TW579393B - Thin film forming device and production of tungsten nitride thin film - Google Patents

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Description

579393 A7 B7 五、發明說明（1 ) 【產業上之利用領域】 本發明，是屬於形成金屬氮化物之技術領域，尤其是 提供一種適用於形成氮化鎢薄膜技術。 【先行技術】 使用在半導體裝置之金屬配線膜，在近年，有取代鋁 ，以銅爲主流之趨勢。對於以鋁薄膜之情況，是在與矽基 板之界面上形成氮化鈦薄膜，來作爲障壁（barrier )膜。 但是由於氮化鈦薄膜，對銅的防止擴散能力較低，所以近 年來傾向於以WxN薄膜（氮化鎢薄膜）來作爲銅薄膜之障 壁薄膜。 以往，W X N薄膜，必須要溫度在5 0 0 t以上，成膜 壓力在數千P a的高溫高壓條件下才能形成，而維持高壓 力之設備十分大型，而且維修不易。又，用於形成WxN薄 膜之前處理裝置，或者是用於在WxN薄膜上形成銅薄膜的 薄膜形成裝置，需要在真空環境下來處理基板，所以具有 與WxN薄膜形成裝置之連接性不良，無法進行基板之連續 處理之問題。 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此，要謀求能在真空瑄境（減壓環境）下，形成 WxN薄膜之薄膜形成裝置。第5圖（a )中，符號1 2 0 是WxN薄膜及銅薄膜之成膜對象的基板。該基板1 2 0， 是由矽基板1 5 0、及形成在該矽基板1 2 0上的矽氧化 膜152、以及形成在矽氧化膜152上的孔160所構 成。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ~ """""" A7 B7 五、發明說明（2) 在基板1 2 0上，如第6圖所示，是使用先行技術下 的CVD裝置1 〇 2來形成WxN薄膜之情形，首先，使反 應槽1 1 1內呈真空環境，然後將基板120搬入，載置 在設在反應槽111之底面側的支持台114上。 在反應槽1 1 1的上頂側，配置有氣體蓮蓬狀噴嘴 1 1 2 ’藉由內藏在支持台1 1 4之加熱器，使基板 1 2 0昇溫到一定溫度後，從蓮蓬狀噴嘴1 1 2，將2種 原料氣體（例如W F 6氣體與N Η 3氣體）如符號1 5 1所 指箭頭方向所示地，朝基板1 2 0噴出，使之進行下述化 學反應， 4WF6+8NH3— 2W2N+24HF + 3N2， 在基板1 2 0表面形成WxN薄膜1 5 3 (如第5圖（ b))(在此暫時假定X=2。）。 使WxN薄膜1 5 3形成至某一定之膜厚後，將基板 120移出反應槽1 1 1外，如第5圖（c)所示，在 WxN薄膜1 5 3上形成銅薄膜1 5.4，再移送至銅薄膜 1 5 4之濺鍍等之後續製程。 如上述，在真空環境下形成WxN薄膜1 5 3及銅薄膜 1 5 4時，若是在多重封閉型裝置中，連接鎢薄膜形成裝 置與銅薄膜形成裝置的話，就可能連續處理，而無須再將^ 基板1 2 0曝置於大氣中。 然而，在上述先行技術之CVD裝置下，塵屑的產生 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — 111 ! I 訂--— II----
經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -5 · 579393 • A7 _ B7 五、發明說明（3) 非常多。其原因，是由於WF6與NH3之反應在室溫下也 會進行，且在室溫，不同於上述反應式，不會產生WxN， 而會產生WF 6 · 4NH3等，附著於反應槽1 1 1之內壁 〇 雖然要是能將反應槽1 1 1之壁面，加熱到與基板 1 2 0溫度相同之程度，至少就不會產生W F 6 · 4 N Η 3 ’但是反而卻在反應槽1 1 1內壁析出WxN，而造成 W X N塵屑之原因。 又，在上述先行技術之反應槽1 1 1中，亦有WxN薄 膜之成長速度遲緩之問題，必須究明其原因與籌擬對策。 【發明所欲解決之課題】 本發明，乃爲了解決上述先行技術之問題而發明出來 ，其目的，是在提供一種不會產生塵屑之氮化鎢薄膜的形 成技術，以及成長速度快的氮化鎢薄膜形成技術。 【用以解決課題之手段】 爲了解決上述課題，申請專利範圍第1項所記載之發 明，爲具有：能夠排氣呈真空的反應槽、及被配置在該反 應槽內之防止附著容器、及在上述防止附著容器內，使形 成膜對象物設置之支持台、及與上述支持台相向配置，在 上述防止附著容器內能夠使氣體噴出方式而構成之第1氣^ 體導入裝置、及可以使氣體在上述第1氣體導入裝置與上 述支持台之間噴出而構成之第2氣體導入裝置之薄膜形成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -6 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝
1_1 ϋ ϋ · 1 ϋ 1 I I I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 579393 A7 B7 五、發明說明（4) 裝置。 申請專利範圍第2項所記載之發明，係針對於申請專 利範圍第1項之薄膜形成裝置，其中上述防止附著容器至 少以可以使上述形成膜對象物付近的溫度維持在1 5 0 °C 以上，3 0 0 °C以下之方式所構成。 申請專利範圍第3項所記載之發明，係針對於申請專 利範圍第1項之薄膜形成裝置，其中上述第1氣體導入裝 置，係具有使多數噴出口形成在大約同一平面上之蓮蓬狀 噴嘴。 申請專利範圍第4項所記載之發明，係針對於申請專 利範圍第2項之薄膜形成裝置，其中上述第1氣體導入裝 置，係具有使多數噴出口形成在大約同一平面上之蓮蓬狀 噴嘴。 申請專利範圍第5項所記載之發明，係針對於申請專 利範圍第1項之薄膜形成裝置，其中上述第2氣體導入裝 置，係使中空管成形爲環狀，並具有使多數噴出口形成在 該中空管上之噴嘴部。 申請專利範圍第6項所記載之發明，係針對於申請專 利範圍第2項之薄膜形成裝置，其中上述第2氣體導入裝 置，係使中空管成形爲環狀，並具有使多數噴出口形成在 該中空管上之噴嘴部。 — 申請專利範圍第7項所記載之發明，係針對於申請專 利範圍第3項之薄膜形成裝置，其中上述第2氣體導入裝 置，係使中空管成形爲環狀，並具有使多數噴出口形成在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） · 7 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _ I I I I I I I ^^ 1111111·
經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 579393 A7 ____ B7 五、發明說明（5) 該中空管上之噴嘴部。 申請專利範圍第8項所記載之發明，係針對於申請專 利範圍第4項之薄膜形成裝置，其中上述第2氣體導入裝 置，係使中空管成形爲環狀，並具有使多數噴出口形成在 該中空管上之噴嘴部。 申請專利範圍第9項所記載之發明，係屬於使化學構 造中具有氮原子之第1原料氣體，以及使化學構造中具有 鎢原子之第2原料氣體噴出到反應槽內，使上述第1原料 氣體與上述第2原料氣體反應，而在形成膜對象物表面形 成氮化鎢薄膜之鎢薄膜形成方法，其中由上述第1原料氣 體之噴出位置至上述成膜對象物表面之高度，是不同於從 上述第2原料氣體之噴出位置至上述形成膜對象物表面之 高度之鎢薄膜之製造方法。 申請專利範圍第1 0項所記載之發明，係針對於申請 專利範圍第9項之鎢薄膜之製造方法，其中在上述反應槽 內設置防止附著容器，並將上述形成膜對象物配置在防止 附著裝置內，在上述防止附著容器之至少在上述形成膜對 象·物周圍昇溫到1 5 0 °C以上至2 5 0 °C以下之溫度時， 使上述第1、第2原料氣體噴出至上述防止附著容器內。 申請專利範圍第1 1項所記載之發明，係針對於申請 專利範圍第9項之鎢薄膜之製造方法，其中在上述第1、 第2原料氣體之中，其中一方是由上述形成膜對象物表面 之鉛直上方，將原料氣體朝向上述形成膜對象物表面噴出 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) « I ϋ 1 ϋ ϋ ϋ 一：口，β »ϋ a— I ϋ iai 1 ϋ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -8 - 579393 A7 _；_ B7 五、發明說明（6) 申請專利範圍第1 2項所記載之發明，係針對於申請 專利範圍第1 〇項之鎢薄膜之製造方法，其中在上述第1 、第2原料氣體之中，其中一方是由上述形成膜對象物表 面之鉛直上方，將原料氣體朝向上述形成膜對象物表面噴 出。 申請專利範圍第1 3項所記載之發明，係針對於申請 專利範圍第9項之鎢薄膜之製造方法，其中上述第1原料 氣體與上述第2原料氣體之中，使得由較低位置所噴出之 原料氣體，從上述形成膜對象物側方噴出。 申請專利範圍第1 4項所記載之發明，係針對於申請 專利範圍第1 0項之鎢薄膜之製造方法，其中上述第1原 料氣體與上述第2原料氣體之中，使得由較低位置所噴出 之原料氣體，從上述形成膜對象物側方噴出。 申請專利範圍第1 5項所記載之發明，係針對於申請 專利範圍第1 1項之鎢薄膜之製造方法，其中上述第1原 料氣體與上述第2原料氣體之中，使得由較低位置所噴出 之原料氣體，從上述形成膜對象物側方噴出。 申請專利範圍第1 6項所記載之發明，係針對於申請 專利範圍第1 2項之鎢薄膜之製造方法，其中上述第1原 料氣體與上述第2原料氣體之中，使得由較低位置所噴出 之原料氣體，從上述形成膜對象物側方噴出。- 本發明之薄膜形成裝置如上述所構成，係在反應槽內 配置有防止附著容器。在防止附著容器內配置支持台，使 形成膜對象物（基板）以位於防止附著容器內之方式來構 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）· 9 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 -IMD，1111111 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 579393 A7 B7 五、發明說明（7) 成。 在該薄膜形成裝置，設有第1、第2氣體導入裝置， 係以將原料氣體分別噴出至防止附著容器內而構成。第2 氣體導入，係位在第1氣體導入裝置之氣體噴出部分與支 持台之間，而可將氣體噴出之方式構成。 當使第1、第2氣體導入裝置之氣體噴出部分、，設於 形成膜對象物表面上的不同高度位置上，來使原料氣體噴 出至防止附著容器內時，尤其是，即使在壓力1 · OPa 〜1 0 0 P a左右之粘性流體之範圍中，分別來自氣體導 入裝置所噴出的第1、第2原料氣體，亦不會混合，而能 夠到達支持台上的形成膜對象物表面。 因此，在分別由第1、第2氣體導入裝置，將化學構 造中含有氮元素之第1原料氣體，與含有鎢之第2原料氣 體導入時，亦不會在空中反應，而會在形成膜對象物表面 上反應，使得氮化鎢薄膜效率良好地被形成。 在第1氣體導入裝置中設有蓮蓬狀噴嘴，當從形成膜 對象物上頭，將原料氣體噴出時，在形成膜對象物之表面 內’可以形成薄膜厚度分布良好的鎢薄膜。蓮蓬狀噴嘴之 表面’係如第4圖（a )之符號7 1所示。在蓮蓬狀噴嘴 7 1上所形成的多數噴出口7 2，係可將同一原料氣體噴 出。 * 又’於第4圖（b )所示之先行技術下的蓮蓬狀噴嘴 1 7 1可以推知，在其表面形成有2種類的氣體噴出口 1 7 3、1 74，由於是由一方的氣體噴出口 1 7 3噴出 本^張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10 - 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I ϋ 1 ·1 i-i I^OJ_ ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ H"· 579393 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7___ 五、發明說明（8 ) 含有氮原子的原料氣體，而由另一方的氣體導入口 1 7 4 噴出含有鎢原子的原料氣體，所以在到達形成膜對象物表 面之前，原料氣體便已相互混合而反應，因此只能得到低 的薄模成膜率。 在本發明中，再者，在第2氣體導入裝置，設有環狀 的噴嘴部，從多數的氣體噴出□，使氣體朝向環狀的中心 方向，或是比中心方向稍微偏向形成膜對象物方向噴出， 而能使藉由第2氣體導入裝置所導入的原料氣體，均一地 到達形成膜對象物表面。 在此情況下，從第1氣體導入裝置所導入的原料氣體 ，由於是透過噴嘴部的環中央，而到達形成膜對象物表面 ，使來自個別之氣體導入裝置所導入的原料氣體，不產生 混合地到達形成膜對象物表面，而效率良好地在形成膜對 象物表面產生反應。 然而另一方面，當將化學構造中含有氮的原料氣體（ 例如NH3氣體），與含有鎢的原料氣體（例如WF6氣體 )分別導入防止附著板內時，尤其是當壓力在1 . 〇 P a 〜1 0 0 P a之範圍，溫度未達1 5.0 °C的情況下，會產 生WF6 · 4NH3，而當超過30CTC時，又會產生 W X N (氮化鎢薄膜）。 本發明之防止附著容器，以維持在1 5 0 °C以上、 2 5 0 °C以下之溫度（.