TWI244789B - A battery and make same - Google Patents

Description

1244789 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種電池及其製備方法。 【先前技術】 電池係為一將化學能轉換成電能的裝置，因具有可攜 帶、多種組合、高能量密度以及無排放噪音與廢氣之優 點’故在許多領域受到普遍應用，尤其係電腦 (Computing)，通訊（c〇mmunicati〇n)及消費性電子產品 (Consumer Electronics)之3C產業。 電池主要由四部分構成：電極（含正極與負極）、電解 液、隔離物及罐體。一般提高電池能量密度之方法有兩 種· 一係通過開發高負辱容量之電極材料使電、地能量密度 提高’如裡電池負極從天然石墨到奈米碳管；二係通過增 加電池電極之反應接觸面積使電池能量密度提高。一般/電 池電極之反應表面為平整表面或自然形成之多孔表面結 構’其有效之電極表面積（Surface Area〜f Electrodes) 僅限於反應平整表面或多孔表面，如在單位空間内直接增 大電池電極或採用綣曲電池電極之方法，雖能提高電池電 極能量密度’但相應增大電池之體積或重量，不利於電池 小型化發展。 有鑒於此’提供一種增加電池能量密度卻不增大電池 體積或重量之電池實為必要。 【内容】 本發明之目的在於提供一種能在不增加電池體積或重 量下使電池能量密度增加之電池。

1244789 五、發明說明（2) 本發明之另一目的在於提供上述電池之製備方法。 為實現本發明目的，本發明提供一種電池，所述電池 包括： 一正極；面向所述正極設置之一負極； 及一隔離膜位於所述正極及負極之間； 正極及負極面向隔離膜之表面為内表面； 所述正極及負極之至少一内表面具有複數奈米級多階 梯式凹槽或鋸齒（zig-zag)結構。

本發明還提供一種製備上述電池之方法，其包括以下 步驟： 提供一電池電極，包括一正極及一負極； 於至少一電池電極表面使用光刻技術蝕刻成複數奈米 級多階梯式凹槽或錯齒（zig — zag)結構。 與先前技術相較，本發明揭露之正極及負極複數奈米 級多階梯式凹槽表面或据齒（z丨g — z a g )結構之表面能使電 極反應之離子有更多之電極表面積，且在不增加電池體積 及重里之情況下有效增加了電極反應表面積，達到增加電 池能量密度之效果。 【實施方式】

如第十四圖所示，本發明第一實施例以鋰電池為例作 詳細說明：一般之鐘電池主要包括負極（An〇de)、正極 (Cathode)、隔離膜（separat〇r)及電解液 (Electrolyte)，在充放電過程中，鋰離子可在負極與正 極之間移動。鋰電池正極材料主要係含鋰過渡金屬氧化 1244789 五、發明說明（3) =工LlC°〇2 Μ、04等。鐘電池負極材料主 要係以石墨糸铁材與錫氧化物為主。 本發明之鋰電池包括一正 · 負極10’，與正極10相正對，:二丸其材枓為LlC〇。2 ’ 一 19 ^ τ u ^ τ 其材料為石墨；一隔離膜 1 2，於正極1 0及負極i 0，之間， 極10面向隔離膜12之一面為内矣、為有機聚合物，正 複數奈米級多階梯式凹槽結：^2，：表面102係具有 之複數奈米級多階梯式凹槽；；表：：*負極10’具有相同 婵拙媸力又秘1 + L ^日、、Ό構。該複數奈米級多階梯式 凹槽、，，口構在不增加電池體積及旦 炻；5雍矣而乒、去η 及重$之情況下夸效增加了電 枉反應表面積，達到增加電池 Ί 太恭日日々给 ^ 电，也月匕戛密度之效果。 本發明之第一貫施例将視 進行蝕列，带点且亡、-★’、過光刻技術對電池電極表面 面。池正極為例詳細描述光刻= 5月參閱弟一圖，首先； 口 自无徒供一鋰電池正極1〇。 链電池正極10包括一外矣 7卜表面1〇2及内表面1〇2，士女肉 表面102為平整表面。 ^内 、為使鋰電池正極之内表面102形成一平整表面， 過機械拋光或化學拋光I 义 、 平效P撼丨# # i九4方法，使得内表面102平整。其 千正度越小，好，以利後續步驟光阻層之易於形成。 請參閱第二圖，提供一氺罢甘么 取 munes/mm。該光罩板尺：/=’n9其解析度為 〜早瑕尺寸與内表面1〇2相同。 請參閱第三圖，於鋰電池正極之内表面1〇2上 層光阻層1 2 1。 成 請參閱第四圖，對上述光阻層121進行曝光。於光阻

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層12i表面放上光罩板111進行對準曝光。對準曝光可在曝 光機（Al、lgner)4步進機（stepper)上以紫外光照射之；也 可直接以電子束書寫機（E — beani writer)，一點一點進行 請參閱第五圖 光阻圖形在烤乾後 使用。 再將曝光區域之光阻層洗去，剩了之 了作為下一道姓刻之罩幕（Masking) 一 請參閱第六圖，在已顯影之電池電極内表面102上進 行光刻或微光顯影。於光阻層丨2 1被溶解之部位，將電池

電極平整内表面i 0 2往下刻蝕出凹槽，刻蝕深度可由管 機控制。 ^ 請參閱第七圖，用氰化鉀等溶液腐蝕鋰電池正極内表 面1 〇2，除去光阻層1 21，得到只有一個台階光栅之内表面 10 2 ° —一請參閱第八圖所示，為製做多階梯式光栅表面，提供 2二個光罩板U2。該光罩板112解析度為3〇〇Hnes/mm。

請參閱第九圖至第十二圖所示，於第七圖製得之鋰電池正 極内表面1 〇 2上再重複以上塗覆光阻層丨2 3、曝光、顯影、 刻蝕及去除剩餘光阻層123等步驟，其中刻蝕深度為第一 次刻蝕深度之一半，可製得具有多個均勻多階梯式凹槽之 锂電池正極1 〇，如第十三圖所示。 請參閱第十三圖所示，根據上述方法製備之鋰電池正 極包括一外表面102，及一内表面102，内表面1〇2為一複數 奈米級多階梯式凹槽結構，其每一週期丨〇2T為一具有複數

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台階之階梯，各台階高度1 02h相等 米’各台階寬度〗〇2b相等。 台階高度小於1 0 0奈 其相達到 根據上述之光刻技術同 關之技術條件可根據負 同樣之技術效果。 樣可於鋰電池 極材料之囀性 負極表面進行， 作相應之改變以 所述技術領域之技藝人士應♦ 之解析度再經多次光刻可形成^ ，過改變光罩板 槽能達到同樣之技術效果。 ^式凹槽，上述凹 請參閱第十五圖所示，本發一一 刻技術對電池電極表面進行^ 施例係通過光 齒（Zlg-zag)結構之表面 ^形成具有複數奈米級鑛 本貫施例之電池鋰包括· ΦΛ Α ^ ,,, 匕祜·電池電極，含一正極11及- 負極11 ;於正極11與負極η，夕叫士 及 工a ,-必,〇 士 、才11之間有一隔離膜1 2。正極1 面向隔離膜12之表面為内表面119 _ ^ ^ ι ^ ^ t _ ι衣曲112，於内表面112通過光3 二術？具有稷數鋸齒(zig_zag)結構，正極"之 U2相鄰鑛齒頂端之間距為卜丨㈣奈米，負極u，具有相同 之複數鋸齒（zig-zag)結構。

本發明之電池之電池電極表面結構之改進適用於鋰Ϊ 池、南分子鋰電池等，可在不增加電池體積或重量之情2 下增大電極表面積，從而提高電池容量。 綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法 提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施 例γ自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案 技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆

第9頁 1244789 五、發明說明（6) 應涵蓋於以下申請專利範圍内。 讀 第10頁 1244789 圖式簡單說明 電池正極之側面示意圖 光罩板之側面示意圖。 光阻層之側面示意圖。 正極第一次曝光、顯影 第一圖係第一實施例一經 第二圖係第一次光刻中之 第三圖係鋰電池正極塗覆 第四圖至第六圖係鋰電池 刻之步驟示意圖。 第七圖係鋰電池正極刻蝕一個深度單位之側面示意 圖。 第八圖係第二次光刻之光罩板之側面示意圖。 第九圖係第七圖之鋰電池正極塗覆光阻層之側面示意 圖。 池正極第二次曝光、顯影、 刻三個深度單位之側面示意 第十圖至第十二圖係鋰電 餘刻之步驟示意圖。 第十三圖係鋰電池正極蝕 圖。 第十四圖係第一實施例一鋰電池之示意圖。 第十五圖係第二實施例一鋰電池之示意圖。 【主要元件符號說明】 電池正極 10, 11 電池負極 10,， 光罩板 111,113 隔離膜 12 台階高度 102h 台階寬度 102b 光拇週期 102T 光阻劑層 121， 鋰電池正極内 表面 102,112 «

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Claims (1)

1244789 六、申請專利範圍 1 . 一種增加能量密度之電池，所述電池包括： 一正極；面向所述正極設置之一負極； 及位於所述正極及負極之間之一隔離膜； 正極及負極面向隔離膜之表面為内表面，所述正極及 負極面向隔離膜之内表面至少一面具有複數多階梯 式凹槽或鑛齒（z i g-zag)結構。 2. 如申請專利範圍第1項所述之一種增加能量密度之電 池，其中所述之多階梯式凹槽結構包括複數週期，每 一週期包括一複數台階組成之階梯式凹槽。 3. 如申請專利範圍第2項所述之一種增加能量密度之電 池，其中所述之多階梯式凹槽結構為對稱結構之階梯 式凹槽。 4. 如申請專利範圍第2項所述之一種增加能量密度之電 池，其中所述之多階梯式凹槽結構為非對稱結構之階 梯式凹槽。 5. 如申請專利範圍第1項所述之一種增加能量密度之電 池，其中所述之多階梯式凹槽之每一週期之台階高度 範圍為卜1 0 0奈米。 6. 如申請專利範圍第1項所述之一種增加能量密度之電 池，其中所述之錯齒（zig-zag)結構之相鄰蘇齒尖端 間距為1〜1 0 0奈米。 7. —種增加能量密度之電池之製備方法，其包括以下步 驟： 提供一電池電極，包括一正極及一負極；

第12頁 1244789 六、申請專利範圍 於至少一電池電極表面使用光刻技術蝕刻成複數多階 梯式凹槽或鑛齒（zig—zag)結構。 8 ·如申請專利範圍第7項所述之一種電池之製備方法，其 中所述之於電池電極表面使用光刻技術蝕刻成複數多 階梯式凹槽或鋸齒（zig-zag)結構，包括如下分+ 驟： ^ 形成一層光阻層於電池電極内表面； 將一光罩置於該光阻層上方，該光罩之解析度為卜 ，過曝光，刻蝕於電池電極内表面上形成一階凹样. 重产製做光罩板、曝光、刻钱，纟中使用的光罩的曰’ =析度為3R ’相應得到的凹槽為4階對稱階梯式凹 9 .如Ϊ : : : Ϊ Γ第8項所述之；種電池之製傷方法，里 子束書寫機進行曝光。 I卜先曝先或電 1 〇·如申請專利範圍第8斤述之—種 之製備方法，其中所述之刻餘係用度之電池 術。 用先刻或微光顯影技