TW512517B - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

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512517 A7 B7 五、發明説明（彳） (發明之技術領域） 本發明有關於半導體積體電路裝置之動作之安定化技 術，特別是適用於快閃記憶體之高精度之電源電壓水平之 檢出上有效之技術。 (發明之背景） 依本發明之檢討，例如快閃記憶體等之半導體積體電 路上設有：用於檢出做爲該半導體積體電路之動作電壓地 被供給之電源電壓水平，以資輸出檢出訊號之所謂電源電 壓檢出電路。 當電源之投入或電源電壓之降低時，電源電壓檢出電 路乃藉由某一水平以上之電源電壓，由而開始接納被輸入 於該半導體積體電路之外部輸入訊號，而當電源電壓之低 於某一水平時，該半導體積體電路裝置之內部電路即被復 位。 再者’電源電壓檢出電路乃由··以電阻，MOS ( Metal Oxide Semi conductor)電晶體所成之產生基準電壓之 電路，及將產生之基準電壓輸入於輸入部，依據此基準電 壓而檢出電源電壓之電壓水平之變換機所構成。 又關於此種半導體積體電路裝置之詳述之例子有， 1 9 9 5年6月1日株式會社工業調查會發行，大島雅先 編’ 「電子材料」6月號（第34卷第6號）p _ 32〜 P 3 7 ’在此文獻上記載有快閃記憶體之構成等。 惟經本發明人查出，在設於上述半導體積體電路裝置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智惡財產局員工消費合作社印製 -4 - 512517 A7 B7 五、發明説明（2 ) 之電源電壓檢出電路有下述之問題點。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 詳述之，由溫度條件所致之Μ〇S電晶體之驅動能力 ，流於電阻之電流以及在於變換機之邏輯閎値之變動，或 由製造程序之偏差所致之Μ 0 S電晶體之閾値，電阻値之 變動，而電源電壓之檢出水平上會發生偏差之問題存在。 又由於近年來之半導體積體電路裝置之電源電壓之低 電壓化，而檢出水平之偏差之大小已成爲無法忽視，有時 無法行正常動作有招至半導體積體電路裝置之誤動作之虞 (發明之槪說） 本發明之目的乃提供一種由減少溫度，製造程序等所 致之電源電壓之檢出水平之偏差，由而可提高可靠性之半 導體積體電路裝置。 本發明所揭示之發明中之代表性者之槪要簡單的說明 於下。 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 本發明之半導體積體電路裝置乃具備有：依據動作控 制訊號，而將雙載子電晶體之基極-射極間電壓爲基準電 壓而輸出之第1之基準電壓產生部，及由電源電壓而產生 檢出電壓之檢出電壓產生部，及依據動作控制訊號而將上 述第1基準電壓產生部所產生之基準電壓，與上述檢出電 壓產生部所產生之檢出電壓之電壓差予以差動放大，做爲 檢出訊號來輸出之訊號放大部所構成之電源電壓檢出手段 者0 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -5- 512517 A7 ___B7 五、發明説明（3 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又本發明之半導體積體電路裝置乃具備有：依據動作 控制訊號，而從使用了雙極性電晶體之帶隙型基準電壓源 而產生基準電壓之第2基準電壓產生部，及由電源電壓而 產生檢出電壓之檢出電壓產生部，及依據動作控制訊號， 而比較上述第2基準電壓產生部所產生之基準電壓與上述 檢出電壓產生部所產生之檢出電壓予以差動放大，做爲檢 出訊號而輸出之訊號放大部所成之電源電壓檢出手段所構 成者。 又本發明之半導體積體電路裝置，乃上述檢出電壓產 生部係由第1 ，第2電阻所成，於電源電壓與基準電位之 間，串聯的連接上述第1 ，第2電阻以分壓電源電壓以資 產生檢出電壓者。 又本發明之半導體積體電路裝置，乃在於上述檢出電 壓產生部，設置依據動作控制訊號動作控制上述檢出電壓 產生部之動作控制部者。 由上述在本案中所揭示之發明而可發揮之代表性之效 果簡單的說明如下： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (1 )依本發明時，以訊號放大部來差動放大，第1 基準電壓產生部所產生之基準電壓，與檢出電壓產生部所 產生之檢出電壓之差異，做爲檢出訊號而輸出所以可以減 少電源電壓水平之偏差，而高精度，安定的可以檢出也。 (2 )又依本發明時，以訊號放大部來差動放大，由 帶隙型基準電壓源之第2基準電壓產生部所產生之基準電 壓，與檢出電壓產生部所產生之檢出電壓之差，做爲檢出 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ ' 512517 A7 B7___ 五、發明説明（4 ) 訊號而輸出所以更能減少電源電壓水平之偏差，可以更高 精度，而安定的檢出也。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (3)又依本發明乃由上述（1) ，（2) ’而使半 導體積體電路裝置之動作更能安定化而提高可靠性也。 本發明之上述及其他目的以及新穎的特徵乃由本說明 書中之說明及附圖而更可淸楚也。 (發明之詳細的述說） 下面依圖詳細的說明本發明之實施形態。 本實施形態1中，快閃記憶體（半導體積體電路裝置 )1乃，如第1圖所示，設有邏輯控制器2，及輸入出控 制電路3。 邏輯控制器2乃將來自連接對方之微電腦等之主機所 輸入之控制用訊號暫時的收容，以資實施動作邏輯之控制 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，在於輸入出控制電路3中將被輸入，由主機所 輸入出之命令，外部地址，程序資料等各種訊號，而依據 控制訊號分別將命令，外部地址，資料輸出於各命令寄存 器4，地址寄存器5，資料寄存器/讀取放大器6。 又地址寄存器5連接有列地址緩衝器7及低地址緩衝 器8。這些列地址緩衝器7，低地址緩衝器8乃暫時的收 納由地址寄存器6所輸出之地址。 在列地址緩衝器7連接有，列地址譯碼器9，低地址 緩衝器8連接有低地址譯碼器1 0。列地址譯碼器9係依 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ " 512517 A7 B7 五、發明説明（5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 據由列地址緩衝器7所輸出之列地址而實施譯碼，低地址 譯碼器1 0即依據由低地址緩衝器8所輸出之低地址而實 施譯碼。 於邏輯控制器2，命令寄存器4，連接有控制電路 1 1，而以此控制電路1 1而控制資料寄存器/讀取放大 器6，高電壓產生電路1 2，以及核對電壓產生電路1 3 也。 高電壓產生電路1 2係產生，寫入及消去電壓，換言 之產生用做語線電位，位線電位，阱電位，源電位之高電 壓。 核對電壓產生電路1 3係產生使用於核對動作之核對 電壓。 再者，資料寄存器/讀取放大器6，列地址譯碼器9 ，低地址譯碼器1 0上連接有，可能實施電氣的資料之消 去/寫入，且在於資料之保存上不需要電源之快閃記憶體 組陣列1 4。快閃記憶體組陣列1 4乃記憶之最小單位之 記憶體組之有規則陣狀地被排列配置者。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 又，在於上述之高電壓產生電路1 2，核對電壓產生 電路1 3連接有資料寄存器/讀取放大器6，低地址譯碼 器1 0，以及快閃記憶體組陣列1 4，而供給規定之電壓 〇 控制電路1 1上連接有電源電壓檢出電路（電源電壓 檢出手段1 5，此電源電壓檢出電路1 5乃檢出快閃記憶 體1之動作電壓之電源電壓Vee之電壓水平，而將該結果 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 512517 A7 B7 五、發明説明（6 ) 做爲檢出訊號K地予以輸出。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 控制電路1 1乃直到從電源電壓檢出電路1 5而輸出 低水平之檢出訊號K爲止，將電源電壓V e C之水平判斷爲 低値而將內部電路予以復位。再者在於資料之消去中或寫 入中時，如果有輸出高水平之檢出訊號K，即接受它而控 制電路1 1即中止資料之消去，寫入等之實行中之處理。 接著，說明電源電壓檢出電路1 5之電路構成。 此電源電壓檢出電路1 5乃如第2圖所示，由基準電 壓產生部（第1基準電壓產生部）16及電源電壓檢出部 1 7所構成。 