TW542945B - Resist stripping solution composition and resist stripping method using the same - Google Patents
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542945
五、發明説明(1 ) 〔發明之詳細說明〕 發明之技術領域 本發明係關光阻蝕刻用剝離液組成物及使用其光阻蝕 刻剝離方法。更詳細言之,係有關適合使用於I C或L S I等半導體元件或液晶嵌板元件之製造,且光阻蝕刻膜及 變質膜兩者之剝離性優越,即使在高溫處理條件下,基片 之防蝕性優越的光阻蝕刻用剝離液組成物及使用其光阻蝕 刻剝離方法。 關聯技術領域之說明 * 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I C或L S I等半導元件或液晶嵌板元件,係將光阻 蝕刻均勻塗布於利用蒸鍍等方式形成於基板上的透明導鼋 膜(nesa )等導電性金屬膜或S i 〇2膜等的絕緣膜上,將 此光阻蝕刻曝~光,進行顯影處理,進行光阻蝕刻圖型( photoresist pattern),以此圖型爲掩膜(mask)選擇性的蝕刻 上述導電性金屬膜或絕緣膜,形成微細電路後,以剝離液 去除不需的光阻蝕刻層並予製造。在此除上述金屬膜-之外 的例子,採用鋁(A1);鋁一矽(A1 — Si)、鋁一 矽一銅(A1 - Si — Ca)等鋁合金(A1合金)·,純 鈦(Ti);氮化鈦(TiN)、鎢化鈦(TiW)等鈦 合金(Ti合金),此等係以單層〜多數層方式形成於基 片上。 至於去除上述光阻蝕刻層之剝離液組成物,近年有採 用烷醇胺類之光阻蝕刻用剝離液組成物(日本特開昭6 2 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-4- 542945 B*7 五、發明説明¢2 ) 一 49355號公報,特開昭63 - 208843號公報 等等)。 然而,於今日之半導體裝置或液晶裝置之製造步驟, 除上述的方法之外,光阻蝕刻層經予施以乾蝕刻,灰化( ashing)離子植入等處理的光阻蝕刻膜需予剝離一事亦漸 成必要的。藉由此等處理,處理後的光阻蝕刻膜即成爲變 質膜。近年,此等的處理條件變成較嚴格的,變質膜由於 由有機膜逐漸變成具有無機的性質之膜,故採用烷醇胺類 之剝離液組成物,在此變質膜之剝離性方面即成爲不足夠 的。 < 然而,最近,變質膜之剝離性較優越的光阻蝕刻用剝 離液組成物,則有含羥基胺之光阻蝕刻用剝離液組成物被 提出。例如於日本特開平4 一 2 8 9 8 6 6號公報記載有 由含有羥基胺~及醇胺而成的光阻蝕刻用剝離液組成物。又 於曰本特開平6 — 2 6 6 1 1 9號公報,記載有於羥基胺 及烷醇胺內再使含有兒茶酚等螯合劑(防蝕劑)之光阻蝕 刻剝離液組成物。 ~ 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此等含羥基胺類之剝離液組成物,係與上述採用烷醇 胺類之剝離液相比,可提高變質膜之剝離性,惟對蒸鍍有 A1或A1 — Si、A1 — Si — Cu等的A1合金之基 片,或對蒸鍍有純鈦(T i )的基片則有出現腐蝕之問題 存在。實際,於上述日本特開平6 — 2 6 6 1 9 9號公報 記載的剝離液,對鈦合金可防止腐蝕,惟對純鈦(T i ) 則未能防止,致有發生腐蝕的問題存在。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 542945 五、發明説明(3 ) 對上述問題點,例如於日本特開平9 一 9 6 9 1 1號 公報’揭示著由羥基胺類、水、具有指定的酸解離常數之 胺類、水溶性有機溶劑及防蝕劑經特定量配合的光阻蝕刻 用剝離液組成物,尤其在變質膜之剝離性方面優越,即使 對已形成A 1或A 1合金、純鈦(T i )之基片亦有防蝕 功效。