TW518425B - Birefringence minimizing fluoride crystal optical VUV microlithography lens elements and optical blanks therefore - Google Patents

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518425 A7 _'丨!，，1 1 _B7五、發明説明（| ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 發明背景： 本發明係關於光學光石版印刷元件以及毛胚以及特別 冬關於光學微光石版印刷晶體透鏡元件以及光學元件毛胚 以像用光石版印刷系統中，該系統使用波長低於2〇〇nm真空 紫外線(VUV)，優先地低於193nm，優先地低於175nm，更優先 地低於164nm，例如使用波長在I57nm區域之蒸空紫外線投 射光石版印刷系統。 使用光線波長低於200nm真空紫外線之投射光學光石 $印刷系統具有達成較小外形尺寸之優點。該系統使用波 長低於157nm波長區域之真空紫外線波長，其具有製造出改 善較小外形尺寸集體線路之潛力。目前由製造集體線路之 半導體業界所使用之光學光石版印刷系統持續地朝向更低 光線波長例如為一般248nm發展，但是商業使用低於2〇〇nm 真空紫外線波長例如為193nm以及157nm由於在這些蒸空紫 外線準分子雷射區域中受到該真空紫外線波長傳送通過光 學材料特性影響而受到阻礙。可利用光學材料以及其在該 短波長光石版印刷波長下之光學特性已阻礙低於卩⑼⑽波 長；^業化地使用於光學光石版印刷系統。使用氟化物例如 ，氟化鈣晶體作為光學光石版印刷中光學透鏡毛胚以及光 學透鏡元件由於受到氟化物晶體光學材料之雙折射性阻礙 以及產生負面影響，晶體雙折射性對透射其中之光石版印 刷光線具有影響。聽傭2_m波狀157nm區域例如製 造集體線路之轉體業界所個F2準分子雷射之發射頻譜 蒸空紫外線頻窗之真空紫外線光石版印刷之優點，存在光 本紙張尺度適用中) A4規格（2lGx297_j----- Ψ —、—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 518425 五、發明説明（2 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 學光石版印概化晶體透鏡元相及具有最小雙折射性光 學元件毛胚之需求。 Nikon公司之歐洲EP1001314A2專利申請案說明投射照 射之耐久性光學系統，為了良好耐久性其使用氟化妈晶體 防止高度照射光石版印刷能量密度例如ArF準分子光石版 印刷雷射造成損壞。Nicon公司之美國細61174號專利說 明利用低於300nm波長紫外線雷射之光石版印刷影像聚焦 光學系統，其使用低納濃度敦化詞晶體影像聚焦光學元件 。該系統使用就化约晶體透鏡元件，其具有均勻的結晶指 向如圖4所示。先前技術無法解決使用敦化物晶體元件於 操作於光石版印刷光束之問題。 本發明克服先前技術存在之問題以及提供有益的光石 版印刷元件，其具有有益的光學特性以及光石版印刷特性， 包含最小雙折射性以及其毛胚能夠使用來改善利用蒸空紫 外绛波長光石版印刷製造集體線路。 …工” 發明大要： 本發明貫施例包含雙折射性最小氟化舞蒸空紫外線光 石版印刷透鏡。透鏡優先地包含單一氟化鈣晶體。氟化鈣 透鏡具有光學中心軸由氟化鈣透鏡週邊所包圍，透鏡具有 不同的結晶指向，其傾斜於光學中心軸指向以及朝向週邊。 本發明另外一個實施例包含氟化物晶體光學透鏡。氟 化物晶體光學透鏡包含單一氟化物晶體，其具有第一光學 透鏡表面以及相對於第一透鏡表面之第二光學透鏡表面。 氟化物晶體具有漸增濃度之晶體錯位缺陷，其由第一光學