基準電壓產生部16乃產生基準電壓VREF，電源電 壓檢出電路1 7乃比較，該基準電壓產生部1 6所產生之 基準電壓VREF，與藉由電阻2 7，2 8而對於電源電壓 Vcc分壓所成之檢出電壓，當檢出電壓之變爲高於基準電 壓V R E F時，輸出低水平之檢出訊號K。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 基準電壓產生部1 6乃如第3圖所示，由電阻1 8， 雙極性N P N型之電晶體，以及N通道Μ ◦ S之電晶體2 〇所構成。 在於電阻1 8之一方之連接部供給有電源電壓V。c， 電阻1 8之另一方之連接部分別連接有電晶體1 9之集電 極· 基極。 此電晶體1 9之集電極將成爲基準電壓產生部1 6之 基準電壓VREF之輸出部。 電晶體1 9之發射極上連接有電晶體2 0之漏極端子 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9 - 512517 A7 B7 五、發明説明（7 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 。電晶體2 0之源極端子上連接有基準電位V S S ’而該閘 極能輸入起動訊號（動作控制訊號）W狀地予以連接。此 起動訊號W係自控制電路1 1所輸出，而在高水平時使電 源電壓檢出電路1 5活性化者。 再者，電晶體1 9係如第4圖所示，由於使用寄生雙 載子電晶體，因此在於C ( Complementary ) Μ〇S程序（ 三重阱構造）時不需要增加製程數的可以實現也。 電源電壓檢出部1 7係第2圖所示，由Ρ通道M〇S 之電晶體21 ，22 ，N通道M〇S電晶體23〜26 ， 電阻27，28及變換機29所構成。由電阻27，28 而構成檢出電壓產生部K S。而以電晶體2 1〜2 5來構 成差動放大電路（訊號放大部）SA。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於電晶體2 1 ，2 2之一方之連接部及電阻（第1電 阻）2 7之一方之連接部供給有電源電壓V c c。電晶體 2 1之另一方之連接部即連接有電晶體2 3之另一方連接 部。電晶體2 2之另一方之連接部即連接有電晶體2 4之 一方之連接部。電晶體2 1 ，2 2之閘極即連接有電晶體 2 2之另一方之連接部。 電晶體2 3 ，2 4之另一方之連接部即連接有電晶體 2 5之另一方之連接部，而在此電晶體2 5之另一方之連 接部即連接有基準電位V S S。 又對於電晶體2 1之另一方之連接部連接有變換器 2 9之輸入，而從此變換器2 9之輸出部即輸出檢出訊號 。電晶體2 3之閘極即能輸入在於基準電壓產生部1 6所 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 512517 A7 B7__ 五、發明説明（8 ) 產生之基準電壓Vref地被連接也。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 電阻2 7之另一方之連接部即連接有電阻（第2電阻 )2 8之一方之連接部’以及電晶體2 4之閘極。電阻 2 8之另一方之連接部即連接有電晶體（動作控制部） 26之另一方之連接部。 在此連接部2 6之另一方之連接部連接有基準電位 V s s，電晶體2 5，2 6之閘極係能輸入從控制電路1 1 所輸入之起動訊號W狀地予以連接也。 下面說明本實施形態之作用。 首先欲檢出電源電壓Vee水平時’即由控制電路1 1 對於電源電壓檢出電路輸出起動訊號w。須檢出電源電壓 經濟部智慧財產局U(工消費合作社印製 V c C水平之情形係例如電源投入時或資料之消去中或寫入 中時，於電源投入時，電源電壓v e C之較某一水平低時將 輸出高水平之檢出訊號K，而內部電路乃被復位。再者在 於資料之消去中或寫入中等情形時如電源電壓V c C之低於 某一水平時即被輸出高水平之檢出訊號K，接受它而控制 電路1 1即暫時的停止資料之消去，寫入等之實行中之處 理。 自控制電路1 1所輸出之起動訊號w之分別輸入於電 晶體2 0，2 5，2 6之閘極，於是電源電壓檢出電路 1 5會動作。 電晶體2 0 〇N時，即從基準電壓產生部1 6做爲 基準電壓V R e F地輸出在於雙極型之電晶體1 9之基極發 射極間電壓V B E水平之電壓。