TW522609B

TW522609B - Chip antenna and antenna unit including the same

Info

Publication number: TW522609B
Application number: TW091101642A
Authority: TW
Inventors: Takayoshi Konishi; Takehiko Tsukiji
Original assignee: Nec Microwave Tube Ltd
Priority date: 2001-02-01
Filing date: 2002-01-31
Publication date: 2003-03-01
Also published as: US20020101382A1; JP2002232223A; US6707427B2

Description

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本發明係單元，特別係在此，單極天線於中間中間之接地部具有極性的韓天線之方向具習知技術說明儘管許多未明顯的縮小線便具有高增線具有小面積小，天線將具少的輸入阻抗的功率被反射射的功率減少有關於一種晶片型天線及具有該天有關於具有縮小體積的一種單極天綠之天線極天線係一種以某部位接地的天線、、、，。具有最大電流振幅的部位，並且轉例如雙位形成電性影像。雙極天線於其相雙極非射圖案，兩極係彼此對立，且於古的兩端有峰值。麥直於雙極 ::裳置？經減少體積與重量1而天線仍體積。這疋因為假若天線具有一寬面積，天益值，反之假若減少天線的大小並且因此 ’天線將具有小增益值。假若縮小天線的大有一惡化的阻抗匹配特性，特別是具有一減。結果，將產生一問題，就是饋自通訊襄置至天線的輸入處’並且導致以電磁波方式發〇隨著行動電話與個人電腦快速普及，便要求製造越來越小體積且具有更好性能的天線，以便滿足個人電腦之間或個人資料庫之間透過藍牙技術的通訊需求。對於減少體積卻不減少其長度的天線，已知為具有米倫達線或螺旋線的天線，也就是米倫達狀天線或螺旋狀天線0

2i34-4581-PF(N).ptd 第5頁 522609 五、發明說明（2) 例如，日本未審查專利公開公報第9 - 5 5 6 1 8號已提供了具有米倫達線的晶片型天線。此種提議的晶片型天線已於第1圖中說明之。晶片型天線100包括具有多層介電層的一矩形平行六面體基底101以及形成於基底101表面107上的一電性導體 104 ° 電性導體104具有將功率饋入晶片型天線1〇〇的終端 102與開放端103，以及具有10個轉角的米倫達狀結構。電性導體104係藉由曝光、蒸鍍、貼附或電鍍形成於基底ι〇1 之表面107上。米儉達狀電性導體i 〇4自一第一邊緣1〇18延伸至平行於第一邊緣l〇la的一第二邊緣l〇lb。基底1 0 1具有一第一側面1 〇 8以及與第一側面1 〇 8互相對立的一第二側面109。功率饋入端（p〇wer —feeding terminal)l〇5形成於第一侧面上，並且一固定端 (fixation terminal)106形體1 〇 4藉由終端1 〇 2電性地連底101透過固定端1〇6固定於路板上具有外部電路。為了自天線發射電磁波流。電流一般係施加於天線率饋入處必須具有相當的長 ohms ’以便使天線與功率饋外’只需要對於天線剩餘部疋的頻率共振天線的剩餘部成於第二側面上1 0 9。電性導接至功率饋入端1〇5，並且基電路板（未顯示說明）上，於電 ’必須對於天線施加強大的電的功率饋入處。此外，對於功度’使得發射阻抗等於50 入器相匹配。除了功率饋入處份產生強大的電流，天線以既份。

522609 五、發明說明（3) 從上述觀點，日本未審查專利公開公報第 2 0 0 0 - 1 8 8 5 0 6號已經揭露一種縮短天線長度的天線，其利用一種電抗裝置（reactance device)取代天線的剩餘部份而不是取代功率饋入處。如第2圖所示，一種線性電性導體圖案112之一端與一功率饋入處113電性連接，並且另一端與電抗裝置114連接。此電抗裝置11 4包括一第一電性導體，例如一米倫達狀電性導體’其於縱向方向上的第一長度較垂直於第一長度的第二長度長。電抗裝置114安裝於一印刷基板11()之上表面的一區域，在那裡一接地圖案丨丨丨並未形成於印刷基板110之上表面與下表面。此電抗裝置114與線形電性導體 11 2彼此互相垂直，並且形成顛倒的[狀圖案。然而’上述日本未審查專利公開公報第9-556 1 8號伴隨著以下的問題。 … 於此公開公報中’此晶片型天線1 〇〇藉由將電磁波傳入長度等於電磁波波長的1/4的電性導體中共振。為了這目的’電性導體104反覆動作許多次。這導致電性導體 1 0 4的長度增加，造成縮小晶片型天線體積的製造障礙。此外’電性導體1 0 4必須多次折彎，以便將很長的電性導體1 0 4能容納於很小的空間中，造成相鄰的電性導體之間空間越來越小。因此，相鄰電性導體丨〇4之間的電性搞合越來越強大，於電性導體104中造成無線電頻率損耗與”電彳貝耗以及於電性導體1 〇 4表面上的電流流量增加。結果’輻射效率與晶片型天線之增益同時減少。

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五、發明說明（4) 因為單極天線係位於一開放空間’單極天線很容易電磁耦合至金屬的周圍，因此，天線特性很容易隨著周圍環土兄改變。因此，有必要對於設計成具有寬波段範圍的單極天線’於安裝單極天線多加考慮。然而，於曰本未審查專利公開公報第9 - 5 5 6 1 8號中所提的，因為單極天線1 〇〇嘗試藉由減少相鄰電性導體1 〇 4之間的空間而縮小體積，但是產生於電性導體丨04之間的電 =能量會增加。如此增加的電磁能量會造成波段寬度變 f ’藉由存在於晶片型天線周圍的金屬部分導致天線特性夺易被改變。於上述日本未審查專利公開公報第2000-188506號所曷路的天線將伴隨以下的問題。此天線包括電抗裝置。然而，因為電抗裝置係分開、’使用電抗裝置會增加製造天線的總成本。包人2 ’相當困難地準確的分析天線的運作，假若天線線；的部分。這會造成以此種設計方式設計的天發明概要：於習知的天線中

係提供一種日H ^丨队诹工遴问題，本發明之第一目的縮二』有天線單元’其雖然響，並且可以_具& n 又且不谷易受到周圍部份影』以輕易的固定於一基底上。口口- X月之第二目的係提供一種天線曰y 單元，兩者呈現古線i日日片及一種天線者呈現^射效率及具有低損耗的高增益。

522609 五、發明說明（5) 本發明之第三目的單元，兩者具有-簡單=供—種天線型晶片及-種天線造，並且可以正確地分；構，可以低成本、少許步驟製單元Uni以供:型晶片及-種天線於本發明之-種型n 上述被提及的優點。括U)具有—第一端的第—耠供一種晶片型天線，其包平行延伸的第二電性導體電曰性導體；⑻與第-電性導體第二端；丄於第—體端與且第具有，第，導體，且垂直於第一、第_與带第二知之間延伸的第三電性體係-體地形A，並且匕：性=體，第-至第三電性導之一。成工且功率饋入第一或第二電性導體其中 =述方式排列的第一至第三電性導體降低了電磁耦動於基底表面的電流及分佈電纟，並且因此實現低耗扣、兩效率、高增益且寬波帶。此導體降低其中電磁搞合，並且因此減少被周圍環進-步’因為第-至第三電性導體係彼此一體成形，此最終的晶片型天線可以低成本製造成簡單的結構，並且可以輕易分析其操作。例如，晶片型天線可進一步包括一介電層，第一至第三電性導體可被形成於此介電基底中的任何地方。或者’晶片型天線可進一步包括一電路板，第一至第三電性導體可被形成於其上。此晶片型天線最好包括至少一個電容，其盘第一至第

522609 五、發明說明（6) 三電性導體其中之一形成在一起。此電容可降低晶片型天線之共振用以降低晶片型天線之大小。千玉且U此，可複數電容^提供降低複數種共振頻率。第一至第二電性導體與電容可形成於介電上，或之後提及的電路叔的志i f於"電基底之表面更提供一種板的表面上，或介電基底内。 -第線’其包括(a)具有-第-端的性導體，且：有與第端第；電性導體平行延伸的第二電第二電性導體的Λ三電：導體’且垂直於第-、甘由々u)與第一電性導體或第二電性導體 ;延伸的一功率饋入線與第三電性導體平電性導體及功率饋入線係-體地形中之二。工〃、過功率饋入線饋入第一或第二電性導體其於第饋ΐΠ形成於介電基底之表面上，例如形成 =於此形成之處。功率饋入線亦可杏，笛一表面上，例如與電容形成在一起。或 s..第二電性導體與電容可形成於介電基底中或表面上，並且功率饋人線形成一電路板上；中成表 w本+發明之另"'種型態中’提供—種天線單元，立包括（a)上述晶片型夭綠由，、巴上具有-接地區域d種，以及⑻-電路板’於其於電路板之表面因區域…晶片型天線固定因此晶片型天線之功率饋入線位於非 2134-4581-PF(N).ptd 第10頁 522609

接地區域以及接地區域當作一接地。钱地板，藉以將晶片型天線本發明之優點將說明如下第一優點如下：因為根據本發明之晶片型第一至第三電性導體，取代米振的長度，於電性導體之間可導體中的電磁耦合、流動於基的電流以及分布的電容。因此及具有該天線之天線單元確實益及寬頻帶。天線包括以上述方式配置的倫達線且確保了需要用以共獲得高阻抗，導致降低電性底’例如一介電基底表面上 ’根據本發明之晶片型天線具有低耗損、高效率、高增第二優點如下：、以上述方式配置的第一至第三電性導體減少於其中的電磁耦合γ並且因此，此小體積的晶片型天線及具有該天線之天線單元確實減少被周圍環境的影響。第三優點如下·· 以上述方式配置的第一至第三電性導體彼此構成一體’此最終的晶片型天線及具有該天線之天線單元可以低成本製ie成間早的結構，並且可以輕易分析其操作。較佳實施例說明·· 以下所提及的實施例中，所有晶片型天線及天線單元皆為垂直站立。然而，它們亦可以水平的方式使用。 [第一實施例] 第3 A圖係根據本發明之第一實施例的晶片型天線之立

2l34-458l-PF(N).ptd 第11頁 522609 五、發明說明（8) 體圖式。根據第一實施例的晶片型天線丨〇包括一由陶究構成的矩形平行六面體介電基底11 ;具有一第一端的第一電性導體12a ;與第一電性導體12a平行延伸的一第二電性導體 12b，且具有與第一端排列對齊的一第二端；於第一導體12a之第一端與第二電性導體12b之第二端之間延第三電性導體15 ’其垂直於第一12a、第二電性導體…. 以及一功率饋入線13與第二電性導體12b之其他端接，且其與第三電性導體平行延伸。功率係經由功率饋入線13饋入第一12&、體12b。私丨守因為第三電性導體15亦充當一天線’此第三電性導體 1 5設計成與功率饋入線1 3平行延伸。第一至第二電性導體12a 'ub、15與功率饋入線13係介由於介電基底表面上印刷，一體成形於介電基底丨丨之表面上。然而，應注意第一至第三電性導體12a、12b、15亦可能印刷於介電基底11内；或亦可能藉由除了印刷的豆他步驟，形成於介電基底11表面或其内。、第一與，，電性導體12a、12b總是形成垂直於功率饋入線13，不管藉由哪一步驟形成第一、第二電性導體 12a、12b及功率饋入線13。並非總疋有必要對於第一、第二電性導體123、12b形成直線狀。亦可以形成曲線，假若彼此之間的空間保持固

2134-4581-PF(N).ptd 第12頁 522609 五、發明說明（9) 、以於有限的空間内延長第一、第二電性導體12&、；[ 2b的長度’確保電感值增加；並且因此可以製造成小體積的晶片型天線。如第3B圖所示，當此晶片型天線丨〇當作一單極天線使用時，此介電基底11係形成於一金屬板（未說明）上，且一功率饋入器1 6亦設置於介電基底11與金屬板之間。此外，於靠近功率饋入器16處，功率饋入線13設計成垂直於金屬板。藉由共振施加自功率饋入器丨6之電流振幅，例如於靠近功率饋入器1 6處，電流振幅被最大化，流經過功率饋入器16之強大電流’接者因此’具有一共振頻率的電磁波發射至空中。假設第一、第二電性導體12a與12b的寬度可忽視，第一、第二電性導體12a與12b的阻抗Z(L)係量測自第一、第二電性導體1 2 a、1 2 b的開放端電性連接至彼此的另一端，並以下列等式定義： Z(L) = jZO x tan(2 πΐ/ λ) (A) 其中L表示第一、第二電性導體12a、12b的開放端至第三電性導體13之長度’久表示電磁波的波長，以及zo表示第一、第·一電性導體12a、12b的阻抗特性。因此，假若第一、第二電性導體12a、12b的長度等於或小於；1/4，其當作電感值範圍在〇至無限大的電感 (inductor) 〇第3B圖係一同等於晶片型天線1〇的等效電路之電路圖式，其進一步包括功率饋入器16 ;並且其中第一、第二電

2134-4581-PF(N).ptd 第13頁 522609 五、發明說明（10) 性導體12a、12b具有等於或小於；1/4的長度。於第3B圖中，第一、第二電性導體12a、12b的交互電感值顯示成單一電感值。於單極天線中，當電磁波自功率饋入線丨3發射時，自功率饋入器1 6提供至功率饋入線1 3的電流I，於功率饋入器16之附近被設定至最大值，並與功率饋入器16至單極天線的距離相干，也就是，與晶片型天線1 0之高度相干。這樣的電流I係藉由改變功率饋入線13的長度及阻抗Z(L)兩者而產生，這樣的電流I係以電磁波之頻率共振且自功率饋入線13發射。明顯地，功率饋t入線13之長度及阻抗以⑺ 係既定的；因此當觀察自功率饋入器16時，輸入阻抗z(L) 的電抗值幾乎等於零。上述等式（A)只有定義一近似阻抗值Z(L)。精確的阻抗Z(L)係藉由調整第一與第二電性導體12&、12匕之寬度、，一與第二電性導體丨2a、丨2b之間隔及特徵阻抗值ζ〇 ς決疋 ° 自功率若第一與第 1 3越來越粗饋入線1 3發射的電磁波可具有較寬的波段，假二電性導體12a、12b越來越細且第三電性導體 !變成越Γμ 顯所示，離功率饋入器越來越遠，電流

Ik成越來越小，並且最後’無法貢獻於功率，二器並不需要存在的地區中，第一與第二磁電皮佳導於體 12a、12b之取代功率饋入線13而帶電。當觀察器16時，即使功率饋人線13部分藉由如上所述的第^第

