JP5481790B2

JP5481790B2 - 電気光学装置

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Description

本発明は、電気光学装置及び電気光学装置の製造方法に関する。

近年、携帯電話機、携帯型コンピュータ、ビデオカメラ等の電子機器においては、表示部に液晶装置等の電気光学装置が広く用いられている。かかる液晶装置には、その構成要素である液晶駆動用のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）に光が到達してリーク電流が流れることにより、表示品質が低下し得るという問題点がある。かかる問題点を解消すべく、例えば特許文献１には、ＴＦＴの上層側及び下層側の少なくとも一方に遮光膜を配置して、該ＴＦＴへの光の入射を抑制した液晶装置が開示されている。また、特許文献２には、遮光膜の光反射率を、ＴＦＴに対向している側では低く、その反対の側では高くなるように形成して、該ＴＦＴへの光の入射を抑制した液晶装置が開示されている。

特開平１０−３０１１００号公報特開２０００−３３０１３３号公報

しかし上記の液晶装置では遮光膜が平板状であるため、ＴＦＴに対して横方向あるいは斜め方向から入射する光を充分には遮光できず、リーク電流による表示品質の低下を充分には低減できないという問題点がある。

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］
基板と、上記基板上に形成された所定の幅を有する第１の遮光膜と、上記第１の遮光膜上に形成された第１の層間絶縁膜と、上記第１の層間絶縁膜上に形成されたトランジスタと、上記トランジスタ上に形成された第２の層間絶縁膜と、上記第２の層間絶縁膜上に形成された第２の遮光膜と、を少なくとも備える電気光学装置であって、上記トランジスタの半導体層は、上記基板側から上記第１の遮光膜に覆われるように設けられると共に、上記基板とは反対側から上記第２の遮光膜に覆われるように設けられており、上記第２の遮光膜は、上記第１の遮光膜より幅広に形成されており、上記第１の層間絶縁膜の膜厚が最も薄い部分は、平面視で上記第１の遮光膜の端部と上記第２の遮光膜の端部との間に存在することを特徴とする電気光学装置。

このような構成であれば、上記第１の層間絶縁膜上に形成される上記第２の層間絶縁膜が、上記トランジスタの側面も覆うように形成できる。したがって、上記第２の層間絶縁膜上に形成される上記第２の遮光膜が上記トランジスタの側面も覆う形状に形成され、横方向あるいは斜め方向から入射する光の影響を低減できる。

［適用例２］
基板と、上記基板上に形成された所定の幅を有する第１の遮光膜と、上記第１の遮光膜上に形成された第１の層間絶縁膜と、上記第１の層間絶縁膜上に形成されたトランジスタと、上記トランジスタ上に形成された第２の層間絶縁膜と、上記第２の層間絶縁膜上に形成された第２の遮光膜と、を少なくとも備える電気光学装置であって、上記トランジスタの半導体層は、上記基板側から上記第１の遮光膜に覆われるように設けられると共に、上記基板とは反対側から上記第２の遮光膜に覆われるように設けられており、上記第２の遮光膜は、上記第１の遮光膜より幅広に形成されており、上記第１の遮光膜の表面と上記第１の層間絶縁膜の表面との間隔が最も短くなる部分が、平面視で上記第１の遮光膜の端部と上記第２の遮光膜の端部との間に存在することを特徴とする電気光学装置。

このような構成であれば、上記第１の層間絶縁膜上に形成される上記第２の層間絶縁膜が、上記トランジスタの側面も覆うように形成できる。したがって、上記第２の層間絶縁膜上に形成される上記第２の遮光膜が上記トランジスタの側面も覆う形状に形成され、横方向あるいは斜め方向から入射する光を遮光でき、リーク電流による表示品質の低下を低減できる。