--i---— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 518425 A7 B7 五、發明説明（3) 透鏡表面至第二光學透鏡表面地增加。 本發明另外一個實施例包含氟化鈣晶體光學元件以操 作透射波長λ <200nm。氟化鈣晶體光學元件包含氟化鈣晶 體，其具有第一光學透鏡表面以及第二光學透鏡表面以操 作波長λ之光線。氟化鈣晶體之結晶錯位缺陷濃度由第二 光學透鏡表面至第一光學透鏡表面增加。第一光學表面具 有第一表面次構造表面長度每單位面積在1〇s50cm/cm2範 圍内。第二表面次構造表面長度每單位面積 本發明一項實施例包含氟化物晶體透鏡毛胚，其由中 心軸通過較大尺寸D表面之氟化物晶體所構成。中心軸以 及較大尺寸D表面由毛胚週邊所包圍著。中心軸對準以及 與氟化物晶體結晶方向一致。氟化物晶體透鏡毛胚在結晶 指向具有變化，其中心軸擴張以及偏離中心轴以及朝向毛 胚週邊。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本發明另外一項實施例包含雙折射性最小氟化物晶體 光石版印刷毛胚。毛胚由氟化鈣晶體所構成，其193nm内部 透射度>99%/cm以及折射率均勻性為lppm。氟化鈣晶體具 有一組多個非平行結晶指向以及毛胚具有中心軸，其與氟 化鈣晶體指向一致。毛胚具有結晶週邊以及結晶指向具有 變化，其中中心軸與已知非平行結晶指向間之角度偏差在 中心軸與週邊之間具有相對位置，其與中心軸之距離具有 相關性。優先地角度偏差隨著與中心軸距離增加而增加。 “本發明另外一個實施例包含氟化物晶體光學元件毛胚 。光學元件毛胚氟化物晶體所構成，其具有直徑，第一直徑 本紙張又度適用中國iiif7c—NS) M規格（—a97公酱） 518425 A7 ----- —_B7 五、發明説明（命） 平面表面，第二直徑平面表面，以及由第—與第二表面界定 ^之晶體厚度。毛胚透鏡結晶錯位缺陷濃度由第二表面至 表面地增加。第二表面具有第二表面次構造表面長度 每單位面積為SS以及第-表面具有第—表面次構造表面長 度每單位面積為FS，其中FS>SS。 、 附圖簡單說明： 第一圖（圖1)顯示出本發明光石版印刷系統心里過程 之實施例。 /第-圖至第二圖11(圖2-2H)顯示出本發明光石版印刷 系統/處理過程實施例之斷面圖。 /第二圖至第三圖(；(圖3一3G)顯示出本發明光石版印刷 系統/處理過程實施例之斷面圖。 —第四囷,、、、員示出具有均勻的結晶指向之氣化物晶體透鏡 7G件之斷面圖，其光線通過透鏡外侧猶，其具有並不平行 於<111〉之光線路徑。 第五圖至第五圖A(圖5—⑷顯示出本發明實施例之斷 面圖。 、 第六圖（圖6)顯示出本發明包含<U1>結晶指向之氣化 鈣晶體結晶指向，小圓圈表示Ca。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 第七圖（圖7)顯示出本發明實施例之斷面圖，其包含漸 增晶體錯位缺陷濃度。 第八圖（圖8)顯示出本發明實施例之斷面圖，其包含漸 增晶體錯位缺陷濃度。 第九圖至第九圖A(圖9-9A)顯示出本發明實施例之斷 本紙浪又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 518425 A7 __— —_____B7五、發明説明（f ) 6 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 面圖。 第十圖（圖10)顯示出本發明實施例之斷面圖。 第十一圖（圖11)為氟化鈣晶體表面之光學顯微圖。 第十二圖（圖12)為氟化鈣晶體表面之光學顯微圖。 第十三圖（圖13)顯示出本發明實施例。 附圖元件數字符號說明： 透鏡50, 50’ ；真空紫外線微光石版印刷系統/處理過 私51;氟化物晶體52, 52’ ；光學中心轴54;透鏡週邊56; 結晶指向57, 58;光學中心軸指向60;彎曲光學表面62, 64, 66;平面性光學表面68;光線路徑72;晶體路徑74;透 鏡76;氟化物晶體78;透鏡表面80;透鏡表面80, 82;漸 增濃度方向84;晶體錯位缺陷86;透鏡毛胚1〇〇;氟化物 晶體102;中心軸1〇4;表面1〇6;毛胚週邊1〇8;結晶指向 110;光學中心軸111;結晶指向112;表面113，114;指向 變化158。 詳細說明： 本發明包含雙折射性最小之氟化物晶體蒸空紫外線光 石版印刷透鏡，其由氟化物晶體所構成。如圖丨，2及3所示， 氟化物晶體蒸空紫外線光石版印刷透鏡使用於蒸空紫外線 微光石版印刷系統/處理過程51，其優先地使用蒸空紫外線 光線波長<200nm。氟化物晶體透鏡元件使用於微光石版印 刷系統中，其包含構成照明系統之光學元件，優先地包含光 源(優先地為準分子雷射），以及投射系統。 