以2 0 0 °C左右爲期望値。），其 結果，使防止附著容器表面上，不會產生WF6 · 4NH3 或Wx N，而不會造成塵屑產生。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -11- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 579393 A7 B7 五、發明說明（9) 【發明實施例】 以下，依據添付之圖面，說明本發明如下。 參照第1圖，符號2爲本發明之一實施例之薄膜形成 裝置，其具有反應槽1 1。在該反應槽1 1之內部，配置 有中空的防止附著容器8。 ' 該防止附著容器8，如第2圖所示，分別具有圓形之 底板3 1、整流板3 2、頂板3 3，以及圓筒狀之壁板 3 0° 在底板3 1與整流板3 2與頂板3 3之中央部分，形 成有圓形的孔36〜38。 底板3 1係配置在壁板3 0內之下部底面位置，整流 板3 2是在壁板3 0內，配置在底板3 1上的位置。又， 頂板3 3是在整流板3 2上的位置，配置在壁板3 0的開 口部分。 底板3 1與整流板3 2與頂板3 3，係互相平行，以 隔開一定間隔來配置，底板3 1與整流板3 2與頂板3 3 之周圍受壁板3 0所固定。 又，在底板3 1與整流板3 2與頂板3 3所形成的孔 3 6〜3 8，其中心點是以位於壁板3 0中心軸線上之位 置之方式來配置。 ~ 防止附著容器8，是以上述方式組合，以此狀態配置 在反應槽11內之底壁上。 在反應槽1 1之底壁上，設有支持台1 4。在防止附 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^12- ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -----I I I 訂·!-----
經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 579393 Α7 Β7 五、發明說明（10) 著容器8中，使支持台1 4以位於底板3 1之孔3 6及位 於整流板3 2之孔3 7內之方式來配置，使支持台1 4的 表面，位於整流板3 1與頂板3 3之間。 在反應槽1 1之外部，配置有由氣體鋼瓶、及流量控 制器、以及配管等等所成的第1、第2氣體供給源4 5， 4 6〇 、 從第1圖之符號6 1 i至6 1 4爲流量控制器，從符號 6 2 1至6 2 8爲閥。 第1氣體供給源4 5，係連接於第1氣體導入裝置之 蓮蓬狀噴嘴1 2，藉由該第1氣體供給源4 5與蓮蓬狀噴 嘴構成第1氣體導入系.4 1。 該蓮蓬狀噴嘴1 2內部形成中空狀，在蓮蓬狀噴嘴 1 2之底面1 8形成有多數的孔。當氣體從第1氣體供給 源45，導入至內部中空部分時，使該氣體，可從底面 18的孔噴出之方式來構成。 蓮蓬狀噴嘴1 2，是位在頂板3 3之孔3 8上頭，使 底面1 8，以相向於支持台1 4之表面之方式安裝在反應 槽1 1之頂側。 頂板3 3之孔3 8，是比蓮蓬狀噴嘴1 2之底面1 8 還大，蓮蓬狀噴嘴1 2之底面1 8雖與頂板3 3略在相同 高度，但仍使底面1 8以位在較頂板3 3之孔3 3還要下 方的位置之方式來配置。 因此，從蓮蓬狀噴嘴1 2所噴出的氣體，直接可以導 入至防止附著容器8內，而吹抵支持台1 4的表面。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I emam aiai ϋ ϋ ϋ . to! 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 579393 A7 B7 五、發明說明（11) 第2氣體供給源4 6，係連接於第2氣體導入裝置之 氣體噴出器具4，以該第2氣體供給源4 6與氣體噴出器 具4，來構成第2氣體導入系4 2。 該氣體噴出器具4，是大約略呈環狀，在防止附著容 器8內之支持台1 4與蓮蓬狀噴嘴1 2之間的位置，與支 持台14表面呈平行地配置。因此，氣體噴出器具4，是 位在整流板3 2與頂板3 8間，與整流板3 2及頂板3 8 平行。 氣體噴出器具4之立體圖如第3圖（a )所示。 該氣體噴出器具4，係由環狀的噴嘴部2 1、及支持 該噴嘴部2 1的支持部2 2、以及將該支持部.2 2連接至 反應槽1 1外部之氣體導入系4 2的配管部2 3所構成。 噴嘴部2 1與支持部2 2與配管部2 3，是以中空管 所構成，當氣體從第2氣體供給源4 6導入到氣體噴出器 具4內時，會通過配管部2 3內部以及支持部2 2內部， 使所導入之氣體，被導引至氣體噴嘴部2 1內部之方式來 構成。 \環狀的氣體噴嘴部2 1，在朝向其環狀中心點的面上 ，形成有多數的孔25。孔25部分的放大圖，係如第3 圖（b )所示。該等孔2 5，是以略朝下方，大約等間隔 地被排列設置在環狀氣體噴嘴2 1之表面’因此％流入噴 嘴部2 1內的氣體’是從各孔2 5以約略朝向中心點之下 方，均等地被釋放出。 以下使用成膜裝置2說明關於上述之鎢薄膜形成方法 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^4- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝
579393 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（12) 〇 在此，在第1氣體供給源4 5中，安裝有化學構造中 含有氮原子之第1原料氣體（在此爲NH3氣體）之鋼瓶’ 在第2氣體供給源4 6中，安裝有化學構造中含有鎢原子 之第2原料氣體（在此爲WF6氣體）之鋼瓶。由此第1、 第2氣體導入系4 1、42，將各氣體導入到反應槽1 1 內。 首先，使連接於反應槽1 1之真空排氣系4 8動作， 將反應槽1 1內部處理成真空環境，以端持基板夾持器 1 7之狀態，將基板2 0移入，使基板2 0載置在支持台 14上。該基板20，係與蓮蓬狀噴嘴12之底面18呈 平行。然後，使基板夾持器1 7降下，使基板2 0密接於 支持台1 4上，再通電於加熱器1 5，使之昇溫。 再防止附著容器8內部設有加熱器，亦通電於其內部 加熱器’使之發熱後，防止附著容器8，受內部加熱器之 發熱以及支持台1 4之輻射熱而被加熱昇溫。在此，制御 內部加熱器之通電量，使防止附著容器8溫度維持在2 0 0。。。 當基板2 0昇溫，達到3 0 0 °C以上的溫度時，操作 氣體導入系41、42，從蓮蓬狀噴嘴12朝向基板20 噴出第1原料氣體（NH3氣體）之同時，從氣體噴出器具 4之噴嘴部2 1使第2原料氣體（WF6氣體）亦噴出，將 第1、第2原料氣體（NH3氣體與WF6氣體）吹到基板 2 0表面。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ------II 訂— — — — — — -^^1. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 15 579393 A7 B7 五、發明說明（13) 此時，由於不同種類的第1、第2原料氣體（NH3氣 體、WF6氣體）分別從蓮蓬狀噴嘴1 2以及氣體噴出器具 4噴出，操作第1、第2氣體供給源45、46，藉由控 制氣體導入量，使防止附著容器8內，維持粘性流體之壓 力，具體以維持在1 · OPa〜lOOPa之壓力時，第 1原料氣體與第2原料氣體（NH3氣體與WF6氣體）在 不混合下分別到達基板2 0表面。並且，在基板2 0表面 進行WxN的生成反應，而形成WxN薄膜。 在WxN薄膜形成到一定膜厚時，將基板2 0移出反應 槽1 1外部後，移入銅薄膜形成裝置內之同時，將未處理 的其他基板移入反應槽1 1內，繼續做WxN薄膜之形成作 業，連續性地來形成W X N薄膜。 在上述薄膜形成裝置2中，防止附著容器8內依然充 滿不同種類的第1原料氣體與第2原料氣體（NH3氣體與 WFe氣體），但並不會在反應槽11之內壁面並析出 WF6 · 4NH3或WxN。因此，塵屑不會從反應槽1 1 產生，而能夠形成沒有缺陷的WxN薄膜。 又，防止附著容器8是在2 0 0°C以上而於3 0 0 °C 以下之溫度範圍中，所以不會產生在低溫時所容易產生的 WF6 · 4NH3、或是在高溫時所容易產生的WxN。因 此，可以在塵屑少的環境下進行WxN之形成。由於防止附 著容器8，裝卸自如，淸掃時作業亦簡單。 如以上所說明，依照本發明之薄膜形成裝置2，使不 同種類的原料氣體不會混合地到達基板，而在基板表面進 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -16 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·!!!1 訂------
