TW548524B - Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby - Google Patents

Description

548524 五 、發明説明（ A7 B7 本發明與一微影投影裝置有關，其包括： 一一提供輻射之投影光束的輻射系統； 支払、、“春以支撐圖樣化裝置，該圖樣化裝置之功用為 據所需圖樣辦投影光束圖樣化； —一用來支承基板之基板檯；以及 才又衫系統，用以將圖樣化光束投影於基板之一目標部 ° 、、此處所用術言吾「圖樣化裝置」應廣義解釋為可用以賦予 進入之輻射以一圖樣化之斷面的裝置，該圖樣化之斷面 係對應於需建立於基板目標部份的一圖樣；而術語「光 J」亦可犯用於本文中。一般而言，該圖樣將與目標部份 將建儿的一 7C仵的特定功能層（如積體電路或其他裝置，見 以下說明）符合。此種圖樣化裝置的實例包括： -一光罩。光罩的概念在微影術中廣為人知，它並包括如 一 7L式、义替式相位偏移及衰減式相位偏移等光罩形 式，以及各種混合的光罩形式。此種光罩放在輻射光束 中，將導致照射在光罩上的輻射依據光罩上圖樣作選擇 性傳輸（在傳輸光罩的狀況）或反射（在反射光罩的狀 況）。在光軍的狀況，其支撐結構一般是一光罩檯，其為 確保光罩被支承於進入的輻射光束中一需要位置，並於 需要時可相對於光束移動。 -一可程式化鏡面陣列。此種裝置的一個範例是一具有黏 彈性控制層及反射表面的陣列可定址表面。在此一裝置 背後的基本肩理是（例如）反射表面中已定址的區域將入 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格(2i〇X297公董_) 548524 A7 B7 發明説明 射光如衍射光一樣反射，而未定址區域則將入射光如未 衍射光一樣反射。利用適當濾鏡可自反射光束中篩檢出 該未衍射光’僅擔下衍射光，如此，光束即依陣列可定 址表面的定址圖樣成為圖樣化。所需的陣列定址可利用 適當電子裝置執行。如需此種鏡面陣列更多詳細資訊， 可於（例如）US 5,296,891和US 5,523，193中搜集到，此 處以引用方式將其併入本文中。就可程式鏡面陣列而 吕’違支接結構可以（例如）框架或檯面方式具體化，並 視需要可為固定或移動式。 -一可程式化LCD陣列。在US 5,229, 872中提供了此種架 構的一個實例，此處亦以引用方式將其併入本文中。如 上所述，此種狀況的支撐結構可以（例如）框架或檯面方 式具體化，並視需要可為固定或移動式。 基於簡化的理由，本文其餘部份將在特定位置專門探討有 關光罩及光罩擡的實例，然而，此類實例中所探討的通用 原理應適用於較廣域的圖樣化裝置中。 微影投影裝置可用於（例如）積體電路（ICs)的製造上。在 此種情況中，圖樣化裝置可產生相關於IC中單一層的電路 圖樣’並可將此圖樣映射於已塗覆一層對輕射敏感的材料 (光阻；resist)之一基板（矽晶圓）上的目標部份（如包括一或 多個壓模）。一般而言，單一晶圓可包括眾多相鄰目標部份 所構成之網路，它們將依次由投影系統逐個照射。在本裝 置中’利用光罩檯上的光罩進行圖樣化，可區分兩種不同 形式的機器。在一種微影投影裝置中，藉暴露整個光罩圖 , 裝