氟化物晶體光石版印刷透鏡5〇由氟化物晶體52所構成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公着） -------.----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T f 518425 A7 五'發明説明（^) ，優先地鱗-晶體。如圖5卿，氟化物晶體光學透鏡训 f有光學中心軸54,其由氟化物晶體透鏡週邊56包圍著。 氟化物透鏡晶指向具有—些變化，其偏離光學中心轴 指向朝向週邊56。如圖5a所示，結晶指向57偏離光學中心 軸指向60以及擴張朝向週邊56。 與結晶指向變化作比較，圖4之透鏡50,由具有均勻的 結曰d曰向之氟化物晶體52’所構成，其在整個晶體中為平行 的以及朝向中心軸，氟化物晶體52,具有最小均勻濃度之最. 小錯位缺陷。^ 優先地透鏡50由氟化鈣晶體52所構成。優先地氟化鈣 晶體内部透射度>99%/cm。圖6顯示出氟化辑晶體具有氣化 鈣結晶指向57。結晶指向垂直於相對氟化鈣指向平面。 優先地氟化物晶體光石版印刷透鏡5〇具有第一彎曲光 學表面62以及第二彎曲光學表面64以操作光石版印刷光線 ，優先地光石版印刷光線^<20〇11111。在另外一個優先地氟 化物晶體光石版印刷透鏡5〇具有彎曲光學表面66以及平面 性光學表面68。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 優先地結晶指向58變化在2至15度範圍内，優先地在3 至12度，以及最優先地在5至1〇度。如圖5a所示，結晶指向 變化偏離光學中心軸54指向60以及朝向透鏡週邊56。優先 地結晶指向<9由中心軸漸增，使得θκβκβκθγ05<06< 0 7··· < 0 n。 優先地氟化物晶體光石版印刷透鏡5〇具有非平行光線 路徑72以及氟化物晶體52具有非平行晶體路徑74對準於透 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 518425 A7 ---__ B7 五、發明説明（q) 鏡先線路奶、。結μ向晶聽簡解於光線路徑72, 透鏡50設計作為操作該路徑。優先地透鏡5〇以及晶 體路徑74伽來會聚或發散纟親觸成 。 /發日収進—步包錢化物晶敎學透賴，其由單 -氟化物晶體所構成。氟化物晶购具有第—光學透鏡表 面80以及分離而補之第二光學透鏡表面。氟化物晶體^ 具有漸增濃度84之晶體錯位缺_，其由第二光學透鏡表 面80漸增。如圖7-8所示，晶體錯位缺陷濃度為遞增濃度如 箭頭84所示，錯位缺陷86濃度優先地由第二表面似至第一 表面80地增加。在優先地實施财，第—光學透鏡表面為 背曲透鏡表面，第二光學透絲面為彎曲透絲面。在另 外-個實施例巾，第-光學透鏡表面解㈣光學表面。 在另外-個實施例中，第二光學透鏡表面為平坦的光學表 面。優先地透鏡76具有光學中心軸54對準於局部方向。 在優先實施财，單-氟化物㈣78為氟倾，額3nm内 部透射度>99%/cm。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ---、---— (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明更進一步包含氟化鈣晶體光學元件以操作透射 波長A<200nm。小於200nm波長光學元件76由氟化飼晶體 78所構成。氟化鈣晶體具有第一光學表面8〇以及第二光學 表面82以操作λ波長。氟化鈣晶體之錯位缺陷86濃度84由 第二光學表面至第一光學表面遞增。第一光學表面次構造 表面長度每單位面積在10至5〇cm/cm2範圍内。第二光學表 面次構造表面長度每單位面積<l〇cm/cm2。元件76具有較 大尺寸D。優先地D大於100mm，更優先地-150mm，更優先地 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 518425 Α7 Β7 五、發明説明（？） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -250mm，更優先地-250mm，以及最優先地2300mm。優先 實施例中第一光學透鏡表面為彎曲透鏡表面。優先實施例 中第二光學透鏡表面為彎曲透鏡表面。優先實施例中λ中 央波長約為193nm以及氟化鈣晶體I93nm内部透射度>99%/cm 。