TW512543B - Method of manufacturing an electro-optical device - Google Patents

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512543 A7 B7 ____ 五、發明說明（1 ) I明背景 1 ·發明範圍 本發明係有關於一種電致光學裝置，其典型地爲一藉 由在基底表面’上製造半導體元件（使用一半導體元件，且 通常係電晶體）而形成之場致發光（E L )顯示裝置的電 致光學裝置，及一種包括以電致光學元件作爲其顯示器用 之電子裝置（電子設備）。特別地，本發明亦有關於其製 造方法。 2 ·先前技藝說明 近年來，一在一基底上形成一薄膜電晶體（簡稱爲「 TFT」）之技術已有顯著進步，且已展開有關於其一種 主動矩陣型顯示裝置之應用與發展。特別地，由於一使用 聚矽酮膜之薄膜電晶體的場效遷移率高於一使用非結晶矽 膜之傳統薄膜電晶體者，因此可達成一高速操作。是以， 可藉一與像素形成於同一基底上之驅動電路控制該像素， 然而其在傳統上係需由該基底外部之驅動電路控制。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 由於這種主動矩陣型顯示裝置可藉由在一基底上形成 各種電路與元件而獲致譬如降低生產成本、縮小顯示裝置 、提高良率、減少生產量等優點，因此特別受到矚目。 -Η · 在主動矩陣型場致發光顯示裝置中，一由一薄膜電晶 體製成之開關元件係設於每一像素中且一執行電流控制之 驅動元件係由開關元件操縱，因此一場致發光層（光線放 射層）則係用於放射光線。譬如美國專利第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^ _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 512543 A7 —-__B7__ 五、發明說明（2) 5 ’ 684，365號案（參閱曰本專利申請公告第 He i 8 — 2 3 468 3號案）或日本專利申請公告第

He i 10 — 189252號案即揭露一場致發光顯示 裝置。 已提出各種形成場致發光層之方法，譬如可爲一真空 蒸發法、濺鍍法、旋塗法、滾塗法、鑄造法、LB法、離 子鍍法、浸漬法、噴墨法、及其相似者。 、 發明之槪述 本發明之一目的係降低一場致發光層之製造成本且提 供一價格低廉之場致發光顯示裝置。本發明之另一目的係 降低一將場致發光顯示裝置作爲其顯示器用之電子裝置（ 電子設備）的製造成本。 爲達成上述目的，本發明之特徵在於藉一使用一分配 器之塗佈步驟（塗佈方法）來形成一場致發光層（特別係 一光線放射層）。 圖式之簡單說明 圖1 A至圖1 C係用於解釋一使用本發明之一分配器 的塗敷步驟視圖； 圖2係一顯示本發明一場致發光顯示裝置之一像素部 剖面結構視圖； 圖3 A及圖3 B係顯示本發明之一像素部的上方結構 及其電路結構之視圖； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -5 - V i^w· ^-----^^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 512543 A7 -------B7 ___ 五、發明說明（3) 圖4 Α至圖4 Ε係顯示第一具體實施例之一主動矩陣 型場致發光顯示裝置之製造步驟視圖； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖5 A至圖5 D係顯示第一具體實施例之一主動矩陣 型場致發光顯示裝置之製造步驟視圖； 圖6 A至圖6 C係顯示第一具體實施例之一主動矩陣 型場致發光顯示裝置之製造步驟視圖； 圖7係一顯示第一具體實施例之一場致發光糢組外觀 視圖； 圖8係一顯示第一具體實施例之一場致發光顯示裝置 之電路方塊結構視圖； 圖9係一本發明一場致發光顯示裝置之一像素部放大 視圖； 圖1 0係一第一具體實施例之一場致發光顯示裝置之 取樣電路的元件結構視圖； 圖1 1 A及圖1 1 B係顯示第一具體實施例之一場致 發光模組的上視圖及剖面圖； 圖1 2A至圖1 2 C係顯示第一具體實施例之一接觸 結構的製造步驟視圖； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 3係一顯示第二具體實施例之一場致發光顯示裝 置的一像素部結構視圖； 圖1 4係一顯示第三具體實施例之一場致發光顯示裝 置的一像素部結構視圖； 圖15係一顯示第七具體實施例之一場致發光顯示裝 置之電路方塊結構視圖； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -6- 512巧一 「第8^117季敏：^|1申請案 謂—書：^^民國90年11月修正 —二，.·.ν二AV,—-卜 Λ 五、發明說明（A} 圖1 6 Α至圖1 6 F係顯示第十具體實施例之電子裝置 具體範例視圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 主要元件對照表 1 1 基 底 1 2 基 礎 膜 底 膜 1 3 源 極 區 1 4 汲 極 區 1 5 a L D D 區 1 5 b L D D 區 1 5 c L D D 區 1 5 d L D D 區 1 6 高 濃 度 雜 質 區 1 7 a 通 道 構 造 區 1 7 b 通 道 構 造 區 1 8 閜 極 絕 緣 膜 1 9 a 閘 極 電 極 1 9 b m 極 電 極 2 0 中 間 層 絕 緣 膜 2 1 源 極 架 線 2 2 汲 極 架 線 3 1 * ♦ v- 、:.源 極 區 3 2 汲 極 區 3 3 L D D 區 (請先Μ讀背面之注意事項声.填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公茇） t _ 3 4 通 道 結 構 3 5 .閘 極 電 極 3 6 源 極 架 線 3 7 汲 極 架 線 4 1 第 鈍 化 膜 4 4 中 間 層 絕 緣膜 4 5 第 二 鈍 化 膜 4 6 像 素 電 極 4 7 場 致 發 光 層 4 8 陰 極 4 9 保 護 電 極 5 0 第 二 鈍 化 膜 5 1 像 素 電 極 5 2 陰 極 5 4 陽 極 5 5 第 二 鈍 化 膜 512543 A7 五、發明說明（5) I IV— — — — — — — — — — — ^« — — — — — — 1— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 110 基底 111 像素部 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 112 資料側（源極側）驅動電路 113 閘極側驅動電路 114 場致發光形成材料 115 塗敷表面 116 分配器 117 注射器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -8- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 512543 A7 _B7____ 五、發明說明（6) 118 噴嘴 119 塗敷表面 120 薄膜電晶體 121 像素電極 211 閘極架線 201 開關薄膜電晶體 202 電流控制薄膜電晶體 203 場致發光元件 205 η-通道薄膜電晶體 206 ρ-通道薄膜電晶體 209 場致發光元件 212 電流供應線路 211 閘極架線 300 玻璃基底 301 基礎膜底膜 302 結晶矽薄膜 3 0 3 保護膜 304a 抗腐蝕掩模 304b 抗腐蝕掩模 305 η型雜質區 306 η型雜質區 3 0 7 孤立型半導體薄膜（主動層） 3 0 8 孤立型半導體薄膜（主動層） 3 0 9 孤立型半導體薄膜（主動層） --V--------裝-----^----訂---I--I-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -9 - 512543 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（7) A7 __B7 3 1 0 孤立型半導體薄膜（主動層） 3 1 1 閘極絕緣膜 3 1 2 聞極電極 3 1 3 閘極電極 3 1 4 閘極電極 3 1 5 閘極電極 3 1 6 閘極電極 3 1 7 雜質區 3 1 8 雜質區 3 1 9 雜質區 3 2 0 雜質區 3 2 1 雜質區 ^ 3 2 2 雜質區 3 2 3 雜質區 3 2 4 a 抗腐蝕掩模 3 2 4 b 抗腐蝕掩模 3 2 4 c 抗腐蝕掩模 3 2 4 d 抗腐蝕掩模 3 2 5 雜質區 3 2 6 雜質區 3 2 7 雜質區 3 2 8 雜質區 3 2 9 雜質區 3 3 0 雜質區 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公茇） -1〇 · 512543 五、發明說明（8) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ B7 3 3 1 雜 質 區 3 3 2 . ( 抗 腐 融 ) 掩 模 3 3 3 雜 質 Tro 3 3 4 雜 質 3 3 5 閘 極 架 線 3 3 6 第 —* 中 間 層 絕 緣 膜 3 3 7 源 極 架 線 3 3 8 源 極 架 線 3 3 9 源 極 架 線 3 4 0 源 極 架 線 3 4 1 汲 極 架 線 3 4 2 汲 極 架 線 3 4 3 汲 極 架 線 3 4 4 第 一 鈍 化 膜 3 4 7 第 二 中 間 層 絕 緣 膜 3 4 8 第 二 鈍 化 膜 3 4 9 像 素 電 極 3 5 0 場 致 發 光 層 3 5 1 銀 化 鎂 電 極 ( 陰 極） 3 5 2 保 護 電 極 3 5 3 第 三 鈍 化 膜 3 5 5 源 極 3 5 6 汲 極 區 3 5 7 L D D Tot (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · I 1 ϋ ϋ n ϋ-^rOJI ϋ n I ϋ ϋ n ϋ I » 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公漦） -11 - 512543 A7 __B7_ 五、發明說明（9) 358 通道結構區 601 玻璃基底 6 0 2 像素部 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 603 閘極側驅動電路 604 源極側驅動電路 605 開關薄膜電晶體 6 0 6 閘極架線 607 源極架線 608 電流控制薄膜電晶體 609 電流供應線路 610 場致發光元件 611 撓性印刷電路 612 輸入架線（連接架線） 613 輸入架線（連接架線） 614 輸入架線 701 源極側驅動電路 702 移位暫存器 703 ^位準偏移器 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 0 4 緩衝器 705 取樣電路 7 0 6 像素部 7 0 7· 閘極側驅動電路 708 移位暫存器 709 位準偏移器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） .-j〇- 512543 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（1〇) A7 ___B7 7 1 0 緩衝 器 7 1 1 閘極 側 驅 動 電 路 9 0 1 a L D D 9 0 1 b L D D 區 9 0 2 閘極 絕 緣 膜 9 0 3 閘極 電 極 9 0 4 通道 結 構 1 4 0 1 儲 存 電 容 器 1 7 0 0 基 底 1 7 0 1 像 素 部 1 7 0 2 源 極 側 驅 動 電 路 1 7 0 3 閘 極 側 驅 動 電 路 1 7 0 4 包 覆 構 件 1 7 0 5 黏 著 劑 1 7 0 6 空 間 1 7 0 7 保 護 電 極 1 7 0 8 區 域 1 7 0 9 輸 入 架 線 1 7 1 0 導 電 糊 狀材料 1 8 0 1 域 1 8 0 2 開 □ 部 2 0 0 1 主 機 體 2 0 0 2 外 殼 2 0 0 3 顯 示部 -----------裝-----r---訂---------^9, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -]3 - 512543 A7 B7 五、發明說明（11) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 0 0 4 鍵 盤 2 1 0 1 主 機體 2 1 0 2 m 示部 2 1 0 3 聲 音輸 入部 2 1 0 4 操 縱開 關 2 1 0 5 電 池 2 1 0 6 影 像接 收部 2 2 0 1 主 機體 2 2 0 2 信 號線 2 2 0 3 繫 帶 2 2 0 4 顯 示監 視器 2 2 0 5 光 學系 統 2 2 0 6 頸 示裝 置 2 3 0 1 主 機體 2 3 0 2 紀 錄媒 體 2 3 0 3 操 縱開 關 2 3 0 4 顯 示部 2 3 0 5 顯 示部 2 4 0 1 主 機體 2 4 0 2 昭 /\\\ 相機 部 2 4 0 3 影 像接 收部 2 4 0 4 操 縱開 關 2 4 0 5 顯 示部 2 5 0 1 機 體 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---------訂·--丨丨i _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -14- 512543 A7 B7 五、發明說明（12) 2 5 0 2 支持座 2503 顯示部 發明之詳細說明 以下將參考圖1A至圖1C說明本發明。 