TWI225113B - Silicon single crystal wafer and method for producing silicon single crystal wafer - Google Patents

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TWI225113B
TWI225113B TW088108217A TW88108217A TWI225113B TW I225113 B TWI225113 B TW I225113B TW 088108217 A TW088108217 A TW 088108217A TW 88108217 A TW88108217 A TW 88108217A TW I225113 B TWI225113 B TW I225113B
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silicon single
wafer
crystal wafer
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TW088108217A
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Masaro Tamatsuka
Akihiro Kimura
Katsuhiko Miki
Makoto Iida
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Shinetsu Handotai Kk
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Description

1225113 A7 _B7_ 五、發明説明（1 ) 發明領域 本發明係關於一種矽單晶晶圓，其中稱爲成長缺陷之 在晶體內部之晶體缺陷之尺寸藉由摻雜氮和使冷卻率，氮 濃度和氧濃度在以Czochralski法（以下稱爲c Z法）拉一 單晶晶體時最佳化而降低至極小，和用以製造砂單晶晶圓 之方法。 相關技藝之說明 關於製造例如半導體積體電路之裝置方面，主要使用 以C Z法成長之矽單晶晶圓。如果在此矽單晶晶圓中存在 晶體缺陷時，在製造半導體裝置時，會引起圖樣失敗。特 別的，近年來高度整合之裝置之圖樣寬度細至0 . 3 //m 或更小。因此，即使小至0 · 1 V m之晶體缺陷亦會引起 例如裝置中之圖樣失敗，且會顯著的降低半導體裝置之良 率和特性。因此，在矽單晶晶圓中之晶體缺陷之尺寸必須 儘可能降低。 近年來，藉由各種量測方法，已報導在晶體成長時所 發生之所謂成長缺陷之晶體缺陷亦發生在由C Z法成長之 矽單晶晶體中。例如，在以一般成長率（約1 m m / m i η或更多）成長之商用單晶晶體中之晶體缺陷可藉由 使晶體之表面受到以S e c c 〇溶液（K 2 C r 2〇7 ,氫 氟酸，和水之混合物）周緣蝕刻（S e c c 〇蝕刻）而偵 測如同一坑（日本專利第4 一 1 9 2 3 4 5號案）。 產生此坑之主要原因爲在製造單晶晶體時集合之空洞 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ~7[ "" (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
裝- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225113 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（2 ) 之叢集或由石英坩堝所收集之.氧原子之凝結塊之氧化物沉 澱物。當這些晶體缺陷呈現在所製造半導體裝置之表面部 份（在0至5 //m之深度）時，它們會對裝置之特性造成 破壞。因此，亟需降低這些晶體缺陷。 例如，藉由降低晶體之成長率（例如，至0 . 4 m m /mi η或更低），可降低上述空禪L叢集之導度^曰本專 利第2—267195號案）。但是，當採用此方法時， 會產生一晶體缺陷，其被視爲因過多空隙矽原子之新集合 體之結果而產生之僱IP，如此亦會顯著的破壞裝置之特 性。因此，以此方法無法解決上述之問題。再者，由於晶 體之成長率由一般約1 . 