線 -6- 548524 A7 _________ B7 五、發明説明（ ） 〇 樣於目標部份上一次照射每一目標部份，此種裝置通常稱 為晶圓步進機。在另一通常稱為步進掃描裝置的裝置中， 於投影光束下以-指定參考方向（掃描方向）逐步掃描光罩 圖樣照射每一目標部份，並同步平行同向或平行反向地掃 描基板檯，因通常此投影系統具有—放大倍率1^ (一般 <ι)故掃描基板檯的速率v將為掃描光罩檯速率的M倍。 有關上述微影元件的進一步資訊可於（例如）us 6,〇46,792 中收集到，本文中以提及方式併入。 在使用微影投影裝置的製造方法中，於至少部份由一層 對輻射敏感的材料（光阻）覆蓋的基板上映射一圖樣（例如在 一光罩中）。在此映射步驟之前，該基板可能已經過各種程 序，諸如蒸濺（priming)、光阻塗佈以及軟烘（s〇ft bake)。 曝光之後，该基板可能又經過其他程序，例如曝光後烘焙 (P〇st-exposure bake，PEB)、顯影、硬烘焙以及 對所映射部件的量測/檢驗。這一連串的程序是作為圖樣化 個別元件層（如：[C)的基本方式。接著，此經圖樣化之層可 再經過各種程序，諸如蝕刻、離子植入（摻入雜質； doping)、金屬化、氧化、化學機械拋光（chem〇-mechanical polishing)等’所有這些都是為了對個別層作最後加工。若 為要好幾層，則必須針對每一新的層重複執行整個程序（或 其變形）。最後，該基板（晶圓）上將出現眾多元件。接著將 曰利用一種諸如切刻（dicing)或鋸切（sawing)的技術分刻這 些元件，之後可將個別元件固定於載架（carder)上、達接至 腳位等。有關此種程序的進一步資訊可由（例如） 本紙張尺度適用中國國家標辱（CNS) A4規格(210X297公董） 548524 4 五、發明説明（ 「 Microchip Fabrication: A Practical Guide t〇

