TW530007B - Slotted substrates and techniques for forming same - Google Patents

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530007 A7 I--------- B7__ 五、發明説明（2 ) ' ' - ㈣裂強度亦會限制基板的長度，其將會負面地影響列印 行段的高度及整體列印速度。 ’、的技術匕括起音波鑽石頭鑽孔、磨飯性喷砂、yag ㈤射加丄KOH!虫刻、頂八⑽刻、及乾電裝餘刻等。 $音波鑽石頭鑽孔僅適用於開設圓孔。而且，此方法 S在貝孔的進出兩側對玻璃與石夕造成大的裂缝。該等裂縫 t太大(數百微米)而不能使電阻器靠近該墨料饋槽。 j㈣喷砂亦有碎裂的問題，因為晶圓的裂縫會環繞 在貫穿槽孔的出口側。此等裂縫會造成兩個分別的困擾。 i常該«縫約有數十微米大，而會限制該喷發腔空能多 接，槽孔的邊緣。有時該等裂缝會更大而造成製程的產 出損》等碎裂問題在欲使開槽長度增加而寬度減少時 將㈢更為g遍。在此方式中所形成的槽孔形狀係由許多因 素來控制。該槽孔邊緣位置的變化會造成墨流阻力的變 化。在一粗I造的環境中該槽孔位置係被以機械式地來控 @，而會使該槽孔的定位之精確度及可重複性限制於約 ±15微米。 YAGf射加与會有―些缺點。該雷射純的講備及 、、隹t車乂為叩貝。该甚小的雷射光束必須被“移位，，，即繞著 戶斤要形成的槽孔區域之周緣移_，並須發射許多次來切穿 I 該晶圓。該雷射會產生一小光點（大約10至50微米直徑）其 ^會集聚雷射能量。該不大的操作區域f要在雷射脈衝 4，使其光點繞著要被切除的區域周緣來移動。在每一邊 緣處皆須以多次的雷射脈衝來切穿該矽晶圓，於一實施例 國家標準（CNS) A4規格⑵〇χ297公幻； '

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中該石夕晶圓具有670微米的厚度。典型的晶圓加卫時間、約須 =三小時’而使該系統的產能受限。#該雷射燒穿該石夕 料k ’在㈣化的切口周圍會有_部份未被蒸發。該發炫 化的砂會麟在該槽孔的邊緣附近，而造成部份黏著的問 題，並留下濺滴或殘渣其會在嗣後斷離致阻塞墨料鑛道。 圍繞該雷射切龍的部份亦會受熱，而足以造成薄膜層及 阻隔材料的損害。 曰 虱氧化鉀（KOH)姓刻會損及該等薄膜，因為k〇h係為 一種侵錄喊性化學物’其會似以亦會侵㈣使用於喷 墨印頭中的多種薄膜。為避免_侵#該等薄膜，該触刻 程序須先於該等薄膜的製程來進行。如此處理順序亦會造 成問題’因為已設有溝槽的晶圓將不能再被許多的薄膜處 理工具所夾持。而就-異向性餘刻而言，其對不同的晶體 平面有不同的㈣速率，因此其_形狀會受該等晶體平 面所限。蝕刻角度會使一槽孔的背面開口變得甚大，而形 成該等槽孔能被設成互相靠得多近，及與晶片邊緣靠得多 近的限制。 四甲基氫氧化銨（ΤΜ.ΑΗ)係為另—種石夕的異向性姓刻 劑。在<100>矽的ΤΜΑΗ蝕刻技術所使用的蝕刻角度，會造 成非常大的槽孔背面開口，而會限制該等槽孔互相之間， 及與晶片邊緣之間能被設成#得多近。由於係為異向性钱 刻’故該ΤΜΑΗ的㈣速率對不同的晶體表面並不相同， 因此其餘刻形狀會被該等晶體表面所限制。其钱刻速率僅 約每分鐘1微米。典型的晶圓蝕刻時間，若由兩面蝕刻約為 本紙張尺度適用中國國家標準（〇^) Α4規格（21〇χ297公董） 請 先 閲 面 之 注 意 事 項

6 五、發明説明（4 ) 8小時，而若由一面蝕刻則約為12小時。多數的晶圓可以整 批的來處理。其罩護薄膜會因甚長的蝕刻時間而被嚴重地 】刀w亥專罩膜可能破斷而形成活動的污染物，其會阻塞 该印筆中的墨流。當晶圓被夾持時，在其邊緣附近的抗蝕 氧化物會被刮傷而受損。若在晶圓上的氧化物層受損，而 進行蝕刻時，則會在後續的處理步驟中造成晶圓易碎及夾 持的問題。且在晶圓上的槽孔會使阻隔材料變薄。 乾電裝蝕刻技術係使用較低的蝕刻速率。其蝕刻速率 僅約士母分鐘2微米。典型的晶圓餘刻時間若由兩面餘刻係約 3小時’而若由-面關則约6小時。惟晶圓不能被整批地 處理。長時間的姓刻會造成使用於噴墨的薄膜受損。乾電 漿餘刻劑非常昂貴。且在晶圓中的槽孔會使阻隔材料變薄。 種衣k A墨印頭的方法乃被揭露，其包括提供一印 頭基板，在該基板上製成-薄膜結構，在該基板要形成一 饋槽的表面區域處製成一致破溝槽，並持續地隸加工該 基板而牙過该致破溝槽來製成該饋槽。 制 據本^ Θ之悲、樣’該致破溝槽係以一餘刻製程來 製成。在-較佳實施例中.，該餘刻製程係在對該薄膜結構 覆設一阻隔層之前來進行。 置式之簡單談明 本I明之違些及其它的特徵和優點等，將可由以下示 於所附圖式之實施例的詳細說明而得更清楚暸解；其中： 广圖為該印頭結構在其第一製程步驟，即該薄膜結 構形成於石夕基板之後的頂視圖。第1B圖為第⑽中的㈣ 本紙^尺度適用中國國家標準（CNS) A4f格（-- 530007 A7 B7 -1 1 ------ ---------：— 五、發明説明（5 ) 結構在進一步的製程步驟，即該TMAH蝕刻程序完成而造 成一致破溝槽之後的剖視圖。 第2A圖為該製程之第一變化實施例中，該基板在薄膜 製成步驟之後的頂視圖。第2B圖為第2A圖中之印頭結構在 該變化實施例之TMAH餘刻程序之後的剖視圖。 第3 A圖為該基板在第二變化實施例之印頭製程中，於 薄膜形成步驟之後的頂視圖。第3B圖為第3 A圖中之印頭結 構成該TMAH蝕刻程序完成而造成一致破溝槽之後的剖視 圖。 弟4 A圖為該基板在第三變化實施例之印頭製程中，於 薄膜形成步驟之後的頂視圖。第4B圖為第4 A圖中之印頭結 構在該TMAH蝕刻程序完成而造成一致破溝槽，並敷設該 阻隔層之後的剖視圖。 第5 A圖為該基板在第四變化實施例中，於薄膜形成步 驟之後的頂視圖。第5B圖為第5A圖中的印頭結構在該 TMAH餘刻程序完成而造成一致破溝槽，並敷設該阻隔層 之後，沿5B-5B截線所採的剖視圖。第5C圖為第5A圖中的 印頭結構在該TMAH蝕刻程序完成而造成一致破溝槽，並 敷設該阻隔層之後，沿5C-5C截線所採的剖視圖。 第6 A圖為另一實施例之基板的頂視示意圖，其中形如 碎裂擋止條的溝槽並未在邊角處連接。第6B圖為沿第6A圖 之6B-6B截線所採的剖視圖。 第7 A圖為一類似於第6 A圖的實施例之另一致破溝槽 製程實施例的頂視圖，惟其頂部與底部的碎裂擋止條係被 本紙張尺A4規格⑽謂公幻 ~ 530007

五、發明説明（ό ) 印頭構造中的材料和製法。依據 的改變係將光罩圖案重新設計 略除第7B圖為沿第7八圖中之7B_7B截線所採的剖視圖。 依據本务明之一製法實施例係使用前述被應用於喷墨 依據本發明之該態樣，該製法 设计’而使砍晶圓在溝槽之 TMAH姓刻的區域不被覆蓋。TMAH(四甲基氫氧化銨）係為 '種石夕的異向性钱刻劑。就一異向性钱刻而言，其钱刻速 率對不同的晶體平面係為不同的，因此所蝕刻的形狀會被 荨曰a體平面所界限。该等溝槽的餘刻係發生於薄膜製程 兀成之後，並在阻隔材料敷設之前。該TMAM蝕刻製程乃 包含一些步驟： 1 ·晶圓表面在背面氧化物蝕刻（B〇E)中被清潔。 2. 去離子水沖洗。 3. TMAH蝕刻。 4 ·去離子水沖洗。 嗣該等晶圓會接受習知的處理來完成該印筆構造。該 磨蝕鑽孔製程會被調整至與該溝槽設計所需的形狀及大小 匹配。造成該印頭之一簡化的流程步驟乃如下所示： 1·造成喷墨薄膜結構。 2·進行TMAH蝕刻。 3·電子測試該薄膜。 4_敷設阻隔層並將之圖案化。 5. 以磨蝕加工來形成饋墨槽。 6. 固設孔板。 7. 切吾彳晶圓。 9 本紙張尺度適用中國國家標準A4規格（210X297公釐） 530007 A7

10 530007 A7 ___________B7___ 五、發明説明（8 ) 變薄的狀況會減至最少。該TMAH蝕刻及較短的蝕刻時間 乃可避免該噴墨印頭上的薄膜受損。將製縫控制在被蝕刻 的溝槽外部，乃可儘量減少薄膜因裂缝而受損的情況。 有數個舉例的溝槽設計乃被示於第1A〜7圖中，其中相 同的標號代表相同的元件，而詳述於後。 葱.破溝掩(第1A〜1B圖、。在該致破溝槽實施例 中，於該磨蝕鑽孔之前，有一 v形槽會被蝕刻包圍該墨料 饋槽區域的周邊。此溝槽乃形成一破裂起始處，而可控制 在本實施例中一磨蝕鑽孔製程之磨蝕加工的破裂貫穿位 置。此外，該溝槽亦會在該磨蝕鑽孔製程中擋止該等淺短 製縫的擴伸。 第1A圖係為該印頭結構1〇〇在該製程的第一步驟，即 該噴墨薄膜結構已被設在矽基板上之後的頂視圖。第⑺圖 為該印頭結構1 〇〇在該TMAH蝕刻程序已被完成而造成一 致破溝槽，且該阻隔層丨丨2已被敷設之後的剖視圖。 該印頭結構100包含一矽基板102，其上設有各圖案化 層而形成該薄膜結構，如第1B圖的101所示。該薄膜結構 的細節係依特定的印頭設.計而有不同。第1A〜1B圖乃簡化 地示出些圖案化層形成一舉例的薄膜結構。其包含一場 氧化物層104，一多晶矽層1〇6，一鈍化層1〇8包括碳化矽及 氮化石夕層，一組層11〇形成該印頭的加熱電阻器。有未示出 的例如一鋁層會形成配線紋路。 以該印頭所要形成的饋槽位置在第1A圖中係以虛線120 來表不，其乃標示出所需饋槽的周緣。在該虛線中的印 本紙張尺度翻巾關家鱗(_ Α^7210Χ297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再 _寫本頁) 士 530007

頭材料將會被除去而來形成該印頭的饋槽。在該饋槽區域 中之場氧化物（FOX)層將會形成該TMAH钱刻的護罩，而會 在該TMAH溝槽餘刻程序的準備工作日寺，即在靠近該虛線 Π0附近的區域122被事先除去。在熱喷墨製程中，該舰 層典型會被除去以獲得基板對矽的接點。但是，在以往， 该FOX層係被留在該墨料饋槽區域中。tmah不會蝕掉該 FOX層，故該FOX必須被選擇性地除掉，以使矽基板的蝕 亥J月b夠進行。δ亥接點|虫刻的光罩設計已由習知的設計改 變，而使供形成基板接點及致破溝槽的F〇x能同時被除 去。嗣該區域於剩下的薄膜製程中，在完成該TMAH蝕刻 程序來製成該致破溝槽之前，皆會被保持開放。 或者是’取代使用該FOX層來作為該TMAH蝕刻製程 的護罩，該鈍化層（SiN / SiC)亦可供用於此目的。在一變 化貫施例中’該純化層會被延伸而使其重疊該F〇X層的邊 緣約3微米。 在該TMAH蝕刻製程之後，一致破溝槽124(見第⑺圖） 會被形成於該基板102中。在一實施例中，該溝槽係有8〇 微米寬會至58微米的目標·深度，雖該溝槽的寬度與深度對 不同的饋槽大小或使用狀況亦可能有所不同。然後該製程 中的其餘3〜8步驟乃可被進行。其包括該薄膜結構的電子 測試，及敷設該阻隔層112(見第2B圖）並將之圖案化。該 隔層典型係為一聚合物層。 該阻隔層被設於該印頭結構之後，該墨料饋槽會被 磨I虫加工來形成，在本例中係由該基板1 〇2的底面（相反於 阻 以 (請先閲讀背面之注意事項寫本頁) 寫士 訂— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 12 五、發明説明（10 ) 薄膜層的一面）沿著一穿孔槽126來磨蝕鑽孔。在一實施例 中，該磨蝕鑽孔製程係利用一喷砂系統，其乃將細微的氧 化鋁磨料混入高壓空氣流中。該磨料及空氣的混合物將會 被泵至一喷嘴，該喷嘴的大小與形狀係被設成能在該基板 上造成所須的切口廓形。對該矽基板的磨蝕鑽切時間、切 軎1J壓力、及喷嘴的距離等皆會被調整，以獲得一貫穿談基 板之一妥當的槽孔。 該穿孔槽126最好伸入該溝槽124的底部。嗣，被圍封 在該穿孔槽126中的基板材料，如第1B圖中的ι〇2Α所示， 將會完全地由該矽基板分開，而被除去來形成該印頭的饋 槽。 然後，該印頭結構100將可再進行其餘的製程步驟，包 括固接孔板，切割晶圓，及將該印頭接合一可撓電路，典 型為一 TAB電路，俾將之固接於一印頭筆體上。 槽實施例（第2A〜2B圖、。丰本實施 例中，其初始的破裂貫穿係沿著一較深的“導孔，，溝槽來產 生，然後再向外衍伸至周邊蝕刻溝槽。該周邊蝕刻溝槽主 要係作為碎妓擒止構造。.故，以本方法，該喷砂開槽製程 將έ首先在中央溝槽的位置貫穿該晶圓。嗣該喷砂開槽程 序將會繼續進行，直到該貫孔已生成至外侧溝槽的大小。 砰裂擋止構造係可阻止淺短裂缝的擴伸，其乃藉該等裂 缝穿過溝槽的内壁而自然終止。當該等裂縫貫穿該内壁 牯，由於不能將應力傳經該空隙故會被擋止。 第2Α圖乃示出該基板1〇2於薄膜形成步驟之後的頂視 530007 A7 '~ ----- B7___ 五、發明説明（11 ) '—' - 圖。第2A圖所示出的構造係類似於第1A圖所示者，但在該 饋槽位置中央的FOX層會被除掉，因此該石夕基板表面在 122A處亦被曝空。制會進行該TMAH溝槽餘職程，來形 成一周邊蝕溝134如虛線12〇所示（見第2八圖），以及一在中 央區域122A處之較深的導孔溝槽132。於一實施例中，該 周邊餘溝係大約60微米寬，而在最深處約為43微米深，另/ 該導孔溝槽係約有80微米寬，而在最深處約為53微米深。 該钱刻護罩的寬度須考慮以TMAH所造成之該等溝槽 的最後深度。此係因為在該矽晶體結構中的<m>平面具 有較低的蝕刻速率。該較淺的周邊蝕溝當該等<iu>平面 終結成一“V”形時，將會達到停止點。而較寬的中央溝槽 將不會僅止於該終結點，而會以較高的蝕刻速率繼續蝕刻。 在该TMAH蝕刻程序完成，而該二溝槽132、134被製 成之後，即如第2B圖所示，乃可進行該製程的其餘步驟。 其磨蝕鑽孔操作會沿著穿孔槽136來進行，而該矽基板1〇2 將會沿著该較深的導孔溝槽132來開始破裂貫穿。材料的去 除嗣會向外擴展至該周邊蝕溝丨34。該等貫穿槽孔的大小將 由該機械式喷砂開槽製程來決定。 _中央溝槽全為槽實施例（第3A〜3B圖）。在本實施例 中，該磨I虫槽孔係小得足以設在該ΤΜΑΗ蝕刻溝槽的中 央’而該溝槽的斜面則可用來承納碎裂，並限制該饋槽的 形狀及位置。 第3Α圖乃示出該基板1〇2在薄膜製造步驟之後的頂視 圖。第3Β圖則示出該基板1〇2在完成ΤΜΑΗ蝕刻程序，且該 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 14 (請先閲讀背面之注意事項寫本頁) .、町| 530007

發明説明 阻隔層112被敷設之後的剖視圖。第3 A圖所示之構造乃類 似於第1A圖，但在該饋槽位置的FOX層104會被除去至靠 近邊緣處，而留下該FOX層的邊緣區104C，因此該石夕基板 表面亦在區域156處曝空。嗣會進行TMAH溝槽银刻程序， 而形成一姓刻溝槽152乃如虛線120所示（見第3A圖）。 在該TMAH蝕刻程序完成，且該溝槽152形成之後，.將 會進行該製程之其餘步驟。其磨蝕鑽孔操作會沿著穿孔槽 154來進行，而除掉該穿孔槽内的材料來形成該墨料饋槽。 在某些情況下，本實施例可比前述二實施例提供更窄的饋 槽。 土A溝槽多饋槽實施例（第4A〜4B圖、。本實施例乃類 似於第3 A〜3B圖所示的中央溝槽實施例，但係使用多個較 小的饋槽，而使更多的矽被留在印頭晶片的中央，來增加 其強度。 第4A圖乃示出該基板1〇2在薄膜製成步驟之後的頂視 圖。第4B圖則為該印頭結構170在TMAH蝕刻程序完成，而 形成一致破溝槽，且敷設該阻隔層U2之後的剖視圖。第4A 圖所示之構造係類似於第3A圖，在該饋槽位置的F〇x層 1〇4會被除去至接近邊緣處，而留下該F〇x層的邊緣區 1〇4〇。虛線172八〜1720係表示多個墨料饋槽的預定邊界。 ㈣會進行該TMAH溝槽蝕刻程序，而在區域丨78中形成一蝕 刻溝槽。 在該TMAH蝕刻完成，且溝槽174被形成之後，即可進 行β ‘程的其餘步驟。其磨钱鑽孔會沿著各饋槽位置 15 (請先閲讀背面之注意事項_寫本頁) •訂· 本紙張尺度適财關家標準（CNS) Α4規格（21GX297公釐） 530007 A7

發明説明 2A 172D之一牙孔槽，包括該饋槽位置η〕。的穿孔槽 來進行，而除去该等穿孔槽内的材料，以形成多個饋 槽故，具有可由單-源頭送料之多孔噴嘴將會被製成， 俾在一製程步驟中來鑽設所須的饋槽圖案。於一實施例 中，該等小矩形開孔係大約200微米寬及15〇〇微米長，而各 喷嘴開孔之間約有1500微米的間隔。因此該喷嘴會造成一 系列較小的槽孔。 在本設計中， 島塊會被留在各墨料饋槽之間，而來協助支撐阻隔層，並 賦予晶片更多的強度，及促進氣泡的消除。該島塊對饋槽 邊、、彖之楔狀造型，會使氣泡在生成時將它們朝該墨料饋槽 推送。 第5A圖係示出該基板1〇2在薄膜製成步驟完成之後的 頂視圖。第5B圖為該印頭結構19〇在該丁1^八11蝕刻完成而造 成一致破溝槽，並敷設阻隔層112之後的剖視圖。第5八圖 所示的結構係類似於第4A圖，惟除該F〇x層1〇4的稜錐狀 島塊104D1-104D3等會被留在饋槽區域中。該等島塊將會 在TMAH蝕刻過程中罩.護底下的矽基板區域。虛線 172A〜172D乃代表多個墨料饋槽的所須周界。 硐會進行該TMAH溝槽蝕刻程序，而在區域178中形成 一圖案化的蝕刻溝槽192。 在該TMAH蝕刻完成而且形成溝槽192之後，將會進行 該製私的剩餘步驟。當該阻隔層112被敷設時，其將會覆蓋 該等積錐狀島塊104D1〜104D3，如第5C圖所示。磨蝕鑽孔 本紙張尺度適用中國國家標準（〇β) A4規格（210X297公釐） 請 先 閲 面 之 注一 意 事 項

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16 530007 A7 五、發明説明（14 ) 將會沿著各饋槽位置172A〜172D之穿孔槽，包括饋槽位置 172C之穿孔槽176C而來進行，並除去該等穿孔槽内的材料 而形成該多個饋槽。 該島塊溝槽設計係在F0X(硬罩）平面上使用不同的圖 樣來製成墨料饋槽區域中央的島塊。該光罩係被設計成會 在該饋槽區域中央留.下稜錐狀的島塊，如第5A圖所示。如 同先前的實施例，該阻隔層嗣會被疊設並圖案化，而在本 例中，該阻隔層材料會覆蓋在各稜錐狀島塊頂面，來協助 支撐其後會被舖設的孔板。該磨姓鑽孔程序會如同第 4A〜4B圖的實施例來進行，而會有多數的小貫穿槽孔被形 成於忒等島塊之間，如第5B圖所示。該等貫穿槽孔之截面 在島塊的中心處具有一淺槽，而當其接近5B_5B的截面 時，將會變得較深及較寬。 第6A〜6B圖乃示意地示出另一實施例， 其中形成碎裂擋止條的溝槽等，並不在邊角處連接。第6A 圖為該基板220在製程步驟2,即該設有薄膜層的矽基板已 接受過TMAH蝕刻，而形成側溝槽226Α、226β及頂、底溝 槽228A、228B等之後的頂視示意圖。其穿孔槽係以虛線222 來表示。當該磨蝕加工沿著穿孔槽232(見第沾圖）來進行 牯在w亥虛線222内的基板材料將會被除去，而來形成該饋 槽。於一貫％例中，該等側溝槽係為8〇微米寬及83⑻微米 長，而頂、底溝槽為160微米寬及8〇微米高。該等侧溝槽的 距離，由外側至外侧係為260微米；而頂、底溝槽的距離， 由外側至外側係為8480微米。在本實施例中，該等溝槽具 本紙張尺度適用中國國家標準（〇β) A4規格（210X297公釐·） 530007 A7 、發明説明（IS ) 有5 8微米的目標深度。 各FOX層區塊104A及104E1〜E4(見第6八圖）等，將會形 成該等側溝槽226A、226B及頂、底溝槽228A、228B之間 的分隔界限。 第6A圖的實施例具有一些優點。在饋槽中央與兩端之 間的阻隔層變薄差異乃可減少，因為在該饋槽兩端的溝槽 將不會被蝕刻得如第1A圖的實施例那麼深且寬。對晶片碎 歧的防護依然没在該晶片的各邊上。一可能的缺點即為增 加尖銳的蝕刻邊角數目，可能導致降低晶片的強度。 趾邊溝槽設計。第7A〜7B圖乃示出另一致破溝槽製程 的實施例，其係類似於第6A〜6B圖的實施例，但是該等頂、 底的碎裂擋止條乃被略除。第7A圖為該基板240在製程步 驟2 ’即該具有薄膜層的矽基板已完成TMAH蝕刻，而形成 側溝槽246A、246B之後的頂視示意圖。與第6A圖相同， 該所謂的穿孔槽乃以虛線222來表示，且在一實施例中，該 構造可具有與第6 A圖所示之實施例相同的尺寸。而該基板 240僅使用側邊的碎裂擋止條246a、246B等，且其係被F0X 層區域104F來分開（弟7 A圖）。故，|虫刻溝槽會被形成於饋 槽區域的兩侧，但沒有蝕刻溝槽被設在該饋槽的頂部及底 部。於一實施例中，該等側溝槽可具有80微米的寬度及843〇 微米的長度。在另一實施例中，該等溝槽會留下有點較短 的饋槽末端，俾可增加晶片的強度，而具有81〇〇微米的長 度。當後續的磨蝕加工沿著穿孔槽250(見第7B圖）來進行 時’在虛線222内的基板材料將會被除掉。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNs) A4規格（210X297公釐） 18 .請 先 閲 面 之 注 意 事 項

訂 530007 A7 五、發明説明（Ιό 應可瞭解上述各實施例僅為代表本發 明原理之可能的 具體實施狀說明而已。其它的設計亦可容易地由專業人 士依據該等原理而想出，但仍不超出本發明的精神與範圍。 元件標號對照 100、170、190···印頭結構 1 〇 1…薄膜結構 102···砍基板 104···場氧化物層 104D1 〜D3···島塊 106···多晶石夕層 108···鈍化層 110…组層 112···阻隔層 120、172A〜D···饋槽位置 124···致破溝槽 126 、 136 、 154 、 176C 、 232、250…穿孔槽 132···導孔溝槽 13 4…周邊餘溝152、174、192···蝕刻溝槽220、240···基板 226A、B…侧溝槽 228A…頂溝槽 228B…底溝槽 246A、B…側溝槽 (請先閲讀背面之注意事項_寫本頁) 瓣 装丨 訂— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） 19

Claims (1)

1. 申請專利範圍 L —種製造喷墨印頭的方法，其包含： 提供一印頭基板； (請先閲讀背面之注意事項再本頁) 在该基板上製成一薄膜結構； 在該基板要形成—饋槽之—表面區域中製成-致 破溝槽結構； ，持續地磨韻加工該基板而貫穿該致破溝槽結構來 形成該饋槽。 2.如申請專利範圍第1項之方法，更包含在製成該致破溝 —構之後’且在磨钱加卫該基板之前，敷阻隔層 於該薄膜結構上的步驟。 訂— •如申請專利範圍第1項之方法，其中製成該薄膜結構的 步驟乃包括在該基板之-第-表面上製成該薄膜結 構’而製成-致破溝槽結構的步驟係包括在該基板之該 第—表面上形成該致破溝槽結構。 4.如申請專利範圍第3項之方法，其中㈣加工該基板的 步驟包括： 由该基板之一第二表面磨蝕性地鑽削該基板直到 設於該第一表面中的致破溝槽結構處。 5·如申請專利範圍第！項之方法，其中製成一致破溝槽結 構的步驟乃包括在一蝕刻製程中來蝕刻該溝槽。 6·如申請專利範圍第W之方法，其中該饋槽具有 緣’而製成该致破溝槽結構的步驟包括： 形成一周邊致破溝槽圍繞於該饋槽的周緣。 7·如申請專利範圍第6項之方法，其中製成該致破溝槽

   20 申請專利範園 =步驟更包括在該周緣内形成—導孔溝槽。 ·=專利範圍第1項之方法，其中製成該致破溝槽結 方/驟乃包括形成—寬闊溝槽覆蓋在該饋槽區域上 9·如申請專利範圍第1 貝之方法，其中該饋槽乃包含多個 :隔分開的小饋槽，而製成該致破溝槽結構的步驟包括 $成夕個小溝槽’其每_溝槽對應於_個小饋槽。 1〇·如申請專利範圍第9項之方法，其中磨韻加工該基材的 少驟會產生多個小基材島塊殘留在分開該等小饋槽的 區域中。 U·如申請專利範圍第丨項之方法，其中·· 提供一印頭基板的步驟包括提供一矽基板；及 製成一致破溝槽結構的步驟包括以一四甲基氫氧 化銨（TMAH)蝕刻製程來蝕刻該矽基板。 12·如申請專利範圍第1項之方法，其中製成—致破溝槽結 構的步驟乃包括圍繞要被形成饋槽區域的周緣製成不 連接的碎裂擋止溝槽。 13·如申請專利範圍第12項之方法，其中該等不連接的碎裂 擋止溝槽係包含延伸於該周緣之縱長侧邊的左侧與右 側溝槽，及延伸於該周緣之頂底邊緣的頂部與底部溝 槽。 14·如申請專利範圍第12項之方法，其中該等不連接的碎裂 擋止溝槽係包含延伸於該周緣之縱長側邊的左側與右 側溝槽，但沒有溝槽延伸於該周緣的頂部與底部邊緣。 530007 A8 B8 C8 ----------D8 六、申請專利範圍 1 5 · —種製造喷墨印頭的方法，其包含： 提供一印頭基板之一晶圓； 在"亥曰曰圓上製成一薄膜結構，以供欲形成於該晶圓 上之每一印頭之用； 在該基板要形成一饋槽之一表面區域中製成一致 破溝槽結構，以供欲形成於該晶圓上之每一印頭之用； 敷設一阻隔層於該薄膜結構上； 持續地磨蝕加工該晶圓而貫穿該致破溝槽結構來 开〆成《亥饋槽，以供欲形成於該晶圓上之每一印頭之用； 固設一孔板結構，以供欲形成於該晶圓上之每一印 頭之用； 切割該晶圓以分開各別的印頭；以及 將該印頭接合於印頭電路。 M·如申請專利範圍第15項之方法，其中： ^供一晶圓的步驟包括提供一石夕基材晶圓；及 製成一致破溝槽結構的步驟包括以一四曱基氫氧化 銨（TMAH)蝕刻製程來蝕刻該矽基材晶圓。 17·如申請專利範圍第15項之方法，其中製成該薄膜結構的 步驟乃包括在該晶圓之一第一表面上製成該薄膜結 構’而製成一致破溝槽結構的步驟係包括在該晶圓之該 第一表面上形成該致破溝槽結構。 18.如申請專利範圍第17項之方法，其中磨蝕加工該晶圓的 步驟包括： 由該晶圓之一第二表面磨姓性地鑽削該晶圓直到 設於該第一表面中的致破溝槽結構處。 本紙張尺度適用巾關家標準（CNS) A4規格（210X297公釐) 22 請 先 閲 面 之 注 意 事 項

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