TW594178B - Liquid crystal display device - Google Patents

Description

594178 玖 '發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本秦月與顯示裝置有關’特別與液晶顯示裝置有關。 【先前技術】 於王動矩陣型液晶顯示裝置，例如在夾持液晶層之一對 中之邊基板具備複數掃描信號線路，及與複數之掃 4號泉路交又之複數影像信號線路，及配置成矩陣狀之 複數像素。而複數像素之各個像素則具備被掃描信號線路 !區動之開關元件，及經由開關元件由影像信號線路供給影 像仏唬之像素電極。在一對基板中之另一邊基板則形成相 對電極’此相對電極與像素電極之間發生之電場，驅動液 晶以控制通過液晶層之光線狀態，進行畫像之顯示。 液晶顯示裝置因屬非自發光型顯示裝置，故使用補助光 源裝置由液晶顯示面板外部取光。其一例己知，如配置背 ”、、光元員示面板方（觀察者方）之反面方，由反面照射液晶顯 不面板0 此時 R照光如由相鄰之像素電極之空隙部分漏光而被 觀察者看到時對比減低，畫質變差。 又’在影像信號線與像素電極之間發生寄生電容。如此 寄生電容大時會顯現縱向串訊（又稱縱向拖影以下統稱縱向 拖影），對畫質會發生影響。此縱向拖影即指當背景以中間 色調顯示下顯示白顯示窗或黑顯示窗時，在視窗上下方（縱 万向背景部分之中間色調顯示位準向白顯示方或黑顯示 方偏移使與無視窗之背景部分之顏色不同之現象。 86033 594178 解決此問題之先前技術，如日本專利··特開2〇〇卜209041 號公報（以下簡稱、先前技術1)、特開2〇〇2_15i699號公報 (以下簡稱、先前技術2)。 圖1 5為說明先前技術丨之概略構成之像素部分之平面圖 。又圖16為圖15之E-E，線之剖面圖。又圖15及圖16，為使先 前技術1之概略構成容易瞭解而將構成要素之一部分省略 或變更以簡化。 於圖15，影像信號線路（資料線路）DL具有一部分與像素 電極ρχ重疊之部分。但影像信號線路dl‘e_e，線部位有寬 度變窄之狹寬部，此處如圖16所示與像素電極ρχ未重疊。 由此，可減低經由第2絕緣膜ΙΝ2發生於影像信號線路〇乙與 像素電極ΡΧ間之寄生電容。 但，僅如此則由像素電極？乂與影像信號線路DLi空隙發 生漏光，因此在影像信號線路1^之狹寬部下層經由第！絕緣 膜IN1形成遮光膜SLD。將遮光膜SLD與像素電極重疊結 果，可遮止由基板SUB1背面射入之背照光光線。 又太先則技術1，遮光膜SLD由與形成存儲電容用存儲線 STL(電客線路）相同材料形成外，同時互相以電絕緣。又， GT為閘極，GL為掃描信號線路（掃描線路）。 圖Π為說明先前技術2之概略構成之像素部分之平面圖 。此圖17亦為使先前技術2之概略構成容易瞭解而將構成要 :之-部分省略或變更以簡化。又與圖15相對應之構成賦 予相同之元件符號，並省略重複說明。 比較圖1 7與圖1 5，除影像信號線路DL較粗，及像素電極 86033 594178 PX形狀不同外，基本上與先前技術1相同。圖17iF_F，線之 剖面圖與圖1 6相同故省略說明。