Semiconductor Processing, Third Edition, by Peter van Zant

McGraw Hill Publishing Co·，1997，ISBN 0- 07- 067250-4」 一書中獲得，本文中以提及方式併入。 」 為了簡化，爾後將稱此投影系統為「透鏡」，然而，應 將此術語廣義詮釋為包含各種形式的投影系統，包括（例如 折射光學、反身光學以及反·折射混合系統。輻射系統亦可 包括依據其中任一設計種類操作，用來導引、塑造或控制 輻射投影光束的元件，此種元件亦可統稱或個別稱為「透 ^」。另外，此微影裝置可能是一種具有兩個或以上基板 檯（及/或兩個減以上光罩檯）的形式。在此種「多階段」元 件中，其額外楨面可平行使用，或可在其他一或多個檯面 曝光時，於一或多個檯面上執行準備步驟。雙階段微影裝 置在（例如）US 5, 969, 441和W0 98/40791之中都曾有所描 述，本文中以换及方式併入。 在本發明中，投影系統一般將由一鏡面陣列組成，而光 罩則將為反射式；請參考（例如）w〇 99/57596中所探討的 裝置。這種狀況下，輻射最好是屬於遠紫外線（EUV)範圍 的電磁輻射。皂射的波長通常在大約5〇 nm以下，在大約2〇 11111以下更佳，在大约15 nm以下尤佳。有一在EUV區域波長 的例子，引起微影工業相當大的關注，那就是134 nm，隨 然在此區域中尚有其他有希望的波長，例如n nm。 在WO 00/36 471中描述了一個適合使用此種輻射的輻射系 統之實例。此一輕射系統可包括一適合使用EuV的聚光 本紙張尺度剌中國國家標準（CNS) μ規格(21〇χ挪公爱) 548524 A7 B7 五、發明説明（5 ) 鏡，如EP 1037 113中所描述的。 EUV輻射的來源通常是一電漿源，諸如一雷射產生的電漿 或一放電源。雷射產生電漿源可包括由雷射照射的小水 滴、氙或一固體目標以產生EUV輻射。在EP 1 109427中， 有適合的雷射蓋生電漿源的實例。一放電源包括由兩個電 極間放電所產生的電漿。放電源適合的例子包括毛細管放 電、電漿聚焦以及Z型夾頭韓射源，諸如共同申請歐洲專利 申請案號01305 671· 8中所描述者。 任何電漿源有一共通特性，就是其内在高速離子及原子 的產生，由電漿向四面八方放射。這些粒子對收集器和聚 光叙的1¾面（ '一般是具脆弱表面的多層膜鏡面）可能有害。 由於自電漿放射粒子的衝擊或賤擊，使此表面的品質逐漸 降低，而鏡面的使用期限也因此縮短。 滅擊作用特別會對收集器鏡面造成問題。此鏡面的用處 就是收集電漿源向四面八方放射的輻射，並將其導向照射 系統中其他的鏡面。收集器鏡面的位置和電漿源非常接 近，並在電漿源的視線之内，因此會自電漿中接受大量的 南速粒子流。系統中的其他鏡面一般而言受放射自電漿粒 子藏擊的損壞程度較小，那是因為它們可能都已受到某種 程度的防護。 先前曾經使用一種方法，並且的確能解決對鏡面損壞的 問述’就是利用氦氣作為背景氣體，藉碰撞阻止粒子的衝 擊。然而，此種技術無法在保持夠低的氦氣背景壓力以確 保輕射光束足夠的通透率的同時，將濺擊率降低至可接受 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標参（CNS) A4規格(210 X 297公釐) 548524 五、發明説明（6 的私度。因此需要另一種方法，以解決此問題。 :::姻目標是要提供—種微影投影裝置，其包含 m 離子、原子或粒子對輕射系統中鏡面所造成揭* 的=法（當輻射源為電漿源時）。本發明的進—步厂: 要提供一種降低上述損害的方法。 π疋 徵=序言中所說明’本發明提供一種微影投影裝置，其特 氣:體供應裝置’以對一含有鏡面的空間供應碳氫化合物 咸岸應裔裝1，以監控藏鏡面之反射率，及/或壓力 心、應咨裝置，以監控該空間中的背景壓力，·以及 1控制該氣體供應裝置，分別針對該反射率 感應益裝置所#測的反射率及/或該壓力感 的背景壓力做出反應。 ϋ 二=一含有鏡面的室中’碳氫化合物的存在將使鏡面 表面形成一層碳氫化合物覆蓋層。雖然先前使用此覆蓋層 有利於㈣鏡面防止化學侵襲（如氧化），但覆蓋層卻常被 視為有害，因為它降低了鏡面的反射率。 如今本發明者已發現，鏡面表面上的覆蓋層可用來保護 鏡面，以防止自電聚源發射的高速離子及原子造成滅擊損 菩。