TW518912B - Steam generator - Google Patents
Steam generator Download PDFInfo
- Publication number
- TW518912B TW518912B TW090105935A TW90105935A TW518912B TW 518912 B TW518912 B TW 518912B TW 090105935 A TW090105935 A TW 090105935A TW 90105935 A TW90105935 A TW 90105935A TW 518912 B TW518912 B TW 518912B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- water
- steam
- steam generator
- waveguide
- container
- Prior art date
Links
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 119
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000796 flavoring agent Substances 0.000 description 1
- 235000019634 flavors Nutrition 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000008236 heating water Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F22—STEAM GENERATION
- F22B—METHODS OF STEAM GENERATION; STEAM BOILERS
- F22B1/00—Methods of steam generation characterised by form of heating method
- F22B1/28—Methods of steam generation characterised by form of heating method in boilers heated electrically
- F22B1/281—Methods of steam generation characterised by form of heating method in boilers heated electrically other than by electrical resistances or electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/64—Heating using microwaves
- H05B6/66—Circuits
- H05B6/68—Circuits for monitoring or control
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/64—Heating using microwaves
- H05B6/70—Feed lines
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/64—Heating using microwaves
- H05B6/80—Apparatus for specific applications
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
Description
518912 A7 B7 五、發明說明(1 ) 本發明係有關於一種藉由把水加熱以產生蒸汽之蒸汽 產生機,更特別地係適合藉一蒸汽氧化製程來形成一氧 化矽層者。 發明背景 在製造半導體積體電路之製程中,通常係藉由使矽基 板本身氧化而形成一氧化矽層。已實施各種用於使一矽基 板表面氧化之製程。其中之一係蒸汽氧化製程,其係藉 由將一已加熱之矽基板暴露至藉由把儲存於一容器中之 純水加熱所產生之蒸汽中而得形成二氧化矽(s i 02 )。蒸 汽氧化製程之優點在於其高氧化速度,且因此可在一相 對短暫的時間內形成一厚的氧化層。 在一傳統之蒸汽氧化製程中,係藉由被設置於一容器 底部處之一加熱器來把該容器中之純水加熱。因此,當 沸騰時,經由下沈部沸騰產生之蒸汽氣泡將浮起且在水 面處破裂,如此藉由小水滴來驅散水。倘若水碰撞時’ 這種水滴驅散會變得更強。這類水滴係包含於蒸汽流中 且被傳送至矽表面。碰撞亦可造成蒸汽流率的變動。這 種水滴驅散與流率變動當然會傷害一氧化矽層之形成, 且特別係當成長一厚且均勻之氧化層時爲最,因爲在此 狀況下需要長時間穩定地傳送蒸汽。 在一普通的蒸汽產生機中,譬如一流量控制閥等某些 流量控制機構係設於容器輸出口處以穩定該蒸汽流率。 然而,因爲流量控制機構可洗提雜質且該雜質可進入水 中而使製成之矽基板的品質嚴重惡化,所以流量控制機 構不適合用於蒸汽氧化製程中。