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522609 五、發明說明（11) 二電性導體12a、12b取代，藉由變化功率饋入線13的長度及阻抗值Z ( L )，可以使功率饋入線看似具有充分的長度。因為於第一與第二電性導體12a、12b中的電性導體之間的電磁耦合較米倫達天線或螺旋天線少，愈來愈少的電流流通於第一與第二電性導體丨2a、12b之表面上，並且於第一與第一電性導體1 2 a、1 2 b中的損耗被減少，以綠保發射效率改進。此外，於第一與第二電性導體12a、12b中的電感緩慢地產生，並且因此越來越少的電流流動於第一與第一電性導體1 2 a、1 2 b表面上流動的電流，降低損耗，確實改進了發射效率。再者，因為第一與第二電性導體 1 2a、1 2b及第二電性導體丨3皆包括共同的材料，可以分析及輕易的製造晶片型天線。以下將說明晶片型天線1 〇的大小是如何決定的。佶幽1Ϊ察功率饋入器1 6時’不只需要將輸入阻抗之電抗 1 fi、#η ^於零，如之前所敘述，並且功率自功率饋入器的饋入至功率饋入線13需要使位於輸入阻抗 10 m Λ * ，徵阻抗值5〇歐姆，以便使晶片型天線功：二翻貝入器16 ’並且減少自晶片型天線10反回的功率。從此觀點，功率餹最好包括一傳輸線ί:入1516與功率饋入線13之間的線丨哥科j綠，例如一同軸電纜。率天於晶片型天線1〇内：功耗，並且輕射損耗等 2内的知耗及介電基底内的相、藉由電磁波輻射造成的功率損耗。 2134-4581-PF(N).ptd 第15頁 522609 五、發明說明（12) =於，損耗的電阻值與功率饋入線13的長度呈正比。等於 ^射彳貝耗的電阻值已知與根據線型天線理論的χ/γ平方呈 ^比’其中X表示功率饋入線的長度及γ表示輻射電磁波的 ^長。因此’等於輻射損耗的電阻值可用以表示天線的輻射能力。發射自功率饋入線Η的電磁波具有一波長，其取決於 2些參數，例如介電基底11的厚度、介電基底11的介電常以及印刷於介電基底11内或表面上的第一至第三電性導體12a、12b、13之任一個。因此，功率饋入線13的長度不只取決於之前所描璉的決定輸入電阻值之方法，並且亦取 =於上述參數。也就是，功率饋入線丨3的長度決定，例如輸入阻抗的電阻值等於5〇歐姆。第一與第二電性導體12a、12b並未發射電磁波，目於功率饋入線13的長度，第三電性導體13具有長二忽•，從功率饋入器16的觀點，將不需要考慮用以決疋輸入電阻值的第一至第三電性導體12&、i2b、於晶片型天線10内的輸入阻抗之虛數值決定舍幾：趨近於零時，發生於四分之-波長的單極天：的，、振，藉由調整第一至第三電性導體12a、i2b 、度、調整第一與第二電性導體12a、12b之第-與第二電性導體12a M 及调整丘務m a认仏之寬度以既又的頻率發生二振貫際上，當輸入阻抗之虛數值慢慢明確地時，發生強烈的共振。這是因為，當虛數值慢慢明確：偏

522609 五、發明說明（13) Ϊ零時，於功率饋人線13中的電流振幅係最大化，並且最後^輻射電阻值變得愈來愈趨近於5〇歐姆，也就是，輻射阻抗值接近上述相匹配條件。於第與第一電性導體1 2a、1 2b中的特徵阻抗Z0定義如下： Ζ〇 = 1/( 7Γ η ) X Ln(4D/W) ⑻ 此處ly/ β等於sqrt(// / ε)，其等於377乘上 sart(,s/es)(( l/,) = sqrt(,/£)_-377sqrt(,s/£ 表示存在於第一與第二電性導體心、12b周遗’琢透磁率比例，£表示材料的教η主I %透磁率比例，ε s表示明確的介電常 ί表不第一與第二電性導體12a、12b中央之間的間 :，以及，示第一與第二電性導體12a、m』。、奋又β明顯地遠大於W(d>>w)。電常介電常數“表示有效的、明確的介的材料的；ί常ί定：第：2第二電性導體i2a、m周圍於八雷^義例如，明確的介電常數εε係等 ”電常數以及印刷於介電基底η表面上的 i ΐ ^電性導體12 a'12 b中的空氣介電常數之平均係遠小於介電基底η的明確介電常數遠小於晶片型天線，其中mu磁波的波長係形成於介電基糾之;;：第肖第-電性導體12a、12b係根據等式(B) ’介電常數“愈來愈大、第一與第二電第17頁 2134-4581-PF(N).ptd 522609

性導體12a、12b中心之間的間隔D就愈來愈小、第一與第二電性導體12a、12b的寬度就愈來愈大、特徵阻抗Z0就愈來愈小。相對的，介電常數£3愈來愈小、第一與第二電性導體12a、12b中心之間的間隔D就愈來愈大、第一與第二電性導體12a、12b的寬度就愈來愈小，特徵阻抗Z0就愈來愈大。愈來愈大的特徵阻抗Z0表示第一與第二電性導體 12a、12b之間的電磁搞合就愈來愈小；並且因此’流動於第一與第二電性導體12a、12b表面上的電流減少，於第一至第三電性導體12a、12b、15内的損耗減少，輻射效率增加且頻帶變寬。於上述内容的觀點中，晶片型天線1 0之電荷電感值藉由變化第一與第二電性導體12a、1 2b之長度、第一與第二電性導體12a、12b之寬度以及第一與第二電性導體12a、 1 2 b之間隔而調制，並藉此造成晶片型天線以既定頻率共振。雖然習知的天線藉由長度盡可能設計成很長的電性導體共振，例如米倫達線；根據第一實施例的晶片型天線1 0 係依據，晶片型天線10藉由將縮短長度的功率饋入線充電至一電抗值而共振的觀念設計。此外，根據第一實施例於晶片型天線10中，於第一與第二電性導體12a、12b内的特徵阻抗儘可能設計愈高，以便將第一與第二電性導體 12a、12b之間的電磁耦合調弱，確保改善晶片塑天線10之電波頻率特性。 [第二實施例]

2134-4581>PF(N).ptd 第18頁 522609 五、發明說明（15) 根據上述第一實施例的晶片型天線丨〇中，第一與第一電性導體1 2a、1 2b係於電波頻率電磁場中彼此電磁耦合了並且造成，一高短路電流流通過第三電性導體15。於^ — 實施例中，因為第三電性導體1 5的長度相對較短，因此三電性導體1 5當作天線操作係可忽略的。相對的，於第二實施例中的第三電性導體係形成一實施例中的第三電性導體15長，目的是天線運作時，短路電流流通過第三電性導體。此外，藉由形成較三電性導體，第-與第二電性導n12b之間的間隔：可以增加，造成於第一與第二電性導體中啲特徵阻抗增加，第一與第二電性導體彼此電磁耦例少，並…，晶片型天線可以改善電波；=性實-^。第4圖係說明根據本發明之第二實施例的晶片型天線晶片型天線20包括一矩形平行 :基底21正面上的第-電性導體仏此第電性 =“糸沿著介電基底21正面的下緣延伸；印基底21正面上的第二電性導體、沿著介電基底21正面的上緣：：人此第二電性導體22b係上的第三電性導體25，此第三=於介電基底21正面 21正面的右緣延伸，因此，；電：$體25係沿著介電基底藉由其右端彼此電性連接；二電性導體仏、2213 面上的電容平板23。 "及印刷於介電基底之上表電容平板23印刷的上表面係垂直於第一與第二電性導第19 2134-4581-PF(N).ptd 522609 五、發明說明（16) 體22a、22b印刷的正面。第三電性導體25形成較第例中的第三電性導體丨5更充分的長。第一電性導體22b係以其開放端透過位於上表面沪著 = 的連接線24電性連接於電容平板23 /電容第三電性導體223，、25及連接線寬又更寬的寬度，並且包括相同的材料，例如至亩、⑽，及連接線24使用之材料。電容千板23係以垂直於連接線24的長度方向而延伸。第一至第三電性導體22a、22b、25及電容平板24 電基底21之内部或者可藉由任何其他不包括印刷的方法形成於介電基底2丨之内部或表面上。 =5圖係說明於第4圖中的晶片型天線2()之曝光顯影圖式。於第5圖中’（A)係正面圖式，（B)係上平面圖式，（c) 2 ί，圖式，係左側及右側圖式，（E)係背面圖式。第固丄^天線單兀之立體圖式，此單元包括一電路板26及疋；、路板26上的晶片型天線2〇 ;第6β圖係一等效電路之電路圖式’其同等於第6八圖中所說明的天線單元；以 J ’第6C圖係一等效電路之電路圖式’其同等於晶片型天線2〇。第7圖係制於第6AW巾的天線單元之侧視圖式。電路板2 6係由玻璃環氧樹脂組成。一晶片型天線20及定義寬頻帶的接地電極電性J:，：2由； 2形成於電路板26之表面上。接地電極28係繞著功率饋入、# 27邛^移除，例如，接地電極28環繞功率饋入線u。功 “饋入器29係與功率饋入線27及接地電極28電性連接。功第20頁 2134-4581-PF(N).ptd 522609 五、發明說明（17) 率饋入器2 9對於晶片型天線2 〇透過同軸電纜提供功率。除了功率饋入處外，功率饋入線2 7形成一共面線。如同第5(C)圖所述，功率饋入線2〇1係形成於介電基底2 1之底部表面上，沿著其底部表面之左緣延伸，也就疋，於介電基底21之厚度方向延伸。功率饋入線2〇1係與其一端電性連接至位於第一電性導體22a之開放端。如同第5(E)圖所示，介電基底2〇4係於背面之三個角落形成三個固定電極2〇〇a。介電基底2〇4係藉由將固定電極200a焊接於電路板26上，而固定於電路板26。如同第5(E)圖所敘述，介電基底2〇4進一步於其背面之剩餘角落形成激發電極（excitati〇n electrode)200b，其與形成於介電基底201之底面上的功率饋入線2〇1電性連接。此介電基底201係經由激發電極2〇〇b與功率饋入線27 焊接。、因此’功率饋入線2 9依序經由功率饋入線2 7、激發電極20 0b及功率饋入線2〇1對於晶片型天線2〇提供能量。因為功率饋入線2 7係印刷於具有比介電基底2 1之介電常數小的電路板26上，功率饋入線27當作天線的功能較第三電性導體2 5差，並且主要功能係當作提供能量的介質。因此，功率饋入線27可藉由自功率饋入器29延伸的同軸電鏡取代，代替將功率饋入線27印刷於電路板26表面上。第一與第二電性導體2 2 a、2 2 b之大小係以第一實施例所述^ ^式決定。特別地，於晶片型天線2〇之輸入阻抗值中’第二電性導體25的實數部相當於功率饋入線丨3 ;並且

2134-4581-PF(N).ptd 第21頁 522609 、發明說明（18) 於曰曰片型天線20之輸入阻抗值中，第一與第二電性導體 22a、22b的虛數部相當於第一與第二電性導體12&、12b。明確的範例說明如下。介電基底21包括具有介電常數2丨的陶瓷物，且高度為 6 _、寬度為4 mm、厚度為ι·5 mm。功率饋入線27之寬度為l_mm。第一與第二電性導體22a、22b之寬度為〇.4 _。第三電性導體25之寬度為〇·5 mm。介電基底21與接地電極 28之間的間隔為4 _。接地電極28具有1〇 mm>< 3〇 mm面積’並且厚度為0· 2 mm。下列ir月模擬具有上述尺寸的晶片型天線2〇ι且具有共振頻率：2. 4 GHz 發射效率：9 5 % 頻寬：450 MHz 比較上述晶片型天線2〇，本發明已製造晶片型天線， ^二括米倫達線及具有與上述尺寸相同的尺寸，除了電性 =之寬度為G. 5 mm及電性導體之間的間隔狀5顏。此 =片曰，天線20相對於電性導體表面上流動的電流，較參考 20 :沾f )線小。根據本發明實施的模擬，於晶片型天線 I。会I損耗（焦耳損耗）為參考晶片型天線的熱損耗之一 >考晶片型天線具有輻射效率頻寬3〇〇 MHz 〇上述結果的原因說明如下。對於米倫料’有必、要於介電基底上設置高密度的電

2134-4581-PF(N).ptd 第22頁 522609 五、發明說明（19) 性導體，以便增加電性導體的長度；於第二實施例中，第一與第二電性導體22a、22b之間的間隔必須設計成很大以便確保電感值。因此，根據第二實施例，於晶片犁天線2 〇内的第一與第二電性導體22a、22b，較參考的晶片型天線内的電性導體，存在更少的彼此電磁耦合；導致此晶片型天線20具有更小的分部電容值，於電性導體之表面上流動更小的電流’以及於電性導體附近，較參考的晶片型天線於介電基底中具有更小的電場。

此外’因為天線不具有放大功率的功能，因此具有更小的損耗、更高的效率及更高的增益。如上所述，第一與第二電性導體2 2a、22b較參考的晶片型天線内的電性導體，更不會與金屬電磁耦合；此晶片型天線20較參考的晶片型天線具有更高的增益、更高的效率及更寬的頻帶。本發明已經製造了下列A至C的晶片型天線，並且分析之’以便查驗晶片型天線2〇，如何因為固定晶片型天線2〇於電路板2 6上的條件而被影響。 A : —種晶片型天線，其中其接地電極28具有2 厚

曰β : 一種晶片型天線，其中接地電極28具有0. 〇2 _ 厚度’並且於其長度方向形成較晶片型天線20之接地電極 2 8更短。 c :一種晶片型天線，其中接地電極28係自晶片型天線延伸’因此延伸的接地電極並列靠近於晶片型天線。

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於上述晶片型天線A至C中，發現第一與第二電性導體 a 2 2 b較米偷達線，對於天線效率產生更少的影響。於米偷達線中，電性導體以高密度方式設置，藉由電 \ 體產生的電磁場以高密度彼此耦合，晶片型天線容易 j接地電極影響。相對地，根據第二實施例的晶片型天線、乐”第一電性導體22a、22b之間具有足夠的間隔距，’並且因此，晶片型天線20較少因為將晶片型天線20 固疋於電路板26上的條件而被影響；包括接地電極28之面積及/或厚度。

一如同於第4、5與6A圖中所述的，晶片型天線2〇係與t 谷板2 3形成於其上表面上。如第6β圖所示，於第二電性$ ，22b之開放端與接地電極28之間，電容板^定義一高電容值C。，於第6B圖中說明的兩個電感*，係藉由第一二電性導體22a、22b經由第三電性導體25彼此耦合而造成。因此，同等於晶片型天線2〇之等效電路製造中說明的LC串聯電路，其具有共振頻率1/(2；Γχ α C 二）。因此，電容值C降低晶片型天線2G之共振頻率，並且第果/每電，板23可以更小的體積製造晶片型天線20。

很艨第三貫施例的晶片型天線接收複數種乒並且輻射具有複數頻率的電磁波。藉由使用平；共振電路或串聯共振電路，彳以完成用以接收複數共振頻；' 頻率操作。依照已知的技術，平行共振電路於a f 頻率變化時，零點及峰值交替出現，反串，虽角弔聯共振電路

522609 五、發明說明（21) 特徵在於零點可以彼此相鄰，造成可以獲得一寬頻帶寬度。第8 A圖係顯示根據第二實施例的晶片型天線3 〇圖；以及第8B圖係顯示同等於晶片型天線3〇之等效= 電路圖案。如第8B圖所述’等效於晶片型天線3〇的等效電路包含一平行共振電路。

如第8A圖所述’晶片型天線30包含一矩形平行六面體介電基底31，一第一電性導體32a印刷於介電基底之正面上且第一電性導體3 2 a沿著介電基底3丨之正面的下緣延伸，第二電性導體32b印刷於介電基底31之正面上且第二電性導體3 2 b沿著介電基底3 1正面之上緣延伸，第三電性導體35印刷於介電基底31之正面上且第三電性導體著介電基底31正面之右緣延伸’因此，於其右端蔣楚一、笛一電性導體32a、32b彼此電性連接，自第一電性導體22a朝" 向第二電性導體22b延伸的一第一延伸部份33a且具有一寬度a ，自第二電性導體22b朝向第一電性導體22a延伸

體22a朝向第二電性導體22b延伸的一第三延伸部份34a且具有一寬度、、d ” ，自第二電性導體22b朝向第一電性導體 22a延伸的一第四延伸部份34b且具有一寬度、、d 。第一與第二延伸部份33a、33b係彼此對齊，以便縮小第一與第二電性導體32a、32b之間的間隔，以致於因此於其間定義一電容值c 1。相同地，第三與第四延伸部份 34a、3 4b係彼此對齊，以便縮小第一與第二電性導體

522609 五、發明說明（22) 32a、3 2b之間的間隔，以致於因此於其間定義一電容值 C2 〇第一與第二電性導體32a、32b分別以長度"、 ''c"及''e"定義電感值LI、L2及L3。

假若決定了電容值C2與電感值L3，例如其以2. 4 GHz 頻率共振，晶片型天線30藉由電感值L1及電容值Cl定義·的共振頻率2· 4 GHz共振。因此，假若決定了電感值L1及電容值C1，例如其以2· 4 GHz頻率共振，並且進一步假若決定了電感值L2，例如晶片型天線係以1 · 9 GHz頻率共振，晶片型天線30將以2·4 GHz與1.9 GHz頻率共振。經由修改或結合上述第一至第三實施例，可以獲得許多種類的晶片型天線及天線單元。以下，將作部份說明二 [第四實施例] 第9A圖係顯示根據第四實施例的晶片型天線4〇之立體圖，以及第9B圖係顯示同等於晶片型天線4〇之等效電電路圖案。晶片型天線40包含一矩形平行六面體介電基底41，第一電性導體42a印刷於介電基底4丨之正

著r基底41之正面的下緣延伸，丄介電/底:於正"面電基，底41之正面上且第二電性導體42b沿面上且第三電性導體沿著介電基底 η生ΞΓ=右端將第一、第二電性導體m 電r生連接，自第一電性導體42a之開口端沿著介電基

522609 五、發明說明（23) ^41之正面的左緣延伸的延伸部份“。，以及印刷於基底41之上表面上的電容板43。 '電比較第4圖中敘述的晶片型天線2〇，外地包括延伸部份42c。 -片i天線40額電路m著：ϊ9βγ夺，與晶片型天線4〇相同的等效 1路匕括一平行電路，其具有藉由第一與第二義的電感值L以及藉由延伸部份 = Π電=電路以串接方式電性連接於藉由電容㈣定抗Ζ。虽自功率饋入器49觀察時，根據下列尊式定義輸入阻 Z j / 6L>C2+j 6l)L/(1~LC1 (sO2 ) =等式（C)中可明顯看出，當角頻率遠小於1/(LC1 )1/2 ^ 此項、、j ^/(1—LC1 定義的電感值可藉由 = (1-LC1 ω2)趨近於零而增加。如上所述，經由利用仅=泣而變化電感值’可以降低輸入阻抗的電感值L，確、。:不θ机動於電性導體之表面，以及確保可以達成降低功率耗損與增加效能。 [第五實施例] 第10圖係顯示根據第五實施例I日日天線5〇之立體圖。曰日片型天線5G包含-矩形平行六面體介電基底51，一 ί 性導體52a印刷於介電基底51之正面上且第一電性 "a/o著"電基底51之正面的下緣延伸，第二電性導

522609 五、發明說明（24) 體52b印刷於介介電美广、電基底51之正面上且第二電性導體52b沿著美麻U 正面之上緣延伸，第三電性導體55印刷於介電 i以正=且第三電性導體55沿著介電基底51正面之 52b彼此電性遠接於/右端將第一、第二電性導體52a、相承— 連接’第一與第二延伸部份53a、54a兩者互 ΪΙ仃且皆自第一電性導體52a於介電基底Η之厚度方向比6结^及第二與第四延伸部份53b、54b兩者互相平行且白自第二電性導體52b於介電基底51之厚度方向延伸。 •第一至第四延伸部份53a、54a、53b、54b設計成具有目同的長度。第三延伸部份53b與第一延伸部份53a對齊，且第四延伸部伤54b與第二延伸部份54a對齊。第一與第二 L伸。卩伤5 3 a、5 4 a之間的間隔等於第三與第四延伸部份 53b、54b之間的間隔。立相當於第8B圖中描述的電容值C1，藉由第一與第三延伸部份53a、53b定義，以及相當於第8]5圖中描述的電容值 C2 ’藉由第二與第四延伸部份、54b定義。根據此晶片型天線5〇，第一與第二電性導體52a、52b 可以形成較第8A圖中所述的第一與第二電性導體32a、32b 之長度更短。因此’第五實施例特別適合此種晶片型天線 3〇，其具有用以規範電容值的複數延伸部份33a、33b、 34a 、 34b ° [第六實施例] 第11 A圖係顯示根據第六實施例的晶片型天線6 〇之立體圖，以及第11B圖係顯示同等於晶片型天線6 0之等線電

2134-4581-PF(N).ptd 第28頁 522609

路之電路圖案。參考第11A圖，此種晶片型天線6〇包含一矩形平行六面體介電基底61，-第-電性導體62a印刷於介電基底^ 之正面上且第一電性導體62a沿著介電基底61之正面的下緣延伸，第二電性導體62b印刷於介電基底61之正面上且第一電f生導體62b沿著介電基底η正面之上緣延伸，第三電性導體65印刷於介電基底61之正面上且第三電性導體^5 沿著介電基底61正面之右緣延伸，因此，於其右端將第一、第二電性導體62a、62b彼此電性連接，一第一米倫達線66a自第二電性導體62b朝命第一電性導體62a延伸'，二第二米倫達線66b自第二電性導體6 2b朝向第一電性導體 62a延伸β，並且一電容板63印刷於介電基底“之正面上。假若沒必要使用一高電感值，亦可將第一與第二米輪第一與第二米倫達線6 6a、66b設計成具有複數曲折狀以便確保高電感值，並且亦可設計成直線狀。於第11B圖中描述的電感值li、L2、L3、L4與L5係分別藉由第二電性導體62b、第一與第二米倫達線66a、66b 之A、B、C部位定義；以及於第ιΐβ圖中描述的電容值C1、 C2係分別藉由第一與第二米倫達線66a、66b及電容板63定義0 假若第一米倫達線66a設計成以頻率2· 4 GHz共振的連續共振系統，則A部位具有足夠以頻率2· 4 GHz共振的長度且D部位於頻率2· 4 GHz處於短路狀態；並且因此，晶片型天線60將以頻率2· 4 GHz共振。或者，假若第二米倫達線

2134-4581-PF(N).ptd 第 29 頁 522609 五、發明說明（26) 6 6b設計成以頻率ι 9 ghz共振的連續共振系統，則A部位與β部位具有足夠以頻率2· 4 GHz共振的長度且D部位於頻率1.9 GHz處於短路狀態，·並且因此，晶片型天線6〇將以頻率1· 9 GHz共振。因為第一與第二米倫達線66a、66b不會以頻率2· 4 GHz及1· 9 GHz之外的頻率而處於短路狀態，則晶片型天線6 0執行兩種頻率的操作。 [第七實施例] 於上述第一至第六實施例中，第一至第三電性導體皆印刷於介電基底之表面或裡面。然而，應注意其不只可印刷於介電基底之表面，且可以印刷於電路板之表面。此外，假若電路板包含具有高介電常數的材料，可以製造出小體積的晶片型天線；即使假若電性導體直接印刷於電路板之表面上，在此種範例中，沒有必要於晶片型天線加入一介電晶片，並且因此，電性導體可以同時印刷於電路板之表面上，確實明顯的減少製造步驟。，第12圖係根據第七實施例，顯示具有晶片型天線7〇天線單元之立體圖。

此天線單元包含晶片型藉由印刷形成晶片型天線70 板76之表面上；以及一功率描述的功率饋入線7 7彼此電天線70 ; —電路板76，於其上，一接地電極7 8，印刷於電路饋入器7 9，將接地電極與之後性連接。此晶片型天線70包含具有一第一端的與第一電性導⑽平行延伸且具有與端的H性導體H以及於第—電性導體72a之第

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於體72b'第二端之間延伸且垂直於第 ”第一電性導體72a、72b的第三電性導體75 . :第二電性導體72b之其他端且與第三電性導體二連接入線77 ;以及形成於第二電性導編之開放^延長部份的電容板73。 2如，電容板73提供與電容板23提供的優點相同。雖 w電令板73形成於第七實施例中的第二電性導體72ι^之左端之延伸部份，電容板73可形成於第二電性導體72b之第一端與左端之間，亦可形成於電路板76之正面上。功率饋入線7~7相當於第3A圖中描述的功率饋入線13，接地電極78相當於第6A圖中描述的接地電極28，以及功率饋入器79相當於第3B圖中描述的功率饋入器16。根據上述第一至第七實施例，對於晶片型天線沒有必要包括電容板。例如，這是因為第一與第二電性導體 7 2a、7 2b，經由第三電性導體75使彼此成為短路，於電磁波具有波長為4L之頻率時產生零電感值，其中L表示第一與第二電性導體72a、72b之長度；並且因此，將會共振，此第一與第二電性導體72a、72b可被設計成具有長度L。電容板73之目的係用以縮短第一與第二電性導體 7 2a、7 2b。雖然於第8A圖中描述的晶片型天線30及於第10 圖中描述的晶片型天線並未被設計成具有電容板，但是可被設計成具有電容板。 [第八實施例] 描述於第6A圖中的接地電極28可形成於微帶狀線。因

2134-4581-PF(N).ptd 第31頁 522609 五、發明說明（28) 為電路板於其下表面上具有接地固定於電路板之正表面上。雖缺單^曰曰片型天線一般係具有接地電極-般是不可少的=的功率饋入器問題；即接地電極與構成天線的電J成流動於電性導體表面上的電流，並且：體= 值，造成無線電波損耗以及波段頻寬減少’。生刀佈電谷第13A圖至第13C圖係根據具有微帶ς線結構的 =線：元8〇。於第八實施例中的天線單元80 =了上述問碭。第13Α圖係此天線單元8〇之正面圖式，圖係接此天線單元80之侧面圖式，以及第1%圖係天線早兀80之背面圖式。此天線單元80包含於第4圖中描述的晶片型天線2〇 ; 一電路板86，具有一上表面及一下表面，且於其上表面上固定此晶片型天線20 ; —功率饋入線83，形成於此電路板 86之上表面上，因此功率饋入線與晶片型天線2〇電性連接；一接地電極88，形成於此電路板86之背面上；以及一功率饋入器89，將功率饋入線83與接地電極88彼此電性連接0 如同於第13C圖中所示，接地電極88並未印刷於電路板86之下表面’從電路板86之上邊緣至與介電基底81之下緣相距5 mm隔開一面積，除了為了功率饋入需要的小區域。接地電極88印刷的最小區域具有的寬度足以滿足形成於電路板正面上的功率饋入線83。於此天線單元8〇中，接

2134-4581-PF(N).ptd 第32頁 522609 五、發明說明（29)

地波 29 電極88視為晶片型。此功率饋入器8 9 天線20之一部份，旅且輻射出電磁相當於第6A圖中描述的功率饋入器 [第九實施例] 於第一實施例至第八實施例中描述的介電基底為矩形、仃六面體、然而，假若晶片型天線I未固定於電路板，則介電基底立方體、圓柱體或多邊形柱。第14圖係顯示根據第九實施例的晶片型天線9〇之立體忘Q1曰曰片Ϊ天線90包含以陶瓷材料製造的一圓柱型介電基沾一够:第一電性導體92a，與第一電性導體92a平行延伸 M：道-一電性導體92b，延伸於第一電性導體92a及第二電 =舰之間且與其垂直的一第三電性導舰，因此於電 :右緣將彼此電性連接，以及與第二電性導體92b之開放柒電性連接且與第三電性導體95平行延伸之一功率饋入 9 3 ° 此晶片型天線9 0與第一實施例之晶片型天線j 〇於介電基底9 0之形狀結構上不同，但是藉由此種晶片型天線g 〇獲得相同的優點。根據說明於第3 A圖中的第一實施例之晶片型天線1 〇，根據說明於第8 A圖中的第三實施例之晶片型天線3 〇，根據說明於第9A圖中的第四實施例之晶片型天線4〇，根據說明於第1 0圖中的第五實施例之晶片型天線5 0，根據說明於第 11 A圖中的第六實施例之晶片型天線6 0，只能作為天線單

522609 五、發明說明（30) 元之一部份，但是其可以固定於電路板上形成天線單元。或者，如同於第13A圖至第13C圖中描述的天線單元，這些晶片型天線可設計成微帶狀線結構。

2134-4581-PF(N).ptd 第34頁 522609 圖式簡單說明第1圖係習知晶片型天線之立體圖式；第2圖係另一種習知晶片型天線之平面圖式；第3 A圖係根據本發明之第一實施例的晶片型天線之立體圖式；第3B圖係一等效電路之電路圖式，其同等於第3A圖中所說明的晶片型天線；第3C圖係顯示說明於第3A圖的晶片型天線高度之間的關係圖式，且顯示對於此晶片型天線施加電流；第4圖係根據本發明之第二實施例的晶片型天線之立體圖式；第5(A)〜5(E)圖係說明於第4圖中的晶片型天線之立體圖式；第6 A圖係具有說明於第4圖中的晶片型天線的天線單元之立體圖式；第6B圖係一等效電路之電路圖式，其同等於第6A圖中所說明的天線單元；第6C圖係一等效電路之電路圖式，其同等於包括在第 6A圖所說明的天線單元中的晶片型天線；第7圖係說明於第6 A圖中的天線單元之側視圖式；第8 A圖係根據本發明之第三實施例的晶片型天線之立體圖式；第8B圖係一等效電路之電路圖式，其同等於第8A圖中所說明的晶片型天線；第9 A圖係根據本發明之第四實施例的晶片型天線之立

2134-4581-PF(N).ptd 第35頁 522609 圖式簡單說明體圖式；第9B圖一等效電路之電路圖式，其同等於第9A圖中所說明的晶片型天線；第1 0圖係根據本發明之第五實施例的曰曰曰片型天線之立體圖式；第11 A圖係根據本發明之第六實施例的晶片型天線之立體圖式；第11B圖一等效電路之電路圖式，其同等於第11A圖中所說明的晶片型天線；第1 2圖係根據本發明之第七實施例的天線單元之立體圖式；第1 3A圖係根據本發明之第八實施例的天線單元之平面圖式；第1 3 B圖係說明於第1 3 A圖中的天線單元之側視圖式；第1 3 C圖係說明於第1 3 A圖中的天線單元之侧視圖式；以及第1 4圖係根據本發明之第九實施例的天線單元之立體圖式。符號說明 10 、20 、30 、4〇、5〇、60 、70 、80 、90〜晶片型天線； 11、21、31、41、51、61、81、9 卜介電基底； 12a 、 22a 、 32a 、 42a 、 52a 、 62a 、 72a 、 92a〜第一電

2134-4581-PF(N).ptd 第36頁 522609

性導體； 12b 、 22b 、 32b 、 42b 、 52t 性導體； 13、27、77、201〜功率饋 15 、 25 、 35 、 45 、 55 、 65 16 、 29 、 49 、 69 、 79 、 89· 23 、 43 、 63 、 73 、 83 、 93· 26、76 ' 86〜電路板； 33a、53a〜第一延伸部位； 34a、54a〜第三延伸 4 2 c〜延伸部位； 66b〜第二米倫達線 101〜基底； 101b〜第二邊緣； 1 0 3〜開放端； 105〜功率饋入端； 107〜基底之表面； 1 〇 9〜第二側面； 111〜接地圖案； 113〜功率饋入處； 200a〜固定電極； a、c〜寬度；、62b、72b、92b 〜第二電入線，、7 5、9 5〜第三電性導體；功率饋入器；電容板； 28、78、88〜接地電極； 3 3 b、5 3 b〜第二延伸部位；位，34b、54b〜第四延伸部位； 66a〜第一米倫達線； 1 0 0〜晶片型天線； 101a〜第一邊緣； 1 0 2〜終端； 104〜電性導體； 106〜固定端； I 0 8〜第一側面； II 0〜印刷基板； 11 2〜電性導體； 11 4〜電抗裝置； 200 b〜激發電極； b、d、e〜長度。

Claims

522609 六、申請專利範圍 1· 一種晶片型天線，包括 (a) —第一電性導體，其具 (b ) —第二電性導體，與上且具有與上述第一端對齊的 (c) 一第二電性導體，延伸且垂直於上述第一與第二電上述第一至第三電性導體係一體成型，功率自第二電性導體之一饋入。 2 ·如申請專利範圍第1項所伸間有一第一端述第一電性一第二端；於上述第一性導體；導體平以及端與第述的晶片型一介電基底，上述第一至第三電性導體被形底之任何地方。 3 ·如申請專利範圍第1項所述的晶片型一電路板’於該電路板上形成上述第一至第 4·如申請專利範圍第i項、型天線，更包括至少一電容，與上述第一與天線，成於該天線，三電性第2項或第3項所述第二電之一形成在一起 5 ·如申請專利範圍第2項所述第一至第三電性導體形成於上 6 ·如申請專利範圍第2項所述第一至第三電性導體形成於上 7·如申請專利範圍第4項所述電容包含至少一第一延伸部位上述第二電性導體延伸，以及至述第二電性導體向上述第一電性述的晶片型述介電基底述的晶片型述介電基底述的晶片型，自上述第少一第二延導體延伸，天線，之表面天線，之内部行延二端之上述第更包括介電基更包括導體。的晶片性導體其中上上。其中上天線，其中上一電性導體向伸部位，自上且該第一與第

2134-4581-PF(N).ptd 第38頁 522609 六、申請專利範圍二延伸部位彼此對齊排列。 8 ·如申請專利範圍第4項所述的晶片型天線，其中該電容包含至少一延伸部位，自上述第一與第二電性導體之一向另一電性導體延伸。 9 ·如申請專利範圍第2項所述的晶片型天線，更包括至少一電容，以垂直於上述第一至第三電性導體，於上述介電基底之厚度方向延伸。

10·如申請專利範圍第1項、第2項或第3項所述的晶片型天線，更包括至少一米偷達線，其具有一開放端且自上述第一與第二電性導體之一向另一電性導體延伸。 11·如申請專利範圍第1項、第2項或第3項所述的晶片型天線，更包括一電容板，於該電容板與接地之間定義一電容值。 12·如申請專利範圍第2項所述的晶片型天線，更包括一電容板，於該電容板與接地之間定義一電容值，該電容板形成於上述第一至第三電性導體形成之上基底之表面上。

13·如申請專利範圍第2項所述的晶片型天線，更包括一電容板，於該電容板與接地之間定義一且與上述第一與第二電性導^ _雷44、击& ,. 险n u J 連接’該電容板形成於電性導體形成於上述介電基底之表面从夕卜的表面上。

2134-4581-PRNh ntri 第39頁 522609 、'申請專利範圍底之表面上。 1 5. 如申上述第一至第之表面上。 16· 如申上述介電基底體或一多邊形 1 7 ·如申片型天線，其 18·如申片型天線，其 19·如申片型天線，其於自該晶片型 20.如申片型天線，其導體更細。 21·如申括一電容板，容板形成於上表面上。 22.如申括一電容板，上述第一與第請專利範之形狀為柱。清專利範中上述第 5月專利範中上述第請專利範中上述第天線發射請專利範中上述第請專利範於該電容述第一至清專利範於該電容第3項所述的晶係形成線狀。第3項所述的晶係形成彎曲狀。第3項所述的晶之長度等於或小分之一。第3項所述的晶較上述第三電性請專利範圍第3項所述的晶片型天線，其中一電性導體藉由印刷方法形成於上述電路板圍第2項所述的晶片型天線，其中一矩形平行六面體、立方體、圓柱圍第1項、第2項或一與第二電性導體圍第1項、第2項或一與第二電性導體圍第1項、第2項或一與第二電性導體的電磁波波長之四圍第1項、第2項或一與第二電性導體圍第3項所述的晶片型天線，更包 ;與接地之間定義-電容值，該電二電性導體形成之上述電路板之圍，3項所述的晶片型天線，更包 ^ ^ φ，間疋義一電容值，且與體之-電性連接，容板形成於

2134-4581-PF(N).ptd 第40頁 522609 六、申請專利範圍除了上述苐—啗一、以外的電路一電性導體形成於上述介電基底之表面纷板表面上。 2 3 — (a)—種晶片型天線，包括： =第一電性導體，其具有一第一端；伸且且I第二電性導體，與上述第一電性導體平行延 >、有與上述第一端對齊的一第二端，· 間 c —第三電性導體，延伸於上述第—端與第二端之 ^直於上述第一與第二電性導體；以及、一功率饋入線，與上述第一、第二電性導體之一電性連接，且與上述第三電性導體平行延伸；上述第一至第三電性導體及上述功率饋入線係一體成型’功率經由上述功率饋入線饋入上述第一與第二電性導體之一。 24·如申請專利範圍第23項所述的晶片型天線，更包括一介電基底，上述第一至第三電性導體被形成於該介電基底之任何地方。 2 5·如申請專利範圍第2 3項所述的晶片型天線，更包括一電路板，於該電路板上形成上述第一至第三電性導 26·如申請專利範圍第23項、第24項或第25項所述的晶片型天線，更包括至少一電容，與上述第一與第二電性導體之一形成在一起。 2 7·如申請專利範圍第2 4項戶斤述的晶片型天線’其中上述第一至至第三電性導體形成於上述介電基底之表面

第41頁 2134-4581-PF(N).ptd 522609 六、申請專利範圍上。 28. 如申請專利範圍第24項所述的晶片型天線，其中上述第一至第三電性導體形成於上述介電基底之内部。 29. 如申請專利範圍第26項所述的晶片型天線，其中上述電容包含至少一第一延伸部位，自上述第一電性導踱向上述第二電性導體延伸，以及至少一第二延伸部位，自上述第二電性導體向上述第一電性導體延伸，且該第〆與第二延伸部位彼此對齊排列。 30. 如申請專利範圍第26項所述的晶片型天線，其中該電容包含至少一延伸部位，自上述第一輿第二電性導魏之一向另一電性導體延伸。 31·如申請專利範圍第2 6項所述的晶片型天線，其中上述功率饋入線形成於上述第一呈第三電性導體形成的上述電路板之表面上。 3 2·如申請專利範圍第2 4項所述的晶片型天線，更忽括至少一電容，以垂直於上述第一至第三電性導體，於上述介電基底之厚度方向延伸。 33·如申請專利範圍第23項、第24項或第25項所述的晶片型天線’更包括至少一米倫達線’其具有一開放端且自上述第一與第二電性導體之一向另一電性導體延伸。 34·如申請專利範圍第23項、第24項或第25項所述的晶片型天線’更包括一電容板，於該電谷板與接地之間定義一電容值。 3 5·如申請專利範圍第2 4項所述的晶片型天線，更包

第42頁 2134-4581-PF(N).ptd 522609 六、申請專利範圍，一電容板，於該電容板與接地之間定義一電容值，該電容板形成於上述第一至第三電性導體形成之上述介電基底之表面上。 36·如申請專利範圍第24項所述的晶片型天線，更包括一電容板，於該電容板與接地之間定義一電容值，且與上述第一與第二電性導體之一電性連接，該電容板形成於除了上述第一至第三電性導體形成於上述介電基底之表面以外的表面上。 37·如申請專利範圍第24項所述的晶片型天線，其中上述第一至第三電性導體藉由印刷方法形成於上述介電基底之表面上。 3 8·如申請專利範圍第2 5項所述的晶片型天線，其中上述第一至第三電性導體藉由印刷方法形成於上述電路板之表面上。 39·如申請專利範圍第24項所述的晶片型天線，其中上述介電基底之形狀為一矩形平行六面體、立方體、圓柱體或一多邊形柱。 4 0·如申請專利範圍第2 4項所述的晶片型天線，其中上述第一與第二電性導體係形成線狀。 41·如申請專利範圍第24項所述的晶片型天線，其中上述第一與第二電性導體係形成彎曲狀。 4 2·如申請專利範圍第2 4項所述的晶片型天線，其中上述第一與第二電性導體之長度等於成小於自該晶片型天線發射的電磁波波長之四分之一。

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43·如申請專利範圍第24項所述的晶片型天線，其中上述第一與第二電性導體較上述第三電性導體更細。 44·如申請專利範圍第2 5項所述的晶片型天線，更包 ^ 一電容板，於該電容板與接地之間定義一電容值，該電容板形成於上述第一至第三電性導體形成之上述電路板之表面上。

4 5·如申請專利範圍第2 5項所述的晶片型天線，更包括一電容板，於該電容板與接地之間定義一電容值，且與上述第一與第二電性導體之一電性連接，該電容板形成於除了上述第一至第三電性導嘴形成於上述介電基底之表面以外的電路板表面上。 46· —種天線單元，包括·· U) —晶片塑天線；以及 (b) —電路板’於其表面上具有一接地區域及一非接地區域；其中上述晶片型天線固定於上述電路板之表面上，該晶片型天線之功率饋入線位於上述非接地區域，且當該晶片型天線被接地時’該接地區域當作一接地板；該晶片型天線包括·

(al) —第一電性導體，其具有一第一端； (a2) —第二電性導體’與上述第一電性導體平行延伸，且具有與上述第一端對齊的一第二端· U3) —第三電性導體，延伸於上'述第’一端與第二端之間，且垂直於上述第一與第二電性導體；以及

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(a4) —功率饋入線，一電性連接’且與上述第上述第一至第三電性型，功率經由上述功率饋體之一。與上述第一、第二電性導體之三電性導體平行延伸；導體及上述功率饋入線係一體成入線饋入上述第一與第二電性導 4 7· 如申清專利鈴® - 晶片型天線更包括— 項：述的天線單元，其：；被形成於該介電基底也方f述第-至第三電性導體 48·如申响專利範圍第46項所述的天線單元，更包括電路板，於該電路板上形喊上述第一至第三電性導體。 49· 一種天線單元，包括·· (a) —晶片型天線；以及 (b) —電路板，具有彼此面對面的第一與第二面；其中该晶片型天線固定於該電路板之該第一面上；於該第二面上，該電路板具有一接地區域與一非接地區域；該晶片型天線之功率饋入線位於上述非接地區域，且當該晶片型天線被接地時’該接地區域與該晶片型天線之功率饋入線位於之第二面的區域當作一接地板；該晶片型天線包括· (al) 一第一電性導體’其具有一第一端； (a2) —第二電性導體，與上述第一電性導體平行延伸，且具有與上述第一端對齊的一第二端； (a3) —第三電性導體’延伸於上述第一端與第二端

522609 六、申請專利範圍之間，且垂直於上述第一與第二電性導體；以及 (a4) —功率饋入線，與上述第一、第二電性導體之一電性連接，且與上述第三電性導體平行延伸；上述第一至第三電性導體及上述功率饋入線係一體成型，功率經由上述功率饋入線饋入上述第一與第二電性導體之一。 50. 如申請專利範圍第49項所述的天線單元，其中上述晶片型天線更包括一介電基底，上述第一至第三電性導體被形成於該介電基底之任何地方。 51. 如申請專利範圍第49項所述的天線單元，更包括一電路板，於該電路板上形成上述第一至第三電性導體。

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