圖1 A係顯示一用於本發明之分配器的一部份。圖 1 A至圖1 C中，參考代碼χ 〇係指示一基底^且分別 由薄膜電晶體（簡稱爲「TFT」）製成之一像素部 1 1 1、一資料側（源極側）驅動電路1 1 2、及一閘極 側驅動電路1 1 3皆形成於基底1 1 〇之表面上。附帶地 ’本發明甚至可應用於電晶體係形成於一矽基底表面上之 狀況。 參考代碼1 1 4係指示一場致發光材料與一溶劑之混 合物（此後稱爲一場致發光形成材料）：及11 5係指示 一場致發光形成材料1 1 4之塗敷表面。附帶地，此處之 場致發光材料係一螢光有機化合物且係指一通常爲一孔洞 注射層、一孔洞輸送層、一光線放射層、一電子輸送層、 或一電子注射層之有機化合物。 如圖1 A所示，將一分配器之排放口切削爲線型即可 獲致1 1 5所指示之塗敷表面。在像素部1 1 1上沿一箭 頭方向移動分配器即可沿該箭頭方向移動塗敷表面1 i 5 。同時，塗敷表面之縱向長度需使其在一次運動中即可涵 蓋像素部之整個區域。 在此，儘管上述說明係針對排放口爲線型時之狀況， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· _ _ I h I丨訂i丨丨丨！ - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -Ί . 512543 經濟部智慧財產局員工消费合作社印裂 A7 —_ _ B7_____五、發明說明（13) 然其亦可爲點型（圓點型）。雖然線性地塗佈場致發光材 料於整個表面時速度較快，但在塗佈每一像素時（塗佈一 圓點時）排放口必須爲圓點型。儘管圓點塗佈具有生產品 質較線性塗佈者爲差的缺點，然在各別形成不同場致發光 層時十分有用（譬如當分別形成各自對應紅綠藍（RGB )三色之場致發光層時）。 圖1 B係顯示圖1 A中塗佈步驟之狀態的側視圖。一 連接至一分配器116之注射器117的尖端部（噴嘴） 1 1 8將成爲一場致發光形成材料1 1 4之排放部。該噴 嘴1 1 8係沿一箭頭方向運動。 圖1 C係一圖1 B中1 19指示之一區域（塗敷表面 )放大視圖。設於基底110上之像素部111包括複數 薄膜電晶體1 2 0與像素電極1 2 1。一譬如爲氮氣之鈍 性氣體係自內部吹入注射器117中且場致發光形成材料 1 1 4係自噴嘴1 1 8藉壓力排放出。同時，一利用反射 光線之感測器係連接至注射器1 1 7尖端部附近且亦可調 整塗敷表面與噴嘴尖端部之間的距離使其保持恆定。 自噴嘴118排放之場致發光形成材料114係藉線 性塗佈覆蓋像素電極1 2 1。場致發光形成材料1 1 4塗 佈完成後將於真空下執行一熱處理使場致發光形成材料 1 1 4中含有之溶劑蒸發且仍保留場致發光材料。如此即 可形成場致發光材料。是以，需使用一種可在低於場致發 光材料之玻璃過渡溫度（Tg )的溫库下蒸發之溶劑。此 外，最終形成之場致發光層厚度係由場致發光層形成材料 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝

1^ ϋ mamm ϋ-^°4· 1 ·1 I ·1 ϋ ·1 I

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -16- 512543 A7 —__ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

五、發明說明（14) 之黏度決定。此時，可藉選擇溶劑來調整黏度且較佳之黏 度係10至50厘泊（CP)(更佳地爲20至30厘泊 )° 倘若場致發光形成材料114中具有許多可作爲晶核 之雜質，則場致發光材料在溶劑蒸發時發生結晶化之可能 性大爲增加。由於場致發光材料結晶化將降低光線放射效 率’因此該情況並不適當。緣是，需儘可能地防止場致發 光形成材料中包含雜質。 儘管在提煉溶劑、提煉場致發光材料、或混合溶劑與 場致發光材料時將環境淸潔至極端潔淨係減少雜質之重要 因素，然亦應注意場致發光形成材料在藉圖1 B中所示分 配器塗佈時之大氣條件。特別地，應藉安裝於一充滿譬如 氮氣等鈍性氣體之淸潔室內的分配器來執行場致發光形成 材料的塗敷步驟。 附帶地，儘管已將主動矩陣型場致發光顯示裝置作爲 一範例說明之，然而本發明亦可應用於一被動型（簡單矩 陣型）場致發光顯示裝置。 〔具體實施例模態〕 以下將參考圖2及圖3 A與圖3 B說明一實施本發明 之模態。圖2係一本發明之一場致發光顯示裝置之一像素 部剖面圖，圖3 A係其上視圖且圖3 B係顯示其電路結構 之視圖。事實上，複數像素係排列成军陣型式而形成一像 素部（影像顯示部）。附帶地，圖2係一沿圖3A中線A (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 • 1 ·11 1 l· I--訂------ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -17- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 512543 A7 ___ B7___ 五、發明說明（15) 一 A >之剖面圖。是以，圖2與圖3A中係使用相同之符 號而可適當地交互參考之。此外，儘管圖3之上視圖顯示 兩像素，但其皆具有相同結構。 圖2中之一參考代碼1 1係指示一基底；及1 2係指. 示一成爲一底部塗佈的絕緣膜（此後稱爲一底膜）。一玻 璃基底、一玻璃陶瓷基底、一石英基底、一矽基底、一陶 瓷基底、一金屬基底、或一塑膠基底（亦包括一塑膠膜） 皆可作爲基底1 1。 雖然底膜1 2在使用包括有一可動離子之基底或具有 導電性之基底時特別有用，但並非必須於石英基底上提供 該薄膜。一包括矽元素之絕緣薄膜可作爲底膜1 2。附帶 地，本發明中「包含矽元素之絕緣膜」亦指一包含既定比 例之矽、氧及氮的譬如氧化矽膜、氮化矽膜、或氮氧化矽 膜（以S i OxNy表示）等絕緣膜。 爲防止一薄膜電晶體退化或一場致發光元件退化而需 藉由製作一具有熱輻射效能之底膜12有效散除薄膜電晶 體產生之熱量。可使用任何已知材料來製作具有熱輻射效 能之薄膜。 在此係於像素中形成兩薄膜電晶體。參考代碼2 0 1 係指示一作爲一開關元件之薄膜電晶體（此後稱爲一開關 薄膜電晶體）及2 0 2係指示一作爲控制流至場致發光單 元之電流量用的電流控制元件。且每一個皆由一 η —通道 薄膜電晶體形成。 由於一 η —通道薄膜電晶體之場致遷移率大於一 ρ — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝

Ml· I ϋ ·.1^OJ n Mtmm I I 1··« ϋ ϋ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -18 · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 512543 A7 ___B7____ 五、發明說明（16) 通道薄膜電晶體者，因此其操作速度快且可輕易達成一大 電流。當流動電流量相等時，η -通道薄膜電晶體之薄膜 電晶體尺寸可較小。因使用η -通道薄膜電晶體作爲一電 流控制薄膜電晶體可使一顯示部之有效區域加寬，因此係 爲較佳者。 Ρ -通道薄膜電晶體之優點係其熱載子注射幾乎不致 造成任何問題且開路電流値較低，並且已具有作爲一開關 薄膜電晶體及一作爲一電流控制薄膜電晶體之範例。然而 ，由於本發明之特徵亦在於製作一 L D D所在位置不相同 而使η -通道薄膜電晶體亦能夠解決熱載子注射與開路電 流値之問題，因此像素中所有薄膜電晶體皆係η —通道薄 膜電晶體。 然而，本發明無需將開關薄膜電晶體及電流控制薄膜 電晶體限制爲η -通道薄膜電晶體且ρ —通道薄膜電晶體 亦可用於該兩者或其中之一。 開關薄膜電晶體2 0 1包括一源極區1 3、一汲極區 1 4、LDD區1 5 a至1 5 d、一包括一高濃度雜質區 1 6與通道構造區1 7 a及1 7b之主動層、一閘極絕緣 膜1 8、閘極電極1 9 a及1 9 b、一第一中間層絕緣膜 20、一源極架線2 1、及一汲極架線2 2。 此外，如圖3 A中顯示之一閘極電極1 9 a及1 9 b 係藉其他材料（電阻較閘極電極1 9 a及1 9 b者較低之 材料）形成一與閘極架線211互相電氣連接的一雙閘極 結構。當然，除雙閘極結構外，亦可採用譬如三重閘極結 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ill· — — — 訂 illl — ΙΙΛ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公* ) · 19 · 512543 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（17) 構等多重閘極結構（包括一具有兩個或更多互相串聯通道 結構區之一主動層的結構）。多重結構對減少開路電流値 方面極爲有效，且本發明中像素之開關薄膜電晶體2 0 1 係由多重閘極結構製成而使開關元件得以具有一低開路電 流値。 主動層係由一包含有一結晶結構之半導體膜形成，即 可使用一單一結晶膜、半導體膜、或使用一多晶岸導體膜 或微晶半導體膜。閘極絕緣膜1 8可由一包含矽元素之絕 緣膜形成。此外，任何導電膜皆可作爲閘極、源極架線、 或汲極架線。 更，在開關薄膜電晶體2 0 1中提供之LDD區 15a至15d不致重疊閘極電極19a與19b，且閘 極絕緣膜1 8係置於L D D區與閘極之間。這種結構在減 少開路電流値方面非常有效。 附帶地，更需要於通道結構區與L D D區之間提供一 / 偏置區（由一成份與通道結構相同之半導體製成且閘極電 壓未施加於其上之區域）以減少開路電流。在具有兩個或 更多閘極電極之多重閘極結構中’一設於複數通道結構區 之間的高濃度雜質區係用於減少開路電流値。 如上所述，使用多重閘極結構作爲像素開關元件 2 0 1時可達成具有足夠低之開路電流値的開關元件。是 以，即使未提供如日本專利申請公告第 He i 10 -189525號案中之圖2所示的一電容 器亦可保持電流控制薄膜電晶體之閘極電壓持續一段足夠 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 mh «I ϋ -ϋ )eJ ϋ ϋ .1 ai ϋ §. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） .20- 512543 A7 - ____B7____ 五、發明說明（1β) 時間（由一選定點至次一選定點之間的時距）。 是以，可移除一在傳統上係一使有效光線放射區域縮 小之因素的電容器而因此得以加寬光線放射區域，這意味 著場致發光顯示裝置之畫面品質將可更加明亮。 其次，電流控制薄膜電晶體2 0 2包括一源極區3 1 、一汲極區3 2、一包括一 LDD區3 3與一通道結構區 34之主動層、一閘及絕緣膜18、一閘極電極35、該 第一中間層絕緣膜2 0、一源極架3 6、及一汲極架線 3 7。儘管閘極電極3 5係一單閘極結構，但其亦可採用 一多重閘極結構。 如圖3 Α與圖3 Β所示，開關薄膜電晶體之汲極係連 接至電流控制薄膜電晶體之閘極。特別地，電流控制薄膜 電晶體2 0 2之閘極電極3 5係藉汲極架線（亦可稱爲一 連接架線）2 2而與開關薄膜電晶體2 0 1之汲極區14 電氣連接。源極架線3 6係連接至一電流供應線路2 1 2 〇 儘管電流控制薄膜電晶體2 0 2係一控制射入場致發 光元件2 0 3之電流量用的元件，但場致發光元件退化後 將無法提供一大量電流。是以，爲防止一過量電流進入電 流控制薄膜電晶體2 0 2，較佳地係設計相當長之通道長 度（L)，且係設計成每像素電流爲1 · 5至2微安培（ 更佳地爲1至1 · 5微安培）。 有鑑於斯，圖9中所示係當開關薄膜電晶體之通道長 度爲LI (Ll = Lla+Llb)且其通道寬度爲W1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 — 訂·— 1·· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） .21 - 512543 A7 B7__ 五、發明說明（19) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、電流控制薄膜電晶體之長度爲L 2且其寬度爲W2時， 較佳之W1係0 . 1至5微米（通常爲0 · 5至2微米） 且W2係0 · 5至10微米（通常爲2至5微米）。此外 ，較佳之L 1係0 · 2至1 8微米（通常爲2至1 5微米 )且L2係1至50微米（通常爲10至30微米）。然 ，本發明並不以上述數値爲限。 選定這些數値之範圍後，從一具有視頻圖像限列（ VGA)級像素數量（640X480)之場致發光顯示 裝置到一具有高圖像像素數量（1 9 2 0 X 1 0 8 0或 1 2 8 0 X 1 0 2 4 )之場致發光顯示裝置的所有標準均 可涵蓋。 此外，形成於開關薄膜電晶體2 0 1中LDD區之長 度（寬度）較適當者係0 · 5至3 · 5微米，典型地爲 2 . 0至2 · 5微米。