除此之外,當使用一流 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -I ·1 I ϋ H ϋ H ϋ 1 I · .1 I (請先閱讀背面之注意事項HI寫本頁) . --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 518912 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(2 ) 量控制閥時,必然會產生一橫跨控制閥之壓力差,且容 器中之壓力必須較高。這使得該容器需要一高的抗壓性 。此外,容器中之此種高壓會提高水之沸點且會增強自 容器中洗提材料或雜質。 即使因碰撞而造成之流率變動係可忽略,但仍應採取 措施來控制要被傳送之蒸汽流率。爲了取代上述之流量 控制機構,也可藉由控制供應至加熱器之電力來控制蒸 汽流率。然而,由於容器(通常由/石英玻璃製成)之大的 熱阻及熱容量造成控制響應緩慢其並不適用。隨著容器 ,中之味量、增加而使響應變得更慢。即,當供應水至容器 中來補充已蒸發之水時,水之溫度會微幅下降,這將大 ,幅減緩蒸發速度(或蒸汽產生速度)。需要一段時間才可 恢復適當之蒸汽產生速度。 發明之槪沭 本發明係基於以上諸問題而完成。因此,本發明之一 目的係提供一種蒸汽產生機,其可產生一穩定流率之蒸 汽而無需使用一蒸汽流量控制機構。另一目的係提供一 種可產生一幾乎無雜質或水滴之高品質蒸汽的蒸汽產生 機。 依據本發明之第一蒸汽產生機,其特徵在於,包括: a )用於產生一微波輻射之裝置; b)—波導,用於該微波輻射; c ) 一結構體,設置於該波導中以吸收水;及 d )用於供應水至該結構體之裝置。 -4- ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
訂---------線J 518912 A7 ___ B7 五、發明說明(3 ) 依據本發明之第二蒸汽產生機之特徵在於,上述第一 蒸汽產生機中,該水係純水。 依據本發明之第三蒸汽產生機之特徵在於,上述第一 蒸汽產生機中,它更包括: e)用於偵測該結構體溫度之裝置;及 Ο用於控制該微波產生裝置之裝置,以根據該溫度偵 測裝置所偵測到之溫度來調節該微波輻射送出至該波導 t 肯§ ° 依據本發明之第四蒸汽產生機,其特徵在於,上述第 一蒸汽產生機中,該波導的一末端處係封閉且該蒸汽產 生機更包括: g) 用於偵測該微波產生裝置之溫度的裝置;及 h) 用於控制該微波產生裝置之裝置,以根據該溫度偵 測裝置所偵測到之溫度來調節該微波輻射送出至該波導 t 會t i 〇 依據本發明之第五蒸汽產生機,其特徵在於,上述第 一蒸汽產生機中,該結構體係包括大量互相連接之微小 孔的一實心體。 依據本發明之第六蒸汽產生機,其特徵在於,上述第 一蒸汽產生機中,該結構體係設置於一容器中,該容器 在上方部處具有一進水口及一蒸汽輸出口且下方部處具 有一排水口。該進水口、蒸汽輸出口與排水口係分別連 接至該波導外之適當管子。 依據本發明之第七蒸汽產生機,其特徵在於,上述第 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再本頁) --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518912 A7 B7 五、發明說明(4) 六蒸汽產生機中,該容器係由石英製成。 依據本發明之第一蒸汽產生機,該微波產生裝置係將 微波幅射送出至該波導中,且同時一供水裝置係將水供 應至該結構體。該水將迅速地滲入該結構體中且保持於 該處,該水係藉由到達該結構體之該微波輻射而被加熱 。該水之溫度係在一短暫時間內上升,且該水將蒸發且 其體積將增加。在該結構體中所產生之蒸汽將穿過互相 連接之該微小孔且由該結構體之每一表面放射出。當蒸 汽在穿過微小孔處接觸到冷水時,蒸汽將喪失其潛熱且 凝結成水。是以,可均勻地加熱整個吸收體而能夠由整 個結構體產生一均勻之蒸汽。 該第一蒸汽產生機中,藉由適當地決定供應至結構體 之水流率及傳送至該波導之該微波輻射能量即可將所有 供應至該結構體之水轉化爲蒸汽。這意味著傳送出之蒸 汽流率將與供應之水流率相當,且可能藉由控制水流率 來控制蒸汽流率。可藉由譬如一流量控制閥來控制水流 率。倘若該供水裝置係由一水泵實施,則可能藉控制該 水泵來控制水流率。 依據該第一蒸汽產生機,無需在該蒸汽產生機的輸出 口處提供一流量控制器來控制蒸汽流率。然而,必須在 該蒸汽產生機之該進水口處提供譬如一流量控制閥等某 些流量控制機構。但因進入該蒸汽產生機之水溫相較於 蒸汽而言係非常高,因此難以自該流量控制閥中洗提雜 質。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再本頁) . 丨線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518912 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7___五、發明說明(5 ) 在該第一蒸汽產生機中,更,該水不是藉由該結構體 而被加熱,而是直接藉由微波輻射而被加熱,使得僅由 該結構體洗提極少雜質。因此,依據本發明之第二蒸汽 產生機中,藉由提供無雜質之純水至該結構體即可產生 無雜質之極淸潔之蒸汽。更,藉由控制供應水之流率即 可使傳送之蒸汽流率穩定。因爲水係在供應至該結構體 時會瞬間蒸發,所以控制蒸汽流率之響應時間非常短。 此外,由於未發生碰撞且無水滴驅散,所以產生之蒸汽 非常均勻。 在該第一或第二蒸汽產生機中,由於該微波輻射係用 於把水加熱且水將吸取該結構體之蒸汽潛熱,所以只要 供應水至該結構體,該結構體之溫升即可較小。然而, 倘若未將水供應至該結構體;則該結構體將吸收該微波 車S射且溫度將升高。更,當該結構體中缺乏水時,產生 微波將浪費能源。 依據本發明之第三蒸汽產生機中,當藉由該溫度偵測 裝置所偵測的溫度高於一預設値時,則該控制器係控制 該微波產生裝置以降低該微波輻射之能量強度。這將在 未供應水時防止該結構體過熱且節省功率消耗。可使用 各種裝置作爲溫度偵測裝置。其中,一非接觸式溫度偵 測器係較佳者。譬如,偵測出已加熱之結構體所放射出 之紅外線輻射的一紅外線溫度感測器即非常有用。 倘若該波導之一末端係封閉且未供應該結構體水,則 未經該結構體吸收之微波輻射將由該末端反射且退回該 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 裝 訂: ί線· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 518912 A7 B7 五、發明說明(6) 微波產生裝置。适可能造成該微波産生裝置過熱且可導 致其損壞。 依據本發明之第四蒸汽產生機中,相似於上述之第三 蒸汽產生機,當該溫度偵測裝置所伽測到之溫度高於一 預設値時,則該控制器將控制該微波產生裝置以降低該 微波輻射之能量強度。這將防止該結構體或該微波產生 裝置過熱,且可在未供應水時抑制功率消耗。 依據本發明之第五蒸汽產生機中,供應之水係藉毛細 作用迅速地滲入該結構體中。該結構體可由石英玻璃或 譬如包括大量互相連接之微小孔的塑膠、海綿等合成樹 脂而製成。較小之該結構體空隙比率將導致吸收較少之 水量及較小之蒸汽傳送流率。是以,較佳之空隙比率大 約爲20%至8 0%。 微小孔較佳地應均勻分佈。倘若微小孔未均勻地分佈 ,則其聚集區域中吸收之水最後會蒸發且該結構體將不 均勻地產生蒸汽,如此將使產生效率降低。 不希望使供應之水洩漏至該波導申。亦不希望使產生 出之蒸汽通過該波導且到達該微波產生裝置。在該第六 蒸汽產生機中係自該進水口供應水至該容器且由該結構 體吸收該水。該結構體中產生之蒸汽係由該容器之該容 器輸出口排出。當供應至該結構體之水超過其可吸收者 時,則該水將洩漏至該容器中,且會由該排放口排放出 / 。是以,在該第六蒸汽產生機中無需顧慮水或蒸汽洩漏 至該波導中。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線— «丨 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518912 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(Ό 倘若可藉由該微波輻射加熱該容器本身,則加熱水之 效率將降低。在該第七蒸汽產生機中,該容器係由具有 一低介電常數及低介電散逸因數(損失角度)之石英製成 ,使其難以藉該微波輻射加熱。因此,不致浪費欲提供 至吸收於該結構體中之水的能量,且可有效率地把水蒸 發。 圖式之簡單說明 第1圖係用於一矽氧化裝置中之實施本發明的一蒸汽 產生機。 第2圖係沿第1圖之線A-A ’的一剖面圖。 第3圖係顯示依據本發明之該蒸汽產生機的另一具體 實施例。 較佳具體竇施例說明 現在將參考第1圖及第2圖來說明一依據本發明之蒸汽 產生機具體實施例。第1圖係顯示使用依據本具體實施例 之蒸汽產生機1 0來使矽表面氧化之一裝置的範例。第2圖 • 係沿第1圖之線A H勺一剖面圖。 . 第1圖中,一加熱爐1包括具有一堪賽爾(K a n t h a 1 )加熱 器之一管件,其中係***一由碳化矽所製成之套管2。套 管2中設有一試片托盤4,且套管2之口部係藉一亦由碳化 矽製成之塞子3而被封閉。數片矽基板5可大致互相平行 地配置於試片托盤4上。在套管2之下方部處設有一壓力 釋放口 6。一蒸汽產生機丨〇係藉由一蒸汽輸送管7而連接 至套管2內部。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再
--- 本頁J ή:° -丨線- 518912 A7 B7 五、發明說明(8) 蒸汽產生機1 〇中設有一金屬波導11。波導11具有〜寬 度大於高度之長方形剖面,且其末端係由末端璧1 1 a及 1 1 b而被封閉。波導1 1之一末端壁1 1 a附近設有一磁電管 1 2以產生一微波輻射,且其天線係指向波導1 1的內部。 位於另一末端壁1 1 b附近、間隔一預設距離處設置有包 含一多孔體14用之一容器13。 容器1 3之上方壁具有一連接至一供水管15之進水口 13a及一連接至一蒸汽輸送管16之蒸汽輸出口 13b。且其 底部具有一連接至一排水管丨7之排放口 1 3 c。較佳地係 由難以藉由微波加熱之材料(譬如玻璃或石英玻璃)來製 造容器13。 蒸汽輸送管1 6係連接至套管2之蒸汽輸送管7。供水管 1 5係經由一流量控制閥1 8而連接至一純水供應管1 9。當 流量控制閥1 8打開時,純水將經由純水供應管1 9及供水 管15而自進水口 13a供應至容器13中。 多孔體1 4係具有眾多互相連接之微小孔的一實心體。 純水係經由該微小孔而滲入多孔體1 4中而得吸收該純水 且將其保持於多孔體1 4內。多孔體1 4可由各種材料製成 :多孔性石英玻璃或多孔性合成樹脂(譬如塑膠)、合成 樹脂海綿等。 蒸汽之最大流率係根據空隙比率而定,該比率係微小 孔與整個本體1 4之體積比。較佳地係將空隙比率設定爲 大約20%至80%以獲得一適當之蒸汽流率。在本具體實施 例中’多孔體1 4係由石英玻璃製成,且空隙比率大約爲 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 二 •線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518912 A7 B7 五、發明說明(9 30%。 一孔洞1 1 C係形成於容器1 3下方之波導11底側壁中, ,且一紅外線感測器20係設於孔洞11 c的外側。紅外線 感測器20之輸出係傳送至一偵測溫度用之溫度偵測器21 ,且溫度偵測器21之信號將傳送至一控制器22。控制器 22可由譬如一微電腦及其周邊裝置而組成。控制器22係 根據預設之控制程式來控制一供給磁電管1 2電力之高壓 電源供應器23及上述之流量控制閥1 8。 使用蒸汽產生機1 0來使矽基板表面氧化之動作如下。 操作者將矽基板5放置於試片托盤4上,且將試片托盤4 放置於套管2中。當由一操作面板或其他輸入裝置(圖式 中未顯示)下達開始命令時,一電源(未顯示者)將供給 加熱爐1的堪賽爾(kant ha 1)加熱器電力以將加熱爐1 加熱至一預設溫度。 在蒸汽產生機10中,控制器22打開流量控制閥18至一 適當値、使純水以一預設流率流動至水管。該流率較佳 地係使來自進水口 13a之純水藉水滴方式滴落至多孔體 1 4上。由於純水之水滴係迅速地滲透入多孔體1 4中,因 此可如下所述者藉由適當地調整水流率而使水不致溢出 容器1 3。 控制器22係控制高壓電源供應器23來開始供應磁電 管1 2電流。磁***1 2係以一預設頻率振盪(譬如2.45億 赫茲(GHz))且送出微波輻射至波導u中。該微波係通過 波導11、穿透過障壁而進入容器13。在容器11中,保持 -11- ‘紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) -------------裝 (請先閱讀背面之注音筆項m 寫本頁) · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518912 A7 _ B7 五、發明說明(1G) 於多孔體1 4內之純水將吸收微波能量且在一非常短暫之 時間內蒸發。當蒸發時,純水體積將瞬間膨脹且經由微 小孔排出多孔體1 4。 倘若微小孔係於多孔體1 4中不均勻地分佈,則純水亦 在多孔體1 4中不均勻地分佈。在此情形中,將不均勻地 實施微波加熱而使得產生蒸汽之效率較低。因此必須使 微小孔在多孔體1 4中均勻地分佈。 藉由上述之微波加熱程序,即可在多孔體14之每一表 面處產生大量蒸汽且將該蒸汽經由蒸汽輸送口 13b與蒸 汽輸送管16及7傳送至套管2。由矽基板5係在套管2中 加熱,因此基板5之表面將與蒸汽反應而在該表面上形成 一二氧化矽(Si02)層。在以上之製程中,極少的或無任 何雜質進入水中且蒸汽無任何污染或雜質。是以,由蒸 汽形成之二氧化矽層具有一僅含極少缺陷之優良品質。 在本具體實施例之蒸汽產生機10中、所有進入容器13 中之水皆完全蒸發且係藉由適當地控制流量控制閥1 8及 供應至磁電管1 2之電流而控制純水之流率來將該水傳送 至套管2中。因此,在正常執行這種動作時不需要排放 管1 7。然而,排放管1 7係爲了在因某些錯誤而造成供應 至容器13之水過量時或爲了保養該容器而淸洗容器13及 多孔體1 4內部等這類非正常狀況而設置。 倘若進入容器1 3之水量減少或因流量控制閥1 8中之問 題造成水停止流動或由於其他原因,則微波輻射仍可連 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項Hi寫本頁) 訂: .線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518912 A7 B7 1、發明說明(11) 續地提供至具有少許或全無純水之多孔體1 4。即使多孔 體1 4係由對於微波加熱靈敏度較低之材料製成,然其在 不具有水時仍造成微波負荷且將由微波輻射加熱。倘若 溫升過大,則可能傷害多孔體1 4。當多孔體1 4不含水時 ,微波將不致由多孔體1 4吸收且係由波導1 1之末端表面 1 1 b反射。如此,微波將返回至磁電管1 2而加熱磁電管 12本身。即使可防止這類非吾人所期望的加熱多孔體14 或磁電管1 2,然基於節約能源,仍應避免產生無效之微 波輻射。 提供紅外線感測器20及溫度偵測器2 1以防止這種問題 。當多孔體1 4中含水時,多孔體1 4之溫度將不致升高過 多。然而,當水已用盡或供應不足時,多孔體14之溫度 將大幅升高。當溫度上升時,自多孔體1 4放射出之紅外 線輻射量將增加,且溫度偵測器21將根據來自紅外線感 測器20之信號而偵測出多孔體14溫度不正常地升高。 當偵測到之溫度高於一預定値時,假設係供應至多孔 體1 4之水不適當,則控制器22將控制高壓電源供應器23 以減少或中斷磁電管1 2之驅動電流。因此,微波輻射之 能量將減少或磁電管12之振盪將停止,而得防止多孔體 1 4之不正常溫升或加熱磁電管1 2本身。 以下將參考第3圖來說明使用另一種偵測容器1 3中是 否保持有水之方式的一第二型蒸汽產生機。如上所述, 當多孔體1 4中僅含少許水或不含水時,則一部份之微波 輻射將反射且返回磁電管1 2,此時磁電管1 2之溫度將升 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -------------•-裝--- (請先閱讀背面之注意事項HI寫本頁) · 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518912 A7 B7 五、發明說明(l2) 高。在本具體實施例之蒸汽產生機中,一溫度感測器30 係連接至設於磁電管12陰極處之一輻射散熱片12a。溫 度感測器30係偵測磁電管1 2之溫度,且若偵測到之溫度 超過一預定値,並且假設供應至容器1 3之水不適當,則將 控制高壓電源供應器2 3。本具體實施例亦可具有相同於 上述具體實施例之效果。 說明上述具體實施例係爲了更淸楚地了解本發明,而 使熟知此項技藝之人士可在不脫離本發明之範圍內輕易 地實施各種變型。 符號之說明 1 ......加熱爐 2 ......套管 3 ......塞子 4 ......試片托盤 5 ......(砂)基板 6 ......壓力釋放口 7 ......蒸汽輸送管 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項 再 m 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I·* f丄 3 11 機壁 片 生端 ,熱 產末 管散 汽導.,洞電射器 蒸波 .·孔磁輻容 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 518912 A7 _B7_ 五、發明說明(l3) 1 3 a ....進水口 13b. ...蒸汽輸出口 /蒸汽輸送口 1 3 c ....排放口 . 14 .....多孔體 15 .....供水管 :& 16.....蒸汽輸送管 17 .....排水管/排放管 18 .....流量控制閥 19 .....純水供應管 20 .....紅外線感測器 21 .....溫度偵測器 22 .....控制器 23 .....高壓電源供應器 30.....溫度感測器 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) · _線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2]0 X 297公釐)
Claims (1)
- 518912 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 · 一種蒸汽產生機,包括: a )用於產生一微波輻射之裝置; b ) —波導,用於該微波輻射; c ) 一結構體,設置於該波導中以吸收水;及 d )用於供應水至該結構體之裝置。 2 ·如申請專利範圍第1項之蒸汽產生器,其中該水係純 水。 3 ·如申請專利範圍第1項之蒸汽產生器,其中該蒸汽産 生器更包括: e )用於偵測該結構體之一溫度的裝置;及 f )用於控制該微波產生裝置之裝置,以反應該溫度 偵測裝置所偵測到之溫度來調節該微波輻射送出至該 波導之能量。 4 .如申請專利範圍第1項之蒸汽產生器,其中該波導是 被封閉於一端而且該蒸汽產生機更包括: g )用於偵測該微波產生裝置之溫度的裝置;及 h )用於控制該微波產生裝置之裝置,以根據該溫度 偵測裝置所偵測到之溫度來調節該微波輻射送出至該 波導之一能量。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 -------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再Hi本頁) -線· 5 .如申請專利範圍第1項之蒸汽產生器,其中該結構體 係包括大量互相連接之微小孔的一實心體。 6 .如申請專利範圍第1項之蒸汽產生器,其中該結構體 係設置於一容器中,該容器在其上方部處具有一進水 口及一蒸汽輸出口且其下方部處具有一排放口,該進 -16 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 518912 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 水口、該蒸汽輸出口與該排放口係分別連接至該波導 外之複數管子。 7 .如申請專利範圍第6項之蒸汽產生器,其中該容器係 由石英製成。 (請先閱讀背面之注意事項再1¾本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印刹衣 -17 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000071493A JP3607927B2 (ja) | 2000-03-15 | 2000-03-15 | 蒸気発生装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW518912B true TW518912B (en) | 2003-01-21 |
Family
ID=18590073
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW090105935A TW518912B (en) | 2000-03-15 | 2001-03-14 | Steam generator |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6437304B2 (zh) |
EP (1) | EP1134493A3 (zh) |
JP (1) | JP3607927B2 (zh) |
KR (1) | KR20010092299A (zh) |
CN (1) | CN1313479A (zh) |
TW (1) | TW518912B (zh) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7332057B2 (en) * | 2001-12-10 | 2008-02-19 | Praxair Technology, Inc. | Method of vaporizing liquids by microwave heating |
CA2486130A1 (en) | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Greenlight Power Technologies, Inc. | System and method for converting a liquid into a vapor |
ES2378458T3 (es) * | 2004-12-14 | 2012-04-12 | Enodis Corporation | Horno de impacto/convección/microondas y método |
US7314104B2 (en) * | 2004-12-24 | 2008-01-01 | Ketcham John C | Steam driven road vehicle |
KR100640800B1 (ko) * | 2005-05-03 | 2006-11-02 | 엘지전자 주식회사 | 습도조절 및 살균유닛이 구비된 환기장치 및 그 제어방법 |
JP4813837B2 (ja) * | 2005-07-20 | 2011-11-09 | 日立協和エンジニアリング株式会社 | マイクロ波加熱装置 |
WO2010126027A1 (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-04 | シャープ株式会社 | 加熱調理器 |
JP5491993B2 (ja) * | 2010-07-06 | 2014-05-14 | 有限会社ナカイ | 業務用の複合加熱調理機 |
US8357884B1 (en) | 2010-07-20 | 2013-01-22 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | System of extraction of volatiles from soil using microwave processes |
EP2876367B1 (en) * | 2012-07-20 | 2017-08-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Vapor generation device and cooking device with vapor generation device |
EP2708811A1 (de) | 2012-09-13 | 2014-03-19 | WEISS UMWELTTECHNIK GmbH | Verfahren zum Einstellen der Luftfeuchte in einem geschlossenen Raum |
DE102012109631A1 (de) * | 2012-10-10 | 2014-04-10 | Miele & Cie. Kg | Gargerät mit einer Dampferzeugungseinrichtung |
EP2906890A4 (en) | 2012-10-11 | 2016-06-08 | Btu Int | HYBRID MICROWAVE AND RADIATION HEATING SYSTEM |
US9581021B2 (en) | 2014-07-22 | 2017-02-28 | Edwin Ethridge | System for extraction of volatiles from planetary bodies using microwave and RF processes |
CN104748102A (zh) * | 2015-03-14 | 2015-07-01 | 侯梦斌 | 一种介入微波源场加热的过热蒸气生成设备与工艺 |
CN106285592B (zh) * | 2015-06-05 | 2018-09-25 | 深圳市蒸妙节能高科技有限公司 | 利用微波产生蒸汽进行石油开采的方法 |
CN105193243A (zh) * | 2015-06-19 | 2015-12-30 | 佛山市海辰科技有限公司 | PTCR-xthm电热芯片远红外热源高温蒸汽炉 |
US20180363125A1 (en) * | 2017-06-20 | 2018-12-20 | Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Method of forming high surface area metal oxide nanostructures and applications of same |
CN110550678A (zh) * | 2018-06-04 | 2019-12-10 | 大学研究玻璃器皿公司 | 在超纯蒸汽生产中除去痕量杂质的方法 |
CN111503611A (zh) * | 2020-04-07 | 2020-08-07 | 武汉大学 | 一种微波蒸汽机装置 |
EP4198389A1 (de) * | 2021-12-17 | 2023-06-21 | Hetz, Philipp | Vorrichtung und verfahren zur wärmeerzeugung/speicherung und gaserhitzung mittels keramikelementen |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2448732A1 (de) * | 1974-10-12 | 1976-06-16 | Rinn Manfred Josef | Geraet zur herstellung von dampf durch elektrizitaet |
US4288674A (en) * | 1980-04-21 | 1981-09-08 | Councell Graham D | Microwave actuated steam generator |
GB2198055A (en) * | 1986-12-01 | 1988-06-08 | Winton Eurotech Limited | Air conditioning system |
IT1227210B (it) * | 1988-09-23 | 1991-03-27 | Eurodomestici Ind Riunite | Metodo e dispositivo per rilevare lo scongelamento di un alimento in un forno a microonde |
DE69419480T2 (de) * | 1993-11-11 | 2000-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Kochherd mit Feuchtigkeitsvorbehandlungsapparat |
US6008482A (en) * | 1994-10-24 | 1999-12-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Microwave oven with induction steam generating apparatus |
JP3751057B2 (ja) * | 1995-10-04 | 2006-03-01 | 松下電器産業株式会社 | マイクロ波加熱装置 |
DE19721461C2 (de) * | 1997-05-22 | 1999-03-11 | Daimler Benz Aerospace Airbus | Verfahren zur Trocknung von Lacken auf metallischen oder nichtmetallischen Einzelteilen oder montierten Baugruppen beliiebiger Struktur |