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 512517 A7 B7 五、發明説明（9 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此基準電壓產生部1 6所產生之基準電壓Vref (電 晶體1 9之基極-發射極間電壓V B E )係被輸入於電源電 壓檢出部1 7。電源電壓檢出部1 7之差動放大電路SA 乃比較基準電壓V R E F (電晶體1 9之基極-發射極間電 壓VBE)與以電阻2 7，2 8而將電壓Vec分壓所成之電 壓（檢出電壓，即交點a之電壓，而放大該電壓差輸出於 變換器2 9。 當交點a之電壓低於基準電壓VREF時，即從變換器 2 9之輸出部輸出高水平之檢出訊號K，而交點a之電壓 之高於基準電壓VREF之電壓時，即從變換器2 9之輸出 部輸出低水平之檢出訊號K也。 再者由電阻27，2 8所分壓而發生之交點a之電壓 乃以，Va=VccxRb/ (Ra+Rb)所賦予。但 V a爲交點a之電壓，R a係電阻2 7之電阻値，R b係 採電阻2 8之電阻値。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由於交點a之電壓乃由電阻27，28之電阻値而可 以設定爲任意之電壓，所以藉由變更電阻比而很容易設定 每一製品之任意之檢出水平。所以如第5圖（a )所示， 由電阻2 7，2 8之電阻比而將交點a之電壓變更爲電壓 VI ，及變更爲較電壓VI爲低之電壓V2時，即如第5 (b )圖所示，所檢出之電壓水平即分別被變更也。 於是在本實施形態1中乃，藉由，在於由溫度，製程 上之偏差少之雙極型電晶體1 9而產生基準電， 而以差動放大電路S A來比較，該基準電壓VREF，與以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12 - 512517 A7 B7 五、發明説明（10) 電阻2 7，2 8分壓所得之電壓V c c所以可以減少電源電 壓V c。之檢出水平之偏差。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者，由於電源電壓Vc。之檢出水平之偏差也會變小 所以在於低電壓動作之快閃記憶體1也可以安定的檢出電 源電壓V c C而可提高可靠性者。 (實施形態2 ) 本實施形態2中，快閃記憶體1 (第1圖）係，如上 述實施形態1 一樣，由邏輯控制器2，輸入出控制電路3 ，命令寄存器4，地址寄存器5，資料寄存器/讀取放大 器6，列地址緩衝器7，低地址緩衝器8，列地址譯碼器 9，低地址譯碼器1 〇，控制電路1 1 ，高電壓產生電路 1 2，核對電壓產生電路1 3，快閃記憶體組陣列1 4， 以及電源電壓檢出電路1 5所構成。 又，電源電壓檢出電路1 5 (第2圖）也與上述實施 形態1 一樣，由基準電壓產生部（第2基準電壓產生部） 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 1 6 a及電源電壓檢出部1 7所構成。電源電壓檢出部 1 7 (第2圖）之電路構成也與上述實施形態1同樣地由 電晶體21 ，22，電晶體23〜26，電阻27， 以及變換器2 9所構成。惟基準電壓產生部1 6 a之電路 構成即與上述實施形態1有所不同。 基準電壓產生部1 6 a乃，如第6圖所示由：P通道 M〇S之電晶體30〜35 ，N通道M〇S之電晶體36 〜39，以及NPN雙極型之電晶體40〜42，電阻 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） —------- 512517 A7 __B7_ 五、發明説明（彳彳） 43，44以及變換器45所構成。 於電晶體3 0〜3 2之一方之連接部供給有電源電壓 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) V c c。 電晶體3 0之閘極連接有基準電位v s s。電晶體3 0 之另一方連接部連接有電晶體3 6之一方之連接部。電晶 體3 9之閘極，電晶體3 1之另一方之連接部分別連接有 電晶體3 6之閘極，電晶體3 7之一方之連接部，閘極。 電晶體3 6，3 7之另一方之連接部連接有電晶體3 8之 一方之連接部。 在此電晶體3 8之另一方之連接部連接有基準電位 V s s，而在閘極乃能輸入控制電路1 1之起動訊號W地予 以連接。 電晶體3 1之閘極上連接有電晶體3 9之一方之連接 部，電晶體3 3〜3 5之閘極以及電晶體3 3之另一方之 連接部。 