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外，圖2中場致發光顯示裝置之特徵在於電流控制 薄膜電晶體2 0 2中的LDD區3 3係設於汲極區3 2與 通道結構區3 4之間，且LDD區3 3包括一重疊及一未 重疊閘極電極3 5之區域，以及介於該兩者之間的閘極絕 緣膜1 8。 電流控制薄膜電晶體2 0 2係供應電流而引發場致發 光元件2 0 4放射光線，且控制該供應量以允許作色階顯 示。是以，需採取一對策來防制熱載子注射造成之退化使 得即使供應電流亦不致造成退化。在顯示黑色而關閉電流 控制薄膜電晶體2 0 2時，倘若開路電流過高則仍無法淸 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 512543 A7 ___B7____ 五、發明說明（2〇) 楚顯示黑色而將降低對比或相似情況。緣是，亦必須壓制 開路電流。. 已知L D D區重疊閘極電極之結構對解決因熱載子注 射造成之退化非常有效，然而若整個L D D皆重疊閘極電 極則將增加開路電流。是以，申請人發明一新穎之結構， 其中未重疊閘極電極之LD D區係互相串聯而得以同時解 決熱載子與開路電流之問題。 ~ 同時，LDD區重疊閘極電極之適當長度爲0 · 1至 3微米（較佳地爲0 · 3至1 · 5微米），倘若長度太長 ，則寄生電容將過大；反之，若太短，則將減弱阻止熱載 子之效能。此外，LDD區未重疊閘極電極之適當長度爲 1 · 0至3 · 5微米（較佳地爲1 · 5至2 · 0微米）。 若長度太長則無法提供一足夠之電流，反之若太短則將使 降低開路電流値之效能減弱。 上述結構中之寄生電容係形成於閘極電極與L D D區 互相重疊之區域中。因此，較佳.地係不在源極區3 1與通 道結構區3 4之間提供這種區域。在電流控制薄膜電晶體 中，由於載子流動方向（在此係電子）始終相同，因此僅 於汲極區側提供L D D區即已足夠。 然而，當電流控制薄膜電晶體2 0 2之驅動電壓（施 加於源極區與汲極區之間的電壓）變爲1 〇伏特或更小時 ，熱載子注射幾乎不致造成任何問題，因此亦可能省去 LDD區3 3。在此，主動層係由源極區3 1、汲極區 32及通道結構34製成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ill·! — 訂-! I!.1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） _ 23 - 512543 A7 _________ B7 五、發明說明（21) 基於增加可流動電流量之考量，亦可增加電流控制薄 膜電晶體2 0 2主動層（特別係通道結構區）之薄膜厚度 (較佳地爲5 0至1 〇 〇毫微米且更佳地爲6 0至8 0毫 微米）。相反地，在開關薄膜電晶體201方面，基於減 少開路電流値之考量，亦可減少主動層（特別係通道結構 區）之薄膜厚度（較佳地爲2 〇至5 0毫微米且更佳地爲 25至40毫微米）。 . 其次’一參考代碼4 1係指示一第一鈍化膜且其適當 厚度爲1 0毫微米至1微米（較佳地爲2 0 0至5 0 0毫 微米），其材料則可能使用一包含矽元素之絕緣膜（特別 係以氮氧化矽膜或氮化矽膜爲佳）。該鈍化膜41之一功 能係保護已成型之薄膜電晶體抵抗鹼金屬或水份。最終形 成於薄膜電晶體上之場致發光層中包含譬如鈉等鹼金屬。 即，一鈍化膜4 1亦作爲一防止鹼金屬（可動離子）進入 薄膜電晶體側之保護膜。 亦可藉第一鈍化膜41具有一熱輻射效能而防止場致 發光層退化。然而，在圖2所示結構之場致發光顯示裝置 中，由於光線係輻射至基底1 1側，因此第一鈍化膜4 1 需爲透明者。在有機材料之場致發光層中，由於其退化係 因結合氧造成，因此不應使用一可輕易釋放氧之絕緣膜。 一可防止鹼金屬穿透且具有一熱輻射效能之透明材料 可譬如爲一包含有至少一選自硼（B)、碳（C)及氮（ N)等元素且至少一選自鋁（A1):矽（Si)及磷（ P)等元素之絕緣膜。譬如可使用一以氮化鋁（A lxNy (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·！ l· — — — 訂·！ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -24- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 512543 A7 ___ B7 五、發明說明（22) )爲代表之鋁的氮化物、以碳化矽（S i xCy)爲代表之 矽的碳化物、以氮化矽（S i xNy)爲代表之矽的氮化物 、以氮化硼（BxNy)爲代表之硼的氮化物、以磷化硼（ BxPy)爲代表之硼的磷化物。因以氧化鋁（A 1 x〇y) 爲代表之鋁的氧化物具有極佳之透明性且其熱傳導性係 2 0瓦特•公尺_1 · K — 1使其可作爲一較佳材料。這些材 料不僅具有上述效能，且易具有防止水份滲透之效能。附 帶地，上述透明材料中之X與y係分別爲任意整數。 附帶地，亦可能結合以上之化合物與其他元素，譬如 亦可藉由將氫加至氧化鋁中而得以使用A 1 N X 0 y所代表 之氮氧化鋁。該材料具有熱輻射效能外亦可防止水份或鹼 金屬穿透之。附帶地，上述氮氧化鋁中之X與y係分別爲 任意整數。 此外，可使用揭露於日本專利申請公告第 S h 〇 62 — 90260號案之材料。即，亦可使用一 包含有矽（Si)、鋁（A1)、氮（N)、氧（0)、 M ( Μ係至少一種稀土元素且較佳地係至少一選自鈽（ C e )、鏡（Y b )、釤（S m )、餌（E I* )、釔（Y )、鑭（La) 、iL(Gd)、鏑（Dy)、及鈸（Nd )之元素）之絕緣膜。這些材料除具有熱輻射效能外亦具 有防止水份或鹼金屬滲透之效能。 此外，亦可能使用一包括至少一鑽石薄膜或一非結晶 碳膜之碳膜（特別係一特徵近似於鑽石，稱爲鑽石型碳或 相似物之薄膜），其皆具有非常高之熱傳導性且十分適合 --·---------AW· ^-----Γ---^--------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -25- 512543 A7 ______B7___ 五、發明說明（23) 作爲一熱輻射層。然而，由於薄膜之厚度增加時將轉爲褐 色且其透明性將降低，因此較佳地係使用具有最小可能厚 度（較佳地係5至1 〇 0毫微米）之薄膜。 附帶地，因第一鈍化膜4 1之主要目的係保護薄膜電 晶體抵抗鹼金屬或水份，因此該薄膜絕對不可損及此效能 。是以，儘管可單獨使用一由具有上述熱輻射效能之材料 製成的薄膜，但亦可疊積能夠防止鹼金屬或水份滲透之薄 膜及一絕緣膜（通常係氮化矽膜（S i xNy)或氮氧化矽 膜（SiOxN y))。附帶地，氮化矽膜或氮氧化矽膜中 之X與y係分別爲任意整數。 一第二中間層絕緣膜（可稱爲一水平膜）4 4係形成 於第一鈍化膜4 1上以覆蓋各薄膜電晶體形成之階梯部使 其平坦化。一有機樹脂膜係一較佳之第二中間層絕緣膜 44，且適合使用聚醯亞胺、聚醯胺、丙烯氰、苯並環丁 烯（BCB)。當然，只要足夠平坦即亦可使用一無機膜 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉第二中間層絕緣膜4 4將薄膜電晶體造成之階梯部 平坦化係十分重要。由於一在稍後形成之場致發光部係非 常薄，因此階梯部的存在將造成不良之光學放射。是以， 應於形成一像素電極之前實施平坦化而可於最平坦之表面 上形成場致發光層。 參考代碼4 5係指示一第二鈍化膜且其具有一阻斷鹼 金屬自場致發光元件擴散出之重要功能。該薄膜之厚度係 以5毫微米至1微米爲佳（通常爲2 0至3 0 0毫微米） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） οβ . ' 512543 A7 _ _ _ B7 五、發明說明（1 。一能夠阻斷鹼金屬滲透之絕緣層係作爲第二鈍化膜4 5 用，其材料可使用任何作爲第一鈍化膜4 1用之材料。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第二鈍化膜4 5亦作爲一散除場致發光元件中產生之 熱量的熱輻射層並且防止熱量儲存於場致發光元件中。若 第二中間層絕緣膜4 4係一有機樹脂膜，則因其生熱能力 較弱，該第二鈍化膜即可防止場致發光元件中之生熱對第 二中間層絕緣膜4 4產生不良影響。 > 如上所述，儘管製造場致發光顯示裝置時需藉有機樹 脂層將薄膜電晶體平坦化，但目前尙無傳統結構將場致發 光元件中生熱造成之有機樹脂退化問題考慮在內。本發明 中係藉提供一作爲一發明特徵之第二鈍化膜4 5來解決該 問題。 第二鈍化膜4 5係防止生熱造成之退化且作爲防止場 致發光層中之鹼金屬擴散至薄膜電晶體側的保護膜，並且 更作爲一防止水份或氧自薄膜電晶體側滲透至場致發光層 側的保護層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 參考代碼4 6係指示一由一透明導電膜製成之像素電 極（場致發光元件之陽極）。在形成一貫穿第二鈍化膜 4 5、第二中間層絕緣膜4 4、及第一鈍化膜4 1之接觸 孔（開口）之後，即可在該開口部處將該電極連接至電流 控制薄膜電晶體2 0 2之汲極架線3 7。 其次，一場致發光層（嚴格地說，即一接觸像素電極 之場致發光層）47係藉使用一分配器實施塗敷步驟而形 成之。儘管場致發光層4 7係一單一層結構或積層結構， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公* ) -27- 512543 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（巧 但許多場合中皆係使用積層結構。然而，在積層結構中較 佳地係結合塗佈方法及氣相成長（特別係以蒸發法爲佳） 。因塗佈方法中係混合一溶劑與一場致發光材料而塗佈之 ，倘若下層塗佈包括一有基材料，則將有再發生溶解之危 險。 是以，場致發光層4 7中較佳地係藉使用分配器之塗 佈步驟來形成一直接接觸像素電極之層且其後再藉氣相成 長形成一層。當然，若塗料所使用之溶劑不致溶解下方層 之場致發光材料，則所有層皆可由分配器形.成。儘管存在 一孔洞注射層、一孔洞輸送層、或一光線放射層，然本發 明仍可用於形成任何直接接觸像素電極之層。 在本發明中，由於係藉由使用分配器之塗佈方法作爲 形成場致發光層之方法，因此較佳地係使用一聚合材料作 爲場致發光材料。譬如聚對次苯基乙嫌撐（PPV)、聚 乙烯基卡唑（PVK)或聚芴（二苯并伍圜）等高分子材 料即爲典型之聚合材料。 爲形成藉使用分配器之塗佈步驟而由聚合材料製成的 孔洞注射層、孔洞輸送層、或一光線放射層，塗佈材料係 於一聚合物母體狀態中製造且在真空中加熱並轉換成由聚 合材料製成之材料。所需之場致發光材料將藉蒸發法或相 似者疊積其上而得以形成積層之場致發光層。 特別地，有關孔洞輸送層較佳者係使用四氫化塞吩作 爲聚合物並藉加熱而將其轉換爲聚乙輝撐苯，適當之薄膜 厚度則係3 0至1 0 0毫微米（較佳地爲4 0至8 0毫微 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) · 28 - ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 • tmm ϋ 1 l· — — — 訂！· 512543 A7 B7____ 五、發明說明（巧 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 米）。有關光線放射層較佳者係使用酸基聚乙烯撐苯作爲 一紅光放射層、聚乙烯撐苯係作爲一綠光放射層、且聚乙 烯撐苯或聚烷基苯撐係作爲一籃光放射層，適當之薄膜厚 度則係3 0至1 5 0毫微米（較佳地爲4 0至1 0 0毫微 米）。 亦可在像素電極與形成於其上之場致發光材料之間提 供一銅苯一甲藍染料之緩衝層。 - 然而，上述範例僅係作爲本發明場致發光材料之有機 場致發光材料範例，且本發明並不以此爲限。本發明中係 藉分配器塗敷一場致發光材料與一溶劑且藉蒸發而移除該 溶劑以形成場致發光層。只要其組合係使溶劑蒸發溫度不 致超過場致發光層之玻璃過渡溫度即可使用任何場致發光 材料。 典型地，一譬如爲氯仿、二氯甲烷、r 一丁基內酯、 丁氧基乙醇、或η —甲基一 2 —各比各烷酮（NMP)等 有機溶劑或水亦可作爲溶劑使用。亦可加入一添加物以增 加場致發光形成材料之黏度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外，當形成場致發光層4 7時較佳地係以一具有最 少可能水份之乾燥大氣作爲處理用大氣並且在一鈍性氣體 中執行之。由於水份或氧之存在易使場致發光層退化，因 此形成該層時需儘可能地移除這類影響因素。譬如一乾燥 之氮氣大氣或乾燥之氬氣大氣係較佳者。爲達此目的而應 將分配器置於一充滿一鈍性氣體之淸潔室中且在該大氣中 實施塗佈步驟。 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 512543 A7 B7 五、發明說明（27) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上述方式形成場致發光層4 7後，接下來將形成一 陰極4 8及一保護電極4 9。陰極4 8及保護電極4 9可 藉一真空蒸發法形成。若連續地形成陰極4 8及保護電極 4 9而不接觸空氣則可進一步壓制場致發光層4 7退化。 在本說明書中，一由像素電極（陽極）形成之光線放射元 件、場致發光層及陰極係稱爲場致發光元件。 ' 使用一具有較低功函數且包含有鎂（Mg)、―鋰（ Li)、或鈣（Ca)之材料作爲陰極48。較佳地係由 銀化鎂（M g A g )(鎂與銀以鎂：銀=1 Ο ·· 1之比例 混合而成之材料）製成一電極。此外，其亦可爲譬如一鋁 銀化鎂（MgAgA 1 )電極、一鋁化鋰（L iA 1 )電 極、及一鋁氟化鋰（Li FA1)。保護電極49係一保 護陰極4 8抵抗外部水份或相似物用之電極且使用一包含 有鋁（A 1 )或銀（Ag)之材料。該保護電極48亦具 有一熱輻射效能。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 附帶地，需在一鈍性氣體中且不接觸空氣之條件下連 續地形成場致發光層4 7與陰極4 8。在一使用有機材料 製成場致發光層時，由於其抗水份能力非常弱，因此需採 用本方法以避免在接觸空氣時吸附水份。更，需連續地形 成者不僅爲場致發光層4 7與陰極4 8，其上之保護電極 4 9亦然。 圖2之結構係使用一單色光線放射系統的範例，其中 係形成一種可對應紅綠藍中任一色之場致發光元件。儘管 圖2中僅顯示一像素，但其具有相同結構之複數像素係在 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 512543 A7 一丨-_____B7__ 五、發明說明（ 像素部排列成矩陣型式。附帶地，可採用一熟知材料作爲 對應紅綠藍中任一色之場致發光層。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 除上述系統外，亦可使用一結合一白色光線放射之場 致發光元件與一彩色過濾器之系統、結合一藍色或藍-綠 色光線放射之場致發光元件與一螢光材料（螢光彩色轉換 層：C CM)之系統、一將一透明電極作爲一陰極（反相 電極）且疊積.對應於紅綠藍之場致發光元件的系統或相似 者來製作彩色顯示器。當然，亦可能在單一層中形成一白 色光線放射場致發光層來製作黑白顯示器。 參考代碼5 0係指示一第三鈍化膜且適當厚度係介於 1 0毫微米至1微米（較佳地爲2 0 0至5 0 0毫微米） 。儘管提供第三鈍化膜5 0之主要目的係保護場致發光層 4 7來抵抗水份，然其亦相似於第三鈍化膜4 5 —般地提 供一熱輻射效能，因此可使用一相似於第一鈍化膜4 1所 用之形成材料。然而，當場致發光層4 7係使用一有機材 料時，由於該層可能藉結合氧而退化，因此不應使用一易 於散出氧之絕緣層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外，如上所述，由於場致發光層散熱能力較弱，因 此需在最低可能溫度下（較佳地係在室溫至1 2 0°C的溫 度範圍內）形成一薄膜。是以，一電漿化學氣相沈積法、 一濺鍍法、一真空蒸發法、一離子鍍法、或一溶液塗敷法 (旋塗法）等皆可視爲一合於需要之薄膜形成方法。 相同地，儘管只需提供第二鈍化膜4 5即足以壓制場 致發光元件之退化，然較佳地係於譬如第二鈍化膜4 5與 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -31 512543 A7 B7 五、發明說明（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第三鈍化膜5 0之場致發光元件兩側上形成兩層式絕緣膜 以包圍該場致發光元件而防止水份及氧侵入場致發光層、 防止鹼金屬自場致發光層擴散出、及防止儲存之熱量進入 場致發光層。如此可更進一步壓制場致發光層之退化且獲 致一高可靠度之場致發光顯示裝置。 本發明之場致發光顯示裝置包括一由具有圖1中結構 之像素製成之像素部、且根據功能而爲不同結構之複數薄 膜電晶體係設於該像素中。藉此，可能在同一像素中形成 一具有足夠低開路電流値之開關薄膜電晶體及一強力抵抗 熱載子注射之電流控制薄膜電晶體，且亦可能獲致較有高 可度且提供極佳畫面顯示（具有高水準之操作性能）之場 致發光顯示裝置。 附帶地，在圖1之像素結構中，儘管係以多重閘極結 構之薄膜電晶體作爲開關薄膜電晶體，但無需將L D D區 之排列結構或相似物限制爲圖1所示之結構。 以下將參考後述之具體實施例更詳細地說明本發明之 上述結構。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔第一具體實施例〕 本發明之各具體實施例將參考圖4A至圖6 C說明之 。在此將解釋一種同時製造像素部與形成於該像素部周圍 之一驅動電路部複數薄膜電晶體的方法。爲求簡化說明， 在此係以一互補金屬氧化物半導體（CMO S )電路作爲 驅動電路之一基礎電路。 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公« ) 512543 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（3¾ 首先，如圖4A所示，一基礎膜3 0 1係形成於一玻 璃基底3 0 0上且厚度爲3 0 0毫微米。氮氧化矽膜係積 層爲第一具體實施例中之基礎膜3 〇 1。較優者係將接觸 玻璃基底3 0 0之薄膜中的氮濃度設定爲1 〇至2 5重量 百分比（w t % )之間。 此外’薄膜3 0 1下方部應提供一由相似於形成圖2 中第一鈍化膜4 1之材料所製成的絕緣膜。由於大電流通 過電流控制薄膜電晶體而使其容易產生熱量，因此應在一 儘可能接近之位置處提供一具有熱輻射效能之絕緣膜。 其次，藉一已知之沈積方法在基礎膜3 0 1上行成一 厚5 0毫微米之非結晶矽薄膜（未顯示）。應注意到其並 不以非結晶矽薄膜爲限，其他包含一非結晶結構（包括一 微晶半導體薄膜）之半導體薄膜皆可。此外，亦可使用一 譬如一非結晶矽鍺薄膜等包含一非結晶結構之複合半導體 薄膜。更，薄膜厚度可介於2 0至1 0 〇毫微米之間。 再藉一已知方法將非結晶矽薄膜結晶化以形成一結晶 矽薄膜（亦稱爲一多晶矽薄膜或聚矽酮薄膜）3 0 2。使 用一電熱爐之加熱結晶化、使用一雷射之雷射退火結晶化 、及使用一紅外線照射器之照射器退火結晶化皆爲目前存 在之已知結晶化方法。第一具體實施例中實施之結晶化係 使用一氯化氙（Xe C 1 )氣體之準分子雷射光線。 應注意到第一具體實施例中係使用一線型之脈衝放射 式準分子雷射光線，但亦可使用一矩形者，並且亦可使用 連續放射氬雷射光線及連續放射準分子雷射光線。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

--裝 • 1_1 I 1 ·ϋ -I ·1^OJe I «ϋ Αϋ I 1 I n I % 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -33 - 512543 A7 ___B7_____ 五、發明說明（31) 在本具體實施例中，儘管係以結晶矽薄膜作爲薄膜電 晶體之主動層，但亦可能使用一非結晶矽薄膜。然而，爲 了藉儘量減小一電流控制薄膜電晶體之面積來增加一像素 之空缺部所佔比例，因此較優地係使用可允許電流輕易通 過之結晶矽薄膜。 應注意到需藉非結晶砂薄膜形成一可減少開路電流之 開關薄膜電晶體主動層且藉結晶矽薄膜形成電流控制薄膜 電晶體主動層。由於非結晶矽薄膜之載子遷移率過低，因 此電流難以通過其中，且開路電流亦不易流動。換言之， 最優者係同時製作使電流不易通過之非結晶矽薄腠及允許 電流輕易通過之結晶矽薄膜。 其次，如圖4 B所示，係於結晶矽薄膜3 0 2上形成 一厚度1 3 0毫微米之保護膜3 0 3。該厚度可自1 0 0 至2 0 0毫微米範圍內選擇（較佳地係介於1 3 0至 170毫微米之間）。更，亦可使用包含有矽元素之絕緣 膜的其他薄膜。保護膜3 0 3可使結晶矽薄膜在加入雜質 期間不致直接暴露於電漿之下且可具有精密之雜質濃度控 制。 、 再於保護膜3 0 3上形成抗腐蝕掩模3 0 4 a與 3 0 4 b且加入一提供η型導電性之雜質元素（此後稱之 爲一η型雜質元素）。應注意到通常係以週期表第15族 中之元素作爲η型雜質元素且一般係使用磷或砷。注意再 此係使用一電漿摻雜，其中三氫化磷（.ΡΗ3)係無需分離 質量活化電漿且第一具體實施例中係加入濃度爲 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 -1 emf at 一04· _1 B— n 1· 1· i Mmae I 0. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） · 34 _ 512543 Α7 Β7 五、發明說明（32) 1 X 10 18原子數/立方公分之磷。當然亦可使用一實施 質量分離之離子植入法。 調整劑量而使該製程中形成之η型雜質區3 0 5與 3 0 6中的η型雜質元素濃度爲2 X 1 016至5 X 1 019 原子數/立方公分（通常係介於5x 1 017至5x 1 018 原子數/立方公分之間）。 其次如圖4 C所示，保護膜3 0 3業已移除且將已加 入之週期表第1 5族的元素活化。可使用一已知之活化技 術作爲活化方法且該活化在第一具體實施例中係藉準分子 雷射光線照射而達成，脈衝放射準分子雷射與連續放射準 分子雷射光線兩者當然均可使用且無需對準分子雷射光線 之使用設限。其目的係使加入之雜質元素活化且較佳地係 於一不致熔化結晶矽薄膜之能量位準下照射之。注意亦可 於保護膜3 0 3存在時實施雷射照射。熱處理活化亦可與 雷射光線活化一同實施，當藉熱處理實施活化時，因考慮 基底之熱阻而較佳地係在4 5 0至5 5 0 °C左右實施熱處 理。 一沿η型雜質區3 0 5與3 0 6邊緣處之邊界部（連 接部）區域，亦即沿著存在於η型雜質區3 0 5與3 0 6 中之η型雜質未加入其中的周圍邊緣區域係藉此製程界定 出。此意味著於稍後完成薄膜電晶體時將可在L D D區與 通道形成區之間形成極佳之連接。 接著再如圖4 D所示移除結晶矽薄膜中不需要之部份 而形成孤立型半導體薄膜（此後稱爲主動層）3 0 7至 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-----r---訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -35- 512543 A7 一· _____ B7______ 五、發明說明（33) 3 1 0 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 再如圖4 E所示形成一覆蓋主動層3 0 7至3 1 0之 閘極絕緣層3 1 1。一包含矽元素且厚度爲1 〇至2 0 0 毫微米、較佳地係介於5 0至1 5 0毫微米的絕緣膜可作 爲閘極絕緣膜3 1 1使用。可使用一單一層結構或一積層 結構。第一具體實施例中係使用一厚度爲1 1 〇毫微米之 氮氧化矽膜。 ^ 接著再形成一厚度爲2 0 0至4 0 0毫微米之導電膜 且成型爲閘極電極3 1 2至3 1 6。注意在第一具體實施 例中，複數閘極電極及電氣連接該閘極電極之複數導線（ 此後稱爲閘極架線）係由不同材料製成。特別地，閘極架 線係使用一電阻低於閘極電極者之材料，這係因爲一能夠 藉微加工處理之材料將作爲閘極材料，且即使閘極架線無 法實施微加工處理，架線使用之材料仍具有低電阻。當然 ，亦可由相同材料製作閘極電極及閘極架線。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 更，可由一單一層導電膜形成閘極架線，且若必要時 較佳地可使用兩層或三層積層膜。所有已知的導電膜皆可 作爲閘極電極之材料。然而，如上所述，較佳地係使用一 能夠實施微加工處理之材料，特別係一能夠成型至一 2 ? 毫微米或更小線寬之材料。 一般而言，可使用一由選自鉅（Ta)、鈦（Ti) 、鉬（Mo)、鎢（W)、鉻（Cr)、及矽（Si)等 元素、一上述元素之氮化物膜（通常爲氮化鉅膜、氮化鎢 膜、或氮化鈦膜）、一將上述元素化合而成之合金膜（通 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）: 36 _ " " 512543 A7 _____B7____ 五、發明說明（34) 常爲鉬-鎢合金、鉬一鉅合金）、或一上述元素之矽化物 膜（通常爲一鎢的矽化膜、鈦^矽化膜）。當然，該薄膜 可爲一單一層或一積層。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本具體實施例中係使用一 5 0毫微米厚之氮化鎢（ WN )膜與一 3 5 0毫微米厚之鎢（W)膜形成的積層膜 ，這可藉一濺鍍法形成。當加入一（Xe) 、（Ne)或 相似之鈍性氣體作爲一濺鍍氣體時即可防止應力使薄膜剝 皮。 此時形成之閘極電極313與316已分別重疊η型 雜質區3 0 5與3 0 6之一部而由兩側包夾閘極絕緣膜 3 1 1。該重疊部將於稍後成爲一重疊閘極電極之LDD 區。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，一 η型雜質元素（第一具體實施例中係使用磷 )係如圖5 Α所示將閘極電極3 1 2至3 1 6作爲掩模而 以一自我對正之方式加入。調整該添加物使加入雜質區 3 1 7至3 2 3中之磷的濃度爲雜質區3 0 5及3 0 6者 之1/10至1/2 (通常介於1/4至1/3)。特別 地，較佳之濃度係l，x 1 0 1 6至5 X 1 0 1 8原子數/立方 公分（通常係介於3 X 1 01 7至3 X 1 018原子數/立方 公分之間）。 再如圖5 B所示形成一具有覆蓋閘極電極等之外型的 抗腐蝕掩模3 2 4 a至3 2 4 d，且加入一 η型雜質元素 (第一具體實施例中係使用磷）而形成一具有高濃度磷之 雜質區3 2 5至3 3 1。在此亦實施一使用三氫化磷（ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 37 _ 512543 A7 —— —__B7______ 五、發明說明（35) ，裝i I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) PH3)之離子摻雜且將其調整爲使該區域之磷濃度介於 IX 1 02Q至1 X 1 021原子數/立方公分之間（通常係 介於2xl02Q至5X102Q原子數/立方公分之間）。 一 η -通道薄膜電晶體之源極區或一汲極區係藉此製 程形成，且開關薄膜電晶體中藉圖5 Α所示製程所形成之 雜質區3 2 0至3 2 2仍然存留。這些存留區域係對應圖 2中開關薄膜電晶體之LDD區域1 5 a至1 5 d>。 其次，圖5 C中係移除抗腐蝕掩模3 2 4 a至 324d並且形成一新的抗腐蝕掩模332，而後再加入 一 P型雜質元素（第一具體實施例中係使用硼）以形成具 有高濃度硼之雜質區3 3 3及3 3 4。在此係使用六氫化 二硼之離子摻雜加入硼而形成一濃度爲3 X 1 02Q至 3 X 1 021原子數/立方公分（通常係介於5 X 1 02Q至 1 X 1 021原子數/立方公分之間）之雜質區3 3 3及 3 3 4 〇

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 注意已在雜質區3 3 3及3 3 4中加入一濃度 1 X 1 016至5 X 1 018原子數/立方公分之磷，但在此 係加入其濃度至少三倍於磷之硼。是以，已完全形成之η 型雜質將轉化成Ρ型且作爲Ρ型雜質區。 其次，移除掩模3 3 2後再使各種不同濃度的η型與 Ρ型雜質元素活化。可使用加熱爐退火、雷射退火、或照 射器退火等作爲一活化之方法。第一具體實施例中則爲在 一電熱爐中於5 5 0 °C氮氣大氣下實施$小時的熱處理。 此時應儘可能地移除大氣中之氧氣量係非常重要，這 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） .38 512543 A7 B7 五、發明說明（36) . 係因爲氧氣若存在將使電極之暴露表面氧化而導致電阻增 加且同時使其後製作一歐姆接點更加困難。因此上述活化 製程中加工環境之氧氣密度較佳地係在百萬分之一（ 1 ppm)或更小，更加者係百萬分之零點一（〇 · 1 ρ p m )或更小。 完成活化製程後將形成一濃度爲3 0 0毫微米之架線 3 3 5。一主要成份包括5 0至1 0 0%之成份爲Jg ( A 1 )或銅（Cu)之金屬膜可作爲閘極架線3 3 5之材 料。如同圖3 A之閘極架線2 1 1、閘極架線3 3 5係形 成於一位置上，使開關薄膜電晶體之·電極3 1 4及3 1 5 (對應圖3之閘極電極1 9 a及1 9 b )係互相電氣連接 (參閱圖5 D )。 可使用該型結構使閘極架線之架線電阻極小而因此形 成一具有一大表面積之像素顯不區（像素部）。亦即，由 於該結構可實現一具有一對角線爲1 0英吋或更大（更， 對角線爲3 0英吋或更大）之螢幕尺寸的場致發光顯示裝 置，因此第一具體實施例之像素結構極具效益。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 再形成如圖6 A中所使用之一第一中間層絕緣膜 3 3 6。一包含矽元素之單一層絕緣膜可作爲第一中間層 絕緣膜3 3 6且一積層膜可結合於其間。更，可使用一厚 度介於400毫微米至1·5微米之薄膜。第一具體實施 例中係使用一以8 0 0毫微米厚之氧化矽膜加之於2 〇 〇 毫微米厚之氮氧化矽膜上的積層結構。 此外，在一包含3至1 〇 〇%氫之環境中於3 〇 〇至 本·紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） •39- 512543 A7 B7 五、發明說明（37) 4 5 0 °C之下執行1至1 2小時之熱處理以實施氫化作用 。此係一種使用熱活化氫氣來實施氫氣終止半導體膜中懸 空鍵的製程。電漿氫化（藉電漿活化氫氣）亦可爲另一種 氫化方法。 注意亦可將氫化步驟***形成第一中間層絕緣膜 3 3 6之製程中。即，可於上述形成2 0 0毫微米厚之氮 氧化矽膜之後實施氫化製程再形成該剩餘之8 0 0毫微米 厚之氧化矽膜。 其次，於第一中間層絕緣膜3 3 6中形成一接觸孔並 且形成源極架線3 3 7至3 4 0與汲極架線3 4 1至 3 4 3。在此具體實施例中，該電極係由一藉一濺鍍法連 續形成厚度爲1 0 0毫微米之鈦膜、一包含有鈦元素且厚 度爲3 0 0毫微米之鋁膜、及一厚度爲1 5 0毫微米之鈦 膜的三層結構積層模製成。當然，亦可使用其他之導電膜 〇 再形成一厚度爲5 0至5 0 0毫微米（通常係作爲介典 於2_0 0至3 0 0毫微米）之第一鈍化膜3 4 4。第一具 體實施例中係使用一 3 0 0毫微米厚之氮氧化矽膜作爲第 一鈍化膜3 4 4，且亦可由一氮化矽膜取代之。當然亦可 能使用相同於圖2中第一鈍化膜41所使用之相同材料。 注意在形成氮氧化矽膜之前使用一包含有譬如氫氣、 氨氣等具有氫之氣體來實施電漿製程。藉此預備製程活化 之氫係供應至第一中間層絕緣膜3 3 6，且藉熱處理改善 第一鈍化膜3 4 4之薄膜品質。同時，加入第一中間層絕 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 胃4〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·！ l· — — — 訂-1! 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 512543 Α7 Β7 五、發明說明（3a) 緣膜3 3 6之氫將擴散至下方側且可有效地氫化主動層。 其次，圖6 B中顯示以有機樹脂形成一第二中間層絕 緣膜347。可使用聚醯亞胺、聚醯胺、丙烯氰、苯並環 丁烯（B C B )或相似物作爲該有機樹脂。特別地，因第 二中間層絕緣膜3 4 7主要係用於平坦化，因此平坦化特 性極佳之丙烯氰係較佳者。在此具體實施例中，一丙烯氰 膜之厚度需足以使薄膜電晶體造成之一階梯部平坦化，因 此其適當厚度爲1至5毫微米（更佳地爲2至4毫微米） 〇 接者，一厚度爲1 〇 〇毫微米之第二鈍化膜3 4 8將 形成於第二中間層絕緣膜3 4 7上。由於係使用一包含有 矽（Si)、鋁（A1)、氮（N)、氧（0)、及鑭（ L a )之絕緣膜，因此可防止自其上之場致發光層擴散出 鹼金屬。同時，可阻止水份侵入場致發光層且散除場致發 光層中之生熱而壓制場致發光層因熱量造成之退化及平坦 化薄膜（第二中間絕緣層）之退化。 一延伸到一汲極架線3 4 3之接觸孔係貫穿第二鈍化 膜348、第二中間層絕緣膜347、及第一鈍化膜 3 4 4，並且形成一像素電極349。在此具體實施例中 係形成一厚度爲1 1 0毫微米之氧化銦一錫（I T0)膜 且成型爲像素電極，該像素電極3 4 9係場致發光元件之 一陽極。附帶地，亦可使用一氧化銦-鈦膜或一與氧化鋅 混合之氧化銦一錫膜。 附帶地，本具體實施例之這種結構可使像素電極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ill·! — 訂！！ ' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -41 - 512543 A7 ___B7____ 五、發明說明（39) 3 4 9係藉由汲極架線3 4 3而連接至電流控制薄膜電晶 體之汲極區33 1。這種結構之優點如下·· .由於像素電極3 4 9係直接接觸一場致發光層（光線 放射層）或電荷輸送層之有機材料，因此場致發光層或相 似物中之可動離子將可能擴散至像素電極中。即本發明結 構中之像素電極3 4 9並非直接接觸作爲主動層之一部的 汲極區3 3 1而係以架線3 4 3***其中以防止可®f離子 侵入主動層內。 其次，圖6 C中所示之一場致發光層3 5 0係藉圖1 中所說明之分配器執行塗敷步驟而形成，且更，一陰極（ 銀化鎂（MgAg)電極）351及一保護電極352係 由一蒸發法在不接觸空氣下形成。同時，需在形成場致發 光層3 5 0與陰極3 5 1之前藉由對像素電極3 4 9實施 一熱處理而完全移除水份。儘管在此具體實施例中係使用 銀化鎂（Mg A g )電極作爲場致發光元件之陰極，但亦 可使用其他的熟知材料。 可使用本說明書中提及之材料製作場致發光層3 5 0 。在本具體實施例中，儘管係由一孔洞輸送層及一光線放 射層之雙層結構形成一場致發光層，但亦可使用一孔洞注 射層、一電子注射層、或一電子輸送層等任一個。因此， 已出現各種組合之範例且可使用任一種該結構。 在本具體實施例中係藉一印刷法形成聚合物母體之聚 四氫塞吩苯撐並且藉加熱將其轉換爲寧乙烯撐苯而作爲孔 洞輸送層。光線放射層之材料係使用一蒸發法將3 0至 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 l· ·1 ϋ I-^-rej· 1 i_i ϋ i-i ϋ 1 ϋ I · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） .42 512543 A7 B7 ___ 五、發明說明（4〇) 40%之1，3，4 一噁二唑衍生物之PBD藉分子擴散 至聚乙烯卡唑中而得，且加入大約1%之香豆素6作爲綠 色光線放射之核心。 儘管保護電極3 5 2可保護場致發光層3 5 0抵抗水 份或氧，然較佳地係提供一第三鈍化膜3 5 3。在此具體 實施例中，第三鈍化膜3 5 3係一厚度爲3 0 0毫微米之 氮氧化矽膜。該第三鈍化膜亦於形成保護電極3 5 2後在 不接觸空氣下連續地形成。當然，可使用相同於圖2中第 三鈍化膜5 0者之材料製作第三鈍化膜3 5 3。 此外，保護電極3 5 2係防止銀化鎂（M g A g )電 極3 5 1氧化且一般係主要成份包含有鋁之一金屬膜，當 然亦可使用其他材料。由於場致發光層3 5 0及銀化鎂（ MgAg )電極3 5 1抗水份能力非常弱，因此需製作使 之不接觸空氣的連續結構保護膜3 5 2以防止場致發光層 接觸外部空氣。 附帶地，場致發光層3 5 0之適當厚度係1 0至4 0 毫微米（通常爲6 0至1 6 0毫微米，較佳地爲1 0 0至 200毫微米），且銀化鎂（MgAg)電極351之厚 度爲80至200毫微米（通常爲100至150毫微米 )° 如此即完成一具有圖6 C所示結構之主動矩陣型場致 發光顯示裝置。本具體實施例中之主動矩陣型場致發光裝 置中，具有一理想結構之薄膜電晶體不僅設於像素部中且 亦設於驅動電路部中而得以獲致高可靠度並且亦可改善其 (請先閱it·背面之注意事項再填寫本頁) 裝 — 訂-！ !1!· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） •43· 512543 A7 B7 五、發明說明（41) 操作特徵。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 首先，一具有可減少熱載子注射而不致大幅降低其操 作速度之結構的薄膜電晶體係作爲一形成驅動電路之互補 金屬氧化物半導體電路的η —通道薄膜電晶體2 0 5。附 帶地，該驅動電路包括一移位暫存器、一緩衝器、一位準 偏移器、一取樣電路（取樣及保持電路）及相似物。若使 用數位式驅動電路時亦可包括一譬如數位/類比X D / A )轉換器之信號轉換電路。 在本具體實施例中，如圖6 C中所示之η -通道 2 0 5的主動層包括一源極區3 5 5、一汲極區3 5 6、 一 LDD區357及一通道結構區358，且LDD區 3 5 7與閘極電極3 1 3重疊並將閘極絕緣膜3 1 1置於 該兩者之間。 因考慮到不使操作速度降低因而僅於汲極區側形成 L DD區。在該η -通道薄膜電晶體2 0 5中無需特別在 意一開路電流値，反而更應重視其操作速度。是以，需製 作LDD區3 5 7完全重疊閘極電極以將電阻降至最小。 即，較佳地係消除所謂之偏置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在互補金屬氧化物半導體電路之Ρ —通道薄膜電晶體 2 0 6中因爲由熱載子注射造成之退化幾乎可忽略而無需 特別提供一 L D D區。當然，亦可如同η —通道薄膜電晶 體2 0 5 —般地提供一 LDD區以對抗熱載子。 附帶地，驅動電路中之一取樣電路相較其他電路而言 較爲特殊，且一通過一通道結構區之大電流係沿兩方向流 -44 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 512543 A7 _____B7___ 五、發明說明（42) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 動。亦即，一源極區與一汲極區之作用係可互換。更，需 將一開路電流値降至最低，即需將一具有近似中間功能之 薄膜電晶體設於開關薄膜電晶體與電流控制薄膜電晶體之 間。 是以，一形成取樣電路之一 η —通道薄膜電晶體需設 置一具有如圖1 〇中所示結構之薄膜電晶體。圖1 〇中顯 示LDD區9 0 1 a及9 0 1 b係部份地與一閘極瞿極 9 0 3重疊且將一閘極絕緣膜9 0 2置於其間。其效應係 如上述之電流控制薄膜電晶體2 0 2，而不同點在於取樣 電路中之LDD區9 0 1 a及9 0 1 b係置於一通道結構 區9 0 4兩側。 事實上，當完成圖6 C之狀態後，較佳地係藉由譬如 一具有高度氣密性且無需抽去氣體之保護膜（積層膜、紫 外線硬化樹脂膜等）或一陶瓷密封的一包覆構件來加以封 裝（密封）以防止暴露於外部空氣中。同時，當包覆構件 內係鈍性氣體或將一水份吸收劑（譬如氧化鋇）設於內部 時即可改善場致發光層之可靠度（使用壽命）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉譬如封裝之製程提升氣密性後將再連接一連接器（ 撓性印刷電路：F P C )以完成一產品，其中該連接器係 用於連接一自元件或形成於基底上之電路延伸至一外部信 號端子的端子。本說明書中將具有這種可方便貨運之狀態 的場致發光顯示裝置稱之爲一場致發光模組。 在此，本具體實施例之主動矩陣型場致發光顯示裝置 之結構將參考圖7之一透視圖說明之。本具體實施例之主 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） .45- 512543 A7 B7 五、發明說明（43) 動矩陣型場致發光顯示裝置係由一形成於玻璃基底6 0 1 上之像素部602、一閘極側驅動電路603、及一源極 側驅動電路6 0 4構成。一像素部之開關薄膜電晶體 6 0 5係一 η -通道薄膜電晶體且係設於一連接至閘極側 驅動電路6 0 3的閘極架線6 0 6與一連接至源極側驅動 電路6 0 4的源極架線6 0 7之父叉點處。開關薄膜電晶 體6 0 5之汲極係連接至一電流控制薄膜電晶體6 0 8之 閘極。 更，電流控制薄膜電晶體6 0 8之源極係連接至一電 流供應線路6 0 9，且一場致發光元件6 1 0係連接致電 流控制薄膜電晶體6 0 8之源極。 用於傳輸信號至驅動電路之輸入架線（連接架線） 6 1 2與6 1 3及一連接至電流供應線路6 0 9之輸入架 線6 1 4係設於一撓性印刷電路6 1 1中作爲一外部輸入 端子。 一圖7中顯示之場致發光顯示裝置的電路結構係示於 圖8中。本具體實施例之場致發光顯示裝置包括一源極側 驅動電路7 0 1、一閘極側驅動電路（A ) 7 0 7、一閘 極側驅動電路（B ) 7 1 1、及一像素部7 0 6。附帶地 ，本說明書中之「驅動電路」一詞係包括源極側驅動電路 及閘極側驅動電路之統稱。 源極側驅動電路7 0 1具有一移位暫存器7 0 2、一 位準偏移器70 3、一緩衝器704、及一取樣電路（取 樣及保持電路）705。閘極側驅動電路（A) 707具 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） · 46 · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 il· I ϋ I 一：I I n I— ·1 ϋ mai n I · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 512543 A7 B7 五、發明說明（44) 有一移位暫存器708、一位準偏移器709、一緩衝器 7 1 0。閘極側驅動電路（B ) 7 1 1亦具有相同結構。 在此，移位暫存器7 0 2及7 0 8分別具有5至1 6 伏特（通常爲1 0伏特）之驅動電壓，且圖6 C中代碼 2 0 5指示之結構適合於一形成該電路之互補金屬氧化物 半導體電路的η -通道薄膜電晶體。 此外，每一位準偏移器7 0 3與7 0 9及緩衝器 7 0 4與7 1 0皆相似於移位暫存器一般地適合使用包括 圖6 C之η-通道薄膜電晶體2 0 5的互補.金屬氧化物半 導體的互補金屬氧化物半導體電路。附帶地，亦可將一閘 極架線製成一譬如爲雙極閘極結構或三重閘極結構之多重 閘極結構以有效改善每一電路之可靠度。 此外，由於源極區與汲極區倒置並且需減少一開路電 流値，因此一包括圖1 0中η -通道薄膜電晶體2 0 8之 互補金屬氧化物半導體電路將適合於取樣電路7 0 5。 像素部7 0 6係設置具有圖2中所示結構的像素。 可依據圖4 Α至圖6 C中所示之製造步驟來製造薄膜 電晶體即可輕易地達成上述步驟。在本具體實施例中，儘 管只顯示出像素部與驅動電路之結構，但若使用本具體實 施例之製造步驟，則亦可形成一除驅動電路以外譬如一信 號劃分電路、一數位/類比（D/A)轉換信號、一運算 放大器電路、一 r -修正電路或同一基底上之相似物等邏 輯電路，且更可形成一記億體部、一微處理器部或相似物 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝—--^! — 訂·--— ——I! 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 47 512543 A7 B7 五、發明說明（45) 更’將參考圖1 1 A及圖1 1 B說明一包括一包覆構 件在內之本發明具體實施例的場致發光模組。附帶地，若 有需要時亦可引用圖7及圖8中使用之參考代碼。 % 一像素部1 7 0 1、一源極側驅動電路1 702、及 一閘極側驅動電路1 7 0 3係形成於一基底（包括一薄膜 電晶體下方之底膜）1 7 0 0上。來自各驅動電路之複數 架線經過輸入架線6 1 2至6 1 4引至一撓性印刷屬路 6 1 1而連接至一外部設備。 此時’一包覆構件1 7 0 4係至少包圍像素部，較佳 地則包圍驅動部及像素部。包覆構件1 7 〇 4之外型係具 有一其內尺寸（深度）大於像素部1 7 0 1外尺寸（高度 )之凹部或係一薄板型，並且係藉一黏著劑i 7 〇 5固定 至基底1 7 0 0以配合基底1 7 0 0形成一氣密空間。同 時’場致發光元件係處於一完全密封在該氣密空間中且完 全除去外部空氣之狀態。附帶地，亦可提供複數包覆構件 1 7 0 4。 一譬如爲玻璃或聚合物等絕緣材料可較佳地作爲包覆 構件1 7 0 4。譬如非結晶玻璃（硼一矽酸鹽玻璃、石英 等）、結晶玻璃、陶瓷玻璃、有機樹脂（丙烯氰樹脂、苯 乙烯樹脂、聚碳酸鹽、環氧樹脂等）、及矽樹脂等。此外 ，亦可使用陶瓷。倘若黏著劑1 7 0 5係一絕緣材料，則 其亦可使用譬如一不鏽合金等金屬材料。 一環氧樹脂、一丙烯酸鹽樹脂、荜相似物之黏著劑可 作爲一黏著劑1 7 0 5。更，亦可使用熱固性樹脂或光硬 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · I I I l· I I I 訂-！ !1!· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -48· 512543 A7 _____B7___ 五、發明說明（46) 化樹脂作爲黏著劑。然而，需使用這類材料來儘可能地阻 止氧及水份滲透。 更’需於包覆構件與基底1 7 0 0之間的一空間 1706內充滿一鈍性氣體（氬氣、氨氣、氮氣等）。除 氣體以外，亦可使用一鈍性液體（液體氟化碳，典型地爲 全氟烷撐等）。關於此鈍性氣體係可應用日本專利申請公 告第Hei 8—78159號案中使用之材料。。 在空間1 7 0 6中提供一乾燥劑以亦具有效益。可使 用曰本專利申請公告第He i 9 — 148066號案中 揭露之一材料作爲乾燥劑，一般而言係使用氧化鋇。 此外，圖1 1 B顯示設置於一像素部中之複數像素且 其中每一個皆包括互相隔離之場致發光元件，並且所有之 像素皆包括一保護電極1 7 0 7作爲一共同電極。在此具 體實施例中，儘管已說明較佳地係連續形成場致發光層、 陰極（銀化鎂（Mg Ag )電極）及保護電極而不使其接 觸空氣，但只有當使用相同掩模構件形成場致發光層及陰 極並且使用一不相同之掩模構件形成保護電極時才得以實 現圖1 1 B之結構。 此時，僅於像素部上形成場致發光層及陰極且無需設 於驅動電路上。當然設於驅動電路上並無造成問題之虞， 但若考慮包括於場致發光層中之鹼金屬後，較佳地仍以不 設置爲宜。 附帶地，保護電極1 7 0 7係在區域1 7 0 8中連接 至一輸入架線1 709。輸入架線1 709係一提供預設 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） _ 49 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝—·ιι丨-訂·！_丨—丨- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 512543 A7 ____B7______ 五、發明說明（47) 電壓（本具體實施例中係指大地電位，具體而言即〇伏特 )予保護電極1 7 0 7且係經由一導電糊狀材料1 7 1 0 而連接至撓性印刷電路6 1 1。 在此將參考圖1 2Α至圖1 2 C來說明實現一區域 1708中接觸結構之製造步驟。 首先，依據本具體實施例之步驟達成圖6 Α之狀態， 此時將於基底一端部（圖1 1 B中代碼1 7 0 8所指示之 區域）移除第一中間層絕緣膜3 3 6及閘極絕緣膜3 1 1 並且形成一輸入架線1709。當然，同時亦形成圖6A 中之源極架線與汲極架線（圖12A)。 其次，在圖6B中，當蝕刻第二鈍化膜348、第二 中間層絕緣膜3 4 7、及第一鈍化膜3 4 4時將移除代碼 1801所指示之區域且形成開口部1802 (圖12B )° 在此狀態中，將於像素部內實施一場致發光元件形成 步驟（一像素電極、一場致發光層及一陰極之形成步驟） 。此時在圖1 2 B所示之區域中係使用一掩模構件而不致 形成場致發光元件。形成一陰極3 5 1後將使用另一掩模 構件來形成一保護電極3 5 2。藉此，保護電極3 5 2與 輸入架線1 7 0 9即可電氣連接。更，提供一第三鈍化膜 3 5 3以達成圖1 2 C所示之狀態。 經過上述步驟即可實現圖1 1 B中代碼1 7 0 8所示 之區域。輸入架線1 7 0 9係一通過一介於包覆構件 1 7 0 4與基底1 7 0 0之間的間隙而連接至撓性印刷電 —.---------裝-----^ — — — 訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 -50- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 512543 A7 ---- B7_ 五、發明說明（4S) 路6 11 (然而，該間隙中充滿黏著劑1 705，即黏著 劑1 7 0 5需具有一足以將輸入架線造成之不平整平坦化 的厚度）。附帶地，儘管在此僅針對輸入架線1709說 明之，然其他之輸出架線6 1 2至6 1 4亦將以相同方式 通過包覆構件1 7 0 4下方處而連接撓性印刷電路6 1 1 〇 〔第二具體實施例〕 本具體實施例中將參考圖1 3來說明一不同於圖3 B 中所示結構之像素結構的範例。. 在本具體實施例中，圖3 B所示之兩像素係相對一電 流供應線路2 1 2互相對稱，即圖1 3中係由兩相鄰像素 共用一電流供應線路2 1 2而減少所需之架線數量。附帶 地，安排於像素中之一薄膜電晶體結構或相似物則保持不 變〇 若採用這種結構則可製造一更精細之像素部且改善一 影像品質。 附帶地，可依據第一具體實施例之製造步驟輕易地完 成該具體實施例之結構，而有關薄膜電晶體之結構則可參 考第一具體實施例或圖2中之說明。 〔第三具體實施例〕 在本具體實施例中將參考圖14苹說明一具有不同於 圖2中所示之結構的像素部。附帶地，可依據第一具體實 -I 1-— — — — — — — — — — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本.紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） .51 - 512543 A7 B7 五、發明說明（49) 施例執行一形成一第二中間層絕緣膜4 4之步驟。由於第 二中間層絕緣膜4 4所覆蓋之一開關薄膜電晶體2 0 1與 一電流控制薄膜電晶體2 0 2具有相同於圖1中所示之結 構，因此不再贅述。 本具體實施例中，當形成一貫穿第二鈍化膜4 5、第 二中間層絕緣膜4 4及第一膜4 1之接觸孔後將形成一像 素電極5 1，並且再形成一陰極5 2及一場致發光層5 3 。在本具體實施例中係於藉真空蒸發法形成陰極5 2後， 再於仍保持爲乾燥鈍性氣體之大氣中藉使用圖1中所示之 分配器的塗敷步驟形成場致發光層5 3。 在本具體實施例中係使用一厚度爲1 5 0毫微米之鋁 合金膜（包含1重量百分比（lwt%)鈦之金屬膜）製 作像素電極5 1。儘管只要爲一金屬之任何材料皆可作爲 一像素電極之材料，但仍以具有高反射性之材料爲佳。一 厚度爲1 2 0毫微米之銀化鎂（MgAg )電極可作爲陰 極52，且場致發光層53之厚度則爲70毫微米。 本具體實施例中之一場致發光材料係將3 0至4 0% 之1，3，4 一噁二唑衍生物之PBD藉分子擴散至聚乙 烯卡唑中且加入大約1 %之香豆素6作爲光線放射之核心 而得，並且該場致發光材料係混合入哥羅仿中而製成場致 發光形成材料。場致發光形成材料係藉由使用分配器之塗 敷步驟塗佈之並且實施一烘乾處理以獲致一厚度爲5 0毫 微米之絕緣光線放射層。藉一蒸發法玲其上形成一厚度爲 7 0毫微米之TPD而得以完成場致發光層5 3。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · I I — l· I I I 訂.！ ' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 52 512543 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _____Β7____五、發明說明（5〇) 其次，一由一透明導電膜（本具體實施例中係氧化銦 一錫（I TO)膜）製成之陽極5 4將形成爲1 1 0毫微 米厚，如此即形成一場致發光元件2 0 9，且藉第一具體 實施例所示之材料形成一第三鈍化膜5 5後即完成具有圖 1 4所示結構之像素。 採用本具體實施例之結構時，每一像素中產生之綠色 光線將輻射至形成有薄膜電晶體之基底的相對側2是以， 幾乎像素所有之區域，且即使於形成薄膜電晶體之區域處 亦可作爲一有效之光線放射區。結果可大幅.增加像素之有 效光線放射面積並且提供一影像之亮度及對比（光線對陰 暗之比）。 附帶地，本具體實施例之結構可任意地結合第一及第 二具體實施例。 〔第四具體實施例〕 儘管第一至第二具體實施例已說明者係頂部閘極型薄 膜電晶體，然本發明並不以此薄膜電晶體結構爲限，且可 應用於一底部閘極型薄膜電晶體（典型地係倒置交錯型） 。此外，可藉任何方法來形成倒置交錯型薄膜電晶體。 由於倒置交錯型薄膜電晶體之結構可輕易地使用較頂 部閘極型薄膜電晶體者少的步驟數製造之，因此能夠有效 地減少製造成本，此即爲本發明之目的。附帶地，本具體 實施例之結構可任意地結合第二及第三具體實施例中之任 何結構。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 • a— §t MMmm i__i i··· l 一-0, 1 -ϋ i ϋ ϋ aa_i · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） .53 512543 A7 B7 五、發明說明（51) 〔第五具體實施例〕 使用一相似於第二鈍化膜4 5之具有高熱輻射效能之 材·料作爲形成於第一具體實施例之圖6 C或圖2的結構中 介於主動層與基底之間的基礎膜。特別是大電流通過電流 控制薄膜電晶體終將輕易地產生熱量而使自我生熱造成之 退化成爲一問題。藉使用第五具體實施例之具有熱輻射效 能之基礎膜將可防止這種薄膜電晶體之熱退化。 防止可動離子自基底擴散出之能力亦非常重要，因此 較佳地當然應使用一包含有矽（Si)、鋁（A1)、氮 (N)、氧（0)、及Μ之化合物的積層結構及一相似於 第一鈍化膜41之含矽元素絕緣膜。 應注意到亦可任意地結合第五具體實施例之結構與第 一至第四具體實施例之結構。 〔第六具體實施例〕 當使用第三具體實施例所示之像素結構時，由場致發 光層放射出之光線係沿著相對於基底之方向輻射而無需注 意譬如存在於基底與像素電極之間的絕緣膜等材料之透光 性。換言之，亦可使用具有較低透光性之材料。 因此較優地係使用一譬如爲一鑽石薄膜或一非結晶碳 膜之薄膜作爲基礎膜1 2、第一鈍化膜4 1或第二鈍化膜 4 5。換言之，因無需擔憂較低之透光性，因此薄膜厚度 可較厚而設定爲1 0 0至5 0 0毫微米之間且可能具有一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） · 54 · (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

1 ϋ ai al· ϋ n ϋ I 1 ϋ 1 ϋ ϋ 1 I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 512543 A7 _ B7_____ 五、發明說明（52) 較高之熱輻射效能。 關於第三鈍化膜5 0上方碳膜之使用應注意到避免降 低其透光性，因此較佳地係設定薄膜厚度介於5至1 0 0 毫微米之間。 注意在第六具體實施例中，當一碳膜用於基礎膜1 2 、第一鈍化膜4 1、第二鈍化膜4 5及第三鈍化膜5 0中 任一個時應使用另一絕緣模製成積層薄膜。 - 此外，第六具體實施例在使用第三具體實施例中所示 之像素結構時特別有用，但亦能夠任意地將第六具體實施 例之結構結合第一、第二、第四及第五具體實施例之結構 〔第七具體實施例〕 場致發光顯示裝置之像素的開關薄膜電晶體中開路電 流量將藉使用一多重閘極結構之開關薄膜電晶體而得以減 少，且本發明之特徵係其無需一儲存電容器。該裝置即可 充分利用原保留予儲存電容器用之表面積來作爲一放射區 域。 然而，即使無法完全消除儲存電容器，藉縮小其獨佔 之表面積仍可達成增加一有效放射表面積之效果。換言之 ，可藉使用一多重閘極結構之開關薄膜電晶體來減少開路 電流値或僅藉縮小儲存電容器獨佔之表面積而充分地達成 本發明之目的。 此時係相對於開關薄膜電晶體2 0 1之汲極而將一儲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） «55- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 • ϋ I 1 ml· temm mmmmm I 訂---------· 512543 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_____五、發明說明（53) 存電容器1 4 0 1與電流控制薄膜電晶體2 0 2並聯設置 〇 應注意可任意地將第七具體實施例之結構結合第一至 第六具體實施例之任何結構。即，一儲存電容器僅形成於 一像素內而不致限制薄膜電晶體之結構、場致發光層之材 料等。 、 〔第八具體實施例〕 第一具體實施例中之結晶矽膜3 0 2係使用雷射結晶 化法形成，使用其他結晶方法者將於第八具體實施例中說 明之。 在第八具體實施例中，形成一非結晶矽膜後將使用一 曰本專利申請公告第He i 7 — 130652號案中紀 錄之技術實施結晶化。紀錄於上述專利申請案中之技術係 藉譬如鎳作爲一促進結晶化之觸媒而得以獲致一具有良好 結晶性之結晶矽膜。 更，完成結晶化製程後需再執行一將結晶化時所使用 之觸媒移除的製程。在此係使用一紀錄於日本專利申請公 告第He i 10 - 270363號案或日本專利申請公 告第He i 8 — 330602號案中之技術來收集觸媒 〇 此外，可使用本發明申請人擁有之日本專利申請公告 第He i 1 1 — 076967號案昀說明書中所紀錄之 技術來形成一薄膜電晶體。 本^張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公漦Γ Γ56 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 I i_i Mmmm l· I I I — — — — —— — — 512543 A7 B7 五、發明說明（54) 第一具體實施例所示之製程係本發明之一種具體實施 例，倘若其可實現第一具體實施例之圖2或圖6 C的結構 ，則亦可使用上述之其他製程而不致產生任何題。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 注意可任意地將第八具體實施例之結構結合第一至第 七具體實施例之任何結構。 〔第九具體實施例〕 > 在驅動本發明之顯示裝置方面，一影像信號爲一類比 信號時係實施類比式驅動，使用一數位信號時則實施數位 式驅動。 實施類比式驅動時將送出類比信號之至一開關薄膜電 晶體之一源極架線，且包含色階資訊之類比信號將成爲一 電流控制薄膜電晶體之閘極電壓。電流控制薄膜電晶體即 可控制通過一場致發光元件之電流而得以控制場致發光元 件之光線放射強度且得以實施色階顯示。注意該電流控制 薄膜電晶體在實施類比式驅動時係操作於一飽和區。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另一方面，實施數位式驅動時係以不同於類比式色階 顯示的時間比率色階方法來實施色階顯示。即藉由調整光 線放射時間之長度使視覺上看出之彩色色階有所變化。實 施數位式驅動時，電流控制薄膜電晶體較佳地係操作於線 性區。 場致發光元件相較於一液晶元件而言係具有一極快速 之反應速度，因此場致發光元件係非常適合於使用比率法 者，其中一禎視係分割爲複數個次禎視而得以實施色階顯 -57- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t) 512543 A7 B7 i、發明說明（55) 示。 本發明係一有關於該元件結構之技術，因此任何驅動 方法皆可使用。 〔第十具體實施例〕 第一具體實施例中較佳地係使用一有機場致發光材料 製作一場致發光層，但本發明亦可藉一非有機場致發光材 料實施之。然而，現今之非有機場致發光材料具有極高之 驅動電壓，因而一具有電壓阻抗特性而抵制驅動電壓之薄 膜電晶體則必須使用於實施類比式驅動之場合中。. 另，倘若發展出新式非有機場致發光材料，其驅動電 壓係低於傳統非有機材料者，則亦可應用於本發明中。 更，注意可任意地將第十具體實施例之結構結合第一 至第九具體實施例之任何結構。 〔第十一具體實施例〕 藉實施本發明而形成之一主動矩陣型場致發光顯示裝 置（場致發光模組）係一自我放射型裝置，因此其在明亮 位置處具有較一液晶顯示爲優之能見度。是以，其可爲具 有一寬使用範圍之直視型場致發光顯示器（係指一結合一 場致發光模組之顯示器）。 一寬廣之視角係場致發光顯不器優於一液晶顯示器的 一優點。本發明之場致發光顯示器可作爲一對角線3 0英 吋或更大（通常爲4 0英吋或更大）之顯示器（顯示監視 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 1· ϋ «ϋ l·· ϋ ϋ ϋ 一 δ， n n _1 I ϋ n ϋ · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 512543 A7 B7 五、發明說明（56) 器）以藉大螢幕觀賞電視節目。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 更，其不僅在這種場合中可作爲場致發光顯示器（譬 如一個人電腦監視器、一電視節目收視監視器、或一廣告 展示監視器），其亦可用於各種電子裝置之顯示器。 以下將提出這類電子裝置之範例：一攝影機、一數位 照相機、一眼鏡型顯示器（頭戴式顯示器）、一汽車巡航 系統、一個人電腦、一可攜式資料終端機（譬如二行動電 腦、一行動電話、或一電子書）、及一使用一紀錄媒體之 放影裝置（特別係指一可放影一紀錄媒體並且具有一顯示 該影像用之顯不器者，譬如一光碟（C D )、一雷射光碟 (LD)、或一數位影音光碟（DVD))。這些電子裝 置之範例將示於圖1 6A至圖1 6 F中。 圖1 6A係一個人電腦，其包括一主機體2 0 0 1、 一外殼2002、一顯示部2003、及一鍵盤2004 。本發明係可用於顯示部2 0 0 3中。 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 圖16B係一攝影機，其包括一主機體2101、一 顯示部2 1 02、一聲音輸入部2 1 03、複數操縱開關 2 1 0 4、一電池2 1 0 5、及一影像接收部2 1 0 6。 本發明係可用於顯示部2 1 0 2中。 圖1 6 C係一頭戴式場致發光顯示器（右手側）之一 部，其包括一主機體2201、一信號線2202、一繫 帶2203、一顯示監視器2204、一光學系統 2 2 0 5及一顯示裝置2 2 0 6。本發明係可用於顯示裝 置2 2 0 6中。 -59- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 512543 A7 B7 五、發明說明（57) 圖1 6 D係一具有一紀錄媒體之放影裝置（特別係一 數位影音光碟放影裝置），其包括一主機體2301、一 紀錄媒體（一光碟、一雷射光碟、或一數位影音光碟） 2302、複數操縱開關2303、一顯示部（a) 2304及一顯示部（b) 2305。顯示部（a)主要 係用於顯示影像資訊而影像部（b )主要係用於顯示文字 資訊，本發明則可用於影像部（a )及影像部（b )中。 注意本發明亦可作爲一具有紀錄媒體之放影裝置，譬如一 光碟放影裝置及遊戲設備。 圖16E係一行動電腦，其包括一主機體240 1、 一照相機部2402、一影像接收部2403、複數操縱 開關2 4 0 4、及一顯示部2 4 0 5。本發明係可用於顯 示部2 4 0 5中。 圖16 F係一場致發光顯示器，其包括一機體 2501、一支持座2502、及一顯示部2503。本 發明係可用於顯示部2 5 0 3中。由於場致發光顯示器具 有大視角，因此其特別有利於大螢幕，且適合於一對角線 大於或等於10英吋（特別係大於或等於3 0英吋者）之 顯示器。 更，倘若未來場致發光材料之放射明視度更爲提高， 則本發明將可用於一前射型或一後射型投影機。 本發明之應用範圍極爲廣泛，且可能將本發明應用於 所有電子裝置。更，第十一具體實施例中之電子裝置可藉 第一至第十具體實施例之任何組合中的結構實現之。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ml· I ·1-· ·ϋ^aJ· i_i i_i ·ϋ MmMm ϋ ϋ ι 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） - 512543 A7 B7_____ 五、發明說明（5β) 如上所述，藉由本發明即可使用極低成本製作場致發 光層結構。如此將可減少場致發光顯示裝置之製造成本。 此外，藉由在場致發光層與薄膜電晶體之間提供能夠 防止鹼金屬滲透之絕緣膜即可避免鹼金屬自場致發光層薄 膜擴散出且避免對薄膜電晶體之特性造成不良影響。因此 可大幅改善場致發光顯示裝置之操作特性及可靠度。 此外，藉使用一低製造成本之場致發光顯示裝置作爲 一顯示器即可降低一電子裝置之製造成本。此外，藉使用 一操作特性及可靠度皆已改善之場致發光顯示裝置即可製 造一具有極佳畫質及耐久性（高可靠度）之應用產品（電 子裝置）。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -61 -

Claims (1)

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   六、申請專利範圍 第891 1 1 1 72號專利申請案 中文.申g靑專利範圍修正本 民國91年6月修正 1 _ 一種電裝置的製造方法，包括：形成複數像素電 極’各像電極係形成在基底之上；塗佈一場致發光材料於 複數像素電極上，其中使用一分配器塗佈場致發光形成材 2 · —種電裝置的製造方法，包括：形成複數像素電 極’各像電極係形成在基底之上；塗佈一場致發光材料於 複數像素電極上，其中使用一分配器線性地塗佈場致發光 形成材料。 3 · —種電裝置的製造方法，該方法之步驟包括： 於一基底之一表面上形成複數半導體元件； 形成複數像素電極且其中每一個皆連接至每一該複數 半導體元件；及 於該複數像素電極上塗佈一場致發光形成材料，其中 該場致發光形成材料係使用一分配器塗佈之。 4 · 一種電裝置的製造方法，該方法之步驟包括： 於一基底之一表面上形成複數半導體元件； 形成複數像素電極且其中每一個皆連接至每〜該複數 半導體元件；及 於該複數像素電極上塗佈一場致發光形成材料且在涂 佈該場致發光形成材料後加熱該場致發光形成材料，其中 該場致發光形成材料係使用一分配器塗佈之。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（210><297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 %·. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 512543 Α8 Β8 C8 D8 經齊部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 5 · —種電裝置的製造方法，該方法之步驟包括： 於一基底之一表面上形成複數半導體元件； 成複數像素電極且其中每—*個皆連接至每一^該複數 半導體元件； 於該複數像素電極上形成一第一場致發光材料；及 於該第一場致發光材料上藉一氣相成長而形成一第二 場致發光材料，其中該第一場致發光材料係藉使用一分配 器塗佈一場致發光形成材料而形成之。 δ · —種電裝置的製造方法，該方法之步驟包括： 於一基底之一表面上形成複數半導體元件； 形成複數像素電極且其中每一個皆連接至每一該複數 半導體元件； 於該複數像素電極上形成一第一場致發光材料；及 於該第一場致發光材料上藉一氣相成長而形成一第二 場致發光材料，其中該第一場致發光材料係藉塗佈一場致 發光形成材料後再加熱該場致發光形成材料而形成之。 7 ·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該場致 發光形成材料係一場致發光材料與一溶劑之一混合物。 8 ·如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該場致 發光材料係一有機化合物。 · 9 ·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該場致 發光形成材料係藉由設於一充滿一鈍性氣體之淸潔室中的 s亥分配器塗佈之。 - 1 0 ·如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該場 ~ : (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 Ρ. 本紙張尺度賴巾賴家轉（CNS) Α4· (21GX297公董） i S8s 六、申請專利範圍 一 致發光形成材料係線性地塗佈之。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、、/ 、如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該場 忒發光形成材料係一場致發光材料與一溶劑之一混合物。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項所述之方法，其中該 場致發光材料係一有機化合物。 1 3 ·如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該場 A發光形成材料係藉由設於一充滿一鈍性氣體之淸潔室中 的該分配器塗佈之。 1 4 ·如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該場 忒發光形成材料係一場致發光材料與一溶劑之一混合物。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項所述之方法，其中該 場致發光材料係一有機化合物。 1 6 _如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該場 致發光形成材料係藉由設於一充滿一鈍性氣體之淸潔室中 的該分配器塗佈之。 1 7 ·如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該場 致發光形成材料係一場致發光材料與一溶劑之一混合物。. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 8 ·如申請專利範圍第i 7項所述之方法，其中該 ^成發光材料係一有機化合物。 1 9 ·如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該場 @發光形成材料係藉由設於一充滿一鈍性氣體之淸潔室中 的該分配器塗佈之。 2 〇 ·如申請專利範圍第4項所述之方法，‘其中該場 致發光形成材料係線性地塗佈之。 本紙張尺度適用中國國家檩準（CNS )八4祕（21〇χ 297公们 _ 3 .

   512543 申請專利範圍 、2 ::如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該場 忒發光形成材料係一場致發光材料與一溶劑之一混合物。 2 2 ·如申請專利範圍第2 1項所述之方法，其中該 場致發光材料係一有機化合物。 ^ 、如申專利範圍第5項所述之方法，其中該場 玫發光形成材料係藉由設於—充滿一鈍性氣體之淸潔室中 的該分配器塗佈之。 2 4 ·如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該場 致發光形成材料係線性地塗佈之。 2 5 ·如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該場 或發光Jt/成材料係一場致發光材料與一溶劑之一混合物。 2 6 ·如申請專利範圍第2 5項所述之方法，其中該 場致發光材料係一有機化合物。 2 7 ·如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該場 致發光形成材料係藉由設於一充滿一鈍性氣體之淸潔室中 的該分配器塗佈之。 2 8 ·如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該學 致發光形成材料係線性地塗佈之。 2 9 ·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該電 致發光形成材料塗佈成點狀。 3 〇 ·如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該電 致發光形成材料塗佈成點狀。 3 1 ·如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該電 致發光形成材料塗佈成點狀。 本紙張尺度適用中_家襟準（CNS ) ^祕（21GX297公瘦）.4- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 512543 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 3 2 _如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該電 致發光形成材料塗佈成點狀。 3 3 ·如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該電 致發光形成材料塗佈成點狀。 3 4 ·如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該電 致發光形成材料塗佈成點狀。 3 5 ·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該電 裝置選自由個人電腦，攝影機，頭戴式場致發光顯示器， 影像放影裝置’行動電腦，和場致發光顯示器所組成之群 之一。 3 6 .如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該電 裝置選自由個人電腦，攝影機，頭戴式場致發光顯示器， 影像放影裝置，行動電腦，和場致發光顯示器所組成之群 之一。 3 7 ·如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該電 裝置選自由個人電腦，攝影機，頭戴式場致發光顯示器， 影像放影裝置，行動電腦，和場致發光顯示器所組成之群 之一。 3 8 ·如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該電 裝置選自由個人電腦，攝影機，頭戴.式場致發光顯示器， 影像放影裝置’行動電腦，和場致發光顯示器所組成之群 之一。 3 .9 •如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該電 裝置選自由個人電腦’攝影機，頭戴式場致發光顯示器， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -%·. -J· I · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5 - 512543 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 影像放影裝置，行動電腦，和場致發光顯示器所組成之群 之~^ 0 4 0 ·如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該電 裝置選自由個人電腦，攝影機，頭戴式場致發光顯示器， 影像放影裝置，行動電腦，和場致發光顯示器所組成之群 之一。 41·一種電裝置之製造方法，包含： 使用一分配器形成第一場致發光形成材料，和 藉由蒸氣相成長而形成第一場致發光形成材料在第一 場致發光形成材料上。 42·—種電裝置之製造方法，包含： 使用一分配器線性的形成第一場致發光形成材料，.和 藉由蒸氣相成長而形成第二場致發光形成材料在第一 場致發光形成材料上。 4 3 ·如申請專利範圍第4 1項所述之方法，其中該 b或發光形成材料爲一场致發光材料和一溶劑之混合物。 4 4 ·如申請專利範圍第4 3項所述之方法，其中該 場致發光材料爲一有機化合物。 45·如申請專利範圍第41項所述之方法，其中該 場致發光形成材料在一充塡以一惰性.氣體之淸潔室中以以 分配器塗佈。 4 6 ·如申請專利範圍第4 2項所述之方法，其中該 場致發光形成材料爲一場致發光材料和一溶劑之混合物。 4 7 ·如申請專利範圍第4 6項所述之方法，其中該 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 %i. 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 512543 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 場致發光材料爲〜有機化合物。 4 8 ·如申請專利範圍第4 2項所述之方法，其中該 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 場致發光形成材料在一充塡以一惰性氣體之淸潔室中以以 分配器塗佈。 4 9 ·如申請專利範圍第4 1項所述之方法，其中該 場致發光形成材料以點狀塗佈。 5 0 ·如申請專利範圍第4 2項所述之方法，其中該 場致發光形成材料以點狀塗佈。 5 1 ·如申請專利範圍第4 1項所述之方法，其中該 電裝置選自由個人電腦’攝影機，頭戴式場致發光顯示 器’影像放影裝置，行動電腦，和場致發光顯示器所組成 之群之一。 5 2 ·如申請專利範圍第4 2項所述之方法，其中該 電致光學裝置選自由個人電腦，攝影機，頭戴式場致發光 顯示器，影像放影裝置，行動電腦，和場致發光顯示器所 組成之群之一。 53·—種電裝置之製造方法，包含： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 使用一分配器形成第一發光有機材料，和 藉由蒸氣相成長而形成第二發光有機材料在第一發光 有機材料上。 5 4 ·如申請專利範圍第5 3項所述之方法，其中該 第一發光材料使用分配器線性的形成。 5 5 .如申請專利範圍第5 3項所述之方法，‘其中該 第一發光材料在一充塡以一惰性氣體之淸潔室中以分配器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） 512543 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 形成。 5 6 ·如申請專利範圍第5 3項所述之方法，其中該 第一發光材料形成爲點狀。 5 7 .如申請專利範圍第5 3項所述之方法，進一步 包含之步驟爲： 加熱第一發光有機材料。 5 8 ·如申請專利範圍第5 3項所述之方法，其中該 電裝置選自由個人電腦，攝影機，頭戴式場致發光顯示 器，影像放影裝置，行動電腦，和場致發光顯示器所組成 之群之一。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8 _