TW531806B - Method for fabricating a micorelectronic circuit having at least one monolithically integrated coil and micorelectonic circuit having at least one monolithically integrated coil - Google Patents
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Description
531806 五、發明説明（3 ) 必然地，本發明有利地達成改良微電子電路內單石式積 體線圈之品質係數的目的。 根據本發明之方法的另一優點是該方法會遵循一種已完 成處理之微電子電路的製造。 「已完成處理」一詞會被理解成意指該微電子電路在進 入製造市場中下一個更高階段時所具有的狀態。於本發明 的說明中，吾人會在例如電腦元件製造商能夠在不以任何 方式改變該微電子電路的本性下只須將這種微電子電路結 合到電腦元件時，將該成品當作是已完成處理的，則該微 電子電路且因此該電腦元件本身能夠執行所計劃的功能。 於是在本發明的說明中，已完成處理的微電子電路指的 是一種能夠在不須要於製造程序中接受另一方法步驟的處 理下，具有依正常運作地滿足此電路所設想目的的方式完 成並結束習知製造之後狀態的電路。 根據本發明之方法的另一優點是能夠依相同方法步驟說 明中必要的特定需求採用所塗佈金屬層的厚度。這意指根 據本發明的方法會在不需要額外的方法步驟下達成和所塗 佈金屬層結構有關的高度彈性。 根據本發明之方法的一種實例，可以在塗佈該金屬層之 則至少在該微電子電路的單石式積體線圈之上另外塗佈一 導電附屬層，因此隨後在該附屬層上塗佈該金屬層。 吾人能夠取決於該導電附屬層的厚度、結構及本性將之 用在不同的目的上。 藉由實例，在該金屬層與該單石式積體線圈之間具有很 531806 五、發明説明（4 ) 差黏著度及/或在該金屬層與該微電子電路上鈍化層的其 他未去除區域之間有很差黏著度的例子裡，吾人可以使用 該導電附屬層以改良該黏著度。如是確保了該附屬層至少 會固定地黏貼在該微電子電路的單石式積體線圈之表面上。 不過，該附屬層也可能具有固有的擴散阻斷功能，因此 確保了塗佈其上之金屬層的金屬原子不會擴散到該鈍化層 的未去除區域之內因而污染該鈍化層。例如在將銅用在金 屬層的例子裡，這種附屬層的阻擋功能是極爲重要的。這 是因爲銅原子會在越相當長的時間內傾向於擴散到經常用 在鈍化層的材料二氧化矽之內。藉由利用該附屬層的擴散 阻斷功能，基本上吾人能夠防止銅原子進入該鈍化層的擴 散作用。 吾人可以將該附屬層塗佈於： •該微電子電路的單石式積體線圈之上；或 1該微電子電路的單石式積體線圈之上或是該鈍化層上 可能的未去除區域之上。 當作根據本發明之方法施行彈性的實例，吾人能夠藉由 溼或乾蝕刻法獨立地或一起去除該金屬層及/或該附屬層 上的各區域。藉由實例，可以在去除該單石式積體線圈上 方至少一部分的鈍化層之後，將金屬層塗佈於該微電子電 路的整個面積上，然後再以溼或乾蝕刻法將某些、g方的金 屬層蝕刻，其方式是至少在底下的單石式積體線圈上方製 造出必要的圖案。 對使用附屬層的例子而言，在去除該單石式積體線圈上 -6- 五、發明説明（5 ) 方至少一部分的鈍化層之後，將該附屬層塗佈於該微電子 電路表面的整個面積上。從製程的這個狀態開始進行，則 特別是在進一步處理程序的說明中存在著兩種可能性。 當作第一種可能性，可以將金屬層塗佈於該附屬層的整 個面積上，然後再將該金屬層及底下的附屬層一起去除， 亦即在單一方法步驟中藉由溼或乾蝕刻法將之去除，其方 式是在現在已加厚的單石式積體線圈上產生必要的圖案。 當作第二種可能性，可以在塗佈附屬層之後於將要形成 必要圖案的地方內將該附屬層蝕刻掉，然後再將金屬層塗 佈於已製作成圖案的附屬層上。之後，藉由第二鈾刻法去 除某些地方的金屬層，其方式是製造出具有必要結構的金 屬層。藉由實例，可以將該金屬層蝕刻掉，其方式是使之 只落在該導電元件上已覆蓋有某一區段之附屬層的那些點 上方。 不過，同時完全可能的是藉由這種搖擺式蝕刻法的優點 亦即藉由接續施行該附屬層及該金屬層之去除作業的優點 ，則能夠以和各層之本性及其相互間之相對位置有關的所 有可能層膜組合形成對導電性具有關鍵性的金屬層。 如是，能夠藉由這種接續施行用於該附屬層及該金屬層 之蝕刻方法達成的效應是形成一種單獨的微電子電路，以 致該金屬層係例如： •直接位於該微電子電路之單石式積體線圈上； •至少位於內稟地直接位於該微電子電路之單石式積體 線圈上方附屬層某一區域上；. •直接位於該鈍化層的未去除區域上；或是 •至少位於內稟方式直接位於該鈍化層的未去除區域上 531806 五、發明説明（6 ) 方附屬層的某一區域上。 上述可能性會顯示出本發明中具有至少一單石式積體線 圈之微電子電路之製造方法的彈性，其中該電路的品質係 - 數係藉由減低、該單石式積體線圈之內稟阻抗而獲致改良的。 吾人應該注意的是在該方法一開始所實行之鈍化層上各 區域的去除作業也能夠藉由溼或乾蝕刻法而實行。此外’ 吾人也能夠在已知微影術法的輔助下依解釋如上的目標方 式去除該鈍化層、該金屬層及/或該附屬層的特定區域。 吾人可以藉由電氣沈積法、無極沈積法、氣相沈積法、 濺鍍法或電漿CVD(化學氣相沈積法）法塗佈該金屬層及該 附屬層。 根據本發明，該金屬層係形成爲具有〇.5到1〇微米的 厚度，較佳的是具有3到6微米的厚度。該金屬層可能是 由對應到該導電元件的金屬所形成的，或是由不同於該導 電元件的金屬形成的。根據本發明，在形成該金屬層時， 使用的是具有高導電性的金屬，例如使用一種其導電性超 過該單石式積體線圈材料之導電性的金屬。能夠用在本發 明之方法中的這類金屬有銅、金、銀、鉑、鋁或其中許多 的金屬。 「其中多個」一詞將會將理解成，分開使用許多金屬以 致在各個例子裡使該微電子電路的不同區域塗佈有不同的 金屬，或是使用多個金屬當作均勻的合金而塗佈於該微電 子電路的整個面積上。 吾人應該注意的是能夠在根據本發明的方法中使用任何 具有高導電性的必要金屬。
Claims (1)
- 53(806 修 η: 1 ' I—_______________—-—.......—^ 六、申請專利範圍 第90124392號「具有至少一單石式積體線圈之微電子電 路及其製造方法」專利案 (9 2年1月修正） 六、申請專利範圍： 1· 一種用於製造具有至少一單石式積體線圈之微電子 電路之方法，其特徵爲具有以下步驟： •提供了一種已完成處理而具有一單石式積體線圈且 具有至少位於該單石式積體線圈上方之鈍化層的 微電子電路； •至少將該單石式積體線圈上方的部分鈍化層去除掉 ;以及 •係將金屬層塗佈於該單石式積體線圏上方，其方式 是將該金屬層耦合於該單石式積體線圈上。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中 •至少於該單石式積體線圈上方塗佈有導電附屬層 ;以及 •係將金屬層塗佈於該附屬層上。 3. 如申請專利範圍第2項之方法， 其中係在塗佈該金屬層之前去除該附屬層上的某些 區域，其方式是在去除作業之後該附屬層係位於： •該單石式積體線圈上方；或是 •該單石式積體線圈上方以及該鈍化層的未去除區 域上方。 531806 六、申請專利範圍 4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之方法，其中 係將該金屬層的某些區域去除，其方式是使該金屬 層直接位於該單石式積體線圈上方。 5. 如申請專利範圍第2或3項之方法，其中係將該金 屬層的某些區域去除，其方式是使該金屬層直接位 於該附屬層上方。 6·如申請專利範圍第1至3項中任一項之方法，其中 係藉由溼或乾蝕刻法施行 •該鈍化層及/或 •該金屬層的去除作業。 7·如申請專利範圍第 3項之方法，其中係藉由淫或乾 蝕刻法將該附屬層去除。 8.如申請專利範圍第1至3項中任一項之方法，其中 該金屬層係藉由下列方法塗佈而成： •電氣沈積法； •無極沈積法； •濺鍍法； •氣相沈積法； •電氣沈積法；或 •電漿CVD(化學氣相沈積法）法。 义如申請專利範圍第2或3項之方法，其中該附屬層 是藉由申請專利範圍第8項中所列舉的方法之—塗 佈而成的。 531806 六、申請專利範圍 10. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之方法，其中 該金屬層是形成爲具有0.5到10微米的厚度。 11. 如申請專利範圍第1 〇項之方法，其中該金屬層是形 成爲具有3到6微米的厚度。 12. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之方法，其中 該金屬層係由一種對應到該單石式積體線圈或是不 同於該單石式積體線圈的金屬形成的。 13. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之方法，其中 該金屬層是由下列金屬所形成= •銅； •金； •銀； •鉑； •銘；或 •其中多個金屬。 14. 如申請專利範圍第2 或3項之方法，其中用於該附 屬層的材料爲 •矽化鎢； •駄； •隹目， •鎳-鉻合金； •鉛； •鈀；或 531806 六、申請專利範圍 •铑。 15.如申請專利範圍第2 或3項之方法，其中該附屬層 形成具有〇 . 5到20微米的厚度。
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