最大之不同點為，與影像信號線路DL重疊之遮光膜SLD 與存儲線STL —體形成。因此，於先前技術1之遮光膜SLD 為漂移電位’但先前技術2之遮光膜SLD與存儲線為同一電 位。 但於先前技術1及先前技術2，有下述之問題存在。 於先前技術1，因遮光膜SLD之電位漂移，而導致不同於 縱向拖於之另外之畫質劣化。於先前技術1，因遮光膜;§ld 為漂移電位故伴隨影像信號線路DL電位之變動而遮光膜 SLD電位亦變動，但例如受靜電影響等而複數遮光膜31^1)中 之僅一邵分遮光膜SLD與影像信號線路dl電位之變動無關 而其電位急劇變動時，與此對應之部分像素電極？)(之電位 亦受此變動之影響。其結果，有時變成與周圍顯示之色調 顯著不同之顯示，使畫質變劣。 於先前技術2,因遮光膜SLD與存儲線STL維持在同一電

4吕號線路時負載增大之結果，發生 ，或因 使供給影像信號以驅動影像 發生消耗電力之增加，或因 波形失真發生畫質劣化。 本僉明之目的在於提供畫質良好之顯示裝置。 【發明内容】 為達成此目的，於本發明 經由絕緣膜在與影像信號線 86033 594178 路部分重疊之位置並沿影像信號線路設置導電層時，將此 導電層與影像信號線路以電連接。 以下列述本發明之構成之一例。 (1 )、一種液晶顯示裝置，其特徵為：在夹持液晶層之一 對基板中之一邊基板具備複數影像信號線路及由配置成矩 陣狀之影像信號線路供給影像信號之複數像素電極；其中 如述之^一邊基板’在與前述影像信5虎線路部分重疊位置， 具備經由絕緣膜設置之複數導電層，前述之各個導電層與 前述影像信號線路以電連接。 (2) 、於如述（1)中’在前述一邊基板之前述液晶層之反面 方具備背照光， 前述導電層可防止由2個相鄰之前述像素電極之空隙漏 出前述背照光光線。 (3) 、於前述（1)或（2)中，前述各導電層經由設置於前述絕 緣膜之接觸孔在1處與前述影像信號線路以電連接。 (4)、於前述（1)或（2)中，前述各導電層經由設置於前述絕 緣膜之接觸孔在2處以上與前述影像信號線路以電連接。 掃描信號線路交又之複數影像信號線路 ,(5)、一種液晶顯示裝置，其特徵為：在爽持液晶層之— =基板中d基板具備複數掃描信I線路、與前述複數 複數像素；

、·一〜…义叫丨燜几？r田哥 、配置成矩陣狀之 像信號之像素電極； 則逑掃描信號線路驅動之 哥述影像信號線路供給爭 86033 594178 前述一邊基板，在與前述影像信號線路部分重疊位置， 且較則迷衫像信號線路更靠近前述一邊基板方具備經由絕 緣膜设置之不透明導電層； 前述各不透明導電層，具有較前述影像信號線路寬度更 寬之部分，同時與將前述影像信號線路夾在中間之2個相鄰 像素&像素電極之雙方重疊一部分，且前述各不透明導電 層與前述影像信號線路以電連接。 (6) 、於前述（5)中，前述各不透明導電層經由設置於前述 矣巴緣膜 < 接觸孔在丨處與前述影像信號線路以電連接。 (7) 、於前述（5)中，前述各不透明導電層經由設置於前述 絕緣膜义接觸孔在2處以上與前述影像信號線路以電連接。 (8) 於如述（5)至（7)之任一中，前述影像信號線路與前述 不透明導電層經由設置於前述絕緣膜之接觸孔以電連接， 同時於前述接觸孔部分，前述影像信號線路之寬度較其餘 部分之寬度較寬。 (9) 、於前述（5)至（8)之任一中，前述影像信號線路，至少 在其一部分具有其寬度與將前述影像信號線路夾在中間之 2個相鄰像素之像素電極雙方之空隙相等或較窄之部分。 (10) 、於^述（5)至（9)之任一中，前述不透明導電層與前 述像素電極重疊部分之面積，大於前述影像信號線路與前 述像素電極重疊部分之面積。 (U)、於前述（5)至（1〇)之任/中，前述不透明導電層與前 ^知也^號線路由同一材料形成。 (12)、於前述（5)至（U)之任一中，前述像素具有形成存儲 86033 -10 - 594178 而前述不透明導電層與前述電容 電容用之複數電容線路 線路由同一材料形成。 