然而,該公報記載的光阻蝕刻用剝離液組成物,在 光阻蝕刻膜之剝離性方面並不足夠。 又最近,由作業效率等方面,亦較以往更被要求能在 高溫的剝離作業。通常,愈在較高溫下進行處理愈可提高 剝離性,惟另一方面,對基片上之金屬膜有僅如此操作即 有容易引起腐蝕之傾向。再者,在高溫的處理條件下,對 光阻蝕刻膜,變質膜之任一者之剝離亦可對應的剝離液組 成物之要求亦逐漸提高著。 因此,對~光阻蝕刻膜,變質膜之任一者亦具有優越的 剝離性,同時在較高溫處理條件下,對金屬膜,尤其形成 A 1或A 1合金、Ti而成的基片亦可有效的防止腐蝕之 光阻蝕刻用剝離液的開發正被期待著。 ~ 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明人等,爲解決相關的課題,經多次銳意硏究的 結果,發現藉由採用以特定比例配合羥基胺類、水、特定 的胺類、二甲基亞硯、及芳香族羥基化合物而成的光阻蝕 刻用剝離液組成物,可解決上述問題,基於此發現以至完 成本發明。 發明之槪要 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 542945 A7 B7 五、發明説明) 本發明之目的,係即使於較高溫處理條件下,亦提供 對形成有金屬膜,尤指A 1或A 1合金之基片,或純鈦( T i )之基片之兩者亦可有效的防止腐蝕,對光阻蝕刻膜 ’變質膜之任一者亦具有優越的剝離性之光阻蝕刻用剝離 液組成物及採用此組成物之光阻蝕刻剝離方法。 亦即,本發明,係有關(a )羥基胺類2〜3 0重量 %, (b)水2〜35重量%, (c)由單乙醇胺及二乙 醇胺之中選出的任一者一種以上25〜40重量%, (d )二甲基亞碾2 0〜3 2重量%,及(e )芳香族羥基化 合物2〜2 0重量%而成之光阻蝕刻用剝離液組成物者。 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,本發明,係有關以(i )於已形成金屬層之基片 上設有光阻蝕刻層之步驟,(i i )選擇性的曝光該光阻 蝕刻層之步驟,(i i i )將曝光後之光阻蝕刻層顯影並 設置光阻蝕刻ή型之步驟,(i v )以該光阻蝕刻圖型爲 掩膜(msk )並蝕刻基片之步驟,(v )再現所需要的將 該蝕刻步驟後之光阻蝕刻圖型灰化的步驟,(v i )由基 片剝離前述蝕刻步驟後或灰化步驟後之光阻蝕刻圖型之步 驟而成的光阻蝕刻剝離方法,在溫度7 5〜8 5°C之範圍 ,採用上述光阻蝕刻用剝離液組成物,以將蝕刻步驟後或 灰化步驟後的光阻蝕刻圖型予以剝離爲特徵之光阻蝕刻剝 離方法有關者。 發明之詳細說明 於本發明,「T i」係意指「純鈦」,並非爲含有氮 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 542945 IT____ 五、發明説明(5 ) 化鈦「T i N」或鎢化鈦(T iW)等之鈦合金者。 使用於本發明之(a )成分之羥基胺類,係以下述一 般式(I )
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (式內,R1,R2爲各自分別表示氫原子、碳數1〜6之 低級院基)表示者。 在此上述碳數1〜6之低級烷基,係各自例示有:甲 基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第 三丁基、戊基、異戊基、新戊基、第三戊基、己基、異己 基、3 —甲基戊基、2,2 —二甲基丁基或2,3 —二甲 基丁基等,IT1,R2可爲相同亦可爲不同。 至於上述羥基胺類,可具體的舉出有:羥基胺( ΝΗ2〇Η)、Ν —甲基羥基胺、Ν,Ν —二甲基羥基胺、 Ν,Ν -二乙基羥基胺等。其中較宜採用羥基胺。此等羥 基胺類可單獨使用,亦可組合二種以上使用。 經濟部中央標隼局員工消费合作社印裝 (b )成分之水,係當然含於(a )成分內者’惟可 再加入以調整其配合量。 (c)成分,則可採用由單乙醇胺、二乙醇胺之中選 出的任一者之一種以上。 (d )成分,則採用一甲基亞硕。 (e )成分之芳香族羥基化合物,係主要爲得防蝕效 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X29?公釐)-8- 542945
IT 五 '發明説明(6 ) 果者’具體而言,可舉出有··酚、甲苯酚、二甲苯酚、兒 茶s»(l,2 —二羥基苯)、第三丁基兒茶酚、間苯二酚 、氫醌、兒茶酚、五倍子酚、1,2,4一苯三醇、鄰羥 #甲醇、對-羥基苄醇、鄰-羥基苄醇、對羥基苯乙基醇 、對〜胺基酚、間一胺基酚、二胺基酚、胺基間苯二酚、 對一羥基安息香酸、鄰一羥基安息香酸、2,4 一二羥基 安息香酸、2,5 —二羥基安息香酸、3,4 一二羥基安 息香酸、3,5 -二羥基安息香酸等。其中,以兒茶酚、 第三丁基兒茶酚較宜使用,惟由作業上之安全性等方面, 以第三丁基兒茶酚較宜採用。此等化合物可單獨使用,亦 可合倂二種以上使用。 上述(a)〜(e)成分之配合比例爲,(a)成分 2〜30重量%,宜爲5〜20重量%, (b)成分2〜 35重量%,¥:爲5〜25重量%,(c)成分25〜 40重量%,宜爲30〜35重量%, (d)成分20〜 經濟部中央標隼局員工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 32重量%宜爲25〜30重量%(e)成分2〜20重 量%,宜爲3〜1 0重量%。於本發明,上述(a )〜( e )成分之配合比例係重要的,藉由將各成分之配合量設 成上述範圍內,對光阻蝕刻膜,變質膜之兩者均可有效的 剝離,而且即使在7 5〜8 5°C程度之高溫進行剝離處理 ,亦不致腐蝕金屬膜。各成分之中,尤以(c )成分之配 合量超過4 0重量%時,光阻蝕刻膜,變質膜均會提高剝 離性者,而對形成有A 1或A 1合金之基片卻會引起腐餓 。另一方面,(c)成分若未滿25重量%時,對形成有 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 7〇Ζ 542945 五、發明説明(7 ) T i之基片會引起腐蝕。 本發明之光阻蝕刻用剝離液組成物,係含有負片型及 正片型光阻蝕刻,可有利的使用於用鹼溶液可顯影的光阻 蝕刻。至於此種光阻蝕刻,可舉出有:(i )含有萘醌二 疊氮化合物及酚醛淸漆樹脂之正片型光阻蝕刻,(i i ) 含有由曝光而發生酸之化合物,由酸分解對鹼水溶液之溶 解性增大的化合物及鹼可溶性樹脂之正片型光阻蝕刻,( i i i ).含有由曝光而發生酸之化合物,由酸分解對鹼水 溶液之溶解性增大的基之鹼可溶性樹脂之正片型光阻蝕刻 ,及(i v)含有由光而發生酸之化合物、交聯劑及鹼可 溶性樹脂之負片型光阻蝕刻等,惟並非受此等所限定者。 本發明之光阻蝕刻剝離方法,係形成由微影( lithographic )法而得的光阻蝕刻圖型,其次蝕刻基片後, 分成剝離光阻&刻膜之情形,與前述蝕刻後,剝離灰化處 理光阻蝕刻膜而成的變質膜之情形。 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 至於剝離前者之蝕刻後的光阻蝕刻膜之情形的例子. 爲於(I )於已形成金屬層之基片上塗布,乾燥光阻餓刻 組成物,設置光阻蝕刻層之步驟, (II) 介由掩膜圖型選擇型的曝光該光阻蝕刻層之 步驟, (III) 顯影出曝光後的光阻蝕刻層,設置光阻圖 型之步驟, (I V)以該光阻蝕刻圖型爲掩膜,蝕刻該基片之步 驟,及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ·彳〇_ 542945 Λ" B*7 五、發明説明(8 ) (V)由基片剝離蝕刻步驟後的光阻蝕刻圖型之步驟 而成的光阻蝕刻剝離方法,採用溫度7 5〜8 5°C之範圍 蝕刻本發明之光阻蝕刻用剝離液組成物的步驟後,剝離光 阻蝕刻圖型之方法。 又,至於剝離後者之灰化後的變質膜之情形之例子, 爲於(I )於已形成金屬層之基片上塗布,乾燥光阻蝕刻 組成物,設置光阻蝕刻層之步驟。 (I I )介由掩膜圖型選擇性的曝光該光阻蝕刻層之 步驟, (I I I )顯影出曝光後的光阻蝕刻層,設置光阻圖 型之步驟, (I V )以該光阻蝕刻圖型爲掩膜,蝕刻該基片之步 驟,及 (V)灰?匕光阻蝕刻圖型之步驟,及 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (V I )由基片剝離灰化後的光阻蝕刻圖型之步驟而 成的光阻蝕刻剝離方法,採用溫度7 5〜8 5°C之範圍蝕 刻本發明之光阻蝕刻用剝離液組成物的步驟後,剝離灰化 後的光阻蝕刻圖型之方法。 至於已形成金屬層之基片,爲成有鋁(A1);鋁一 ,砍(Al—S i)、銘一砂一銅(A1 — S i - Cu) 等鋁合金(A1合金):純鈦(Ti);氮化鈦(TiN )、鎢化鈦(T iW)等鈦合金(T i合金)等金屬膜之 基片。本發明之剝離方法,尤其於金屬層至少爲具有純欽 (T i )層之基片,例如基片上形成第1層之氮化鈦( 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐).-| 1 . 542945 Λ7 五、發明説明(9 ) T i N)層,其次於此第1層上以純鈦(T i )層爲第2 層’再於此第2層上以A 1 — S i — Cu層爲第3層,再 於此第3層上以T i N層爲第4層而成的基片上,具有該 純鈦(T i )之腐蝕防止效果極具優越的功效。 塗布、乾燥、曝光、顯影、蝕刻及灰化處理,係任一 者均係慣用的手段,並未予特別的限定。蝕刻爲濕蝕刻、 乾蝕刻之任一者均可,又合倂採用兩者亦可。灰化原係去 除光阻蝕刻之方法,惟大多藉由灰化使光阻蝕刻圖型殘留 成部分變質膜,本發明則以此種情形之變質膜的完全去除 係較有效的。 - 且,上述(III)之顯影步驟,(V)或(VI) 之剝離步驟之後,以施予採用慣用的純水或低級醇等的淸 洗處理及乾燥處理亦可。 又,依光la蝕刻之種類而異,對通常施加於化學增幅 型光阻蝕刻之後曝光烘烤的曝光後進行加熱處理亦可。又 ,形成光阻蝕刻圖型後進行後烘烤亦可。 經濟部中央標隼局員工消费合作社印聚 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 剝離處理,通常係利用浸漬法,噴布法予以施行。且 ,該時際之剝離液的溫度通常在5 0〜8 5°C進行,惟於 採用本發明之剝離液組成物的剝離方法,即使在7 5〜 8 5 °C之高溫下對金屬膜之腐蝕防止效果亦較高,又於光 阻蝕刻膜及變質膜之剝離性方面優越。又,剝離時間,係 若經予剝離的足夠時間即可,並未予特別限定者,惟通常 約1 0〜2 0分鐘。 其次,以實施例再詳細說明本發明,惟本發明並非爲 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) .-|〇 - 542945
五、發明説明(1〇 ) 受此等實施例之任何限定者。 實施例1〜5,比較例1〜5 於在矽晶圓上具有依序第1層T i N層,第2層純鈦 (Ti)層,第 3 層 Al—Si - Cu 銅、第 4 層 TiN 層之基片上,以旋塗器塗布由萘醌二疊氮化合物及酚醛淸 漆樹脂而成的正片型光阻蝕刻之THMR — i P 3 3 0 0 (東京應化工業股份有限公司製造),在90 °C施行90 秒鐘之預烘烤,形成膜厚2 . 0 // m之光阻蝕刻層。採用 NSR—2005il0D( Nikon股份有限公司製)介由 掩膜圖型曝光此光阻蝕刻層,用2.38重量氫氧化四甲 基銨(TMAH)水溶液顯影,形成光阻蝕刻圖型。其次 在1 2 0°C進行9 0秒鐘之後烘烤。 〔光阻蝕刻膜之剝離性試驗〕 經濟部中央標準局員工消費合作社印策 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次,將具有以上述條件形成的光阻蝕刻圖型之矽晶 圓予以乾蝕刻處理。將此矽晶圓於表1所示的各組成之剝 離液組成物中在8 0°C,浸漬處理2 0分鐘,各自進行光 阻蝕刻膜剝離處理。以純水充分淸洗處理剝離處理後的基 片,利用S EM (掃瞄型電子顯微鐘)照相之觀察評估光 阻蝕刻膜之剝離性,及由第1層至第4層之金屬膜層的腐 蝕狀態。結果示於表1。且因第1層及第4層之T i NS 全未腐蝕,故省略表1中之記載。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐).- 542945
IT 五、發明説明(11 ) 〔變質膜之剝離性試驗〕 以與上述光阻蝕刻膜剝離性試驗之情形同法操作,進 行光阻蝕刻圖型之形成及矽晶圓之乾蝕刻處理。 其次利用灰化裝置「TCA—3822」(東京應化 工業股份有限公司製)在1 5 0°C,6 0秒鐘之條件下以 氧氣對光阻蝕刻圖型進行電漿灰化處理,惟有灰化殘渣( 變質膜)存在。 接著,將上述處理完畢的矽晶圓於表1所示的各組成 之剝離液組成物內,在8 0 °C,浸‘漬處理20分鐘,各自 進行變質膜剝離處理。以純水充分淸洗處理剝離處理後的 基片,利用S EM (掃瞄型電子顯微鐘)照相之觀察評估 變質膜之剝離狀態,及由第1層至第4層之金屬膜層的腐 蝕狀態。結果示於表1。且因第1層至第4層之T i N完 全未腐蝕,故#略表1中之記載。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 光阻蝕刻膜,變質膜之剝離性,係如下述般予以評估 ◎:剝離性良好 Ο :殘留少許殘渣 △:殘留多量殘渣 X :腐蝕之狀態,係以下述般予以評估 ◎:約略無腐蝕 〇:發現有少許腐蝕 △:發現有相當量腐蝕 由下述表1之結果顯而可知,實施例1〜5之任一者 之光阻蝕刻用剝離液組成物,在光阻蝕刻膜及變質膜兩者 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-14- 542945 Λ7 B~ 五、發明説明(12 ) 之剝離性均優越,又基片之腐蝕防止效果亦係優越的。其 中以採用實施例3之光阻蝕刻用剝離液組成物的情形,此 等各優越的效果最可均衡性良好的達成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-15 - 542945 五、發明説明(ι3 )表1 光阻用剝離液組成物(重量%) 光阻膜之 變質膜 腐蝕之狀態 ⑻成分 (b)成分 (C)成分 (d)成分 (e)成分 剝離性 之剝離 Al-Si-Cu Ti 實施例1 HA(15) 水(20) 單乙醇胺(30) DMSCK30) 第三丁基兒茶酚(5) ◎ ◎ ◎ ◎ 寅施例2 HA(15) 水(20) 二乙醇胺(35) DMSO(25) 第三丁基兒茶酚(5) ◎ ◎ ◎ ◎ 實施例3 HA(15) 水(15) 單乙醇胺(30) DMSO(30) 兒茶酚10) ◎ ◎ ◎ ◎ 實施例4 HA(15) 水(15) 二乙醇胺(35) DMSO(25) 兒茶酚(10) ◎ ◎ ◎ ◎ 實施例5 HA(15) 水(15) 單乙醇胺(25)+二乙 醇胺(10) DMSO(25) 兒茶酚(10) ◎ ◎ ◎ ◎ 比較例1 HA(15) 水(15) 單乙醇胺(10) DMSO(55) 兒茶8&(5) ◎ ◎ ◎ 〇 比較例2 HA(15) 水(20) 二伸乙三胺(10) DMSO(40) 兒茶献10) Δ ◎ ◎ ◎ 比較例3 HA(15) 水(20) 三伸乙四胺(10) DMSO(45) 兒茶89(10) Δ ◎ ◎ ◎ 比較例4 HA(17.5) 水(17.5) 2·(2·胺基乙氧基)乙 醇(27) DMSO(33) 兒茶酚(5) ◎ ◎ Δ 〇 比較例5 HA(15) 水(20) 單乙醇胺(50) DMSO(IO) 兒茶ffi(5) ◎ ◎ 〇 ◎ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Γ 註)HA:羥基胺;DMSO:二甲基亞硯;t-b —兒茶酚:第 三丁基兒茶酚 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
Claims (1)
- 542945 A8 B8 C8 m 申請專利範圍第871 1 6543號專利申請案 m: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 中文申請專利範圍修正本 民國91年2月修正 1 · 一種光阻鈾刻用剝離液組成物,係由(a )羥基胺 類2〜30重量%、 (b)水2〜35重量%、 (c)由單 乙醇胺、二乙醇胺之中選出的一種以上25〜40重量%、 (d)二甲基亞硕20〜32重量%、及(e)芳香族羥基 化合物2〜2 0重量%而成者。 其中(a)成分爲羥基胺(NH2〇H)。 2 ·如申請專利範圍第1項之光阻蝕刻用剝離液組成物 ,其中(e)成分爲甶兒茶酚、第三丁基兒茶酚之中選出的 任一者一種以上。 3 . —種光阻飽刻剝離方法,係由: (I )於已形成金屬層之基片上,設置光阻鈾刻層之步 驟, (I I )選擇性曝光該光阻蝕刻層之步驟, (I I I )顯影出曝光後的光阻蝕刻層,設置光阻圖型 之步驟, (I V )以該光阻蝕刻圖型爲掩膜,蝕刻該基片之步驟 ,及 . , (V )由基片剝離蝕刻步驟後的光阻鈾刻圖型之步驟而 成的光阻蝕刻剝離方法,其特徵在於採用溫度7 5〜 8 5 °C之範圍蝕刻申請專利範圍第1項之光阻蝕刻用剝離液 組成物後,剝離光阻蝕刻圖型。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) --------0-裝-------訂-----·線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) , V 542945 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 .如申請專利範圍第3項之光阻蝕刻剝離方法,其中 基片上所形成的金屬層爲至少具有純鈦(T i )層者。· 5 · —種光阻鈾刻剝離方法,係由: (I )於已形成金屬層之基片上,設置光阻蝕刻層之步 驟, (I I )選擇性曝光該光阻蝕刻層之步驟, (I I I )顯影出曝光後的光阻蝕刻層,設置光阻圖型 之步驟, (I V)以該光阻鈾刻圖型爲掩膜,鈾刻該基片之步驟 (V)灰化光阻鈾刻圖型之步驟,及 (V I )由基片剝離灰化後的光阻鈾刻圖型之步驟成的 光阻蝕刻剝離方法,其特徵在於採用溫度7 5〜8 5 °C之範 圍蝕刻申請專利範圍第1項之光阻鈾刻用剝離液組成物後, 剝離灰化後的光阻鈾刻圖型。 6 ·如申請專利範圍第5項之光阻鈾刻剝離方法,其中 基片上所形成的金屬層爲至少具有純鈦(T i )層者。 . --------mp-裝— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ,線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
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