TWI222323B - Image sensor providing improved image quality - Google Patents

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TWI222323B
TWI222323B TW092119140A TW92119140A TWI222323B TW I222323 B TWI222323 B TW I222323B TW 092119140 A TW092119140 A TW 092119140A TW 92119140 A TW92119140 A TW 92119140A TW I222323 B TWI222323 B TW I222323B
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Masatoshi Kokubun
Toshitaka Mizuguchi
Jun Funakoshi
Hiroshi Kobayashi
Katsuyosi Yamamoto
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Fujitsu Ltd
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Description

玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 發明領域 本發明係有關於-種以行列配置具有光電轉換元件之 像素之影像感測器,特別係有關於—種可使太陽光等局部 明亮之影像之晝質提昇者。 L· Λλ ^tr ^ 習知技術 CMOS影像感測n等影像感測器,係於像素中具有光 電轉換將預疋之積分期間***人之光量轉換成電 信號,並進行影像處理㈣出影像㈣。於鶴行選擇線 時’連接則述彳T選擇線之像素之光電轉換信號係保持於業 已設置於各列之採樣保持電路,且該保持之檢測信號係藉 水平掃描脈衝依序輸出。 則述CMOS影像感測器係揭示於,例如,以下之專利 文獻。 *習知影像感測器之像素係由,例如,光電轉換元件之 光二極體、復位其陰極電位之復位電晶體、放大電晶體、 及選擇電晶體構成。且,使光二極體之陰極電位為復位電 位後將藉預疋之積分期間<間光二極體對應受光光量產 生之電流崎低其陰極電位之降低電壓保持於抽樣保持電 路作為光電轉換電壓。 前述之陰極電位’於復位時重疊復位雜訊。該復位雜 訊係因像素内之電晶體特性之不均—性或寄生電容之不均 14而產生’因此’每像素均不同。為了由檢測電壓除去 該復位雜Ifl ^樣保持電路係由相關雙重抽樣電路構成。 相關雙重抽樣電路係於第m位動作後之積分期間結束時 抽樣保持陰極電位,並於其後立即進行帛2復位動作,且於 之後之復絲訊讀出期間後,採樣㈣產生之復位雜訊。 接著,以2健樣保持電壓之差電壓作為像素信號輸出。藉 取得2個抽樣保持電壓之差,由_㈣除去復位雜訊。 專利文獻 曰本專利公開公報2002-218324號 發明欲解決之課題 然而,攝像影像中局部地存在太陽光等與周圍影像相 比為極高亮度之領域時,與其對應之像素中,光二極體生 成之光電賴電流極大。因此,於第2復軸倾之復位雜 訊讀出顧中,其陰極電位急速地降低。其結果為,2個抽 樣保持電壓之差電壓非常小。即,原本只要於太陽光等高 度党度之領域L之像素信號位準即可望成為最大位 準’然而復位雜訊讀出期間所讀出之復位雜訊過大,沒有 得到預期之影像㈣位準。