TW584867B - Novel microwave-dielectric with super-low-temperature and high reliability and method of preparing the same - Google Patents

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584867 ⑴ 玖、·.發明說明 (發明說明應敘明‘：發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) 一、 發明所屬之技術領域 本發明關於一種可作為微波介電材料之鈦酸鋅 (ZnTi03 )材料系統，藉由在鈦酸鋅材料系統中添加硼 鋅玻璃（即，[(Zn〇）4 · B2〇3])及氧化鉍（Bi203 )，達 到提高可靠度、降低燒結溫度、穩定陶瓷成分比例、穩定 介電特性、提高相分解溫度、改善絕緣電阻及崩潰電壓等 多項優點；另外本發明亦論及上述材料系統之製造方法。 二、 先前技術 為因應現今視聽器材、電腦設備及通訊器材如無線電話 聽筒、行動電話及衛星通訊轉接及接收器等對高頻率、小 尺寸、輕重量之需求，可承載高頻多晶模組之製造技術已 成必須。在製造上述模組之電性迴路中，常應用介電陶瓷 材料於旁路、連結器、共振器及過濾器上，其中，運用低 溫超微波介電材料製造具有高絕緣電阻的低電容之積層 陶瓷電容器尤其重要。該材料常須符合以下要求，包括高 介電常數、低介電損失、高可靠度、高絕緣值（insulation resistance，I.R·)、高機械強度、以及低熱膨脹係數。 傳統上常使用如金、鉑、鈀等貴金屬以製造電容器之内 電極及端電極，亦可使用銀、銀合金、銅、銅合金等價格 較低之物降低成本，尤其具有低歐姆電阻之銀與銀合金 更被廣泛使用。然而，由於銀具相對低之熔點（約9 6 0 °C )， 故需採用低燒結溫度之陶瓷材料，方能與其共燒而應用 之0 -6 - 584867 ⑺ 一般於不添加助燒結劑之狀態下，欲達理想機械強度與 介電性質’必須於1 3 00至1600°c燒結介電材料，業界一般 使用鋇榍石（barnim titamtes)、鎂榍石（magnesmm tltamtes) 及鋇鈣鈦礦（barium perovskites)等材料。但為能與銀一起 燒結，開發可在900°C左右燒結之材料已成必須，如j Am. Ceram· Soc·，8 2 [ 1 1 ] 3043-4 8 (1999)中揭示使用棚於偏钦酸鋅-金紅石（zinc metatitanate-rutile )混合物中；j Am· Ceram. Soc 82[12]3476-80( 1999)揭示使用（Zn，Mg) TiCMC 合物；曰 本專利第243725/1994號揭示以（SrCa)Ti〇3為主體之介電材 料；日本專利第325641/1993號揭示以Ba〇-Ti〇2為主體之介 電材料；美國專利第5,723,395號揭示以丁i〇2-Zn〇為主體的 介電材料；及美國專利第5,866,492號揭示以 ZnTi03-Zn0-Ti02為主體之介電材料。 美國專利第5,723,395號係教示添加B2〇3玻璃或含B2〇3 之玻璃成份至鈦酸鋅（ZnTi03)介電材料系統中，可將鈦酸 鋅介電材料系統之燒結溫度由110CTC降低至90CTC附近，其 亦教示添加氧化錳（MnO )以提高鈦酸鋅材料系統之絕緣 電阻值。依據該案教示，經添加0.1 -1 〇 %之氧化錳可使絕 緣電阻達到10ιι歐姆之程度。此案雖教示使用如 Zn〇-Si〇2-B203與Bi2〇3-ZnO-B2〇3之含B2〇3之玻璃成份的 使用，並未認知使用含ΙΟ;之玻璃成份中ZnO含量之重要 性，更未唭體教示B2〇3與ΖηΟ之比例對材料特性的影響。 美國專利第5,8 66,492號則揭示添加Mg (通常為氧化鎂 Mg〇 )，改善鈦酸鋅介電材料系統的品質因子及提升