當於含有鏡面的空間加入碳氫化合物時，它們物理 化學地吸附於鏡面的表面’以在其表面形成一保護層.。此 表面層的组成包含碳氫化合分子或加上其他存在此系統中 的雜^染物粒子，以及由氣體管路引進此系統的任何尤 -10 本紙蘇尺度適用中國國家標养（CNS) Α4規格(210 X 297公爱) 548524 A7 B7 7 五、發明説明（ 他刀子 ^氣聚產生的南速離子和原子撞擊鏡面表面時， 它們與保護層接觸，將碳氫化合物分子逐出覆蓋層，避免 了對鏡面本身的損害。 然而，若為此目的使用覆蓋層，必須先克服幾個困難 點。首先，覆蓋層逐漸被濺擊摧毀，而它一旦發生侵蝕， 忒會出現對鏡面的損害。其次，若覆蓋層太厚，將使鏡面 的反射率降低4至無法接受的程度，而減低投影裝置的效 率 〇 為了克服這些困難，本發明使用的是一種動態覆蓋層。 這是一種不斷被濺擊消耗並由新的分子取代的覆蓋層，因 此4層的厚复大體上能保持不變，或在一可接受的範圍 内。為達此一目的，則需監控鏡面的反射率及/或空間的背 景壓力。若因覆蓋層太厚使鏡面反射率過低，將使空間中 碳氳化合物t體壓力降低，而讓部份覆蓋層被濺擊消耗 掉。所產生較薄的覆蓋層則會提昇反射率。反之，若覆蓋 層太薄，因濺擊使覆蓋層中產生孔隙，將暴露出鏡面的表 面。在此情況下，將增加空間中碳氫化合物氣體的壓力， 以確保覆蓋脣能保留下來。藉碳氫化合物壓力的小心調 整，能保持穩定的狀態，其中碳氫化合物覆蓋層的增長率 與覆蓋層因電漿粒子放射所致的破壞率相當。 因此，本發明提供一微影投影裝置，其鏡面的壽命增 長，同時因鏡面反射率維持高水準而保持了系統效率。9 本發明並與一利用微影投影裝置的元件之製造方法有 關，其步驟包括： / -11- 548524 五 、發明說明（ 8 -提供至少部份由一層對輻射敏感的材料所覆蓋之一基 板； -利用一輻射系統提供一輻射投影光束； -利用圖樣化装置賦予投影光束一圖樣式之斷面； -:圖樣化之無射光束投影至輻射敏感材料層之一目標部 其特徵在於該汸法包括下列步騾·· •對一含有鏡面的空間供應碳氫化合物氣體，· 控該鏡面的反射率及/或該空間中的“壓力；以及 -=鏡…射率及/或該空間之背景壓力，控制供應 至4芝間之破氫化合物氣體的量。 : 4本方ί的—具體實施例中，該鏡面可包括至少40層 的# ί:1Γ法進一步包括一步驟，即改變供應至空間 擊=除 體總量，使該鏡面頂層（或頂上數層）藉賤 的以動態生長覆蓋層厚度的控制為基礎 反 反 而 面 若 成…：用來延長鏡面的壽命。當使用本方法時， 成於知面上之覆蓋層的厚度，可依 射率或該空間中的背景壓力來控制。例如"二= 射率太低’ t中的壓力即減低兄9 減少了動轉層言爲,A r办 、相對減擊率的增加 頂声"Γ 尽度。這將造成移除覆蓋層及/或鏡 /、曰（或頂上數層）的效果，並提供一 、· 該多層膜鏡面擁有不致明顯使反射率：=:表面。 口 ♦甚至可將其數層頂層濺擊消耗， 曰 而不致明顯使其反射 -12 X 2^7公釐） A4規格(210_ 548524 五、發明説明（ 率惡化。在鏡面必須更換之前，可對頂 擊。在此情況下’最好監控鏡面的反射數：執行數次濺 反射率及背景屬力則尤佳。 、… 告能同時監控 因此本方法能使鏡面的壽命增加，並 統之氣體壓力的持續精確的監控並非必不可心步從明加於系 上述照射系統中之-空間供岸件：：法有關’其特徵為對 鏡面。 工門供應-每類氣體，該空間包括_ 先前即發現：在投影裝置中加入乙 一自行消失的覆蓋層。因此，—曰 蘀 面上產生 度，即使持續加入乙醇分壓，覆f層達到最大厚 在防止投影光學系統因水：及Eu=不會隨時間增加。 p 士二、、、 乂輻射的存在導致氧化的 j載&種現象。另外，當引進乙醇並同時將 釦面暴路於-氧化劑（如氧、水等）中時，覆蓋層的厚度亦 受到限制。組合上紫外線輕射’覆蓋層中的碳被氧化，並 由表面上移除。最後’僅形成一層相對較薄的覆蓋層。然 而’本發明之發明者將上述方法應用於本發明，並發現在 g °有釦面的空間中以諸如乙醇的醇類作為引進的碳氫 化合物，有其特別的好處。乙醇覆蓋層提供本發明所有的 饭點，特別是對鏡面表面的保護，以及因鏡面反射率的保 持而使該裝置的效率得以維持，另外一個好處是：不需再 對乙醇的背景塵力作仔細的監控。 雖然在本文中可特別推薦依據本發明之裝置使用於ICs製 造万面，但悤明白此種裝置尚有許多其他可能的應用範 -13- 本紙張尺度適用中國國家標A4規格(21〇χ 297公[ 裝 訂 線 548524