因此,得狀輸出影像係太陽 亮度極低之影像,於極限時太陽會成為全黑之影像。 C發明内容】 發明概要 因此,本發明之目的係使藉相關雙重採樣來採樣保持 像素之制信號的f彡減㈣,於存在有局部高亮度之影 像時’亦可生成適當亮度之輪出影像。 、 用以解決課題之手段 μ=Γ目的’本發明之-態樣之-種影像感測 祕者’其特徵在於包含有多數像素及抽 樣鱗前述多數像錢配置於行列方向上,且具有 對光里產生電流之光電轉換元件,與使該光電轉換 =以抽樣保持對應前述像素之前述節點之電= 後之第^'/ 第1像素電位與前述積分期間 弟2设位動作後之復位雜訊讀出期間結束時之第 魏作騎素_^。且,前雜樣保持電路 雜訊讀出期間中之前述第2像素電位超過預 疋*位準時’使前述第2像素電位為預定之基準電位。 復位雜據^述1明之祕’具有局部高亮度之影像時,藉 復你^^出期間内之曝光,防止第2像素電位成為遠超過 像去1訊之電位且第1像素電位與第2像素電位之差電位之 4號位準過低。即,第2像素電位超過預定之閾值位準 擅’使維持保持電路之相關雙重保持機㈣失,並測出由 像I位準至第1像素電位之差電壓替代第1像素電位與第2 質降:位之差電壓。其結果為防止高亮度之局部領域中晝 【貧摊^方式】 發明之實施形態 乂下,參照圖不說明本發明之實施形態例。然而,本 發明之保護範圍並不限定於以下之實施形態例,係包括申 請專利範圍中記載之發明及其同等物。 第1圖係顯示本實施形態中之CMOS影像感測器之像 素陣列結構之圖。像素陣列1〇具有多數配置於行方向之復 位電源線VR、行選擇線SLCT1〜4、復位控制線RST1〜4、多 數配置於列方向之列線CL1〜CL4、及配置於各行選擇線、 復位控制線與列線之交叉位置之像素ρχη〜ρχ44。各像素 中,如同像素ΡΧ14中所示,係設置光電轉換元件,該光電 轉換元件係由復位用電晶體Mi、光電轉換元件之光二極體 PD、放大光二極體一側之節點之陰極電位之源輸出電晶體 M2、及對應行選擇線81^;7之驅動,連接源輸出電晶體 之源與列線CL之獅電晶體M3構成。光二極體另一側之節 點之陽極係連接於接地端等基準電位。 配置於行方向之行選擇線SLCT1~4或復位控制線 RST1〜4係㈣直掃描移位暫抑u或復位㈣電路⑽ 動控制。~ ’垂直掃描移位暫存器12係生成垂直掃描信號 Vscan之垂直職轉,且係對赫直㈣時脈%认,串 列傳送㈣VD概之「1」,而生成響各狀垂直掃描信 號Vscan。對應該垂直掃描信號,依序驅動行選擇線 SLCT0〜3。 又,配置於列方向之各列線CL1〜4,係分別連接於採 樣保持電路14。採樣保持電路14如後述,係放大來自各像 素經由列線CL供給之光電轉換信號,並削除伴隨復位動作 產生之復位雜訊,且輸出像素信號。 由採樣保持電路14輸出之像素信號,係藉由水平掃描 移位暫存Θ 16生叙水平掃描錢Η_選擇之列選擇電 日日體CS1 CS4,輸出至共通輸出匯流排〇Bus,並藉連接於 輸出匯流排之放大器AMP放大。放大器AMp之輸出係供給 至圖未示之彩色信號處理器。 第2圖係顯示習知採樣保持電路之圖,第3圖係顯示採 樣保持電路之動作之信號波形圖。第·中顯示丨個像素ρχ 之電路’與透過圖未示之列線連接於像素叹之採樣保持電 路14。採樣保持電路14係具有”開關綱'第2開關謂2、 第1採樣保持電容器Cl、第2採樣保持電容器€2、基準電壓 VREF、第1及第2放大器ΑΜρι,ΑΜρ2,且採樣保持電路^ 係消除像素之光電㈣元件之復⑽訊之相關雙重採樣電 路。又,像素PX與採樣保持電路14之間設置有電流源n。 