〇mm/mi η降低至〇 · 4 m m /m i η或更小，在此方法中，單晶晶體之生產率和 成本效能亦顯著降低。 發明槪要 本發明乃用以解決上述之問題，且本發明之主要目的 乃在提供以C Ζ法以高產率製造用於半導體裝置之矽單晶 晶圓，其中可抑制晶體缺陷之形成。 爲了達成上述之目的，本發明提供一種矽單晶晶圓， 其藉由處理以Czochralski法摻雜氮而成長之矽單晶晶錠而 產生，其中在矽單晶晶圓中之成長缺陷尺寸爲70nm或㉑、。 如上所述，當矽單晶晶圓藉由處理以Czochralski法摻 雜氮而成長之矽單_晶晶錠而產生時，在矽單晶晶圓中之成 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
裝. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225113 A7 __B7_ 五、發明説明（3 ) 、 長缺陷尺寸可降低至7 0 nm或更小。由於此種細晶―體缺 陷難以對裝置之製造造成有害的影響，因此可改善矽單晶 '一 - . 晶圓之良率和裝置之品質。 較佳的，在藉由處理以Czochralski法摻雜氮而成長之 矽單晶晶錠而產生之矽單晶晶圓中，矽單晶晶錠以控制 1150至1080 °C之冷卻率爲2 · 3 °C/分或更大而 成長。 如上所述，當矽單晶晶圓藉由處理以Czochralsld法摻 雜氮而成長之矽單晶晶錠而產生時，在矽單晶晶1L _Φ.ZM 廣._&爲摻雜氮之存在而非常少。當矽單晶晶錠以控制 1 1 50至1 080°C之冷卻率爲2 · 3°C/分或更大而 成長時，晶體缺陷可減少至幾乎對裝置之製造完全無影響 之狀態。再者，由於可抑制晶體缺陷之成長，因此可以高 速成長晶體，因此可改善生產率。 在上述之例中，在矽單晶晶圓中之氮濃度最好在 0 · 2至5X1015原子/cm3之範圍中。 爲了抑制晶體缺陷之成長，氮濃度最好爲1 . 0 X .1 0 1 5原子/ c m 3或更多。爲了防止單晶之結晶，氮濃 度最好爲5xl 015原子/cm3或更小。但是，氮濃度 在0 · 2至5xl 015原子/cm3之範圍中可最有效抑 制晶體缺陷之成長，且因此，當氮濃度在此範圍中時，可 有效的抑制晶體缺陷之成長。 當以Czochralski法摻雜氮而成長之矽單晶晶錠時，在 矽單晶晶圓中之氧_濃度最好控制爲1·〇χ1〇ΐ8原子/ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本¾}
-I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -6 - 1225113 A7 B7 五、發明説明（4 ) ^.;---! (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) cm3 (ASTMJE79値）或更小。當氧濃度如上述之低 時，可進一步抑制晶體缺陷，且可防止在表面層上之氧化 物沉澱物之形成。 如上所述之矽單晶晶圓之表面上具有非常少的晶體缺 陷。特別的，由於晶體缺陷之密度可降低至4 0個/ c m 或更小，可顯著的改善在製造裝置時之良率，因此，可顯 著的改善晶體之生產率。 本發明亦提供一種矽單晶晶圓之製法，其中矽單晶晶 錠以摻雜氮且控制1 1 5 0至1 0 8 0 °C之冷卻率爲 2 · 3 °C /分或更大而成長，而後受到處理以提供矽單晶 晶圓。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如上所述，在用於成長矽單晶晶錠之C Z法中，可藉 由摻雜氮而抑制在晶體成長時發生之晶體缺陷之成長。再 者，由於成長晶體以控制1 1 5 0至1 0 8 0 °C之冷卻率 爲2 · 3 °C /分或更大，可抑制晶體缺陷之成長，且此晶 體缺陷變成非常細。再者，由於可顯著的抑制晶體缺陷之 成長，因此可以高速成長晶體，因此可顯著的改善晶體之 生產率。 在矽單晶晶錠中之氮濃度最好爲〇 · 2至5 X 1 0 1 8 原子/ c m 3。在矽單晶晶錠中之氧濃度最好爲χ · 〇 X 1 0 18原子/cm3或更小。 如上所述，當以高速執行冷卻且摻雜氮之濃度和氧濃 度控制在以摻雜氮之C Z法產生矽單晶時之最佳範圍中時 ，可以高生產率產·生具有高品質和少晶體缺陷之矽單晶晶 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1225113 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ______B7五、發明説明（5 ) 圓。 在藉由處理以Czochralski法摻雜氮而成長之矽單晶晶 錠而產生之砂單晶晶圓中，在矽單晶晶圓中之成長缺陷尺 寸爲7 0 nm或更小，且因此，可改善裝置之良率和品質 〇 依照本發明之矽單晶晶圓之製法，矽單晶晶錠藉由摻 雜氮和以控制1 1 5 0至1 0 8 0 t之冷卻率爲2 · 3 °C /分或更大而成長，而後受處理以提供矽單晶晶圓。因此 ，可抑制在由C Z法產生之矽單晶中之晶體缺陷之成長， 且輕易的，高產率的產生矽單晶晶圓，其中在晶圓之表面 層上偵測到之晶體缺陷非常小，且晶體缺陷數目非常少。 較佳實施例之詳細說明 以下詳細說明本發明。但是，本發明並不限於此。 發明人發現，除了在以C Z法之矽單晶成長時之摻雜 氮外，晶體缺陷之尺寸明顯的決定於由1 1 5 0至 1 0 8 0 °C之晶體冷卻率，當成晶體成長狀況，且藉由控 制冷卻率高至2 · 3 °C /分或更高，可獲得一矽單晶晶圓 ，其中在裝置製造層（晶圓之表面層）中之晶體缺陷細小 到足以不會引起如因集合等之不良結果，因此可抑制晶體 缺陷成長。'因此，本發明人藉由硏究此狀況而完成本發明 0 亦即，當氮摻雜在矽單晶中時，可抑制在矽中之空洞 之凝結塊，因此晶體缺陷之密度降低（T. Abe和 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） .g: (請先閲讀背面之注意事_ 4 ，項再填」 裝-- 寫本頁) 訂 1225113 A7 B7 五、發明説明（6 ) H.Takeno , Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 262 , 3 , 1 992 )°此效果之達成結果爲空洞凝結塊由同質核子形成轉爲 異質核子形成。因此，具有非常小晶體缺陷之矽單晶可藉< 由以CZ法摻雜氮而成長之矽單晶而得，且因此，藉由處 理此矽單晶可獲得具有非常小晶體缺陷之矽單晶晶圓。依 照此方法，不必如習知方法般始終降低晶體之成長率，且 因此，可以高生產率生產具有低缺陷密度之矽單晶晶圓。 再者，晶體缺陷之尺寸明顯決定於通過空洞之集結溫 度範圍之時間。已知空洞之集結溫度範圍在1 1 5 0至 1 0 8 0 °C間，且因此，可預測的是，當晶體成長時，藉 由縮短通過溫度範圍之時間，可降低晶體缺陷之尺寸。因 此，在本發明中，晶體成長在您肩由1 1 5 0 °C至 1 0 8 0 °C (其爲集結溫度之範圍）以2 · 3 °C /分，最 好爲3 · 5°C/分下進行。藉此，可縮短通過集結溫度之 時間，因此晶體缺陷之尺寸可降低至在製造半導體裝置時 不會引起任何問題之細小。 產生在矽中之晶體缺陷之成長可受到摻雜氮在矽單晶 而抑制之原因爲空洞凝結塊處理由同質核子形成轉爲異質 核子形成。 因此，摻雜氮濃度最好爲1 X 1 01()原子/ cm3或 更多，以使充分的形成異質核子形成。當氮濃度爲5 X 1 0 1 5原子/ c m 3時（其爲在矽單晶中之固態可溶解氮 ),可阻止單晶之結晶。因此，最好不要超過該濃度。 再者，本發明人進一步硏究氮之濃度，且發現最有效 I.--•丨·---^裝. (請先閲讀背面之注意事項再填寫太 窝本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） · g - 1225113 A7 B7 五、發明説明（7 ) ^ I. •裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 的氮濃度在0 · 2至5 · OxlO15原子/cm3間。當 摻雜氮濃度高至如同上述範圍時，藉由摻雜氮可達成高效 果的抑制晶體缺陷形成，且可幾乎完成防止會引起問題之 大晶體缺陷之形成。 另一方面，已知當晶體成長時，在矽單晶中之氮原子 會加速氧沉澱（如 F. Shimura 和 R· S· Hockett，Appl· Phys Lett. 48, 224， 1 986所述）。因此，當使用具有一般氧濃 度（1 X 1 018原子/cm3或更多）之單晶時，會形成 氧化物沉澱，其對存在接近處理晶圓表面之裝置有害。因 此，本發明人藉由摻雜氮在具有低於一般値之氧濃度lx 1 018原子/ cm3或更少（ASTM；E7 9 )之CZ矽單 晶中以解決此一問題。 在習知具有低氧濃度之C Z矽單晶中，會有晶體強度 降低之問題。但是，依照本發明，氮以例如0 . 2至5 X 10 15原子/cm3之濃度摻雜在單晶中，由於氮之存在 ，可獲得充分的晶體強度（K. Sumini, I.Yonenaga,和 M. Imai , J. Appl. Phys. 54 , 501 6 , 1 983 ) 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本發明中，摻雜有g之矽單晶晶錠可以C Z法依照 已知之方法如日本專利第6 0 - 2 5 1 1 9 號案所揭示 者而成長。 亦即/在包含以包括在石英坩堝中之多晶矽熔融原料 接觸種晶，且以旋轉而拉晶以成長具有所欲尺寸之矽單晶 晶錠之C Z法中，藉由先在石英坩堝中設置氮化物，且將 氮化物加入熔融矽_中，或藉由使用含氮之氣體時，可摻雜 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1225113 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（9 ) 、 包含所需濃度之氧，且晶體以在c Z法中之所需冷卻率成 長。在以例如內徑刀切片器或線鋸等之切片裝置切片後， 晶錠受到削角，重疊，蝕刻，拋光等處理以形成矽單晶晶 圓。這些處理只是舉例而已，當然可進行如淸潔處理之其 它處理，且可根據目的而適當的改變處理之順序，或省略 一些處理。 如上所述，於此產生本發明之矽單晶晶圓，其乃藉由 處理以Czochralski法摻雜氮而成長之矽單晶晶錠，且以控 制1 150至1080 °C之冷卻率爲2 · 3 t：/分或更大 而獲得。 在此矽單晶晶圓中，在表面層上之晶體缺陷非常少，. 特殊爲4 0個/c m2或更少。特別的，可幾乎完全消除可 能引起半導體裝置處理珠問題之表面晶體缺陷，因此，可 顯著的改善半導體裝置之良率。 (範例） 下述範例和比較例乃用以進一步說明本發明。這些範 例並非用以限制本發明之範疇。 (範例，比較例） 依照C Z法，4 0 k g之多晶矽材料置入具有1 8吋 直徑之石英坩堝中，以一般値之1·2mm/分之拉起速 率拉起具有6吋’P導電型直徑和< 1 0 〇 >定向之六個矽 單晶晶錠。 ~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
裝· 訂 I# 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 12- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225113 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) 拉起其中五個，而具有氮化矽之矽晶圓預先置入熔融 砂中，因此，可達成在晶體中之氮濃度爲5·〇xl015 原子/cm3。坩堝之轉動數目受控制，因此，可達成在單 晶中之0 · 8至1 · 〇xl 〇18原子/cm3之氧濃度。 每個單晶晶錠受拉起，而經由使用提供在C Z法矽單晶晶 體成長裝置之室中之冷卻裝置控制由1 1 5 0至 1080 °C 之冷卻率爲 1·2，1·6, 2.3，3.0 ,3 · 5 °C / 分。 另一晶錠受拉起而依照習知方法未摻雜氮。此晶錠受 拉起，而控制由1 150至1080 °C之冷卻率爲2 · 3 °C /分。在單晶中之氧濃度控制爲0 · 8 X 1 0 1 8原子/ cm3。 由所獲得之單晶晶錠以一線鋸切片晶圓，而後受到削 角，重疊，蝕刻，鏡面拋光等處理。而後，直徑6吋之矽 單晶鏡面拋光晶圓幾乎在完全相同的狀況下（冷卻率和氧 濃度），除了摻雜氮與否。 經由L S T (雷射散佈斷層圖）執行在兩晶圓中之成 長缺陷之尺寸之量測和比較，其一晶圓摻雜有0 · 2至 5 · 0 X 1 0 1 5原子/ c m 3濃度之氮，而另一晶圓則無 摻雜氮，且兩者以2 · 3 °C /分之冷卻率產生。所得之結 果如圖1和2所示。如圖1和2所示，在由具有〇 . 8 X 1 0 1 8原子/ c m 3之相同氧濃度之晶體中所獲得之晶圓 中，其皆以如2 · 3t/分之高冷卻率產生，由雜^ $晶體所獲得之晶圓上之成長缺陷之尺寸爲( — ^ ^裝 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13· 1225113 A7 __B7_ 五、發明説明（11 ) - 圖2 )，而由摻雜氮之晶體所獲得之晶圓上之成長缺陷之 尺寸爲6〇nm (圖1)。明顯的是，後者在缺陷成長上 爲前者之一半。 如此所獲得之矽單晶晶圓受到S e c c 〇飩刻，且藉 由以顯微鏡觀察表面以決定晶體缺陷（成長缺陷）之密度 。此量測在晶圓之中央部份，在與中央部份距離半個半徑 ，和在周緣部份上執行，該晶圓之周緣部份爲在由每個晶 錠之肩部份起10, 20, 30,40, 50,或60 c m上之位置上之單晶晶錠起切片之位置。 結果如圖3至5所示。圖3爲介於由摻雜氮之五個矽 單晶晶錠切出之矽單晶晶圓之晶體缺陷密度之平均値和冷 卻率間之關係圖。圖4爲由摻雜氮和控制冷卻率爲2 · 3 °C /分而成長之晶錠所獲得之矽單晶晶圓之缺陷密度之圖 。圖5爲由習知未摻雜氮而成長之晶錠所獲得之矽單晶晶 圓之缺陷密度之圖。在每個圖中，方形線表示在晶圓中央 上之資料，圓形線表示與晶圓之中央有一半半徑之距離上 之資料，和三角形線表示在晶圓之周緣部份上之資料。 如圖3所示，當冷卻率增加時，缺陷密度降低。因此 ，明顯的是，冷卻率最好爲2 · 3 °C /分或更大，特別的 ，爲3 · 5 °C/分或更大。其原因爲缺陷之集結塊在高冷 卻率下受到抑制，且因此其尺寸降低至極細。 如圖4所示，在本發明之矽單晶晶圓產生時，拉起率 爲1 · 0mm/分或更多，其和習知方法相同或高於習知 方法，但是，和以習知方法所獲得之晶圓比較，由相同晶 請 先 閲 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 寫 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14 1225113 A7 _________Β7__ 五、發明説明（12 ) ^ 錠切片之所有晶圓之晶體缺陷之密度在整個晶圓上降低至 幾乎爲零。亦即，依照本發明，可確定的提供一矽單晶晶 圓，其具有在晶圓表面上4 〇個/ c m 2或更少之晶體缺陷> 密度。 如圖5所示，在習知矽單晶晶圓中，在由單晶晶錠之 肩部份切片中遠離肩部份之晶圓之晶體缺陷密度較高。特 別的，在由單晶晶錠之肩部份切片中遠離肩部份2 0 c m 之晶圓之晶體缺陷密度爲6 0 0個/c m2或更高。 本發明並不限於上述之實施例。上述之實施例只爲一 範例而已，而具有實質如申請專利範圍所述相同的構造且 提供相似的作用和效果者皆包括在本發明之範疇內。 例如，本發明之方法不只可應用於C Z法，且可應用 於任何型式之M C Z法（磁場應用C Z晶體成長法），其 中當拉起矽單晶時，應用磁場。亦即，所謂的C Ζ法不只 包含一般的C Ζ法且包括MC Ζ法。 圖式簡單說明 圖1爲介於成長缺陷之尺寸和具有在摻雜氮之矽單晶 晶圓中之尺寸之缺陷數目間之關係圖。 圖2爲介於成長缺陷之尺寸和具有未摻雜氮之矽單晶 晶圓中之尺寸之缺陷數目間之關係圖。 圖3爲介於由摻雜氮之五個矽單晶晶錠切出之矽單晶 晶圓之晶體缺陷密度之平均値和冷卻率間之關係圖。 圖4爲由摻雜_氮和控制冷卻率爲2 · 3 °C /分而成長 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 請 先 閲 讀 背 面 之 注 項 再 填 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 15- 1225113 A7 B7 五、發明説明（13 ) ^ 之晶錠所獲得之矽單晶晶圓之缺陷密度之圖。 圖5爲由未摻雜氮而成長之晶錠所獲得之矽單晶晶圓 圖 之 度 密 陷 缺 之 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16 _

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公告本 I ^——M 2 六、申請專利範圍 " ^ - 第88 1 082 1 7號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國90年7月修正 1 · 一種矽單晶晶圓，其藉由處理以Czochralski法摻 雜氮而成長之矽單晶晶錠而產生，其中在矽單晶晶圓中之 成長缺陷尺寸爲7 0 n m或更小。 2 . —種矽單晶晶圓，其藉由處理以Czochralski法摻 雜氮而成長之矽單晶晶錠而產生，其中矽單晶晶錠以控制 1 1 5 0至1 0 8 0°C之冷卻率爲2 . 3°C/分或更大而 成長。 3 .如申請專利範圍第1項之矽單晶晶圓，其中在矽 單晶晶圓中之氮濃度在0 · 2至5 X 1 0 1 5原子/ c m 3 之範圍中。 4 .如申請專利範圍第2項之矽單晶晶圓，其中在矽 單晶晶圓中之氮濃度在0 · 2至5 X 1 0 1 5原子/ c m 3 之範圍中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 ·如申請專利範圍第1項之矽單晶晶圓，其中在矽 單晶晶圓中之氧濃度爲1 · 〇xl〇18原子/cm3或更 小0 6 ·如申請專利範圍第2項之矽單晶晶圓，其中在矽 單晶晶圓中之氧濃度爲1 · 〇xl 〇18原子/cm3或更 小0 7 ·如申請專利範圍第3項之矽單晶晶圓，其中在矽 單晶晶圓中之氧濃度爲1 · 0 X 1 〇 1 8原子/ c m 3或更 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐·） - 1 - 1225113 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 小〇 - 8 ·如申請專利範圍第4項之矽單晶晶圓，其中在砂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 卓晶晶圓中之氧濃度爲1 · 〇x 1 〇18原子/ 更 小0 9 ·如申請專利範圍第1項之矽單晶晶圓，其中在晶 圓表面上之晶體缺陷之密度爲4 0個/ c m2或更少。 1〇·如申請專利範圍第2項之矽^晶晶圓，其中在 晶Η表面上之晶體缺陷之扭、度爲4 0個/ c m2或更少。 1 1 ·如申請專利範圍第3項之矽單晶晶圓，其中在 晶圓表面上之晶體缺陷之密度爲4 0個/ c m 2或更少。 1 2 ·如申請專利範圍第4項之矽單晶晶圓，其中在 晶圓表面上之晶體缺陷之密度爲4 0個/ c m 2或更少。 1 3 ·如申請專利範圍第5項之砂單晶晶圓，其中在 晶圓表面上之晶體缺陷之密度爲4 0個/ c m 2或更少。 1 4 ·如申請專利範圍第6項之矽單晶晶圓，其中在 晶圓表面上之晶體缺陷之密度爲4 0個/ c m 2或更少。 1 5 ·如申請專利範圍第7項之矽單晶晶圓，其中在 晶圓表面上之晶體缺陷之密度爲4 0個/ c m 2或更少。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 6 .如申請專利範圍第8項之矽單晶晶圓，其中在 晶圓表面上之晶體缺陷之密度爲4 0個/ c m 2或更少。 1 7 . —種矽單晶晶圓之製法，其中矽單晶晶錠以摻 雜氮且控制11 50至1080 °C之冷卻率爲2 · 3 °C/ 分或更大而成長，而後受到處理以提供矽單晶晶圓。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項之矽單晶晶圓之製法 -2- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐·） 1225113 8888 ABCD 六、申請專利範圍 ，其中當以~Czochralski法摻雜氮而成長之矽單晶晶錠時， 在矽單晶晶圓中之氮濃度在0 · 2至5X1 〇15原子/ c m 3之範圍中。 1 9 .如申請專利範圍第1 7項之矽單晶晶圓之製法 ，其中當以Czochralski法摻雜氮而成長之矽單晶晶錠時， 在矽單晶晶圓中之氧濃度爲1 · 〇 X 1 Q 1 8原子/ c m 3 或更小。 2〇·如申請專利範圍第1 8項之矽單晶晶圓之製法 ，其中當以Czochralski法摻雜氮而成長之砂單晶晶鏡時， 在矽單晶晶圓中之氧濃度爲1 · 0 X 1 〇 1 8原子/ c m 3 或更小。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -3· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
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