O:\72\72066. DOO^SU 584867 (3) 發够説:瞵續頁: ΖηΤι〇3轉換成Ζη2Τι〇4的相分解溫度，氧化鎂建議含量為 0.02mol至0.5mol。然而，由此所提供之介電材料之燒結溫 度仍高達1050至1250°C，尚不符合可與銀共燒之低溫（約 900°C )要求。

業經發現，於鈦酸鋅介電材料系統中使用硼玻璃（Bach ) 或含硼玻璃，常有燒結特性不穩定與產品介電性質不易控 制之問題。本案發明人研究發現，於美國專利第5,723,395 號教示钦酸鋅介電材料系統中，若直接添加B2〇3玻璃，

因B2〇3在燒結時必須先與ZnO反應生成Β203 -Ζπ0化合物 方具助燒結特性，故會改變ZnTi03中鋅/鈦的比例，而使介 電性質改變，又因B2〇3熔點在460 °C附近，當加熱到此溫 度時，部分的B2〇3揮發，使得不易控制於最後助燒結時 B2〇3之量，造成燒結特性的不穩定。此外，於添加含B2〇3 之玻璃成份時，過高之ZnO含量會直接影響主體材料中鋅/ 鈦的比例，過低之ZnO含量則會使該含B2〇3玻璃中過多之 B2〇3會與主體材料中之鋅反應，此亦影響主體材料中鋅/ 鈦的比例，造成介電性質改變。然而，若直接使用具特定 B2〇3/ZnO比例之硼鋅玻璃，非但可降低介電材料之燒結溫 度，且可避免前述介電性質不易控制或燒結特性不穩定之 結果。 此外於鈦酸鋅材料系統燒結時，會形成Zn2Ti〇4相而使 可靠度降4氏，使得長時間使用或於高溫、高壓、高濕度、 高電壓狀態下使用所製成之電子元件時，會因為材料的可 靠度不佳而燒毀。

O:\72\7：0(S6.DOC\6\SU 584867 ⑷ 發瞵説瞒續頁 因此，本發明乃開發一新穎材料系統，其針對鈦酸鋅介 電材料系統添加之燒結助劑加以改良，以期達到穩定燒結 比例組成、穩定介電特性、提高可靠度、降低燒結溫度、 穩定陶瓷成分比例及提高相分解溫度。 三、 發明内容 本發明之目的在於提供一種鈦酸鋅（ZnTi〇3)系統之介電 材料，其包含Z%以重量計之氧化鉍（Bi203)及w%以重量 計之[(Zn〇）4 · B2〇3]，其中 0.1SzS15，且 0.5$w$10, 其具高品質因子、低燒結溫度、穩定之陶瓷成分比例、穩 定之介電特性、高相分解溫度、高絕緣電阻及高崩潰電壓 等多項優點。 本發明之另一目的在於提供一種製備鈦酸鋅（ZnTi03)系 統之介電材料之方法，該介電材料包含Z %以重量計之氧 化鉍（Bi2〇3)及W%以重量計之[(ZnO)4 · B2〇3]，其中0· 1 $ζ^15，且0.5$w$10，該方法包含： (a) 提供一包含鈦酸鋅系統之陶瓷粉末； (b) 製備硼鋅玻璃[(ZnO)4 · B2〇3];及 (c) 混合步騾（a)之陶瓷粉末與步騾（b)之硼鋅玻璃 及Z %以重量計之氧化鉍。 四、 實施方式 本發明係關於一種鈦酸鋅（ΖηΤι〇3)系統之介電材料，其 包含Ζ%喊重量計之氧化鉍（Bi2 03)及w%以重量計之 [(ZnO)4· B2〇3]，其中 0.lSz$15，且 0.5$w^l0。 於本發明中，係先將82〇3與Zn〇反應生成[(ΖηΟ)4·Β2〇3] Ο:\72\7：0ήή (5) 之硼鋅玻璃複合物，再 舟添加至材料主體中。因該B2〇3已 與Ζ η 0先反應形虏屮你丨杜—、_ 成比例特疋二设合物，故於整體主材料燒 結時，並無因Β 〇邊一 步人王材料之ΖηΟ反應或因過多 ΖηΟ而影響材料主妒 眼，、且成 < 情形，也沒有直接使用Β2〇3 而因其揮發所敢之馇社社从τ ， 燒…特性不穩定的缺點，而仍具降低燒 結度之效器。+ , 皿^ 4 ,可提供繞結溫度低至800-960°C之

ZnTi03材料系統。 於本發明材料手統中，a 你本田·典山 …·. s [(Ζη〇）4 · B2〇3]硼鋅破璃複舍 物含里過高，合你、、w在 ， 9 /亚又係數增加，然其含量過低，則使燒 、*，口；m度不易降你。w * 、，必須控制[(ZnO)4 · B2〇3]硼鋅旅 瑪於本發明材料#絲 鋅玻璃之用Λ 較佳地，[(Μ)〆B办]挪 〆日 材料王拉重量百分比0.5至1 〇%之間 (即 ’ 〇·5$ 10) , f , .. 更佳為1至5%之間，最佳為ι〇/〇。 此外，於本發明中，蕻士 # 猎由如氧化鉍（Bi203 )之含鉍化 口；使用，可穩^材料系統中燒結時之Ζητ軸，而抑 制帥〇4相之形成，而大幅提昇H亦可降低材Ρ 燒結溫度'终而’過高之氧化祕用量會不利於材料之品質 因子H於本發明介電材料中，較佳之氧化祕添加量 :約〇.”/。至约15%以重量計’較佳係自約ι%至约⑽以重 :計’更佳為自約1%至約5%以重量計更佳為約5%以重 量計。 :達較嘀之品質因子’本發明可使用氧化鎂作為燒結助 j成為（znxMgl.x)Tl〇3，但過多或過少之鍰含量皆會使品 貝因子下降，故氧化鎂之添加量較佳係使丨^為I]彡

O:\72\710W 0〇a6\SU 584867 (6)

發明説瞵續I 0.3，更佳為0.02$l-x$0.15，最佳l-χ為0.5，亦即x為 0.95 ^ 根據本發明之材料系統，另包含有氧化鈦（Ti〇2)用以調 整材料中之溫度係數，並可提升介電常數及品質因子， 但過高之氧化鈦卻不利於陶瓷密度，其量係相對於每莫 耳之鈥酸鋅，具有y莫耳之氧化致，其中O.l^y^l，較 佳地，y為0.2 5。 本發明另關於一種製備鈦酸鋅（ZnTi03)系統之介電材 料之方法，該介電材料包含Z %以重量計之氧化鉍 (Bi2〇3)及 W% 以重量計之[(ΖηΟ)4· B203]，其中 O.lSzS 15，且0.5$wS10。其中，可使用習知製造陶瓷介電材 料之方式來製備，惟，所採用硼鋅玻璃[(ZnO)4 · B2〇3]必 須於施用前先製得，而非於介電材料之製備過程中當場合 成。一般而言，製備本發明介電材料之方法係包含下列步 騾： (a) 提供一包含鈦酸鋅系統之陶瓷粉末； (b) 製備硼鋅玻璃[(Ζη0)4·Β203];及 (c) 混合步騾（a)之陶瓷粉末與步騾（b)之硼鋅玻璃及 Z %以重量計之氧化鉍。 於步騾（a)中，該陶瓷粉末可經由含所欲金屬物種之各 式化合物如氧化物及碳酸鹽等製備而得，較佳地，於鈥 酸鋅中之-部分鋅係由鎂所取代成為（ZnxMgl.x)Ti03，其 中0.7 $ X S 1。步驟（a)之實施舉例言之，混合可提供所欲 比例之Ζ η Ο與T i〇2及適需要之M g Ο，以濕混方式於水中混 O:\72\7206A. DOC\(WJU -11 - 584867

⑺ 合’研磨製得平均粒徑小於Ο · 5mm之原料粉末，烤乾該粉 末後於700至800°C煅燒4至8小時，視需要地，可再於水中 研磨’經烤乾及研磨後製得平均粒徑〇 7土 Q lmII1之陶资粉 末0 步騾（b)之硼鋅玻璃則可取用適當之含鋅 製備而得。舉例言之，但不限於此例，可取用莫耳比為4 : 1之Zn〇與B2〇3，於水中以濕混方式混合，經烤乾該混合 物後，再於500至700 °C懷燒4至8小時，較佳於60CTC懷燒4 小時，由此形成硼鋅玻璃[(Zn〇)4 · Up視需要地，可 再於水中研磨，經烤乾及研磨後製成聲鋅玻璃粉末。 步騾（c)則係視所欲之…值添加合宜之上述步騾（b)硼鋅 玻璃及Z值 < 氧化鉍（Bi2〇3)至步騾陶瓷粉末中，而提供 本發明介電材料。舉例言之，但不限於此例，可以濕混方 式於水中混合步騾（1))硼鋅玻璃、步騾（a)陶瓷粉末及氧化 鉍，隨後烤乾該混合物，再經研磨後製得本發明介電材料。 舉例言之，可自43·139克之Zn0、55 73 6克之T102、i 125 克I Mgo、5·0克之Bi2〇3及i克之· B2〇3]製得 (〇.95Mf〇 0))Tl〇3系統、相對於每莫耳之（zn。95Mg〇。5)丁1〇3 八 莫耳之Tl〇2、1%以重量計之[(ΖηΟ)4 · b203]及5%以 重量計之Bi2〇3。 本發月j見材料粉末可與合適量之pvA (聚乙烯醇）、 PEG。（塑㈣j)、分離劑與潤濕劑混合形成可於低溫（如 _C )燒結之漿料，製得陶资體。特定言之，本發明之 %材料可與導電體（銀、銀合金、銅及銅合金等導電金

〇A72\71〇66.D〇a<5WiU -12 - 584867 (8) 發_説觸螓賓 :;注纖_灘:猶 屬）一起共燒’而製造積層電容器（multilayer chip capacitor)、 溫度補 4員电谷器（temperature compensating capacitor)、LC 遽 波器中之電容元件及介電濾波器。該低電容之積層陶瓷電 容器包含陶瓷材料部分、内電極及與内電極連結之端電 極°其中’本發明之介電材料即應用於陶瓷材料部分，其 係由本發明介電材料所得之漿料以刮刀成型製得 20-30 μπι之陶瓷膜，再以銀、銀合金、銅及銅合金等導電 金屬貧網版印刷於陶瓷膜上作為内電極，經烤乾後，將多 層經印刷之陶瓷膜堆疊，再於上下各堆疊數層空白陶瓷 膜，形成含陶瓷材料部分及内電極之陶瓷體，經熱壓、裁 切、於90(TC熱燒結2小時後，再將銀、銀合金、銅及銅合 金等導電金屬膏浸鍍至陶瓷體兩端形成端電極。 狄以下列只例予以詳細說明本發明，唯並不意味本發明 僅侷限於此等實例所揭示之内容。 f 例 1 - 2 7 : 依提供表1所示之，及7之適當比例取用Zn〇、Mg〇及 Ti〇2為原料，在粉末固體含量為60%之水中混合，並以2mm 氧化锆球進行滾磨2 4小時，以提供平a R %十岣粒徑約於〇 3至 0.4μπι之原料粉末。將該混合物粉末 、圬福中以100 C烤乾 後，於900 °C烺燒5小時後，再以2mm氣& . ^ 虱化锆球於水中研 磨’以提供平均粒徑〇 5土〇丨μιη之陶资粉束 合8小時，於烤箱中 ’以形成硼鋅玻璃 將Ζ η 0輿Β 2 〇3依適當比例在水中處 1〇〇 C烤乾後，在600°c煅燒4小時 [(ΖηΟ)4 · b2〇3]。

O:V72\710<i6 DO〇6\SU -13 - 584867 (9) 發瞵説躪磷貰 將陶资粉末與提供表1所示w比例的硼鋅玻璃及z比例之 Bi2〇3在陶瓷粉末固體含量為60%之水中混合，並置入含 5 0 c . c .氧化锆球及約500c. c .水之滾筒中，研磨4小時至平均 粒徑0.5 μιη，並於烤箱中烤乾即得介電粉末。 於上述介電粉末中添加合適量之聚乙烯醇（PVA)、 PEG(三甘醇）、分離劑（Triton，購自Air product)及潤濕劑 (SE-F(465)，購自Air product)，以形成漿料，於900eC熱燒結 該漿料2小時以製成陶瓷體。量測該等陶瓷體之密度（D， %g/cm3)、介電常數（K)、品質因子（Q)、絕緣電阻（I.R·， 歐姆）、溫度係數（τί*，T.C.C.，ppm/°C )及崩潰電壓（B. V.， Volt/μιη)，並將其結果示於下表1。 表1 :鈦酸鋅系統（ZnxMgi.JTiOs、相對於每莫耳之 (ZruMgbdTiCh 具有 y 莫耳之 Ti02、z% Bi2〇3 及 w% 之 [(Zn〇）4 · B2〇3] 實例 X y z w D K Q I.R T.C.C. B.V 1 0.90 0.15 0 .1 98 25.1 400 1X1012 -60 60 2 0.90 0.25 0 1 98 27.2 450 1X1012 -65 35 3 0.80 0.10 0 1 96 23.4 450 1X1012 -75 45 4 0.70 0.05 0 1 96 23.2 410 1X1012 -95 45 5 0.70 0.25 0 1 94 20 9000 1X1012 -80 55 6 0.80 0.25 0 1 94 21 8700 lxio12 -70 45 7 0.9CT 0.25 0 1 94 21.3 10000 lxio12 -90 60 8 0.95 0.25 0 1 94 22.7 12000 lxio12 -60 50 9 0.97 0.25 0 1 94 22.7 10500 lxio12 -70 50 O:\72\72060.DOC\6VSU -14 - (10) 發明說:明.續·Ι 10 0.95 0.05 5 1 99 21.9 400 1X1012 +30 50 11 0.95 0.10 5 1 99 23.3 440 1X1012 +30 45 12 0.95 0.15 5 1 98 24.5 470 ΐχίο12 十10 60 13 0.95 0.25 5 1 96 26.3 500 ΐχίο12 +30 70 14 0.95 0.35 5 1 95 28.4 620 ΐχίο12 +35 40 15 0.95 0.25 0 1 94 22.7 12000 1X1012 -60 50 16 0.95 0.25 1 1 95 25.3 1000 lxio12 +50 : 50 17 0.95 0.25 3 1 96 25.6 800 1X1012 +30 40 18 0.95 0.25 10 1 99 23.2 300 lxio12 +40 25 19 0.95 0.25 15 1 99 20.2 310 lxio12 +60 45 20 0.95 0.25 20 1 99 18.5 340 lxio12 +100 40 21 0.95 0.25 5 0.5 93 25.6 520 5X1011 +30 60 22 0.95 0.25 5 2 99 27.5 640 lxio12 十30 40 23 0.95 0.25 5 3 99 28.3 600 lxio12 +40 55 24 0.95 0.25 5 5 99 26.3 550 lxio12 +30 40 25 0.95 0.25 5 7 99 27.2 500 lxio12 +50 60 26 0.95 0.25 5 10 99 29.1 620 lxio12 +80 45 27 1.00 0.25 5 1 98 25.4 600 lxio12 +20 40 584867 實例5至9為測試材料中鋅、鎂含量對電性之影響；實例 27則為不含鎂狀態下之電性，其中隨著鋅含量之增加（亦 即鎂含量之減少），介電常數隨之增加，然而過多的鋅或 鎂含量都j使品質因子下降。 實例1 0至1 4為測試材料中氧化鈦含量對電性之影響。其 結果顯示，加入氧化鈦係用以調整介電材料之溫度係數， 並可提升介電材料之K值與品質因子，然而過高之氧化鈦 O:\72\72066.DOa6VSU -15 - 584867 (π) 發瞵説:螞磷矿 含量（如實例14 )則不剎於產物之陶瓷密度性質。 實例15至20為測試材科中氧化鉍比例對電性之影響，其 結果顯示隨著氧化鉍的含量增加’陶資密度亦增加’但過 多的氧化鉍卻使得品質因子大幅降低° 實例2 1至2 6為測試調辞玻璃[(Ζ η 〇 ) 4 · Β 2 〇 3 ]含量對於材 料電性之影響，其結果顯示刪辞玻璃之含量增加’陶資體 之密度亦增加，但過多的测辞玻璃卻亦使溫度係數増加。 實侥1 28 : 於本實例中，以實例8之材料組成分別於860^、880°C、 900°C及920°C燒結後進行X-射線繞射實驗’其結果不於圖 1，由其結果可知，無氧化姐的加入’於高溫燒結（92〇°C ) 時，可在光譜中偵測得Ζ η 2 丁 i 〇 4相’而不利於製成產品時 之可靠度。 實例29 ·· 於本實例中，以實例1 3之材料組成分別於860°C、880°C、 900°C、92〇t：、94〇°C及960°C燒結後進行X-射線繞射實驗， 其結果TF於圖2，由其結果可知，加入5 %氧化在jt，則於高 燒結（甚至高達960 C )時’在光1醤圖中都無法偵測得 ZhTiO4相，可知氧化鉍可抑制Zn2Ti〇4相，使製成產品時之 可靠度大增。 實例3 0 : 於本實i列中，以實例8之材料分別加入〇 %、1 %、3 %、 5 %及1 0 %之氧化鉍組成，於9〇〇°C燒結後進行X -射線繞射 實驗，其結果示於圖3，由其結果可知，隨著氧化鉍含量 0:\72\720<5<i.DOCA<SVSU -16· 584867 (12) 發暾說明.續頁 之增加，於光譜圖中Bi2Ti2〇7相亦增加 形成。 實例3 1 ·· 於本實例中，於實例8之介電材料中 鉍含量之介電常數值，其燒結溫度分3 92(TC，參看圖4可知，於氧化鉍含量較 之變化較大，但隨著氧化级含量增加， 穩定。 實例3 2 : 於本實例中，於實例8之介電材料中 鉍含量之絕緣電阻值，其燒結溫度分另 9 20 t：，參看圖5可知，於氧化鉍含量較 之變化較大，但隨著氧化鉍含量增加， 趨穩定。 實例3 3 : 於本實例中，於實例8之介電材料中 測試於不同氧化鉍含量之溫度係數值， 同之氧化鉍含量，會具有不同之溫度係 實例3 4 ·· 於本實例中，於實例8之介電材料中 鉍含量之品質因子值，其燒結溫度分另J 920°C，參if圖7可知，於氧化鉍含量較 之下降較大，尤其是於高溫燒結時，但I 加，其品質因子值則漸趨穩定。 7，且無Zll2Ti〇4相之 ，測試於不同氧化 W 為 880°C、900°c 及 低時，介電常數值 其介電常數則漸趨 ，測試於不同氧化 ，J 為 880°C、9CKTC 及 低時，絕緣電阻值 其絕緣電阻值則漸 ，於900°C燒結時， 參看圖6可知，不 數值之變化較大。 ，測試於不同氧化 為 880°C、9 00°C 及 低時，品質因子值 隨著氧化鉍含量增 O:\72\72066.DOC\6VSU -17 - 584867 (13) 鮝明魏明.續..賓: 本發明材料、方法及特徵，經上述實例說明將更為明 顯，現應瞭解的是，任何不脫離本發明精神下所為之修飾 或改變，皆屬本發明意圖保護者。 五 N 圖式簡要說明 本發明將以下列圖示進一步說明，其中 圖1表示本發明不含氧化鉍之介電材料中，於不同燒結 溫度之X-射線繞射光譜圖； 圖2表示本發明含5%氧化鉍之介電材料中，於不同燒結 溫度時之X-射線繞射光譜圖； 圖3表示本發明不同氧化鉍含量之介電材料中，於900 °C燒結時之X-射線繞射光譜圖； 圖4表示本發明不同氧化鉍含量之介電材料中，於不同 溫度燒結時之介電常數關係圖； 圖5表示本發明不同氧化鉍含量之介電材料中，於不同 溫度燒結時之絕緣電阻值關係圖； 圖6表示本發明不同氧化鉍含量之介電材料中，於900°C 燒結時之溫度係數關係圖；及 圖7表示本發明不同氧化鉍含量之介電材料中，於不同 溫度燒結時之品質因子關係圖。 ()Λ72\72066 DOCftViU -18 -

Claims (1)

1. 584867

   拾、申請專利範園 其包含Z %以 之[(Zn〇）4 · $ 10 ° ，其中於欽酸 Mgl.x)Ti〇3 ^ ，其中0.85 ^ ，其中 X為 ，其相對於每 鈦（Ti02)，其 ，其中y為 ，其中 1 S z ，其中1 $ Z 其中z為5。 ，其中1 $ w 1. 一種鈦酸鋅（ΖηΤι〇3)系統之介電材料 重量計之氧化级（Bi2〇3)及w %以重量’ B2〇3]，其中 〇·1$ζ$15，且 0.5$w 2. 根據申請專利範圍第1項之介電材料 鋅中之部分鋅係由鎂所取代成為（Zn 其中 0.7 S 1。 3 . 根據_請專利範圍第2項之介電材料 0.98。 4. 根據申請專利範圍第 3項之介電材刻 0.95。 5 · 根據申請專利範圍第1項之介電材料 莫耳之鈦酸鋅，另包含y莫耳之氧化 中 0. 1 $ y $ 1。 6 · 根據申請專利範圍第 5項之介電材料 0.25。 7. 根據申請專利範圍第1項之介電材料 S 10。 8. 根據申請專利範圍第1項之介電材料 $ 5。 9. 根據申請專利範圍第8項之介電材料， 1 〇 .根據> 請專利範圍第1項之介電材料 S 5。 1 1 .根據申請專利範圍第1項之介電材料，其中w為1 584867 命嫌拳利範闺.續f 12. 一種低電容之積層陶瓷電容器，其係包含根據申請 專利範圍第1項之介電材料。 1 3 .根據申請專利範圍第1 2項之積層陶瓷電容器，其 包含銀、銀合金、銅或銅合金之電極。 14. 一種製備鈦酸鋅（ZnTi〇3)系統之介電材料之方法， 該介電材料包含 Z%以重量計之氧化鉍（Bi2 03 )及 w%以重量計之[(Zn〇）4· B2〇3]，其中0.1$z$15, 且0.5^ 10，該方法包含： (a) 提供一包含鈦酸鋅系統之陶瓷粉末； (b) 製備硼鋅玻璃[(Ζη0)4·Β203];及 (c) 混合步騾（a)之陶瓷粉末與步騾（b)之硼鋅玻璃 及Z %以重量計之氧化。 1 5 .根據申請專利範圍第 14項之方法，於鈦酸鋅中之 部分鋅係由鎂所取代成為（ZnxMgl.x)Ti〇3，其中0.7 ^ X ^ 1 β 16.根據申請專利範圍第14項之方法，其中步騾（a)之 陶瓷粉末係由包含如下步騾之方法製得： (1) 以含鋅及鈦之化合物為原料； (2 )在水中混合研磨（1)之原料；及 (3)烤乾（2)之混合物，再於700至8 00°C烺燒該經 乾燥之混合物4至8小時。 1 7.根據神請專利範圍第1 6項之方法，其中含鋅之化 合物為Ζ η〇。 1 8 .根據申請專利範圍第1 6項之方法，其中含鈦之化 O:\72W1066.DOC\7VSU 584867 _鍊專·剩:範辑續I: 合物為Ti〇2。 1 9 .根據申請專利範圍第1 6項之方法，其中步驟（1)另 包含以含錢之化合物作為原料。 2 0.根據申請專利範圍第 1 6項之方法，其中含鎂之化 合物為Mg〇。 2 1.根據申請專利範圍第14項之方法，其中步騾（b)之 硼鋅玻璃[(Ζ η 0) 4 · B 2〇3 ]係由包含下列步騾之方法 製得： (1) 於水中研磨混合莫耳比為4: 1之Ζη〇及Β2‘〇3; (2) 烤乾（1)之混合物且於5 00至700°C煅燒該經 乾燥之混合物4至8小時。 2 2.根據申請專利範圍第21項之方法，其中步騾（2)係 於6 0 0 °C煅燒4小時。 2 3.根據申請專利範圍第14項之方法，其中步騾（c)包 含在水中進行研磨混合，且進一步烤乾以製得該介 電材料。 O:V72\72066.DOC\7\SU