［適用例３］
基板と、上記基板上に形成された所定の幅を有する第１の遮光膜と、上記第１の遮光膜上に形成された第１の層間絶縁膜と、上記第１の層間絶縁膜上に形成されたトランジスタと、上記トランジスタ上に形成された第２の層間絶縁膜と、上記第２の層間絶縁膜上に形成された第２の遮光膜と、を少なくとも備える電気光学装置であって、上記トランジスタの半導体層は、上記基板側から上記第１の遮光膜に覆われるように設けられると共に、上記基板とは反対側から上記第２の遮光膜に覆われるように設けられており、上記第２の遮光膜は、上記第１の遮光膜より幅広に形成されており、上記第２の層間絶縁膜の表面と上記基板表面との間隔が最も短くなる部分が、平面視で上記第１の遮光膜の端部と上記第２の遮光膜の端部との間に存在することを特徴とする電気光学装置。

このような構成であれば、上記第２の遮光膜が上記トランジスタの上面のみではなく、側面も覆う形状に形成できる。したがって、上記トランジスタに横方向あるいは斜め方向から入射する光を遮光でき、リーク電流による表示品質の低下を低減できる。

［適用例４］
基板と、上記基板上に形成された所定の幅を有する第１の遮光膜と、上記第１の遮光膜上に形成された第１の層間絶縁膜と、上記第１の層間絶縁膜上に形成されたトランジスタと、上記トランジスタ上に形成された第２の層間絶縁膜と、上記第２の層間絶縁膜上に形成された第２の遮光膜と、を少なくとも備える電気光学装置であって、上記トランジスタの半導体層は、上記基板側から上記第１の遮光膜に覆われるように設けられると共に、上記基板とは反対側から上記第２の遮光膜に覆われるように設けられており、上記第２の遮光膜は、上記第１の遮光膜より幅広に形成されており、上記第１の遮光膜の表面と上記第２の層間絶縁膜の表面との間隔が最も短くなる部分が、平面視で上記第１の遮光膜の端部と上記第２の遮光膜の端部との間に存在することを特徴とする電気光学装置。

［適用例５］
上述の電気光学装置であって、上記第１の層間絶縁膜と上記第２の層間絶縁膜との少なくとも一方は、ＨＤＰ−ＣＶＤ法により形成されていることを特徴とする電気光学装置。

ＨＤＰ−ＣＶＤ法によれば、下地となるパターンの側壁部での絶縁膜の成長（成膜）を抑制できる。したがって、このような構成であれば、上記第２の遮光膜が上記トランジスタの側面も覆う様に形成でき、リーク電流による表示品質の低下の低減を効果的に行える。

［適用例６］
基板上に所定の幅を有する第１の遮光膜を形成する第１の工程と、上記基板上に第１の層間絶縁膜を形成する第２の工程と、上記第１の層間絶縁膜上にトランジスタを形成する第３の工程と、上記トランジスタを覆う第２の層間絶縁膜を形成する第４の工程と、上記第２の層間絶縁膜上に上記トランジスタを覆う第２の遮光膜を形成する第５の工程と、を含む電気光学装置の製造方法であって、上記第２の工程又は上記第４の工程において、少なくとも一方の上記層間絶縁膜がＨＤＰ−ＣＶＤ法により形成されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。

このような製造方法によれば、下地となるパターンの側壁部での絶縁膜（第１の層間絶縁膜、及び第２の層間絶縁膜）の成長（成膜）を抑制できるため、上記第２の遮光膜が上記トランジスタの側面を覆うように形成できる。したがって、リーク電流による表示品質の低下が低減された電気光学装置を得ることができる。

以下、本発明の実施形態について、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のアクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶装置を例に、図１から図６を参照しつつ説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、該各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。

まず、本実施形態における液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、素子基板１０をその上に形成された各構成要素と共に、対向基板２０の側から見た液晶装置の概略的な平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’線における概略的な断面図である。

図１及び図２において、液晶装置は、対向配置された素子基板１０と対向基板２０とから構成されている。素子基板１０は例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板である。対向基板２０も、素子基板１０と同様の材料からなる透明基板である。素子基板１０と対向基板２０との間には液晶層５０が封入されており、素子基板１０と対向基板２０とは、表示領域１００の周囲に形成された紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなるシール材５２により相互に接着されている。なお、シール材５２中には、素子基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、表示領域１００の額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。素子基板１０上における、表示領域１００の周辺に位置する周辺領域には、データ線駆動回路１０１及びサンプリング回路７、走査線駆動回路１０４、外部回路接続端子１０２が夫々形成されている。素子基板１０上における周辺領域において、シール領域より外周側に、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が、該素子基板の一辺に沿って設けられている。