針對該像素PX與採樣保持電路14之動作,一面參照第 3圖面說明。第3圖中’係將對應像素内之光二極體〇1之 陰極電壓VPD輸出之像素電位Vp之電壓變化,配合行選擇 線SLCT、復位控制控制線RST、第j、2開關SW1、sw2等 來顯不。為了簡化,行選擇線SLCT係驅動至JJ位準,而使 選擇電晶體M3為導通狀態。 首先’於第1復位期間Τ1驅動復位控制線RST至η位準 而導通復位電晶體Ml,並使光二極體pd之陰極電位VPD為 復位位準VR。對應陰極電位VPD之像素電位Vp亦成為對應 之復位位準。且,復位控制線RST為L·位準且復位電晶體Ml 非導通時,陰極電位VPD會藉光二極體pD對應輸入光之光 1222323 量產生之電流緩慢地降低位準。此係積分期間T2。然而, 復位電晶體Ml為非導通時復位雜訊%產生。該復位雜訊% 係母像素皆不均一之電壓。 經過預定積分期間T2後,開關SW1、SW2為暫時導通 5狀態,對應陰極電位VPD而生成且來自源輸出電晶體犯之 驅動電流,係透過選擇t晶體M3與圖未示之舰,充電電 容器c卜藉該採樣動作,節點VC1係成為由復位電壓VR僅 增加復位雜訊電壓Vn與於積分期間降低之電位Vs(vs+Vn) 之低電位VR-(Vs + Vn)。又,節點VC1之電位透過第i放大 10器AMP1亦傳導至第2電容器C2。 此時’第2開關SW2亦為導通狀態,且第丨放大器ampi 之放大率為1時,第2電容器C2亦充電至與第!電容器同一電 壓狀態。於該狀態下,於第1及第2電容器Cl、C2施加位準 VR —(VS + Vn)與基準電壓VREF2差電壓。且,控制開關 15 SW1為非導通時,第1及第2電容器係維持前述位準。 於積分期間T2結束後,再度供給復位脈衝至復位控制 線RST復位電晶體導通。藉該第2復位動作,陰極電位 再次充電至復位位準。此係第2復位期間丁3。之後,經過復 位雜afL#出期間T4後,第丨開關請丨成為暫時導通狀態。此 20時,第2開關SW2維持非導通狀態。該復位雜訊讀出期間 T4,亦與積分期間T2相同,陰極電位vpD係藉業已對應受 光光畺之光一極體之電流降低位準。但是,該復位雜訊讀 出期間T4係設定成較積分期間T2還短。 該復位雜訊讀出期間Τ4中,開關SW1係導通狀態,且 10 1222323 第1電容器Cl之節點VC1係由復位電壓VR僅降低復位雜訊 Vn之位準VR — Vn。該電位VR-Vn透過第1放大器AMP1亦 傳導至第2電容器C2之端子。此時,第2開關Sw2為非導通 狀態,因此,第2電容器C2之節點VC2成為開放狀態。因此, 5第2電容器C2之節點VC2產生積分期間T2結束時之節點 VC1之電位VR-(Vs +Vn)與復位雜訊讀出期間丁4結束時 之節點VC1之電位VR —Vn之差電壓Vs之變動,且於節點 VC2生成增加最初採樣時之基準電壓vREF之電壓vref + Vs。即,由該電壓VREF+Vs削除復位雜訊Vll。 10 藉使第2放大器AMP2之基準電位為vref,已對應受光 光量積分之檢測電壓Vs會藉第2放大器AMP2放大,並藉由 水平掃描移位電晶體16生成之水平掃描信號依序導通控制 之列ECS,輸出至輸出匯流排〇buS。且,檢測電壓Vs係 藉設置於輸出匯流排OBUS之共通放大器AMP放大,供給至 15後段之A/D轉換電路作為像素信號。 第3圖所示之像素電位Vp之波形係對應局部高亮度影 像之像素之例。即,儘管積分期間控制成短,像素電位Vp 仍急速地下降並於短時間飽和,且於開關SW1、SW2導通 之第1採樣保持動作時之檢測電壓Vs會隨之到達最大值。 20且,就算第2復位動作後之復位雜訊讀出期間T4為短時間, -像素電位Vp仍急速地降低,並且於開關SW1導通之第2 採樣保持動作中測出之復位雜訊Vn之位準非常大。因此, 藉由相關雙重採樣求出之檢測電壓vs = (vr—Vn)— { vr 〜(Vs+Vn)丨係較對應原本之高亮度之位準還低。 11 1222323 為了確保復位控制信號RST與第1開關SW1之動作之 間之邊限,復位雜訊讀出期㈣必需為具有某—長度之期 間,然而於如所述高亮度之影像之情況下,即使於如此短 之』間T4像素電位Vp仍急速地降低,且業已採樣保持遠 5超越原本之復位雜訊之復位雜訊Vn。 第4圖係顯示本實施形態中之採樣保持電路之圖。像素 PX係與第2圖相同。採樣保持電路14具有相關雙重採樣電路 14A與控制是否消除相關雙重採樣電路之㈣電路刚。第 4圖之相關雙重採樣電路14A係與第2圖之採樣保持電路同 10 一結構。控制電路14B係如同第1圖所示,係設置於連接列 線CL1〜CL4之採樣保持電路14内列線與相關雙重採樣電路 之間。 控制電路14B係具有開關SW4、SW5,且更具有n〇r ENOR、反向器INV1、INV2。設置於像素ρχ與相關雙重 15採樣電路14Α間之開關SW4,係藉反向器ιΝνι之輸出控 制,且係於Η位準之時導通控制其輸出。又,設置於相關雙 重採樣電路14Α與復位電源VR之間之開關,係藉反向器 INV2之輸出控制,且同樣地於η位準之時導通控制其輸 出。於NORHNOR之一側之輸入端子,輸入控制控制電路 20 14Β之賦能、去能之賦能信號ΕΝ,並於另一側之輸入端子 輸入像素電位Vp。 第5圖係顯示本實施形態中之採樣保持電路之動作之 圖。5亥例係與苐3圖同樣為攝取局部高亮度之影像時之動作 例。最初之復位期間T1之復位動作與於積分期間T2結束時 12 1222323 使開關SW卜SW2導通而進行之第1採樣保持動作,係與第 3圖之情況相同。該等動作中,賦能信號Ensh位準(去能 狀態),且控制電路14B為去能狀態,並且開關SW4控制於 導通狀態’開關SW5控制於非導通狀態。因此,相關雙重 5採樣電路14A内之節點電壓VC1,係成為由對應復位電壓之 電壓VR減去復位雜訊Vn與檢測電壓Vs之和(Vs + Vn)之電 壓VR-(Vs + Vn)。第1放大器AMP1之輸出亦與增益設定為 1相同。 接著’進入第2復位期間T3時,使賦能信號EN為L位準 10 (賦能狀態)。藉此,NOR匣為活動化狀態,且像素電位Vp 較NOR匣NOR具有之閾值位準Vth還低時,控制其輸出於Η 位準。於第2復位期間Τ3後,復位電晶體Ml為非導通狀態 時,成為復位雜訊讀出期間T4,且陰極電壓vpD之位準對 應射入光光量降低。因為高亮度,陰極電壓急速地降低, 15且像素電位VP亦隨之急速地降低,第1開關SW1於構成非導 通之維持動作當前業已超過NOR匣NOR之閾值位準Vth。 與前述對應,NOR匣NOR之輸出成為Η位準,第1反向 為INV1之輸出成為[位準,且開關SW4係控制為非導通, 同時第2反向器INV2之輸出成為η位準,且開關sw5控制於 2〇導通狀態。藉開關SW5之導通,節點電壓vci強制地升高 至復位電源VR位準而非像素電位νρ。之後,第1開關swi 成為非導通,且維持復位位準VR於電容器VR。即,節點電 位VC1之位準成為復位位準vR,且第丨放大器ampi之輸出 亦成為復位位準乂尺。因此,節點電壓vC2係由基準電壓 13 1222323 丽升高至Vs + Vn + VREF,檢挪電麼係% + %。 該採樣保持動作中,沒有由檢測電^除去復位 雜訊。然而,原本檢測電駭s係最大值或近於其之值,因 此,即使完全沒有除去復位雜訊,輸出影像(最大灰階位準 5或近於其之位準)晝質降低之問題亦少。相較於如習知例, 測出復位雜訊Vn遠超過所需且檢測電^Vs過小,儘管輸出 影像為南党度仍成為低亮度,畫質有提升。 第6圖係顯示本實施形態中之採樣保持電路之另一動 作例之圖。該例與第3圖不同,係攝取亮度不高之影像時之 1〇動作例。由於射入光光量少,因此積分期間T2中之光二極 體PD之電流較小,因此,陰極電詩d及對應其之像素電 位Vp緩慢地下降。且,保持於積分期間η結束時之第消 樣保持時之像素電位Vp尚未到達飽和位準。 木 且,於第2復位動作後之復位雜訊讀出期間Τ4中,陰極 電壓VPD及對應其之像素電位Vp亦緩慢地下降,且第工開關 swi直至關閉之保持動作為止,不會超過閾值位準v化。因 此,控制電路MB之NOREN〇R之第2輸入之像素電位外不 會成為L位準,且觸⑽輸出維持於乙位準。即,第i反向器 INV1之輸出維持於η位準且維持開關$稱於導通狀態,並 且第2反向器INV2之輸出維持於L位準,開關SW5不導通。 因此,適當地測出已除去復位雜訊乂11之電壓Vs。 如前述’並非特別高亮度之像素之情況下,控制電路 4B將相關雙重採樣電路14八之動作控制於普通動作,因 此,測出適當之業已除去復位雜訊Vn之檢測電壓Vs。 14 1222323 於前述實施形態中,藉適當地設計NOR匣之閾值位準 Vth,可使藉控制電路14B控制之控制位準最合適化。因此, 利用使該控制電路14 B之閾值位準可自由變更,可變更相關 雙重採樣動作之賦能與去能之邊界點。 5 第7圖係顯示第2實施形態中之採樣保持電路之圖。相 關雙重採樣電路14A係與第4圖之實施形態相同。第2實施形 態之形態中,於控制電路14B中係設置比較器CMp替代第4 圖之NOR匣,且比較器之輸出係供給至第1反向器。且,比 較器CMP係藉開關S W6使與像素電位Vp相比較之閾值位準 1〇可變更為Vthl、Vth2( < Vthl)任一者。開關sW6係藉由可人 工操作之外部端子或圖未示之内部電路自動控制之控制信 號CON切換。 例如,影像内包含有太陽等局部高亮度之影像時,選 擇較高之閾值位準Vthl。隨之,於復位雜訊讀出期間以像 15素電位Vp超越閾值位準Vthl並降低時,第2採樣保持時之檢 測位準成為復位電壓VR,與第5圖同一動作。 另外,影像内未包含局部極高亮度之影像時,選擇普 通且較低之閾值位準Vth2。隨之,於復位雜訊讀出時間^ 像素電位Vp沒有超越難位準糧2讀;兄下,第2採樣保持 2〇時之檢测位準成為復位雜訊,與第6圖同一動作。 如前述,利用使閾值位準可自由變更,可得到業已對 應攝取之影像且最適當化之輸出影像。 、 亦可由來自攝取影像之受光光量自動地設定前述閾值 位準之變更設定。例如,於一幢期間累積測出之像素信號 15 1222323 位準,並測出像素之明亮度,控制連接輸出匯流排0BUS 之放大器AMP之增益。係於暗影像時提昇增益,且亮影像 時降低增益等之控制。且,於僅放大器之增益控制不完全 時,調整積分期間之長度。如此之控制係藉設置於輸出匯 5流排之放大器AMP之輸出側之A/D轉換電路之輸出側之自 動增益控制電路進行。 因此,一例,控制積分期間為較長之第丨期間時,受光 光量本身沒有較多,因此,將閾值位準Vth設定為高,且提 南相關雙重採樣之去能機能之感度,使局部高亮度之影像 10之晝質不降低。又,控制積分期間為較短之第2期間時,受 光光塁本身增夕’因此,設定閾值位準為低,且降低同 感度,並僅針對極高亮度之影像發揮去能機能,使畫質不 降低。 15 20