_ p :如\可搿其引用於製造整合式光學系統、磁性區域 『思體的壤$丨 笔 ^ (、測圖樣、液晶顯示面板、薄膜磁頭等 守。熱知技藐Λ丄# ^ y 云人士應明白，在此種選擇性應用中，本文中 任何對術語Γ φ氺罢 「 r 分 先罩」、晶圓」或^莫板」的應用皆應 取代。 先罩」、基板」及「目標部份」 ；· 裝 '下將參考範例性具體實施例及隨附說明圖樣，以進一 步描述本發明及其伴隨之優點，其中： 圖1顯不依攘本發明之一微影投影裝置，以及 圖2顯不依橡本發明之一微影投影裝置的輕射系統。 在圖式中，相似的參考數字標示對應的零件。 明下說月中，以Χ、¥及Ζ方向的正交參考系統描述本發 具體實施例1

線 圖為依據衣發明一特殊具體實施例的微影投影裝置1的 原理說明。該裝置包括·· .一提供輻舟（例如EUV輻射）投影光束ΡΒ的輻射系統 ΕΧ、比/在此特殊個案中，輻射系統亦包括一輻射源LA ;

• 一第一目標檯（光罩檯）MT，具有支承光罩MA (例如— 主光罩）的一光罩支架，並與第一定位裝置pM 於項目PL將光罩精確定位； 要相對 • 一第二目標檯（基板檯）WT，具有支承基板w (例如— 塗佈了光阻妁矽晶圓）的一基板支架，並與第二定位裝置 P W連接以相對於項目PL將基板精確定位； -14-

548524 A7

• 一投影***（「透鏡」）PL· (例如一鏡面群組）以將光罩 MA的-受照紂部份映射於基板w白勺目標部份c (例如包含 一或多個模板）上。如此處所描述，該裝置屬一反射刑式 (即具有一反射光罩）。然而，—般而言，它亦可屬一（二:口 傳輸型式（具有一傳輸光罩）。或者，該裝置可引用另一種 圖樣化裝置，例如一上述型式的可程式化鏡面陣列。 輻射源LA (例如一雷射產生之電漿源或一放電源）產生一 輻射光束。直接地或在穿過調節裝置（諸如一光束擴張器Εχ) 之後，此光束被注入一照射系統（照射器）化。照射器江可 已》έ凋正裝置AM以设定光束中強度分佈的外徑向範圍及/ 或内徑向範圍（一般分別稱為σ ·外及σ _内）。另外，一般它 會包括其他數種元件，諸如一整合器ΙΝ和一聚光鏡c〇。如 此，照射於光罩MA上的光束PB在其斷面中具有一所需的一 致性和強度分佈。 於圖1中應生意的是：輻射源LA可位於微影投影裝置的外 贫又中（通常當輕射源LA是一（例如）水銀燈時，即是如此）， 但它亦可與微影投影裝置距離遙遠，其所產生之輻射光束 被導入裝置中（例如依靠適當導引鏡面之助），當輻射源LA 為一準分子雷射（excimer laser)時，通常是後面這種狀況。 本發明及申請專利範圍包含此兩種狀況。 光束PB隨後截擊上支承於光罩檯ΜΊΓ上的光罩Ma。通過 光罩MA後，光束pb再穿過透鏡PL ,此透鏡將光束pB聚焦 於基板W的一目標部份C上。經由第二定位裝置（以及干涉 測足裝置IF)的幫助，可精確移動基板檯wt，（例如）以在光 -15 - 本紙張尺度適用中國國家標莽(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

裝 訂

548524 A7 _____ B7 i、發明説~: ) " —— 束PB的路徑上標定不同的目標部份c。同樣地，可用第一 定位裝置以相關於光束PB的路徑精確標定光罩ma，例如， 自光罩庫機械姓地取回光罩MA之後，或在掃描當中。一般 而言，目標檯]MT、WT的移動是靠一長行程模組（方向定位） 和一短行程模組（細微定位）的幫助實現的，此二者皆未明 確標示於圖。然而，若在晶圓步進機的狀況中（相對於 步進掃描裝置），光罩檯MT可能僅連接一短行程之傳動裝 置（actuator)，或為固定。 上述裝置可用於兩種不同模式中： 1·在步進模式中，光罩檯MT實質上保持固定，整個光罩 f像在一趟（妒一閃）當中對目標部份c投影完成。接著基板 檯…丁向义及/或^方向移動，使光束1^能照射另一目標部份 C ; 2·在掃描模式中，實質上適用相同的狀況，但特定目標部 份C並非於單一「一閃」中曝光。光罩檯MT卻可在一特定 方向（所渭的「掃描方向」，例如y方向）以一速度v移動， 使投影光束PB掃描通過一光罩影像，同時基板檯wt則與之 同向或反向以速度V=Mv移動，其中M為透鏡pL的放大倍率 (典型地’ M= 1/4或1/5)。如此，可曝光一相對大區域的目 標部份C而不需犧牲解析度。 、Η 2更詳細地描述輕射系統[A、il的原理。參考圖玉所 述供應一投影光束PB的輻射源L·A與一收集器鏡面cm — 起i 5於至3當中。由輻射源產生的輻射由收集器鏡面cM 瓦射離開，並以一光束PB的形式被導向如上述包含於照射 -16-

548524 A7 ------------B7 五、發明説明（^~) --------

2、死!^中的其他許多光學元件。此處描述的照射***中某 二^予7G件並非包含於室3中。然而，除了收集器鏡面CM 卜照射系、統1L中某些或全部的光學元件也可能包含於 室3中。 室3包括了氣體供應裝置以為其供應氣體碳氫化合物（例 :f如^醇白勺醇類），該裝置包括所需的碳氫化合物6的供 …(可把疋氣化或液化的碳氫化合物加壓鋼瓶），以及 ,匕二氣閥的入口 2。罜中的碳氫化合物分壓可藉該氣閥控 、’立亦"T包括壓力感測器裝置5以監控室中的背景壓 並/或可包括反射率感測器裝置7以監控收集器鏡面匸¥ 勺反射率。▲最好包括壓力及反射率感測器5及7。反射率 感測器裝置可藉量測沿著投影光束pB的光束強度或直接量 側收集器鏡面的反射率以監控鏡面的反射率。 在本發明之一特殊狀況中，輻射源LA為一電漿源，產生 一 EUV輻射光束PB。同時電漿源也向四面八方發射高速原 予和離子8，這些發射出來的粒子會接觸到室中各種光學元 件’特別是收集器鏡面CM。 一碳氫化合物由入口2引進室3，碳氫化合物分子則吸附 於鏡面CM的表面，以在鏡面CM之上形成一覆蓋層。此覆 蓋層由於自電漿源產生的高速原子和離子的撞擊或濺擊， 逐漸被侵蝕。藉由調整自入口 2引進室3之碳氫化合物的 里*，可使覆蓋層以大約相當於錢擊消失率的比率增長。 利用壓力及/或反射率感測器裝置5和7可決定所需碳氫化 合物的量。例如，若壓力感測器裝置5顯示室中的壓力太 17 本紙張尺度適用中國國家標赛（CNS) A4規格(210 X 297公釐) 548524 A7