經濟部智慧財4局員工消費合作社印製 電晶體3 2之閘極上連接有變換器4 5之輸出部，而 此變換器4 5之輸出部能輸入控制電路1 1之起動訊號W 的予以連接而成。 電晶體3 2之另一方之連接部分別連接有電晶體3 3 〜3 5之一方之連接部。電晶體3 3之另一方之連接部連 接有電晶體4 0之集電極，電晶體3 4之另一方之連接部 分別連接有電晶體4 1之集電極，基極，以及電晶體4 0 之基極。 電晶體4 0之發射極連接有電阻4 3之一方之連接部 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 512517 A7 B7 _ 五、發明説明（12) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，電晶體3 5之另一方之連接部連接有電阻4 4之一方之 連接部，而此電晶體3 5之另一方之連接部成爲基準電壓 產生部1 6 a之基準電壓VREF之輸出部。 電阻4 4之另一方之連接部連接有電晶體4 2之集電 極，基極，電阻4 3之另一*方之連接部’電晶體4 1 ’ 4 2之發射區分別連接有基準電位V s s。 並且由電晶體30，31 ，36〜39而構成開關電 路SWC，而由電晶體32〜35，電晶體40〜42， 以及電阻4 3，4 3來構成做爲帶隙型基準電壓電路（帶 隙型基準電壓源）之帶隙電路B G。 下面說明基準電壓產生部1 6 a之動作。 首先開關電路SWC係起動電路，當起動訊號W爲低 水平時，令電晶體3 3〜3 5之閘極電壓爲基準電位V s s ，而當電路之呈活性化之，起動訊號爲高水平時，即待帶 隙電路B G之活性化之後才延遲地使電晶體3 9爲◦ F F ，而電晶體3 3〜3 5之閘極電壓即由帶隙電路B G所決 定。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又由起動訊號W而帶隙電路B G之電晶體3 2也成爲 〇N。由這些而使帶隙電路B G活性化。 在此帶隙電路B G中，在於基準電壓V R E F (電晶體 4 2之基極·發射極間電壓Vbe) + I 〇x R 1中，由於 電晶體4 2之基極-發射極間之電壓V B E係負之溫度特性 ，所以使I 〇具有正之溫度特性而可實施溫度補償，該 I 0之溫度特性乃由電晶體4 0，4 1之發射極面積而決 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐） 512517 A7 _ _B7_ 五、發明説明（13) 定。本例中，I 〇乃流於電阻4 4之電流値，R 1即電阻 4 4之電阻値。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於是如上述實施形態1 一樣，藉由電源電壓檢出部 1 7之差動放大電路S A來比較，此基準電壓產生部 16 a所產生之基準電壓VREF，與以電阻27，28而 將電壓Vcc予以分壓之電壓（交點a)，而放大該電壓差 輸出於變換器2 9由而輸出高水平/低水平之檢出訊號K 也。 由而依本實施形態2時，藉由帶隙電路B G來實施溫 度補償而產生基準電壓V R E F，所以大幅度地可以減少溫 度依存性，於是更能提高電壓檢出電路1 5上之電壓檢出 水平之精度。 再者，設是低電壓動作型之快閃記憶體1之下，仍然 高精度，安定地可以檢出電源電壓Vec，大幅度的可提高 可靠性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以上乃依發明之實施形態而具體的說明了本發明人所 發明之發明，惟本發明並不侷限於上述實施形態，在不逸 脫其要旨之範圍內仍然可以做種種變更，這是當然之道理 圖式之簡單說明 第1圖係本發明之實施形態1之快閃記憶體之方塊圖 〇 第2圖係設於本發明之實施形態1之快閃記憶體之電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16- 512517 A7 B7 五、發明説明（14) 源電壓檢出電路之電路說明圖。 · (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第3圖係設於本發明之實施形態1之電源電壓檢出電 路之基準電壓產生部之電路圖。 第4圖係設於本發明之實施形態1之基準電壓產生部 之雙極型電晶體之構成說明圖。 