而閾值位準Vthl、Vth2亦可藉人工設定成可變化 觀察輸出影像之使用者為了提昇畫f,可利用人工1 疋變更來提供更高晝質之輸出影像。 以上,匯總實施形態例,係如下之附記。 (附記1)-種影像感測器,係、用以攝取影像者,其獅 ^於包合有錄像素及抽樣保持電路,前述多數像素係酉 方向上’且具有對應受光光量產生電流之光電奉 件,與使該光電轉換元件之節點復位至復位電位之潜 前述抽樣保持電路係用以抽樣, 電路係將㈣像素於第!復位動作後之積分期間結 16 1222323 第1像素電位與前述積分期間後之第2復位動作後之復位雜 位之差電位作為像素信號 之二述像辛心,保持電路於前述復位雜訊讀出期間中 預=基準2超過預定闊值位準時,使前述像素電位為 位係亀,㈣崎之基準電 準其中前麵定之閣值位 附屺⑷如附記3之影像感測器,其 準係齡來自攝取影像之受光光量作變更設定間值位 附5己(5)-種影像感測器,係用以攝取影像者,其特 15 置於象素及柚樣保持電路’前述多數像素係配 Π:且具有對應受光光量產生電流之光電轉 、凡〜使錢f轉換元件之節點復位至復位電位之復 位電晶體,而前述抽樣保持電路係用以抽樣伴持對庫^ =:=r作後―結束時之 2〇雜訊期間讀出杜束時刀月間後之第2设位動作後之復位 信_’:',。=:像素電位之第1電位差作為像素 17 5 附記⑹如附記5之影 準可變更衫❹數轉。 ,、巾_心之閾值位 附。己(7)如附記5之影像感測器,其 準係配合來自録影叙受衫量作技衫 =⑻-種影像感測器’仙以攝取影像者,其特徵 、W有多數像纽抽樣保持電路 置於行列方向上,且具有對應受光光量產生;== 換儿件’與使該光電轉換元件之節點復位至復 位電晶體’而前述抽樣保持電路係用以抽樣 10 15 之對應前述節點之電位之像素電位者,且,前述抽^= 電路係將“像麵第1復位動作後之積分_結束時 第1像素電位與於前述積分期間後之第2復位動作後之^ 雜訊讀出期間結束時之第2像素電位之差電位作為像= 猇輸出,且,該影像感測器更具有控制電路,該控制電= 係於前述復位雜訊讀出期間中,檢測前述像素電位是否= 過預定閾值位準,並使前述第2像素電位為復位電位。° (附記9)如附記8之影像感測器,其中前述預定之閾值位 準町變更設定成多數位準。 免 (附記10)如附記8之影像感測器,其中前述預定之閾值 2〇位準係配合來自攝取影像之受光光量作變更設定。* 發明效果 以上,依據本發明,於影像感測器中可使局部地具有 高亮度之影像之畫質提昇。 t圓式簡單說明】 18 1222323 影像感測器之像
第1圖係顯示本實施形態中之CM0S 素陣列結構之圖。 圖 第2圖係顯示習知採樣保持電路之圖。==示採樣保持電路之動作之信號波形 係‘私本實卿態中之採樣保持電路之^ 第5圖係顯林實施形態中之採樣保持電路之動作 圖 圖 之 第6圖係顯示本實施形態中之採樣保持電路之另 作例之圖。 10 動 第7圖係顯示第2實施形態中之採樣保持電路之圖 【圖式之主要元件代表符號表】 10···像素陣列 11…设位控制電路,電流源 12…垂直知描移位暫存器 14…採樣保持電路 14A…相關雙重採樣電路 14B…控制電路 16…水平掃描移位暫存器 AMP··.放大器 AMP1··.第1放大器 AMP2...第2放大器 CS1〜CS4···電晶體 C1…第1採樣保持電容器 C2…第2採樣保持電容器 19 CS…列匣 CMP…比較器 CON...