電裝置，其中 ，前述資料線係藉由相等寬度的尺寸，直線地加以延伸設 置者。 6、 一種光電裝置，其特徵係具備 第1之基板， 和配置於該第1之基板的畫素電極， 和配置於前述第1之基板上，且連接於前述畫素之薄 膜電晶體， 和於前述薄膜電晶體之通道範圍之上層側，於該通道 範圍，配置於藉由閘極絕緣膜加以對向的前述薄膜電晶體 之閘極電極的上層側，做爲遮光用側壁，將前述通道範圍 包圍至側方之位置所形成之第1之遮光膜； 於前述通道範圍之下層側，形成重疊於該通道範圍之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ---^ •訂. -61 - 1247946 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 第2之遮光膜； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 前述遮光用側壁乃在形成於位於前述第1之遮光膜之 下層側之至少一層的絕緣膜的側壁形成用溝內，形成該第 1之遮光膜。 7、 如申請專利範圍第6項所記載之光電裝置，其中 ，前述第1之遮光膜係經由前述側壁形成用溝，電氣連接 於前述第2之遮光膜者。 8、 如申請專利範圍第7項所記載之光電裝置，其中 ，前述第1之遮光膜係直接連接於前述第2之遮光膜者。 9、 如申請專利範圍第8項所記載之光電裝置，其中 ，於前述側壁形成用溝內，直至底部形成前述第1之遮光 膜者。 1 〇、如申請專利範圍第7項所記載之光電裝置，其中 ，前述第1之遮光膜係於前述第2之遮光膜，藉由其他之 遮光性之導電膜加以連接者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Π、如申請專利範圍第1 0項所記載之光電裝置，其 中，於前述側壁形成用溝內，形成與於底部側構成前述閘 極電極的導電膜爲问一'材料所成的導電膜，於該導電膜上 形成前述遮光用側壁者。 12、一種投射型顯示裝置，其特徵係具備 (i)第1之基板， 和配置於該第1之基板的畫素電極， 和配置於前述第1之基板上，且連接於前述畫素電極 之薄膜電晶體， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇XM7公釐） -62- 1247946 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍4 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 和於前述薄膜電晶體之通道範圍之上層側，於該通道 範圍，配置於藉由閘極絕緣膜加以對向的前述薄膜電晶體 之閘極電極的上層側，做爲遮光用側壁，將前述通道範圍 包圍至側方之位置所形成之第1之遮光膜， 和電性連接於前述薄膜電晶體之汲極範圍，形成於該 汲極範圍之上層側的汲極電極； 該汲極電極中，電性連接形成於該汲極電極之上層側 的前述畫素電極， 前述汲極電極乃由將前述通道範圍，在上層側被覆地 而形成之具有遮光性的導電膜所形成之光電裝置所成燈管 (ii)向該燈管照射投射光的光源， 和（iii)投射自前述燈管射出之投射光的光學系統者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 13、一種光電裝置之製造方法，屬於製造具備第1之 基板，和配置於該第1之基板的畫素電極，和配置於前述 第1之基板上，且連接於前述畫素之薄膜電晶體的光電裝 置的光電裝置之製造方法，其特徵係於通道範圍之上層側 ，藉由閘極絕緣膜，將閘極電極所對向之前述薄膜電晶體 ，形成於前述第1之基板之表面側後，形成被覆該薄膜電 晶體之至少一層的層間絕緣膜，接著，對於該層間絕緣膜 ，形成通過前述薄膜電晶體之通道範圍之側方的側壁形成 溝，因此之後，形成至少被覆前述對薄膜電晶體之通道範 圍的第1之遮光膜的同時，於形成該第1之遮光膜時，將 該第1之遮光膜做爲遮光用側壁，亦於前述側壁形成溝內 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨〇X297公釐） -63- 1247946 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5 加以形成 充於前述薄膜電晶體之汲極範圍之上層側，形成電性 連接於該汲極範圍，將前述通道範圍在上層側被覆地，具 有遮光性的導電膜所形成之汲極電極， 於該汲極電極，電性連接形成於該汲極電極之上層側 之前述畫素電極而形成者。 14、一種光電裝置之製造方法，製造具備 第1之基板， 和配置於該第1之基板的畫素電極， 和配置於前述第1之基板上，且電性連接於前述畫素 電極，於通道範圍之上層側藉由閘極絕緣膜，閘極電極所 對向之薄膜電晶體，和至少被覆該薄膜電晶體之一層之層 間絕緣膜的光電裝置之製造方法中，其特徵係於前述第1 之基板之表面側，，於前述第1之基板之表面側，順序形 成重疊於前述通道範圍之第2之遮光膜、基材絕緣膜、形 成薄膜電晶體之半導體膜、及該薄膜電晶體之閘極絕緣膜 ， 接著，對於前述閘極絕緣膜及前述基材絕緣膜而言， 透過前述薄膜電晶體之通道範圍之側方，形成到達前述第 2之遮光膜之連接溝後，形成前述閘極電極時，將形成該 閘極電極之導電膜，亦形成於前述連接溝內， 之後，於前述閘極電極之上層側，形成前述層間絕緣 膜後，，連通於前述連接溝，形成與該連接溝一體之側壁 形成用溝， 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 秦 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -64- A8 B8 C8 D8 1247946 六、申請專利範圍6 因此之後，被覆前述通道範圍地形成第1之遮光膜的 同時，於形成該第1之遮光膜時，將該第1之遮光膜亦形 成於前述側壁形成溝內，於該側壁形成溝內形成連接於前 述導電膜之前述遮光用側壁者。 15、一種光電裝置之製造方法，製造具備 第1之基板， 和配置於該第1之基板的畫素電極， 和配置於前述第1之基板上，且電性連接於前述畫素 電極，於通道範圍之上層側藉由閘極絕緣膜，閘極電極所 對向之薄膜電晶體，和至少被覆該薄膜電晶體之一層之層 間絕緣膜的光電裝置之製造方法中，其特徵係於前述第1 之基板之表面側，於前述第1之基板之表面側，順序形成 重疊於前述通道範圍之第2之遮光膜、基材絕緣膜、形成 薄膜電晶體之半導體膜、該薄膜電晶體之閘極絕緣膜、該 薄膜電晶體之閘極電極， 之後，於前述閘極電極之上層側形成前述層間絕緣膜 接著，形成前述側壁形成用溝時，對於前述層間絕緣 膜、前述閘極絕緣膜、前述基材絕緣膜，透過前述薄膜電 晶體之通道範圍之側方，形成到達前述第2之遮光膜之前 述側壁形成用溝， 因此之後，被覆前述通道範圍地形成第1之遮光膜的 同時，於形成該第1之遮光膜時，將該第1之遮光膜亦形 成於前述側壁形成溝內，於該側壁形成溝內形成連接於前 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4洗格（210X297公釐） (請先閨讀背>0之注意事項再填寫本頁) 訂 秦· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -65- ABCD

   1247946 六、申請專利範圍 7 述導電膜之前述遮光用側壁者。 16、 一種光電裝置，其特徵係於基板上具備 畫素電極， 和連接於畫素電極之薄膜電晶體， 和連接於該薄膜電晶體化配線， 和立體被覆前述薄膜電晶體及前述配線之遮光構件； 前述遮光構件 係包含挖掘於前述基板上，且形成前述薄膜電晶體及 前述配線收容於內部之溝及側壁之一遮光膜，和將前述溝 自上側加以加蓋的其他遮光膜。 . 17、 一種光電裝置，其特徵係於基板上具備 畫素電極， 和連接於畫素電極之薄膜電晶體， 和連接於該薄膜電晶體化配線， 和立體被覆前述薄膜電晶體及前述配線之遮光構件； 前述遮光構件係包含 形成於前述基板上之下側遮光膜， 和形成於該下側遮光膜之前述薄膜電晶體及形成於前 述配線上之上側遮光膜， 和由平面視之於前述薄膜電晶體及前述配線之外側中 ，塡充於自前述上側遮光膜至前述下側遮光膜被控掘的凹 坑內的側壁遮光膜者。 1 8、一種光電裝置，其特徵係於基板上具備 畫素電極， 本纸張尺度適用中國國家择準（CNS ) A4洗格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -66 - A8 B8 a D8 1247946 六、申請專利範圍8 和連接於畫素電極之薄膜電晶體， 和連接於該薄膜電晶體化配線， 和立體被覆前述薄膜電晶體及前述配線之遮光構件； 前述遮光構件係於一平面範圍中，包含挖掘於前述基 板上，且形成前述薄膜電晶體及前述配線收容於內部之溝 及側壁之一遮光膜，和將前述溝自上側加蓋之其他之遮光 膜， 於其他之平面範圔，包含形成於前述基板上之下側遮 光膜，和形成於該下側遮光膜之前述薄膜電晶體及形成於 前述配線上之上側遮光膜，和由平面視之於前述薄膜電晶 體及前述配線之外側中，塡充於自前述上側遮光膜至前述 下側遮光膜被挖掘的凹坑內的側壁遮光膜者。 19、一種光電裝置，其特徵係於基板上具備 畫素電極， 和連接於畫素電極之薄膜電晶體， 和連接於該薄膜電晶體化配線， 和立體被覆前述薄膜電晶體及前述配線之遮光構件； 前述遮光構件係包含挖掘於前述基板上，且形成前述 薄膜電晶體及前述配線收容於內部之溝及側壁之一遮光膜 和形成在形成於該一遮光膜的前述薄膜電晶體及前述 配線上的上側遮光膜， 和由平面視之於前述薄膜電晶體及前述配線之外側中 ’塡充於自前述上側遮光膜至前述下側遮光膜被挖掘的凹 本纸張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4現格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線"· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -67- A8 B8 C8 D8 1247946 六、申請專利範圍g 坑內的側壁遮光膜者。 (請先閨讀背面之注意事¾再填寫本頁) 20、如申請專利範圍第1 9項之光電裝置，其中，前 述上側遮光膜和前述側壁遮光膜爲一體成形者。 2 1、如申請專利範圍第1 6項之光電裝置，其中，前 述畫素電極和前述薄膜電晶體係藉由遮光性之導電膜加以 連接者。 22、如申請專利範圍第16項之光電裝置，其中，前 述畫素電極和前述薄膜電晶體之連接處，係由平面視之位 於相鄰接之薄膜電晶體之中央者。 2 3、如申請專利範圍第1 6項之光電裝置，其中，具 有對向於前述基板的同時，對向於前述畫素電極和前述薄 膜電晶體的連接處加以形成之遮光膜。 2 4、如申請專利範圍第1 6項之光電裝置，其中，前 述遮光構件係含高融點金屬之膜所成。 25、如申請專利範圍第16項之光電裝置，其中，前 述配線係包含相交叉之掃猫線及資料線，前述遮光構件係 由平面視之，形成呈格子狀者。 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 2 6、如申請專利範圍第16項之光電裝置，其中，更 具備於前述第1基板上，經由前述遮光構件配置於立體被 覆之空間內，連接於前述畫素電極的蓄積容量者。 27、一種光電裝置，其特徵係具備 第1之基板， 和配置於該第1之基板的畫素電極， 和配置於則述弟1之基板上，且連接於前述畫素之薄 本纸張又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -68- 1247946 鉍 C8 D8 六、申請專利範圍10 膜電晶體， 和做爲遮光用側壁，在前述薄膜電晶體之前述通道範 圍之側方，形成於藉由前述通道範圍而對向之位置之第1 之導電性之遮光膜， 和於前述通道範圍之下層側，重疊於該通道範圍而形 成之第2之導電性之遮光膜。 28、一種投射型顯示裝置，其特徵係具備 (i)於基板上，備有畫素電極， 和電性連接於該畫素電極之薄膜電晶體， 和電性連接於前述薄膜電晶體之配線，. 和立體被覆前述薄膜電晶體及配線的遮光構件； 前述遮光構件 係包含挖掘於前述基板上，且形成前述薄膜電晶體及 前述配線收容於內部之溝及側壁之一遮光膜，和將前述溝 自上側加以加蓋的其他遮光膜的光電裝置所成燈管， (Π)向該燈管照射投射光的光源， 和（Hi)投射自前述燈管射出之投射光的光學系統者。 (請先閲讀背面之注意事項真填寫本頁) 訂 • HI - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纸法尺度適用中國國家禚準（CNS ) A4C格（210X297公釐） -69-