前述（5)至（12)之任"'中，前述不透明導電層與前 L目）像素之間分別對應而互相以獨立圖案形成。 極（。14)、於前述（5)至（13)之任—中，前述像素電極為透明電 /15)、於前述（5)至（13)之任—中，前述像素電極為反射電 〇6)、於前述（5)至（13)之任—中，前述像素電極為反射電 極，前各像素由♦明電極形&並具備施加前述影像信號 之第2像素電極。 " (17) 、於前述（16)，前述不透明導電層形成於與前述第2 像素電極不重疊之位置。 (18) 、於前述（16)或（17)中，在光透射區域之前述透明電 極與在光反射區域之前述反射電極之間設有階差，在光透 射區域之前述液晶層厚度較在光反射區域之前述液晶層厚 度為大。 U9)、於前述（5)至（18)之任一中，由前述不透明導電層至 前述像素電極以對前述基板呈垂直方向測量之距離，大於 由前述影像信號線路至前述像素電極以對前述基板呈垂直 方向測量之距離。 (20)、於前述（5)至（19)之任一中，其係具備背照光。 又，本發明不受以上構成之限定，在不脫離本發明之技 術性思想之範圍内可進行適當之變更。 -11 - 86033 594178 【實施方式】 以下參照所附圖式說明本發明之實施形態。 [第1實施例] 圖1為在本發明之液晶顯示裝置之第1實施例中表示像素 概略構成之一例之平面圖。圖2為圖1A - A，線之剖面圖。 如圖1及圖2所示，本實施例之液晶顯示裝置，在夾持未 示圖中之液晶層LC之一對基板中之一邊基板SUB1上，具備 複數影像信號線路DL、及由配置成矩陣狀影像信號線路DL 供給影像信號之複數像素電極ρχ。基板SUB 1以使用玻璃基 板或塑膠基板等絕緣性透明材料較好。一對基板中之另一 邊基板即未圖示之相對基板SUB2亦相同。又像素電極PX， 可使用如IT〇（Indium Tin Oxide、氧化銦鍚）等透明電極。 然後’在與必像k號線路D L部分重疊之位置，經由絕緣 膜IN 1，設置複數之導電層。此導電層由不透明材料形成， 具有當做遮光膜之功能。圖中以元件符號SLD表示，此後將 此導電層稱為遮光膜SLD。 而各個遮光膜SLD與影像信號線路DL以電連接。 如此’在與影像#號線路D L邵分重疊之位置經由絕緣膜 IN1沿影像信號線路DL設置導電層（遮光膜SLD)時，以電連 接此導電層（遮光膜SLD)與影像信號線路dl之結果，除防止 導電層成為漂移電位外，同時以未與影像信號線路dl成為 不同電位之結果，可減低如先前技術2之驅動影像信號線路 DL時負載之增大或波形之失真。依此，可獲得畫質良好之 顯示。 86033 -12- 594178 又於本實施例，以使用設置於絕緣膜ini之接觸孔以 電連接，當做以電連接方法之一例。於本實施例各遮光膜 SLD在1處連接。 又如遮光膜SLD與掃描信號線路（}1^由同一材料形成時， 兩者能夠同時形成故勿需增加製程數。又閘極〇丁亦可與掃 描信號線路GL同時形成。 糸本貫知例，像素具有為形成存儲電容Cstg(未示圖中） 之複數存儲線STL。如遮光膜SLD與存儲線STL由同一材料 形成時，兩者能夠同時形成故勿需增加製程數。又使用存 儲線STL形成存儲電容〇卬亦可能利用前段之掃描信號線 路GL形成附加電容Cadd來替代，則存儲線stl不一定為必 須。 遮光膜SLD、掃描信號線路GL、及存儲線5丁乙3者亦可由 同一材料同時形成。 又遮光膜SLD與掃描信號線路（^或存儲線STL等同時形 成時不能越過此等配線，故複數之遮光膜SLD與相鄰之2個 像素之間分別對應而以互相獨立之模式形成。 配置成矩陣狀之複數像素之各像素，具備被掃描信號線 路GL驅動之開關元件（未示圖中）、及經由此開關元件自影 像信號線路DL供給影像信號之像素電極ρχ。開關元件例如 可使用薄膜電晶體（丁FT : 丁hln Fllm Transist〇r)等。 在此，影像信號線路[)1^之寬度W1，至少在其一部分最好 具有與將影像信號線路DL夾在中間之2個相鄰像素之像素 電極ρχ雙方之空隙相等或較窄之寬度之部位。如此則如圖2 86033 -13 - 594178 <L1所示與像素電極PX不重疊之結果，由影像信號線路DL 與像素電極ρχ及其間之第2絕緣膜IN2所形成之寄生電容減 低’而如後述縱向拖影亦減少。 但’僅如此則背照光BL(未示圖中）由l 1部位漏光，因此 使遮光膜SLD之寬度W2較寬於影像信號線路dl之寬度W1 ’如圖2之L2所示將影像信號線路dl夾在中間之2個相鄭像 素 < 像素電極ρχ雙方重疊一部分。如此，遮光膜SLD防止 背照光BL由2個相鄰之像素電極ρχ之空隙漏光。 又因遮光膜SLD與影像信號線路dl以電連接，故在與像 素電極ρχ之間發生寄生電容。但遮光膜SLD經由影像信號 線路DL與絕緣膜IN1而形成於基板SUB1方，故絕緣膜之合 计膜厚度較景> 像信號線路DL為厚。亦即，在與像素電極ρχ 重@之區域由遮光膜SLD至像素電極ρχ以對基板SUB1呈垂 直万向測量之距離較大於由影像信號線路DL至像素電極 PX以對基板SUB1呈垂直方向測量之距離。依此，由於至像 素電極PX之距離較影像信號線路DL為遠故寄生電容可小。 如此，依據本發明可提供畫質良好之顯示裝置。 [第2實施例] 圖3為在本發明之液晶顯示裝置之第2實施例中表示像素 之概略構成之一例之平面圖。圖4為圖3B_B，線之剖面圖。 於本實施例與先前說明之其他實施例共同之部分賦予同一 元件付號並省略重複說明。 本實施例基本上與第1實施例相同。與第1實施例不同點 為將像素之構造作成所謂部分透射型。各像素在其像素區 86033 -14- 594178 域中具有反射區域與透射區域（透射區域光透射區域）。反射 區域之像素電極形成為反射電極PXR，反射由對面基板 SUB2方射入之光線以進行顯示。另一方面，在透射區域形 成透明電極PXT，當做供給影像信號之第2像素電極，並於 反射電極PXR設置如開口 0P1而使透明電極PXT成為光學性 露出之構造。並透射由基板SUB1方射入之背照光BL之光線 以進行顯示。 圖4表示形成第2絕緣膜IN2後，形成透明電極PXT及第3 絕緣膜IN3，並在其上方形成反射電極PXR之構造之一例。 第3絕緣膜IN3在透射區域形成開口 0P2使透射區域與反射 區域設定階差而使透射區域液晶層LC之厚度dt大於反射區 域液晶層LC之厚度dr。此乃為調整透射區域與反射區域之 光程長長度使兩者之光學特性接近。 又於本實施例，將第2像素電極之透明電極PXT與遮光膜 SLD如圖4之L3所示成為不重疊之位置。依此可減低寄生電 容。 於本實施例，與第1實施例之像素電極PX相對應者為反射 電極PXR。但不限於此構造，例如適當變更構造使與第1實 施例之像素電極PX相對應者為透明電極PXT亦可。 又，圖4亦表示對向基板SUB2之構造之一例。在對向基板 SUB2上形成濾色鏡F1L、平坦化膜〇C、對向電極CT。對向 電極CT供給常用電位Vcom。此等構造在第1實施例等其他 實施例亦相同。又另外亦設置配向膜、偏振光板，但省略 圖示。又此等僅為一例，因應需要可適當變更。 86033 -15- 594178 [第3實施例] 圖5為在本發明之液晶顯示裝置之第3實施例中表示像素 <概略構成之一例之平面圖。於本實施例與先前說明之其 他實施例共同之部分賦予同一元件符號並省略重複說明。 基本構成與實施例1相同，但不同之點為於本實施例使用 2個接觸孔CH1將影像信號線路DL與各導電層（遮光膜SLD) 在2處連接。由此，影像信號線路〇1^與遮光膜SLD並聯連接 而有減低電阻之效果。又發生部分斷路時亦能形成旁通而 能進行顯示之效果。為達成此等效果其連接處如圖5所示應 儘量靠近遮光膜SLD末端附近且互相遠離之位置較好。 又不/、連接2處而連接3處以上亦可。又亦可應用於第2實 施例。 [縱向拖影之發生及減低之原理] 圖6為表示發生縱向拖影之顯示畫面之—例。圖7為像素 之等效電路圖。圖8為說明發生縱向拖影區域之波形信號之 波形圖。圖9為說明未發生縱向播•被 个放王限π把〜E域又波形信號之波形 圖。 於圖6表示，將顯示區域AR1、AR3之背景為同一位準之 :間色碉顯示’而顯示區域AR2則顯示長方形狀白顯示視 二例。本來顯示區域AR1、如應成為相同之中間色調 =Γ:區域如上下向(縱方向)之顯示區域A- 向拖影。 丰万漂移。此即縱 如圖7所示，在像素之等效電路經由被掃插信號線路见之 86033 -16 - 掃描信號驅動之開關元件即薄膜電晶體TFT將影像信號自 影像信號線路DL寫入像素電極PX(未示圖中）。在像素電極 PX與對向電極CT之間經由液晶層LC形成液晶電容Clc。又 於像素電極PX與存儲線STL之間則連接存儲電容Cstg，可較 長期維持寫入影像信號之電壓。又在像素電極PX與影像信 號線路DL之間形成寄生電容Cds。 於圖8，橫座標軸為時間t，縱座標軸為電位V。又在此所 示之波形圖每1幀期FL對影像信號常用電位Vcom進行反轉 極性之交流化。著眼於發生縱向拖影之顯示區域AR3之特定 像素時，該行之掃描信號線路電位VGL在每1幀期FL被施加 掃描信號之選擇位準。對向電極CT則被施加一定之常用電 位Vcom。起初，影像信號線路電位VDL以影像信號成為某 一中間色調電位，而薄膜電晶體TFT與掃描信號同步成為開 通狀態時，其特定像素之像素電極電位VPX追隨影像信號線 路電位VDL，當掃描信號終止而薄膜電晶體TFT關閉時像素 電極PX則欲維持該電位。 但，依序進行掃描而來到顯示區域AR2之掃描時，影像信 號線路電位VDL改變為白顯示位準之電位。此時，由於寄生 電容Cds先前之特定像素之像素電極電位VPX亦被導致改變 。由此，發生縱向拖影。 另一方面，如圖9所示，於顯示區域AR1之1幀期間FL中， 影像信號線路電位VDL無改變故像素電極電位VPX亦無改 變。 在此，如像素電極電位VPX與影像信號線路電位VDL之差 86033 -17- 594178 為vt時’因縱向拖影之電壓變動位 卞可以下式表 Δ V = Cds/(Cstg + Clc + Cds)XVt 因此，欲減小電壓變動位準△ V時可a，+ ^ J减小寄生電容Cds， 或增大（存儲電容Cstg +液晶電容cic)即可。 提高面板精細度時，像素尺寸變小， 左綠雨a , 、 因此在像素中形成 诸包谷Cstg或液晶電容ci c之面積受限制 形m β 又隈制。於是，在此情 y下應用本發明使寄生電容Cds變小為有效。 開關元件薄膜電晶體TFT之半導體層使用多結晶碎時可 能而精細化’ A時為減少縱向拖影適合應用本發明… 不限於此，半導體層使用無定形碎時亦可應用本發明/'、 [第4實施例] 圖10為於本發明之液晶顯示裝置之第4實施例之丁F 丁基板 王體概略構成之示意圖。 在夾持液晶層LC之一對基板中之一邊基板SUB1，具備複 數掃描信號線路GL、及與複數掃描信號線路（}1^交又之複數 p像L號、’泉路D L、及在顯示區域AR配置成矩陣狀之複數像 素（未圖中）。為形成存儲電容Cstg之存儲線3丁乙亦有形成 並施加常用電位V c 〇 πι。 掃描信號線路GL連接施加掃描信號之掃描信號驅動電路 GDR ’進行依序掃描。影像信號線路DL則連接施加影像信 號之影像信號驅動電路DDR。 掃描信號驅動電路GDR及影像信號驅動電路DDR之一方 或雙方’與使用多結晶矽之薄膜電晶體TFT在像素之薄膜電 晶體TFT形成製程同時直接形成於基板SUB1上而可能成為 86033 -18- 594178 周邊電路内藏型液晶顯示裝置。不限於此，可以半導體集 成電路晶片形態供給，而直接安裝於基板SUB1上，亦可用 可撓性印刷基板（FPC)或磁帶盒（TPC)連接。 [弟5實施例] 圖11為本發明之液晶顯示裝置之第5實施例之全體概略構 成之示意圖。 於圖11，基板SUB1與對向基板SUB2夾持液晶層LC以密封 材料SL貼合。又於基板SUB1與液晶層LC之反面設置背照光 B L ’由反面方（觀察者之反面方）照射液晶顯示面板。 於本實施例，表示使用部分透射型液晶顯示裝置之例， 反射由對向基板SUB2方射入之光線進行顯示亦可能。又不 限於此，亦可應用於透射型液晶顯示裝置。 [第6實施例] 圖1 2為在本發明之液晶顯示裝置之第6實施例中表示像 素之概略構成之一例之平面圖。圖1 3為圖12 c _ c，線之剖面 圖。圖1 4為圖1 2D _ D’線之剖面圖。於本實施例與先前說明 <其他實施例共同之部分賦予同一元件符號並省略重複說 明。 於圖1 2與其他實施例不同之點為影像信號線路dl之宽 度不是一定之寬度。尤其在與遮光膜SLD進行電連接之接 觸孔CH1部位，影像信號線路！^之寬度較其他部分為寬。 此乃為確保連接面積，及考慮併合不整齊等以進行確實之 連接。 此時因影像信號線路DL與像素電極ρχ(於本例為反射電 86033 -19 - 594178 極PXR)間之寄生電容Cds增加，連接處所以儘量少較好，故 作成在1處連接之構造。 由減低寄生電容Cds之觀點，遮光膜SLD與像素電極PX (反射電極PXR)重疊部分之面積，最好大於影像信號線路DL 與像素電極PX(反射電極PXR)重疊部分之面積。 又於無遮光膜SLD之部分，將影像信號線路DL之寬度加 寬而與像素電極PX (反射電極PXR)重疊以進行遮光。 其次說明使用為像素開關元件之一例之薄膜電晶體丁FT 構造。並以使用多結晶矽為薄膜電晶體TF丁之半導體層時為 例說明。 在半導體層之上經由閘絕緣膜GI形成閘極GT。閘極下之 半導體層成為通道區域PSC。又摻入雜質於半導體層而形成 汲極區域SD1與源極區域SD2。又於閘極GT末端附近形成摻 入較汲極區域SD1與源極區域SD2低濃度雜質之 LDD(Lightly Doped Drain)區域LDD。替代此種構造，亦可 形成與通道區域PSC相同狀態之偏離區域。第1絕緣膜IN1 則覆蓋上述各元件。在汲極區域SD1經由接觸孔CH2連接與 影像信號線路DL成為一體之汲極SD3。又在源極區域SD2經 由接觸孔CH3連接源極SD4。第2絕緣膜IN2則覆蓋上述各元 件。其上形成透明電極PXT，經由接觸孔CH4連接源極SD4 。其上則形成第3絕緣膜IN3。再其上形成反射電極PXR。又 ，反射電極PXR在設置於第3絕緣膜IN3之開口 0P2中與透明 電極PXT連接。但不限於此種構成，可形成另一接觸孔而與 透明電極PXT或源極SD4連接之構成亦可。 86033 -20- 594178 又於圖14,存儲線STL在與電容電極psE之間、及與源極 SD4之間、及與透明電極ρχτ之間形成存儲電容cstg。又電 容電極PSE為以摻入雜質賦予導電性之半導體層，與源極= 域SD2成為一體。存儲電容Cstg之構造除本實施例之構造外 亦有各種方法，可適當變更。 又以上5主明之第1至第6實施例之特徵為，只要不發生 矛盾可與其他]個以上之實施例互相組合。 如上說明，依據本發明，可獲得畫質良好之顯示裝置。 【圖式簡單說明】 圖1為在本發明之液晶顯示裝置之第1實施例中表示像素 之概略構成之一例之平面圖。 圖2為圖1A - Α’線之剖面圖。 圖3為在本發明之液晶顯示裝置之第2實施例中表示像素 之概略構成之一例之平面圖。 圖4為圖3 B - B ’線之剖面圖。 圖5為在本發明之液晶顯示裝置之第3實施例中表示像素 之概略構成之一例之平面圖。 圖6為表示發生縱向拖影之顯示畫面之一例。 圖7為像素之等效電路圖。 圖8為說明發生縱向拖影區域之波形信號之波形圖。 圖9為說明未發生縱向拖影區域之波形信號之波形圖。 圖10為於本發明之液晶顯示裝置之第4實施例之丁FT基板 全體概略構成之示意圖。 圖11於本發明之液晶顯示裝置之第5實施例之全體概略構 86033 * 21 - 594178 成之不意圖。 圖1 2為在本發明之液晶顯示裝置之第6實施例中表示像 素之概略構成之一例之平面圖。 圖13為圖12C - C’線之剖面圖。 圖14為圖12D-D’線之剖面圖。 圖15為說明先前技術1之概略構成之像素部分之平面圖。 圖16為圖15E - E’線之剖面圖。 圖17為說明先前技術2之概略構成之像素部分之平面圖。 【圖式元件符號說明】 LC 液晶層 SUB1 、 2 基板 DL 影像信號線路 PX 像素電極 IN1、2、3 第1、2、3絕緣膜 SLD 導電層 GL 掃描信號線路 GT 閘極 STL 存儲線 W1 影像信號線路之寬度 W2 遮光膜之寬度 PXR 反射電極 PXT 透明電極 〇P1、2 開口 F1L 濾色鏡 〇C 平坦化膜 86033 -22- 594178 CT 對向電極 CHI、2、3 接觸孔 Clc 液晶電容 Cstg 存儲電容 Cds 寄生電容 AR1、2、3 顯示區域 FL 幀期 Vcom 常用電位 VDL 影像信號線路電位 VPX 像素電極電位 VGL 掃描信號線路電位 GDR 掃描信號驅動電路 DDR 影像信號驅動電路 SL 密封材料 GI 閘絕緣膜 PSC 通道區域 SD1 沒極區域 SD2 源極區域 SD3 汲極 SD4 源極 LDD LDD(Lightly Doped Drain)區域 PSE 電容電極 86033 -23 -

Claims (1)

1. 594178 拾、申請專利範圍： L 一種液晶顯示裝置，其特徵為：在夾持液晶層之一對基 板中之一邊基板具備複數影像信號線路及由配置成矩 陣狀义影像信號線路供給影像信號之複數像素電極；其 中則述之一邊基板，在與前述影像信號線路部分重疊位 置，具備經由絕緣膜設置之複數導電層，前述之各個導 電層與前述影像信號線路以電連接。 2.如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中在前述一 邊基板之前述液晶層之反面方具備背照光， 前述導電層可防止由2個相鄰之前述像素電極之空隙 漏出前述背照光光線。 3 ·如申請專利範圍第丨或2項之液晶顯示裝置，其中前述各 導電層經由設置於前述絕緣膜之接觸孔在丨處與前述影 像信號線路以電連接。 4.如申請專利範圍第1或2項之液晶顯示裝置，其中之前述 各導電層經由設置於前述絕緣膜之接觸孔在2處以上與 前述影像信號線路以電連接。 5 . —種液晶顯示裝置，其特徵為：在夾持液晶層之一對基 板中之一邊基板具備複數掃描信號線路、與前述複數掃 描信號線路交叉之複數影像信號線路、配置成矩陣狀之 複數像素； 前述複數像素之各像素具備由前述掃描信號線路驅 動之開關元件、經由前述開關元件由前述影像信號線路 供給影像信號之像素電極； 86033 594178 前述一邊基板，在與前述影像信號線路部分重疊位置 士且較前述影像信I缘路更#近前述—邊基板方具備經 絶緣膜設置之不透明導電層； 則it各不透明導電層，具有較前述影像信號線路寬度 寬之4刀同時與將前述影像信號線路夾在中間之2 個相鄰像素之像素電極之勢古 又又万重畳一邵分，且前述各不 透明導電層與前述影像信號線路以電連接。 6. 如申請專利範圍第5項乏、治曰％ #变 阁矛/、<履晶顯不裝置，其中前述各不 透明導電層經由設置於前述絕緣膜之接觸孔在！處與前 述影像信號線路以電連接。 7. 如申請專利範圍第5項之液晶顯示裝置，其中前述各不 透明導電層經由設置於前述絕緣膜之接觸孔在2處以上 與前述影像信號線路以電連接。 8. 如申請專利⑥圍第5至7項中任一項之液晶顯示裝置，其 中前述影像信號線路與前述不透明導電層經由設置於 前述絕緣膜之接觸孔以電連接，同時於前述接觸孔部分 ，前述影像信號線路之寬度較其餘部分 9如申請專利範圍第5至7項中任之@日^又又〇 T仕項 < 硬晶顯示裝置，直 中前述影像信號線路，至少在其—部分具 前述影像信號線路央在中間之2個相鄰像素之像素：杯 雙方之空隙相等或較窄之部分。 Μ 10.如申請專利範圍第5至7項中任—項之液晶顯示裝置，龙 中前述不透明導電層與前述像素電極重疊部分之Μ ’大於前述影像信料路與料像素電極重疊部分之面 86033 594178

   θ不土 一項之液晶顯示装置，其 中前述不透明等雷居 亨層與則述知描信號線路由同一材料 形成。 12.如：凊專利範圍第5至7项中任—项之液晶顯示装置，其 中孤述像素具有形成存儲電容用之複數電容線路，而前 述不透明導電層與前述電容線路由同-材料形成。 u.如:請專利範圍第5至7積中任_頁之液晶顯示装置，其 中刖述不透明導電層與前述2個相鄰像素之間分別對應 而互相以獨立圖案形成。 任一項之液晶顯示装置，其 〇 任一項之液晶顯示装置，其 〇 任一項之液晶顯示裝置，其 ’前述各像素由透明電極形 14.如申請專利範圍第5至7項中 中前述像素電極為透明電極 15·如申請專利範圍第5至7項中 中前述像素電極為反射電極 16.如申請專利範圍第5至7項中 中前述像素電極為反射電極 成並具備施加前述影像信號之第2像素電極。 1人如申請專利範圍第16項之液晶顯示裝置%中前述不透 明導電層形成於與前述第2像素電極不重疊之位置。 8.如申叫專利範圍第丨6項之液晶顯示裝置，其中在光透射 區域之前述透明 電極與在光反射區域之前述反射電極 (間叹有階差’在光透射區域之前述液晶層厚度較在光 反射區域之前述液晶層厚度為大。 19.如申請專利範圍第5至7項中任一項之液晶顯示裝置，其 86033 594178 中由前述不透明導電層至前述像素電極以對前述基板 呈垂直方向測量之距離，大於由前述影像信號線路至前 述像素電極以對前述基板呈垂直方向測量之距離。 20.如申請專利範圍第5至7項中任一項之液晶顯示裝置，其 中具備背照光。 86033