走査線駆動回路１０４は、素子基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、かつ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、表示領域１００の両側に設けられた２つの走査線駆動回路１０４間を電気的に接続するため、素子基板１０の残る一辺に沿い、かつ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。また、素子基板１０上の周辺領域において、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、上下導通端子１０６が配置されると共に、この素子基板１０及び対向基板２０間には上下導通材が上下導通端子１０６に対応して、該上下導通端子に電気的に接続されて設けられる。

図２において、素子基板１０上には、スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積膜構造が形成されている。表示領域１００には、スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９がマトリクス状に設けられている。画素電極９上には、配向膜１６が形成されている。

他方、対向基板２０における素子基板１０との対向面上には、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の表示領域１００内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上（図２中遮光膜２３より下側）に、ＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９と対向して例えばベタ状に形成され、更に対向電極２１上には配向膜２２が形成されている。

液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、上述の一対の配向膜間で所定の配向状態をとる。そして、液晶装置の駆動時には、画素電極９と対向電極２１との間に電圧が印加されることで、該双方の電極間に液晶保持容量が形成される。

次に、本実施形態にかかる液晶装置の画素部の構成について、図３を参照して説明する。図３は、本実施形態にかかる液晶装置の全体構成を示す回路構成図である。図３において、表示領域１００には、Ｘ方向に走査線１１及び容量線３００が延在し、Ｙ方向にデータ線６が延在している。そしてかかる配線で区画された複数の画素の夫々には、画素電極９及びトランジスタとしてのＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９に電気的に接続されており、液晶装置の動作時に画素電極９をスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６は、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給する。

ＴＦＴ３０のゲートには走査線１１が電気的に接続されている。本実施形態にかかる液晶装置は、所定のタイミングで走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。スイッチング素子であるＴＦＴ３０が一定期間そのスイッチを閉じることにより、データ線６から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが（該画素電極に）所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。

ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９と対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量に対して電気的に並列に蓄積容量７０が形成されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９の電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９と電気的に並列してＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線３００に電気的に接続されている。なお、蓄積容量７０は、後述するように、ＴＦＴ３０へ入射する光を遮る遮光膜としても機能する。

次に、上述の画素部、特にＴＦＴ３０の具体的な構成について、図４及び図５を参照して説明する。図４は、液晶装置の表示領域１００内に規則的に配置された複数の画素部の平面図である。図５は、ＴＦＴ３０の図４のＡ−Ａ’線における模式断面図である。なお、図４及び図５では、各構成要素を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該要素ごとに縮尺等を変更している。また、図４及び図５では、図１又は図２を参照して説明した構成中、素子基板１０側の構成のみについて説明し、一部の構成要素については図示を省略している。

図４において、表示領域１００（図３参照）内には、格子状に配線が形成され、かかる配線で区画された略方形の領域に画素電極９が形成されている。すなわち、Ｘ方向に走査線（上側走査線１１ａと下側走査線１１ｂ）と容量線３００とが延在し、Ｙ方向にはデータ線６が延在している。ＴＦＴ３０及び蓄積容量７０も、開口率を向上させるために上述の配線と平面視で重なるように形成されている。

そして、ＴＦＴ３０への光の入射を低減するために、該ＴＦＴと平面視で重なる遮光膜が形成されている。遮光膜は、ＴＦＴ３０の素子基板１０側に位置する下側遮光膜（第１の遮光膜）とＴＦＴ３０の対向基板２０側に位置する上側遮光膜（第２の遮光膜）とがあり、上述の配線等が遮光膜を兼ねる構成となっている。

ＴＦＴ３０は、多結晶シリコンから成る半導体層１、ゲート電極５、及びゲート絶縁膜４５（図５参照）等から成る。ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有しており、半導体層１は、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅからなる。なお、本実施形態の液晶装置のＴＦＴ３０においてはゲート長とチャネル長とは略同一である。そして、ゲート長方向と直交する方向がゲート幅方向である。