第5 ( a )圖係依本發明之實施形態1之基準電壓檢 出部之變更電阻比時之檢知水平之設計變更之說明圖。 第5 ( b )圖係該檢知水平之設定變更時所檢出之電 源電壓水平之說明圖。 第6圖係依本發明之實施形態2之電源電壓檢出電路 之基準電壓產生部之電路圖。 (標號說明） 1 快閃記憶體 2 邏輯控制 3 輸入出控制電路 4 命令寄存器 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 地址寄存器 6 資料寄存器/讀出放大器 7 列地址緩衝器 8 低地址緩衝器 9 列地址譯碼器 10 低地址譯碼器 11 控制電路 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17- 512517 A7 B7 五、發明説明（15) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 2 電 壓產 生 電 路 1 3 核 對 電壓 產 生 電 路 1 4 快 閃 記憶 體 組 陣 列 1 5 電 源 電壓 檢 出 電 路 ( 電 源 電 壓 檢 出 手 段 ) 1 6 基 準 電壓 產 生 部 ( 第 1 基 準 電 壓 產 生 部 ) 1 6 a 基 準電 壓 產 生 部 ( 第 2 基 準 電 壓 產 生 部） 1 7 電 源 電壓 檢 出 部 1 8 電 阻 1 9 5 2 0 電 晶 體 2 1 5 2 2 電 晶 體 2 3 2 6 電 晶 體 2 7 電 阻 (第 1 電 阻 ) 2 8 電 阻 (第 2 電 阻 ) 2 9 換 器 3 〇 4 2 電 晶 體 4 3 1 4 4 電 阻 4 5 變 換 器 S W C 開 關電 路 B G 帶 隙 電路 K S 檢 出 電壓 產 生 部 S A 差 動 放大 電 路 ( 訊 號 放大 部 ) K 檢 出 訊 號 W 起 動 訊 號（ 動 作 控 制 訊 號 ) V C C 電源電壓 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） »18- 512517 A7 B7五、發明説明（16)V R E F 基準電壓V s S 基準電位 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19-

Claims (1)

1. 512517 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 1 . 一種半導體積體電路裝置，係具備由： 依據動作控制訊號，而以電晶體之基極-射極間電壓 作爲基準電壓予以輸出之第1之基準電壓產生部，及 由電源電壓產生檢出電壓之檢出電壓產生部，及 依據動作控制訊號而將上述第1基準電壓產生部所產 生之基準電壓，與上述檢出電壓產生部所產生之檢出電壓 之電壓差予以差動放大，做爲檢出訊號予以輸出之訊號放 大部所構成之電源電壓檢出手段，爲其特徵者。 2 · —種半導體積體電路裝置，係具備由： · 依據動作控制訊號，而由使用雙極性電晶體之能帶隙 型基準電壓源產生基準電壓之第2基準電壓產生部，及 由電源電壓產生檢出電壓之檢出電壓產生部，及 依據動作控制訊號，而比較上述第2基準電壓產生部 所產生之基準電壓與上述檢出電壓產生部所產生之檢出電· 壓予以差動放大，做爲檢出訊號而輸出之訊號放大部所構 成之電源電壓檢出手段爲其特徵者。 3 ·如申請專利範圍第1項或2項所述之半導體積體 電路裝置，其中， 上述檢出電壓產生部係由第1，第2電阻構成，於電 源電壓與基準電位之間，串聯的連接上述第1 ，第2電阻 以分壓電源電壓以資產生檢出電壓者。 4 .如申請專利範圍第1項或2項所述之半導體積體 電路裝置，其中在上述檢出電壓產生部，設置依據動作控 制訊號對上述檢出電壓產生部進行動作控制之動作控制部 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X：297公釐1 -20- -----1----— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 512517 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

   ------1------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）