WO1998058210A1 (en) * | 1997-06-19 | 1998-12-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Cooking device |
US6218652B1 (en) * | 1999-05-29 | 2001-04-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for eliminating inrush current of a microwave oven |
-
2000
- 2000-03-15 JP JP2000071493A patent/JP3607927B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-02-22 US US09/789,551 patent/US6437304B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-23 EP EP01104617A patent/EP1134493A3/en not_active Withdrawn
- 2001-03-13 CN CN01109606A patent/CN1313479A/zh active Pending
- 2001-03-14 TW TW090105935A patent/TW518912B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-03-14 KR KR1020010013039A patent/KR20010092299A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010092299A (ko) | 2001-10-24 |
CN1313479A (zh) | 2001-09-19 |
JP3607927B2 (ja) | 2005-01-05 |
EP1134493A2 (en) | 2001-09-19 |
EP1134493A3 (en) | 2003-01-15 |
US20010022300A1 (en) | 2001-09-20 |
US6437304B2 (en) | 2002-08-20 |
JP2001267061A (ja) | 2001-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW518912B (en) | Steam generator | |
JP3603356B2 (ja) | 高周波加熱装置 | |
JP4931806B2 (ja) | スチームアイロン処理の間のアイロン処理温度を制御する方法およびそのようなスチームアイロン | |
US5042179A (en) | Steam iron having plural heating elements and a control circuit regulating timed heating element power | |
JPH07192864A (ja) | マイクロウェーブドライヤー用のダミーロード及び反射パワー減少方法 | |
KR20030093926A (ko) | 액체 재료 기화공급장치 | |
JP3775403B2 (ja) | 高周波加熱装置 | |
KR20100054148A (ko) | 물 예열 섹션을 갖는 보일러 | |
US20070024687A1 (en) | Image drum and image system having the same of solid inkjet image forming apparatus | |
KR100204603B1 (ko) | 플로코터의 온도제어장치 | |
JP3800212B2 (ja) | 高周波加熱装置 | |
JP2007046812A (ja) | 流体加熱装置 | |
JP2002174492A (ja) | ループヒートパイプ | |
JP2007248042A (ja) | 水蒸気発生装置及び水蒸気発生方法 | |
KR101558181B1 (ko) | 기화기용 소스물질 공급장치 | |
US20210315276A1 (en) | Direct Heating Vaporizer | |
KR102141078B1 (ko) | 스티머 | |
JP4628470B2 (ja) | ガスの供給方法および装置 | |
JP2006071282A (ja) | 高周波加熱装置 | |
JPH01146591A (ja) | スチームアイロン | |
JP2007064626A (ja) | 高周波加熱装置 | |
KR0139832Y1 (ko) | 가습기의 히터고정장치 | |
JP3184721B2 (ja) | 糊付機の糊液制御装置 | |
JP2006292235A (ja) | 加熱調理装置 | |
KR0132615Y1 (ko) | 가습기의 히터브래킷 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |