KR19990037078A - 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이를 이용한포토레지스트 박리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 (a) 히드록실아민류 2 ~ 30 중량 %, (b) 물 2 ~ 35 중량 %, (c) 모노에탄올아민, 디에탄올아민 중에서 선택되는 어느 1 종 이상을 25 ~ 40 중량 %, (d) 디메틸술폭시드 20 ~ 32 중량 %, 및 (e) 방향족 히드록시 화합물 2 ~ 20 중량 % 로 이루어지는 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하여, 포토레지스트막, 변질막의 어떠한 것에 대해서도 우수한 박리성을 가짐과 동시에, 고온처리 조건하에서도 금속막, 특히 Al 또는 Al 합금이 형성된 기판, 또는 Ti 가 형성된 기판의 양자에 대해서도 부식을 유효하게 방지할 수 있는 포토레지스트용 박리액 조성물, 및 이를 이용한 포토레지스트 박리 방법이 제공된다.

Description

포토레지스트용 박리액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리 방법
본 발명은 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 IC 또는 LSI 등의 반도체소자 혹은 액정 패널소자의 제조시에 적절하게 이용되는, 포토레지스트막 및 변질막 양자의 박리성이 우수하고, 고온처리 조건하에서도 기판의 방부성이 우수한 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리 방법에 관한 것이다.
IC 또는 LSI 등의 반도체소자 또는 액정 패널소자는 기판 상에 증착 (蒸着) 등에 의하여 형성된 네사 막 (NESA coat) 등의 도전성 금속막 또는 SiO2막 등의 절연막 상에 포토레지스트를 균일하게 도포하고, 이것을 빛에 노출, 현상 처리하여 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이 패턴을 마스크로서 상기 도전성 금속막 또는 절연막을 선택적으로 에칭하고, 미세 회로를 형성한 후, 불필요한 포토레지스트 층을 박리액으로 제거하여 제조된다. 여기에서, 상기 금속막 이외의 예로는 알루미늄 (Al) ; 알루미늄-규소 (Al-Si), 알루미늄-규소-구리 (Al-Si-Cu) 등의 알루미늄 합금 (Al 합금) ; 순티탄 (Ti) ; 티탄나이트라이드 (TiN), 티탄텅스텐 (TiW) 등의 티탄 합금 (Ti 합금) 이 이용되고, 이것들은 단층 ~ 복수층으로 기판 상에 형성된다.
상기 포토레지스트 층을 제거하는 박리액 조성물로는, 최근에 알카놀아민류를 이용한 포토레지스트용 박리액 조성물이 이용되게 되었다 (일본 공개특허공보 소62-49355 호, 일본 공개특허공보 소63-208043 호 등).
그러나, 현재의 반도체 디바이스 또는 액정 디바이스의 제조 공정에서는 상기 방법 이외에 포토레지스트 층이 드라이 에칭, 압출가공, 이온 주입 등으로 처리된 포토레지스트 막을 박리하는 것도 필요해지고 있다. 이들 처리에 의하여 처리 후의 포토레지스트 막은 변질막이 된다. 최근에는 이들 처리 조건이 보다 엄격해지고, 변질막은 유기막에서 무기적 성질을 갖는 막으로 되었기 때문에, 알카놀아민류를 이용한 박리액 조성물은 이 변질막의 박리성이 불충분해졌다.
그러나, 최근 들어 보다 변질막의 박리성이 우수한 포토레지스트용 박리액 조성물로서, 히드록실아민류를 함유하는 포토레지스트용 박리액 조성물이 제안되었다. 예를 들어 일본 공개특허공보 평4-289866 호에는 히드록실아민과 알카놀아민을 함유하여 이루어지는 포토레지스트용 박리액 조성물이 기재되어 있다. 또한, 일본 공개특허공보 평6-266119 호에는 히드록실아민과 알카놀아민에 다시 카테콜 등의 킬레이트제 (방부제) 를 함유시킨 포토레지스트용 박리액 조성물이 기재되어 있다.
이들 히드록실아민류를 함유하는 박리액 조성물은 상기 알카놀아민류를 이용한 박리액에 비하여 변질막의 박리성이 향상되기는 하나, Al 또는 Al-Si, Al-Si-Cu 등의 Al 합금이 증착된 기판 또는 순티탄 (Ti) 이 증착된 기판에 대하여 부식이 나타난다는 문제가 있다. 실제로 상기 일본 공개특허공보 평6-266199 호에 기재된 박리액으로는 티탄 합금에 대하여 부식을 방지할 수 있으나, 순티탄 (Ti) 에 대해서는 방지하지 못하여 부식이 일어난다는 문제가 있다.
상기 문제점에 대하여, 예를 들어 일본 공개특허공보 평9-96911 호에서는 히드록실아민류, 물, 소정의 산 해리 (解離) 정수를 갖는 아민류, 수용성 유기용매, 및 방부제를 특정량 배합시킨 포토레지스트용 박리액 조성물을 개시하고 있고, 특히 변질막의 박리성이 우수하고, Al 또는 Al 합금, 순티탄 (Ti) 을 형성한 기판에 대해서도 우수한 방부 효과를 거두고 있다. 그러나, 상기 공보에 기재된 포토레지스트용 박리액 조성물은 포토레지스트막의 박리성에 대해 충분하지 못하다.
또한, 최근에는 작업 효율 등의 점에서 종래보다도 더욱 고온에서의 박리 작업이 요청되게 되었다. 일반적으로, 보다 고온 하에서 처리할 정도로 박리성이 향상되나, 그 한편으로 기판상의 금속막에 대한 부식이 그만큼 일어나기 쉬워지는 경향이 있다. 나아가, 고온에서의 처리 조건하에서, 포토레지스트막, 변질막의 어느 하나의 박리성에도 대응할 수 있는 박리액 조성물의 요구도 높아지고 있다.
따라서, 포토레지스트막, 변질막의 어떠한 것에 대해서도 우수한 박리성을 가짐과 동시에, 보다 고온처리 조건하에서도 금속막, 특히 Al 또는 Al 합금, Ti 를 형성하여 이루어지는 기판에 대해서도 부식을 효과적으로 방지할 수 있는 포토레지스트용 박리액의 개발이 요망되고 있다.
본 발명자들은 이러한 문제를 해결하기 위하여 예의 연구를 계속한 결과, 히드록실아민류, 물, 특정의 아민류, 디메틸술폭시드, 및 방향족 히드록시 화합물을 특정 비율로 배합한 포토레지스트용 박리액 조성물을 이용함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내고, 이를 토대로 하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명의 목적은 보다 고온처리 조건하에서도 금속막, 특히 Al 또는 Al 합금이 형성된 기판, 혹은 순티탄 (Ti) 이 형성된 기판의 양자에 대해서도 부식을 효과적으로 방지할 수 있으면서, 포토레지스트막, 변질막의 어떠한 것에 대해서도 우수한 박리성을 갖는 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리 방법을 제공하는데 있다.
즉, 본 발명은 (a) 히드록실아민류 2 ~ 30 중량 %, (b) 물 2 ~ 35 중량 %, (c) 모노에탄올아민, 디에탄올아민 중에서 선택되는 어느 한 1 종 이상을 25 ~ 40 중량 %, (d) 디메틸술폭시드 20 ~ 32 중량 %, 및 (e) 방향족 히드록시 화합물 2 ~ 20 중량 % 로 이루어지는 포토레지스트용 박리액 조성물에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 (ⅰ) 금속층을 형성한 기판상에 포토레지스트 층을 형성하는 공정, (ⅱ) 상기 포토레지스트 층을 선택적으로 빛에 노출하는 공정, (ⅲ) 빛에 노출한 후의 포토레지스트 층을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정, (ⅳ) 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로서 기판을 에칭하는 공정, (ⅴ) 나아가서는 소망에 따라 상기 에칭 공정 후의 포토레지스트 패턴을 기판에서 압출가공하는 공정, (ⅵ) 상기 에칭 공정 후 또는 압출가공 공정 후의 포토레지스트 패턴을 기판에서 박리하는 공정으로 이루어지는 포토레지스트 박리 방법에 있어서, 상기 포토레지스트용 박리액 조성물을 온도 75 ~ 85 ℃ 의 범위에서 이용하여, 에칭 공정 후 또는 압출 공정 후의 포토레지스트 패턴을 박리하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리 방법에 관한 것이다.
본 발명에 있어서, 「Ti」란 「순티탄」을 의미하고, 티탄나이트라이드 (TiN) 또는 티탄텅스텐 (TiW) 등의 티탄 합금을 함유하지 않는 것이다.
본 발명에 이용되는 (a) 성분으로서의 히드록실아민류는 하기의 일반식 (1) 로 표시된다:
(식중, R1, R2는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 ~ 6 개의 저급 알킬기를 나타낸다).
여기에서 상기 탄소수 1 ~ 6 개의 저급 알킬기로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, tert-펜틸기, 헥실기, 이소헥실기, 3-메틸펜틸기, 2,2-디메틸부틸기 또는 2,3-디메틸부틸기 등이 각각 예시된다. R1, R2는 동일하거나 상이할 수도 있다.
상기 히드록실아민류로서, 구체적으로는 히드록실아민 (NH2OH), N-메틸히드록실아민, N,N-디메틸히드록실아민, N,N-디에틸히드록실아민 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 히드록실아민이 적절하게 이용된다. 이들 히드록실아민류는 단독으로 이용할 수도 있고, 또는 2 종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.
(b) 성분으로서의 물은, (a) 성분에 필연적으로 함유되어 있는 것이나, 더욱 첨가하여 그 배합량을 조정할 수도 있다.
(c) 성분으로는, 모노에탄올아민, 디에탄올아민 중에서 선택되는 어느 한 1 종 이상이 이용된다.
(d) 성분으로는, 디메틸술폭시드가 이용된다.
(e) 성분의 방향족 히드록시 화합물이란, 주로 방부 효과를 얻기 위한 것으로, 구체적으로는 페놀, 크레졸, 크실레놀, 피로카테콜 (=1,2-디히드록시벤젠), tert-부틸카테콜, 레소르시놀, 히드록시논, 피로갈롤, 1,2,4-벤젠트리올, 살리실알코올, p-히드록시벤질알코올, o-히드록시벤질알코올, p-히드록시페네틸알코올, p-아미노페놀, m-아미노페놀, 디아미노페놀, 아미노레소르시놀, p-히드록시벤조산, o-히드록시벤조산, 2,4-디히드록시벤조산, 2,5-디히드록시벤조산, 3,4-디히드록시벤조산, 3,5-디히드록시벤조산 등을 들 수 있다. 이 중에서도 카테콜, tert-부틸카테콜이 적절하게 이용되나, 작업상의 안정성 등이란 점에서, tert-부틸카테콜이 보다 바람직하게 이용된다. 이 화합물들은 단독으로 이용할 수도 있고, 또는 2 종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.
상기 (a) ~ (e) 의 성분 배합 비율은 (a) 성분이 2 ~ 30 중량 %, 바람직하게는 5 ~ 20 중량 %, (b) 성분이 2 ~ 35 중량 %, 바람직하게는 5 ~ 25 중량 %, (c) 성분이 25 ~ 40 중량 %, 바람직하게는 30 ~ 35 중량 %, (d) 성분이 20 ~ 32 중량 %, 바람직하게는 25 ~ 30 중량 %, (e) 성분이 2 ~ 20 중량 %, 바람직하게는 3 ~ 10 중량 % 이다. 본 발명에서는, 상기 (a) ~ (e) 의 성분의 배합 비율이 중요하고, 각 성분의 배합량을 상기 범위 내로 함으로써, 포토레지스트막, 변질막의 양자 모두에 효과적으로 박리할 수 있고, 나아가 박리 처리를 75 ~ 85 ℃ 정도의 고온에서 처리해도 금속막을 부식시키지 않는다. 각 성분 중에서도, 특히 (c) 성분의 배합량이 40 중량 % 를 초과하면 포토레지스트막, 변질막 모두 박리성이 향상되나, Al 또는 Al 합금이 형성된 기판에 대하여 부식이 일어나고, 한편으로 (c) 성분이 25 중량 % 미만일 때는 Ti 가 형성된 기판에 대하여 부식이 일어난다.
본 발명의 포토레지스트용 박리액 조성물은 네가티브형 및 포지티브형 포토레지스트를 포함하여 알칼리 수용액으로 현상할 수 있는 포토레지스트에 유리하게 사용할 수 있다. 이러한 포토레지스트로는 (ⅰ) 나프토퀴논디아지드 화합물과 노볼락 수지를 함유하는 포지티브형 포토레지스트, (ⅱ) 빛에 노출됨으로써 산을 발생시키는 화합물, 산에 의하여 분해되고 알칼리 수용액에 대한 용해성이 증대되는 화합물 및 알칼리 가용성 수지를 함유하는 포지티브형 포토레지스트, (ⅲ) 빛에 노출됨으로써 산을 발생시키는 화합물, 산에 의하여 분해되고 알칼리 수용액에 대한 용해성이 증대되는 기를 갖는 알칼리 가용성 수지를 함유하는 포지티브형 포토레지스트, 및 (ⅳ) 빛에 의하여 산을 발생시키는 화합물, 가교제 및 알칼리 가용성 수지를 함유하는 네가티브형 포토레지스트 등을 들 수 있으나, 여기에 한정되는 것만은 아니다.
본 발명의 포토레지스트 박리 방법은 리소그래프법에 의하여 얻어진 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이어서 기판을 에칭한 후에 포토레지스트 막을 박리하는 경우와, 상기 에칭한 후에 포토레지스트 막을 압출가공 처리하여 이루어지는 변질막을 박리하는 경우로 나뉜다.
전자의 에칭 후의 포토레지스트 막을 박리하는 경우의 예로서,
(Ⅰ) 금속층을 형성한 기판 상에 포토레지스트 조성물을 도포, 건조시켜 포토레지스트 층을 형성하는 공정,
(Ⅱ) 상기 포토레지스트 층을 마스크 패턴을 통하여 선택적으로 빛에 노출시키는 공정,
(Ⅲ) 빛에 노출시킨 후의 포토레지스트 층을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정,
(Ⅳ) 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로서 상기 기판을 에칭하는 공정, 및
(Ⅴ) 에칭 공정 후의 포토레지스트 패턴을 기판에서 박리시키는 공정
으로 이루어지는 포토레지스트 박리 방법에 있어서, 본 발명의 포토레지스트용 박리액 조성물을 온도 75 ~ 85 ℃ 의 범위에서 이용하여, 에칭 공정 후의 포토레지스트 패턴을 박리시키는 방법을 들 수 있다.
또한, 후자의 압출가공 후의 변질막을 박리시키는 경우의 예로서,
(Ⅰ) 금속층을 형성한 기판 상에 포토레지스트 조성물을 도포, 건조시켜 포토레지스트 층을 형성하는 공정,
(Ⅱ) 상기 포토레지스트 층을 마스크 패턴을 통하여 선택적으로 빛에 노출시키는 공정,
(Ⅲ) 빛에 노출시킨 후의 포토레지스트 층을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정,
(Ⅳ) 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로서 상기 기판을 에칭하는 공정,
(Ⅴ) 포토레지스트 패턴을 압출가공하는 공정, 및
(Ⅵ) 압출가공 후의 포토레지스트 패턴을 기판에서 박리시키는 공정
으로 이루어지는 포토레지스트 박리 방법에 있어서, 본 발명의 포토레지스트용 박리액 조성물을 온도 75 ~ 85 ℃ 의 범위에서 이용하여, 압출가공 후의 포토레지스트 패턴을 박리시키는 방법을 들 수 있다.
금속층을 형성한 기판으로는, 알루미늄 (Al) ; 알루미늄-규소 (Al-Si), 알루미늄-규소-구리 (Al-Si-Cu) 등의 알루미늄 합금 (Al 합금) ; 순티탄 (Ti) ; 티탄나이트라이드 (TiN), 티탄텅스텐 (TiW) 등의 티탄 합금 (Ti) 등의 금속막이 형성된 기판이다. 본 발명의 박리 방법은, 특히 금속층으로서 적어도 순티탄 (Ti) 층을 갖는 기판, 예를 들어 기판상에 제1층의 티탄나이트라이드 (TiN) 층을, 이어서 이러한 제1층 상에 제2층으로서 순티탄 (Ti) 층을, 나아가 이러한 제2층 상에 제3층으로서 Al-Si-Cu 층을, 그리고 다시 이러한 제3층 상에 제4층으로서 TiN 층을 형성하여 이루어지는 기판에 있어서, 상기 순티탄 (Ti) 의 부식 방지 효과가 매우 우수하다.
도포, 건조, 빛에 노출시킴, 현상, 에칭 및 압출가공 처리는 모두가 관용적인 수단으로서, 특별히 한정되지 않는다. 에칭은 웨이트 에칭, 드라이 에칭의 어느 것이라도 이용할 수 있으며, 또한 양자를 조합하여 이용할 수도 있다. 압출가공은 본래 포토레지스트 패턴을 제거하는 방법으로서, 압출가공에 의하여 포토레지스트 패턴이 일부 변질막으로서 남는 경우가 많이 있다. 이러한 경우의 변질막의 완전 제거시에 본 발명은 유효하다.
또한, 상기 (Ⅲ) 의 현상 공정, (Ⅴ) 또는 (Ⅵ) 의 박리 공정후에, 관용적으로 이루어지는 순수 (純水) 또는 저급 알코올 등을 이용한 린스 처리 및 건조 처리를 할 수도 있다.
또한, 포토레지스트의 종류에 따라서는 화학증폭형 포토레지스트에 통상적으로 실시되는 포스트익스포저 베이크인 빛에 노출시킨 후의 가열 처리를 실시할 수도 있다. 또한, 포토레지스트 패턴을 형성한 후의 포스트 베이크를 실시할 수도 있다.
박리 처리는 통상적으로 침적법, 스프레이법에 의하여 실시된다. 또한, 이때의 박리액 온도는 통상적으로 50 ~ 85 ℃ 에서 이루어지나, 본 발명의 박리액 조성물을 이용한 박리 방법에 있어서는, 75 ~ 85 ℃ 의 고온에서도 금속막에 대한 부식 방지 효과가 높고, 또한, 포토레지스트막 및 변질막의 박리성이 우수하다. 또한, 박리 시간은 박리되기에 충분한 시간이면 무방하여 특별히 한정되지 않으나, 통상적으로 10 ~ 20 분간 정도이다.
이어서, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 이 때, 본 발명은 이러한 예에 의하여 조금도 한정되지 않는다.
실시예 1 ~ 5 및 비교예 1 ~ 5
실리콘 웨이퍼 상에 순차적으로 제1층으로서 TiN 층을, 제2층으로서 순티탄 (Ti) 층을, 제3층으로서 Al-Si-Cu 층을, 제4층으로서 TiN 층을 갖는 기판상에, 나프토퀴논디아지드 화합물과 노볼락 수지로 이루어지는 포지티브형 포토레지스트인 THMR-iP 3300 (토오꾜 오오까 고오교 (주) 제조) 을 스피너 (spinner) 로 도포하고, 90 ℃ 에서 90 초 동안 프리 베이크를 실시하여 막두께가 2.0 ㎛ 인 포토레지스트 층을 형성하였다. 이 포토레지스트 층을 NSR-2005i 10D (니콘 (주) 제조) 를 이용하여 마스크 패턴을 통하여 빛에 노출시키고, 2.38 중량 % 테트라메틸암모늄히드록시드 (TMAH) 수용액으로 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하였다. 이어서, 120 ℃ 에서 90 초 동안 포스트 베이크를 실시하였다.
[포토레지스트 막의 박리성 시험]
이어서, 상기 조건에서 형성된 포토레지스트 패턴을 갖는 실리콘 웨이퍼를 드라이 에칭 처리하였다. 이것을 표 1 에서와 같은 각 조성의 박리액 조성물에 80 ℃, 20 분 동안 침지처리하여 그 각각을 포토레지스트막 박리처리하였다. 박리처리 후의 기판을 순수로 충분히 린스처리하고, 포토레지스트 막의 박리성, 및 제1층에서 제4층의 금속막 층의 부식 상태를 SEM (주사형 전자현미경) 사진을 관찰함으로써 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다. 또한, 제1층과 제4층의 TiN 에 대해서는 모두 부식이 일어나지 않았으므로 표 1 에 기재하는 것을 생략하였다.
[변질막의 박리성 시험]
상기 포토레지스트막 박리성 시험의 경우와 동일한 조작을 통하여 포토레지스트 패턴의 형성 및 실리콘 웨이퍼의 드라이 에칭 처리를 하였다.
이어서, 포토레지스트 패턴을 압출가공 장치 「TCA-3822」 (토오꾜 오오까 고오교 (주) 제조) 에 의하여, 150 ℃, 60 초 동안이라는 조건에서 산소 가스로 플라스마 압출가공 처리하였을 때 압출가공 잔사 (변질막) 가 있었다.
계속하여, 상기 처리가 끝난 실리콘 웨이퍼를 표 1 에서와 같은 각 조성의 박리액 조성물에 80 ℃, 20 분간 침지처리하고, 그 각각의 변질막을 박리처리하였다. 박리처리 후의 기판을 순수로 린스처리하고, 변질막의 박리 상태, 및 제1층에서 제4층의 금속막 층의 부식 상태를 SEM (주사형 전자현미경) 사진을 관찰함으로써 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다. 또한, 제1층과 제4층의 TiN 에 대해서는 모두 부식이 일어나지 않았으므로, 표 1 에 기재하는 것을 생략하였다.
포토레지스트막, 변질막의 박리성은 아래와 같이 평가하였다.
◎ : 박리성 양호
○ : 잔사가 조금 남음
△ : 잔사가 많이 남음
또한, 부식 상태는 아래와 같이 평가하였다.
◎ : 거의 부식이 없음
○ : 부식이 약간 보임
△ : 부식이 많이 보임
하기 표 1 의 결과에서 알 수 있듯이, 실시예 1 ~ 5 의 어떠한 포토레지스트용 박리액 조성물도, 포토레지스트막 및 변질막 양자의 박리성이 우수하고, 또한 기판의 부식 방지 효과도 우수하다는 것을 알 수 있다. 이 중에서도, 실시예 3 의 포토레지스트용 박리액 조성물을 이용한 경우, 이것들의 각 우수한 효과가 가장 균형있게 달성되었다.
포토 레지스트용 박리액 조성물(중량 %) 포토 레지스트막의 박리성 변질막의 박리성 부식상태
(a)성분 (b)성분 (c)성분 (d)성분 (e)성분 Al-Si-Cu Ti
실시예1 HA(15) 물(20) 모노에탄올아민(30) DMSO(30) t-b-카테콜(5) ◎ ◎ ◎ ◎
실시예2 HA(15) 물(20) 디에탄올아민(35) DMSO(25) t-b-카테콜(5) ◎ ◎ ◎ ◎
실시예3 HA(15) 물(15) 모노에탄올아민(30) DMSO(30) 피로카테콜(10) ◎ ◎ ◎ ◎
실시예4 HA(15) 물(15) 디에탄올아민(35) DMSO(25) 피로카테콜(10) ◎ ◎ ◎ ◎
실시예5 HA(15) 물(15) 모노에탄올아민(25)+디에탄올아민(10) DMSO(25) 피로카테콜(10) ◎ ◎ ◎ ◎
비교예1 HA(15) 물(15) 모노에탄올아민(10) DMSO(55) 피로카테콜(5) ◎ ◎ ◎ ○
비교예2 HA(20) 물(20) 디에틸렌트리아민(10) DMSO(40) 피로카테콜(10) △ ◎ ◎ ◎
비교예3 HA(15) 물(20) 트리에틸렌테트라민(10) DMSO(45) 피로카테콜(10) △ ◎ ◎ ◎
비교예4 HA(17.5) 물(17.5) 2-(2-아미노에톡시)에탄올(27) DMSO(33) 피로카테콜(5) ◎ ◎ △ ○
비교예5 HA(15) 물(20) 모노에탄올아민(50) DMSO(10) 피로카테콜(5) ◎ ◎ ○ ◎
주) HA : 히드록실아민, DMSO : 디메틸술폭시드,t-b-카테콜 : tert-부틸카테콜
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 고온의 박리 조건하에서도 포토레지스트막 및 보다 가혹한 조건의 드라이 에칭, 압출가공, 이온 주입 등의 처리에 의하여 형성된 변질막의 그 어느 것도 박리성이 우수하고, Al 또는 Al 합금이 형성된 기판, 또는 Ti 가 형성된 기판의 양자에 대한 부식 방지 효과가 우수한 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리 방법을 제공할 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.

Claims (7)

  1. (a) 히드록실아민류 2 ~ 30 중량 %, (b) 물 2 ~ 35 중량 %, (c) 모노에탄올아민, 디에탄올아민 중에서 선택되는 어느 한 1 종 이상을 25 ~ 40 중량 %, (d) 디메틸술폭시드 20 ~ 32 중량 %, 및 (e) 방향족 히드록시 화합물 2 ~ 20 중량 % 로 이루어지는 포토레지스트용 박리액 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, (a) 성분이 히드록실아민 (NH2OH) 인 포토레지스트용 박리액 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서, (e) 성분이 피로카테콜, tert-부틸카테콜 중에서 선택되는 어느 한 1 종 이상인 포토레지스트용 박리액 조성물.
  4. (Ⅰ) 금속층을 형성한 기판 상에 포토레지스트 층을 형성하는 공정,
    (Ⅱ) 상기 포토레지스트 층을 선택적으로 빛에 노출시키는 공정,
    (Ⅲ) 빛에 노출시킨 후의 포토레지스트 층을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정,
    (Ⅳ) 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로서 상기 기판을 에칭하는 공정, 및
    (Ⅴ) 에칭 공정 후의 포토레지스트 패턴을 기판에서 박리하는 공정
    으로 이루어지는 포토레지스트 박리 방법에 있어서, 제 1 항에 기재된 포토레지스트용 박리액 조성물을 온도 75 ~ 85 ℃ 의 범위에서 이용하여, 에칭 공정 후의 포토레지스트 패턴을 박리시키는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 기판 상에 형성된 금속층이 적어도 순티탄 (Ti) 층을 갖는 것인 포토레지스트 박리 방법.
  6. (Ⅰ) 금속층을 형성한 기판 상에 포토레지스트 층을 형성하는 공정,
    (Ⅱ) 상기 포토레지스트 층을 선택적으로 빛에 노출시키는 공정,
    (Ⅲ) 빛에 노출시킨 후의 포토레지스트 층을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정,
    (Ⅳ) 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로서 상기 기판을 에칭하는 공정,
    (Ⅴ) 포토레지스트 패턴을 압출가공하는 공정, 및
    (Ⅵ) 압출가공 후의 포토레지스트 패턴을 기판에서 박리시키는 공정
    으로 이루어지는 포토레지스트 박리 방법에 있어서, 제 1 항에 기재된 포토레지스트용 박리액 조성물을 온도 75 ~ 85 ℃ 의 범위에서 이용하여, 압출가공 후의 포토레지스트 패턴을 박리시키는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 기판 상에 형성된 금속층이 적어도 순티탄 (Ti) 층을 갖는 것인 포토레지스트 박리 방법.
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