TW559978B - Determining method of removal thickness and removal rate for wafer - Google Patents
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559978 圖式簡單說明 第1圖所繪示為一種習知的晶圓移除速率之量測方法 流程圖; 第2圖所繪示為一種本發明的晶圓移除速率之量測方 法流程圖; 第3A圖與第3B圖為繪示設置有雷射標記之晶圓在研磨 前與研磨後之上視圖; 第4 A圖與第4B圖為分別繪示設置有雷射標記之晶圓在 研磨前與研磨後之剖面圖;以及 第5 A圖至第5F圖為分別會繪示深溝渠陣列在深度1微 米至深度6微米之橫剖面上視圖。
9cS46twf.ptd 第14頁
Claims (1)
- 559978 六、申請專利範圍 1 · 一種晶圓移除厚度的檢測方法’ 提供一晶圓; 於該晶圓上設置複數個雷射標記’ 分別設置於該晶圓之不同深度中; 對該晶圓進行一研磨製程; 對該晶圓進行一研磨後清洗製程, 檢視該些雷射標記,以讀取該晶圓 2·如申請專利範圍第1項所述之晶S 方法’其中該些雷射標記包括設置於該 3 ·如申請專利範圍第1項所述之晶U 方法,其中該些雷射標記至少包括一第 案與一第三圖案,且該第一圖案、該第 案分別代表一第一深度、一第二深度與 第一深度小於該第二深度,且該第二深 度。 4.如申請專利範圍第3項所述之晶D 方法,其中在檢視該些雷射標記,以讀 厚度之步驟中,該第一圖案消失,而該 圖案仍存在,則表示該移除厚度在該第 度之間。 5 ·如申請專利範圍第1項所述之晶[ 方去’其中該晶圓包括裸晶圓。 6 ·如申請專利範圍第1項所述之晶丨 方去’其中該晶圓包括回收晶圓。 其中該方法包括: 每一該些雷射標記 以及 之一移除厚度。 ]移除厚度的檢測 晶圓之非元件區。 J移除厚度的檢測 一圖案、一第二圖 二圖案與該第三圖 一第三深度,且該 度小於該第三深 3移除厚度的檢測 取該晶圓之該移除 第二圖案與該第三 一深度與該第二深 ϋ移除厚度的檢測 s移除厚度的檢測 559978 六、申請專利範圍 7 · —種晶圓移除速率的檢測方法,其中該方法包括: 提供一晶圓; 於該晶圓上設置複數個雷射標記,每一該些雷射標記 分別設置於該晶圓之不同深度中; 對該晶圓進行一研磨製程,並經過一研磨時間; 對該晶圓進行一研磨後清洗製程; 檢視該些雷射標記,以讀取該晶圓之一移除厚度;以 及 , 根據該研磨時間與該移除厚度求出該晶圓之一移除速 率 〇 8·如申請專利範圍第7項所述之晶圓移除速率的檢測 方法’其中該些雷射標記包括設置於該晶圓之非元件區。 9 ·如申請專利範圍第7項所述之晶圓移除速率的檢測 方法,其中該些雷射標記至少包括一第一圖案、一第二圖 案與一第三圖案,且該第一圖案、該第二圖案與該第三圖 案分別代表一第一深度、一第二深度與一第三深度,且該 第一深度小於該第二深度,且該第二深度小於該第三深 度。 一 I 〇 ·如申請專利範圍第9項所述之晶圓移除速率的檢測 方法’其中在檢視該些雷射標記,以讀取該晶圓之該移除 厚度之步驟中,該第一圖案消失,而該第二圖案與該第三 圖案仍存在’·則表示該移除厚度在該第一深度與該第二深 度之間。 一 II ·如申請專利範圍第7項所述之晶圓移除速率的檢測^846twf.ptd 第16頁 559978 六、申請專利範圍 — 方法’其中該晶圓包括裸晶圓。 12·如申請專利範圍第7項所述之晶圓移除速率的檢測 方法’其中该晶圓包括回收晶圓。 1 3· —種深溝渠-深溝渠短路檢測晶圓之移除厚度檢測 方法,其中該方法包括: 提供一晶圓,該晶圓已形成複數個深溝渠; 於該晶圓上未形成該些深溝渠之區域設置複數個雷射 標記,每一該些雷射標記分別設置於該晶圓之不同深度 中; 對該晶圓進行一研磨製程; 對該晶圓進行一研磨後清洗製程;以及 檢視該些雷射標記,以讀取該晶圓之一移除厚度,並 檢測該晶圓,以判斷在該移除厚度是否有產生深溝渠—深 溝渠短路。 1 4·如申請專利範圍第1 3項所述之深溝渠—深溝渠短路 檢測晶圓之移除厚度檢測方法,其中更包括根據該移除厚 度求出一移除速率。 1 5 ·如申請專利範圍第1 3項所述之深溝渠—深溝渠短路 檢測晶圓之移除厚度檢測方法,其中該些雷射標記更包括 設置於該晶圓之非元件區。 1 6 ·如申請專利範圍第1 3項戶斤述之深溝渠·•深溝渠短路 檢測晶圓之移除厚度檢測方法,其中該些雷射標記至少包 括第一圖案、一第二圖案與〆第三圖案’且該第一圖 案、該第二圖案與該第三圖案分別代表該些深溝渠之一第第17頁 559978 六、申請專利範圍 一深度、一第二深度與一第三深度,且該第一深度小於該 第二深度,且該第二深度小於該第三深度。 1 7.如申請專利範圍第1 3項所述之深溝渠-深溝渠短路 檢測晶圓之移除厚度檢測方法5其中在檢視該些雷射標 記,以讀取該晶圓之該移除厚度,並檢測該晶圓,以判斷 在該移除厚度是否有產生深溝渠-深溝渠短路之步驟中, 該第一圖案消失,而該第二圖案與該第三圖案仍存在,則 表示該移除厚度在該第一深度與該第二深度之間。9846twf.ptd 第18頁
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TW559978B true TW559978B (en) | 2003-11-01 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106206342A (zh) * | 2015-04-30 | 2016-12-07 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种晶圆厚度的测量方法 |
US9728509B1 (en) | 2016-05-05 | 2017-08-08 | Globalfoundries Inc. | Laser scribe structures for a wafer |
CN113664694A (zh) * | 2021-07-29 | 2021-11-19 | 山西烁科晶体有限公司 | 碳化硅双面抛光中硅面及碳面去除厚度的测定方法 |
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2002
- 2002-09-25 TW TW91121966A patent/TW559978B/zh not_active IP Right Cessation
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US9728509B1 (en) | 2016-05-05 | 2017-08-08 | Globalfoundries Inc. | Laser scribe structures for a wafer |
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