:引、覆：層的生長將較其被濺擊消失的速度為十曼，則應增 至中& 1化合物的量。另外，若反射率感測器裝置7 反射率了$，覆蓋層的生長將較其㈣擊消失的速度 則應減少引進室中碳氫化合物的量，直到反射率再 又$到:可接受程度。覆蓋層最好能以其被濺擊消失兩倍 ^、度~長’ α確保對鏡面cm表面的保護。最佳的狀況就 疋m態日寺，覆蓋層的增長率和其被濺擊消失的速 _實也例2 本發明的第二個具體實施例除了下述部份之外，和第一 個e體實施例相同，引進室中的碳氫化合物為一醇類，最 好是乙醇。在此情況中，乙醇一般是以一大體上固定的壓 力供應的，而一自行消失的覆蓋層則可形成於收集器鏡面 CM <上。乙醇引進室中的速率必須足夠提供室中乙醇的 分壓’以允許自覆蓋層濺擊消失的分子快速替換。 、必須供應到室中的乙醇最低需求分壓，是由向鏡面的有 害粒子（例如氣（Xe))流決定的。最大有害氙粒子流r p可 由下式計算而得： pmax focusAnd2 frep 其中nXe為氙原子平均密度（一般為2xl024 m·3) , vf〇cus為雷 射光束聚焦點的體積（〇· 025 mm- 3) ’ frep為輕射源的重複率 (6 kHz)，而d則是電漿與鏡面間的距離。 對鏡面的乙醇分子流Γ eth可由下式計算得： -18 - 本紙張尺度適用中國國家標弊(CNS) A4規格(210X297公爱）— --- 548524 五 發明説明（ 15 A7 B7

4 kBTii^r 1 Pt eth V X eth 其中Peth為乙哮的分壓，kB為波茲曼1 的心 （^ohzmann)常數，τ幺 、、、巴對溫度，而Meth則為乙醇的重量。^ > 為 於如、 叹母一氙離子或原子 ^擊鏡面表面將自覆蓋層驅出—個 丁 η η 個乙醉分子，且僅右 υ· 〇 1%的乙醇分子吸附於鏡面表面， $ 生 , 两 為防乙醇層被濺擊消 天’ W 1\化必須比氙流大。因此，（你丨 (例如）當電漿與鏡面間 、距離d至少為1 〇 cm時，乙醇的分壓至兩 (亳巴）。 &王7而為10 mbar 然而，若假設有大於0.01%的乙醇（例如是1〇〇%)分子吸 附於鏡面表面，則可使用較低的乙醇分壓。在此狀況中， (^列如）於距離d至少1〇 "^時，需要至少10·6 mbar的乙醇分 理想狀況下，本具體實施例中選定了一特定乙醇分壓， 且此刀壓以大體上穩定的速率供應。如此，則不需對壓力 夂反射率進行監控。然而，最好壓力及/或反射率無論如何 仍如具體實施例丨一樣被監控（兩者同時監控尤佳），必要 時亦可調整分壓。然而，分壓的監控比使用非醇類的碳氫 化合物時可較不頻繁，也可較不精確。 县體實施例3 本發明的第三個具體實施例除了下述部份之外，和第_ 個具體實施例相同，參考圖2，鏡面CM為一多層膜鏡面。 多層膜鏡面CM具有至少40層，最好至少有50層，至少有6〇 層尤佳。 -19 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格(210 X 297公爱）

裴

548524 五、發明説明（16 此系統包括供應碳氫化合物氣體的氣體供應裝置6，然似 乎亦可用碳氫化合物以外的氣體。該裝置包括所需的氣體 來源6,以及入口2。氣體供應給室3 ,可藉感測器$監控= 中氣體的分壓。系統中氣體的壓力維持在足夠高度，使形 成於多層膜鏡面CM上的覆蓋層氣體粒子不會隨時^受到侵 !虫。 反射率感測器裝置7用來依據鏡面上覆蓋層變得太薄， 判疋多層膜鏡面的反射率降低的時間。當此情形發生時 ，中氣體的签力會降低，導致濺擊率增高。濺擊率的I 南，將導致多層膜鏡面的頂層或頂上數層與覆蓋層同時被 移除。此時系統中氣體的壓力再度增加，以防再有其他 被移除。 / 本具體實施例雖僅描述多層膜鏡面，然其並非本發明 限制條件。切線入射境面（grazing incide⑽仙⑽）是另 種選擇，輻射以小於大約20度的角度導入這種鏡面上， 不一定為多層膜，而可由單一金屬層製成。此種鏡面在茶 f^EUV輻射源所產生的原子和離子中時，同樣會降低其 品質。同樣的方法亦適用於這些鏡面。 、在吾等說明本發明上述特殊具體實施例後，應清楚知 ^，可運用其他方法實施本發明。本發明不受限於上述說 圖式元件符號說明 1 微影投影裝置 3 室 2 入口 5 壓力感測器裝置 以 升 層 之 它 暴 本紙張尺度適用中國國家標界(CNS) A4規格(2 20- 1〇Χ29Ϋ^ 釐) 548524 A7 B7 五、發明説明（17 ) 6 碳氫化合物之供應器 7 反射率感濟器裝置 8 高速原子和離子 AM 調整裝置 BP 基底板 C 目標部份 CM 收集器鏡面 CO 聚光鏡 EX 光束擴張器 IF 干涉測定裝置 IL 照射系統 IN 整合器 LA 輻射源 MA 光罩 MT 光罩台 PB 投射光束 PL 投影透鏡 PM 定位裝置 PW 定位裝置 w 基板 WT 基板台 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格(210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 申請專利範圍 9 至 16 nm 〇 一Li專利鼽圍第1或第2項裝置，其中該碳氫化合物為 8.如裝置’其中該醇類為乙醇。 電器鏡面。Μ或弟2項的裝置’其中該鏡面為-集 9· 一種利用微彰沪旦， 騾： ’、“裝置的元件之製造方法，其包括步 板；’、部6由一層對輻射敏感的材料所覆蓋之一基 利用一輻射系統提供一輻射投影光束； 利用圖樣化裝置賦予投影光束一圖樣式之斷面； 部俨圖樣化之輻射光束投影至輻射敏感材料層之一目標 其特徵在於該方法包括下列步驟： 對一含有鏡面的空間供應碳氫化合物氣體； 監控該鏡面的反射率及/或該空間中的背景壓力；以及 依據該鏡面之反射率及/或該空間之背景壓力，控制供 應至戎2間之碳氫化合物氣體的量。 10·如申請專利範圍第9項的方法，其中該後氫化合物為一 醇類。 11·如申請專利範圍第10項的方法，其中該醇類為乙醇。 12·如申請專利範圍第9、⑼或⑴員的方法，其中該鏡面包 括至少40層多層膜，其中該方法進一步包括改變供應至 23 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(21〇χ 297公釐) 548524 中請專利範圈 丄間中的碳歲化合物氣體總量的該步驟，使該鏡面頂層 (或頂上數層）藉濺擊而去除。 種利用极於投影裝置的元件之製造方法，其包括步 · 提供至少部份由一層對輻射敏感的材料所覆蓋之一基 板； 利用一輻4寸系統提供一輻射投影光束； 利用圖樣化裝置賦予投影光束一圖樣式之斷面； 、將圖樣化之H射光束投影至輕射敏感材料層之一目伊 部份， ▽ 其::徵，:在該輻射系統中的空間内供應一 類，此2間中包含一鏡面。 开 Η·如申請專利範圍第u項的方法， ^ ^ ^ 具中涿醇類在該鏡面上 形成-覆盍層，且其中該醇類供應至該空 能使該覆蓋層有效達到一厚度，此 力疋 間增加。 度大植上不會隨時 15.如申請專利範圍第丨3或I4項的方法甘丄 醇。 决’其中該醇類為乙 -24 - 本紙張尺度適用中國國家標等(CNS) Α4規格(210 X 297公釐）