在另外一個實施例中λ位於157nm以及氟化約晶體⑽卿 内部透射度>99%/cm。優先地光學元件76氟化鈣晶體之結 晶指向變化將由光學中心軸擴張以及偏離。優先地該變化 至少為二度以及更優先地為5度。 本發明更進一步包含氟化物晶體透鏡毛胚。氟化物晶 體透鏡毛胚100由氟化物晶體102所構成。氟化物晶體102 具有中心軸104通過較大尺寸D表面106。中心軸104以及表 面106由毛胚週邊1〇8包圍著。中心軸1〇4對準以及與結晶 指向110—致。氟化物晶體毛胚1〇〇在結晶指向112具有變 化158,其由中心軸1〇4擴張以及偏離以及朝向毛胚1〇8。優 先地氟化鈣透鏡毛胚1〇〇結晶指向11〇為氟化鈣指向。優先 地氟化鈣晶體102之193nm内部透射度>99Vcm。優先地氟 化鈣透鏡毛胚100之較大尺寸D為gl〇〇mm，更優先地-15〇 mm，更優先地-250mm，更優先地-250mm，以及最優先地2 300mm。優先地結晶指向112變化158在2至15度範圍内，更 優先地在3至12度範圍内，以及最優先地在5至1〇度範圍内。 氟化鈣晶體透鏡毛胚偏離中心軸104變化158至少為3度，優 先地—5度。如圖9a所示，形成為光學元件透鏡76, 50之毛 胚100(例如為毛胚内侧虛線所示）優先地具有相對於氟化 物晶體表面106之第二表面114,其晶體錯位缺陷86濃度由 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐） (I 518425 A7 B7 1〇 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 五、發明説明（（| ) 第二表面114至表面106遞增。優先地如圖l〇所示光學透鏡 毛胚100具有第二表面，其具有第二表面次結構邊界長度每 單位面積為SS以及表面積106具有較大尺寸表面次結構邊 界長度每單位面積為FS，其中FS>SS。優先地第二表面次結 構邊界長度每單位面積SS <10cm/cm2,以及更優先地FS在10 至50cm/cm2範圍内。圖11-12顯示出被酸蝕刻之氟化鈣光學 透鏡毛胚表面次結構邊界。這些顯微圖為利用〇. 1N硝酸進 行钱刻15分鐘後氟化|弓表面。圖12利用定量光學顯微鏡分 析以量測次結構邊界特性，其包含次結構邊界長度每單位面 積。在圖12中氟化鈣光學毛胚表面具有次結構邊界長度每 單位面積為15cm/cm2以及次結構平均尺寸直徑約為丨· 8_。 本發明更進一步包含雙折射性最小氟化物晶體光石版 印刷透鏡毛胚。光學元件毛胚由氟化鈣晶體所構成，其193 nm内部透射度>99%/cm。如圖13所示，氟化鈣毛胚1〇〇具有 一組多個非平行結晶指向。毛胚1〇〇具有光學中心軸1〇4， 其與局部氟化物晶體指向一致。毛胚在結晶指向具有變化 158,其中在已知位置處中心軸1〇4與非平行結晶指向間之 角度偏差0與已知位置與中心軸1 〇4間之相對距離產生相 關，在已知位置處中心軸104與週邊1〇8間具有相對距離。 如圖13, 9以及9a所示，毛胚100優先地具有錯位缺陷肋之第 一表面106以及第二表面114,該錯位缺陷由第二表面114至 第一表面106遞增。優先地，第一以及第二表面垂直於中心 軸，毛胚100形狀優先地為適當尺寸圓柱形碟狀物毛胚，該 毛胚為將形成以及成形光學元件之預製件。優先地毛胚1〇(? 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董） (之 -------i----------訂------· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 518425 A7 _______五、發明説明（10 ) 具有第一表面106以及第二表面Π3,其中第二表面114之第 一表面次結構邊界長度每單位面積（以SS表示）<1 〇cm/cm2 以及第一表面106之第二表面次結構邊界長度每單位面積( 以FS表示）^10cm/cm2。優先地第一表面次結構邊界長度 每單位面積在10至5〇cm/cm2範圍内。 本發明更進一步包含氟化物晶體光學元件毛胚。毛胚 優先地由單一氟化物晶體所構成，最優先地由氟化鈣晶體 所構成。光學元件毛胚1〇〇具有直徑為D，第一直徑平面表 面106,第二直徑平面表面114,第一及第二表面間之晶體厚 度TH。