S 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 579393 A7 B7 五、發明說明（14) 行高效率反應，因此由反應產生物所產出之薄膜，例如 WxN薄膜等之成長速度極爲快速，又，由於不產生塵屑， 所以可以形成高品質的W X N薄膜。 又，上述的氣體噴出器具4，雖是將多數的孔2 5排 列開設在噴嘴部2 1的中心點側的面上，但是只要是朝向 基板2 0，從2處所以上之位置，使原料氣體均等地噴出 即可。例如，如第3圖（c )所示，取代環狀的噴嘴部 2 1 ，將支持部2 2的先端2 4，彎曲朝向配置於其下方 之基板的中心軸線方向，來使原料氣體從先端2 4的孔 2 6噴出之方式亦可。 又，在上述實施例中，雖然使WxN在1 · 〇Pa〜 1 0 0 P a的真空環境（減壓環境）下產生，但也可以在 更高壓之大氣壓力下，或是在較大氣壓更高的壓力環境來 產生W X N亦可。 【發明之效果】 如以上所說明，若使用本發明，由於能使不同種類的 原料氣體在不混合狀態下，到達形成膜之對象物表面，可 以提高薄膜的形成速度，而且，膜厚分布亦均一。 反應不會在防止附著容器表面產生，所以不會產生塵 屑。又，在防止附著容器表面上不會使原料氣體消費，所 • - 以可以在形成膜之對象物表面效率良好地使反應進行，並 且，不會有塵屑附著在防止附著容器表面。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐） :17- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 579393 A7 B7 五、發明說明（15) 【圖面之簡單說明】 第1圖爲本發明之薄膜形成裝置之一實施例。 第2圖爲其防止附著容器之說明圖。 第3圖（a):環狀噴嘴部之立體圖； (b ):該部分之放大圖； (c ):其他形狀之噴嘴部的立體圖；’ 第4圖（a):本發明之蓮蓬狀噴嘴之實施例的平面 圖； (b ):先行技術之蓮蓬狀噴嘴之平面圖的要 部立體圖。 第5圖（a)〜（c):形成氮化鎢薄膜及銅薄膜之 製程圖。 第6圖爲先行技術之鎢薄膜形成裝置。 【符號說明】 2 :薄膜形成裝置 4 :氣體噴出器具 8 :防止附著容器 1 1 :反應槽 1 4 :支持台 20:形成膜對象物（基板） ^ 21:噴嘴部 2 5，7 2 :噴出口 4 1 :第1氣體導入系 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -18- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
579393 A7 B7 五、發明說明（16) 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ϋ 1 ϋ ϋ ϋ ϋ 一 δ, a ΙΒ1 1 I ·ϋ ϋ _ 4 2 :第2氣體導入系 7 1 :蓮蓬狀噴嘴 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -19 _ II i

Claims (1)

  1. 579393 月曰 修正 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 第881 23340號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國92年10月2日修正 1 · 一種薄膜形成裝置，其特徵爲具有： 能夠排氣呈真空的反應槽、及 被配置在該反應槽內之防止附著容器、及 在上述防止附著容器內，使形成膜對象物設置之支持 台、及 與上述支持台相向配置，在上述防止附著容器內能夠 使氣體噴出方式而構成之第1氣體導入裝置、及 可以使氣體在上述第1氣體導入裝置與上述支持台之 間噴出而構成之第2氣體導入裝置，且前述防止附著容器 係內藏加熱器所構成。 2 · —種薄膜形成裝置，其特徵爲具有： 能夠排氣呈真空的反應槽、及 被配置在該反應槽內之防止附著容器、及 在上述防止附著容器內，使形成膜對象物設置之支持 台、及 與上述支持台相向配置，在上述防止附著容器內能夠 使氣體噴出方式而構成之第1氣體導入裝置、及 可以使氣體在上述第1氣體導入裝置與上述支持台之 間噴出而構成之第2氣體導入裝置，而上述防止附著容器 至少以可使上述形成膜對象物附近的溫度維持在1 5 〇 t 以上，3 0 0 °C以下之方式所構成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公董） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 装· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 579393 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 _ 、申請專利範圍 3 .如申請專利範圍第1項之薄膜形成裝置，其中上 述第1氣體導入裝置，係具有使多數噴出口形成在大約同 一平面上之蓮蓬狀噴嘴。 4 ·如申請專利範圍第2項之薄膜形成裝置，其中上 述第1氣體導入裝置’係具有使多數噴出口形成在大約同 一平面上之蓮蓬狀噴嘴。. 5 ·如申請專利範圍第1項之薄膜形成裝置，其中上 述第2氣體導入裝置，係使中空管成形爲環狀，並具有使 多數噴出口形成在該中空管上之噴嘴部。 6 .如申請專利範圍第2項之薄膜形成裝置，其中上 述第2氣體導入裝置，係使中空管成形爲環狀，並具有使 多數噴出口形成在該中空管上之噴嘴部。 7 ·如申請專利範圍第3項之薄膜形成裝置，其中上 述第2氣體導入裝置，係使中空管成形爲環狀，並具有使 多數噴出口形成在該中空管上之噴嘴部。 8 .如申請專利範圍第4項之薄膜形成裝置，其中上 述第2氣體導入裝置，係使中空管成形爲環狀，並具有使 多數噴出口形成在該中空管上之噴嘴部。 9 · 一種鎢薄膜之製造方法，係屬於使化學構造中具 有氮原子之第1原料氣體、及化學構造中具有鎢原子之第 2原料氣體噴出到反應槽內，使上述第1原料氣體與上述 第2原料氣體反應，而在形成膜對象物表面形成氮化鎢薄 膜之鎢薄膜形成方法，其特徵爲： 從上述第1原料氣體之噴出位置至上述成膜對象物表 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    -2 - 579393 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A8 B8 C8 ____ D8六、申請專利範圍 面之高度，不同於從上述第2原料氣體之噴出位置至上述 形成膜對象物表面之高度，且前述反應槽內設置具有加熱 器的防止附著容器，並將前述形成膜對象物配置在防止附 著容器內。 1 0 · —種鎢薄膜之製造方法，係屬於使化學構造中 具有氮原子之第1原料氣體、及化學構造中具有鎢原子之 第2原料氣體噴出到反應槽內，使上述第1原料氣體與上 述第2原料氣體反應，而在形成膜對象物表面形成氮化鎢 薄膜之鎢薄膜形成方法，其特徵爲： 從上述第1原料氣體之噴出位置至上述形成膜對象物 表面之高度，不同於從上述第2原料氣體之噴出位置至上 述形成膜對象物表面之高度，且前述反應槽內設置具有加 熱器的防止附著容器，並將前述形成膜對象物配置在防止 附著容器內，而上述防止附著容器至少在將上述形成膜對 象物周圍溫度昇溫到1 5 0 °C以上至2 5 0 t以下之溫度 時’使上述第1、第2原料氣體噴出至上述防止附著容器 內。 1 1 ·如申請專利範圍第9項之鎢薄膜之製造方法， 其中在上述第1、第2原料氣體之中，將其中任一方原料 氣體由上述形成膜對象物表面之垂直上方，朝向上述形成 膜對象物表面噴出。 1 2 ·如申請專利範圍第1 〇項之鎢薄膜之製造方法 ，其中在上述第1、第2原料氣體之中，將其中任一方原 料氣體由上述形成膜對象物表面之垂直上方，朝向上述形 (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂
    -3- 579393 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 成膜對象物表面噴出。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁} 1 3 ·如申請專利範圍第9項之鎢薄膜之製造方法， 其中上述第1原料氣體與上述第2原料氣體之中，使得由 較低位置所噴出之原料氣體’從上述形成膜對象物側方噴 出。 1 4 ·如申請專利範圍第1 〇項之鎢薄膜之製造方法 ，其中上述第1原料氣體與上述第2原料氣體之中，使得 由較低位置所噴出之原料氣體，從上述形成膜對象物側方 噴出。 1 5 ·如申請專利範圍第1 1項之鎢薄膜之製造方法 ，其中上述第1原料氣體與上述第2原料氣體之中，使得 由較低位置所噴出之原料氣體，從上述形成膜對象物側方 噴出。 1 6 .如申請專利範圍第1 2項之鎢薄膜之製造方法 ’其中上述第1原料氣體與上述第2原料氣體之中，使得 由較低位置所噴出之原料氣體，從上述形成膜對象物側方 噴出。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 張 準 標 家 國 國 中 用 適 A4 釐 公 7 29
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002085950A (ja) * 2000-09-18 2002-03-26 Horiba Ltd 流体混合装置
JP4429919B2 (ja) 2002-12-27 2010-03-10 株式会社アルバック 窒化タングステン膜の成膜方法
WO2005101473A1 (ja) 2004-04-12 2005-10-27 Ulvac, Inc. バリア膜の形成方法、及び電極膜の形成方法
US7420227B2 (en) * 2005-06-22 2008-09-02 National Chiao Tung University Cu-metalized compound semiconductor device
WO2008028053A2 (en) * 2006-08-30 2008-03-06 Wayne State University Compounds for forming metal nitrides
US7939447B2 (en) 2007-10-26 2011-05-10 Asm America, Inc. Inhibitors for selective deposition of silicon containing films
US7655543B2 (en) 2007-12-21 2010-02-02 Asm America, Inc. Separate injection of reactive species in selective formation of films
JP4523661B1 (ja) * 2009-03-10 2010-08-11 三井造船株式会社 原子層堆積装置及び薄膜形成方法
US8486191B2 (en) 2009-04-07 2013-07-16 Asm America, Inc. Substrate reactor with adjustable injectors for mixing gases within reaction chamber
US9499905B2 (en) * 2011-07-22 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for the deposition of materials on a substrate
CN109072427B (zh) * 2016-03-25 2020-10-13 应用材料公司 用于高温处理的腔室衬垫

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59131511A (ja) * 1983-01-17 1984-07-28 Zenko Hirose アモルフアスシリコン膜の成膜方法
JPS62116770A (ja) * 1985-11-15 1987-05-28 Canon Inc 成膜装置
JP2859632B2 (ja) * 1988-04-14 1999-02-17 キヤノン株式会社 成膜装置及び成膜方法
JP2803297B2 (ja) * 1990-03-05 1998-09-24 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
KR930001300A (ko) * 1991-06-10 1993-01-16 김광호 화학 기상 박막 형성 방법 및 그 장치
US5470800A (en) * 1992-04-03 1995-11-28 Sony Corporation Method for forming an interlayer film
US5534072A (en) * 1992-06-24 1996-07-09 Anelva Corporation Integrated module multi-chamber CVD processing system and its method for processing subtrates
JP3590416B2 (ja) * 1993-11-29 2004-11-17 アネルバ株式会社 薄膜形成方法および薄膜形成装置
JP3360098B2 (ja) * 1995-04-20 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置のシャワーヘッド構造
JP3699504B2 (ja) * 1995-05-30 2005-09-28 アネルバ株式会社 真空処理装置

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