チャネル領域１ａ以外の各領域（１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ）は、イオンインプランテーション法等によりＰ（燐）等の不純物が打ち込まれた不純物領域である。ＬＤＤ領域（１ｂ，１ｃ）は、ソースドレイン領域（１ｄ，１ｅ）よりも不純物の少ない、低濃度不純物領域である。かかる構成により、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、かつＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制している。

走査線１１は表示領域１００内では上側走査線１１ａと下側走査線１１ｂとの２層構造と成っている。図４及び図５に示すように、ゲート電極５は、上側走査線１１ａの一部が延長されて形成されている。上側走査線１１ａは例えば多結晶シリコン等からなり、Ｘ方向に沿って延在する部分と共に、ＴＦＴ３０の半導体層１と一部が重なるようにＹ方向に沿って延在する部分を有している。上側走査線１１ａのうちチャネル領域１ａと重なる部分がゲート電極５として機能する。ゲート電極５と半導体層１との間は、ゲート絶縁膜４５によって絶縁されている。

下側走査線１１ｂは、半導体層１よりも第１の層間絶縁膜４１を介して素子基板１０側に配置され、例えばタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）等の高融点金属材料等の遮光性の導電材料からなる。下側走査線１１ｂは、Ｘ方向に延在する本線部と、該本線部からＹ方向に沿って延在する延在部とを有している。かかる延在部は、ＴＦＴ３０の半導体層１と平面視で重なるように形成されており、素子基板１０における裏面反射等の戻り光がＴＦＴ３０に入射することを抑制する第１の遮光膜７３として機能している。なお、下側走査線１１ｂと半導体層１との間は、第１の層間絶縁膜４１によって絶縁されている。

素子基板１０上のＴＦＴ３０よりも第２の層間絶縁膜４２を介して上層側（対向基板２０側）には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、誘電体膜７５（図５参照）と、該誘電体膜を介して対向配置された下部容量電極７１と上部容量電極３０１とからなる。上部容量電極３０１は、容量線３００の一部がＹ方向に突出した部分である。容量線３００は、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は該金属を含んだ合金からなり、対向基板２０側からの光の入射を遮ることができる。一方、下部容量電極７１は導電性の多結晶シリコン等から成る独立した膜であり、図示しないコンタクトホールを介してＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９に電気的に接続している。上述の双方の電極（特に上部容量電極３０１）はＴＦＴ３０に対する遮光膜としても機能するため、以下、蓄積容量７０を第２の遮光膜（蓄積容量）７０として記載する。なお、画素電極９は図示しない中継電極と、同じく図示しないコンタクトホール等を介して下部容量電極７１と電気的に接続している。

第２の遮光膜（蓄積容量）７０の上方（対向基板２０側）には、第３の層間絶縁膜４３を介して、データ線６が形成されている。データ線６は、半導体層１のデータ線側ソースドレイン領域１ｄに、図示しないコンタクトホール介して電気的に接続している。なお、データ線６も、ＴＦＴ３０を遮光する機能を有している。

画素電極９は、データ線６の上方（対向基板２０側）に、第４の層間絶縁膜（不図示）を介して形成されている。画素電極９は、下部容量電極７１、及び図示しないコンタクトホールと図示しない中継膜とを介して半導体層１の画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続している。

以上述べたように、本実施形態の液晶装置はＴＦＴ３０の上下に遮光膜を形成して、該ＴＦＴへの光の入射を低減している。そして、層間絶縁膜の形状及び形成手段等を工夫することで、遮光膜の遮光性（遮光機能）をより一層向上させて、横方向あるいは斜め方向から入射する光を遮光することを可能としている。かかる層間絶縁膜の形状等を、図５に示す。

図５は、ＴＦＴ３０の図４のＡ−Ａ’線における模式断面図であり、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ部における第２の遮光膜の断面形状を示すものである。素子基板１０からデータ線６までを図示し、画素電極９等の図示を省略している。Ｙ方向は素子基板１０に垂直な方向であり、Ｘ方向がゲート幅方向である。ここで、第２の遮光膜（蓄積容量）７０のゲート幅方向の寸法は、第１の遮光膜７３の該寸法よりも大きい。したがって、第１の遮光膜７３の端部（以下、「第１の端部」と称する。）Ｅ₁は、第２の遮光膜（蓄積容量）７０の端部（以下、「第２の端部」と称する。）Ｅ₂よりも内側（ＴＦＴ３０寄り）に位置している。そして、第１の層間絶縁膜４１は、第１の遮光膜７３により生じる段差の領域にはあまり厚く成膜されず、素子基板１０に向かつて急峻に落ち込む様に成膜されている。その結果、第１の層間絶縁膜４１の膜厚が最も薄い部分（以下、「第１の最薄部」と称する。）Ｓ₁と第１の遮光膜７３の表面と第１の層間絶縁膜４１の表面との間隔が最も短くなる部分（以下、「第１の最短部」と称する。）Ｔ₁との少なくとも一方が第１の端部Ｅ₁と第２の端部Ｅ₂との間の領域に位置している。

第２の層間絶縁膜４２も、第１の層間絶縁膜４１と同様に、第１の遮光膜７３により生じる段差の領域にはあまり厚く成膜されず、素子基板１０に向かって急峻に落ち込む様に成膜されている。その結果、第２の層間絶縁膜４２の表面と素子基板１０の表面との間隔が最も短くなる部分（以下、「第２の最薄部」と称する。）Ｓ₂と第１の遮光膜７３の表面と第２の層間絶縁膜４２の表面との間隔が最も短くなる部分（以下、「第２の最短部」と称する。）Ｔ₂との少なくとも一方が第１の端部Ｅ₁と第２の端部Ｅ₂との間の領域に位置している。

第１の層間絶縁膜４１と第２の層間絶縁膜４２の双方が、第１の端部Ｅ₁と第２の端部Ｅ₂との間の領域で、素子基板１０に向かつて急峻に落ち込むように成膜されているため、該領域では第２の層間絶縁膜４２の表面と素子基板１０との距離が非常に短くなる。したがって、第２の遮光膜（蓄積容量）７０を第２の層間絶縁膜４２上に形成すると、該領域では第２の遮光膜（蓄積容量）７０がＴＦＴ３０の上面のみでなく側面も覆う様に形成される。したがって、ＴＦＴ３０は側方（横方向）あるいは斜め方向から入射する光に対しても、充分に遮光される。

上述の（層間絶縁膜の）形状は、層間絶縁膜をＨＤＰ−ＣＶＤ法により成膜することで達成できる。ＨＤＰ−ＣＶＤ法によれば、成膜とスパッタ（による膜のエッチング）を同時に進行させることができる。そして条件設定により、上述の成膜のレートとエッチングのレートとの比を所定の範囲内で制御できる。そして、該エッチングのレートは、スパッタイオンの（素子基板１０への）入射角度が略５０度になるときに最も速くなる。上記の角度でスパッタしつつ成膜すると、第１の端部Ｅ₁の近辺では成膜のレートよりもエッチングのレートの方が高くなり、図５に示すような急峻な形状の膜が得られる。

図６は、比較として示す従来のＴＦＴ３０の、同一箇所の模式断面図である。図５に示す実施形態の液晶装置と共通する構成要素には同一の符号を付与しており、説明の記載は一部省略する。第１の層間絶縁膜４１と第２の層間絶縁膜４２の双方を一般的なＣＶＤ法で形成している。したがって、第１の端部Ｅ₁の近辺では、上記双方の絶縁膜が厚く成膜されており、かかる絶縁膜上に形成された第２の遮光膜（蓄積容量）７０は、ＴＦＴ３０の上面のみを覆っている。

本実施形態の液晶装置は、ＨＤＰ−ＣＶＤ法の特性を利用して、第１の端部Ｅ₁の近辺において絶縁膜を急峻に成膜することで、工程数を増加させることなくＴＦＴ３０に対する遮光性を向上している。その結果、リーク電流による表示品質の低下が効果的に低減された液晶装置を得ることを可能にしている。
なお、上述の実施形態では双方（第１と第２）の層間絶縁膜をＨＤＰ−ＣＶＤ法で成膜している。しかし、どちらか一方の絶縁膜をＨＤＰ−ＣＶＤ法で成膜すれば上述の効果を得ることは可能である。