毛胚100具有晶體錯位缺陷洲之濃度料，其由第二表 面114至第一表面1〇6遞增，以及第二表面114具有第二表面 次結構邊界長度每單位面積為％以及第一表面1〇6具有第 一表面次結構邊界長度每單位面積為⑺，其中FS>SS。優先 地SS小於lOcm/cm2。優先地FS在10至50cm/cm2範圍内。 熟知此技術者能夠對本發明作出各種變化及改變，但 是其並不會脫離本發明之精神與範圍。因而，下列申請專 利範圍將含蓋本發明各種變化及改變。 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製

--：---- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂 #1. (i

Claims (1)

1. 518425六、申請專利範圍

   經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ^一種雙折射性最小氟倾蒸空紫外線光石版印 "亥透鏡由It化物晶體所構成，氟化物晶體透鏡具有光學 氟化鈣透鏡週邊包圍著，氟化物晶體透鏡在:晶 =邊 光學中"憾向及躺氟化物晶體透 巾請專職群1項之透鏡，其中氟化物晶體為1化 ^據申請專利範圍第㈣之透鏡，其中氟化物晶體光石版 Ρ刷透鏡具有第-f曲光學表面以及第二，曲光學表面。 4.依據申請專利範圍第1項之透鏡，其中氟化物晶體光石版 印刷透鏡具有、f曲光學表面以及平面性光學表面。 5·依據申請專利範圍第丨項之透鏡，其中結晶指向變化在^ 至15度範圍内。 6·依據巾請補顧帛1奴透鏡，射結Μ向變化在3 至12度範圍内。 7·依據申請專利範圍第1項之透鏡，其中結晶指向變化在5 至10度範圍内。 &依據申請專利範圍第1項之透鏡，其中透鏡具有-組多個 光線路徑以及氟化物晶體包含一組多個結晶路徑對準於透 鏡之光線路徑。 9· 一種氟化物晶體光學透鏡，該氟化物晶體光學透鏡由單 一氟化物晶體所構成，其具有第一光學透鏡表面以及分離 之第二光學透鏡表面，第二光學透鏡表面相對於第一光學 透鏡表面，氟化物晶體具有遞增之錯位缺陷濃度，其第二光 表紙張尺度逍用中國國家榡準（CNS)八4規格（21〇χ297公釐）

   518425 ' A 8 B8 C8 D8 3 11 六、申請專利範圍 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 學透鏡表面至第一光學透鏡表面遞增地增加。 丄〇·依據申請專利範圍第9項之透鏡，其中第一光學透鏡表 面為彎曲透鏡表面及第二光學透鏡表面為彎曲透鏡表面。 11·依據申請專利範圍第9項之透鏡，其中第一光學透鏡表 面為平坦之光學表面。 12_依據申請專利範圍第9項之透鏡，其中第二光學透鏡表 面為平坦之光學表面。 13.依據申請專利範圍第9項之透鏡，其中透鏡具有光學中 心軸對準於局部方向。 14·依據申請專利範圍第9項之透鏡，其中氟化物晶體為氟 化4丐。 15.依據申請專利範圍第丨3項之透鏡，其中氟化鈣晶體i93 nm内部透射度>99%/cm。 16·—種氟化鈣晶體光學元件，其作為操作透射波長λ <2〇〇 =，該元件包含氟簡晶體，其财學麵表面以及 第二光學透鏡表面以操作λ，該氟化鈣晶體之錯位缺陷濃 度由第二光學表面至第一光學表面遞增，第_光學表面之 ^有第一表面次結構邊界長度每單位面積在1〇至5〇⑽/cm2 範以及第二光學表面之具有第二表面次結構邊界長 度每單位面積<1 Ocm/cm2。 17·依據申請專利範圍第16項之光學元件，其中元件具有較 大尺寸D，其中D^lOOmm。 〃 ^ 18·依據申請專利範圍第16項之光學元件，其大尺寸D，其中D—。 凡件具有車父 ------1---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂— k 核張尺一涵CNS)娜（210χ歸羡) 518425 8 8 88 ABCD 14 六、申請專利範圍 19. 依據申請專利範圍第16項之光學元件，其中元件具有較 大尺寸D，其中D—200mm。 20. 依據申請專利範圍第16項之光學元件，其中元件具有較 大尺寸D，其中Dg250mm。 ^ 21·依據申請專利範圍第16項之光學元件，其中元件具有較 大尺寸D，其中D$300min。 22. 