控制信號 CL1〜4...列線 D1...光二極體 EN...賦能信號 Hscan...水平掃描信號 INV1…第1反向器 INV2…第2反向器 Ml...復位用電晶體 M2...源輸出電晶體 M3...選擇電晶體 NOR· "NOR 匣 OBUS...共通輸出匯流排 PX11〜PX44…像素 PD...光二極體 INV1,INV2...反向器 II...電流源 RST1〜4…復位控制線 SW4,SW5...開關 SW1...第1開關 SAV2…第2開關 SLCT0〜4...行選擇線 T1...復位期間 1222323 T2,T3...積分期間 Τ4...復位雜訊讀出期間 VPD...陰極電壓 VREF...基準電壓 VC1,VC2.··節點電壓 Vp...像素電位 VPD...陰極電壓 Vth...閾值位準 Vn...復位雜訊 Vscan...垂直掃描信號 VCLK...垂直掃描時脈 Vp···像素電位 VR...復位電源線,電容器,復位電壓
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Claims (1)

1222323 拾、申請專利範園·· l :種影像感測n,係用以攝取影像者,其特徵在於包含 5 夕數像素,餘置騎财向上,且具 f置產生電流之光電轉換元件,與使該光電轉換:= 即點復位至復位電位之復位電晶體,·及 、兀 述節=_路,係用以抽樣保持對應前述像素之前 这即點之電位之像素電位者, 10 前述純_祕係㈣鱗細 =r時之第1像素電位與前述積分: 復位動作後之復位雜訊讀出期間結 電位之差電位作為像素信號輸出,且第= 路於前述復位雜訊讀出期間中之前述像素電位超過】 15 定間值位準時,使前述像素電位為預定之基準電位。 2·如申請專㈣圍第1項之影像感測器,其中前述預定之 基準電位係前述復位電位。 3.如申請專利範圍第i項之影像感㈣,其中前述預定之 閾值位準可變更設定成多數位準。 20 (如申請專職圍第3項之影像_器,其中前述預定之 閾值位準係配合來自攝取影像之受光光量作變更設定。 5.-種影像感測器,係用以攝取影像者,其特徵在於包含 有: 多數像素,係配置於行列方向上,且具有對應受光 光量產生電流之光電轉換元件,與使該光電轉換元件之 22 1222323 ίο 6. 即點復位至復位電位之復位電晶體;及 抽樣保持電路,制以抽樣保 述節點之電位之像素電位者, 應則迷像素之前 前述抽樣婦電路係將前述像素於^復位動作後 之積分_結束時之第!像素電㈣ 素之電第㈣1—-時之 為像素信號輪“,前述抽樣 位超過預定之間值位準時, 讀素電 復位時之像素電位之第2差電位=1=電位與第1 也冰士 督代别逑第1差雷位作 為像素信號輸出。 3影像感測器’係用以攝取影像者,其特徵在於:包
15 20 光量==配置於行列方向上,且具有對應受光ΐ==Γ轉換元件,與使該光電轉換元件之 即點復位至设位電位之復位電晶體;及 抽樣保持電路,传用4 述節點之電紅像素心者樣保騎鱗素之對應前 之積==電路係將前述像素於第1復位動作後 之第隸 素電位與於前述積分期間後 * 〗之设位雜訊讀出期間結束時之第2像 素電位之差f位料料㈣ 更具有控制電路,該控 I像感如 間中,檢、>ί#Γ、+、# I 係於則述復位雜訊讀出期 檢·述像素電位是否超過預定間值位準,並使
23 1222323 前述第2像素電位為復位電位。
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