＜電子機器＞
上述した液晶装置は、例えば、図７に示すような電子機器としてのプロジェクタ５００に搭載して用いることができる。プロジェクタ５００は、本体５１０、レンズ５２０を有しており、内蔵された光源（不図示）から光を射出し、これを内部に備え付けられた表示部若しくはライトバルブとしての上述の実施形態にかかる液晶装置によって変調した後にレンズ５２０から前方に投写する装置である。プロジェクタ５００は、遮光性の向上したＴＦＴ３０を備えているため、光リーク電流等の影響による不具合の少ない、高品位な表示を行うことができる。

（変形例）
上述の実施形態では透過型の液晶装置を例に述べた。しかし、本発明は反射型の液晶装置にも適用できる。画像表示には寄与しない外光がＴＦＴへ入射することを低減できるため、透過型の液晶装置と同様に、リーク電流による表示品質の低下を低減できる。

実施形態の液晶装置の概略的な平面図。実施形態の液晶装置の概略的な断面図。実施形態の液晶装置の全体構成を示す回路構成図。実施形態の液晶装置の画素部の平面図。実施形態のＴＦＴの模式断面図。従来のＴＦＴの模式断面図。電子機器としてのプロジェクタの斜視図。

符号の説明

１…半導体層、５…ゲート電極、６…データ線、７…サンプリング回路、９…画素電極、１０…素子基板、１１…走査線、１１ａ…上側走査線、１１ｂ…下側走査線、１６…配向膜、２０…対向基板、２１…対向電極、２２…配向膜、２３…遮光膜、３０…トランジスタとしてのＴＦＴ、４１…第１の層間絶縁膜、４２…第２の層間絶縁膜、４３…第３の層間絶縁膜、４５…ゲート絶縁膜、５０…液晶層、５２…シール材、５３…額縁遮光膜、５６…ギャップ材、７０…第２の遮光膜（蓄積容量）、７１…下部容量電極、７３…第１の遮光膜、７５…誘電体膜、１００…表示領域、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、１０５…配線、１０６…上下導通端子、３００…容量線、３０１…上部容量電極、５００…プロジェクタ、５１０…本体、５２０…レンズ、Ｅ₁…第１の遮光膜の端部、Ｅ₂…第２の遮光膜の端部、Ｓ₁…第１の層間絶縁膜の膜厚が最も薄い部分、Ｓ₂…第２の層間絶縁膜の表面と素子基板表面との間隔が最も短くなる部分、Ｔ₁…第１の遮光膜の表面と第１の層間絶縁膜の表面との間隔が最も短くなる部分、Ｔ₂…第１の遮光膜の表面と第２の層間絶縁膜の表面との間隔が最も短くなる部分。

Claims

基板と、
前記基板の一方の面に形成されたデータ線と、
前記基板と前記データ線との間に形成された第１の遮光膜と、
前記データ線と前記第１の遮光膜との間に形成された第１の層間絶縁膜と、
前記データ線と前記第１の層間絶縁膜との間に形成されたトランジスタと、
前記データ線と前記トランジスタとの間に形成された第２の遮光膜と、を有し、
前記トランジスタは、前記トランジスタのチャネル領域が前記第１の遮光膜および前記第２の遮光膜と重なるように配置され、
前記トランジスタのソース領域及びドレイン領域のうち一方は、前記データ線と電気的に接続され、
前記トランジスタの前記ソース領域及び前記ドレイン領域のうち他方は、前記第２の遮光膜と電気的に接続され、
前記第１の層間絶縁膜は、前記第１の遮光膜の第１の端部と前記第２の遮光膜の第２の端部との間において、前記基板側へ向けて落ち込む部分と膜厚が最も薄い部分とを有することを特徴とする電気光学装置。
基板と、
前記基板の一方の面に形成されたデータ線と、
前記基板と前記データ線との間に形成された第１の遮光膜と、
前記データ線と前記第１の遮光膜との間に形成された第１の層間絶縁膜と、
前記データ線と前記第１の層間絶縁膜との間に形成されたトランジスタと、
前記データ線と前記トランジスタとの間に形成された第２の層間絶縁膜と、
前記データ線と前記第２の層間絶縁膜との間に形成された第２の遮光膜と、を有し、
前記トランジスタは、前記トランジスタのチャネル領域が前記第１の遮光膜および
第２の遮光膜と重なるように配置され、
前記トランジスタのソース領域及びドレイン領域のうち一方は、前記データ線と電気的に接続され、
前記トランジスタの前記ソース領域及び前記ドレイン領域のうち他方は、前記第２の遮光膜と電気的に接続され、
前記第２の層間絶縁膜は、前記第１の遮光膜の第１の端部と前記第２の遮光膜の第２の端部との間において、前記基板へ向けて落ち込む部分と膜厚が最も薄い部分とを有することを特徴とする電気光学装置。
請求項１又は２に記載の電気光学装置において、
前記第１の遮光膜は、
第１の方向に沿って延設された第１の本体部と、
前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って延設された第１の突出部と、を含み、
前記第２の遮光膜は、
第１の方向に沿って延設された第２の本体部と、
前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って延設された第２の突出部と、を含み、
前記第１の端部は、前記第１の突出部の外周をなす複数の辺のうち、前記第１の本体部から前記第２の方向に沿って延びた一辺に位置し、
前記第２の端部は、前記第２の突出部の外周をなす複数の辺のうち、前記第２の本体部から前記第２の方向に沿って延びた一辺に位置することを特徴とする電気光学装置。
基板と、
前記基板の一方の面に形成されたデータ線と、
前記基板と前記データ線との間に形成された第１の遮光膜と、
前記データ線と前記第１の遮光膜との間に形成された第１の層間絶縁膜と、
前記データ線と前記第１の層間絶縁膜との間に形成されたトランジスタと、
前記データ線と前記トランジスタとの間に形成された第２の遮光膜と、を有し、
前記トランジスタは、前記トランジスタのチャネル領域が前記第１の遮光膜および前記第２の遮光膜と重なるように配置され、
前記トランジスタのソース領域及びドレイン領域のうち一方は、前記データ線と電気的に接続され、
前記トランジスタの前記ソース領域及び前記ドレイン領域のうち他方は、前記第２の遮光膜と電気的に接続され、
前記第１の層間絶縁膜は、前記第１の遮光膜の第１の端部と前記第２の遮光膜の第２の端部との間において、前記基板へ向けて落ち込む部分と膜厚が最も薄い部分とを有し、
前記第１の遮光膜は、
第１の方向に沿って延設された第１の本体部と、
前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って延設された第１の突出部と、を含み、
前記第２の遮光膜は、
第１の方向に沿って延設された第２の本体部と、
前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って延設された第２の突出部と、を含み、
前記第１の端部は、前記第１の突出部の外周をなす複数の辺のうち、前記第１の本体部から前記第２の方向に沿って延びた第１の辺に位置し、
前記第２の端部は、前記第２の突出部の外周をなす複数の辺のうち、前記第２の本体部から前記第２の方向に沿って延びた第２の辺に位置することを特徴とする電気光学装置。
請求項１又は４に記載の電気光学装置において、
前記第２の遮光膜と前記トランジスタとの間に形成された第２の層間絶縁膜を備え、
前記第２の層間絶縁膜は、前記第１の端部と前記第２の端部との間において、前記基板へ向けて落ち込む部分と膜厚が最も薄い部分とを有することを特徴とする電気光学装置。
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置において、
前記第１の遮光膜は第１の幅を有し、
前記第２の遮光膜は第２の幅を有し、
前記第２の幅は前記第１の幅より大であることを特徴とする電気光学装置。
請求項４に記載の電気光学装置において、
前記第１の突出部は第１の幅を有し、
前記第２の突出部は第２の幅を有し、
前記第２の幅は前記第１の幅より大であることを特徴とする電気光学装置。
請求項４に記載の電気光学装置において、
前記第１の突出部の外周をなす複数の辺のうち前記第１の辺と対向する第３の辺との距離は、前記第２の突出部の外周をなす複数の辺のうち前記第２の辺と対向する第４の辺との距離より小であることを特徴とする電気光学装置。
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置において、
前記第２の遮光膜と電気的に接続された画素電極を有することを特徴とする電気光学装置。
請求項１乃至９のいずれかに記載の電気光学装置において、
前記第１の遮光膜は、走査線であることを特徴とする電気光学装置。