依據申請專利範圍第16項之光學元件，其中第—光學表 面為彎曲透鏡表面。 23. 依據申請專利範圍第16項之光學元件，其中第二光學表 面為彎曲透鏡表面。 24·依據申請專利範圍第16項之光學元件，其中波長；ί中央 位於193nm以及氟化#5晶體之193nm内部透射度>99%/cm。 25·依據申請專利範圍第16項之光學元件，其中波長λ中央 位於157nm以及氟化鈣晶體之157nm内部透射度>99%/cm。· 26·依據申請專利範圍第17項之光學元件，其中氟化飼晶體 結晶指向變化，其偏離光軸以及由光軸擴張。 27.依據申請專利範圍第26項之光學元件，其中變化至少為 3度。 28·依據申請專利範圍第26項之光學元件，其中變化至少為 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 5度。 29· —種氟化物晶體透鏡毛胚，該透鏡毛胚由氟化鈣晶體所 構成，其具有通過較大尺寸D表面之中心軸，該軸及較大尺 寸D表面由毛胚週邊包圍著，該軸對準於氟化物晶體結晶指 向及與其一致，該氟化物晶體透鏡毛胚結晶指向具有變化， 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 518425 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 5 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 展開以及偏離中心軸以及朝向毛胚週邊。 專利範_項之透鏡毛胚，其中氟化物晶體 請專利範圍第29項之透鏡毛胚，其中較大尺寸D :==r29項一其中結晶指向變 33. 依據申請專利範圍第29項之透鏡毛胚，其中毛胚具有第 體咖 34. 依據申，專利範圍·項之透鏡毛胚，其中毛胚具有第一表面，該第二絲摘錄大尺寸表面，第二表面具有第 二表面次結構邊界長度每單位灣祕以及較大尺寸表面 具有較大尺寸表面次結構邊界長度每單位崎 FS>SS。 、 ，，、τ35·依據申請專利範圍第34項之透鏡毛胚，其中ss<i〇cm/ cm2 ° 36.依據申請專利範圍第34項之透鏡毛胚，其中⑺在⑺至即 cm/cm2範圍内。 37· -種雙折射性最小氟化物晶體光石版印刷透鏡毛胚，該 毛胚由氟化#5晶體所構成，其193nm内部透射度;>99%/cm以 及折射率均勻性S lppm，以及一組多個非平行結晶指向 毛胚具有中心軸，其與氟化_晶體—致，該毛胚具有結晶週 邊以及結晶指向具有變化，其中在中心軸與週邊之間一個 泰紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--- 518425 六、申請專利範圍 已知位置處之中心軸與非平行結晶指 知位置及中心烟之距離具有相關性。角度偏差與已 38.依據申請專利範圍第37項之毛胚，其中毛胚呈 面’晶體具有錯位缺陷濃度，其由第二表面^ —口 、，弟一表面次結構邊界長度 =位面積<10—及第—表面具有第—表面次结構 邊界長度每單位面積-10cm/cnl2。 40. 、依據申請專利範圍第37項之毛胚，其中毛胚具有第一表 面以及第一表面，第一以及第二表面垂直於中心轴，第二表 面具有第二表面讀構邊界長度每單位面積〈丨 及第-表面具有第-表面次結構邊界長度每單位面積在ι〇 至50cm/cm2範圍内。 41. -種氟化物晶體光學元件毛胚，該毛胚由氟化物晶體所 構成，該晶體具有-種餘，第_餘平面表面，第二直徑 平面表面，.由第-及第二表面所界定出晶體厚度，毛胚具有 晶體錯位缺陷濃度，其由第二表面至第—表面遞增以及第 經濟部中央標準局員工消費合作社¥製 =表面具有第二表面次結構邊界長度每單位面積為ss以及 第-表面具有第-表面次結構邊界長度每單位面積為FS 其中 FS>SS。 ’ 42. 依據申請專利範圍第41項之透鏡毛胚，其中ss<1〇cm/ cm2 〇 43·依據申請專利範圍第41項之透鏡毛胚，其中^在丨眩 衣紙張尺度適用1f7國國家梯準（CNS ) Α4規格（210X297公着） 518425 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 50cm/cm2範圍内。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐）